JPS59154022A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59154022A JPS59154022A JP2705783A JP2705783A JPS59154022A JP S59154022 A JPS59154022 A JP S59154022A JP 2705783 A JP2705783 A JP 2705783A JP 2705783 A JP2705783 A JP 2705783A JP S59154022 A JPS59154022 A JP S59154022A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体基板
上に接着強度の強いホトレジスト膜が形成され得るよう
にした半導体装置の製造方法に関するものである。
上に接着強度の強いホトレジスト膜が形成され得るよう
にした半導体装置の製造方法に関するものである。
［発明の技術的背景］
半導体基板にリン拡散した後、その基板上にホトレジス
トを塗布する場合、その形成されたホトレジスト膜の接
着強度を維持するために半導体基板上に形成されたリン
ガラス表面上の水溶性物質を除去する必要がある。
トを塗布する場合、その形成されたホトレジスト膜の接
着強度を維持するために半導体基板上に形成されたリン
ガラス表面上の水溶性物質を除去する必要がある。
そのため従来では、上記の半導体基板をフッ化アンモニ
ュームとフッ酸との混合液（バッファフッ酸）中に浸漬
するかあるいは上記半導体基板を７５０〜１２５０℃程
度の高温の水蒸気雰囲気中に投入している。
ュームとフッ酸との混合液（バッファフッ酸）中に浸漬
するかあるいは上記半導体基板を７５０〜１２５０℃程
度の高温の水蒸気雰囲気中に投入している。
［背景技術の問題点］
しかしながら、半導体基板上に形成されるリンガラスが
きわめて薄い場合には、バッフ１液にて腐食処理を行な
うと、リンガラス上の水溶性物質のみならずリンガラス
層までも腐食されて除去されてしまう欠点がある。
きわめて薄い場合には、バッフ１液にて腐食処理を行な
うと、リンガラス上の水溶性物質のみならずリンガラス
層までも腐食されて除去されてしまう欠点がある。
このガラス層は、たとえばトランジスタのエミッターベ
ース間電圧に影響を与える等、半導体装置の電気的特性
を一定に維持するために腐食さねないことが必要である
。
ース間電圧に影響を与える等、半導体装置の電気的特性
を一定に維持するために腐食さねないことが必要である
。
また、半導体基板を高温の水蒸気雰囲気中に投入する場
合には、高温処理のために既拡散不純物の半導体基板へ
の再拡散により拡散層の寸法にバラツキを生じさけ設計
通りの特性が得られなくなる等の問題点があった。
合には、高温処理のために既拡散不純物の半導体基板へ
の再拡散により拡散層の寸法にバラツキを生じさけ設計
通りの特性が得られなくなる等の問題点があった。
［発明の目的］
本発明は、上記の事情に基づきなされたものでリン拡散
後の半導体基板をバッファ液への浸漬、あるいは高温水
蒸気中での処理を施こすことなく、強固な接着強度を有
するホトレジスト膜を形成し得るようにした半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
後の半導体基板をバッファ液への浸漬、あるいは高温水
蒸気中での処理を施こすことなく、強固な接着強度を有
するホトレジスト膜を形成し得るようにした半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち、本発明は、半導体基板にリンを熱拡散する第
１の工程と、この半導体基板を所定温度に加熱した硫酸
と硝酸との混合液中に浸漬して上記第１の工程によって
上記半導体基板のリンガラス層の表面に生成された水溶
性物質を除去する第２の工程と、次いで上記半導体基板
を□清浄する第３の工程と、次いで上記半導体基板を乾
燥させる第４の工程と、さらにこの半導体基板の表面に
ホトレジストを塗布する第５の工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
１の工程と、この半導体基板を所定温度に加熱した硫酸
と硝酸との混合液中に浸漬して上記第１の工程によって
上記半導体基板のリンガラス層の表面に生成された水溶
性物質を除去する第２の工程と、次いで上記半導体基板
を□清浄する第３の工程と、次いで上記半導体基板を乾
燥させる第４の工程と、さらにこの半導体基板の表面に
ホトレジストを塗布する第５の工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
［発明の実施例］
まず、第１の工程として通常の方法にしたがい、半導体
基板上に５リンを熱拡散する。
基板上に５リンを熱拡散する。
こ−の場合、半導体基板上にリンガラス層が形成され、
このガラス層の１表面に五酸化リン水溶性物質が生成さ
れる。
このガラス層の１表面に五酸化リン水溶性物質が生成さ
れる。
次いで、第２の工程として硫酸と硝酸との容量比が約４
＝１で、かつ７０℃以上に加熱された硫酸、硝酸の混合
液中に上記半導体基板を約５分間浸漬させる。
＝１で、かつ７０℃以上に加熱された硫酸、硝酸の混合
液中に上記半導体基板を約５分間浸漬させる。
この第２の工程により、リンガラス表面に付着した上記
水溶性物質を分解除去される。
水溶性物質を分解除去される。
なお、硫酸、硝酸混合液は、バッフ１フツ酸等とは異な
り、リンガラス自体を腐食させる作用がないのできわめ
て薄いリンガラス層でも何ら侵されることがなく、半導
体装置の特性を劣化させることがない。
り、リンガラス自体を腐食させる作用がないのできわめ
て薄いリンガラス層でも何ら侵されることがなく、半導
体装置の特性を劣化させることがない。
次いで、第３の工程として、上記半導体基板を水洗等に
より清浄する。
より清浄する。
さらに第４の工程としてたとえば２００〜６００℃に加
熱された空気中、あるいは酸素ガスおよび不活性雰囲気
中で乾燥し、上記半導体基板の水蒸気を除去する。
熱された空気中、あるいは酸素ガスおよび不活性雰囲気
中で乾燥し、上記半導体基板の水蒸気を除去する。
最後に、第５の工程として、上記半導体基板に通常の方
法にしたがってホトレジストコート材を塗布し、ホトレ
ジスト膜を形成する。
法にしたがってホトレジストコート材を塗布し、ホトレ
ジスト膜を形成する。
［発明の効果］
上記の工程を経て形成されたホトレジスト膜は、リンガ
ラス上の水溶性物質が除去されているので、接着強度が
きわめて強固であり、後の処理工程中に剥離するような
ことがなく、設計通りの半導体装置を製作する場合、良
好な結果を得ることができる。
ラス上の水溶性物質が除去されているので、接着強度が
きわめて強固であり、後の処理工程中に剥離するような
ことがなく、設計通りの半導体装置を製作する場合、良
好な結果を得ることができる。
また、薄いガラス層が列るので、トランジスタ等の電気
的特性が悪化することがない効果もある。
的特性が悪化することがない効果もある。
なお、本発明の実施例では、硫酸、硝酸の混合容量比を
４：１にしたが、リン拡散の条件によって種々に変化さ
せ得ることはいうまでもない。
４：１にしたが、リン拡散の条件によって種々に変化さ
せ得ることはいうまでもない。
出顔代理人 弁理士 菊 池 五 部
Claims (2)
- （１）半導体基板にリンを熱拡散する第１の工程と、こ
の半導体基板を所定温度に加熱した硫酸と硝酸との混合
液中に浸漬して上記第１の工程によって上記半導体基板
のリンガラス層の表面に生成された水溶性物質を除去す
る第２の工程と、次いで上記半導体基板を清浄する第３
の工程と、次いで上記半導体基板を乾燥させる第４の工
程と、さらにこの半導体基板の表面にホトレジストを塗
布する第５の工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２）上記硫酸と硝酸との混合液は、その容量比が４：
１であることを特徴とする特許請求の範囲
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2705783A JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2705783A JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154022A true JPS59154022A (ja) | 1984-09-03 |
| JPH0142623B2 JPH0142623B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=12210432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2705783A Granted JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010056794A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 박종섭 | 패턴의 불량을 감소시키기 위한 리소그라피 공정 |
| KR100436007B1 (ko) * | 1996-07-19 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 에치설비및에치방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114276A (en) * | 1975-03-20 | 1976-10-07 | Ajinomoto Kk | Method of collecting cocoons |
| JPS5330876A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Akai Electric | Method of cleaning surface of semiconductor |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP2705783A patent/JPS59154022A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114276A (en) * | 1975-03-20 | 1976-10-07 | Ajinomoto Kk | Method of collecting cocoons |
| JPS5330876A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Akai Electric | Method of cleaning surface of semiconductor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436007B1 (ko) * | 1996-07-19 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 에치설비및에치방법 |
| KR20010056794A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 박종섭 | 패턴의 불량을 감소시키기 위한 리소그라피 공정 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142623B2 (ja) | 1989-09-13 |
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