JPH05267701A - 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 - Google Patents
酸化錫透明導電膜のパターニング方法Info
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- JPH05267701A JPH05267701A JP4092245A JP9224592A JPH05267701A JP H05267701 A JPH05267701 A JP H05267701A JP 4092245 A JP4092245 A JP 4092245A JP 9224592 A JP9224592 A JP 9224592A JP H05267701 A JPH05267701 A JP H05267701A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化錫透明導電膜をエッチングした際に生じ
たエッチング残りを完全に除去することができる酸化錫
透明導電膜のパターニング方法の提供。 【構成】 まず、ガラス基板上にスプレー法によって酸
化錫透明導電膜を成膜する（成膜温度は 450℃、膜厚は
450nm）。次いで、この酸化錫透明導電膜の表面に太陽
電池セルの所定のパターンをレジスト印刷し、乾燥後亜
鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチングを行う。その
後、レジストを剥離し、所定のパターンが形成された酸
化錫パターニング基板を得る。次に、この酸化錫パター
ニング基板を弗化水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）
中で揺動させながら45秒間浸漬し、その後これを取り出
して純水で洗浄する。次いで、上記基板における透明導
電膜上にプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
ｐ、ｉ、ｎ層を順次成膜し、その上に背面電極としてア
ルミニウムをＥＢ蒸着により成膜する。
たエッチング残りを完全に除去することができる酸化錫
透明導電膜のパターニング方法の提供。 【構成】 まず、ガラス基板上にスプレー法によって酸
化錫透明導電膜を成膜する（成膜温度は 450℃、膜厚は
450nm）。次いで、この酸化錫透明導電膜の表面に太陽
電池セルの所定のパターンをレジスト印刷し、乾燥後亜
鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチングを行う。その
後、レジストを剥離し、所定のパターンが形成された酸
化錫パターニング基板を得る。次に、この酸化錫パター
ニング基板を弗化水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）
中で揺動させながら45秒間浸漬し、その後これを取り出
して純水で洗浄する。次いで、上記基板における透明導
電膜上にプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
ｐ、ｉ、ｎ層を順次成膜し、その上に背面電極としてア
ルミニウムをＥＢ蒸着により成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化錫透明導電膜のパ
ターニング方法に関し、さらに詳しくは、酸化錫透明導
電膜のパターニングの際におけるエッチング後処理に関
する。
ターニング方法に関し、さらに詳しくは、酸化錫透明導
電膜のパターニングの際におけるエッチング後処理に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、パターニングされた酸化錫透
明導電膜を有する基板は、太陽電池やＣＯＧ基板など様
々な用途に広く用いられており、例えば非晶質シリコン
太陽電池は、光透過性絶縁基板上に酸化錫透明導電膜を
成膜し、この膜にエッチングによって太陽電池セルの所
定のパターンを形成し、パターニングされた透明導電膜
上に光電変換層である非晶質シリコンｐ、ｉ、ｎ層を順
次成膜し、その上に背面電極を形成することにより製造
される。
明導電膜を有する基板は、太陽電池やＣＯＧ基板など様
々な用途に広く用いられており、例えば非晶質シリコン
太陽電池は、光透過性絶縁基板上に酸化錫透明導電膜を
成膜し、この膜にエッチングによって太陽電池セルの所
定のパターンを形成し、パターニングされた透明導電膜
上に光電変換層である非晶質シリコンｐ、ｉ、ｎ層を順
次成膜し、その上に背面電極を形成することにより製造
される。
【０００３】また、上記太陽電池においては、成膜表面
がテクスチャ（凹凸）構造を有する酸化錫透明導電膜を
用いることにより、その光閉じ込め効果による太陽電池
の光変換効率の向上が図られていた。
がテクスチャ（凹凸）構造を有する酸化錫透明導電膜を
用いることにより、その光閉じ込め効果による太陽電池
の光変換効率の向上が図られていた。
【０００４】しかしながら、上記太陽電池特性改善に有
効なテクスチャ構造を有する酸化錫透明導電膜は、少な
くとも 450nmの膜厚が必要であるが、これだけの膜厚を
有する酸化錫透明導電膜をエッチングによってパターニ
ングした場合、露出した光透過性絶縁基板の表面におけ
るエッチング残りの発生が避けられないという問題点が
あった。
効なテクスチャ構造を有する酸化錫透明導電膜は、少な
くとも 450nmの膜厚が必要であるが、これだけの膜厚を
有する酸化錫透明導電膜をエッチングによってパターニ
ングした場合、露出した光透過性絶縁基板の表面におけ
るエッチング残りの発生が避けられないという問題点が
あった。
【０００５】このようにエッチング残りが生じると、信
頼性試験における剥離の原因となるが、このエッチング
残りは、エッチング後の段階において肉眼で発見するこ
とが困難であり、酸化錫透明導電膜の上に成膜されたア
モルファスシリコンあるいは背面電極上において斑模様
として顕著に観察される。したがって、製品の目視検査
の段階まできて初めて不良品とされるため、材料を無駄
にしてしまう上、生産性が低下してしまうという問題点
があった。
頼性試験における剥離の原因となるが、このエッチング
残りは、エッチング後の段階において肉眼で発見するこ
とが困難であり、酸化錫透明導電膜の上に成膜されたア
モルファスシリコンあるいは背面電極上において斑模様
として顕著に観察される。したがって、製品の目視検査
の段階まできて初めて不良品とされるため、材料を無駄
にしてしまう上、生産性が低下してしまうという問題点
があった。
【０００６】一方、ＣＯＧ基板は、光透過性絶縁基板で
あるガラス基板上に酸化錫透明導電膜を成膜し、この膜
にエッチングによって所定のパターンを形成することに
よってガラス基板を部分的に露出させ（スペース部）、
このパターニング基板にＮｉなどを無電解メッキするこ
とにより製造されるが、エッチングの際に上記スペース
部にエッチング残りが生じると、無電解メッキ処理工程
においてスペース部のエッチング残りにもメッキが付
き、ショートの原因となってしまう。
あるガラス基板上に酸化錫透明導電膜を成膜し、この膜
にエッチングによって所定のパターンを形成することに
よってガラス基板を部分的に露出させ（スペース部）、
このパターニング基板にＮｉなどを無電解メッキするこ
とにより製造されるが、エッチングの際に上記スペース
部にエッチング残りが生じると、無電解メッキ処理工程
においてスペース部のエッチング残りにもメッキが付
き、ショートの原因となってしまう。
【０００７】しかしながら、上記スペース部に生じるエ
ッチング残りは、光透過性絶縁基板であるガラス基板に
酸化錫を成膜した際に両者が反応して生じた層（以下、
反応層という）であり、この反応層は酸化錫とガラスの
中間の組成からなるため、酸化錫のエッチングによって
完全に取り去ることが極めて困難であるという問題点が
あった。
ッチング残りは、光透過性絶縁基板であるガラス基板に
酸化錫を成膜した際に両者が反応して生じた層（以下、
反応層という）であり、この反応層は酸化錫とガラスの
中間の組成からなるため、酸化錫のエッチングによって
完全に取り去ることが極めて困難であるという問題点が
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述従来の
技術の問題点を解決し、酸化錫透明導電膜をエッチング
した際に生じたエッチング残りを完全に除去することが
できる酸化錫透明導電膜のパターニング方法を提供する
ことを目的とする。
技術の問題点を解決し、酸化錫透明導電膜をエッチング
した際に生じたエッチング残りを完全に除去することが
できる酸化錫透明導電膜のパターニング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究の結果、酸化錫透明導電膜か
らなるパターニング基板に生じたエッチング残りが、弗
酸系溶液によって完全に溶解除去されることを見い出
し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意研究の結果、酸化錫透明導電膜か
らなるパターニング基板に生じたエッチング残りが、弗
酸系溶液によって完全に溶解除去されることを見い出
し、本発明に到達した。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に成膜した酸
化錫透明導電膜に、エッチング処理を施してパターニン
グし、このエッチング処理の際に生じたエッチング残渣
を、弗酸系溶液によって溶解除去することを特徴とする
酸化錫透明導電膜のパターニング方法を提供するもので
ある。
化錫透明導電膜に、エッチング処理を施してパターニン
グし、このエッチング処理の際に生じたエッチング残渣
を、弗酸系溶液によって溶解除去することを特徴とする
酸化錫透明導電膜のパターニング方法を提供するもので
ある。
【００１１】
【作用】本発明法によると、基板上に成膜した酸化錫透
明導電膜をエッチングによってパターニングした後、該
基板に弗酸処理を施すことにより、エッチング残りを完
全に溶解除去している。
明導電膜をエッチングによってパターニングした後、該
基板に弗酸処理を施すことにより、エッチング残りを完
全に溶解除去している。
【００１２】例えば、ガラス基板上に成膜した酸化錫透
明導電膜にエッチングで所定のパターンを形成した場
合、ガラス基板は部分的に露出（スペース部）するが、
このスペース部に生じたエッチング残りは、ガラス基板
と酸化錫との反応層であるためエッチングを数回繰り返
しても完全に除去することができない。しかしながら、
エッチング後に該基板に弗酸処理を施すことにより、上
記エッチング残り（反応層）のガラス成分が溶解されて
酸化錫成分もろとも溶出されるため、エッチング残りが
完全に除去されるのである。
明導電膜にエッチングで所定のパターンを形成した場
合、ガラス基板は部分的に露出（スペース部）するが、
このスペース部に生じたエッチング残りは、ガラス基板
と酸化錫との反応層であるためエッチングを数回繰り返
しても完全に除去することができない。しかしながら、
エッチング後に該基板に弗酸処理を施すことにより、上
記エッチング残り（反応層）のガラス成分が溶解されて
酸化錫成分もろとも溶出されるため、エッチング残りが
完全に除去されるのである。
【００１３】本発明法における弗酸処理とは、弗酸系溶
液によってエッチング残りを溶解して除去するものであ
って、例えば、弗化水素酸アンモニウム溶液中に、パタ
ーニング基板を揺動させながら浸漬することにより行う
ことができる。
液によってエッチング残りを溶解して除去するものであ
って、例えば、弗化水素酸アンモニウム溶液中に、パタ
ーニング基板を揺動させながら浸漬することにより行う
ことができる。
【００１４】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１５】
【実施例１】本発明法の一実施例として、弗酸処理工程
を入れたアモルファスシリコン太陽電池の作製について
以下に示す。
を入れたアモルファスシリコン太陽電池の作製について
以下に示す。
【００１６】まず、ガラス基板上にスプレー法によって
酸化錫透明導電膜を成膜した。なお、成膜温度は 450
℃、膜厚は 450nmとした。次いで、成膜した酸化錫透明
導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパターンをレジス
ト印刷し、乾燥後亜鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチ
ングを行った。その後、レジストを剥離し、所定のパタ
ーンが形成された酸化錫パターニング基板を得た。
酸化錫透明導電膜を成膜した。なお、成膜温度は 450
℃、膜厚は 450nmとした。次いで、成膜した酸化錫透明
導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパターンをレジス
ト印刷し、乾燥後亜鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチ
ングを行った。その後、レジストを剥離し、所定のパタ
ーンが形成された酸化錫パターニング基板を得た。
【００１７】次に、上記酸化錫パターニング基板を弗化
水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）中に揺動させなが
ら45秒間浸漬し、その後該基板を取り出して純水で洗浄
した。次いで、上記基板における透明導電膜上にプラズ
マＣＶＤ法によってアモルファスシリコンをｐ、ｉ、ｎ
層の順に成膜し、その上に背面電極としてアルミニウム
をＥＢ蒸着によって成膜し、アモルファスシリコン太陽
電池を得た。
水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）中に揺動させなが
ら45秒間浸漬し、その後該基板を取り出して純水で洗浄
した。次いで、上記基板における透明導電膜上にプラズ
マＣＶＤ法によってアモルファスシリコンをｐ、ｉ、ｎ
層の順に成膜し、その上に背面電極としてアルミニウム
をＥＢ蒸着によって成膜し、アモルファスシリコン太陽
電池を得た。
【００１８】上記のようにしてして作製した太陽電池に
おけるガラス基板面上成膜面における膜むらを観察し、
その結果を表１に示した。
おけるガラス基板面上成膜面における膜むらを観察し、
その結果を表１に示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【実施例２】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分としたこと以外は実施例１と同様にしてアモルフ
ァスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池につ
いて実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１に併
記した。
を１分としたこと以外は実施例１と同様にしてアモルフ
ァスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池につ
いて実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１に併
記した。
【００２１】
【実施例３】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分15秒としたこと以外は実施例１と同様にしてアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池
について実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１
に併記した。
を１分15秒としたこと以外は実施例１と同様にしてアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池
について実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１
に併記した。
【００２２】
【実施例４】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分30秒としたこと以外は実施例１と同様にしてアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池
について実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１
に併記した。
を１分30秒としたこと以外は実施例１と同様にしてアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製し、作製した太陽電池
について実施例１と同様の観察を行い、その結果を表１
に併記した。
【００２３】
【比較例１】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬およ
びその後の洗浄を行わなかったこと以外は実施例１と同
様にしてアモルファスシリコン太陽電池を作製し、作製
した太陽電池について実施例１と同様の観察を行い、そ
の結果を表１に併記した。
びその後の洗浄を行わなかったこと以外は実施例１と同
様にしてアモルファスシリコン太陽電池を作製し、作製
した太陽電池について実施例１と同様の観察を行い、そ
の結果を表１に併記した。
【００２４】表１からもわかるように、 1mol/ｌの濃度
の弗化水素酸アンモニウム溶液を用いた弗酸処理の場
合、エッチング処理後に上記弗化水素酸アンモニウム溶
液中に1分15秒以上揺動浸漬することにより、エッチン
グ残りは完全に除去されることが確認された。
の弗化水素酸アンモニウム溶液を用いた弗酸処理の場
合、エッチング処理後に上記弗化水素酸アンモニウム溶
液中に1分15秒以上揺動浸漬することにより、エッチン
グ残りは完全に除去されることが確認された。
【００２５】
【実施例５】本発明法の一実施例として、弗酸処理工程
を入れたＣＯＧ基板の作製について以下に示す。
を入れたＣＯＧ基板の作製について以下に示す。
【００２６】まず、ガラス基板上にスプレー法によって
酸化錫透明導電膜を成膜した。なお、成膜温度は 450
℃、膜厚は 450nmとした。次いで、成膜した酸化錫透明
導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパターンをレジス
ト印刷し、乾燥後亜鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチ
ングを行った。その後、レジストを剥離し、所定のパタ
ーンが形成された酸化錫パターニング基板を得た。
酸化錫透明導電膜を成膜した。なお、成膜温度は 450
℃、膜厚は 450nmとした。次いで、成膜した酸化錫透明
導電膜の表面に太陽電池セルの所定のパターンをレジス
ト印刷し、乾燥後亜鉛塗布および塩酸浸漬によるエッチ
ングを行った。その後、レジストを剥離し、所定のパタ
ーンが形成された酸化錫パターニング基板を得た。
【００２７】次に、上記酸化錫パターニング基板を弗化
水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）中に揺動させなが
ら45秒間浸漬し、その後該基板を取り出して純水で洗浄
した。次いで、このパターニング基板表面にＮｉ無電解
メッキを施してＣＯＧ基板を得た。得られたＣＯＧ基板
におけるガラス基板面上のＮｉメッキの観察を行い、そ
の結果を表２に示した。
水素酸アンモニウム溶液（ 1mol/ｌ）中に揺動させなが
ら45秒間浸漬し、その後該基板を取り出して純水で洗浄
した。次いで、このパターニング基板表面にＮｉ無電解
メッキを施してＣＯＧ基板を得た。得られたＣＯＧ基板
におけるガラス基板面上のＮｉメッキの観察を行い、そ
の結果を表２に示した。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【実施例６】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯＧ基
板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５と同
様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
を１分としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯＧ基
板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５と同
様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
【００３０】
【実施例７】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分15秒としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯ
Ｇ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５
と同様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
を１分15秒としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯ
Ｇ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５
と同様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
【００３１】
【実施例８】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬時間
を１分30秒としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯ
Ｇ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５
と同様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
を１分30秒としたこと以外は実施例５と同様にしてＣＯ
Ｇ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板について実施例５
と同様の観察を行い、その結果を表２に併記した。
【００３２】
【比較例２】弗化水素酸アンモニウム溶液への浸漬およ
びその後の洗浄を行わなかったこと以外は実施例５と同
様にしてＣＯＧ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板につ
いて実施例５と同様の観察を行い、その結果を表２に併
記した。
びその後の洗浄を行わなかったこと以外は実施例５と同
様にしてＣＯＧ基板を作製し、作製したＣＯＧ基板につ
いて実施例５と同様の観察を行い、その結果を表２に併
記した。
【００３３】表２からもわかるように、 1mol/ｌの濃度
の弗化水素酸アンモニウム溶液を用いた弗酸処理の場
合、エッチング処理後に上記弗化水素酸アンモニウム溶
液中に1分15秒以上揺動浸漬することにより、エッチン
グ残りは完全に除去されることが確認された。
の弗化水素酸アンモニウム溶液を用いた弗酸処理の場
合、エッチング処理後に上記弗化水素酸アンモニウム溶
液中に1分15秒以上揺動浸漬することにより、エッチン
グ残りは完全に除去されることが確認された。
【００３４】
【発明の効果】本発明法の開発により、エッチングによ
る酸化錫透明導電膜のパターニングの際に生じたエッチ
ング残りが完全に除去されるようになった。そのため、
後工程においてこの酸化錫パターニング基板上に成膜さ
れるアモルファスシリコンや背面電極または無電解メッ
キ層などに、目視上や特性上の影響を及ぼさなくなっ
た。また、上記酸化錫パターニング基板を用いてＣＯＧ
基板を構成した場合、パターンのスペース部（パターン
を形成することによって部分的に露出したガラス基板
面）にメッキが付着することがなくなり、ショートの発
生が防止されるようになった。
る酸化錫透明導電膜のパターニングの際に生じたエッチ
ング残りが完全に除去されるようになった。そのため、
後工程においてこの酸化錫パターニング基板上に成膜さ
れるアモルファスシリコンや背面電極または無電解メッ
キ層などに、目視上や特性上の影響を及ぼさなくなっ
た。また、上記酸化錫パターニング基板を用いてＣＯＧ
基板を構成した場合、パターンのスペース部（パターン
を形成することによって部分的に露出したガラス基板
面）にメッキが付着することがなくなり、ショートの発
生が防止されるようになった。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に成膜した酸化錫透明導電膜に、
エッチング処理を施してパターニングし、このエッチン
グ処理の際に生じたエッチング残渣を、弗酸系溶液によ
って溶解除去することを特徴とする酸化錫透明導電膜の
パターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092245A JPH05267701A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092245A JPH05267701A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267701A true JPH05267701A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14049048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4092245A Withdrawn JPH05267701A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267701A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999039390A1 (fr) * | 1998-01-28 | 1999-08-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif de pile solaire |
| US10013120B2 (en) | 2011-09-02 | 2018-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch panel and manufacturing method for touch panel |
| KR20210069129A (ko) * | 2017-02-17 | 2021-06-10 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 디바이스 제작에서의 주석 옥사이드 막들 |
| US11355353B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-06-07 | Lam Research Corporation | Tin oxide mandrels in patterning |
| US11551938B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-10 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
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| US11987876B2 (en) | 2018-03-19 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Chamfer-less via integration scheme |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4092245A patent/JPH05267701A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11848212B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-12-19 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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