KR950021183A - 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents
반도체 소자의 세정방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 세정(Cleaning) 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조공정중 세정공정을 실시함에 있어,HF 기체(Vapor)세정하기 전에 황산(H2SO4)수용액과 수산화암모늄(NH4OH) 수용액등의 습식세정용액으로 세정한 후 HF 기체로 세정하므로써, 유기물과 파티클(Particle)을 효과적으로 제거하여 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 세정방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 반도체 소자의 세정방법에 있어서, 유기물 또는 파티클을 습식세정으로 제거한 후 건식세정인 HF 기체로 불필요한 산화막 또는 자연 산화막을 제거하여 세정효과를 높이는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식세정은 H2SO4:H2O2=3:1인 황산 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식세정은 NH4OH:H2O2:DI=1:1:5인 수산화암모늄 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식세정은 황산 수용액과 수산화암모늄 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 습식세정공정시 황산 수용액으로 유기물을 제거한 후, 수산화 암모늄 수용액으로 파티클을 제거하고, 이후 HF 기체로 건식세정 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029800A KR950021183A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930029800A KR950021183A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021183A true KR950021183A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66850911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930029800A KR950021183A (ko) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 반도체 소자의 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021183A (ko) |
-
1993
- 1993-12-27 KR KR1019930029800A patent/KR950021183A/ko not_active Application Discontinuation
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