KR950015624A - 반도체 제조공정시의 세정방법 - Google Patents

반도체 제조공정시의 세정방법 Download PDF

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KR950015624A
KR950015624A KR1019930023072A KR930023072A KR950015624A KR 950015624 A KR950015624 A KR 950015624A KR 1019930023072 A KR1019930023072 A KR 1019930023072A KR 930023072 A KR930023072 A KR 930023072A KR 950015624 A KR950015624 A KR 950015624A
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KR
South Korea
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cleaning
cleaning method
semiconductor manufacturing
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oxide film
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Application number
KR1019930023072A
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English (en)
Inventor
이완기
김우진
이주영
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 습식 세정시에 성장하는 자연 산화막을 이용하여 워터 마크를 제거한 다음에 건식 세정시의 불화수소(HF) 기체를 사용하여 상기 자연 산화막을 세정하고, 잔류하는 제질쥬인 F기를 IPA 기체를 사용하여 제거함으로써, 반도체 제조공정시에 발생하는 모든 오염을 제거할 수 있는 세정방법에 관한 기술이다.

Description

반도체 제조공정시의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 반도체 제조공정시의 세정(cleaning) 방법에 있어서, 세정공정시에 생성되는 워터 마크(water mark)로 인하여 반도체 공정시에 결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여, 습식 세정공정으로 세정할 물질층의 상부 표면의 파티클(particle)을 제거하고 자연 산화막을 성장시키는 단계와, 불화수소(HF) 기체를 사용한 건식 세정 공정으로 상기 자연 산화막을 제거하고 레지쥬(reidue)인 F(fluorine)기를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습식 세정 공정시에 사용되는 세정액은 산성액과 알카리성액을 교대로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시의 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 자연 산화막을 생성시킬 수 있도록 하기 위하여, 상기 습식 세정 공정의 마지막 세정액으로 알칼리성 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시의 세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레지쥬인 F기를 제거하기 위하여, IPA(iso-propyl alcohol)기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시 세정방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 산성액으로 피라나(H2SO4:H2O2=3:1), SC-2(HCL:H2O2:DI=1:1:5)등을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시의 세정방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 알칼리성액으로 SC-1(NH4OH:H2O2:DI=1:1:5)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정시의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023072A 1993-11-02 1993-11-02 반도체 제조공정시의 세정방법 KR950015624A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100825965B1 (ko) * 2006-09-22 2008-04-29 세메스 주식회사 기판 세정 방법
KR100846271B1 (ko) * 2006-12-29 2008-07-16 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 세정 방법

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