KR970052756A - 실리콘 산화막의 식각방법 - Google Patents
실리콘 산화막의 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘 산화막의 식각방법에 관한 것으로, 시간에 따라 식각율이 변하지 않고 보관이 용이한 식각제를 이용하여 실리콘 산화막을 습식식각하는 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 반도체소자의 제조공정중 실리콘 산화막의 식각공정에 있어서, 아미드계통의 용매류를 계면활성제로 첨가한 습식식각제를 이용하여 실리콘 산화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 식각방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 메틸포름아미드의 구조도.
제2도는 식각시의 웨이퍼의 콘택각도를 나타낸 도면.
Claims (2)
- 반도체소자의 제조공정중 실리콘 산화막의 식각공정에 있어서, 아미드계통의 용매류를 계면활성제로 첨가한 습식식각제를 이용하여 실리콘 산화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 아미드계통의 용매로서 메틸포름아미드를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막의 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050896A KR970052756A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 실리콘 산화막의 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050896A KR970052756A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 실리콘 산화막의 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052756A true KR970052756A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66595069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050896A KR970052756A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 실리콘 산화막의 식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052756A (ko) |
-
1995
- 1995-12-16 KR KR1019950050896A patent/KR970052756A/ko not_active Application Discontinuation
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