KR940027096A - 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼상에 증착된 폴리실리콘막을 식각하여 예정된 소정의 수직형상 패턴을 형성하기 위해 폴리실리콘막 식각시 SF6가스에 HCFC123(C2HCl2F3) 가스를 첨부하여 폴리실리콘막을 건식식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법에 관한 것으로, 이온 충격에 의한 손상면에서 우수하고 측면으로의 식각도 방지하여 양호한 수직형상의 폴리실리콘막 패턴 윤곽을 얻을 수 있어 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 식각가스를 사용한 폴리실리콘 식각 공정도, 제2도는 본 발명에 따른 폴리실리콘 식각 공정도.
Claims (2)
- 플루오르(fluorine)계 가스를 이용하여 웨이퍼상에 증착된 폴리실리콘막을 식각하여 예정된 소정의 수직형 패턴으로 형성하기 위한 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법에 있어서, 상기 플루오르계의 식각가스에 HCFC123(C2HCl2F3) 가스를 첨가하여 폴리실리콘막을 건식식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오르(fluorine) 계통의 식각가스는 SF6인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930009720A KR940027096A (ko) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019930009720A KR940027096A (ko) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940027096A true KR940027096A (ko) | 1994-12-10 |
Family
ID=67134438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930009720A KR940027096A (ko) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 반도체 소자의 폴리실리콘막 건식식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940027096A (ko) |
-
1993
- 1993-05-31 KR KR1019930009720A patent/KR940027096A/ko not_active IP Right Cessation
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