KR960035859A - 반도체기판의 표면처리액과 이 처리액을 사용한 표면처리방법 및 표면처리장치 - Google Patents

반도체기판의 표면처리액과 이 처리액을 사용한 표면처리방법 및 표면처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판표면의 거칠기를 억제하여 액으로부터 금속오염이 없고, 파티클금속 불순물제거가 뛰어나며 상온에서 처리가능한 반도체기판의 표면처리액과 표면처리방법 및 표면처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은, 농도가 0.01%~1%인 HF수용액과, 농도가 0.1ppm에서 20ppm인 오존수를 함유한 혼합액을 사용하여 반도체기판의 표면처리를 행하는 것을 특징으로 하고 있다. SC-1액을 사용한 경우에 비해 표면을 평탄화할 수 있고, 반도체소자의 신뢰성을 높일 수 있다. 이 혼합액은 금속오염의 역흡착이 없고, 또한 Cu 등의 중금속도 제거가능하다. 또, 상온에서 처리할 수 있기 때문에 클린룸의 오염원으로 되지 않고, 세정 후의 오존수는 용이하게 분해할 수 있기 때문에 폐액처리 등이 간단해져서 환경 오염도 저감할 수 있다.
혼합액의 HF농도와 오존수농도를 조정함으로써, 반도체기판의 표면과 산화막을 동시에 세정할 수 있다.

Description

반도체기판의 표면처리액과 이 처리액을 사용한 표면처리방법 및 표면처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체기판의 표면처리액과 이 처리액을 사용한 표면처리방법 및 표면처리장치에 대해 설명하기 위한 것으로, 본 발며이 적용된 반도체기판의 표면처리장치의 개략 구성을 나타낸 도면.

Claims (11)

  1. 농도가 0.01%~1%인 HF수용액과, 농도가 0.1ppm에서 20ppm인 오존수를 함유한 혼합액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합액은 실리콘의 에칭률과 산화막의 에칭률이 실질적으로 같은 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리액.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 혼합액은 반도체기판의 표면과 이 반도체기판의표면에 형성된 산화막의 세정에 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리액.
  4. HF수용액과 오존수를 함유한 혼합액을 사용하여 반도체기판의 표면을 처리하는 방법에 있어서, 상기 혼합액내의 HF농도는 0.01%~1%이고, 상기 오존수의 농도는 01.ppm~ 20ppm인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 혼합액은 실리콘의 에칭률과 산화막의 에칭률이 실질적으로 같은 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 혼합액은 반도체기판의 표면의 세정공정에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 혼합액은 반도체기판의 표면의 세정공정에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  8. 제4항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체기판의 표면의 세정공정은 반도체기판의 표면에 산화막이 형성된 상태에서 행해지고, 상기 반도체기판의 표면과 상기 산화막의 표면을 동시에 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  9. 반도체기판을 처리조내에 수용하는 공정과, 상기 처리조내에 적어도 HF수용액과 오존수를 공급하여 HF농도가 0.01%~1%이고, 오존수의 농도가 0.1ppm~ 20ppm인 혼합액을 생성함과 더불어 이 혼합액을 사용하여 상기 반도체기판의 표면을 처리하는 공정, 상기 처리조내에 오존수를 도입하여 상기 혼합액을 오준수에 의해 치환하는 공정. 상기 처리조내에 순수를 도입하여 상기 오존수를 순수에 의해 치환하는 공정 및. 상기 처리조로부터 반도체기판을 취출하여 건조시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 혼합액을 사용하여 상기 반도체기판의 표면을 처리하는 공정은, 상기 반도체기판의 표면의 세정공정이고, 상기 반도체기판의 표면과 이 반도체기판의 표면에 형성된 산화막의 표면을 동시에 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리방법.
  11. 반도체 기판(12)이 수용된 처리조(11)와, 상기 처리조내에 농도가 0.01%~1%인 공급하는 HF공급수단(13,19). 상기 처리조내에 농도가 0.01ppm~20ppm인 오존수를 공급하는 오존수공급 수단(14,20). 상기 처리조내에 순수를 공급하는 순수공급수단(15,21) 상기 HF공급수단, 상기 오존수공급수단 및 상기 순수공급수단을 각각 제어하여 반도체기판의 표면처리를 행하는 제어수단(17)을 구비하고, 상기 제어수단은, 상기 HF공급수단 및 상기 오존수공급수단을 제어해서 상기 처리조내에 HF수용액과 오존수를 함유한 혼합액을 생성하여 상기 반도체기판의 표면을 처리한 후, 상기 오존수공급수단을 제어하여 상기 처리조내의 혼합액을 오존수로 치환하고, 연속해서 상기 순수공급수단을 제어하여 상기 처리조내의 오존수를 순수로 치환하는 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 표면처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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