KR940022736A - 반도체 장치의 세정방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체 장치의 세정방법 및 그 장치 Download PDF

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노보루 노무라
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Abstract

본 발명은 시간이 경과하여도 세정액이 열화하지 않도록한 반도체 기판의 세정방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 기판의 표면에 남아있는 유기물 및 무기물을 제거하는 황산 및 과산화수소와, 반도체 기판의 표면을 극미량만 에칭하므로써 반도체 기판의 표면에 남아있는 잔사 및 파티클을 제거하는 불소를 생성하는 플루오로황산과 물이 함유되어 있는 세정액에 의해서 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법 및 장치.

Description

반도체 장치의 세정방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체 기판의 세정장치를 표시하는 전체 구성도.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 관한 반도체 기판의 세정장치를 표시하는 전체 구성도.

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 표면에 남아있는 유기물 및 무기물을 제거하는 강산 및 산화제와, 반도체 기판의 표면을 극미량만 에칭하므로써 반도체 기판에 남아있는 잔사 및 파티클을 제거하는 불소를 생성하는 플루오로황산 또는 2불화술포린으로 되는 불소함유화합물과, 물을 함유하는 세정액에 의한 반도체 기판의 표면을 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정액으로는 반도체 기판의 표면을 0.5∼2nm/분의 에칭레이트로 에칭하는 량의 상기 불소함유화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 강산은 황산인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소수인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정액의 온도는 80∼130℃의 범위내인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 세정액에는 상기 불소함유화합물로서 0.005∼0.05%의 플루오로황산이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 세정액에는 상기 세정액중의 불소이온의 증발을 억제하는데 충분한 량의 물이 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
  8. 반도체 기판을 수용하는 세정조와, 상기 세정조내에 반도체 기판의 표면에 남아있는 유기물 및 무기물을 제거하는 강산 및 산화제를 공급하는 강산 및 산화제 공급수단과, 상기 세정조내에 불소를 생성하는 플루오로황산 또는 2불화술포린으로 되는 불소화합물을 공급하는 불소함유화합물 공급수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 세정조내의 불소농도를 검출하는 검출수단과, 상기 검출수단이 검출한 불소농도에 기인하여 상기 세정조내의 불소농도가 소정량으로 되도록 상기 불소함유화합물 공급수단에서 공급되는 상기 불소함유화합물의 량을 억제하는 제어수단을 더욱 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 불소함유화합물 공급수단에서 일정시간마다 소정량의 상기 불소함유화합물이 공급되도록 제어하는 제어수단을 더욱 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291667B1 (ko) * 1999-03-12 2001-05-15 권문구 광통신용 반도체칩의 금속접합 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997036209A1 (en) * 1996-03-22 1997-10-02 Merck Patent Gmbh Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry-etching________________________________________________________
US6630074B1 (en) * 1997-04-04 2003-10-07 International Business Machines Corporation Etching composition and use thereof
JP3607061B2 (ja) * 1997-10-29 2005-01-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6821892B1 (en) * 2001-06-04 2004-11-23 Promos Technologies, Inc. Intelligent wet etching tool as a function of chemical concentration, temperature and film loss
US20030230548A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Wolfgang Sievert Acid etching mixture having reduced water content
CN1321755C (zh) * 2003-01-21 2007-06-20 友达光电股份有限公司 清洗硅表面的方法以及用此方法制造薄膜晶体管的方法
CN100340851C (zh) * 2003-02-18 2007-10-03 华为技术有限公司 一种小型元器件解剖方法
SG129274A1 (en) * 2003-02-19 2007-02-26 Mitsubishi Gas Chemical Co Cleaaning solution and cleaning process using the solution
CN1947869B (zh) * 2006-05-12 2010-05-12 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种硅料清洁方法
JP4762822B2 (ja) 2006-08-03 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 薬液混合方法および薬液混合装置
CN101924029A (zh) * 2009-06-17 2010-12-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺
WO2011139364A1 (en) 2010-05-05 2011-11-10 Synergy Technologies Synergy of strong acids and peroxy compounds
CN102443769B (zh) * 2010-10-11 2013-11-27 北大方正集团有限公司 Pvd假片的回收方法
CN104576435A (zh) * 2013-10-11 2015-04-29 宁夏琪凯节能设备有限公司 一种节能环保浸洗槽
CN110571165B (zh) * 2018-06-05 2022-02-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 清洗装置、清洗方法、半导体加工机台及晶圆加工方法
CN111330902B (zh) * 2018-12-19 2021-08-31 江苏鲁汶仪器有限公司 一种扫描喷嘴清洗槽及清洗方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6090628A (ja) * 1983-10-26 1985-05-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ニオブ材用電解研磨液組成物の再生方法
JPS6378538A (ja) * 1986-09-22 1988-04-08 Hitachi Ltd 処理装置
JP2787788B2 (ja) * 1990-09-26 1998-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 残留物除去方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291667B1 (ko) * 1999-03-12 2001-05-15 권문구 광통신용 반도체칩의 금속접합 방법

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Publication number Publication date
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