JPS6378538A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS6378538A JPS6378538A JP22182686A JP22182686A JPS6378538A JP S6378538 A JPS6378538 A JP S6378538A JP 22182686 A JP22182686 A JP 22182686A JP 22182686 A JP22182686 A JP 22182686A JP S6378538 A JPS6378538 A JP S6378538A
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- Japan
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- liquid
- temperature
- hydrofluoric acid
- treating
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- Pending
Links
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- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
° 〔産業上の利用分野〕
本発明はＳｉウェハをエツチングする処理装置に係り、
特に、酸化や拡散等の処理工程において、酸化膜を所望
量エツチング除去する機能を有する処理装置に関する。
特に、酸化や拡散等の処理工程において、酸化膜を所望
量エツチング除去する機能を有する処理装置に関する。
従来の装置は、特開昭６０−１６５４３５号公報に記載
のように処理槽内の希釈フッ酸液の温度変化を温度セン
サにより検出された温度に基づきエツチング処理時間を
調製して所望量の酸化膜をエツチングするようになりて
いた。また、特開昭６０−１１４５７９号公報に記載の
ように処理槽内の希釈７ツ酸液の弗素イオン濃度を連続
的に計測して該済液績度を制御することばより酸化膜の
エツチング量を所望量にするようになっていた。
のように処理槽内の希釈フッ酸液の温度変化を温度セン
サにより検出された温度に基づきエツチング処理時間を
調製して所望量の酸化膜をエツチングするようになりて
いた。また、特開昭６０−１１４５７９号公報に記載の
ように処理槽内の希釈７ツ酸液の弗素イオン濃度を連続
的に計測して該済液績度を制御することばより酸化膜の
エツチング量を所望量にするようになっていた。
上記従来技術は、第２図に示すように希釈フッ酸液を約
２０公租度以上攪拌混合しなければ均一な処理液を得る
ことができず、半導体ウェハなどのエツチング処理に同
一ウエバ内の酸化膜エツチング量にばらつきが生じてい
た。
２０公租度以上攪拌混合しなければ均一な処理液を得る
ことができず、半導体ウェハなどのエツチング処理に同
一ウエバ内の酸化膜エツチング量にばらつきが生じてい
た。
本発明の目的は、均一な希釈フッ酸液を得ることによっ
て同一ウエバ内の酸化膜エツチング量の安定化をはかっ
た処理を行うことにある・〔作用〕 処理液は、温度センサにより液温を測定した結果に基づ
いて処理槽下部に設けたヒータにより設定液温まで加温
し、更にポンプにより液を循環して処理槽に送り込む前
にヒータを装備した恒温装置にて所定温度に加温するこ
とにより処理液の液温を制御する。また、処理液を循環
するポンプの前に液中のフッ素イオン濃度を測定するセ
ンサ（導電率計、フローインジェクション分析計など）
により測定された結果に基づいて処理槽内に７ツ酸純水
及び溶剤を追加補元するようにする。
て同一ウエバ内の酸化膜エツチング量の安定化をはかっ
た処理を行うことにある・〔作用〕 処理液は、温度センサにより液温を測定した結果に基づ
いて処理槽下部に設けたヒータにより設定液温まで加温
し、更にポンプにより液を循環して処理槽に送り込む前
にヒータを装備した恒温装置にて所定温度に加温するこ
とにより処理液の液温を制御する。また、処理液を循環
するポンプの前に液中のフッ素イオン濃度を測定するセ
ンサ（導電率計、フローインジェクション分析計など）
により測定された結果に基づいて処理槽内に７ツ酸純水
及び溶剤を追加補元するようにする。
これによって、処理液の液温と最適な組成を得ることが
できるようになるので、ウェハの酸化膜エツチングｔが
ばらつくことがない。
できるようになるので、ウェハの酸化膜エツチングｔが
ばらつくことがない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。半導
体ウェハ３を処理する処理部は希釈７ツ酸液２１が満た
された処理槽１と処理ｍ１からオーバーフローＬ テキ
ｆ、：、液を受けるオーバーフロ一槽２から構成されて
おり、この処理槽１内に複数の半導体ウェハ６と半導体
ウェハ３を保持したキャリア４を浸漬できるようになっ
ている。この処理部の底部には季釈７ツ酸液２１を循環
するための循環用配管５．６がそれぞれ処理槽１とオー
バーフロ一槽２に設けられており、これら循環用配管５
．６から希釈フッ酸液２１がそれぞれポンプＺ８によっ
て送られてフィルタ９１０とヒータを装備した恒温槽１
２．１３を介してそれぞれ処理槽１とオーバーフロー！
！ｉ２に流入するようＫなっている。処理槽１内の希釈
フッ酸液２１の液温は温度センサ１９に基づいて設定さ
れた温度になるように処理槽１の底部に設けられたブロ
ックヒータ１１により加温されるようになっている。処
理槽１内の希釈フッ酸液２１のフッ素イオン濃度を循環
用配管５に設げυッ素イオン濃度センサ２０で検出した
信号に基づいて純水供給用バルブ１６７ツ酸供給用バル
ブ１７溶剤（例えばインプロパツール）供給用パルプ１
８を開く時間を詞節して流入量を決めるようになってい
る。この際、純水：溶剤＝７２酸との混合比は半導体ウ
ェハ３の酸化膜の状態（残存酸化膜、金証をドープした
酸化膜、自然酸化膜などの差）やエツチング−３ｉｄよ
って予め設定し、フッ素イオン濃度センサ２０の検出し
た信号に基づいて補正されて所望のエツチング量が得ら
れるように補正される。エツチングが終了すると排水用
バルブ１４゜１５が開き、処理後の希釈フッ酸液が排出
されて終了する。
体ウェハ３を処理する処理部は希釈７ツ酸液２１が満た
された処理槽１と処理ｍ１からオーバーフローＬ テキ
ｆ、：、液を受けるオーバーフロ一槽２から構成されて
おり、この処理槽１内に複数の半導体ウェハ６と半導体
ウェハ３を保持したキャリア４を浸漬できるようになっ
ている。この処理部の底部には季釈７ツ酸液２１を循環
するための循環用配管５．６がそれぞれ処理槽１とオー
バーフロ一槽２に設けられており、これら循環用配管５
．６から希釈フッ酸液２１がそれぞれポンプＺ８によっ
て送られてフィルタ９１０とヒータを装備した恒温槽１
２．１３を介してそれぞれ処理槽１とオーバーフロー！
！ｉ２に流入するようＫなっている。処理槽１内の希釈
フッ酸液２１の液温は温度センサ１９に基づいて設定さ
れた温度になるように処理槽１の底部に設けられたブロ
ックヒータ１１により加温されるようになっている。処
理槽１内の希釈フッ酸液２１のフッ素イオン濃度を循環
用配管５に設げυッ素イオン濃度センサ２０で検出した
信号に基づいて純水供給用バルブ１６７ツ酸供給用バル
ブ１７溶剤（例えばインプロパツール）供給用パルプ１
８を開く時間を詞節して流入量を決めるようになってい
る。この際、純水：溶剤＝７２酸との混合比は半導体ウ
ェハ３の酸化膜の状態（残存酸化膜、金証をドープした
酸化膜、自然酸化膜などの差）やエツチング−３ｉｄよ
って予め設定し、フッ素イオン濃度センサ２０の検出し
た信号に基づいて補正されて所望のエツチング量が得ら
れるように補正される。エツチングが終了すると排水用
バルブ１４゜１５が開き、処理後の希釈フッ酸液が排出
されて終了する。
上記目的は、希釈フッ酸液を恒温装置により液温を所望
温度に保ち、希釈フッ酸液の攪拌混合時の対流拡散をよ
くして短時間の均一化をはかる。
温度に保ち、希釈フッ酸液の攪拌混合時の対流拡散をよ
くして短時間の均一化をはかる。
その際、希釈フッ酸液に浴剤（例えば、インプロパツー
ル）を所定債加えてフッ素イオンの解離度を低下させる
ことにより、液温を上げたことによる酸化膜のエツチン
グ量の増加をおさえると共に希釈フッ酸液の粘性を溶剤
を加えないときよりも小さくして攪拌混合の向上をはか
ることにより達成される。
ル）を所定債加えてフッ素イオンの解離度を低下させる
ことにより、液温を上げたことによる酸化膜のエツチン
グ量の増加をおさえると共に希釈フッ酸液の粘性を溶剤
を加えないときよりも小さくして攪拌混合の向上をはか
ることにより達成される。
本発明によれば、希釈フッ酸液の液温を室温で制御する
よりも精度良く液温の調整が可能となる上、短時間に希
釈フン酸液の攪拌混合ができるよ。
よりも精度良く液温の調整が可能となる上、短時間に希
釈フン酸液の攪拌混合ができるよ。
うになるので同一ウエバ内の酸化膜エツチング量を均一
化することできる特徴がある。また、希釈７ツ酸液に溶
剤を加えることによる粘性を低下できるので、フィルタ
による循環ろ過が容易となり希釈７ツ酸液の清浄化を保
つことが可能となる。
化することできる特徴がある。また、希釈７ツ酸液に溶
剤を加えることによる粘性を低下できるので、フィルタ
による循環ろ過が容易となり希釈７ツ酸液の清浄化を保
つことが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係る処理装置の構成図、第
２図は処理槽の攪拌混合に対する希釈フッ酸液のフッ酸
濃度変化を示す線図である。 １・・・処理槽、２・・・オーバーフロ一槽、３・・・
半導体ウェハ、４・・・キャリヤ、５．６・・・循環用
配管、Ｚ８・・・ポンプ、９１０・・・フィルタ、１１
・・・ブロックヒータ、１２．１３・・・恒温装置、１
４．１５・・・排水用パルプ、１９・・・温度センサ。
２図は処理槽の攪拌混合に対する希釈フッ酸液のフッ酸
濃度変化を示す線図である。 １・・・処理槽、２・・・オーバーフロ一槽、３・・・
半導体ウェハ、４・・・キャリヤ、５．６・・・循環用
配管、Ｚ８・・・ポンプ、９１０・・・フィルタ、１１
・・・ブロックヒータ、１２．１３・・・恒温装置、１
４．１５・・・排水用パルプ、１９・・・温度センサ。
Claims (1)
- １、半導体ウェハのエッチング処理を行う処理装置にお
いて、フッ素化合物と純水と溶剤から成るエッチング液
でエッチング処理を行う処理槽と、このエッチング液を
一定温度に加温する恒温装置と、エッチング液中のフッ
素イオン濃度を検出するフッ素イオン濃度センサと、こ
のフッ素イオン濃度センサにより検出された濃度に基づ
きフッ酸、純水、溶剤を供給できる供給部を具備したこ
とを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22182686A JPS6378538A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22182686A JPS6378538A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378538A true JPS6378538A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16772794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22182686A Pending JPS6378538A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618612A2 (en) * | 1993-03-23 | 1994-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor device and equipment for cleaning semiconductor device |
| DE10063600A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Enstellen einer vorgegebenen HF-Konzentration in einem Reinigungsbad für Wafer |
| JP2010109064A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Tosoh Corp | エッチング方法 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22182686A patent/JPS6378538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0618612A2 (en) * | 1993-03-23 | 1994-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor device and equipment for cleaning semiconductor device |
| EP0618612A3 (en) * | 1993-03-23 | 1995-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for cleaning semiconductor components and apparatus for said cleaning. |
| DE10063600A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Enstellen einer vorgegebenen HF-Konzentration in einem Reinigungsbad für Wafer |
| JP2010109064A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Tosoh Corp | エッチング方法 |
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