JPH05259141A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05259141A JPH05259141A JP4055145A JP5514592A JPH05259141A JP H05259141 A JPH05259141 A JP H05259141A JP 4055145 A JP4055145 A JP 4055145A JP 5514592 A JP5514592 A JP 5514592A JP H05259141 A JPH05259141 A JP H05259141A
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- Japan
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- cleaning
- chemical liquid
- water
- concentration
- hydrogen peroxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アンモニア水、過酸化水素水、水の混合薬液
を用いた洗浄に於て、簡単に薬液濃度を一定に保ちエッ
チレートや洗浄効果を安定させる方法を提供する。 【構成】 タイマー６を内蔵して一定時間毎に定量ポン
プ８によりアンモニア水９を追加するための自動追加装
置１０を形成している。まず、秤量槽５ｃで計量された
水を処理槽１に移送後、ヒーター２により処理温度約７
０℃まで加熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂで計量された
アンモニア水と過酸化水素水を混合して洗浄薬液を作製
する。薬液はポンプ３とフィルター４を通して循環され
薬液中のパーテイクルを除去しながら洗浄を行なう。そ
こで、一度薬液を混合した後は過酸化水素に関しては追
加供給する必要はなく、アンモニアに関しては処理温度
に依存するが、一定時間毎に一定量の薬液追加で洗浄液
の濃度を一定に保つことが出来る事が発見され、これに
より簡単に薬液濃度を制御しエッチングレートや洗浄効
果を一定に保つことが出来る。
を用いた洗浄に於て、簡単に薬液濃度を一定に保ちエッ
チレートや洗浄効果を安定させる方法を提供する。 【構成】 タイマー６を内蔵して一定時間毎に定量ポン
プ８によりアンモニア水９を追加するための自動追加装
置１０を形成している。まず、秤量槽５ｃで計量された
水を処理槽１に移送後、ヒーター２により処理温度約７
０℃まで加熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂで計量された
アンモニア水と過酸化水素水を混合して洗浄薬液を作製
する。薬液はポンプ３とフィルター４を通して循環され
薬液中のパーテイクルを除去しながら洗浄を行なう。そ
こで、一度薬液を混合した後は過酸化水素に関しては追
加供給する必要はなく、アンモニアに関しては処理温度
に依存するが、一定時間毎に一定量の薬液追加で洗浄液
の濃度を一定に保つことが出来る事が発見され、これに
より簡単に薬液濃度を制御しエッチングレートや洗浄効
果を一定に保つことが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハの洗浄
に用いられるアンモニア水、過酸化水素水、水の混合薬
液を使用した半導体装置の洗浄方法に関するものであ
る。
に用いられるアンモニア水、過酸化水素水、水の混合薬
液を使用した半導体装置の洗浄方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】アンモニア水、過酸化水素水、水の混合
薬液はパーチクル除去に対し効果があるために、半導体
装置の洗浄に多く用いられている。以下図面を参照しな
がら、上記した従来の半導体装置の洗浄方法の一例につ
いて説明する。図４は従来の洗浄装置の構成図を示すも
のである。図４において、１は洗浄処理槽である。２は
加熱用ヒーターで、薬液を処理温度まで加熱する。３は
薬液を循環させるためのポンプ、４はパーテイクルを除
去するためのフィルターである。５は薬液を設定混合比
に作るための秤量槽であり、７は液面を検出するための
センサーである。
薬液はパーチクル除去に対し効果があるために、半導体
装置の洗浄に多く用いられている。以下図面を参照しな
がら、上記した従来の半導体装置の洗浄方法の一例につ
いて説明する。図４は従来の洗浄装置の構成図を示すも
のである。図４において、１は洗浄処理槽である。２は
加熱用ヒーターで、薬液を処理温度まで加熱する。３は
薬液を循環させるためのポンプ、４はパーテイクルを除
去するためのフィルターである。５は薬液を設定混合比
に作るための秤量槽であり、７は液面を検出するための
センサーである。
【０００３】以上のように構成された洗浄装置につい
て、以下その動作について説明する。まず、秤量槽５ｃ
で計量された水を処理槽１に移送後、ヒーター２により
処理温度約７０℃まで加熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂ
で計量されたアンモニア水と過酸化水素水を混合して洗
浄薬液を作製する。薬液はポンプ３とフィルター４を通
して循環され、薬液中のパーテイクルを除去しながら洗
浄を行なう。このままでは、蒸発、分解などにより組成
比が変化してくるので、一定時間毎またはウエハ処理毎
にアンモニア水と過酸化水素水を一定量だけ追加供給す
る。この追加量は濃度測定技術がないために経験的に決
められていた。
て、以下その動作について説明する。まず、秤量槽５ｃ
で計量された水を処理槽１に移送後、ヒーター２により
処理温度約７０℃まで加熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂ
で計量されたアンモニア水と過酸化水素水を混合して洗
浄薬液を作製する。薬液はポンプ３とフィルター４を通
して循環され、薬液中のパーテイクルを除去しながら洗
浄を行なう。このままでは、蒸発、分解などにより組成
比が変化してくるので、一定時間毎またはウエハ処理毎
にアンモニア水と過酸化水素水を一定量だけ追加供給す
る。この追加量は濃度測定技術がないために経験的に決
められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、洗浄薬液中の濃度がどの様に変化してい
るか分からずアンモニア水，過酸化水素水の両方を追加
供給しているために薬液によるエッチングレートや洗浄
特性が変化するという問題点を有していた。
うな構成では、洗浄薬液中の濃度がどの様に変化してい
るか分からずアンモニア水，過酸化水素水の両方を追加
供給しているために薬液によるエッチングレートや洗浄
特性が変化するという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み、その目的は最
適な薬液の追加量を有した半導体装置の洗浄方法を提供
するものである。
適な薬液の追加量を有した半導体装置の洗浄方法を提供
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体装置の洗浄方法は、アンモニア水、
過酸化水素水、水の混合液を用いたシリコンプロセスに
おける洗浄に於て、過酸化水素水は追加供給せずに処理
温度に対応したアンモニア水の追加供給を実施すること
を特徴とする。また、上記アンモニア水の追加供給は一
定時間毎に処理温度に応じて実施する。
めに本発明の半導体装置の洗浄方法は、アンモニア水、
過酸化水素水、水の混合液を用いたシリコンプロセスに
おける洗浄に於て、過酸化水素水は追加供給せずに処理
温度に対応したアンモニア水の追加供給を実施すること
を特徴とする。また、上記アンモニア水の追加供給は一
定時間毎に処理温度に応じて実施する。
【０００７】また、本発明の半導体装置の洗浄方法は、
処理温度Ｔ、経過時間ｔのときのアンモニア水の追加量
vを（数１）で計算することを特徴とする。
処理温度Ｔ、経過時間ｔのときのアンモニア水の追加量
vを（数１）で計算することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成によって、薬液の濃度変
化が温度と時間の関数であるので随時濃度測定をする必
要なく、正確に薬液濃度を制御することとなる。
化が温度と時間の関数であるので随時濃度測定をする必
要なく、正確に薬液濃度を制御することとなる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例の半導体装置の洗浄方
法について、図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の実施例における半導体装置の洗浄方法の構成図を示
すものである。図１において、１は洗浄処理槽、２は加
熱用ヒーターで、薬液を処理温度まで加熱する。３は薬
液を循環させるためのポンプ、４はパーテイクルを除去
するためのフィルターである。５は薬液を設定混合比に
作るための秤量槽であり、７は液面を検出するためのセ
ンサーである。１０はタイマー６を内蔵して一定時間毎
に定量ポンプ８によりアンモニア水９を追加する自動追
加装置を形成している。処理薬液の作製は従来例で示し
たように秤量槽を用いて計量し初期の薬液濃度に設定す
る。薬液はポンプ３、フィルタ４を用いて循環させパー
テイクルを除去している。
法について、図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の実施例における半導体装置の洗浄方法の構成図を示
すものである。図１において、１は洗浄処理槽、２は加
熱用ヒーターで、薬液を処理温度まで加熱する。３は薬
液を循環させるためのポンプ、４はパーテイクルを除去
するためのフィルターである。５は薬液を設定混合比に
作るための秤量槽であり、７は液面を検出するためのセ
ンサーである。１０はタイマー６を内蔵して一定時間毎
に定量ポンプ８によりアンモニア水９を追加する自動追
加装置を形成している。処理薬液の作製は従来例で示し
たように秤量槽を用いて計量し初期の薬液濃度に設定す
る。薬液はポンプ３、フィルタ４を用いて循環させパー
テイクルを除去している。
【００１０】以上のように構成された半導体装置の洗浄
方法について、以下図１、図２及び図３を用いてその動
作を説明する。
方法について、以下図１、図２及び図３を用いてその動
作を説明する。
【００１１】まず、秤量槽５ｃで計量された水を処理槽
１に移送後、ヒーター２により処理温度約７０℃まで加
熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂで計量されたアンモニア
水と過酸化水素水を混合して洗浄薬液を作製する。薬液
はポンプ３とフィルター４を通して循環され薬液中のパ
ーテイクルを除去しながら洗浄を行なう。図２は処理温
度７０℃のときのアンモニア及び過酸化水素の濃度変化
を示すものであって、設定された初期濃度に対しアンモ
ニアは時間と共に減少しているのに対し、過酸化水素の
濃度は一定のままである。さらに図３に示すようにアン
モニアの濃度減少は温度に依存しており、その変化は指
数関数（数２）で表現できる。
１に移送後、ヒーター２により処理温度約７０℃まで加
熱し、その後秤量槽５ａ、５ｂで計量されたアンモニア
水と過酸化水素水を混合して洗浄薬液を作製する。薬液
はポンプ３とフィルター４を通して循環され薬液中のパ
ーテイクルを除去しながら洗浄を行なう。図２は処理温
度７０℃のときのアンモニア及び過酸化水素の濃度変化
を示すものであって、設定された初期濃度に対しアンモ
ニアは時間と共に減少しているのに対し、過酸化水素の
濃度は一定のままである。さらに図３に示すようにアン
モニアの濃度減少は温度に依存しており、その変化は指
数関数（数２）で表現できる。
【００１２】
【数２】
【００１３】そこで、一度薬液を混合した後は過酸化水
素に関しては追加供給する必要はなく、アンモニアに関
しては処理温度に依存するが、（数２）に基づいて一定
時間毎に一定量のアンモニア水を追加供給することによ
り、洗浄液の濃度を一定に保つことが出来る。例えば、
アンモニア水の原液が２９％で元の処理液が２４リット
ルの場合、処理温度７０℃にてアンモニア濃度４％を保
ち続けるには１０分毎に３２３ｍｌ追加すればよい。逆
に、前回の処理からの経過時間が分かっている場合は計
算によりいくら追加すればよいかがわかる。そこで、タ
イマー６により１０分毎に信号を発生させ、その信号に
より定量ポンプ８を動作させ、約３２３ｍｌアンモニア
水９を追加供給するようにしている。この濃度制御され
た薬液でシリコンウエハを洗浄しても濃度変化がほとん
どないことがわかっており、アンモニアだけを追加供給
することで薬液中の濃度を一定に保つことが可能であ
る。
素に関しては追加供給する必要はなく、アンモニアに関
しては処理温度に依存するが、（数２）に基づいて一定
時間毎に一定量のアンモニア水を追加供給することによ
り、洗浄液の濃度を一定に保つことが出来る。例えば、
アンモニア水の原液が２９％で元の処理液が２４リット
ルの場合、処理温度７０℃にてアンモニア濃度４％を保
ち続けるには１０分毎に３２３ｍｌ追加すればよい。逆
に、前回の処理からの経過時間が分かっている場合は計
算によりいくら追加すればよいかがわかる。そこで、タ
イマー６により１０分毎に信号を発生させ、その信号に
より定量ポンプ８を動作させ、約３２３ｍｌアンモニア
水９を追加供給するようにしている。この濃度制御され
た薬液でシリコンウエハを洗浄しても濃度変化がほとん
どないことがわかっており、アンモニアだけを追加供給
することで薬液中の濃度を一定に保つことが可能であ
る。
【００１４】以上のように本実施例によれば、アンモニ
ア水、過酸化水素水を用いた洗浄ではアンモニアだけが
濃度変化をすることを明らかにし、この現象を用いて、
時間経過だけで薬液追加量を計算できる計算式を導き出
し、この式により洗浄薬液中の濃度変化をなくすことが
できる。
ア水、過酸化水素水を用いた洗浄ではアンモニアだけが
濃度変化をすることを明らかにし、この現象を用いて、
時間経過だけで薬液追加量を計算できる計算式を導き出
し、この式により洗浄薬液中の濃度変化をなくすことが
できる。
【００１５】なお、本実施例において、自動追加装置１
０はタイマー６と定量ポンプ８を内蔵したものを用いた
が、マイコン等を搭載して計算式を用いて任意の時間に
任意の量だけ薬液を追加供給できるようにすることは容
易に実現可能である。
０はタイマー６と定量ポンプ８を内蔵したものを用いた
が、マイコン等を搭載して計算式を用いて任意の時間に
任意の量だけ薬液を追加供給できるようにすることは容
易に実現可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、濃度変化
式を用いて一定時間毎に薬液を追加供給することによ
り、アンモニア水、過酸化水素水の濃度を一定に制御す
ることが可能でエッチレートや洗浄効果を安定にし、ロ
ット処理間のバラツキを減少させることができる。
式を用いて一定時間毎に薬液を追加供給することによ
り、アンモニア水、過酸化水素水の濃度を一定に制御す
ることが可能でエッチレートや洗浄効果を安定にし、ロ
ット処理間のバラツキを減少させることができる。
【図１】本発明の実施例における洗浄装置の構成図
【図２】同実施例における動作説明のためのアンモニ
ア、過酸化水素の濃度変化特性図
ア、過酸化水素の濃度変化特性図
【図３】同実施例におけるアンモニア、過酸化水素の濃
度変化を温度別に指数プロットした特性図
度変化を温度別に指数プロットした特性図
【図４】従来の洗浄装置の構成図
１ 洗浄処理槽 ２ ヒーター ３ ポンプ ４ フィルター ５ 薬液ひょう量槽 ６ タイマー ８ 定量ポンプ
Claims (3)
- 【請求項１】アンモニア水、過酸化水素水、水の混合液
を用いたシリコンプロセスにおける洗浄に於て、過酸化
水素水は追加供給せずに処理温度に対応したアンモニア
水の追加供給を実施することを特徴とする半導体装置の
洗浄方法。 - 【請求項２】請求項１記載のアンモニア水の追加供給は
一定時間毎に処理温度に応じて実施することを特徴とす
る半導体装置の洗浄方法。 - 【請求項３】処理温度Ｔ、経過時間ｔのときのアンモニ
ア水の追加量vを（数１）で計算することを特徴とする
半導体装置の洗浄方法。 【数１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055145A JP3055292B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055145A JP3055292B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259141A true JPH05259141A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3055292B2 JP3055292B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=12990605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4055145A Expired - Lifetime JP3055292B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055292B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171975B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Wet-chemical treatment method, treatment method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device |
| US6214126B1 (en) | 1993-11-15 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for cleaning a silicon substrate |
| US6286526B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-09-11 | Nec Corporation | Method for treatment of semiconductor substrate with chemical solution and apparatus used for said treatment |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4055145A patent/JP3055292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214126B1 (en) | 1993-11-15 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for cleaning a silicon substrate |
| US6171975B1 (en) | 1997-07-29 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Wet-chemical treatment method, treatment method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor device |
| US6286526B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-09-11 | Nec Corporation | Method for treatment of semiconductor substrate with chemical solution and apparatus used for said treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3055292B2 (ja) | 2000-06-26 |
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