KR970003576A - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

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KR970003576A
KR970003576A KR1019950018548A KR19950018548A KR970003576A KR 970003576 A KR970003576 A KR 970003576A KR 1019950018548 A KR1019950018548 A KR 1019950018548A KR 19950018548 A KR19950018548 A KR 19950018548A KR 970003576 A KR970003576 A KR 970003576A
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KR1019950018548A
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김학묵
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 전해이온수 및 순수, 불산 또는 BOE 용액을 이용하여 웨이퍼 표면에 잔류하는 유기물과 유기물, 금속성 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 세정방법을 개시한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 순수 및 양이온수(H+)와 음이온수(OH-)를 이용함으로서 웨이퍼 표면에 존재하는 유기물과 무기물의 오염물질을 제거하는 단계와, 산화불소(HF)와 순수가 혼합된 불산용액 또는 BOE 용액을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 단계와, 전해이온수와 순수를 이용하여 웨이퍼 표면을 반복세정하여 불산용액 또는 BOE 용액을 이용한 세정단계 후 기판에 잔류하는 화학적 잔유물을 제거하는 단계와, 각 세정단계를 종료한 후 회전식 건조기나 이소플로필 알콜을 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 단계로 이루어진다.

Description

웨이퍼 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 웨이퍼 세정방법에 있어서, 1) 순수 및 양이온수(H+)와 음이온수(OH-)를 이용함으로서 웨이퍼 표면에 존재하는 유기물과 무기물의 오염물질을 제거하는 단계와, 2) 산화불소(HF)와 순수가 혼합된 불산용액 또는 BOE(buffered oxide etchant)용액을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 단계와, 3) 전해이온수와 순수를 이용하여 웨이퍼 표면을 반복세정하여 불산용액 또는 BOE 용액을 이용한 세정단계 후 기판에 잔류하는 화학적 잔유물을 제거하는 단계와, 4) 상기 각 세정단계를 종료한 후 회전식 건조기나 이소플로필 알콜을 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 단계로 이루어진 웨이퍼 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전해이온수와 순수를 이용한 세정단계는 불산용액 또는 BOE 용액을 이용한 세정단계가 실시된 세정조(bath)내에서 실시하여 세정조 내부의 유기물과 금속불순물을 동시에 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950018548A 1995-06-30 1995-06-30 웨이퍼 세정방법 KR970003576A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000027716A (ko) * 1998-10-29 2000-05-15 윤종용 불산과 전해이온수를 이용한 전자부품의 세정방법
KR100348917B1 (ko) * 1997-11-28 2003-01-06 닛본 덴기 가부시끼가이샤 반도체장치의제조방법
KR100437429B1 (ko) * 1998-01-16 2004-06-25 쿠리타 고교 가부시키가이샤 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법

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