KR20000027716A - 불산과 전해이온수를 이용한 전자부품의 세정방법 - Google Patents
불산과 전해이온수를 이용한 전자부품의 세정방법Info
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Abstract
본 발명의 전자부품의 세정방법은 전자부품을 희석 불산(diluted HF)용액을 이용하여 세정하는 단계와, 상기 세정된 전자부품을 전해이온수를 이용하여 다시 세정하여 금속 오염 물질을 용이하게 제거한다. 상기 전해이온수에 대한 희석 불산 용액의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)이다. 그리고, 상기 전해이온수는 양극 전해 이온수(anolyte electrolytic ionized water)이며, 상기 희석 불산 용액 및 전해이온수의 세정은 20∼30℃에서 수행한다. 상기 전해이온수로 세정하는 단계전에 탈이온수로 세정하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 이상과 같은 본 발명은 희석불산용액 및 전해이온수로 전자부품을 세정함으로써 불산 세정에서 제거가 용이하지 않은 구리 등의 금속 오염 물질을 제거할 수 있다.
Description
본 발명은 전자부품(electronic part)의 세정방법에 관한 것으로, 특히 불산과 전해이온수를 이용한 전자부품의 세정방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 액정 표시 소자 등이 고집적화됨에 따라 제조공정중에 발생하는 오염과 환경적인 오염의 효과적인 제어는 소자의 성능향상 및 수율관리에 있어서 매우 중요하다. 이를 만족하기 위하여는 소자 제조 공정중에 반도체 기판이나 유리 기판 등의 전자부품을 세정공정을 통하여 오염을 제거하는 것이 필요하다.
일반적으로, 상기 세정공정 중에 RCA 세정공정이 알려저 있는데, 상기 RCA 세정 공정은 암모늄과 과수 혼합물, 불산과 과수 혼합물 및 염산과 과수 혼합물을 이용하여 전자부품을 순차적으로 세정하여 파티클, 유기오염 및 금속 오염을 제거한다. 그러나, 이러한 RCA 세정 공정은 상기 우수한 특성외에 세정공정상의 문제점을 가지고 있으며, 이러한 문제점으로 많은 제약을 받고 있다.
특히, 상기 희석 불산 세정공정은 구리 등의 일부 금속 오염들을 용이하게 제거하는 못한다는 점과 세정후 웨이퍼 표면 상태를 소수성 상태로 유지함으로써 각종 환경성 오염에 취약하다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 희석 불산 세정 공정을 이용할 때 금속 오염 제거력을 향상시킬 수 있는 전자부품의 세정방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 전자부품의 세정방법은 전자부품을 희석 불산(diluted HF)용액을 이용하여 세정하는 단계와, 상기 세정된 전자부품을 전해이온수를 이용하여 다시 세정하여 금속 오염 물질을 용이하게 제거한다. 상기 전해이온수에 대한 희석 불산 용액의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)이며, 상기 전해이온수는 PH가 6∼8이다. 그리고, 상기 전해이온수는 양극 전해 이온수(anolyte electrolytic ionized water)이며, 상기 희석 불산 용액 및 전해이온수의 세정은 20∼30℃에서 수행한다. 상기 전해이온수로 세정하는 단계전에 탈이온수로 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
또한, 본 발명의 전자부품의 세정방법은 전자부품을 희석 불산 용액을 이용하여 세정하는 단계와, 상기 세정된 전자부품을 음극 전해 이온수를 이용하여 세정하는 단계와, 상기 음극 전해 이온수에 의하여 세정된 전자부품을 다시 양극 전해이온수로 세정하여 금속 오염 물질을 용이하게 제거한다. 상기 양극 및 음극 전해이온수에 대한 불산의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)이다.
본 발명은 희석불산용액 및 전해이온수로 전자부품을 세정함으로써 불산 세정에서 제거가 용이하지 않은 구리 등의 금속 오염 물질을 제거할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다.
구체적으로, 본 발명의 전자부품의 세정은 전자부품, 예컨대 반도체 기판, 액정표시소자의 유리기판 등을 희석 불산(diluted HF) 용액을 이용하여 세정한다(스텝 10). 상기 희석 불산을 이용한 세정을 통하여 전자부품 상의 금속 오염을 잘 제거할 수 있고, 세정공정진행후 전자부품, 예컨대 반도체 기판의 표면을 수소로 패시베이션시키는 특성을 가지고 있다. 즉, 희석 불산 세정공정을 이용하여 전자 부품표면에 존재하는 산화물을 제거하고 표면을 수소로 패시베이션시킬 경우 우수한 소자의 전기적 특성을 얻을 수 있다.
다음에, 상기 세정된 전자부품을 전해이온수(electrolytic ionized water)를 이용하여 다시 세정한다(스텝 12). 이렇게 전해 이온수를 이용하여 세정하는 이유는 전자부품의 금속 오염 물질 제거력을 더 향상시키기 위함이다. 상기 전해이온수는 순수를 전해하여 얻는데, 양극을 통하여 얻어진 전해이온수를 양극 전해 이온수(anolyte electrolytic ionized water)라 하며, 음극을 통하여 얻어진 전해이온수를 음극 전해 이온수(catholyte electrolytic ionized water)라 한다.
본 실시예에서는 양극 및 음극 전해 이온수를 다 사용할 수 있으나, 금속 오염 물질, 예컨대 구리 오염 물질을 제거하는데 용이한 양극 전해 이온수를 이용한하며, PH로는 6∼8을 이용한다. 그리고, 본 실시예에서 상기 전해이온수에 대한 희석 불산 용액의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)로 한다. 그리고, 상기 희석 불산 용액 및 전해이온수의 세정은 20∼30℃에서 수행한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다. 상기 제2 실시예에 의한 전자부품의 세정은 불산으로 세정하는 단계후에 탈이온수로 더 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 제외하고는 제1 실시예와 동일하다.
구체적으로, 본 발명의 전자부품의 세정은 전자부품, 예컨대 반도체 기판, 액정표시소자의 유리기판 등을 희석 불산 용액을 이용하여 세정한다(스텝 20). 다음에, 상기 세정된 전자부품을 탈이온수를 이용하여 세정한다 (스텝 22). 다음에, 상기 탈이온수로 세정된 전자부품을 전해이온수(electrolytic ionized water)를 이용하여 다시 세정한다(스텝 24). 이렇게 전해 이온수를 이용하여 세정하는 이유는 전자부품의 금속 오염 물질을 제거하기 위함이다.
본 실시예에서, 상기 탈이온수를 이용한 세정시 오버플러우(overflow) 방식으로 수행하였을때는 상기 전해이온수의 세정 역시 오버플러우 방식으로 수행한다. 상기 오버플러우 방식은 전자부품을 포함하는 액조에 탈이온수 또는 전해이온수가 넘쳐 흐르도록 하여 세정하는 방식이다. 그리고, 상기 탈이온수를 이용한 세정시 린즈(rinse)방식으로 세정하였을 경우에는 상기 전해이온수의 세정 역시 린즈 방식으로 수행한다. 상기 린즈 방식은 전자부품을 포함하는 액조에 탈이온수 또는 전해이온수를 이용하여 단순히 세정하는 방식이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 전자부품의 세정방법을 설명하기 위하여 도시한 흐름도이다. 상기 제3 실시예에 의한 전자부품의 세정은 제1 실시예의 전해이온수 세정하는 단계를 양극 전해 이온수 및 음극 전해 이온수로 나누어 실시하는 것을 제외하고는 제1 실시에와 동일하다.
구체적으로, 본 발명의 전자부품의 세정은 전자부품, 예컨대 반도체 기판, 액정표시소자의 유리기판 등을 희석 불산 용액을 이용하여 세정한다(스텝 30). 다음에, 상기 세정된 전자부품을 음극 전해이온수를 이용하여 세정한다 (스텝 32). 이렇게 음극 전해 이온수를 이용하여 세정하는 이유는 전자부품 상의 산화막의 식각량을 낮게 조절하기 위함이다. 다음에, 상기 음극 전해 이온수로 세정된 전자부품을 양극 전해이온수를 이용하여 다시 세정한다(스텝 34). 이렇게 전해 이온수를 이용하여 세정하는 이유는 전자부품의 금속 오염 물질을 제거하기 위함이다. 본 실시예에서, 상기 양극 및 음극 전해이온수에 대한 불산의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)이다.
이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 희석불산용액 및 전해이온수로 전자부품을 세정함으로써 종래의 불산 세정에서 제거가 용이하지 않은 구리등의 금속물질을 제거할 수 있다. 그리고, 희석불산용액과 음극 전해 이온수를 이용할 경우 고집적 소자에서 낮은 식각율을 구현할 수 있으면서도 금속 오염 물질을 용이하게 제거할 수 있다.
Claims (9)
- 전자부품을 희석 불산(diluted HF)용액을 이용하여 세정하는 단계; 및상기 세정된 전자부품을 전해이온수를 이용하여 다시 세정하여 금속 오염 물질을 용이하게 제거할 수 있는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전해이온수에 대한 희석 불산 용액의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)인 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전해이온수는 PH가 6∼8인 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전해이온수는 양극 전해 이온수(anolyte electrolytic ionized water)인 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희석 불산 용액 및 전해이온수의 세정은 20∼30℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전해이온수로 세정하는 단계전에 탈이온수로 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제6항에 있어서, 상기 전해이온수의 세정은 오버플러우 방식 또는 린즈방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 전자부품을 희석 불산 용액을 이용하여 세정하는 단계;상기 세정된 전자부품을 음극 전해 이온수를 이용하여 세정하는 단계; 및상기 음극 전해 이온수에 의하여 세정된 전자부품을 다시 양극 전해이온수로 세정하여 금속 오염 물질을 용이하게 제거하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
- 제8항에 있어서, 상기 양극 및 음극 전해이온수에 대한 불산의 첨가비는 0.01∼ 10 부피비(vol %)인 것을 특징으로 하는 전자부품의 세정방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR20030005777A (ko) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | 삼성전자 주식회사 | 전해이온수 및 희석된 ｈｆ용액을 동시에 사용하는 반도체세정 공정 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07324198A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-12-12 | Mitsubishi Chem Corp | 洗浄組成物及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法 |
| JPH08126873A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | 電子部品等の洗浄方法及び装置 |
| KR970003576A (ko) * | 1995-06-30 | 1997-01-28 | 김주용 | 웨이퍼 세정방법 |
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