KR0157251B1 - 반도체 기판의 세정 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 기판 표면의 특히 미세한 홈부분에 부착하는 금속 불순물을 효율적으로 제거하고, 또한 제거한 금속 불순물의 재부착을 억제할 수가 있는 세정방법이 제공된다.

이 방법에 있어서, 세정액으로서 pH 약 2 이하의 산성용액(제1 세정액)과 pH 약3∼4의 산성용액(제2 세정액)의 2종류의 세정액이 순차적으로 사용된다. 제1 세정공정에서, 제1 세정액에 의해 반도체 기판이 세정되어, 금속이 금속착염으로 변환되며, 이어서, 제2 세정공정에서, 제2 세정액에 의해, 반도체 기판은 세정되어 제1 세정액과 제2 세정액 간의 pH의 차로 인한 침투압에 의해서, 반도체 기판 표면에 흡착된 금속착염 금속이 기판 표면으로부터 세정액 중으로 배출된다.

Description

반도체 기판의 세정(cleaning)방법

제1도는 종래의 세정방법에 있어서의 세정공정을 나타내는 종단면도.

제2도는 종래의 건식 세정방법에 있어서의 세정의 기구를 나타내는 개략도.

제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 세정공정을 나타내는 종단면도.

제4도는 반도체 기판의 세정전 처리공정의 플로우챠아트.

제5도는 제1실시예 및 비교예에 따라 각각 세정된 반도체 기판상의 금속 불순물의 표면밀도를 나타내는 그래프.

제6도는 본 발명의 제2실시예에 따른 세정공정을 나타내는 종단면도.

제7도는 본 발명의 제3실시예에 따른 세정공정을 나타내는 종단면도.

제8도는 종래의 세정방법에 있어서 세정공정을 나타내는 종단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반도체 기판 3 : 금속 불순물 입자

본 발명은 반도체 기판의 세정기술에 관한 것으로서, 특히 산성 세정액을 사용한 반도체 기판의 세정방법에 관한 것이다.

근래 반도체 장치의 고 집적화 기술이 상단 수준으로 발전하고 있으며, 이러한 고 집적화에 수반하여, 반도체 기판을 보다 고도로 청정화하고, 더 나아가서는 반도체 기판상의 미세한 홈부분에 수용된 불순물을 선택적으로 제거하는 것이 요구되고 있다.

종래의 반도체 기판의 세정방법으로서는 HCl/H₂O₂/H₂O=1:1:5의 조성의 세정액을 사용하는 세정방법이 공지되어 있다.

또한, 일본국 특개평 3-208899 호 공보에는 0.1% 이상의 HCl과, 0.05%∼10중량%정도의 농도의 H₂O₂와, 0.05%∼10중량%의 농도의 HF를 적절히 혼합하여 수득한 묽은 산(dilute acid)을 사용하는 습식 세정법 및, 광과 Cl₂가스를 사용하는 건식 세정법이 개시되어 있다. 또한 습식 세정법은 강산 세정법 및 묽은 산 세정법의 2종의 세정법으로 분류된다.

습식 세정법중 강산 세정법(pH 1 이하)에서는 산화력이 강한 HCl/H₂O₂수용액으로 반도체 기판 표면상의 금속 불순물을 용해하여 제거한다.

또, 묽은산 세정법(pH 3 정도)에서는, 제1도에 나타낸 바와 같이, 기판의 표면에 자연적으로 형성된 자연 산화막(2)을 제거함과 동시에, 금속 불순물(3)을 묽은 플루오르화 수소산으로 제거하고, 반도체 기판(1)상의 금속 불순물을 묽은 HCl/H₂O₂로 산화 용해하여 제거한다. 즉, 제1도에 도시된 바의 경합반응에 의해 여러 가지의 금속 불순물을 효과적으로 제거한다.

한편, 건식 세정법에 있어서는, 반도체 기판(1)상의 금속 불순물 (3)을 Cl₂가스로부터 수시로 생성되는 염소 라디칼(chlorine radicals)과 결합시킴으로써, Cl₂와 광의 작용으로 하기의 반응이 얻어진다.

이 방법에 의하면, 가스를 사용하므로, 반도체 기판상의 미세한 홈 부분의 금속를 제거하는 것이 가능하게 된다.

그러나, 상술한 종래의 세정법은 다음과 같은 문제점을 갖는다. 즉, 습식 세정법중의 강산 세정법에서는, 반도체 기판 표면상의 금속 불순물을 용이하게 산화 용해시킬 수가 있다는 이점이 있는 반면, 세정액의 점성이 높기 때문에, 특히 미세한 홈부분에는 세정액이 침투하기 어렵다. 또, 세정액이 미세한 홈부분에 침투된다 하더라도, 상기 금속 불순물은 반도체 기판의 표면으로부터 세정액 내로 배출하기 어렵다. 따라서, 순수한 물에 의한 그후의 린스 공정에서 반도체 기판의 표면상에 금속 불순물이 재석출될 가능성도 있다.

또한, 묽은 HCl/H₂O₂/HF 세정액을 사용하는 묽은 세정법에서는, 세정액의 산성도가 낮으므로, 반도체 표명으로부터 세정액 내로 한번 용출된 금속 금속 불순물이 반도체 기판의 표면에 다시 부착되기 쉽다. 더욱이, 세정액은 산화력이 약하므로, 금속을 이온화하는 힘이 약하며, 따라서, 금속의 용해효율이 낮다. 그러므로, 이러한 문제점으로 인해, 상기 종래의 방법은 금속 제거효율이 낮은 단점이 있다.

또, 광과 Cl₂를 사용하는 건식 세정법에서는, 습식 세정법에서 보다도 미세한 홈 부분의 금속 불순물의 제거가 용이한 반면, 건식 세정을 하고 있으므로, 반도체 기판의 표면에 입자가 부착되는 것을 피할 수 없는 문제점이 있다.

특히, 근래는 반도체 장치의 미세화가 진행함에 따라, 반도체 장치의 특성이나 반도체 장치의 제조수율(manufactruing yield)에 미치는 금속 불순물의 영향이 점점 커지고 있다. 금속 불순물이 반도체 표면에 부착하는 경우, 실리콘 산화막의 절연내압(an insulation break-down voltage)의 현저한 저하와 p-n접합 리크전류(leak current)의 증대 등이 야기되고 그에 따라, 반도체 장치의 특성이 열화되거나, 수율이 저하는 등의 문제가 생긴다.

본 발명은 상기 배경하에 이루어진 것으로서, 반도체 기판상에의 금속 불순물의 재석출을 방지하면서, 반도체 기판의 표면상의 미세부분에 잔류하고 있는 금속 불순물을 효율적으로 제거할 수 있는 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 세정방법은, 반도체 기판상의 금속 불순물을 pH 약 2이하(즉, 산성이 pH 2의 경우보다 더 강하거나 등가임)의 제1 세정액에 접촉시켜, 금속 착염으로 하여 금속 불순물을 반도체 기판으로부터 용해하여 제거하는 공정과, 상기 반도체 기판의 표면에 흡착된 제1 세정액의 잔액에 pH 약 3∼4의 제2세정액을 접촉시켜서, 제1세정액과 제2세정액간의 pH 값의 차이로 인해 발생하는 침투압에 의해서, 상기 제1세정액의 잔액중에 함유되어 있는 상기 금속 착염을 상기 제2세정액중으로 이동시켜서, 반도체 기판의 표면 부근의 금속 착염을 제거하는 공정으로 이루어진다.

전술한 세정방법에 있어서, 제1세정액으로서는, 바람직하기는, 염산(HCl), 과산화수소(H₂O₂), 황산(H₂SO₄) 및 질산(NHO₃)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 주성분으로 하는 세정액을 사용한다. 구체적으로는, HCl/H₂O₂를 주성분으로는 하는 수용액, H₂SO₄/ H₂O₂를 주성분으로 하는 수용액, HNO₃를 주성분으로 하는 수용액 등을 들 수 있다.

또한, 제2 세정액으로서는, 바람직하기는, 염산(HCl), 과산화수소(H₂O₂), 플루오르화수소산(HF) 및, 질산(HNO₃)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 주성분으로 하는 세정액을 사용한다. 구체적으로는, HCl/H₂O₂를 주성분으로 하는 수용액, HF/H₂O₂를 주성분으로하는 수용액, HNO₃을 주성분으로 하는 수용액 등을 들 수 있다.

본 발명의 세정방법에서는 pH가 상이한 2종의 세정액을 사용하여 2개의 공정에 걸쳐서 반도체 기판의 세정처리를 행하므로써, 제1 세정액에 의해 제1 세정공정에서 생성된 금속착염이 침투압에 의해서 용이하게 반도체 기판의 표면으로부터 제2 세정액 내에 확산한다. 따라서 반도체 기판상의 금속불순물의 제거효율이 높아진다.

또한 종래의 강산 세정법, 습식 세정법 및, 건식 세정법의 어느 것과도 달리, 반도체 기판의 표면상에의 금속 불순물의 재부착을 억제할 수가 있고, 특히 미세한 부분에 잔류하는 금속 불순물의 제거효율이 높게 된다.

더욱이, 본 발명의 세정방법은 습식 세정을 채용하고 있으므로, 입자의 부착도 억제된다. 또한, 화학액의 소비량도 저감되므로, 저비용으로 고품질의 반도체 장치를 높은 수율로 수득할 수가 있다.

종래의 반도체 기판의 세정방법에 있어서는, 반도체 기판을 세정액에 침지하는 등의 방법에 의해서, 제거하고자 하는 반도체 기판상의 금속 불순물을 세정액 중에 착염으로 하여 용해시켜서 제거한다. 그러나, 반도체 기판의 요철부나 미세한 홈 부분에 있어서는, 금속 착염이 생성되어도, 세정액과 함께 반도체 기판상에 흡착되어서, 금속 불순물이 반도체 기판으로부터 그다지 확산되지 않는다. 특히 pH값이 작은 세정액은, 높은 점성을 갖고, 이러한 경향이 pH값이 작은 세정액에서 좀더 빈번히 일어난다.

따라서, 종래의 세정방법에서는, 요철부나 미세한 홈부분에서의 금속착염을 제거하는 것이 곤란하며, 세정을 장시간 하더라도 금속착염은 반도체 기판 부근에 흡착된 채로 남는다. 따라서, 세정액을 건조시키면, 반도체 기판상에 금속이 석출되어 버린다.

이에 반해, 본 발명의 세정방법에 있어서는, 제1 세정공정에서, 반도체 기판을 pH값이 작은 제1세정액에 의해서 세정한 후에, 제2 세정공정에서, 다시 제1 세정액 보다도 pH값이 큰 (약산) 제2 세정액으로 세정한다. 이러한 세정방법에 있어서, 제1 세정액에 의한 세정처리(제1 세정공정)를 끝낸 후에도, 반도체 기판의 요철부나 미세한 홈부분 등에 제1 세정액 및 금속착염이 남지만, 제2 세정액은 pH값이 제1 세정액보다 크므로 그 차이에 의해서 침투압이 발생하여, 제1세정액 중의 용해물질(용질)이 제2 세정액으로 이동한다. 이때, 금속착염도 제2 세정액으로 이동하므로, 반도체 기판 표면으로부터 금속착염을 제거할 수가 있다. 따라서 세정액을 건조시키더라도 금속착염이 금속의 형태로 반도체 기판 표면상에 석출되는 것이 억제된다.

또한, 제1 세정액으로서, pH값이 약2이하(상대적으로 강산)의 산성용액을 사용하면, 그의 강한 산화력에 의해서 반도체 기판상의 금속 불순물을 용이하게 용해하고, 그에 따라 금속착염이 형성된다.

제2세정액으로서, pH값이 약 3∼4(상대적으로 약산)의 세정액을 사용하면, 미세한 홈부분에 잔류하고 있는 금속착염이나, 용해하지 않고 반도체 기판상에 남아있는 금속은, 산의 농도차에 기인한 침투압에 의해서 제2세정액으로 배출된다. 더 나아가서는, 제2 세정액은 ,반도체 기판상의 미세한 홈부분에 부착되어 있는 금속 불순물의 배출뿐만 아니라, 반도체 기판의 표면에 금속착염이 재석출되는 것을 억제하는 작용을 한다.

또 pH값이 약 3∼4의 세정액은 점성이 낮으므로, 제1세정액이 미세한 홈부분에 충분히 침투되지 않으므로써, 잔류되어 있는 금속이 제2 세정액에 의해 용이하게 용해되어 제거된다. 또한 pH값이 약 4보다 크게되면(즉, pH 4의 경우보다 산성도가 낮게되면), Al등의 금속이 석출되기 쉽고, pH값이 약 3미만으로 되면(즉, pH 3의 경우보다 산성도가 높게되면), Cr등의 금속이 석출되기 쉽다. 특히 pH가 중성(pH7)정도까지로 높아지면 금속착염이 불안정하게 되어, 금속착염 중의 배위차(ligands)만이 배출되며, 따라서, 특히 미세한 홈부분에서, 금속의 재석출이 일어나기 쉬워진다. 이 때문에, 제2 세정액의 pH값은 3∼4 정도로 하는 것이 바람직하다.

다음에 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

이하의 실시예 및 비교예에 있어서는 세정대상으로서 동일한 반도체 기판을 준비해 놓고 이 반도체 기판에 대한 세정능력을 각각 비교하였다.

세정대상으로 되는 반도체 기판에 대하여, 금속이 부착하기 쉬운 처리로서, 고온에서의 막(film)성장 드라이에칭 등의 처리를 하였다. 제4도는 이와 같은 처리공정을 나타낸 것이다. 또한, 상기 처리 공정에 의해서, 금속 등을 부착시킨 반도체 기판을 NH₄OH / H₂O₂H₂O 세정액에 침투시키고, 이어서 세정을 한 후에 순수한 물로 린스하였다.

[실시예 1]

pH 약 1의 HCl/H₂O₂세정액(제1 세정액)과 pH 약3의 H₂O₂의 세정액(제2 세정액)을 사용하여, 2개의 공정에 걸쳐서 세정대상의 반도체 기판을 세정하였다.

그의 세정기구를 제3a도∼제3d도에 나타냈다. 제3a도에 도시된 바와 같이 반도체 기판(1)에는 제거대상으로 되는 금속 불순물 입자(3)가 부착되어 있다.

제1 세정공정으로서 제1 세정액에 세정대상의 반도체 기판(1)을 침지하였다. 이에 따라 반도체 기판(1)상의 금속은 강산 하에서 용이하게 산화되어서, 제3b도에 도시되는 바와 같이, MCl_X(M은 금속)의 형태의 금속착염으로 된다. 또한 금속원자 1개당의 배위하는 염소원자의 수는 금속의 종류에 따라서 다르나 통상은 4∼6정도이다.

이와 같이하여 금속의 착염은 용이하게 생성한다. 그러나 제1 세정액은 점성이 높으므로, 반도체 기판(1)의 요철부나 미세한 홈부분에 있어서는 금속착염이 생성되어도 세정액 중에 그다지 확산되지는 않는다.

따라서, 반도체 기판(1)상의 이들 부위의 금속착염을 제거하는 것은 곤란하며, 세정을 장시간 행하더라도, 금속착염은 반도체 기판(1) 부근에 남는다. 따라서 세정액을 건조시키면, 반도체 기판(1)상에 금속이 석출되어 버린다.

이러한 문제점을 감안하여, 제2 세정공정으로서 상기 제1 세정공정을 끝낸 반도체 기판(1)을 pH 약3의 HCl/H₂O₂세정액에 침지하였다.

상기와 같이, 반도체 기판(1)의 요철부나 미세한 홈부분 등에는 제1 세정액 및 금속착염이 남아 있으나, 제2 세정액은 HCl, H₂O₂의 농도가 제1세정액보다 낮으므로, 그 농도차로 인해서 침투압이 발생하고, 제3(c)도에 나타낸 바와 같이, 반도체 기판(1) 부근에 남아 있는 제1세정액은 주위의 제2세정액 중으로 확산한다.

제1세정액이 제2세정액으로 확산할 때에는, 제1세정액 중의 금속착염도 동시에 제2세정액으로 확산한다. 제3(d)도에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(1)상 부근의 금속착염은 거의 제거되므로, 세정액을 건조시켜도 금속은 거의 석출되지 않는다.

이와 같이 반도체 기판(1)을 세정함으로써 반도체 기판(1)상의 금속 등의 불순물 입자(3)를 거의 완전히 제거할 수가 있다.

그리고 제1세정액은 점성이 높아지므로, 제1세정액이 이들 부위에 충분히 침투되지 않고, 금속이 완전히 용해되지 않는 부위가 생길 염려가 있다. 그러나 제2 세정액의 점성은 낮으므로, 제1 세정액이 침투하는 것이 곤란한 부분에도 침투하므로써, 금속을 완전히 용해하여 제거하는 것이 가능하다.

특히, 제2세정액으로서 사용되는 pH 약3의 묽은 용액은 점성이 낮고, 미세한 홈부분에도 침투되기 쉽다. 따라서, 제1세정액의 불충분한 침투로 인해 충분히 용해되지 않는 금속을 제2 세정액에 의해 완전히 용해하여 제거할 수 있다.

여기서, 만일 pH @ 4일 경우에는, 예컨대, Al 등의 금속이 석출되기 쉽고, 또한 pH 3일 경우에는, Cr 등의 금속이 석출되기 쉽다. 특히, pH가 중성(pH7)정도까지로 높아지면, 생성된 금속착염이 불안정하게 되고, 금속착염증의 배위자만이 배출되는 일이 있다. 따라서, 미세한 홈부분에서는 금속의 재석출이 일어나기 쉽다.

이와 같은 이유 때문에, 제2 세정액은 여러 가지의 금속착염이 세정액 중에서 안정되기 존재할 수 있는 산성도(pH 약 3∼4)가 요구된다. 이와 같이, 반도체 기판(1)의 세정을 행함으로써, 반도체 기판(1)상의 금속 제거율을 높일 수가 있다.

또한, HCl/H₂O₂대신에, 불순물 함유량이 약간 많다고 평가되는 H₂SO₄/ H₂O₂를 사용하더라도, 동일한 결과가 얻어졌다. 세정액의 온도는 HCl / H₂O₂를 사용한 세정법과, H₂SO₄/ H₂O₂를 사용한 세정법의 각각에서 65℃ 정도로 하였다.

[비교예]

세정 대상(반도체 기판(1))을 종래의 세정액(HCl / H₂O₂/ H₂O = 1:1:5)으로 세정한 후, 순수한 물로 린스 세정을 하였다.

제8도는 종래의 세정액으로 세정한 경우의 세정기구를 나타낸다. 이 세정액은 pH 약1 이상이므로, 산화력이 우수하다. 따라서, 제 8(a)도, (b)도에 나타낸 바와 같이, 반도체 기판(1)상의 금속 불순물 입자(3)는 용이하게 금속착염으로 된다.

그러나 세정액의 점성이 높아지므로, 미세한 홈부분에는 세정액이 침투하기 어렵다. 따라서 제8(c)도, 제8(d)도에 나타낸 바와 같이, 세정액이 미세한 홈부분으로 침투하여 금속착염을 형성한 경우라고, 금속착염이 용이하게 세정액으로 배출되지 않는다.

다음에, 순수한 물로 린스세정(pH7 정도)을 하면, 설사 금속착염이 형성되더라도, 순수한 물 중에서는 대부분의 금속착염이 안정적으로 존재하기 어렵고, 금속착염중의 배위자만이 배출된다. 특히, 미세한 홈부분에서는 , 하기 식과 같이, 금속의 재석출을 일으키기 쉽다.

제1실시예와 비교예의 각각의 방법으로서 세정을 한 각 반도체 기판(1)에 대하여, 세정후에 반도체 기판(1)의 표면에 잔류하고 있는 각종 금속원소의 정량분석을 행했으며, 그 결과를 제5도에 나타냈다.

이 측정은 반도체 기판(1)상의 각종 금속을 플루오르화 수소산 중기로 용해시킨 후, 원자흡광 분광법(atomic absorption spectrometry)에 의해서 정량분석을 행했다.

제5도에 도시된 그래프로부터 명백한 바와 같이, 제1 실시예의 세정 방법을 사용하여 세정한 반도체 기판(1)의 표면에는 거의 금속이 잔존하고 있지 않은데 반해, 종래의 방법(비교예)의 세정방법에서는 상당량의 금속이 잔존하고 있다. 이로써 본 발명의 세정액의 유효성이 실증되었다.

[실시예 2]

pH 약 1로 조정한 HNO₃수용액(제1 세정액)과 pH 약 3으로 조성한 HNO₃수용액(제2 세정액)에 의해 2개의 세정공정에서, 세정대상의 반도체 기판(1)을 세정하였다. 세정 과정중, 이들 세정액의 온도를 70(℃)로 유지하였다. 이 실시예의 세정기구를 제6도에 나타내었다.

제6(a)도, 제6(b)도에 나타낸 바와 같이, 제1 공정에 있어서, 반도체 기판(1)상의 금속 불순물 입자(3)는 산화력이 뛰어난 제1 세정액으로 용이하게 산화되고, 하기 식으로 표현되는 화학반응에 의해 금속착염이 형성된다.

(여기서, M : 금속 X, Y : 정수임)

그후, 제6(c)도, 제6(d)도에 나타낸 바와 같이, 제2세정공정에 있어서, 제2세정액으로 세정함으로써 반도체 기판(1)상의 요철부나 미세한 홈부분에 잔류하고 있었던 금속 또는 금속착염이 세정액 중에 용이하게 용해 및 제거되었다.

이 세정방법에 의해서, 제1 실시예와 동일하게 금속의 잔류가 극히 작은 청정한 반도체 기판(1)이 얻어졌다.

[실시예 3]

제3실시예에서는, pH 약 1로 조정한 HCl / H₂O₂수용액(제1 세정액)과 pH 약 3으로 조성한 HF / HCl 수용액(제2 세정액)에 의해 2개의 세정공정에서, 세정대상의 반도체 기판(1)을 세정하였다. 세정 과정중, 이들 세정액의 온도를 65(℃)로 유지하였다.

제3 실시예의 세정액을 사용할 때의 세정기구를 제7도에 나타내었다.

제7(a)도, 제7(b)도에 나타낸 바와 같이, 제1 공정에 있어서, 반도체 기판(1)상의 금속 불순물 입자(3)는 산화력이 뛰어난 제1 세정액으로 용이하게 산화되고, 금속착염이 형성되었다.

그후, 제7c도, 제7d도에 나타낸 바와 같이, pH 약 3의 HF / HCl로 세정함으로써, 반도체 기판(1)상의 요철부나 미세한 홈부분에 잔류하고 있었던 금속 및 자연 산화막중에 도입되어 있는 금속이 용이하게 용해 및 배출된다.

전술한 세정방법에 있어, 반도체 기판(1)상이나, 자연산화막 내에 잔류하는 금속 불순물 입자(3)가 제거되었고, 제1 실시예와 동잉하에 청정한 반도체 기판(1)이 얻어졌다(제7(e)도 참조).

특히, 이 실시예와 같이, 제1 세정액과 제2 세정액으로서 상이한 세정액을 사용한 경우라도, pH값의 차가 충분히 크면, 소기의 세정효과를 얻을 수 있다.

Claims (6)

1. 반도체 기판의 금속 불순물을 pH 약 2 이하의 제1 세정액의 접촉시켜, 금속착염으로 하여 금속 불순물을 반도체 기판으로부터 용해하여 제거하는 공정과, 상기 밥도체 기판의 표면에 흡착된 제1 세정액의 잔액에 pH 약 3∼4의 제2 세정액을 접촉시켜서, 제1 세정액과 제2 세정액간의 pH값의 차이로 인해 발생하는 침투압에 의해서, 상기 제1 세정액의 잔액중에 함유되어 있는 상기 금속착염을 상기 제2 세정액 중에 이동시켜서, 반도체 기판의 표면 부근의 금속착염을 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1세정액은, HCl(염산), H₂SO₄(황산), 및 HNO₃(질산)중에서 선택된 적어도 1종, 또는 HCl, H₂O₂(과산화수소), H₂SO₄및 HNO₃중에서 선택된 적어도 2종을 주성분으로 하는 세정액으로 이루어지며, 상기 제2 세정액은 HCl, HF(플루오르화 수소산) 및, HNO₃으로 선택된 적어도 1종, 또는 HCl, H₂O₂, HF 및 HNO₃중에서 선택된 적어도 2종을 주성분으로 하는 세정액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세정방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1세정액이 pH 약 1의 HCl / H₂O₂수용액이며, 제2세정액이 pH 약 3의 HCl / H₂O₂수용액인 것을 특징으로 하는 세정방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1세정액이 pH 약1의 HCl / H₂O₂수용액이며, 제2 세정액이 pH 약 3의 HF / HCl 수용액인 것을 특징으로 하는 세정방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정액이 pH 약 1의 H₂SO₄/ H₂O₂수용액이며, 제2세정액이 pH 약 3의 HCl / H₂O₂수용액인 것을 특징으로 하는 세정방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정액이 pH 약 1의 HNO₃수용액이며, 제2 세정액이 pH 약 3의 HNO₃수용액인 것을 특징으로 하는 세정 방법.