JPS62183123A - 半導体製造用薬液の供給方法 - Google Patents

半導体製造用薬液の供給方法

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JPS62183123A
JPS62183123A JP2303686A JP2303686A JPS62183123A JP S62183123 A JPS62183123 A JP S62183123A JP 2303686 A JP2303686 A JP 2303686A JP 2303686 A JP2303686 A JP 2303686A JP S62183123 A JPS62183123 A JP S62183123A
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Japan
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liquid
chemical liquid
supply tank
chemical
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JP2303686A
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Shiyuuichi Mitsuhori
三ツ堀 修一
Masayuki Horikawa
堀川 昌幸
Shigehiro Komai
古米 重裕
Nobuo Fujie
藤江 信夫
Yu Oshida
祐 押田
Hiroyuki Baba
馬場 広行
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Zeon Corp
Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
Nippon Zeon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体等の電子材料や精密機器部品等の薬液処
理工程に用いられる各種薬液の供給方法に関し、さらに
詳しくは、薬液処理工程に供給する薬液を予め薬液処理
工程で使用される温度に連続的に精度良く調節したのち
、薬液処理工程に供給する半導体製造用薬液の供給方法
に関する。
従来の技術 集積回路、トランジスターの微細加工技術の進歩は目覚
ましいものがある。その製造に使用される各種薬液はレ
ジストパターン形成の現像、酸化膜シリコン、アルミニ
ウム等のエツチング、ウェハーの洗浄等に用いられ、そ
の薬液処理工程における処理条件は製品の歩留り、信顆
性に直接影響することから、厳密に制御されており、特
に処理工程での温度調節が重要となる0例えば、半導体
処理工程で行なわれるレジストパターンの形成において
、特にノボラック系ポジ型レジストの有機アルカリ系現
像液の温度が現像時に変化すると、所定のパターンを安
定して形成することができないといった問題があったり
、シリコンウェハー上の酸化膜の厚み調整に用いるフッ
酸及びフッ化アンモニウム水溶液の温度がエツチング時
に変化すると所定の酸化膜を椿度良く形成することがで
きないといった問題がある。
このため、薬液処理工程に供給される薬液を所定の温度
に精度良く調節して、変動なく随時に供給することがで
きることは半導体製造において安定した製品を製造する
ことができると共に、薬液処理工程を連続的にaSさせ
ることができ生産性の向上を図る上でも重要である。
従来、薬液処理工程での温度調節方法として薬液処理工
程内の作業用槽に薬液を投入した後、槽内で温度調節を
する方法や、薬液処理工程に供給する前工程として温度
調節用の供給槽を設けて温度調節された薬液を供給する
方法が採られていへ前者の方法では薬液処理工程で温度
調節を行なうという時間的な焦駄を生じ、後者の場合は
供給槽の薬液が減少し所定温度と温度差の大きな薬液が
補給されると、供給槽内の温度が変動して、所定の温度
に供給槽の薬液温度を復帰させるために、断続または連
続的に行なう薬液処理工程への供給を一旦停止しなけれ
ばならないという不都合が生じる。
発明が解決しようとする問題点 そこで、発明者らは、前記問題点を解決すべく鋭意研究
の結果、薬液処理工程に断続的及び連続的にq度良く調
節して行なうと共に、薬液処理工程への供給を随時に行
なうことができる半導体製造用薬液の供給方法を児い出
し、本発明を完成するに到った。
問題点を解決するだめの手段及び作用 本発明のかかる目的は、半導体製造用薬液処理工程に薬
液を供給するに際し、予め薬液を熱交換器を通して、処
理工程所定温度を目標として薬液温度を調節すると共に
薬液供給槽中の薬液量が一定範囲内に維持される如く送
液し、前記薬液供給槽中で処理工程所定温度に精密制御
することを特徴とする半導体製造用薬液の供給方法によ
って達成することができる。
ここで、「薬液を熱交換器を通して、処理工程所定温度
を目標として薬液温度を調節する」とは熱交換器による
調節温度を処理工程所定温度に設定するが、供給すべき
薬液の温度、8IIi液処理工程での使用に従って送液
すべき薬液の薬液流量には変動があり、かつ熱交換器の
伝熱面積等にも限度があるので、設定温度と等しい温度
に熱交換させることができない場合がある。おおよそ設
定温度に近い温度になれば良いという意味である。
即ち、予め熱交換器で薬液を所定温度を目標として大雑
把に温度調節して薬液供給槽に送液すると共に、薬液供
給槽内の液量を所定量範囲内に維持することにより、薬
液供給槽において精密な温度制御を行ない、かつ所定温
度に復帰させるだめの待ち時間を解消せしめるものであ
る。
本発明方法を、具体化した装置の概略フローチャートに
基いて説明すると、第1図において、貯槽1の薬液は送
液ポンプ2により熱交換器3を経て温度調節計および液
面量調節1ff6を備えた薬液供給槽4に送られ、ここ
で所定温度に調節された薬液は薬液処理工程5に送られ
る。
薬液処理工程の所定温度を目標温度として温度調節する
熱交換器3は、熱媒及び冷媒を循環して行なう円板−ド
ウナッツ型、欠円型、オリフィス型及び種型等の公知の
ものが使用できる。熱交換器3を通して供給槽に送液す
る送液ポンプ2として、一般に用いられるダイヤフラム
型、ベローズ型等のポンプが用いられる。ポンプに代え
、ガス加圧による圧送方法も用いることができる。供給
槽への送液は供給槽に設けた液面調8tt6により例え
ば薬液面が高液位になると送液を停止し、低液位になる
と送液するように送液ポンプに作用させる。供給槽はジ
ャケットに温度調節用の熱媒および冷媒を流す方式およ
びコイルを槽内に設け、コイル内部に熱媒および冷媒を
流す方式等が用いられ、薬液温度を精度良く調節できる
構造を有するものであれば良く、特に限定されるもので
はない、供給槽の大きさ、熱媒、冷媒の循環量、及び供
給槽中の高液面、低液面の位置は、薬液処理工程に供給
する単位時間当りの薬液量に応じて設定することができ
る。
本発明における熱媒及び冷媒を用いて行なう熱交換器及
び供給槽内の薬液の温度調節は、一般に公知の熱交換器
の出口の温度及び供給槽内の温度を検知し、熱媒及び冷
媒の量を制御して行なう方法が採られる。供給槽の薬液
の温度は薬液処理装置での処理温度に応じて設定される
発明の効果 従来の温度調節用の供給槽では、藁液量の変動による液
温の変化、所定温度への復帰に要する待ち時間を免れる
ことができなかったが、本発明方法によれば、薬液は、
予め熱交換器を通して所定温度に近い温度に調節されて
供給槽に送られ、かつ供給槽内の液量の変動は一定範囲
内に抑えられる、従って、熱交換器を通して送られた薬
液の多少の温度の変動は供給槽内で吸収され、しかも供
給槽中の液量の変動も一定範囲内であるため、供給槽に
おける精密温度調節が達成される。温度制御の範囲は、
所定温度に対し、±2°C〜±α5℃の範囲に保つこと
が可能である。
本発明方法により、精密に温度調節された薬液を随時、
断続的または連続的に薬液処理工程に供給することがで
き、半導体製造上、品質管理および生産性向上に寄与す
るところ、多大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法を具体化した装置の概略フローチ
ャートである。 1・・・・貯旧、2・・・・速成ポンプ、3・・・・熱
交換器、4・・・・供給tl!、5・・・・薬液処理工
程、6・・・・液面調節計。 特許出願人 日本ゼオン株式会社 同   富士通株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体製造用薬液処理工程に薬液を供給するに際し
    、予め薬液を熱交換器を通して、処理工程所定温度を目
    標として薬液温度を調節すると共に薬液供給槽中の薬液
    量が一定範囲内に維持される如く送液し、前記薬液供給
    槽中で処理工程所定温度に精密制御することを特徴とす
    る半導体製造用薬液の供給方法。
JP2303686A 1986-02-06 1986-02-06 半導体製造用薬液の供給方法 Granted JPS62183123A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01228533A (ja) * 1988-03-09 1989-09-12 Mitsubishi Electric Corp リキッドソースコントローラ装置
KR100505060B1 (ko) * 1998-02-11 2005-10-19 삼성전자주식회사 약품 공급 시스템
CN101940895A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 江苏华伦化工有限公司 环氧丙烷的连续进料系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS582425A (ja) * 1981-06-29 1983-01-08 Toyota Motor Corp ヘリカル型吸気ポ−トの流路制御装置
JPS6015926A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd 半導体製造装置
JPS6016427A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Toshiba Corp 酸化膜エツチング装置
JPS6084137A (ja) * 1983-10-17 1985-05-13 Nippon Zeon Co Ltd 密閉型通い缶からの薬液供給看視装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS582425A (ja) * 1981-06-29 1983-01-08 Toyota Motor Corp ヘリカル型吸気ポ−トの流路制御装置
JPS6015926A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd 半導体製造装置
JPS6016427A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Toshiba Corp 酸化膜エツチング装置
JPS6084137A (ja) * 1983-10-17 1985-05-13 Nippon Zeon Co Ltd 密閉型通い缶からの薬液供給看視装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01228533A (ja) * 1988-03-09 1989-09-12 Mitsubishi Electric Corp リキッドソースコントローラ装置
KR100505060B1 (ko) * 1998-02-11 2005-10-19 삼성전자주식회사 약품 공급 시스템
CN101940895A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 江苏华伦化工有限公司 环氧丙烷的连续进料系统

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