JPH01228533A - リキッドソースコントローラ装置 - Google Patents
リキッドソースコントローラ装置Info
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- JPH01228533A JPH01228533A JP5681788A JP5681788A JPH01228533A JP H01228533 A JPH01228533 A JP H01228533A JP 5681788 A JP5681788 A JP 5681788A JP 5681788 A JP5681788 A JP 5681788A JP H01228533 A JPH01228533 A JP H01228533A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液体材料を気化させ流量制御を灯ないつつ
外部の反兄、糸（例えば半導体装置の製造における酸化
・拡散・膜形成などの工程）ヘガスを供給する装置に関
するものである。
外部の反兄、糸（例えば半導体装置の製造における酸化
・拡散・膜形成などの工程）ヘガスを供給する装置に関
するものである。
第２又は従来のリキツドンースコントローラ表直の構成
図を示したものであり、図において１は恒温槽、２は液
体材料（９）を７ＪＯ熱するソースタンク、３は気化し
た液体材料の流量を制御するマス７０−コン） ｏ−ラ
、４ａ、４ｂはソースタンク２内の液外材料Ｉの量の上
限およびＦ限？モニター７６７０−トスイッチ％５ａ、
５ｂ、５ｃけパルプ、６は外部タンク９から上記ソース
タンク２へ液体材料勇を補給するための注入管、７は外
部の反応糸田へ気化した液体材料ご供給Ｔ６供給管であ
る。
図を示したものであり、図において１は恒温槽、２は液
体材料（９）を７ＪＯ熱するソースタンク、３は気化し
た液体材料の流量を制御するマス７０−コン） ｏ−ラ
、４ａ、４ｂはソースタンク２内の液外材料Ｉの量の上
限およびＦ限？モニター７６７０−トスイッチ％５ａ、
５ｂ、５ｃけパルプ、６は外部タンク９から上記ソース
タンク２へ液体材料勇を補給するための注入管、７は外
部の反応糸田へ気化した液体材料ご供給Ｔ６供給管であ
る。
次にや作について説明する。液体材料３０はヒーターを
備えたソースタンク２により加熱され気化される。気化
した液体材料はマス７０−コントローラ３で流量制御さ
れ供給管７より反応糸田へ１ル給される。なお反応糸加
への供給の開始及び停止はパルプ５ａ、５ｂの開閉にま
り付う。
備えたソースタンク２により加熱され気化される。気化
した液体材料はマス７０−コントローラ３で流量制御さ
れ供給管７より反応糸田へ１ル給される。なお反応糸加
への供給の開始及び停止はパルプ５ａ、５ｂの開閉にま
り付う。
またソースタンク２内の成績は、７０−ドスイツチ４ａ
、４ｂにより上限組、ド限慮か検知される。液体材料（
１）の社がＦ眼振であると検知した際は、パルプ５ｃを
開は注入管６より液体材料Ｊを供給する。
、４ｂにより上限組、ド限慮か検知される。液体材料（
１）の社がＦ眼振であると検知した際は、パルプ５ｃを
開は注入管６より液体材料Ｊを供給する。
またソースタンク２、マスプローコントローラ３、パル
プに５坂５０は気化した液体材料の再液化を防止するた
のに恒温槽１内に収納されている。
プに５坂５０は気化した液体材料の再液化を防止するた
のに恒温槽１内に収納されている。
従来のリキツドンースコントローラ装置ハ以上のように
構成されており、液体材料（資）ご注入管６を介してソ
ースタンク２へ補給を行う際、液体材料（資）を満たし
た外部タンク９をそのまま注入管６へ連結していにか、
外部タンク９が空になると。
構成されており、液体材料（資）ご注入管６を介してソ
ースタンク２へ補給を行う際、液体材料（資）を満たし
た外部タンク９をそのまま注入管６へ連結していにか、
外部タンク９が空になると。
その都度外部タンクを交換Ｔ小必要があり、ソースタン
ク２への液体材料（資）の補給が中断され、リキッドソ
ースコントローラ装置全体としての作動も中面せざるを
得ない場合があった。
ク２への液体材料（資）の補給が中断され、リキッドソ
ースコントローラ装置全体としての作動も中面せざるを
得ない場合があった。
ま２．外部タンク９から直接液体材料（資）をソースタ
ンク２へ補給するたの、ソースタンク２内の温度か一時
低ドし、液体材料の補給後、温度が上昇し安定下６まで
の１〜２時間は使用することかでさす、表は全体として
の稼Ｗ！ＪＪ率が低くなるという問題点かあった０ この発明は上記のような間ｔＷ点を所消するため７Ｊ−
されたもので、外部からソースタンクへのα体材料の補
給を連続的に付うことができるとともに、ソースタンク
内の温度？低下Ｔにとなく補給か口■能なリキッドソー
スコントローラ装置を得ることを目的とτゐ。
ンク２へ補給するたの、ソースタンク２内の温度か一時
低ドし、液体材料の補給後、温度が上昇し安定下６まで
の１〜２時間は使用することかでさす、表は全体として
の稼Ｗ！ＪＪ率が低くなるという問題点かあった０ この発明は上記のような間ｔＷ点を所消するため７Ｊ−
されたもので、外部からソースタンクへのα体材料の補
給を連続的に付うことができるとともに、ソースタンク
内の温度？低下Ｔにとなく補給か口■能なリキッドソー
スコントローラ装置を得ることを目的とτゐ。
〔課題２所決するための手段〕
この発明に係るリキッドコントローラｉｈは、液体材料
を貯えた外部タンクと、この外部タンクから液体材料か
供給されるようになっていて、かつ上記外部タンク内の
液Ｈ書を便用１６残１れ検出トラップと、この残量検出
トラップから注入管を通して供給され６液体材料を予熱
する予熱器と、この予熱器を介して補給されに液体材料
ご加熱して気化させるソースタンクを設け、上記ソース
タンク内で気化された液体材料を外部の反応糸へ１共組
Ｔ４′１ものである。
を貯えた外部タンクと、この外部タンクから液体材料か
供給されるようになっていて、かつ上記外部タンク内の
液Ｈ書を便用１６残１れ検出トラップと、この残量検出
トラップから注入管を通して供給され６液体材料を予熱
する予熱器と、この予熱器を介して補給されに液体材料
ご加熱して気化させるソースタンクを設け、上記ソース
タンク内で気化された液体材料を外部の反応糸へ１共組
Ｔ４′１ものである。
この発明におけるリキツドソースコントローラｆｉｌａ
！Ｇｕ、Ｎｆｆ１検出トラツプにより外部タンク内の液
体材料の液量を検知して、その空状態を串Ｒｕに知らせ
、それにより液体材料をソースタンクへ連続的に供給可
能とＴ２Ｏまた予熱器により液体材料を予熱した後ソー
スタンクへ補給されるので、ソースタンク内の温度低下
を防止Ｔル。
！Ｇｕ、Ｎｆｆ１検出トラツプにより外部タンク内の液
体材料の液量を検知して、その空状態を串Ｒｕに知らせ
、それにより液体材料をソースタンクへ連続的に供給可
能とＴ２Ｏまた予熱器により液体材料を予熱した後ソー
スタンクへ補給されるので、ソースタンク内の温度低下
を防止Ｔル。
以下この発明の一笑施例を図について説明する。
第１図において、１〜７．９、加、３０は従来装置と同
様の宿代であるので説明を省略τる０ ６ａ、６ｂに外
部タンク９からソースタンク２へ液体材料（支）を補給
よるにめの注入管、８は外部タンク９内の液体材料（１
）の空状態Ｔｒ：検出τ心ための残飯検出トラップであ
り、この残Ｉｌｔ検出トラップ８には液量を検出Ｔ＾７
０−トスイッチ４Ｃか設置されている。１０ Ｇ１外部
タンク内の′Ｍ、体材料勇を注入’＃ ６ａへ圧送よる
ため使用される不活性ガス（例えば窒素ガス〕の供給口
である。注入管６ａにはパルプ５ｄ ｆｉｉ設けられ、
注入管６ｂの途中には、流電調整を竹うニードルパルプ
１１と、パル７５ｃとｌＦ１体材料（資）を予備加熱よ
る予熱器しを設けている０ 次に動作について説明Ｔ６．外恥タンク９内のに１体材
料３０は、窒素ガスなどの不活性ガスを供給口ｌＯより
吹さ込むことにより圧送され、注入管６ａご弁し、残量
検出トラップ８−注入管６ｂ−予熱器臣を経由してソー
スタンク２へ補給され＾０この際液体材料３０は予熱器
［によりＰ ＩＲ７ＪＯ熱されるので、ソースタンク２
内の温度が低′ＦＴにとがなく、連続して操業か可能と
なる。なお、注入管６ｂを通って補給される液体材料の
液量はニードルパルプ１１で最適化される。
様の宿代であるので説明を省略τる０ ６ａ、６ｂに外
部タンク９からソースタンク２へ液体材料（支）を補給
よるにめの注入管、８は外部タンク９内の液体材料（１
）の空状態Ｔｒ：検出τ心ための残飯検出トラップであ
り、この残Ｉｌｔ検出トラップ８には液量を検出Ｔ＾７
０−トスイッチ４Ｃか設置されている。１０ Ｇ１外部
タンク内の′Ｍ、体材料勇を注入’＃ ６ａへ圧送よる
ため使用される不活性ガス（例えば窒素ガス〕の供給口
である。注入管６ａにはパルプ５ｄ ｆｉｉ設けられ、
注入管６ｂの途中には、流電調整を竹うニードルパルプ
１１と、パル７５ｃとｌＦ１体材料（資）を予備加熱よ
る予熱器しを設けている０ 次に動作について説明Ｔ６．外恥タンク９内のに１体材
料３０は、窒素ガスなどの不活性ガスを供給口ｌＯより
吹さ込むことにより圧送され、注入管６ａご弁し、残量
検出トラップ８−注入管６ｂ−予熱器臣を経由してソー
スタンク２へ補給され＾０この際液体材料３０は予熱器
［によりＰ ＩＲ７ＪＯ熱されるので、ソースタンク２
内の温度が低′ＦＴにとがなく、連続して操業か可能と
なる。なお、注入管６ｂを通って補給される液体材料の
液量はニードルパルプ１１で最適化される。
またソースタンク２への液俸材料勇の補給は、ソースタ
ンク２に取り付けられた７０−トスイツチ４ζ４ｂにパ
ルプ５Ｃを超勤させて灯うＯＴなわち、７０−ドスイツ
チ４ａ、４ｂかソースタンク２内の［ｆｆｌの下限を検
知した際にはパルプ５Ｃか開さ補給が開始され、上限を
検知するとパルプ５Ｃは閉じるという動作により竹われ
る。なおここで、例えはパル１５ｏＴｔ７ＪＬｍ式バル
ブとし％ フロートスイッチ４ ａ、４１）に４気的に
接読するという簡単な構成で上記動作？自動的に付うこ
とかできる。
ンク２に取り付けられた７０−トスイツチ４ζ４ｂにパ
ルプ５Ｃを超勤させて灯うＯＴなわち、７０−ドスイツ
チ４ａ、４ｂかソースタンク２内の［ｆｆｌの下限を検
知した際にはパルプ５Ｃか開さ補給が開始され、上限を
検知するとパルプ５Ｃは閉じるという動作により竹われ
る。なおここで、例えはパル１５ｏＴｔ７ＪＬｍ式バル
ブとし％ フロートスイッチ４ ａ、４１）に４気的に
接読するという簡単な構成で上記動作？自動的に付うこ
とかできる。
一万、外部タンク９内の液体杓科加の液量に、フロート
スイッチ４０ヲ設けた残量検出トラップ８で検知し、そ
の空状態？知らせ６゜ このため外部タンク９Ｇ！、ソースタンク２（残量検出
トラップ８）が空状態にな６１′ＴＩＪに交換時期？知
ることかでさ、しかも外部タンク９の交換時にリキッド
Ｖ−スコントローラ装置を停止させる必要かない〇 また外部タンク９の父？１８に、注入管６ａ ＧＣ；ｆ
ｉけたパルプ５ｄＴｒ：閉じることにより残量検出トラ
ップ８と切り離して単独で竹うことかでき６゜なお上記
実施例では、−ｍ類の液体材料全気化させ反応糸へ供給
Ｔ６リキツドンースコントローラ装置について説明した
か、二柚類以上の液体材料全気化さぜるリキツドソース
コントローラ装置の場合についても、残虐検出トラップ
、予熱器、外部タンク等を複数台設けることにより同様
の効果を奏Ｔ６゜ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれは、外部タンクからソース
タンクへの液体材料の補給を残置検出トラップ、予熱器
を辿して行う構成としたので、成体材料の連続供給か可
能となり、かつソースタンク内のｆＭ度の低Ｆを防止よ
ることができる０それによりリキツドソースコントロー
ラ装置の稼動率を大幅に向上させる効果かある。
スイッチ４０ヲ設けた残量検出トラップ８で検知し、そ
の空状態？知らせ６゜ このため外部タンク９Ｇ！、ソースタンク２（残量検出
トラップ８）が空状態にな６１′ＴＩＪに交換時期？知
ることかでさ、しかも外部タンク９の交換時にリキッド
Ｖ−スコントローラ装置を停止させる必要かない〇 また外部タンク９の父？１８に、注入管６ａ ＧＣ；ｆ
ｉけたパルプ５ｄＴｒ：閉じることにより残量検出トラ
ップ８と切り離して単独で竹うことかでき６゜なお上記
実施例では、−ｍ類の液体材料全気化させ反応糸へ供給
Ｔ６リキツドンースコントローラ装置について説明した
か、二柚類以上の液体材料全気化さぜるリキツドソース
コントローラ装置の場合についても、残虐検出トラップ
、予熱器、外部タンク等を複数台設けることにより同様
の効果を奏Ｔ６゜ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれは、外部タンクからソース
タンクへの液体材料の補給を残置検出トラップ、予熱器
を辿して行う構成としたので、成体材料の連続供給か可
能となり、かつソースタンク内のｆＭ度の低Ｆを防止よ
ることができる０それによりリキツドソースコントロー
ラ装置の稼動率を大幅に向上させる効果かある。
第１図はこの発明の一実施例によるリキッドソースコン
トローラ装＠を示す構成図、第２図は従来のリキッドソ
ースコントローラ装置を示す構成図である。 図中、ＩＧ！ｆｆ１ｉＷ檜、２はソースタンク、３はマ
ス７０−コントローラ、４ａ％４−４０はフロートスイ
ッチ、５ａ 、５ｂ 、５ｃ 、５ｄはバルブ、６ａ％
６ｂ Ｅｌ ｅ入管、７は供給・け、８は残虐検出トラ
ップ、９は外部タンク、１０Ｇｔ供給口、１１にニード
ルパルプ、１２はｆ％ａ、加は反応糸、３０は液体材料
である。 尚、図中同−符号番は同一またＧユ相当部分を下す。
トローラ装＠を示す構成図、第２図は従来のリキッドソ
ースコントローラ装置を示す構成図である。 図中、ＩＧ！ｆｆ１ｉＷ檜、２はソースタンク、３はマ
ス７０−コントローラ、４ａ％４−４０はフロートスイ
ッチ、５ａ 、５ｂ 、５ｃ 、５ｄはバルブ、６ａ％
６ｂ Ｅｌ ｅ入管、７は供給・け、８は残虐検出トラ
ップ、９は外部タンク、１０Ｇｔ供給口、１１にニード
ルパルプ、１２はｆ％ａ、加は反応糸、３０は液体材料
である。 尚、図中同−符号番は同一またＧユ相当部分を下す。
Claims (1)
- 液体材料を貯えた外部タンクと、この外部タンクから
液体材料が供給され、該外部タンク内の液体材料の液量
を検知する残量検出トラップと、上記残量検出トラップ
から供給される液体材料を予熱する予熱器と、上記予熱
器から供給された液体材料を加熱して気化させるソース
タンクと、上記ソースタンク内で気化された液体材料を
外部の反応系へ供給する手段とを備えたリキッドソース
コントローラ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5681788A JPH01228533A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | リキッドソースコントローラ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5681788A JPH01228533A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | リキッドソースコントローラ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228533A true JPH01228533A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=13037928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5681788A Pending JPH01228533A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | リキッドソースコントローラ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01228533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424727B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2004-03-30 | 주성엔지니어링(주) | 액체원료 공급장치 및 그 세정방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53109877A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-26 | Hitachi Ltd | Replenishing system for liquid source |
| JPS62183123A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体製造用薬液の供給方法 |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP5681788A patent/JPH01228533A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53109877A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-26 | Hitachi Ltd | Replenishing system for liquid source |
| JPS62183123A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体製造用薬液の供給方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424727B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2004-03-30 | 주성엔지니어링(주) | 액체원료 공급장치 및 그 세정방법 |
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