JP3344994B2 - レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法 - Google Patents
レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法Info
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体装置製造装
置に係り、特に半導体基板のレジストを剥離するレジス
ト剥離装置及びレジスト剥離方法に関する。
置に係り、特に半導体基板のレジストを剥離するレジス
ト剥離装置及びレジスト剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板（以下、基板と略称する）の
上に形成されたレジスト膜を剥離する半導体製造装置と
しては、処理槽の剥離液中に基板を浸漬するＤｉｐ（浸
漬）式のレジスト剥離装置や、ステージ上に載置された
基板を回転させつつ剥離液を噴射するスプレー式のレジ
スト剥離装置や、特開平５−３０４０８９号公報に開示
された剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装置等が用
いられている。
上に形成されたレジスト膜を剥離する半導体製造装置と
しては、処理槽の剥離液中に基板を浸漬するＤｉｐ（浸
漬）式のレジスト剥離装置や、ステージ上に載置された
基板を回転させつつ剥離液を噴射するスプレー式のレジ
スト剥離装置や、特開平５−３０４０８９号公報に開示
された剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装置等が用
いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記Ｄｉｐ式
のレジスト剥離装置、並びに剥離液の蒸気を利用したレ
ジスト剥離装置では、処理槽内の剥離液が、基板から除
去した不純物によりすぐに汚染される問題があった。そ
して、この不純物が基板へ再付着する問題や、上記不純
物が後続処理する基板を汚染する問題もあった。このた
め、頻繁に剥離液を交換する必要があり、半導体装置の
製造コストが高くなってしまう問題があった。
のレジスト剥離装置、並びに剥離液の蒸気を利用したレ
ジスト剥離装置では、処理槽内の剥離液が、基板から除
去した不純物によりすぐに汚染される問題があった。そ
して、この不純物が基板へ再付着する問題や、上記不純
物が後続処理する基板を汚染する問題もあった。このた
め、頻繁に剥離液を交換する必要があり、半導体装置の
製造コストが高くなってしまう問題があった。
【０００４】また、上記Ｄｉｐ式のレジスト剥離装置、
並びに剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装置には、
通常、処理槽の基板搬入口に蓋が装着されているが、基
板の搬出時や搬入時には蓋を開閉動作させるため、処理
槽からクリーンルームに剥離液の蒸気が漏出し、クリー
ンルーム内の洗浄度が低下してしまう問題があった。こ
の問題は、上記剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装
置において特に顕著である。
並びに剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装置には、
通常、処理槽の基板搬入口に蓋が装着されているが、基
板の搬出時や搬入時には蓋を開閉動作させるため、処理
槽からクリーンルームに剥離液の蒸気が漏出し、クリー
ンルーム内の洗浄度が低下してしまう問題があった。こ
の問題は、上記剥離液の蒸気を利用したレジスト剥離装
置において特に顕著である。
【０００５】また、基板を搬入または搬出する度に剥離
液の蒸気が漏出するため、その都度剥離液を最初から蒸
気化させる必要があった。すなわち、レジスト剥離装置
の装置性能が低下する問題があった。
液の蒸気が漏出するため、その都度剥離液を最初から蒸
気化させる必要があった。すなわち、レジスト剥離装置
の装置性能が低下する問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、半導体基板の搬出入時に、剥離液の
蒸気の漏出を防止することを目的とする。また、剥離液
の汚染を低減することも目的とする。また、レジスト剥
離装置の装置性能を向上させることも目的とする。
になされたもので、半導体基板の搬出入時に、剥離液の
蒸気の漏出を防止することを目的とする。また、剥離液
の汚染を低減することも目的とする。また、レジスト剥
離装置の装置性能を向上させることも目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係るレジ
スト剥離装置は、レジスト膜が形成された半導体基板が
保持される第１の領域と、剥離液を蒸気化させる第２の
領域とを有する処理槽と、前記処理槽が有する基板搬入
口に形成された第１の開閉蓋と、前記第１の領域と、前
記第２の領域とを開閉する第２の開閉蓋と、前記第２の
領域に前記剥離液を供給する第１の供給配管と、前記第
２の領域に供給された前記剥離液を加熱して蒸気化させ
る加熱部と、前記第１の領域内の前記蒸気化された剥離
液を排気する第１の排気配管と、前記半導体基板から滴
下する使用済みの剥離液を、前記第２の領域で回収する
回収皿と、を備えることを特徴とするものである。
スト剥離装置は、レジスト膜が形成された半導体基板が
保持される第１の領域と、剥離液を蒸気化させる第２の
領域とを有する処理槽と、前記処理槽が有する基板搬入
口に形成された第１の開閉蓋と、前記第１の領域と、前
記第２の領域とを開閉する第２の開閉蓋と、前記第２の
領域に前記剥離液を供給する第１の供給配管と、前記第
２の領域に供給された前記剥離液を加熱して蒸気化させ
る加熱部と、前記第１の領域内の前記蒸気化された剥離
液を排気する第１の排気配管と、前記半導体基板から滴
下する使用済みの剥離液を、前記第２の領域で回収する
回収皿と、を備えることを特徴とするものである。
【０００８】
【０００９】請求項２の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
第２の領域内の前記剥離液を回収する回収配管と、前記
回収配管により回収された前記剥離液を濾過する濾過装
置と、前記濾過装置により濾過された前記剥離液を、前
記第２の領域に供給する第２の供給配管と、を更に備え
ることを特徴とするものである。
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
第２の領域内の前記剥離液を回収する回収配管と、前記
回収配管により回収された前記剥離液を濾過する濾過装
置と、前記濾過装置により濾過された前記剥離液を、前
記第２の領域に供給する第２の供給配管と、を更に備え
ることを特徴とするものである。
【００１０】請求項３の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
基板搬入口から前記第１の領域に前記半導体基板を搬入
し、前記第１の領域に前記半導体基板を保持するリフタ
ーを更に備えることを特徴とするものである。
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
基板搬入口から前記第１の領域に前記半導体基板を搬入
し、前記第１の領域に前記半導体基板を保持するリフタ
ーを更に備えることを特徴とするものである。
【００１１】請求項４の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
第２の領域内の前記蒸気化された剥離液を排気する第２
の排気配管を更に備えることを特徴とするものである。
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
第２の領域内の前記蒸気化された剥離液を排気する第２
の排気配管を更に備えることを特徴とするものである。
【００１２】請求項５の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
剥離液が、硫酸と、過酸化水素水との混合液であること
を特徴とするものである。
は、請求項１に記載のレジスト剥離装置において、前記
剥離液が、硫酸と、過酸化水素水との混合液であること
を特徴とするものである。
【００１３】請求項６の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項５に記載のレジスト剥離装置において、前記
硫酸と前記過酸化水素水との体積比が１：４程度である
ことを特徴とするものである。
は、請求項５に記載のレジスト剥離装置において、前記
硫酸と前記過酸化水素水との体積比が１：４程度である
ことを特徴とするものである。
【００１４】請求項７の発明に係るレジスト剥離装置
は、請求項５に記載のレジスト剥離装置において、前記
第１の供給配管が、前記硫酸を供給するための配管と、
前記過酸化水素水を供給するための配管とからなること
を特徴とするものである。
は、請求項５に記載のレジスト剥離装置において、前記
第１の供給配管が、前記硫酸を供給するための配管と、
前記過酸化水素水を供給するための配管とからなること
を特徴とするものである。
【００１５】請求項８の発明に係るレジスト剥離方法
は、半導体基板が保持される第１の領域と、この第１の
領域とは開閉蓋により分離される第２の領域とを有する
処理槽において、前記開閉蓋を閉じた状態で、前記第２
の領域にレジスト膜剥離用の剥離液を供給する供給工程
と、前記第２の領域に供給された前記剥離液を蒸気化さ
せる蒸気化工程と、前記第１の領域に前記半導体基板を
搬入して保持する搬入工程と、前記開閉蓋を開けること
により、前記第２の領域で蒸気化された剥離液を前記第
１の領域に供給し、前記半導体基板上に形成されたレジ
スト膜を剥離する剥離工程と、前記剥離工程終了後に前
記開閉蓋を閉じることにより、前記処理槽を前記第１の
領域と、前記第２の領域とに分離する分離工程と、前記
分離工程により分離された前記第１の領域において、前
記蒸気化された剥離液を排気する排気工程と、前記排気
工程により前記第１の領域の剥離液を排気した後、前記
半導体基板を搬出する搬出工程と、を含み、 前記剥離工
程は、前記レジスト膜を剥離するとともに、前記半導体
基板から滴下する使用後の剥離液を回収して廃棄するこ
とを特徴とするものである。
は、半導体基板が保持される第１の領域と、この第１の
領域とは開閉蓋により分離される第２の領域とを有する
処理槽において、前記開閉蓋を閉じた状態で、前記第２
の領域にレジスト膜剥離用の剥離液を供給する供給工程
と、前記第２の領域に供給された前記剥離液を蒸気化さ
せる蒸気化工程と、前記第１の領域に前記半導体基板を
搬入して保持する搬入工程と、前記開閉蓋を開けること
により、前記第２の領域で蒸気化された剥離液を前記第
１の領域に供給し、前記半導体基板上に形成されたレジ
スト膜を剥離する剥離工程と、前記剥離工程終了後に前
記開閉蓋を閉じることにより、前記処理槽を前記第１の
領域と、前記第２の領域とに分離する分離工程と、前記
分離工程により分離された前記第１の領域において、前
記蒸気化された剥離液を排気する排気工程と、前記排気
工程により前記第１の領域の剥離液を排気した後、前記
半導体基板を搬出する搬出工程と、を含み、 前記剥離工
程は、前記レジスト膜を剥離するとともに、前記半導体
基板から滴下する使用後の剥離液を回収して廃棄するこ
とを特徴とするものである。
【００１６】請求項９の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
供給工程は、前記剥離液として、硫酸と、過酸化水素水
とを供給することを特徴とするものである。
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
供給工程は、前記剥離液として、硫酸と、過酸化水素水
とを供給することを特徴とするものである。
【００１７】請求項１０の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項９に記載のレジスト剥離方法において、前記
供給工程は、前記硫酸と前記過酸化水素水の体積比が
１：４程度となるように、各溶液を供給することを特徴
とするものである。
は、請求項９に記載のレジスト剥離方法において、前記
供給工程は、前記硫酸と前記過酸化水素水の体積比が
１：４程度となるように、各溶液を供給することを特徴
とするものである。
【００１８】請求項１１の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項１０に記載のレジスト剥離方法において、前
記供給工程は、前記体積比となるように、各溶液を逐次
補充することを特徴とするものである。
は、請求項１０に記載のレジスト剥離方法において、前
記供給工程は、前記体積比となるように、各溶液を逐次
補充することを特徴とするものである。
【００１９】請求項１２の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
蒸気化工程は、前記剥離液の液温が１１０〜１３０℃に
なるように加熱し、前記剥離液を蒸気化させることを特
徴とするものである。
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
蒸気化工程は、前記剥離液の液温が１１０〜１３０℃に
なるように加熱し、前記剥離液を蒸気化させることを特
徴とするものである。
【００２０】請求項１３の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
蒸気化工程と、前記搬入工程とを並行して行うことを特
徴とするものである。
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
蒸気化工程と、前記搬入工程とを並行して行うことを特
徴とするものである。
【００２１】
【００２２】請求項１４の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
分離工程後に、前記第２の領域内の前記剥離液を回収し
て濾過した後に、この濾過した剥離液を前記第２の領域
に再供給する循環濾過工程を更に含むことを特徴とする
ものである。
は、請求項８に記載のレジスト剥離方法において、前記
分離工程後に、前記第２の領域内の前記剥離液を回収し
て濾過した後に、この濾過した剥離液を前記第２の領域
に再供給する循環濾過工程を更に含むことを特徴とする
ものである。
【００２３】請求項１５の発明に係るレジスト剥離方法
は、請求項１４に記載のレジスト剥離方法において、前
記循環濾過工程と、前記排気工程並びに前記搬出工程と
を並行して行うことを特徴とするものである。
は、請求項１４に記載のレジスト剥離方法において、前
記循環濾過工程と、前記排気工程並びに前記搬出工程と
を並行して行うことを特徴とするものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。図１は、本発明の実施の形態による
レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法を説明するた
めの図である。
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。図１は、本発明の実施の形態による
レジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法を説明するた
めの図である。
【００２５】先ず、レジスト剥離装置について説明す
る。図１に示すレジスト剥離装置において、１は処理
槽、２は半導体基板、３は第１の開閉蓋、４は第２の開
閉蓋、５は第１の供給配管、６は加熱部、７は第１の排
気配管、８は回収皿、９は回収配管、１０は濾過装置、
１１は第１の領域、１２は第２の領域、１３は基板搬入
口、１４は第２の供給配管、１５はリフター、１６は第
２の排気配管、１７は剥離液（液体）を示している。
る。図１に示すレジスト剥離装置において、１は処理
槽、２は半導体基板、３は第１の開閉蓋、４は第２の開
閉蓋、５は第１の供給配管、６は加熱部、７は第１の排
気配管、８は回収皿、９は回収配管、１０は濾過装置、
１１は第１の領域、１２は第２の領域、１３は基板搬入
口、１４は第２の供給配管、１５はリフター、１６は第
２の排気配管、１７は剥離液（液体）を示している。
【００２６】処理槽１は、半導体基板２が保持される第
１の領域１１と、レジスト膜剥離用の剥離液１７を蒸気
化させる第２の領域１２とを有し、例えば石英等により
製造された槽である。また、処理槽１は、半導体基板２
を搬入または搬出する基板搬入口１３を有している。半
導体基板２は、レジスト膜が形成された基板であり、例
えばシリコン基板、石英基板、セラミックス基板等であ
る。
１の領域１１と、レジスト膜剥離用の剥離液１７を蒸気
化させる第２の領域１２とを有し、例えば石英等により
製造された槽である。また、処理槽１は、半導体基板２
を搬入または搬出する基板搬入口１３を有している。半
導体基板２は、レジスト膜が形成された基板であり、例
えばシリコン基板、石英基板、セラミックス基板等であ
る。
【００２７】第１の開閉蓋３は、基板搬入口１３を閉塞
するためのものである。第１の開閉蓋３は、半導体基板
２の搬出時或いは搬入時に開けられる。また、第１の開
閉蓋３は、剥離処理を行う際に閉じられて、処理槽１内
部が密閉される。これにより、剥離処理中に、処理槽１
から剥離液の蒸気が漏出しない。
するためのものである。第１の開閉蓋３は、半導体基板
２の搬出時或いは搬入時に開けられる。また、第１の開
閉蓋３は、剥離処理を行う際に閉じられて、処理槽１内
部が密閉される。これにより、剥離処理中に、処理槽１
から剥離液の蒸気が漏出しない。
【００２８】第２の開閉蓋４は、第１の領域１１と、第
２の領域１２とを開閉する蓋である。第２の開閉蓋４
は、半導体基板２の搬出時或いは搬入時に閉じられる。
これにより、処理室１内において、第１の領域１１と、
第２の領域１２とが分離される。この時、第２の領域１
２において、剥離液１７が蒸気化される（後述）。ま
た、第２の開閉蓋４は、剥離処理を行う際に開けられ、
第１の領域１１と第２の領域１２とが連通する。これに
より、第２の領域１２内で蒸気化された剥離液が、第１
の領域１１すなわち半導体基板２に供給される。
２の領域１２とを開閉する蓋である。第２の開閉蓋４
は、半導体基板２の搬出時或いは搬入時に閉じられる。
これにより、処理室１内において、第１の領域１１と、
第２の領域１２とが分離される。この時、第２の領域１
２において、剥離液１７が蒸気化される（後述）。ま
た、第２の開閉蓋４は、剥離処理を行う際に開けられ、
第１の領域１１と第２の領域１２とが連通する。これに
より、第２の領域１２内で蒸気化された剥離液が、第１
の領域１１すなわち半導体基板２に供給される。
【００２９】第１の供給配管５は、第２の領域１２に、
剥離液１７を供給するための配管である。詳細には、上
記第１の供給配管５は、上記剥離液１７の構成成分であ
る硫酸を供給するための配管５１と、同じく構成成分で
ある過酸化水素水を供給するための配管５２とによって
構成されている。また、第１の供給配管５は、剥離液１
７を構成する硫酸と過酸化水素水との体積比が１：（３
〜５）、好ましくは１：（３．５〜４．５）、更に好ま
しくは１：４程度となるように、第２の領域１２に剥離
液１７を供給する。上記体積比は、剥離液１７からカロ
酸（Ｈ2ＳＯ5；ぺルオキソ１硫酸ともいう）を効率良く
生成するための比率である。ここで、上記硫酸の濃度
は、例えば９０〜９６重量％であり、上記過酸化水素水
の濃度は、例えば３０〜３５重量％である。また、各配
管５１，５２にはバルブ（図示省略）が設けられ、その
開閉動作を、図示しない制御部によって制御することに
より、硫酸及び過酸化水素水が上記体積比で第２の領域
１２に供給される。
剥離液１７を供給するための配管である。詳細には、上
記第１の供給配管５は、上記剥離液１７の構成成分であ
る硫酸を供給するための配管５１と、同じく構成成分で
ある過酸化水素水を供給するための配管５２とによって
構成されている。また、第１の供給配管５は、剥離液１
７を構成する硫酸と過酸化水素水との体積比が１：（３
〜５）、好ましくは１：（３．５〜４．５）、更に好ま
しくは１：４程度となるように、第２の領域１２に剥離
液１７を供給する。上記体積比は、剥離液１７からカロ
酸（Ｈ2ＳＯ5；ぺルオキソ１硫酸ともいう）を効率良く
生成するための比率である。ここで、上記硫酸の濃度
は、例えば９０〜９６重量％であり、上記過酸化水素水
の濃度は、例えば３０〜３５重量％である。また、各配
管５１，５２にはバルブ（図示省略）が設けられ、その
開閉動作を、図示しない制御部によって制御することに
より、硫酸及び過酸化水素水が上記体積比で第２の領域
１２に供給される。
【００３０】また、第１の供給配管５から第２の領域１
２に、硫酸と過酸化水素水を上記体積比で供給するの
は、メンテナンス直後の剥離処理、或いは図示しない配
管により汚染された剥離液１７を廃棄した直後の剥離処
理においてである。その他の連続処理中等では、後述す
る第２の供給配管１４から、濾過により不純物が除去さ
れた剥離液が再供給される。剥離液中の各成分の体積比
が上記範囲内に維持されるように、各配管５１，５２か
ら硫酸または過酸化水素水が、第２の領域１２内の剥離
液１７に逐次補充される。
２に、硫酸と過酸化水素水を上記体積比で供給するの
は、メンテナンス直後の剥離処理、或いは図示しない配
管により汚染された剥離液１７を廃棄した直後の剥離処
理においてである。その他の連続処理中等では、後述す
る第２の供給配管１４から、濾過により不純物が除去さ
れた剥離液が再供給される。剥離液中の各成分の体積比
が上記範囲内に維持されるように、各配管５１，５２か
ら硫酸または過酸化水素水が、第２の領域１２内の剥離
液１７に逐次補充される。
【００３１】加熱部６は、第２の領域１２に供給された
剥離液１７を加熱して、蒸気化させるためのものであ
る。例えば、加熱部６は、上記剥離液１７を加熱して蒸
気化させるために、処理槽１を加熱するヒーターであ
る。また、加熱部６は、第２の領域１２内の剥離液１７
を、その液温が１１０〜１３０℃程度になるまで加熱す
る。これにより、過酸化水素水が水と酸素に効率良く分
解される。そして、この酸素と硫酸蒸気から、レジスト
膜の剥離特性に大きく寄与するカロ酸が効率良く生成す
る。
剥離液１７を加熱して、蒸気化させるためのものであ
る。例えば、加熱部６は、上記剥離液１７を加熱して蒸
気化させるために、処理槽１を加熱するヒーターであ
る。また、加熱部６は、第２の領域１２内の剥離液１７
を、その液温が１１０〜１３０℃程度になるまで加熱す
る。これにより、過酸化水素水が水と酸素に効率良く分
解される。そして、この酸素と硫酸蒸気から、レジスト
膜の剥離特性に大きく寄与するカロ酸が効率良く生成す
る。
【００３２】第１の排気配管７は、第１の領域１１に連
通した排気配管であり、第１の領域１１内の蒸気化され
た剥離液を、処理槽１の外に排気するためのものであ
る。また、第１の排気配管７は、バルブ（図示省略）を
介して排気ポンプ（図示省略）に接続されている。この
バルブの開閉動作は、図示しない制御部により制御され
る。剥離処理（後述）が終了して上記第２の開閉蓋４が
閉じられた後、第１の排気配管７によって、第１の領域
１１内の蒸気化された剥離液、すなわち剥離処理後に第
１の領域１１に残存する剥離液の蒸気が排気される。
通した排気配管であり、第１の領域１１内の蒸気化され
た剥離液を、処理槽１の外に排気するためのものであ
る。また、第１の排気配管７は、バルブ（図示省略）を
介して排気ポンプ（図示省略）に接続されている。この
バルブの開閉動作は、図示しない制御部により制御され
る。剥離処理（後述）が終了して上記第２の開閉蓋４が
閉じられた後、第１の排気配管７によって、第１の領域
１１内の蒸気化された剥離液、すなわち剥離処理後に第
１の領域１１に残存する剥離液の蒸気が排気される。
【００３３】回収皿８は、半導体基板２から滴下する処
理済の剥離液を回収するためのものであり、半導体基板
２の下で、且つ第２の領域１２に設けられている。ま
た、回収皿８は、回収した剥離液を処理槽１の外に廃棄
するための配管８１を有している。すなわち、回収皿８
によって回収された使用済みの剥離液は、配管８１を通
して処理槽１の外に廃棄される。
理済の剥離液を回収するためのものであり、半導体基板
２の下で、且つ第２の領域１２に設けられている。ま
た、回収皿８は、回収した剥離液を処理槽１の外に廃棄
するための配管８１を有している。すなわち、回収皿８
によって回収された使用済みの剥離液は、配管８１を通
して処理槽１の外に廃棄される。
【００３４】回収配管９は、第２の領域１２に溜まって
いる液体の剥離液１７を、回収するためのものである。
また、回収配管９により回収された剥離液１７は、濾過
装置１０に送られる。濾過装置１０は、回収配管９によ
り回収された剥離液１７から不純物を除去するための装
置である。また、濾過装置１０によって不純物が除去さ
れた剥離液は、第２の供給配管１４に送られる。第２の
供給配管１４は、濾過装置１０により不純物が除去され
た剥離液を、処理槽１の第２の領域１２に供給するため
の配管である。
いる液体の剥離液１７を、回収するためのものである。
また、回収配管９により回収された剥離液１７は、濾過
装置１０に送られる。濾過装置１０は、回収配管９によ
り回収された剥離液１７から不純物を除去するための装
置である。また、濾過装置１０によって不純物が除去さ
れた剥離液は、第２の供給配管１４に送られる。第２の
供給配管１４は、濾過装置１０により不純物が除去され
た剥離液を、処理槽１の第２の領域１２に供給するため
の配管である。
【００３５】リフター１５は、半導体基板２を処理槽１
の第１の領域１１に搬入、または第１の領域１１から半
導体基板２を搬出するためのものである。また、リフタ
ー１５は、第１の領域１１に搬入した半導体基板２を、
剥離処理中、第１の領域１１に保持する。
の第１の領域１１に搬入、または第１の領域１１から半
導体基板２を搬出するためのものである。また、リフタ
ー１５は、第１の領域１１に搬入した半導体基板２を、
剥離処理中、第１の領域１１に保持する。
【００３６】第２の排気配管１６は、第２の領域１２に
連通した排気配管であり、第２の領域１２内の蒸気化さ
れた剥離液を、処理槽１の外に排気するためのものであ
る。また、第２の排気配管１５は、バルブ（図示省略）
を介して排気ポンプ（図示省略）に接続されている。こ
のバルブの開閉動作は、図示しない制御部により制御さ
れる。当該レジスト剥離装置のメンテナンス時等におい
て、第２の開閉蓋４が閉じられた状態で、第２の領域１
２内の蒸気化された剥離液が第２の排気配管１６により
除去される。また、同領域１２内の液体の剥離液１７
は、上記回収配管９によって回収される。また、剥離液
１７の汚れがひどい場合には、剥離液１７は、図示しな
い廃棄用の配管によって処理槽１の外に廃棄される。
連通した排気配管であり、第２の領域１２内の蒸気化さ
れた剥離液を、処理槽１の外に排気するためのものであ
る。また、第２の排気配管１５は、バルブ（図示省略）
を介して排気ポンプ（図示省略）に接続されている。こ
のバルブの開閉動作は、図示しない制御部により制御さ
れる。当該レジスト剥離装置のメンテナンス時等におい
て、第２の開閉蓋４が閉じられた状態で、第２の領域１
２内の蒸気化された剥離液が第２の排気配管１６により
除去される。また、同領域１２内の液体の剥離液１７
は、上記回収配管９によって回収される。また、剥離液
１７の汚れがひどい場合には、剥離液１７は、図示しな
い廃棄用の配管によって処理槽１の外に廃棄される。
【００３７】以上説明したレジスト剥離装置を要約する
と、処理槽１は、レジスト膜が形成された半導体基板２
が保持される第１の領域１１と、レジスト膜剥離用の剥
離液１７を蒸気化させる第２の領域１２と、半導体基板
２を搬入または搬出するための基板搬入口１３とを有す
る。そして、基板搬入口１３に第１の開閉蓋３が形成さ
れ、処理槽１内に第１の領域１１と第２の領域１２とを
開閉する第２の開閉蓋４が形成されている。
と、処理槽１は、レジスト膜が形成された半導体基板２
が保持される第１の領域１１と、レジスト膜剥離用の剥
離液１７を蒸気化させる第２の領域１２と、半導体基板
２を搬入または搬出するための基板搬入口１３とを有す
る。そして、基板搬入口１３に第１の開閉蓋３が形成さ
れ、処理槽１内に第１の領域１１と第２の領域１２とを
開閉する第２の開閉蓋４が形成されている。
【００３８】また、第１の供給配管５により第２の領域
１２に剥離液１７が供給され、供給された剥離液１７は
加熱部６により加熱されて蒸気化される。剥離液１７の
蒸気化は、第２の開閉蓋４を閉じた状態で行われる。そ
して、半導体基板２が第１の領域１１に搬入された後、
第２の開閉蓋４が開けられて、蒸気化された剥離液が第
１の領域１１に供給され、剥離処理が行われる。また、
剥離処理が終了して第２の開閉蓋４が閉じられると、第
１の排気配管７により第１の領域１１内の蒸気化された
剥離液が排気される。その後、半導体基板２がリフター
１５により搬出される。
１２に剥離液１７が供給され、供給された剥離液１７は
加熱部６により加熱されて蒸気化される。剥離液１７の
蒸気化は、第２の開閉蓋４を閉じた状態で行われる。そ
して、半導体基板２が第１の領域１１に搬入された後、
第２の開閉蓋４が開けられて、蒸気化された剥離液が第
１の領域１１に供給され、剥離処理が行われる。また、
剥離処理が終了して第２の開閉蓋４が閉じられると、第
１の排気配管７により第１の領域１１内の蒸気化された
剥離液が排気される。その後、半導体基板２がリフター
１５により搬出される。
【００３９】また、回収皿８により半導体基板２から滴
下する使用済みの剥離液を回収し、回収した剥離液を配
管８１を通して処理槽１の外に廃棄する。
下する使用済みの剥離液を回収し、回収した剥離液を配
管８１を通して処理槽１の外に廃棄する。
【００４０】また、上記レジスト剥離装置は、回収配管
９により回収した液体の剥離液１７から濾過装置１０に
よって不純物を除去した後、この剥離液を第２の供給配
管１４により第２の領域１２に供給する循環濾過システ
ムを有する。
９により回収した液体の剥離液１７から濾過装置１０に
よって不純物を除去した後、この剥離液を第２の供給配
管１４により第２の領域１２に供給する循環濾過システ
ムを有する。
【００４１】次に、上記レジスト剥離装置を用いたレジ
スト剥離方法について説明する。
スト剥離方法について説明する。
【００４２】先ず、処理槽１内の第２の開閉蓋４を閉じ
て、第１の領域１１と第２の領域１２とを分離した状態
で、第１の供給配管５から第２の領域１２に剥離液１７
を供給する。より詳細には、剥離液１７の構成成分であ
る硫酸と過酸化水素水の体積比が１：４程度になるよう
に、配管５１から硫酸を、配管５２から過酸化水素水を
第２の領域１２に供給する。そして、上記第２の領域１
２に供給された剥離液１７の液温が１１０〜１３０℃程
度になるまで、加熱部６により処理槽１を加熱して、剥
離液１７を蒸気化させる。
て、第１の領域１１と第２の領域１２とを分離した状態
で、第１の供給配管５から第２の領域１２に剥離液１７
を供給する。より詳細には、剥離液１７の構成成分であ
る硫酸と過酸化水素水の体積比が１：４程度になるよう
に、配管５１から硫酸を、配管５２から過酸化水素水を
第２の領域１２に供給する。そして、上記第２の領域１
２に供給された剥離液１７の液温が１１０〜１３０℃程
度になるまで、加熱部６により処理槽１を加熱して、剥
離液１７を蒸気化させる。
【００４３】次に、処理室１の基板搬入口１３に形成さ
れた第１の開閉蓋３を開けて、リフター１４によって半
導体基板２を第１の領域１１に搬入する。そして、リフ
ター１４をそのままにして第１の開閉蓋３を閉じて、半
導体基板２を第１の領域１１に保持する。この時、第１
の開閉蓋３により、処理槽１内は密閉される。
れた第１の開閉蓋３を開けて、リフター１４によって半
導体基板２を第１の領域１１に搬入する。そして、リフ
ター１４をそのままにして第１の開閉蓋３を閉じて、半
導体基板２を第１の領域１１に保持する。この時、第１
の開閉蓋３により、処理槽１内は密閉される。
【００４４】次いで、第２の開閉蓋４を開けて、第２の
領域１２で蒸気化された剥離液を第１の領域１１に供給
する。これにより、第１の領域１１において、半導体基
板２上に形成されたレジスト膜が剥離される。この剥離
処理の時間は、１〜１０分であり、一般的には２〜３分
程度である。この時、半導体基板２から滴下する使用済
みの剥離液、すなわちレジスト膜等の不純物を含む剥離
液を回収皿８により回収し、回収した剥離液を配管８１
を通して処理槽１の外に廃棄する。
領域１２で蒸気化された剥離液を第１の領域１１に供給
する。これにより、第１の領域１１において、半導体基
板２上に形成されたレジスト膜が剥離される。この剥離
処理の時間は、１〜１０分であり、一般的には２〜３分
程度である。この時、半導体基板２から滴下する使用済
みの剥離液、すなわちレジスト膜等の不純物を含む剥離
液を回収皿８により回収し、回収した剥離液を配管８１
を通して処理槽１の外に廃棄する。
【００４５】そして、前記レジスト膜の剥離処理を終了
した後、第２の開閉蓋４を閉じて、第１の領域１１と第
２の領域１２とを分離する。
した後、第２の開閉蓋４を閉じて、第１の領域１１と第
２の領域１２とを分離する。
【００４６】続いて、第１の領域１１内の蒸気化された
剥離液、すなわち第１の領域１１に残存する剥離液の蒸
気を、第１の排気配管７により処理槽１の外に排気す
る。
剥離液、すなわち第１の領域１１に残存する剥離液の蒸
気を、第１の排気配管７により処理槽１の外に排気す
る。
【００４７】次に、第１の開閉蓋３を開けるとともに、
基板搬入口１３から半導体基板２をリフター１４によっ
て搬出する。その後、搬出された半導体基板２は、図示
しない洗浄装置において、水洗処理される。
基板搬入口１３から半導体基板２をリフター１４によっ
て搬出する。その後、搬出された半導体基板２は、図示
しない洗浄装置において、水洗処理される。
【００４８】そして、後続処理される半導体基板２が、
基板搬入口１３から第１の領域１１にリフター１５によ
り搬入される。
基板搬入口１３から第１の領域１１にリフター１５によ
り搬入される。
【００４９】以上説明したように、本発明の実施の形態
によるレジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法は、半
導体基板２上のレジスト膜を、蒸気化された剥離液を用
いて剥離した後、第２の開閉蓋４を閉じて、半導体基板
２が保持される第１の領域１１と、剥離液１７を蒸気化
させる第２の領域１２とを分離する。そして、第１の領
域１１内に残存する剥離液の蒸気を、第１の排気配管７
により処理槽１の外に排気した後、半導体基板２を搬出
する。その後、後続処理する半導体基板２を搬入する。
によるレジスト剥離装置、及びレジスト剥離方法は、半
導体基板２上のレジスト膜を、蒸気化された剥離液を用
いて剥離した後、第２の開閉蓋４を閉じて、半導体基板
２が保持される第１の領域１１と、剥離液１７を蒸気化
させる第２の領域１２とを分離する。そして、第１の領
域１１内に残存する剥離液の蒸気を、第１の排気配管７
により処理槽１の外に排気した後、半導体基板２を搬出
する。その後、後続処理する半導体基板２を搬入する。
【００５０】従って、半導体基板２の搬出時または搬入
時に、処理槽１から剥離液の蒸気の漏出を防止できる。
これにより、クリーンルームの洗浄度の低下を防止でき
る。
時に、処理槽１から剥離液の蒸気の漏出を防止できる。
これにより、クリーンルームの洗浄度の低下を防止でき
る。
【００５１】また、レジスト膜を剥離する際、半導体基
板２から滴下する使用済みの剥離液を回収皿８により回
収して廃棄するようにしたので、剥離液の汚染を最低限
に抑えることができる。これにより、剥離液の交換頻度
を低減させることができ、半導体装置の製造コストを抑
えることができる。
板２から滴下する使用済みの剥離液を回収皿８により回
収して廃棄するようにしたので、剥離液の汚染を最低限
に抑えることができる。これにより、剥離液の交換頻度
を低減させることができ、半導体装置の製造コストを抑
えることができる。
【００５２】また、第２の領域１２内の液体の剥離液１
７を回収し、その回収した剥離液１７から不純物を濾過
装置１０によって除去して、この不純物が除去された剥
離液を第２の供給配管１３によって第２の領域１２に供
給するようにした。すなわち、剥離液の循環濾過を行う
ようにした。これにより、剥離液１７の汚染を更に低減
でき、剥離液１７の交換頻度を更に低減できる。従っ
て、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
７を回収し、その回収した剥離液１７から不純物を濾過
装置１０によって除去して、この不純物が除去された剥
離液を第２の供給配管１３によって第２の領域１２に供
給するようにした。すなわち、剥離液の循環濾過を行う
ようにした。これにより、剥離液１７の汚染を更に低減
でき、剥離液１７の交換頻度を更に低減できる。従っ
て、半導体装置の製造コストを抑えることができる。
【００５３】また、第１の領域１１内の残存蒸気を排気
する間、並びに半導体基板２を搬出入する間に、それら
と並行して、第２の領域１２において、後続の剥離処理
用に剥離液１７を蒸気化させる。これにより、半導体基
板２を搬入した後すぐに剥離処理を行うことができる。
従って、処理時間を短縮することができ、スループット
が向上する。すなわち、レジスト剥離装置の装置性能を
向上させることができる。
する間、並びに半導体基板２を搬出入する間に、それら
と並行して、第２の領域１２において、後続の剥離処理
用に剥離液１７を蒸気化させる。これにより、半導体基
板２を搬入した後すぐに剥離処理を行うことができる。
従って、処理時間を短縮することができ、スループット
が向上する。すなわち、レジスト剥離装置の装置性能を
向上させることができる。
【００５４】また、剥離液１７中の硫酸と過酸化水素水
の体積比を１：４程度とした。また、この剥離液１７の
加熱温度を、１１０〜１３０℃とした。これにより、レ
ジスト膜の剥離処理に好適なカロ酸を効率良く生成する
ことができ、優れた剥離性能が得られる。
の体積比を１：４程度とした。また、この剥離液１７の
加熱温度を、１１０〜１３０℃とした。これにより、レ
ジスト膜の剥離処理に好適なカロ酸を効率良く生成する
ことができ、優れた剥離性能が得られる。
【００５５】なお、本実施の形態においては、処理槽１
内に液体の剥離液１７を供給し、供給した剥離液１７を
加熱部６により蒸気化させているが、外部に剥離液を蒸
気化させる装置を設けて、その蒸気化された剥離液を処
理槽１内に供給してもよい。
内に液体の剥離液１７を供給し、供給した剥離液１７を
加熱部６により蒸気化させているが、外部に剥離液を蒸
気化させる装置を設けて、その蒸気化された剥離液を処
理槽１内に供給してもよい。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、処理槽内において、半
導体基板が保持される第１の領域と、剥離液を蒸気化さ
せる第２の領域とを、第２の開閉蓋により開閉するよう
にした。そして、剥離処理が終了して第２の開閉蓋を閉
じて第１の領域に残存する剥離液の蒸気を処理槽の外に
排気した後、半導体基板の搬出を行うようにした。その
後、後続処理の半導体基板を搬入するようにした。従っ
て、半導体基板の搬出入時に、処理槽から剥離液の蒸気
の漏出を防止することができる。
導体基板が保持される第１の領域と、剥離液を蒸気化さ
せる第２の領域とを、第２の開閉蓋により開閉するよう
にした。そして、剥離処理が終了して第２の開閉蓋を閉
じて第１の領域に残存する剥離液の蒸気を処理槽の外に
排気した後、半導体基板の搬出を行うようにした。その
後、後続処理の半導体基板を搬入するようにした。従っ
て、半導体基板の搬出入時に、処理槽から剥離液の蒸気
の漏出を防止することができる。
【００５７】また、回収皿によって半導体基板から滴下
する使用済みの剥離液を回収することにより、剥離液の
汚染を低減できる。また、第２の領域内の剥離液を回収
し、回収した剥離液から不純物を除去した後、再度第２
の領域に供給することにより、剥離液の汚染を更に低減
できる。
する使用済みの剥離液を回収することにより、剥離液の
汚染を低減できる。また、第２の領域内の剥離液を回収
し、回収した剥離液から不純物を除去した後、再度第２
の領域に供給することにより、剥離液の汚染を更に低減
できる。
【００５８】また、剥離液中の硫酸と過酸化水素水の体
積比を１：４程度にすることにより、レジスト剥離性能
が向上する。さらに、剥離液の加熱温度を１１０〜１３
０℃とすることにより、蒸気化された剥離液のレジスト
剥離性能が向上する。
積比を１：４程度にすることにより、レジスト剥離性能
が向上する。さらに、剥離液の加熱温度を１１０〜１３
０℃とすることにより、蒸気化された剥離液のレジスト
剥離性能が向上する。
【００５９】また、剥離処理後の第１の領域１１内の排
気並びに半導体基板の搬出入と、剥離液の蒸気化と、を
並行して行うことができるため、処理時間を短縮でき
る。従って、レジスト剥離装置の装置性能が向上する。
気並びに半導体基板の搬出入と、剥離液の蒸気化と、を
並行して行うことができるため、処理時間を短縮でき
る。従って、レジスト剥離装置の装置性能が向上する。
【図１】 本発明の実施の形態によるレジスト剥離装
置、及びレジスト剥離方法を説明するための断面図であ
る。
置、及びレジスト剥離方法を説明するための断面図であ
る。
１ 処理槽、２ 半導体基板、３ 第１の開閉蓋、４
第２の開閉蓋、５ 第１の供給配管、６ 加熱部（ヒー
ター）、７ 第１の排気配管、８ 回収皿、９回収配
管、１０ 濾過装置、１１ 第１の領域、１２ 第２の
領域、１３ 基板搬入口、１４ 第２の供給配管、１５
リフター、１６ 第２の排気配管、１７剥離液（液
体）、５１，５２ 配管、８１ 配管。
第２の開閉蓋、５ 第１の供給配管、６ 加熱部（ヒー
ター）、７ 第１の排気配管、８ 回収皿、９回収配
管、１０ 濾過装置、１１ 第１の領域、１２ 第２の
領域、１３ 基板搬入口、１４ 第２の供給配管、１５
リフター、１６ 第２の排気配管、１７剥離液（液
体）、５１，５２ 配管、８１ 配管。
Claims (15)
- 【請求項１】 レジスト膜が形成された半導体基板が保
持される第１の領域と、剥離液を蒸気化させる第２の領
域とを有する処理槽と、 前記処理槽が有する基板搬入口に形成された第１の開閉
蓋と、 前記第１の領域と、前記第２の領域とを開閉する第２の
開閉蓋と、 前記第２の領域に前記剥離液を供給する第１の供給配管
と、 前記第２の領域に供給された前記剥離液を加熱して蒸気
化させる加熱部と、 前記第１の領域内の前記蒸気化された剥離液を排気する
第１の排気配管と、前記半導体基板から滴下する使用済みの剥離液を、前記
第２の領域で回収する回収皿と、 を備えることを特徴とするレジスト剥離装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記第２の領域内の前記剥離液を回収する回収配管と、 前記回収配管により回収された前記剥離液を濾過する濾
過装置と、 前記濾過装置により濾過された前記剥離液を、前記第２
の領域に供給する第２の供給配管と、 を更に備えることを特徴とするレジスト剥離装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記基板搬入口から前記第１の領域に前記半導体基板を
搬入し、前記第１の領域に前記半導体基板を保持するリ
フターを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の
レジスト剥離装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記第２の領域内の前記蒸気化された剥離液を排気する
第２の排気配管を更に備えることを特徴とするレジスト
剥離装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記剥離液が、硫酸と、過酸化水素水との混合液である
ことを特徴とするレジスト剥離装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記硫酸と前記過酸化水素水との体積比が１：４程度で
あることを特徴とするレジスト剥離装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載のレジスト剥離装置にお
いて、 前記第１の供給配管が、前記硫酸を供給するための配管
と、前記過酸化水素水を供給するための配管とからなる
ことを特徴とするレジスト剥離装置。 - 【請求項８】 半導体基板が保持される第１の領域と、
この第１の領域とは開閉蓋により分離される第２の領域
とを有する処理槽において、前記開閉蓋を閉じた状態
で、前記第２の領域にレジスト膜剥離用の剥離液を供給
する供給工程と、 前記第２の領域に供給された前記剥離液を蒸気化させる
蒸気化工程と、 前記第１の領域に前記半導体基板を搬入して保持する搬
入工程と、 前記開閉蓋を開けることにより、前記第２の領域で蒸気
化された剥離液を前記第１の領域に供給し、前記半導体
基板上に形成されたレジスト膜を剥離する剥離工程と、 前記剥離工程終了後に前記開閉蓋を閉じることにより、
前記処理槽を前記第１の領域と、前記第２の領域とに分
離する分離工程と、 前記分離工程により分離された前記第１の領域におい
て、前記蒸気化された剥離液を排気する排気工程と、 前記排気工程により前記第１の領域の剥離液を排気した
後、前記半導体基板を搬出する搬出工程と、 を含み、 前記剥離工程は、前記レジスト膜を剥離するとともに、
前記半導体基板から滴下する使用後の剥離液を回収して
廃棄する ことを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載のレジスト剥離方法にお
いて、 前記供給工程は、前記剥離液として、硫酸と、過酸化水
素水とを供給することを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のレジスト剥離方法に
おいて、 前記供給工程は、前記硫酸と前記過酸化水素水の体積比
が１：４程度となるように、各溶液を供給することを特
徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載のレジスト剥離方法
において、 前記供給工程は、前記体積比となるように、各溶液を逐
次補充することを特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項１２】 請求項８に記載のレジスト剥離方法に
おいて、 前記蒸気化工程は、前記剥離液の液温が１１０〜１３０
℃になるように加熱し、前記剥離液を蒸気化させること
を特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項１３】 請求項８に記載のレジスト剥離方法に
おいて、 前記蒸気化工程と、前記搬入工程とを並行して行うこと
を特徴とするレジスト剥離方法。 - 【請求項１４】 請求項８に記載のレジスト剥離方法に
おいて、 前記分離工程後に、前記第２の領域内の前記剥離液を回
収して濾過した後に、この濾過した剥離液を前記第２の
領域に再供給する循環濾過工程を更に含むことを特徴と
するレジスト剥離方法。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載のレジスト剥離方法
において、 前記循環濾過工程と、前記排気工程並びに前記搬出工程
とを並行して行うことを特徴とするレジスト剥離方法。
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