JP3205986B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーの
エッチング処理装置等として好適に使用される半導体製
造装置に関する。
エッチング処理装置等として好適に使用される半導体製
造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化膜を形成した半導体ウェハー
のエッチングを行う場合、図３に示すように、キャリア
３に収納したウェハー２を搬送機５によって高温（１４
０〜１６０℃）の燐酸を入れた処理槽４内に収容し、処
理槽４の蓋１を閉めてエッチング処理を行っている。ま
た、エッチング終了後は、処理槽４からキャリア３を引
き上げ、キャリア３に収納したウェハー２をそのまま搬
送機５で次の水洗槽に移して水洗している。
のエッチングを行う場合、図３に示すように、キャリア
３に収納したウェハー２を搬送機５によって高温（１４
０〜１６０℃）の燐酸を入れた処理槽４内に収容し、処
理槽４の蓋１を閉めてエッチング処理を行っている。ま
た、エッチング終了後は、処理槽４からキャリア３を引
き上げ、キャリア３に収納したウェハー２をそのまま搬
送機５で次の水洗槽に移して水洗している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術で
は、高温の燐酸が入った処理槽から引き上げたウェハー
をそのまま次の水洗槽に入れて水洗している。しかし、
この方法では、処理槽からウェハーを引き上げた時に、
ウェハーに付着している燐酸が常温の空気に触れて気化
し、大量の蒸気を発生させるため、この蒸気がウェハー
に再付着することによりパーティクルとしてウェハーに
現れていた。また、このパーティクルは、次の水洗槽で
も除去することができなかった。
は、高温の燐酸が入った処理槽から引き上げたウェハー
をそのまま次の水洗槽に入れて水洗している。しかし、
この方法では、処理槽からウェハーを引き上げた時に、
ウェハーに付着している燐酸が常温の空気に触れて気化
し、大量の蒸気を発生させるため、この蒸気がウェハー
に再付着することによりパーティクルとしてウェハーに
現れていた。また、このパーティクルは、次の水洗槽で
も除去することができなかった。
【０００４】本発明は、前記事情に鑑みてなされたもの
で、処理槽よりウェハーを引き上げる際における大量の
蒸気の発生を防止することにより、ウェハーから蒸発し
た処理液の蒸気がウェハーに再付着してパーティクルと
して現れることを防止することができる半導体製造装置
を提供することを目的とする。
で、処理槽よりウェハーを引き上げる際における大量の
蒸気の発生を防止することにより、ウェハーから蒸発し
た処理液の蒸気がウェハーに再付着してパーティクルと
して現れることを防止することができる半導体製造装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、加熱された燐酸が入れられた処理槽と、ウ
ェハーを収納したキャリアを前記処理槽内に搬送する搬
送機とを備えた半導体製造装置において、処理槽の上方
に設置された囲いと、この囲いを上下動させる囲い上下
動機構と、囲い内に前記燐酸と同程度に加熱された不活
性ガスを導入する加熱不活性ガス導入機構とを設けたこ
とを特徴とする半導体製造装置を提供する。
成するため、加熱された燐酸が入れられた処理槽と、ウ
ェハーを収納したキャリアを前記処理槽内に搬送する搬
送機とを備えた半導体製造装置において、処理槽の上方
に設置された囲いと、この囲いを上下動させる囲い上下
動機構と、囲い内に前記燐酸と同程度に加熱された不活
性ガスを導入する加熱不活性ガス導入機構とを設けたこ
とを特徴とする半導体製造装置を提供する。
【０００６】本発明によれば、後述する実施例に示すよ
うに、加熱された燐酸が入れられた処理槽からキャリア
を搬送機で引き上げる際に、処理槽上方の囲いを囲い上
下動機構により下降させ、キャリアを囲いの中に入れる
とともに、囲い内に前記燐酸と同程度に加熱された不活
性ガスを導入することにより、キャリア及びウェハーに
付着した燐酸の気化を防ぎ、蒸気が発生しないようにし
て、蒸発した燐酸がウェハーに再付着してパーティクル
として現れることを防止することができる。
うに、加熱された燐酸が入れられた処理槽からキャリア
を搬送機で引き上げる際に、処理槽上方の囲いを囲い上
下動機構により下降させ、キャリアを囲いの中に入れる
とともに、囲い内に前記燐酸と同程度に加熱された不活
性ガスを導入することにより、キャリア及びウェハーに
付着した燐酸の気化を防ぎ、蒸気が発生しないようにし
て、蒸発した燐酸がウェハーに再付着してパーティクル
として現れることを防止することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に係る参考例を図１を用い
て説明する。本例の半導体製造装置は、内部に窒化膜を
エッチングする高温（１４０〜１６０℃）の燐酸を入れ
た処理槽４と、ウェハー２を収納したキャリア３を搬送
する搬送機５と、処理槽４の上方に設置された略四角筒
状の囲い７と、囲い７を上下動させる囲い上下動機構６
とを具備する。囲い７は内部に清浄な空気を取り入れる
ことができるよう上端に開口部９を有し、開口部９より
取り入れた空気は排気口８（排気手段）により排気され
るようになっている。
て説明する。本例の半導体製造装置は、内部に窒化膜を
エッチングする高温（１４０〜１６０℃）の燐酸を入れ
た処理槽４と、ウェハー２を収納したキャリア３を搬送
する搬送機５と、処理槽４の上方に設置された略四角筒
状の囲い７と、囲い７を上下動させる囲い上下動機構６
とを具備する。囲い７は内部に清浄な空気を取り入れる
ことができるよう上端に開口部９を有し、開口部９より
取り入れた空気は排気口８（排気手段）により排気され
るようになっている。
【０００８】本発明に係る参考例の半導体製造装置を用
いて窒化膜を形成したウェハーのエッチングを行う場
合、まず処理槽４の蓋１を開け、キャリア３に収納した
ウェハー２を搬送機５によって処理槽４内に収容し、高
温の燐酸中にウェハー２を浸漬した後、処理槽４の蓋１
を閉める。これにより、処理槽４内に入れられたウェハ
ー２は高温の燐酸によってエッチングされる。
いて窒化膜を形成したウェハーのエッチングを行う場
合、まず処理槽４の蓋１を開け、キャリア３に収納した
ウェハー２を搬送機５によって処理槽４内に収容し、高
温の燐酸中にウェハー２を浸漬した後、処理槽４の蓋１
を閉める。これにより、処理槽４内に入れられたウェハ
ー２は高温の燐酸によってエッチングされる。
【０００９】所定時間エッチングを行った後、処理槽４
の蓋１を開け、キャリア３を搬送機５で引き上げるが、
引き上げの際には処理槽４上方の囲い７を囲い上下動機
構６により下降させ、キャリア３を囲い７の中に入れ
る。このとき、高温の燐酸が入った処理槽４から引き上
げられたキャリア３及びウェハー２は、付着した燐酸が
常温の空気に触れて気化するために大量の蒸気を発生さ
せるが、囲い７に接続された排気口８により蒸気は効率
良く排気され、ウェハー２に再付着することなく取り除
かれる。
の蓋１を開け、キャリア３を搬送機５で引き上げるが、
引き上げの際には処理槽４上方の囲い７を囲い上下動機
構６により下降させ、キャリア３を囲い７の中に入れ
る。このとき、高温の燐酸が入った処理槽４から引き上
げられたキャリア３及びウェハー２は、付着した燐酸が
常温の空気に触れて気化するために大量の蒸気を発生さ
せるが、囲い７に接続された排気口８により蒸気は効率
良く排気され、ウェハー２に再付着することなく取り除
かれる。
【００１０】キャリア３及びウェハー２が冷えてきて蒸
気を発することがなくなってきた時（通常は２分〜１０
分程度が経過した時）、囲い７を囲い上下動機構６によ
り上昇させ、キャリア３を搬送機５によって次の水洗槽
に移して水洗する。
気を発することがなくなってきた時（通常は２分〜１０
分程度が経過した時）、囲い７を囲い上下動機構６によ
り上昇させ、キャリア３を搬送機５によって次の水洗槽
に移して水洗する。
【００１１】本発明に係る参考例によれば、処理槽より
キャリア及びウェハーを引き上げたときにこれらから蒸
発する燐酸の蒸気がウェハーに再付着することを防止で
きるため、パーティクルの付着を低減することが可能で
ある。
キャリア及びウェハーを引き上げたときにこれらから蒸
発する燐酸の蒸気がウェハーに再付着することを防止で
きるため、パーティクルの付着を低減することが可能で
ある。
【００１２】次に、本発明の実施例を図２を用いて説明
する。本実施例の半導体製造装置は、内部に窒化膜をエ
ッチングする高温（１４０〜１６０℃）の燐酸を入れた
処理槽４と、ウェハー２を収納したキャリア３を搬送す
る搬送機５と、処理槽４の上方に設置された囲い７と、
囲い７を上下動させる囲い上下動機構（図示せず）とを
具備する。囲い７の上壁には加熱不活性ガス供給口１０
が設けられているとともに、この供給口１０には囲い７
の内部に加熱された不活性ガスを導入する加熱不活性ガ
ス導入機構１１が接続されている。
する。本実施例の半導体製造装置は、内部に窒化膜をエ
ッチングする高温（１４０〜１６０℃）の燐酸を入れた
処理槽４と、ウェハー２を収納したキャリア３を搬送す
る搬送機５と、処理槽４の上方に設置された囲い７と、
囲い７を上下動させる囲い上下動機構（図示せず）とを
具備する。囲い７の上壁には加熱不活性ガス供給口１０
が設けられているとともに、この供給口１０には囲い７
の内部に加熱された不活性ガスを導入する加熱不活性ガ
ス導入機構１１が接続されている。
【００１３】本実施例の半導体製造装置を用いて窒化膜
を形成したウェハーのエッチングを行う場合、まず処理
槽４の蓋１を開け、キャリア３に収納したウェハー２を
搬送機５によって処理槽４内に収容し、高温の燐酸中に
ウェハー２を浸漬した後、処理槽４の蓋１を閉める。こ
れにより、処理槽４内に入れられたウェハー２は高温の
燐酸によってエッチングされる。
を形成したウェハーのエッチングを行う場合、まず処理
槽４の蓋１を開け、キャリア３に収納したウェハー２を
搬送機５によって処理槽４内に収容し、高温の燐酸中に
ウェハー２を浸漬した後、処理槽４の蓋１を閉める。こ
れにより、処理槽４内に入れられたウェハー２は高温の
燐酸によってエッチングされる。
【００１４】所定時間エッチングを行った後、処理槽４
の蓋１を開け、キャリア３を搬送機５で引き上げるが、
引き上げの際には処理槽４上方の囲い７を囲い上下動機
構により下降させ、キャリア３を囲い７の中に入れると
ともに、加熱不活性ガス導入機構１１によって囲い７の
内部に燐酸と同程度の温度（１４０〜１６０℃）に加熱
された不活性ガスを導入する。このように燐酸の温度と
囲い７内の温度とをほぼ等しくすることにより、キャリ
ア３及びウェハー２に付着した燐酸の気化を防ぎ、蒸気
が発生しないようにする。
の蓋１を開け、キャリア３を搬送機５で引き上げるが、
引き上げの際には処理槽４上方の囲い７を囲い上下動機
構により下降させ、キャリア３を囲い７の中に入れると
ともに、加熱不活性ガス導入機構１１によって囲い７の
内部に燐酸と同程度の温度（１４０〜１６０℃）に加熱
された不活性ガスを導入する。このように燐酸の温度と
囲い７内の温度とをほぼ等しくすることにより、キャリ
ア３及びウェハー２に付着した燐酸の気化を防ぎ、蒸気
が発生しないようにする。
【００１５】キャリア３及びウェハー２に付着した燐酸
が十分にしたたり落ちた後、囲い７を囲い上下動機構に
より上昇させ、キャリア３を搬送機５によって次の水洗
槽に移して水洗する。
が十分にしたたり落ちた後、囲い７を囲い上下動機構に
より上昇させ、キャリア３を搬送機５によって次の水洗
槽に移して水洗する。
【００１６】本実施例によれば、処理槽よりキャリア及
びウェハーを引き上げたときにこれらから蒸気が発生す
ることを防止できるため、燐酸の蒸気に起因するパーテ
ィクルの付着を低減することが可能である。
びウェハーを引き上げたときにこれらから蒸気が発生す
ることを防止できるため、燐酸の蒸気に起因するパーテ
ィクルの付着を低減することが可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
によれば、ウェハーから蒸発した処理液の蒸気がウェハ
ーに再付着してパーティクルとして現れることを防止す
ることが可能である。
によれば、ウェハーから蒸発した処理液の蒸気がウェハ
ーに再付着してパーティクルとして現れることを防止す
ることが可能である。
【図１】本発明に係る参考例の半導体製造装置を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図２】本発明に係る半導体製造装置の一実施例を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図３】従来の半導体製造装置（エッチング処理装置）
の一例を示す概略斜視図である。
の一例を示す概略斜視図である。
１ 蓋 ２ ウェハー ３ キャリア ４ 処理槽 ５ 搬送機 ６ 囲い上下動機構 ７ 囲い ８ 排気口 ９ 開口部 １０ 加熱不活性ガス供給口 １１ 加熱不活性ガス導入機構
Claims (2)
- 【請求項１】 加熱された燐酸 が入れられた処理槽と、
ウェハーを収納したキャリアを前記処理槽内に搬送する
搬送機とを備えた半導体製造装置において、処理槽の上
方に設置された囲いと、この囲いを上下動させる囲い上
下動機構と、囲い内に前記燐酸と同程度に加熱された不
活性ガスを導入する加熱不活性ガス導入機構とを設けた
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 加熱不活性ガス導入機構によって囲い内
に１４０〜１６０℃に加熱された不活性ガスを導入する
請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00025499A JP3205986B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00025499A JP3205986B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200768A JP2000200768A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3205986B2 true JP3205986B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=11468802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00025499A Expired - Fee Related JP3205986B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3205986B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100893A (ja) | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP00025499A patent/JP3205986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100893A (ja) | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000200768A (ja) | 2000-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |