JP2002184741A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ等の金属汚染やパーティクルの発生、
並びに酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるよ
うにすること。 【解決手段】 ウエハＷを収容する密閉された処理容器
１０内にオゾンガス２を供給するオゾンガス供給手段４
０と、処理容器１０内に水蒸気１を供給する水蒸気供給
手段３０とを設け、オゾンガス供給管路４２に介設され
る開閉弁４９と、水蒸気供給管路３４に介設される開閉
弁３６と、オゾンガス生成手段４１のスイッチ４８及び
開閉弁４９を、制御手段であるＣＰＵ１００によって制
御可能に形成する。これにより、処理容器１０内にオゾ
ンガス２を供給してウエハＷの周囲雰囲気を加圧した
後、処理容器１０内に水蒸気１を供給すると共に、オゾ
ンガス２を供給して、水蒸気１とオゾンガス２によって
ウエハＷのレジスト除去や金属腐食等を防止することが
できる。
並びに酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるよ
うにすること。 【解決手段】 ウエハＷを収容する密閉された処理容器
１０内にオゾンガス２を供給するオゾンガス供給手段４
０と、処理容器１０内に水蒸気１を供給する水蒸気供給
手段３０とを設け、オゾンガス供給管路４２に介設され
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開閉弁４９を、制御手段であるＣＰＵ１００によって制
御可能に形成する。これにより、処理容器１０内にオゾ
ンガス２を供給してウエハＷの周囲雰囲気を加圧した
後、処理容器１０内に水蒸気１を供給すると共に、オゾ
ンガス２を供給して、水蒸気１とオゾンガス２によって
ウエハＷのレジスト除去や金属腐食等を防止することが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板処理方法及
び基板処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば
半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密
封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾン
ガス等を供給して処理を施す基板処理方法及び基板処理
装置に関するものである。
び基板処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば
半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密
封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾン
ガス等を供給して処理を施す基板処理方法及び基板処理
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。
【０００３】上記処理の一例を被処理基板が例えばシリ
コンウエハの場合について、図１０を参照として説明す
る。まず、シリコンウエハＷ（以下にウエハＷという）
の表面に厚い膜厚の酸化膜ＯＸ１を形成する｛第１の酸
化膜形成工程：図１０（ａ）参照｝。次に、酸化膜ＯＸ
１の表面にレジストを塗布してレジストパターンＲＰ１
を形成する｛第１のレジストパターン形成工程：図１０
（ｂ）参照｝。次に、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ），ＢＨＦ
と称される薬液を用いて不要な酸化膜をエッチングする
｛第１のエッチング工程：図１０（ｃ）参照｝。その
後、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と称され
る薬液（硫酸過水）を用いて不要なレジストを剥離する
｛第１のレジスト除去工程：図１０（ｄ）参照｝。次
に、不要なレジストを剥離した状態のウエハＷの表面に
薄い膜厚の酸化膜ＯＸ２を形成する｛第２の酸化膜形成
工程：図１０（ｅ）参照｝。次に、酸化膜ＯＸ２の表面
に再びレジストを塗布してレジストパターンＲＰ２を形
成する｛第２のレジストパターン形成工程：図１０
（ｆ）参照｝。次に、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ），ＢＨＦ
等の薬液を用いて不要な酸化膜をエッチングする｛第２
のエッチング工程：図１０（ｇ）参照｝。そして、最後
に、不要なレジストを剥離する｛第２のレジスト除去工
程：図１０（ｈ）参照｝。
コンウエハの場合について、図１０を参照として説明す
る。まず、シリコンウエハＷ（以下にウエハＷという）
の表面に厚い膜厚の酸化膜ＯＸ１を形成する｛第１の酸
化膜形成工程：図１０（ａ）参照｝。次に、酸化膜ＯＸ
１の表面にレジストを塗布してレジストパターンＲＰ１
を形成する｛第１のレジストパターン形成工程：図１０
（ｂ）参照｝。次に、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ），ＢＨＦ
と称される薬液を用いて不要な酸化膜をエッチングする
｛第１のエッチング工程：図１０（ｃ）参照｝。その
後、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と称され
る薬液（硫酸過水）を用いて不要なレジストを剥離する
｛第１のレジスト除去工程：図１０（ｄ）参照｝。次
に、不要なレジストを剥離した状態のウエハＷの表面に
薄い膜厚の酸化膜ＯＸ２を形成する｛第２の酸化膜形成
工程：図１０（ｅ）参照｝。次に、酸化膜ＯＸ２の表面
に再びレジストを塗布してレジストパターンＲＰ２を形
成する｛第２のレジストパターン形成工程：図１０
（ｆ）参照｝。次に、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ），ＢＨＦ
等の薬液を用いて不要な酸化膜をエッチングする｛第２
のエッチング工程：図１０（ｇ）参照｝。そして、最後
に、不要なレジストを剥離する｛第２のレジスト除去工
程：図１０（ｈ）参照｝。
【０００４】前記レジスト除去の手段として用いられて
いる従来の洗浄装置では、一般に、前記ＳＰＭ（Ｈ２Ｓ
Ｏ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）（硫酸過水）等の薬液が充填
された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥離
を行っている。
いる従来の洗浄装置では、一般に、前記ＳＰＭ（Ｈ２Ｓ
Ｏ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）（硫酸過水）等の薬液が充填
された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥離
を行っている。
【０００５】しかし、前記処理の第１のレジスト除去工
程（図１０（ｄ）参照）において、硫酸過水等の薬液を
用いると、レジスト除去後にウエハＷの表面に硫酸イオ
ンが残留し、この残留した硫酸イオンがパーティクルの
発生原因やコンタミネーションを招く恐れがある。更に
は、硫酸イオンが残留すると、次の第２の酸化膜形成工
程（図１０（ｅ）参照）における薄い酸化膜の膜厚不均
一や膜質が低下する原因にもなる。
程（図１０（ｄ）参照）において、硫酸過水等の薬液を
用いると、レジスト除去後にウエハＷの表面に硫酸イオ
ンが残留し、この残留した硫酸イオンがパーティクルの
発生原因やコンタミネーションを招く恐れがある。更に
は、硫酸イオンが残留すると、次の第２の酸化膜形成工
程（図１０（ｅ）参照）における薄い酸化膜の膜厚不均
一や膜質が低下する原因にもなる。
【０００６】一方、近年では、環境保全の観点から廃液
処理が容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用いてレ
ジスト除去を行うことが要望されている。この場合、オ
ゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエハ等を
浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄により、溶液
中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化反応させ
て二酸化炭素や水等に分解する。
処理が容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用いてレ
ジスト除去を行うことが要望されている。この場合、オ
ゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエハ等を
浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄により、溶液
中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化反応させ
て二酸化炭素や水等に分解する。
【０００７】ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。
【０００８】そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規
に提案されている。この洗浄方法は、密閉された処理容
器内に収容されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガ
スを供給して、ウエハ等のレジストを除去する方法であ
る。このオゾンガスと水蒸気を用いてレジスト除去を行
うことにより、硫酸イオンの残留の問題がなくなり、薄
い酸化膜の膜厚の均一化、膜質の向上を図ることができ
る。この場合、オゾンガスは、原料となる基ガスである
酸素（Ｏ２）に窒素（Ｎ２）を混合させると共に、放電
させるオゾン生成手段によって生成される。ここで、基
ガスの酸素に窒素を混合させる理由は、オゾンの発生効
率を高めるためである。
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規
に提案されている。この洗浄方法は、密閉された処理容
器内に収容されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガ
スを供給して、ウエハ等のレジストを除去する方法であ
る。このオゾンガスと水蒸気を用いてレジスト除去を行
うことにより、硫酸イオンの残留の問題がなくなり、薄
い酸化膜の膜厚の均一化、膜質の向上を図ることができ
る。この場合、オゾンガスは、原料となる基ガスである
酸素（Ｏ２）に窒素（Ｎ２）を混合させると共に、放電
させるオゾン生成手段によって生成される。ここで、基
ガスの酸素に窒素を混合させる理由は、オゾンの発生効
率を高めるためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オゾン
ガスには、上述したように窒素が含有されるため、オゾ
ンガスの供給に伴って、処理容器内に窒素も流入しウエ
ハ等に接触する。ウエハ等が窒素に接触すると、オゾン
ガスと反応して配線部のアルミニウム（Ａｌ）やタング
ステン（Ｗ）等の金属がエッチングされて腐食すると共
に、パーティクルが発生するという問題があった。ま
た、配線工程を経ないウエハ等においても金属汚染やパ
ーティクルが発生するという問題があった。
ガスには、上述したように窒素が含有されるため、オゾ
ンガスの供給に伴って、処理容器内に窒素も流入しウエ
ハ等に接触する。ウエハ等が窒素に接触すると、オゾン
ガスと反応して配線部のアルミニウム（Ａｌ）やタング
ステン（Ｗ）等の金属がエッチングされて腐食すると共
に、パーティクルが発生するという問題があった。ま
た、配線工程を経ないウエハ等においても金属汚染やパ
ーティクルが発生するという問題があった。
【００１０】また、窒素が含有されたオゾンガスによっ
て処理を行うと、ＮＯXやＨＮＯX系の雰囲気（薬品）に
よりウエハ等がより酸化されるため、ウエハ等の表面に
ケミカル酸化膜が成長し、このケミカル酸化膜が前記薄
い酸化膜の膜厚不均一や膜質低下を招く恐れもあった。
て処理を行うと、ＮＯXやＨＮＯX系の雰囲気（薬品）に
よりウエハ等がより酸化されるため、ウエハ等の表面に
ケミカル酸化膜が成長し、このケミカル酸化膜が前記薄
い酸化膜の膜厚不均一や膜質低下を招く恐れもあった。
【００１１】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、ウエハ等の金属汚染やパーティクルの発生、並びに
酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるようにし
た基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的
とするものである。
で、ウエハ等の金属汚染やパーティクルの発生、並びに
酸化膜の成長を抑制してレジスト除去を行えるようにし
た基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、密閉された処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスを供給して、被処理基板
を処理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に
前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲雰囲気を
加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給
すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、を有する
ことを特徴とする。この発明において、前記処理ガスと
しては、例えばオゾンガス、塩素ガス、フッ素ガスや、
予め各種反応種（ラジカル）を有している塩素ガス、フ
ッ素ガス、水素ガス等を用いることができる。
に、請求項１記載の発明は、密閉された処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスを供給して、被処理基板
を処理する基板処理方法であって、 前記処理容器内に
前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲雰囲気を
加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給
すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、を有する
ことを特徴とする。この発明において、前記処理ガスと
しては、例えばオゾンガス、塩素ガス、フッ素ガスや、
予め各種反応種（ラジカル）を有している塩素ガス、フ
ッ素ガス、水素ガス等を用いることができる。
【００１３】請求項２記載の発明は、密閉された処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して、被
処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理
容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲
雰囲気を加圧する工程と、前記処理容器内に溶媒の蒸気
を供給すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、を有することを特徴とする。
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して、被
処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理
容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲
雰囲気を加圧する工程と、前記処理容器内に溶媒の蒸気
を供給すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】請求項３記載の発明は、密閉された処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して、被
処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理
容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲
雰囲気を加圧する工程と、前記処理容器内に溶媒の蒸気
を供給すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、 前記基ガスの供給を停止すると共に、処理容
器内の雰囲気ガスを排気する工程と、を有することを特
徴とする。
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して、被
処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処理
容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基板の周囲
雰囲気を加圧する工程と、前記処理容器内に溶媒の蒸気
を供給すると共に、前記処理ガスを供給する工程と、
前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、 前記基ガスの供給を停止すると共に、処理容
器内の雰囲気ガスを排気する工程と、を有することを特
徴とする。
【００１５】請求項４記載の発明は、請求項１ないし３
のいずれかに記載の基板処理方法において、 前記処理
容器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定の
温度に調整する工程を有することを特徴とする。この場
合、前記被処理基板を所定の温度に調整する工程の際
に、被処理基板に温度調整された気体を供給する方が好
ましい（請求項５）。この場合、所定の温度を、処理が
最適に行われる温度の範囲内で、溶媒の露点温度よりも
高く、かつ溶媒の蒸気の温度よりも低い温度に設定する
方が好ましい。
のいずれかに記載の基板処理方法において、 前記処理
容器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定の
温度に調整する工程を有することを特徴とする。この場
合、前記被処理基板を所定の温度に調整する工程の際
に、被処理基板に温度調整された気体を供給する方が好
ましい（請求項５）。この場合、所定の温度を、処理が
最適に行われる温度の範囲内で、溶媒の露点温度よりも
高く、かつ溶媒の蒸気の温度よりも低い温度に設定する
方が好ましい。
【００１６】請求項６記載の発明は、密閉された処理容
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処
理容器内に前記オゾンガスを供給して前記被処理基板の
周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒
の蒸気を供給すると共に、前記オゾンガスを供給する工
程と、を有し、 前記被処理基板を処理する工程の際
に、前記処理容器内に窒素ガスを供給すると共に、該窒
素ガスの供給量を制御することを特徴とする。
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処
理容器内に前記オゾンガスを供給して前記被処理基板の
周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒
の蒸気を供給すると共に、前記オゾンガスを供給する工
程と、を有し、 前記被処理基板を処理する工程の際
に、前記処理容器内に窒素ガスを供給すると共に、該窒
素ガスの供給量を制御することを特徴とする。
【００１７】この発明の基板処理方法において、上記被
処理基板は、金属を含む基板であれば任意の基板であっ
ても差し支えないが、好ましくは金属の配線がされてい
る半導体基板である方がよい（請求項７）。
処理基板は、金属を含む基板であれば任意の基板であっ
ても差し支えないが、好ましくは金属の配線がされてい
る半導体基板である方がよい（請求項７）。
【００１８】請求項８記載の発明は、密閉された処理容
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段
と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気
供給手段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス
及び溶媒蒸気の供給を制御する供給制御手段と、 前記
処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、
前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガ
ス制御手段と、を具備することを特徴とする。
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段
と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気
供給手段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス
及び溶媒蒸気の供給を制御する供給制御手段と、 前記
処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、
前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガ
ス制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１９】請求項９記載の発明は、密閉された処理容
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段
と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気
供給手段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス
及び溶媒蒸気の供給を制御する供給制御手段と、 前記
処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、
前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガ
ス制御手段と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排
気手段と、 前記排気手段の排気量を調整する排気量調
整手段と、を具備することを特徴とする。
器内に収容された被処理基板にオゾンガスを供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段
と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気
供給手段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス
及び溶媒蒸気の供給を制御する供給制御手段と、 前記
処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、
前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガ
ス制御手段と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排
気手段と、 前記排気手段の排気量を調整する排気量調
整手段と、を具備することを特徴とする。
【００２０】請求項８又は９記載の基板処理装置におい
て、前記オゾンガス供給手段を構成するオゾンガス生成
手段の作動又は停止によりオゾンガス又はオゾンガスの
基ガスを供給可能に形成する方が好ましい（請求項１
０）。
て、前記オゾンガス供給手段を構成するオゾンガス生成
手段の作動又は停止によりオゾンガス又はオゾンガスの
基ガスを供給可能に形成する方が好ましい（請求項１
０）。
【００２１】請求項１記載の発明によれば、処理容器内
に収容された被処理基板に処理ガスを供給して被処理基
板を処理する前に、処理容器内に処理ガスを供給して被
処理基板の周囲雰囲気を加圧することにより、処理容器
内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容
器内を予備加圧することができる。したがって、被処理
基板が処理ガス以外のガス等に接触する恐れがないの
で、金属汚染やパーティクルの発生を防止することがで
きる。また、次に処理容器内に供給される溶媒の蒸気と
処理ガスとの反応速度を高めて処理効率の向上を図るこ
とができる。
に収容された被処理基板に処理ガスを供給して被処理基
板を処理する前に、処理容器内に処理ガスを供給して被
処理基板の周囲雰囲気を加圧することにより、処理容器
内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容
器内を予備加圧することができる。したがって、被処理
基板が処理ガス以外のガス等に接触する恐れがないの
で、金属汚染やパーティクルの発生を防止することがで
きる。また、次に処理容器内に供給される溶媒の蒸気と
処理ガスとの反応速度を高めて処理効率の向上を図るこ
とができる。
【００２２】請求項２記載の発明によれば、処理容器内
の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容器
内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される溶媒
の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した後、溶
媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生成を停
止し、処理ガスの原料ガスである基ガスを処理容器内に
供給することにより、処理容器内の急激な減圧を抑制し
て溶媒蒸気が結露するのを抑制することができる。した
がって、被処理体に液滴が付着するのを防止することが
でき、歩留まりの向上を図ることができる。
の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容器
内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される溶媒
の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した後、溶
媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生成を停
止し、処理ガスの原料ガスである基ガスを処理容器内に
供給することにより、処理容器内の急激な減圧を抑制し
て溶媒蒸気が結露するのを抑制することができる。した
がって、被処理体に液滴が付着するのを防止することが
でき、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２３】請求項３記載の発明によれば、処理容器内
の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容器
内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される溶媒
の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した後、溶
媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生成を停
止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給することに
より、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸気が結
露するのを抑制し、その後、基ガスの供給を停止すると
共に、処理容器内の雰囲気ガスを排気することができ
る。したがって、被処理基板に金属汚染やパーティクル
を発生させることなく、溶媒の蒸気と処理ガスによって
被処理基板を連続的に処理することができ、処理効率の
向上を図ることができる。
の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理容器
内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される溶媒
の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した後、溶
媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生成を停
止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給することに
より、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸気が結
露するのを抑制し、その後、基ガスの供給を停止すると
共に、処理容器内の雰囲気ガスを排気することができ
る。したがって、被処理基板に金属汚染やパーティクル
を発生させることなく、溶媒の蒸気と処理ガスによって
被処理基板を連続的に処理することができ、処理効率の
向上を図ることができる。
【００２４】請求項４，５記載の発明によれば、処理容
器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定の温
度に調整することにより、被処理基板を所定温度に温度
調整した後、被処理基板に溶媒の蒸気を供給することが
できるので、被処理基板の表面に確実に高密度の溶媒分
子の層を形成することができ、反応物質量を多量に発生
させて処理効率の向上を図ることができる。
器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定の温
度に調整することにより、被処理基板を所定温度に温度
調整した後、被処理基板に溶媒の蒸気を供給することが
できるので、被処理基板の表面に確実に高密度の溶媒分
子の層を形成することができ、反応物質量を多量に発生
させて処理効率の向上を図ることができる。
【００２５】請求項６，８，９記載の発明によれば、処
理容器内に収容された被処理基板に溶媒蒸気とオゾンガ
スを供給して被処理基板を処理する前に、処理容器内に
オゾンガスを供給して被処理基板の周囲雰囲気を加圧す
ることにより、処理容器内の雰囲気をオゾンガス雰囲気
に置換すると共に、処理容器内を予備加圧することがで
きる。したがって、被処理基板がオゾンガス以外のガス
等に接触する恐れがないので、金属汚染やパーティクル
の発生を防止することができる。また、次に処理容器内
に供給される溶媒の蒸気とオゾンガスとの反応速度を高
めて処理効率の向上を図ることができる。更には、窒素
ガスの供給量を制御することにより、金属のエッチング
量を制御することができる。したがって、配線工程を有
さない被処理基板の処理に好適である。更に、窒素ガス
の供給量を抑制することにより、被処理基板の表面に形
成される酸化膜の成長を抑制することができる。したが
って、金属配線の有無にかかわらずパーティクルやコン
タミネーションの発生を防止することができると共に、
薄い酸化膜を形成する場合の膜厚の均一化及び膜質の向
上を図ることができる。
理容器内に収容された被処理基板に溶媒蒸気とオゾンガ
スを供給して被処理基板を処理する前に、処理容器内に
オゾンガスを供給して被処理基板の周囲雰囲気を加圧す
ることにより、処理容器内の雰囲気をオゾンガス雰囲気
に置換すると共に、処理容器内を予備加圧することがで
きる。したがって、被処理基板がオゾンガス以外のガス
等に接触する恐れがないので、金属汚染やパーティクル
の発生を防止することができる。また、次に処理容器内
に供給される溶媒の蒸気とオゾンガスとの反応速度を高
めて処理効率の向上を図ることができる。更には、窒素
ガスの供給量を制御することにより、金属のエッチング
量を制御することができる。したがって、配線工程を有
さない被処理基板の処理に好適である。更に、窒素ガス
の供給量を抑制することにより、被処理基板の表面に形
成される酸化膜の成長を抑制することができる。したが
って、金属配線の有無にかかわらずパーティクルやコン
タミネーションの発生を防止することができると共に、
薄い酸化膜を形成する場合の膜厚の均一化及び膜質の向
上を図ることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。
【００２７】図１は、この発明に係る基板処理装置の一
例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示
す断面図である。
例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示
す断面図である。
【００２８】前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段５０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲排気手段
６０と、処理容器１０内にホットエアを供給するエア供
給手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の雰囲気を排気する排気手段
９０とを具備している。
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段５０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲排気手段
６０と、処理容器１０内にホットエアを供給するエア供
給手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の雰囲気を排気する排気手段
９０とを具備している。
【００２９】処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエ
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２と、容器本体１１の下端
開口部を閉鎖する容器ボトム１３とで主に構成されてい
る。
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２と、容器本体１１の下端
開口部を閉鎖する容器ボトム１３とで主に構成されてい
る。
【００３０】容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１と容器カバー１２の間の隙間は、エア
の注入によって膨らむ伸縮式のシール部材１６によって
密封される。また、容器本体１１と容器ボトム１３の間
の隙間は、ガスケット１７によって密封されている。し
たがって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に
気体が漏れない状態となっている。
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１と容器カバー１２の間の隙間は、エア
の注入によって膨らむ伸縮式のシール部材１６によって
密封される。また、容器本体１１と容器ボトム１３の間
の隙間は、ガスケット１７によって密封されている。し
たがって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に
気体が漏れない状態となっている。
【００３１】また、容器本体１１の上端部には、容器カ
バー１２の開閉を検出する開閉検出手段としての重量セ
ンサ１８が配設されている。この重量センサ１８は、容
器カバー１２が閉まって搬入・搬出口１４を塞いだ際
に、容器本体１１の上端部にかかる荷重を検出するよう
に構成されている。重量センサ１８にて検出された検出
信号は制御手段であるＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ
１００にて容器カバー１２の開閉が確認されるように構
成されている。例えば、所定の荷重が重量センサ１８に
より検出されると、容器カバー１２が確実に閉塞された
状態であると認識される。
バー１２の開閉を検出する開閉検出手段としての重量セ
ンサ１８が配設されている。この重量センサ１８は、容
器カバー１２が閉まって搬入・搬出口１４を塞いだ際
に、容器本体１１の上端部にかかる荷重を検出するよう
に構成されている。重量センサ１８にて検出された検出
信号は制御手段であるＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ
１００にて容器カバー１２の開閉が確認されるように構
成されている。例えば、所定の荷重が重量センサ１８に
より検出されると、容器カバー１２が確実に閉塞された
状態であると認識される。
【００３２】また、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１９ａが取り付けられ、容器カバー１２の外周面に
はラバーヒータ１９ｂが取り付けられ、容器ボトム１３
の外周面にはラバーヒータ１９ｃが取り付けられてい
る。これらラバーヒータ１９ａ，１９ｂ，１９ｃは、図
示しない電源に接続されて、電源からの給電によって発
熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例えば８
０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱し得るように構成され
ている。これらラバーヒータ１９ａ，１９ｂ，１９ｃに
よって容器本体１１の結露防止が図られている。
ータ１９ａが取り付けられ、容器カバー１２の外周面に
はラバーヒータ１９ｂが取り付けられ、容器ボトム１３
の外周面にはラバーヒータ１９ｃが取り付けられてい
る。これらラバーヒータ１９ａ，１９ｂ，１９ｃは、図
示しない電源に接続されて、電源からの給電によって発
熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例えば８
０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱し得るように構成され
ている。これらラバーヒータ１９ａ，１９ｂ，１９ｃに
よって容器本体１１の結露防止が図られている。
【００３３】前記ウエハガイド２０は、図３に示すよう
に、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固
着された互いに平行な３本の保持部材２２ａ，２２ｂ，
２２ｃとで主に構成されている。この場合、各保持部材
２２ａ，２２ｂ，２２ｃに、ウエハＷの周縁下部を保持
する溝２３が等間隔に５０箇所形成されている。したが
って、ウエハガイド２０は、５０枚（ウエハキャリア２
個分）のウエハＷを等間隔で配列させた状態で保持する
ことができる。また、ウエハガイド２０は、ガイド部２
１に連なるシャフト２４が容器カバー１２の頂部に設け
られた透孔１２ａ内に摺動可能に貫通されており、透孔
１２ａとシャフト２４との間には、エアの注入により膨
らむ伸縮式のシール部材２５が介在されて、処理容器１
０内の気水密が維持できるように構成されている。
に、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固
着された互いに平行な３本の保持部材２２ａ，２２ｂ，
２２ｃとで主に構成されている。この場合、各保持部材
２２ａ，２２ｂ，２２ｃに、ウエハＷの周縁下部を保持
する溝２３が等間隔に５０箇所形成されている。したが
って、ウエハガイド２０は、５０枚（ウエハキャリア２
個分）のウエハＷを等間隔で配列させた状態で保持する
ことができる。また、ウエハガイド２０は、ガイド部２
１に連なるシャフト２４が容器カバー１２の頂部に設け
られた透孔１２ａ内に摺動可能に貫通されており、透孔
１２ａとシャフト２４との間には、エアの注入により膨
らむ伸縮式のシール部材２５が介在されて、処理容器１
０内の気水密が維持できるように構成されている。
【００３４】前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる水蒸
気発生器３３と、水蒸気発生器３３内の水蒸気１を供給
する水蒸気供給管路３４と、水蒸気供給管路３４から供
給された水蒸気１を処理容器１０内に吐出する水蒸気ノ
ズル３５とで主に構成されている。
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる水蒸
気発生器３３と、水蒸気発生器３３内の水蒸気１を供給
する水蒸気供給管路３４と、水蒸気供給管路３４から供
給された水蒸気１を処理容器１０内に吐出する水蒸気ノ
ズル３５とで主に構成されている。
【００３５】この場合、純水供給管路３２の一端は純水
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁３６と流量コン
トローラ３７が介設されている。これら開閉弁３６と流
量コントローラ３７は、制御手段であるＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて制御されるようになっている。
すなわち、開閉弁３６は、純水を流すか否かの開閉制御
され、また、流量コントローラ３７は、純水の流量を調
整すべく開度が制御されるようになっている。水蒸気発
生器３３の内部には、ヒータ（図示せず）が設けられて
おり、水蒸気発生器３３内に供給された純水が、ヒータ
の熱により気化されて水蒸気１が生成されるようになっ
ている。なお、水蒸気発生器３３には、後述するミスト
トラップ１１０に接続される排出管路１１１が接続され
ている。この排出管路１１１は、水蒸気発生器３３内で
気化されなかった純水をミストトラップ１１０に排液し
たり、水蒸気発生器３３の温度と蒸気吐出が安定するま
で水蒸気１をミストトラップ１１０に排気するように構
成されている。
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁３６と流量コン
トローラ３７が介設されている。これら開閉弁３６と流
量コントローラ３７は、制御手段であるＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて制御されるようになっている。
すなわち、開閉弁３６は、純水を流すか否かの開閉制御
され、また、流量コントローラ３７は、純水の流量を調
整すべく開度が制御されるようになっている。水蒸気発
生器３３の内部には、ヒータ（図示せず）が設けられて
おり、水蒸気発生器３３内に供給された純水が、ヒータ
の熱により気化されて水蒸気１が生成されるようになっ
ている。なお、水蒸気発生器３３には、後述するミスト
トラップ１１０に接続される排出管路１１１が接続され
ている。この排出管路１１１は、水蒸気発生器３３内で
気化されなかった純水をミストトラップ１１０に排液し
たり、水蒸気発生器３３の温度と蒸気吐出が安定するま
で水蒸気１をミストトラップ１１０に排気するように構
成されている。
【００３６】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾ
ンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０
のオゾン処理室１０ａ内に吐出するオゾンガスノズル４
３とで主に構成されている。
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾ
ンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０
のオゾン処理室１０ａ内に吐出するオゾンガスノズル４
３とで主に構成されている。
【００３７】この場合、オゾンガス生成手段４１は、原
料となる基ガスとしての酸素（Ｏ２）を、高周波電源４
４に接続されて高周波電圧が印加される放電電極４５，
４６間を通過させることで、オゾン（Ｏ３）を生成して
いる。これら高周波電源４４と放電電極４５，４６とを
接続する電気回路４７には、スイッチ４８が介設されて
いる。スイッチ４８は、制御手段であるＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて制御されるようになっている。
すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか否か制
御されるようになっている。また、オゾンガス供給管路
４２には、オゾンガス生成手段４１側に開閉弁４９が介
設されている。この開閉弁４９は、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００からの制御信号に基づいて制御されるようにな
っている。すなわち、開閉弁４９は、オゾンガスを流す
か否かの開閉制御されるようになっている。
料となる基ガスとしての酸素（Ｏ２）を、高周波電源４
４に接続されて高周波電圧が印加される放電電極４５，
４６間を通過させることで、オゾン（Ｏ３）を生成して
いる。これら高周波電源４４と放電電極４５，４６とを
接続する電気回路４７には、スイッチ４８が介設されて
いる。スイッチ４８は、制御手段であるＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて制御されるようになっている。
すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか否か制
御されるようになっている。また、オゾンガス供給管路
４２には、オゾンガス生成手段４１側に開閉弁４９が介
設されている。この開閉弁４９は、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００からの制御信号に基づいて制御されるようにな
っている。すなわち、開閉弁４９は、オゾンガスを流す
か否かの開閉制御されるようになっている。
【００３８】エア供給手段７０は、エアを供給するエア
供給管路７１と、このエア供給管路７１から供給された
エアを加熱してホットエア３を発生させるホットエアジ
ェネレータ７２と、ホットエアジェネレータ７２内のホ
ットエア３を供給するホットエア供給管路７３と、ホッ
トエア供給管路７３から供給されたホットエア３を吐出
する一対のエアノズル７４とで主に構成されている。
供給管路７１と、このエア供給管路７１から供給された
エアを加熱してホットエア３を発生させるホットエアジ
ェネレータ７２と、ホットエアジェネレータ７２内のホ
ットエア３を供給するホットエア供給管路７３と、ホッ
トエア供給管路７３から供給されたホットエア３を吐出
する一対のエアノズル７４とで主に構成されている。
【００３９】この場合、エア供給管路７１の一端には、
エア供給源７５が接続されいる。また、エア供給管路７
１には、エア供給源７５側から順に開閉弁７６と流量コ
ントローラ７７が介設されている。これら開閉弁７６と
流量コントローラ７７は、制御手段であるＣＰＵ１００
に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて
エアの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が
制御されるようになっている。また、ホットエアジェネ
レータ７２の内部には、エアを加熱するヒータ７８が配
設されている。また、ホットエア供給管路７３には、エ
アを逃がして後述する排気マニホールド８３に導入する
エア導入管路８５が接続されている。このエア導入管路
８５には、開閉弁８６が介設されている。この開閉弁８
６は、制御手段であるＣＰＵ１００によって制御される
ようになっている。
エア供給源７５が接続されいる。また、エア供給管路７
１には、エア供給源７５側から順に開閉弁７６と流量コ
ントローラ７７が介設されている。これら開閉弁７６と
流量コントローラ７７は、制御手段であるＣＰＵ１００
に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて
エアの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が
制御されるようになっている。また、ホットエアジェネ
レータ７２の内部には、エアを加熱するヒータ７８が配
設されている。また、ホットエア供給管路７３には、エ
アを逃がして後述する排気マニホールド８３に導入する
エア導入管路８５が接続されている。このエア導入管路
８５には、開閉弁８６が介設されている。この開閉弁８
６は、制御手段であるＣＰＵ１００によって制御される
ようになっている。
【００４０】内部排気手段５０は、処理容器１０内に設
けられた排気部５１と、処理容器１０の内部雰囲気を排
気する第１の内部排気管路５２と、この第１の内部排気
管路５２に接続する冷却部５３と、この冷却部５３の下
流側に接続する液溜部５３Ａとからなるミストトラップ
１１０と、ミストトラップ１１０の上部に接続された第
２の内部排気管路５４とで主に構成されている。
けられた排気部５１と、処理容器１０の内部雰囲気を排
気する第１の内部排気管路５２と、この第１の内部排気
管路５２に接続する冷却部５３と、この冷却部５３の下
流側に接続する液溜部５３Ａとからなるミストトラップ
１１０と、ミストトラップ１１０の上部に接続された第
２の内部排気管路５４とで主に構成されている。
【００４１】この場合、排気部５１は、処理容器１０の
内部雰囲気を取り込むように構成されている。各排気部
５１には、前記第１の内部排気管路５２が接続されてい
る。また、第１の内部排気管路５２には、バイパス管路
５５が分岐して接続されており、このバイパス管路５５
にエジェクタ機構を具備する強制排気機構５６が介設さ
れている。この強制排気機構５６は、制御手段であるＣ
ＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号
に基づいて作動制御されるように構成されている。
内部雰囲気を取り込むように構成されている。各排気部
５１には、前記第１の内部排気管路５２が接続されてい
る。また、第１の内部排気管路５２には、バイパス管路
５５が分岐して接続されており、このバイパス管路５５
にエジェクタ機構を具備する強制排気機構５６が介設さ
れている。この強制排気機構５６は、制御手段であるＣ
ＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号
に基づいて作動制御されるように構成されている。
【００４２】冷却部５３は、前記水蒸気発生器３３から
排気された水蒸気１及び処理容器１０内から排気された
水蒸気１を冷却して凝縮するように構成されている。こ
の場合、冷却部５３内に、前記排出管路１１１と第１の
内部排気管路５２が貫通した状態に配管され、冷却部５
３に、冷却水を供給する冷却水供給管路５７と、冷却水
を排液する冷却水排液管路５８とがそれぞれ接続されて
いる。なお、冷却水供給管路５７及び冷却水排液管路５
８には、それぞれ流量調整弁５９ａ，５９ｂが介設され
て、冷却水の供給量、排液量が調整されるように構成さ
れている。
排気された水蒸気１及び処理容器１０内から排気された
水蒸気１を冷却して凝縮するように構成されている。こ
の場合、冷却部５３内に、前記排出管路１１１と第１の
内部排気管路５２が貫通した状態に配管され、冷却部５
３に、冷却水を供給する冷却水供給管路５７と、冷却水
を排液する冷却水排液管路５８とがそれぞれ接続されて
いる。なお、冷却水供給管路５７及び冷却水排液管路５
８には、それぞれ流量調整弁５９ａ，５９ｂが介設され
て、冷却水の供給量、排液量が調整されるように構成さ
れている。
【００４３】ミストトラップ１１０は、気体と液体とを
分離して排出するように構成されている。すなわち、各
排気部５１は、処理容器１０内の水蒸気１及びオゾンガ
ス２を、第１の内部排気管路５２を介してミストトラッ
プ１１０に排気するようになっている。この場合、冷却
部５３には、冷却水供給管路５７により冷却水が供給さ
れているので、処理容器１０内から排気された水蒸気１
は、冷却部５３内を通過する間に冷却されて凝縮され
る。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミストトラッ
プ１１０の液溜部５３Ａに滴下される。一方、オゾンガ
ス２は、そのままミストトラップ１１０内に導入され
る。このようにして、処理容器１０から排気された内部
雰囲気を、オゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオ
ゾンガス２は、前記第２の内部排気管路５４に排気さ
れ、液滴は、後述する第２の排液管路９３に排液される
ようになっている。また、水蒸気発生器３３から排出さ
れた水蒸気１及び純水は、排出管路１１１を介してミス
トトラップ１１０に導入される。純水は、そのまま排出
管路１１１内を流れてミストトラップ１１０に滴下され
る。水蒸気１は、冷却部５３内を通過する間に冷却され
て凝縮され、液滴になってミストトラップ１１０に滴下
される。
分離して排出するように構成されている。すなわち、各
排気部５１は、処理容器１０内の水蒸気１及びオゾンガ
ス２を、第１の内部排気管路５２を介してミストトラッ
プ１１０に排気するようになっている。この場合、冷却
部５３には、冷却水供給管路５７により冷却水が供給さ
れているので、処理容器１０内から排気された水蒸気１
は、冷却部５３内を通過する間に冷却されて凝縮され
る。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミストトラッ
プ１１０の液溜部５３Ａに滴下される。一方、オゾンガ
ス２は、そのままミストトラップ１１０内に導入され
る。このようにして、処理容器１０から排気された内部
雰囲気を、オゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオ
ゾンガス２は、前記第２の内部排気管路５４に排気さ
れ、液滴は、後述する第２の排液管路９３に排液される
ようになっている。また、水蒸気発生器３３から排出さ
れた水蒸気１及び純水は、排出管路１１１を介してミス
トトラップ１１０に導入される。純水は、そのまま排出
管路１１１内を流れてミストトラップ１１０に滴下され
る。水蒸気１は、冷却部５３内を通過する間に冷却され
て凝縮され、液滴になってミストトラップ１１０に滴下
される。
【００４４】前記第２の内部排気管路５４には、排気さ
れた内部雰囲気中のオゾン濃度を検出する濃度検出手段
としての第１の濃度センサ８１と、オゾンキラー８０と
が順次介設されており、第２の内部排気管路５４の出口
は、排気マニホールド８３に接続されている。
れた内部雰囲気中のオゾン濃度を検出する濃度検出手段
としての第１の濃度センサ８１と、オゾンキラー８０と
が順次介設されており、第２の内部排気管路５４の出口
は、排気マニホールド８３に接続されている。
【００４５】第２の内部排気管路５４に設けられた第１
の濃度センサ８１は、オゾンキラー８０より上流側に設
置されている。オゾンキラー８０内に流入する前の排気
された内部雰囲気中のオゾン濃度を検出することで、処
理容器１０内のオゾン濃度を検出するようになってい
る。第１の濃度センサ８１は、制御手段であるＣＰＵ１
００に接続されており、第１の濃度センサ８１からの検
出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００は、第
１の濃度センサ８１により検出されたオゾン濃度に基づ
いて容器カバー１２の開閉を制御するようになってい
る。容器カバー１２の開閉制御は、例えば処理容器１０
内のオゾン濃度が所定の値（例えば、人体に悪影響を与
えない０．１ｐｐｍ）以下でなければ、容器カバー１２
を開けないように設定されて、安全面の配慮がなされて
いる。
の濃度センサ８１は、オゾンキラー８０より上流側に設
置されている。オゾンキラー８０内に流入する前の排気
された内部雰囲気中のオゾン濃度を検出することで、処
理容器１０内のオゾン濃度を検出するようになってい
る。第１の濃度センサ８１は、制御手段であるＣＰＵ１
００に接続されており、第１の濃度センサ８１からの検
出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００は、第
１の濃度センサ８１により検出されたオゾン濃度に基づ
いて容器カバー１２の開閉を制御するようになってい
る。容器カバー１２の開閉制御は、例えば処理容器１０
内のオゾン濃度が所定の値（例えば、人体に悪影響を与
えない０．１ｐｐｍ）以下でなければ、容器カバー１２
を開けないように設定されて、安全面の配慮がなされて
いる。
【００４６】オゾンキラー８０は、加熱によりオゾンを
酸素に熱分解するように構成されている。このオゾンキ
ラー８０の加熱温度は、例えば４００℃以上に設定され
ている。なお、オゾンキラー８０は、工場内の無停電電
源装置（図示せず）に接続され、停電時でも、無停電電
源装置から安定的に電力供給が行われるように構成する
方が好ましい。停電時でも、オゾンキラー８０が作動
し、オゾンを除去して安全を図ることができるからであ
る。
酸素に熱分解するように構成されている。このオゾンキ
ラー８０の加熱温度は、例えば４００℃以上に設定され
ている。なお、オゾンキラー８０は、工場内の無停電電
源装置（図示せず）に接続され、停電時でも、無停電電
源装置から安定的に電力供給が行われるように構成する
方が好ましい。停電時でも、オゾンキラー８０が作動
し、オゾンを除去して安全を図ることができるからであ
る。
【００４７】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ８４が設けられている。この温度センサ８４は、
オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成され
ている。また、温度センサ８４は、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、温度センサ８４からの検出
信号がＣＰＵ１００に伝達され、温度センサ８４からの
検出信号に基づいて、オゾンを除去するのにオゾンキラ
ー８０に十分な準備が整っているか判断するようになっ
ている。
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ８４が設けられている。この温度センサ８４は、
オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成され
ている。また、温度センサ８４は、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、温度センサ８４からの検出
信号がＣＰＵ１００に伝達され、温度センサ８４からの
検出信号に基づいて、オゾンを除去するのにオゾンキラ
ー８０に十分な準備が整っているか判断するようになっ
ている。
【００４８】排気マニホールド８３は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。すなわち、排気
マニホールド８３には、前記第２の内部排気管路５４
と、前記エア導入管路８５と、後述する第１の周囲排気
管路６１とが接続されている。また、処理装置背面の雰
囲気を取り込むための配管（図示せず）が複数設置さ
れ、処理装置からオゾンガス２が周囲に拡散するのを防
止している。更に、排気マニホールド８３は、工場内の
酸専用の排気系（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続
されており、酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流
場所として機能するようになっている。
を集合して行うように構成されている。すなわち、排気
マニホールド８３には、前記第２の内部排気管路５４
と、前記エア導入管路８５と、後述する第１の周囲排気
管路６１とが接続されている。また、処理装置背面の雰
囲気を取り込むための配管（図示せず）が複数設置さ
れ、処理装置からオゾンガス２が周囲に拡散するのを防
止している。更に、排気マニホールド８３は、工場内の
酸専用の排気系（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続
されており、酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流
場所として機能するようになっている。
【００４９】また、排気マニホールド８３には、オゾン
濃度を検出する第２の濃度センサ８２が設けられてい
る。排気マニホールド８３に設けられた第２の濃度セン
サ８２は、制御手段であるＣＰＵ１００に接続されてお
り、第２の濃度センサ８２からの検出信号がＣＰＵ１０
０に伝達され、ＣＰＵ１００にて、第２の濃度センサ８
２により検出されたオゾン濃度に基づいて、オゾンキラ
ー８０のオゾン除去能力を把握し、例えばオゾンキラー
８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を監視するように
なっている。
濃度を検出する第２の濃度センサ８２が設けられてい
る。排気マニホールド８３に設けられた第２の濃度セン
サ８２は、制御手段であるＣＰＵ１００に接続されてお
り、第２の濃度センサ８２からの検出信号がＣＰＵ１０
０に伝達され、ＣＰＵ１００にて、第２の濃度センサ８
２により検出されたオゾン濃度に基づいて、オゾンキラ
ー８０のオゾン除去能力を把握し、例えばオゾンキラー
８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を監視するように
なっている。
【００５０】周囲排気手段６０は、処理容器１０の周囲
を包囲するケース６２と、このケース６２の下部に一端
が接続され、他端が前記排気マニホールド８３に接続さ
れた第１の周囲排気管路６１と、ケース６２の下部に一
端が接続され、他端が前記第１の内部排気管路５２に接
続された第２の周囲排出管路１１１とで主に構成されて
いる。
を包囲するケース６２と、このケース６２の下部に一端
が接続され、他端が前記排気マニホールド８３に接続さ
れた第１の周囲排気管路６１と、ケース６２の下部に一
端が接続され、他端が前記第１の内部排気管路５２に接
続された第２の周囲排出管路１１１とで主に構成されて
いる。
【００５１】ケース６２では、上方から清浄なエアのダ
ウンフローが供給されており、このダウンフローによ
り、ケース６２の内部雰囲気、すなわち処理容器１０の
周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共に、下方に
押し流されて第１の周囲排気管路６１、第２の周囲排気
管路６３に流入し易いようにしている。また、ケース６
２には、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検
出する周囲の濃度検出手段としての第２の濃度センサ６
６が設けられている。第２の濃度センサ６６は、制御手
段であるＣＰＵ１００に接続されており、第２の濃度セ
ンサ６６からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、第
２の濃度センサ６６により検出されたオゾン濃度に基づ
いてオゾンガス２の漏れを感知するようになっている。
ウンフローが供給されており、このダウンフローによ
り、ケース６２の内部雰囲気、すなわち処理容器１０の
周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共に、下方に
押し流されて第１の周囲排気管路６１、第２の周囲排気
管路６３に流入し易いようにしている。また、ケース６
２には、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検
出する周囲の濃度検出手段としての第２の濃度センサ６
６が設けられている。第２の濃度センサ６６は、制御手
段であるＣＰＵ１００に接続されており、第２の濃度セ
ンサ６６からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、第
２の濃度センサ６６により検出されたオゾン濃度に基づ
いてオゾンガス２の漏れを感知するようになっている。
【００５２】また、第１の周囲排気管路６１には、開閉
弁６４が設けられている。この開閉弁６４は、制御手段
であるＣＰＵ１００に接続されており、清浄に処理が進
行している間、ＣＰＵ１００からの信号によって開閉弁
６４は開放されている。なお、この間、第１の周囲排気
管路６１は、処理容器１０の周囲雰囲気を排気マニホー
ルド８３に排気するようになっている。
弁６４が設けられている。この開閉弁６４は、制御手段
であるＣＰＵ１００に接続されており、清浄に処理が進
行している間、ＣＰＵ１００からの信号によって開閉弁
６４は開放されている。なお、この間、第１の周囲排気
管路６１は、処理容器１０の周囲雰囲気を排気マニホー
ルド８３に排気するようになっている。
【００５３】また、第２の周囲排気管路６３には、エジ
ェクタ機構を具備した周囲強制排気機構６５が設けられ
ている。この周囲強制排気機構６５は、処理容器１０の
周囲雰囲気を急激な吸い込みによってミストトラップ１
１０側に圧送することで、強制排気を行うように構成さ
れている。周囲強制排気機構６５は制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御信
号によって周囲強制排気機構６５の作動が制御されるよ
うになっている。なお、正常に処理が行われている間、
周囲強制排気機構６５に制御信号は出力されず、その作
動は停止される。
ェクタ機構を具備した周囲強制排気機構６５が設けられ
ている。この周囲強制排気機構６５は、処理容器１０の
周囲雰囲気を急激な吸い込みによってミストトラップ１
１０側に圧送することで、強制排気を行うように構成さ
れている。周囲強制排気機構６５は制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御信
号によって周囲強制排気機構６５の作動が制御されるよ
うになっている。なお、正常に処理が行われている間、
周囲強制排気機構６５に制御信号は出力されず、その作
動は停止される。
【００５４】排気手段９０は、処理容器１０の底部と前
記第１の内部排気管路５２とに接続された第１の排液管
路９１と、ミストトラップ１１０の底部に接続された第
２の排液管路９３とを具備している。また、第１の排液
管路９１には、開閉弁９２が介設されている。また、第
２の排液管路９３には、開閉弁９４が介設されている。
なお、液中にオゾンが残存する恐れがあるので、第２の
排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系（ＡＣＩＤ
ＤＲＡＩＮ）に連通されている。
記第１の内部排気管路５２とに接続された第１の排液管
路９１と、ミストトラップ１１０の底部に接続された第
２の排液管路９３とを具備している。また、第１の排液
管路９１には、開閉弁９２が介設されている。また、第
２の排液管路９３には、開閉弁９４が介設されている。
なお、液中にオゾンが残存する恐れがあるので、第２の
排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系（ＡＣＩＤ
ＤＲＡＩＮ）に連通されている。
【００５５】なお、ミストトラップ１１０には、下から
順に、空防止センサ１１２、排液開始センサ１１３、液
オーバーセンサ１１４が配置されている。この場合、図
示しないが、前記開閉弁９２，９４及び各センサ１１
２，１１３，１１４は、制御手段であるＣＰＵ１００に
接続されている。そして、センサ１１２，１１３，１１
４からの検出信号に基づいて開閉弁９２，９４が開閉制
御されるようになっている。すなわち、液滴がミストト
ラップ１１０内にある程度溜められ、液面が排液開始セ
ンサ１１３にて検出されると、排液開始センサ１１３か
らの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００
からの制御信号によって開閉弁９４を開放して排液が開
始される。また、液面の高さが液オーバーセンサ１１４
まで達すると、液オーバーセンサ１１４からの警告信号
がＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防止セン
サ１１２より下回っている場合には、空防止センサ１１
２から禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰＵ１０
０からの制御信号によって開閉弁９４を閉じるように構
成されている。この空防止センサ１１２によって液滴が
全て流れてミストトラップ１１０内が空になり、オゾン
ガス２が工場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止
することができる。
順に、空防止センサ１１２、排液開始センサ１１３、液
オーバーセンサ１１４が配置されている。この場合、図
示しないが、前記開閉弁９２，９４及び各センサ１１
２，１１３，１１４は、制御手段であるＣＰＵ１００に
接続されている。そして、センサ１１２，１１３，１１
４からの検出信号に基づいて開閉弁９２，９４が開閉制
御されるようになっている。すなわち、液滴がミストト
ラップ１１０内にある程度溜められ、液面が排液開始セ
ンサ１１３にて検出されると、排液開始センサ１１３か
らの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００
からの制御信号によって開閉弁９４を開放して排液が開
始される。また、液面の高さが液オーバーセンサ１１４
まで達すると、液オーバーセンサ１１４からの警告信号
がＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防止セン
サ１１２より下回っている場合には、空防止センサ１１
２から禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰＵ１０
０からの制御信号によって開閉弁９４を閉じるように構
成されている。この空防止センサ１１２によって液滴が
全て流れてミストトラップ１１０内が空になり、オゾン
ガス２が工場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止
することができる。
【００５６】次に、この発明に係る基板処理装置の作動
態様について、図２、図４ないし図７を参照して、説明
する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送さ
れた複数例えば５０枚のウエハＷを、処理容器１０の容
器本体１１の上方に上昇するウエハガイド２０に受け渡
し、次いで、ウエハガイド２０が下降した後、容器カバ
ー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器１０内に密封状態
に収容する。
態様について、図２、図４ないし図７を参照して、説明
する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送さ
れた複数例えば５０枚のウエハＷを、処理容器１０の容
器本体１１の上方に上昇するウエハガイド２０に受け渡
し、次いで、ウエハガイド２０が下降した後、容器カバ
ー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器１０内に密封状態
に収容する。
【００５７】処理容器１０内にウエハＷを収容した状態
において、最初に、図４に示すように、エア供給手段７
０の開閉弁７６が開放されると共に、ホットエアジェネ
レータ７２が作動して、処理容器１０内に約２８０℃に
加熱されたホットエア３が供給され、ウエハＷ及び処理
容器１０の雰囲気温度を常温（２５℃）から所定の温度
（例えば８０℃〜９０℃）に昇温する。
において、最初に、図４に示すように、エア供給手段７
０の開閉弁７６が開放されると共に、ホットエアジェネ
レータ７２が作動して、処理容器１０内に約２８０℃に
加熱されたホットエア３が供給され、ウエハＷ及び処理
容器１０の雰囲気温度を常温（２５℃）から所定の温度
（例えば８０℃〜９０℃）に昇温する。
【００５８】次に、図５に示すように、オゾンガス供給
手段であるオゾンガス生成手段４１が作動して供給され
る酸素（Ｏ２）に高周波電圧を印加してオゾン（Ｏ３）
ガスを生成すると共に、開閉弁４９が開放して、オゾン
ガス２を処理容器１０内に供給することで、ウエハＷ及
び処理容器１０内の雰囲気を予備加圧する。このとき、
オゾン濃度が約９％ｗｅｔ（体積百分率）のオゾンガス
２を、約１０リットル／分供給することで、処理容器１
０内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）よ
り高い圧力０．０１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａとすること
ができる。これにより、処理容器１０内をオゾンガス２
のみの雰囲気にすることができるので、ウエハＷの表面
に安定した酸化膜が形成され、金属腐食を防止すること
ができる。
手段であるオゾンガス生成手段４１が作動して供給され
る酸素（Ｏ２）に高周波電圧を印加してオゾン（Ｏ３）
ガスを生成すると共に、開閉弁４９が開放して、オゾン
ガス２を処理容器１０内に供給することで、ウエハＷ及
び処理容器１０内の雰囲気を予備加圧する。このとき、
オゾン濃度が約９％ｗｅｔ（体積百分率）のオゾンガス
２を、約１０リットル／分供給することで、処理容器１
０内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）よ
り高い圧力０．０１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａとすること
ができる。これにより、処理容器１０内をオゾンガス２
のみの雰囲気にすることができるので、ウエハＷの表面
に安定した酸化膜が形成され、金属腐食を防止すること
ができる。
【００５９】処理容器１０内の予備加圧を所定時間（例
えば１〜２分）行った後、オゾンガス供給手段すなわち
オゾンガス生成手段４１を作動した状態で、水蒸気供給
手段３０を作動させて、処理容器１０内にオゾンガス２
と共に水蒸気１を供給して、水蒸気１（溶媒の蒸気）と
オゾンガス（処理ガス）との反応により生じた反応物質
によってウエハＷの処理すなわちレジストの除去のため
の処理を行う（図２参照）。この際、処理容器１０内の
圧力が零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より０．０
１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａ高い圧力に予備加圧により維
持されているので、水分子の層に対するオゾン分子の混
合量を増加させて水酸基ラジカルの発生量を増やすこと
ができる。したがって、オゾンガス供給手段４０が酸素
（Ｏ２）のみを放電によりオゾン化するオゾンガス生成
手段４１を用いる場合においても、十分にレジストの除
去のための処理を行うことができる。更に、高い温度雰
囲気の中でオゾンを利用した処理を行うことができるの
で、処理能力の向上を図ることができる。
えば１〜２分）行った後、オゾンガス供給手段すなわち
オゾンガス生成手段４１を作動した状態で、水蒸気供給
手段３０を作動させて、処理容器１０内にオゾンガス２
と共に水蒸気１を供給して、水蒸気１（溶媒の蒸気）と
オゾンガス（処理ガス）との反応により生じた反応物質
によってウエハＷの処理すなわちレジストの除去のため
の処理を行う（図２参照）。この際、処理容器１０内の
圧力が零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より０．０
１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａ高い圧力に予備加圧により維
持されているので、水分子の層に対するオゾン分子の混
合量を増加させて水酸基ラジカルの発生量を増やすこと
ができる。したがって、オゾンガス供給手段４０が酸素
（Ｏ２）のみを放電によりオゾン化するオゾンガス生成
手段４１を用いる場合においても、十分にレジストの除
去のための処理を行うことができる。更に、高い温度雰
囲気の中でオゾンを利用した処理を行うことができるの
で、処理能力の向上を図ることができる。
【００６０】処理を所定時間（例えば３〜６分）、レジ
ストの種類によっても異なるが、その際の処理容器１０
内の圧力を例えば零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）
より０．０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った後、水
蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給を停止すると共
に、オゾンガス生成手段４１の作動を停止し、基ガスの
酸素（Ｏ２）のみを処理容器１０内に供給して、処理容
器１０内の急激な減圧及び湿度の低下を防止する（図６
参照）。したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露し
て、その水滴がウエハＷに付着するのを防止することが
できる。
ストの種類によっても異なるが、その際の処理容器１０
内の圧力を例えば零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）
より０．０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った後、水
蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給を停止すると共
に、オゾンガス生成手段４１の作動を停止し、基ガスの
酸素（Ｏ２）のみを処理容器１０内に供給して、処理容
器１０内の急激な減圧及び湿度の低下を防止する（図６
参照）。したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露し
て、その水滴がウエハＷに付着するのを防止することが
できる。
【００６１】酸素の供給を所定時間（例えば１分）行っ
た後、酸素の供給を停止し、次いで、強制排気機構５６
を作動させて、処理容器１０内に残留する水蒸気及びオ
ゾンガスを強制的に排気して、処理を終了する（図７参
照）。このとき、開閉弁９２を開放して、処理容器１０
の底部に溜まった液体を排液する。
た後、酸素の供給を停止し、次いで、強制排気機構５６
を作動させて、処理容器１０内に残留する水蒸気及びオ
ゾンガスを強制的に排気して、処理を終了する（図７参
照）。このとき、開閉弁９２を開放して、処理容器１０
の底部に溜まった液体を排液する。
【００６２】その後、昇降機構１５を作動させて、容器
カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１
４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハ
Ｗを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しな
いウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを
次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部におい
て、レジストを洗い流す。
カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１
４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハ
Ｗを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しな
いウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを
次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部におい
て、レジストを洗い流す。
【００６３】したがって、前記基板処理によれば、配線
工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止
及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないそ
の他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパ
ーティクルの防止にも適用できるものである。
工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止
及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないそ
の他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパ
ーティクルの防止にも適用できるものである。
【００６４】図８は、この発明に係る基板処理装置の第
二実施形態を示す要部断面図である。前記実施形態で
は、ウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパー
ティクルの防止を行うために、処理ガス供給手段である
オゾンガス供給手段４０が、酸素（Ｏ２）のみを放電に
よってオゾン化する場合について説明した。第二実施形
態は、処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０
のオゾンガス生成手段４１に、酸素（Ｏ２）を供給する
と共に、窒素（Ｎ２）を供給して、オゾンガス化の効率
を向上させると共に、窒素の供給量を制御してウエハＷ
のレジスト除去と共に、金属エッチング量の制御を可能
にした場合である。
二実施形態を示す要部断面図である。前記実施形態で
は、ウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパー
ティクルの防止を行うために、処理ガス供給手段である
オゾンガス供給手段４０が、酸素（Ｏ２）のみを放電に
よってオゾン化する場合について説明した。第二実施形
態は、処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０
のオゾンガス生成手段４１に、酸素（Ｏ２）を供給する
と共に、窒素（Ｎ２）を供給して、オゾンガス化の効率
を向上させると共に、窒素の供給量を制御してウエハＷ
のレジスト除去と共に、金属エッチング量の制御を可能
にした場合である。
【００６５】すなわち、第二実施形態は、処理ガス供給
手段であるオゾンガス供給手段４０Ａのオゾンガス生成
手段４１Ａに、酸素を供給する酸素供給管路２００とは
別に、窒素を供給する窒素供給管路２０１を接続し、こ
の窒素供給管路２０１に介設される流量調整弁２０２を
制御手段であるＣＰＵ１００に接続して、ＣＰＵ１００
からの制御信号に基づいて流量調整弁２０２を制御し
て、オゾンガス２中に含有される窒素の含有量を調整可
能にした場合である。
手段であるオゾンガス供給手段４０Ａのオゾンガス生成
手段４１Ａに、酸素を供給する酸素供給管路２００とは
別に、窒素を供給する窒素供給管路２０１を接続し、こ
の窒素供給管路２０１に介設される流量調整弁２０２を
制御手段であるＣＰＵ１００に接続して、ＣＰＵ１００
からの制御信号に基づいて流量調整弁２０２を制御し
て、オゾンガス２中に含有される窒素の含有量を調整可
能にした場合である。
【００６６】このようにオゾンガス生成手段４１Ａに酸
素と共に窒素を供給することにより、オゾンガス生成手
段４１Ａの放電電極４５，４６に付着した酸素分子を窒
素分子で分解してオゾンガスの生成効率を高めることが
できる。また、オゾンガス２中に含有された窒素がウエ
ハＷの金属例えばアルミニウム（Ａｌ）やタングステン
（Ｗ）等に接触することでこれら金属をエッチングする
ことができる。また、窒素の供給量を制御することで、
金属のエッチング量を制御することができる。したがっ
て、配線工程を有さないウエハＷのレジスト除去及び金
属エッチング処理に好適である。
素と共に窒素を供給することにより、オゾンガス生成手
段４１Ａの放電電極４５，４６に付着した酸素分子を窒
素分子で分解してオゾンガスの生成効率を高めることが
できる。また、オゾンガス２中に含有された窒素がウエ
ハＷの金属例えばアルミニウム（Ａｌ）やタングステン
（Ｗ）等に接触することでこれら金属をエッチングする
ことができる。また、窒素の供給量を制御することで、
金属のエッチング量を制御することができる。したがっ
て、配線工程を有さないウエハＷのレジスト除去及び金
属エッチング処理に好適である。
【００６７】なお、上記説明では、オゾンガス生成手段
４１Ａに窒素（Ｎ２）を供給して、オゾンガス中の窒素
（Ｎ２）量を制御しているが、図８に二点鎖線で示すよ
うに、処理容器１０に窒素供給管路２０３を接続すると
共に、窒素供給管路に介設された流量調整２０２Ａを制
御手段であるＣＰＵ１００によって制御して、直接処理
容器１０の処理室１０ａ内に窒素（Ｎ２）を供給するよ
うにしてもよい。
４１Ａに窒素（Ｎ２）を供給して、オゾンガス中の窒素
（Ｎ２）量を制御しているが、図８に二点鎖線で示すよ
うに、処理容器１０に窒素供給管路２０３を接続すると
共に、窒素供給管路に介設された流量調整２０２Ａを制
御手段であるＣＰＵ１００によって制御して、直接処理
容器１０の処理室１０ａ内に窒素（Ｎ２）を供給するよ
うにしてもよい。
【００６８】なお、第二実施形態において、その他の部
分は、前記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は同一符号を付して、説明は省略する。
分は、前記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は同一符号を付して、説明は省略する。
【００６９】なお、前記第二実施形態では、窒素の供給
量を制御してウエハＷのレジスト除去と共に、金属エッ
チング量の制御を行う場合について説明したが、窒素の
供給量を制御して酸化膜の成長を抑制することもでき
る。すなわち、図１０に示した処理工程における第１の
レジスト除去工程（図１０（ｄ）参照）にこの発明の処
理方法を適用することにより、ウエハＷの表面にケミカ
ル酸化膜が成長するのを抑制することができ、薄い酸化
膜の膜厚の均一化及び膜質の向上を図れるようにするこ
とができる。
量を制御してウエハＷのレジスト除去と共に、金属エッ
チング量の制御を行う場合について説明したが、窒素の
供給量を制御して酸化膜の成長を抑制することもでき
る。すなわち、図１０に示した処理工程における第１の
レジスト除去工程（図１０（ｄ）参照）にこの発明の処
理方法を適用することにより、ウエハＷの表面にケミカ
ル酸化膜が成長するのを抑制することができ、薄い酸化
膜の膜厚の均一化及び膜質の向上を図れるようにするこ
とができる。
【００７０】なお、前記実施形態では、被処理基板がウ
エハＷである場合について説明したが、被処理基板は必
ずしもウエハＷである必要はなく、例えばレジスト塗布
されるものや金属被膜を有するものであれば、例えばＬ
ＣＤ用基板やＣＤ等の基板であってもよい。
エハＷである場合について説明したが、被処理基板は必
ずしもウエハＷである必要はなく、例えばレジスト塗布
されるものや金属被膜を有するものであれば、例えばＬ
ＣＤ用基板やＣＤ等の基板であってもよい。
【００７１】
【実施例】◎実施例１ オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合と、オゾンガ
スに窒素（Ｎ２）を含ませない場合の金属のエッチング
レートを調べるために、以下の条件で実験を行った。
スに窒素（Ｎ２）を含ませない場合の金属のエッチング
レートを調べるために、以下の条件で実験を行った。
【００７２】実験条件 Ａ）試料金属：アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タ
ングステン（Ｗ） Ｂ）処理条件 １）オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合 ・圧力：１４．７［ｋＰａ］ ・ウエハ温度：８０［℃］ ・水蒸気温度：１００［℃］ ・処理時間：５［ｍｉｎ］ ２）オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませない場合 ・圧力：９８０．７［ｋＰａ］ ・ウエハ温度：８０［℃］ ・水蒸気温度：１２４［℃］ ・処理時間：５［ｍｉｎ］ 前記条件で実験を行ったところ、図９に示すような結果
が得られた。
ングステン（Ｗ） Ｂ）処理条件 １）オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合 ・圧力：１４．７［ｋＰａ］ ・ウエハ温度：８０［℃］ ・水蒸気温度：１００［℃］ ・処理時間：５［ｍｉｎ］ ２）オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませない場合 ・圧力：９８０．７［ｋＰａ］ ・ウエハ温度：８０［℃］ ・水蒸気温度：１２４［℃］ ・処理時間：５［ｍｉｎ］ 前記条件で実験を行ったところ、図９に示すような結果
が得られた。
【００７３】例えば、アルミニウム（Ａｌ）において
は、オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合のエッチ
ングレートが３６．３８［Å／ｍｉｎ］であったが、オ
ゾンガスのみの場合は、殆どエッチングされず、−１．
０６［Å／ｍｉｎ］であった。また、銅（Ｃｕ）におい
ては、オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合のエッ
チングレートは１００［Å／ｍｉｎ］以上であったが、
オゾンガスのみの場合は、２２．２８［Å／ｍｉｎ］で
あった。また、タングステン（Ｗ）の場合のエッチング
レートは４５．８２［Å／ｍｉｎ］であったが、オゾン
ガスのみの場合は、３．３２［Å／ｍｉｎ］であった。
は、オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合のエッチ
ングレートが３６．３８［Å／ｍｉｎ］であったが、オ
ゾンガスのみの場合は、殆どエッチングされず、−１．
０６［Å／ｍｉｎ］であった。また、銅（Ｃｕ）におい
ては、オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含ませた場合のエッ
チングレートは１００［Å／ｍｉｎ］以上であったが、
オゾンガスのみの場合は、２２．２８［Å／ｍｉｎ］で
あった。また、タングステン（Ｗ）の場合のエッチング
レートは４５．８２［Å／ｍｉｎ］であったが、オゾン
ガスのみの場合は、３．３２［Å／ｍｉｎ］であった。
【００７４】前記実験の結果、オゾンガスに窒素
（Ｎ２）を含ませた場合、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）やタングステン（Ｗ）等の金属が大幅にエッチ
ングできることが判った。したがって、窒素（Ｎ２）の
含有量すなわち圧力、温度等の条件を適宜変える（制
御）ことにより、前記金属のエッチング量を制御するこ
とができる。
（Ｎ２）を含ませた場合、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）やタングステン（Ｗ）等の金属が大幅にエッチ
ングできることが判った。したがって、窒素（Ｎ２）の
含有量すなわち圧力、温度等の条件を適宜変える（制
御）ことにより、前記金属のエッチング量を制御するこ
とができる。
【００７５】◎実施例２ オゾンガス中の窒素（Ｎ２）の添加量（含有量）による
レジスト除去処理における処理前と処理後のケミカル酸
化膜の成長量を調べるために、以下の条件で実験を行っ
た。
レジスト除去処理における処理前と処理後のケミカル酸
化膜の成長量を調べるために、以下の条件で実験を行っ
た。
【００７６】実験条件 オゾンガス：１０リットル／分（Ｎ2添加１０％、Ｎ2無
添加４％） 水蒸気：１２０℃ ウエハ温度：９０℃ 圧力：０．０５ＭＰａ（大気圧０．１ＭＰａで零調整） オゾンガス／水蒸気の供給時間：５分 Ｎ2供給量：０．０８リットル／分 前記条件で実験を行ったところ、表１に示すような結果
が得られた。
添加４％） 水蒸気：１２０℃ ウエハ温度：９０℃ 圧力：０．０５ＭＰａ（大気圧０．１ＭＰａで零調整） オゾンガス／水蒸気の供給時間：５分 Ｎ2供給量：０．０８リットル／分 前記条件で実験を行ったところ、表１に示すような結果
が得られた。
【００７７】
【表１】
【００７８】前記実験の結果、Ｎ2添加入りオゾンガス
（Ｏ3濃度１０％）でレジスト除去処理を行う場合で
は、処理前の酸化膜の膜厚が３．３５Åであったが、処
理後の酸化膜の膜厚は１６．９０Åであり、酸化膜の成
長量が１３．５５Åであった。これに対し、Ｎ2無添加
のオゾンガス（Ｏ3濃度４％）でレジスト除去処理を行
う場合では、処理前の酸化膜の膜厚が３．７０Åであ
り、処理後の酸化膜の膜厚は１１．２３Åであり、酸化
膜の成長量が７．５４Åであった。
（Ｏ3濃度１０％）でレジスト除去処理を行う場合で
は、処理前の酸化膜の膜厚が３．３５Åであったが、処
理後の酸化膜の膜厚は１６．９０Åであり、酸化膜の成
長量が１３．５５Åであった。これに対し、Ｎ2無添加
のオゾンガス（Ｏ3濃度４％）でレジスト除去処理を行
う場合では、処理前の酸化膜の膜厚が３．７０Åであ
り、処理後の酸化膜の膜厚は１１．２３Åであり、酸化
膜の成長量が７．５４Åであった。
【００７９】したがって、Ｎ2無添加のオゾンガスでレ
ジスト除去処理を行うことにより、Ｎ2添加入りオゾン
ガスでレジスト除去処理を行う場合に比べて、酸化膜の
成長量を１３．５５−７．５４＝６．０１（Å）抑制で
きることが判った。
ジスト除去処理を行うことにより、Ｎ2添加入りオゾン
ガスでレジスト除去処理を行う場合に比べて、酸化膜の
成長量を１３．５５−７．５４＝６．０１（Å）抑制で
きることが判った。
【００８０】通常、例えば炉によって形成される図１０
（ｅ）の薄い酸化膜ＯＸ2は、１０Å〜１５Å程度が要
求されるが、上述のようにＮ2添加入りオゾンガスで処
理を行うと、処理後の酸化膜厚が１６．９０Åとなり、
要求される膜厚の最大値１５Åを超えてしまう。しか
し、Ｎ2無添加のオゾンガスで処理を行った場合、処理
後の酸化膜厚は、１１．２３Åで要求膜厚の範囲内であ
ることから、更に炉によって前記膜質が高く（密度が高
く）、かつ膜厚の均一な薄い酸化膜を形成することがで
きる。
（ｅ）の薄い酸化膜ＯＸ2は、１０Å〜１５Å程度が要
求されるが、上述のようにＮ2添加入りオゾンガスで処
理を行うと、処理後の酸化膜厚が１６．９０Åとなり、
要求される膜厚の最大値１５Åを超えてしまう。しか
し、Ｎ2無添加のオゾンガスで処理を行った場合、処理
後の酸化膜厚は、１１．２３Åで要求膜厚の範囲内であ
ることから、更に炉によって前記膜質が高く（密度が高
く）、かつ膜厚の均一な薄い酸化膜を形成することがで
きる。
【００８１】前記実験では、Ｎ2供給量が０．０８リッ
トル／分と０（零）との場合について説明したが、その
他のＮ2供給量に基づくレジスト除去処理の前後の酸化
膜の膜厚を実験により求め、また、その他の条件の実験
データ等を求め、そのデータを予め制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に記憶しておけば、レジスト除去処理に当たっ
て酸化膜の成長の抑制を任意に制御することができる。
トル／分と０（零）との場合について説明したが、その
他のＮ2供給量に基づくレジスト除去処理の前後の酸化
膜の膜厚を実験により求め、また、その他の条件の実験
データ等を求め、そのデータを予め制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に記憶しておけば、レジスト除去処理に当たっ
て酸化膜の成長の抑制を任意に制御することができる。
【００８２】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。
【００８３】１）請求項１記載の発明によれば、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して被処
理基板を処理する前に、処理容器内に処理ガスを供給し
て被処理基板の周囲雰囲気を加圧することにより、処理
容器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処
理容器内を予備加圧することができる。したがって、被
処理基板が処理ガス以外のガス等に接触する恐れがない
ので、金属汚染やパーティクルの発生を防止することが
できる。また、次に処理容器内に供給される溶媒の蒸気
と処理ガスとの反応速度を高めて処理効率の向上を図る
ことができる。
器内に収容された被処理基板に処理ガスを供給して被処
理基板を処理する前に、処理容器内に処理ガスを供給し
て被処理基板の周囲雰囲気を加圧することにより、処理
容器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処
理容器内を予備加圧することができる。したがって、被
処理基板が処理ガス以外のガス等に接触する恐れがない
ので、金属汚染やパーティクルの発生を防止することが
できる。また、次に処理容器内に供給される溶媒の蒸気
と処理ガスとの反応速度を高めて処理効率の向上を図る
ことができる。
【００８４】２）請求項２記載の発明によれば、処理容
器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理
容器内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される
溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した
後、溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
ことにより、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸
気が結露するのを抑制することができる。したがって、
前記１）に加えて更に被処理体に液滴が付着するのを防
止することができでき、歩留まりの向上を図ることがで
きる。
器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理
容器内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される
溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した
後、溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
ことにより、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸
気が結露するのを抑制することができる。したがって、
前記１）に加えて更に被処理体に液滴が付着するのを防
止することができでき、歩留まりの向上を図ることがで
きる。
【００８５】３）請求項３記載の発明によれば、処理容
器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理
容器内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される
溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した
後、溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
ことにより、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸
気が結露するのを抑制し、その後、基ガスの供給を停止
すると共に、処理容器内の雰囲気ガスを排気することが
できる。したがって、前記１）、２）に加えて更に被処
理基板に金属汚染やパーティクルを発生させることな
く、溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を連続的
に処理することができ、処理効率の向上を図ることがで
きる。
器内の雰囲気を処理ガス雰囲気に置換すると共に、処理
容器内を予備加圧した状態で、処理容器内に供給される
溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を処理した
後、溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
ことにより、処理容器内の急激な減圧を抑制して溶媒蒸
気が結露するのを抑制し、その後、基ガスの供給を停止
すると共に、処理容器内の雰囲気ガスを排気することが
できる。したがって、前記１）、２）に加えて更に被処
理基板に金属汚染やパーティクルを発生させることな
く、溶媒の蒸気と処理ガスによって被処理基板を連続的
に処理することができ、処理効率の向上を図ることがで
きる。
【００８６】４）請求項４，５記載の発明によれば、処
理容器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定
の温度に調整することにより、被処理基板を所定温度に
温度調整した後、被処理基板に溶媒の蒸気を供給するこ
とができるので、前記１）〜３）に加えて被処理基板の
表面に確実に高密度の溶媒分子の層を形成することがで
き、反応物質量を多量に発生させて処理効率の向上を図
ることができる。
理容器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板を所定
の温度に調整することにより、被処理基板を所定温度に
温度調整した後、被処理基板に溶媒の蒸気を供給するこ
とができるので、前記１）〜３）に加えて被処理基板の
表面に確実に高密度の溶媒分子の層を形成することがで
き、反応物質量を多量に発生させて処理効率の向上を図
ることができる。
【００８７】５）請求項６，８，９記載の発明によれ
ば、処理容器内に収容された被処理基板に溶媒蒸気とオ
ゾンガスを供給して被処理基板を処理する前に、処理容
器内にオゾンガスを供給して被処理基板の周囲雰囲気を
加圧することにより、処理容器内の雰囲気をオゾンガス
雰囲気に置換すると共に、処理容器内を予備加圧するこ
とができる。したがって、被処理基板がオゾンガス以外
のガス等に接触する恐れがないので、金属汚染やパーテ
ィクルの発生を防止することができる。また、次に処理
容器内に供給される溶媒の蒸気とオゾンガスとの反応速
度を高めて処理効率の向上を図ることができる。更に
は、窒素ガスの供給量を制御することにより、金属のエ
ッチング量を制御することができる。したがって、配線
工程を有さない被処理基板の処理に好適である。更に、
窒素ガスの供給量を抑制することにより、被処理基板の
表面に形成される酸化膜の成長を抑制することができ
る。したがって、金属配線の有無にかかわらずパーティ
クルやコンタミネーションの発生を防止することができ
ると共に、薄い酸化膜を形成する場合の膜厚の均一化及
び膜質の向上を図ることができる。
ば、処理容器内に収容された被処理基板に溶媒蒸気とオ
ゾンガスを供給して被処理基板を処理する前に、処理容
器内にオゾンガスを供給して被処理基板の周囲雰囲気を
加圧することにより、処理容器内の雰囲気をオゾンガス
雰囲気に置換すると共に、処理容器内を予備加圧するこ
とができる。したがって、被処理基板がオゾンガス以外
のガス等に接触する恐れがないので、金属汚染やパーテ
ィクルの発生を防止することができる。また、次に処理
容器内に供給される溶媒の蒸気とオゾンガスとの反応速
度を高めて処理効率の向上を図ることができる。更に
は、窒素ガスの供給量を制御することにより、金属のエ
ッチング量を制御することができる。したがって、配線
工程を有さない被処理基板の処理に好適である。更に、
窒素ガスの供給量を抑制することにより、被処理基板の
表面に形成される酸化膜の成長を抑制することができ
る。したがって、金属配線の有無にかかわらずパーティ
クルやコンタミネーションの発生を防止することができ
ると共に、薄い酸化膜を形成する場合の膜厚の均一化及
び膜質の向上を図ることができる。
【図１】この発明に係る基板処理装置の第一実施形態を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】第一実施形態の基板処理装置の要部を示すもの
で、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供給し
た状態を示す断面図である。
で、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供給し
た状態を示す断面図である。
【図３】この発明におけるウエハガイドを示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】処理容器内のウエハにホットエアを供給した状
態を示す概略断面図である。
態を示す概略断面図である。
【図５】処理容器内のウエハにオゾンガスを供給した予
備加圧の状態を示す概略断面図である。
備加圧の状態を示す概略断面図である。
【図６】処理容器内のウエハに酸素ガスを供給した状態
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図７】処理容器内の雰囲気ガスを排気した状態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図８】この発明に係る基板処理装置の第二実施形態の
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図９】オゾンガスに窒素（Ｎ２）を含む場合と含まな
い場合のアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングス
テン（Ｗ）のエッチングレートを示すグラフである。
い場合のアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングス
テン（Ｗ）のエッチングレートを示すグラフである。
【図１０】ウエハの処理工程の一例を説明する概略断面
図である。
図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １０ 処理容器 ３０ 水蒸気供給手段 ３４ 水蒸気供給管路 ３６ 開閉弁 ４０，４０Ａ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手
段） ４１ オゾンガス生成手段 ４８ スイッチ ４９ 開閉弁 ５０ 内部排気手段 ７０ エア供給手段 ７２ ホットエアジェネレータ ７３ ホットエア供給管路 ７６ 開閉弁 ９０ 排液手段 ９２ 開閉弁 ２００ 酸素供給管路 ２０１ 窒素供給管路 ２０２，２０２Ａ 流量調整弁 ２０３ 窒素供給管路
段） ４１ オゾンガス生成手段 ４８ スイッチ ４９ 開閉弁 ５０ 内部排気手段 ７０ エア供給手段 ７２ ホットエアジェネレータ ７３ ホットエア供給管路 ７６ 開閉弁 ９０ 排液手段 ９２ 開閉弁 ２００ 酸素供給管路 ２０１ 窒素供給管路 ２０２，２０２Ａ 流量調整弁 ２０３ 窒素供給管路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ａ 21/3065 21/302 Ｈ 21/306 Ｐ (72)発明者 飯野 正 東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送 センター東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA01 3B116 AA02 AA03 BB11 BB82 BB90 CA00 CD11 5F004 BA19 BB19 BC07 BD01 CA02 DA26 DA27 DB26 DB27 EA34 5F046 MA13
Claims (10)
- 【請求項１】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板に処理ガスを供給して、被処理基板を処理する基
板処理方法であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基
板の周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給すると共に、前記処
理ガスを供給する工程と、を有することを特徴とする基
板処理方法。 - 【請求項２】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板に処理ガスを供給して、被処理基板を処理する基
板処理方法であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基
板の周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給すると共に、前記処
理ガスを供給する工程と、 前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項３】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板に処理ガスを供給して、被処理基板を処理する基
板処理方法であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記被処理基
板の周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給すると共に、前記処
理ガスを供給する工程と、 前記溶媒の蒸気の供給を停止すると共に、処理ガスの生
成を停止し、処理ガスの基ガスを処理容器内に供給する
工程と、 前記基ガスの供給を停止すると共に、処理容器内の雰囲
気ガスを排気する工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
板処理方法において、 前記処理容器内に処理ガスを供給する前に、被処理基板
を所定の温度に調整する工程を有することを特徴とする
基板処理方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の基板処理方法において、 前記被処理基板を所定の温度に調整する工程の際に、被
処理基板に温度調整された気体を供給することを特徴と
する基板処理方法。 - 【請求項６】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板にオゾンガスを供給して、被処理基板を処理する
基板処理方法であって、 前記処理容器内に前記オゾンガスを供給して前記被処理
基板の周囲雰囲気を加圧する工程と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給すると共に、前記オ
ゾンガスを供給する工程と、を有し、 前記被処理基板を処理する工程の際に、前記処理容器内
に窒素ガスを供給すると共に、該窒素ガスの供給量を制
御することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の基
板処理方法において、 上記被処理基板は、金属の配線がされている半導体基板
であることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項８】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板にオゾンガスを供給して、被処理基板を処理する
基板処理装置であって、 前記処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給
手段と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手
段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス及び溶媒蒸気の
供給を制御する供給制御手段と、 前記処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段
と、 前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガス
制御手段と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 密閉された処理容器内に収容された被処
理基板にオゾンガスを供給して、被処理基板を処理する
基板処理装置であって、 前記処理容器内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給
手段と、 前記処理容器内に溶媒の蒸気を供給する溶媒蒸気供給手
段と、 前記処理容器内に供給されるオゾンガス及び溶媒蒸気の
供給を制御する供給制御手段と、 前記処理容器内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段
と、 前記窒素ガス供給手段の窒素ガス量を制御する窒素ガス
制御手段と、 前記処理容器内の雰囲気を排気する排気手段と、 前記排気手段の排気量を調整する排気量調整手段と、を
具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１０】 請求項８又は９記載の基板処理装置に
おいて、 前記オゾンガス供給手段を構成するオゾンガス生成手段
の作動又は停止によりオゾンガス又はオゾンガスの基ガ
スを供給可能に形成してなることを特徴とする基板処理
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041482A JP4014127B2 (ja) | 2000-10-04 | 2001-02-19 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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| US09/971,136 US6817368B2 (en) | 2000-10-04 | 2001-10-03 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US10/957,003 US7410543B2 (en) | 2000-10-04 | 2004-10-01 | Substrate processing method |
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|---|---|---|---|
| JP2000-304375 | 2000-10-04 | ||
| JP2000304375 | 2000-10-04 | ||
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|---|---|
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| JP2002184741A5 JP2002184741A5 (ja) | 2005-03-17 |
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|---|---|---|---|
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