JPH04125927A - 基板洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄方法Info
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- JPH04125927A JPH04125927A JP24612490A JP24612490A JPH04125927A JP H04125927 A JPH04125927 A JP H04125927A JP 24612490 A JP24612490 A JP 24612490A JP 24612490 A JP24612490 A JP 24612490A JP H04125927 A JPH04125927 A JP H04125927A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板洗浄方法に係り、特にオゾンと硫酸を用いて半導体
ウェハを洗浄する方法に関し、一定条件下に管理された
基板洗浄方法を提供することを目的とし、 オゾン含有雰囲気内に所定処理温度に加熱された被洗浄
基板を配設し、該被洗浄基板面を前記オゾンと反応させ
る工程、及び前記被洗浄基板面に熱硫酸あるいはオゾン
含有水添加熱硫酸を噴射する工程を含むこと、及び熱硫
酸と微少オゾン含有水とを洗浄液として洗浄槽に供給し
ながら、前記洗浄液内に被洗浄基板を配設することを構
成とする。
ウェハを洗浄する方法に関し、一定条件下に管理された
基板洗浄方法を提供することを目的とし、 オゾン含有雰囲気内に所定処理温度に加熱された被洗浄
基板を配設し、該被洗浄基板面を前記オゾンと反応させ
る工程、及び前記被洗浄基板面に熱硫酸あるいはオゾン
含有水添加熱硫酸を噴射する工程を含むこと、及び熱硫
酸と微少オゾン含有水とを洗浄液として洗浄槽に供給し
ながら、前記洗浄液内に被洗浄基板を配設することを構
成とする。
本発明は基板洗浄方法に係り、特にオゾンと硫酸を用い
て半導体ウェハを洗浄する方法に関するものである。
て半導体ウェハを洗浄する方法に関するものである。
従来、半導体装置を製造する工程において、半導体基板
（例えばシリコンウェハ）を硫酸と過酸化水素との混合
液からなる洗浄液によって洗浄する方法が知られている
。
（例えばシリコンウェハ）を硫酸と過酸化水素との混合
液からなる洗浄液によって洗浄する方法が知られている
。
過酸化水素は攪拌や循環等の外力に対して自己分解活性
が高く混合薬液の純度や液温等に影響を与え、洗浄され
るウェハの清浄度が低下した。また自己分解活性によっ
て不足した過酸化水素を補給した際にその混合薬液の濃
度管理に問題があった。従って常に一定条件下に管理さ
れた処理薬液（洗浄液）を保有することが出来ず、薬液
を頻繁に取り替えなければならないために長い調整時間
と多量の薬液を消費していた。
が高く混合薬液の純度や液温等に影響を与え、洗浄され
るウェハの清浄度が低下した。また自己分解活性によっ
て不足した過酸化水素を補給した際にその混合薬液の濃
度管理に問題があった。従って常に一定条件下に管理さ
れた処理薬液（洗浄液）を保有することが出来ず、薬液
を頻繁に取り替えなければならないために長い調整時間
と多量の薬液を消費していた。
本発明は一定条件下に管理された基板洗浄方法を提供す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
上課題は本発明によればオゾン含有雰囲気内に所定処理
温度に加熱された被洗浄基板を配設し、該被洗浄基板面
を前記オゾンと反応させる工程、及び 前記被洗浄基板面に熱硫酸あるいはオゾン含有水添加熱
硫酸を噴射する工程を含むことを特徴とする基板洗浄方
法によって解決される。
温度に加熱された被洗浄基板を配設し、該被洗浄基板面
を前記オゾンと反応させる工程、及び 前記被洗浄基板面に熱硫酸あるいはオゾン含有水添加熱
硫酸を噴射する工程を含むことを特徴とする基板洗浄方
法によって解決される。
本発明では上記オゾン含有雰囲気中のオゾン含有率が３
０重量％以下であることが微量の有機物との接触による
爆発の可能性の理由から好ましい。
０重量％以下であることが微量の有機物との接触による
爆発の可能性の理由から好ましい。
更に上課題は本発明によれば、熱硫酸と微少オゾン含有
水とを洗浄液として洗浄槽に供給しながら、前記洗浄液
内に被洗浄基板を配設することを特徴とする基板洗浄方
法によって解決される。
水とを洗浄液として洗浄槽に供給しながら、前記洗浄液
内に被洗浄基板を配設することを特徴とする基板洗浄方
法によって解決される。
本発明で用いる基板としてはシリコンウェハ等がよく用
いられる。
いられる。
本発明で使用された熱硫酸は循環経路内のフィルターに
より濾過され濃度調整後、再利用される。
より濾過され濃度調整後、再利用される。
本発明によれば処理槽内でのウェハの周囲をオゾンが常
に存在している状態であり、更に処理１内は洗浄処理に
用いられる温度に維持している為、ウェハ表面の有機物
を酸化し又外部からの汚染物から切り離れている状態で
常に一定条件の表面状態を維持するウェハが得られる。
に存在している状態であり、更に処理１内は洗浄処理に
用いられる温度に維持している為、ウェハ表面の有機物
を酸化し又外部からの汚染物から切り離れている状態で
常に一定条件の表面状態を維持するウェハが得られる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図において、３０重量％以下のオゾン（０３）雰囲
気１内の石英洗浄処理槽２にヒーター３によって約１２
０℃に予熱された複数のウェハ４（−枚のみ示す）を配
置し、オゾン独自の有機物酸化能力（酸素ラジカル）に
よりウェハ表面上の有機物の酸化を促進する。その後、
オゾンの雰囲気濃度が数重量％以下迄消費された時点で
ウェハ４間のは１゛中央に配設されたノズルから各ウェ
ハの両面に熱硫酸又はオゾン含有水添加の熱硫酸が噴霧
される。この場合熱硫酸噴射１１のためのノズルｌＯは
可動式である。
気１内の石英洗浄処理槽２にヒーター３によって約１２
０℃に予熱された複数のウェハ４（−枚のみ示す）を配
置し、オゾン独自の有機物酸化能力（酸素ラジカル）に
よりウェハ表面上の有機物の酸化を促進する。その後、
オゾンの雰囲気濃度が数重量％以下迄消費された時点で
ウェハ４間のは１゛中央に配設されたノズルから各ウェ
ハの両面に熱硫酸又はオゾン含有水添加の熱硫酸が噴霧
される。この場合熱硫酸噴射１１のためのノズルｌＯは
可動式である。
洗浄に用いられた熱硫酸、オゾン含有水等はウェハ表面
に付着していた有機物と共にポンプ５ａによって底部か
ら排出されフィルター７によって浄化される。熱硫酸槽
とフィルター７間にはオゾン含有水槽６が、そしてフィ
ルター７とポンプ５ｂの間には熱硫酸槽８が設けられて
いる。
に付着していた有機物と共にポンプ５ａによって底部か
ら排出されフィルター７によって浄化される。熱硫酸槽
とフィルター７間にはオゾン含有水槽６が、そしてフィ
ルター７とポンプ５ｂの間には熱硫酸槽８が設けられて
いる。
第２図は、本発明の他の実施例を説明するための模式図
である。
である。
第２図には熱硫酸とオゾン含有水の混合液（洗浄液）１
２を収容した石英からなる洗浄処理槽２が示されている
。
２を収容した石英からなる洗浄処理槽２が示されている
。
３は洗浄液加熱用ヒータ、５は洗浄液を循環させるため
のポンプ、５は洗浄によって落された有機物粒子等を濾
過するためのフィルター、６はオゾン含有水槽である。
のポンプ、５は洗浄によって落された有機物粒子等を濾
過するためのフィルター、６はオゾン含有水槽である。
ウェハ洗浄処理槽１は約２！Ｍの洗浄液が収容されてお
りその内部にウェハ４を浸漬して洗浄される。ウェハに
付着しているごみ、例えば有機物は約１２０℃に加熱さ
れた硫酸とオゾンとの反応で生じた炭化オゾン分解酸素
ラジカルでＣＤに変換され除去される。万一有機物が残
存しても循環系内のフィルター７によって捕獲された。
りその内部にウェハ４を浸漬して洗浄される。ウェハに
付着しているごみ、例えば有機物は約１２０℃に加熱さ
れた硫酸とオゾンとの反応で生じた炭化オゾン分解酸素
ラジカルでＣＤに変換され除去される。万一有機物が残
存しても循環系内のフィルター７によって捕獲された。
本実施例では微少オゾン供給を水と共にすなわちオゾン
含有水の形態をとって行い、硫酸から蒸発消失する水分
の補給を行うことが可能となり一定の硫酸濃度約９６％
を保持できた。
含有水の形態をとって行い、硫酸から蒸発消失する水分
の補給を行うことが可能となり一定の硫酸濃度約９６％
を保持できた。
以上説明した様に本発明によれば、ユースポイント内で
ウェハの周囲はオゾンが常に存在している状態である為
、ウェハ表面の有機物の酸化と促進と外部からの汚染を
断っている状態であり、常に一定条件の表面を持つウェ
ハを得ることができる。
ウェハの周囲はオゾンが常に存在している状態である為
、ウェハ表面の有機物の酸化と促進と外部からの汚染を
断っている状態であり、常に一定条件の表面を持つウェ
ハを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図であり、第２図
は本発明の他の実施例を示す模式図である。 ｌ・・・オゾン雰囲気、 ２・・・洗浄処理槽、３
・・・ヒーター、 ４・・・ウェハ、５ａ、
５ｂ・・・ポンプ、 ６・・・オゾン含有水槽、７
・・・フィルター ８・・・熱硫酸。 第 図
は本発明の他の実施例を示す模式図である。 ｌ・・・オゾン雰囲気、 ２・・・洗浄処理槽、３
・・・ヒーター、 ４・・・ウェハ、５ａ、
５ｂ・・・ポンプ、 ６・・・オゾン含有水槽、７
・・・フィルター ８・・・熱硫酸。 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、オゾン含有雰囲気内に所定処理温度に加熱された被
洗浄基板を配設し、該被洗浄基板面を前記オゾンと反応
させる工程、及び 前記被洗浄基板面に熱硫酸あるいはオゾン含有水添加の
熱硫酸を噴射する工程を含むことを特徴とする基板洗浄
方法。 ２、前記オゾン含有雰囲気中のオゾン含有率が３０重量
％以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。 ３、熱硫酸と微少オゾン含有水とを洗浄液として洗浄槽
に供給しながら、前記洗浄液内に被洗浄基板を配設する
ことを特徴とする基板洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24612490A JPH04125927A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 基板洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24612490A JPH04125927A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 基板洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125927A true JPH04125927A (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=17143841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24612490A Pending JPH04125927A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 基板洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125927A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042013A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Fsi International Inc. | A process for photoresist removal |
| EP1063685A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photoresist film removing method and device therefor |
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| KR100396379B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2003-09-02 | 아남반도체 주식회사 | 오존을 이용한 습식 세정장비 |
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| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| KR100524399B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2005-10-28 | 에이펫(주) | 혼합 세정액 제조 장치 및 이를 이용한 혼합 세정액 제조방법 |
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| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US8253818B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Pixel shift type imaging device |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24612490A patent/JPH04125927A/ja active Pending
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