JPH05152274A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05152274A JPH05152274A JP31292491A JP31292491A JPH05152274A JP H05152274 A JPH05152274 A JP H05152274A JP 31292491 A JP31292491 A JP 31292491A JP 31292491 A JP31292491 A JP 31292491A JP H05152274 A JPH05152274 A JP H05152274A
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- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】過酸化水素を含む洗浄液において、洗浄液中に
生ずる酸素の気泡を洗浄液系外に放出し、基板上への気
泡の付着を防ぎ、より効果的に半導体基板の洗浄を行う
洗浄方法を提供することにある。 【構成】上記目的は、半導体基板を洗浄するに際し、洗
浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を下げることを特徴とす
る半導体基板の洗浄方法により達成される。
生ずる酸素の気泡を洗浄液系外に放出し、基板上への気
泡の付着を防ぎ、より効果的に半導体基板の洗浄を行う
洗浄方法を提供することにある。 【構成】上記目的は、半導体基板を洗浄するに際し、洗
浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を下げることを特徴とす
る半導体基板の洗浄方法により達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の洗浄方法
に関し、特に、洗浄液中に過酸化水素を含む洗浄液を用
いた半導体基板の洗浄方法に関する。
に関し、特に、洗浄液中に過酸化水素を含む洗浄液を用
いた半導体基板の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体基板の洗浄方法とし
て、洗浄液が塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）−過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）−過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）等、洗浄液中に過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を
含む洗浄液により洗浄する方法が用いられている。
て、洗浄液が塩酸（ＨＣｌ）−過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）−過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）−過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）等、洗浄液中に過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を
含む洗浄液により洗浄する方法が用いられている。
【０００３】この様な洗浄液中での過酸化水素は、半導
体基板表面の金属または有機物等の汚染物を洗浄液中の
酸またはアルカリとの相互作用により、溶解、除去する
と同時に、過酸化水素の分解によって生じた活性酸素
（Ｏ）が基板表面を酸化することにより、酸化膜を形成
し、洗浄液中に溶解している金属等が基板表面に再付着
することを防ぐ働きがあるとされている。
体基板表面の金属または有機物等の汚染物を洗浄液中の
酸またはアルカリとの相互作用により、溶解、除去する
と同時に、過酸化水素の分解によって生じた活性酸素
（Ｏ）が基板表面を酸化することにより、酸化膜を形成
し、洗浄液中に溶解している金属等が基板表面に再付着
することを防ぐ働きがあるとされている。
【０００４】したがって、洗浄効果を高めるためには、
過酸化水素より生じた活性酸素が常に基板表面に適量供
給されている状態を保つことが望ましい。
過酸化水素より生じた活性酸素が常に基板表面に適量供
給されている状態を保つことが望ましい。
【０００５】しかしながら、洗浄液中の過剰の活性酸素
は、活性酸素どうしが結付き酸素（Ｏ2 ）と成り気泡を
生ずる。この気泡が、基板表面に付着するとなかなか取
れず、このため気泡の付着した部分が、活性酸素の供給
が妨げられるために効果的な洗浄が行われないという問
題がある。
は、活性酸素どうしが結付き酸素（Ｏ2 ）と成り気泡を
生ずる。この気泡が、基板表面に付着するとなかなか取
れず、このため気泡の付着した部分が、活性酸素の供給
が妨げられるために効果的な洗浄が行われないという問
題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、過酸化水素を含む洗浄液において、洗浄液中に
生ずる酸素の気泡を洗浄液系外に放出し、基板上への気
泡の付着を防ぎ、より効果的に半導体基板の洗浄を行う
洗浄方法を提供することにある。
目的は、過酸化水素を含む洗浄液において、洗浄液中に
生ずる酸素の気泡を洗浄液系外に放出し、基板上への気
泡の付着を防ぎ、より効果的に半導体基板の洗浄を行う
洗浄方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体基板
を洗浄するに際し、洗浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を
下げることを特徴とする半導体基板の洗浄方法により達
成される。
を洗浄するに際し、洗浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を
下げることを特徴とする半導体基板の洗浄方法により達
成される。
【０００８】
【作用】本発明は、洗浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を
下げる、すなわち、洗浄槽周囲の酸素分圧を下げること
により、過酸化水素の分解によって生じた酸素を、効率
よく洗浄液系外に放出させることができ、気泡となって
半導体基板に付着するのを防止することができるもので
ある。
下げる、すなわち、洗浄槽周囲の酸素分圧を下げること
により、過酸化水素の分解によって生じた酸素を、効率
よく洗浄液系外に放出させることができ、気泡となって
半導体基板に付着するのを防止することができるもので
ある。
【０００９】本発明において、洗浄槽周囲の酸素濃度を
下げる方法としては、洗浄槽周囲の雰囲気を不活性ガ
ス、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス
等、好ましくは経済性の点から窒素ガスにより置換する
ことによって行うことができる。
下げる方法としては、洗浄槽周囲の雰囲気を不活性ガ
ス、例えば、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス
等、好ましくは経済性の点から窒素ガスにより置換する
ことによって行うことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を一実施例により図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１１】図１は、本発明の一実施例を示す概略図で
ある。温度計、ヒーター等を供えた洗浄槽１を蓋付の洗
浄ブース２の中に設置する。そして、洗浄槽１内にアン
モニア水（ＮＨ4 ＯＨ）：過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）：
純水（Ｈ2 Ｏ）＝１：１：５（重量比）の割合で調整し
た洗浄液を入れる。この洗浄液にウェーハキャリアー５
にセットした半導体基板ウェーハ６を浸漬し、洗浄ブー
ス２の蓋を閉め、導入管３より窒素ガスを洗浄ブース２
内へ導入し、同時に排出口４から洗浄ブース２内の空気
を追い出す。洗浄中は、窒素ガスを常に流通させておく
ことにより、洗浄液から発生する酸素を洗浄系外に排出
することができる。なお、窒素ガスの流通は、半導体基
板を洗浄液に浸漬する前から行っていても差し支えな
い。
ある。温度計、ヒーター等を供えた洗浄槽１を蓋付の洗
浄ブース２の中に設置する。そして、洗浄槽１内にアン
モニア水（ＮＨ4 ＯＨ）：過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）：
純水（Ｈ2 Ｏ）＝１：１：５（重量比）の割合で調整し
た洗浄液を入れる。この洗浄液にウェーハキャリアー５
にセットした半導体基板ウェーハ６を浸漬し、洗浄ブー
ス２の蓋を閉め、導入管３より窒素ガスを洗浄ブース２
内へ導入し、同時に排出口４から洗浄ブース２内の空気
を追い出す。洗浄中は、窒素ガスを常に流通させておく
ことにより、洗浄液から発生する酸素を洗浄系外に排出
することができる。なお、窒素ガスの流通は、半導体基
板を洗浄液に浸漬する前から行っていても差し支えな
い。
【００１２】ここで、用いた洗浄ブースとしては、特別
に高い気密性等を有する必要はなく、通常の半導体製造
の洗浄工程等に用いられているものでよい。これは、洗
浄ブース内に窒素ガスを流通させることにより、ブース
内の酸素分圧のみを下げ、全圧は大気圧と同じに保たれ
ているので、系外からの空気（酸素）の流入は殆どない
ためである。
に高い気密性等を有する必要はなく、通常の半導体製造
の洗浄工程等に用いられているものでよい。これは、洗
浄ブース内に窒素ガスを流通させることにより、ブース
内の酸素分圧のみを下げ、全圧は大気圧と同じに保たれ
ているので、系外からの空気（酸素）の流入は殆どない
ためである。
【００１３】また、半導体装置の製造工程においてよく
用いられている、処理洗浄槽（薬品による洗浄槽）、水
洗槽、温度管理装置、薬品自動混合流入排出装置および
その他の洗浄管理のためのコンピュータ等の付いた自動
洗浄装置等においては、一般的に、洗浄装置の系内のク
リーン度を保つためにクリーンエアーが流通されてお
り、このクリーンエアーの代りに窒素ガス等を流通させ
ることによっても本発明を実施することができる。
用いられている、処理洗浄槽（薬品による洗浄槽）、水
洗槽、温度管理装置、薬品自動混合流入排出装置および
その他の洗浄管理のためのコンピュータ等の付いた自動
洗浄装置等においては、一般的に、洗浄装置の系内のク
リーン度を保つためにクリーンエアーが流通されてお
り、このクリーンエアーの代りに窒素ガス等を流通させ
ることによっても本発明を実施することができる。
【００１４】上記実施例においては、洗浄液として、ア
ンモニア水−過酸化水素−水系の洗浄液を用いたが、本
発明は、この他に、例えば、塩酸−過酸化水素系、硫酸
−過酸化水素系、酢酸またはギ酸−過酸化水素系等の過
酸化水素を含む洗浄液を用いる半導体基板や半導体装置
の洗浄に適応することができ、必要により洗浄液を加熱
したものであってもよい。また、洗浄液中に、オゾン等
のガスを導入した洗浄方法等にも適応することができ
る。
ンモニア水−過酸化水素−水系の洗浄液を用いたが、本
発明は、この他に、例えば、塩酸−過酸化水素系、硫酸
−過酸化水素系、酢酸またはギ酸−過酸化水素系等の過
酸化水素を含む洗浄液を用いる半導体基板や半導体装置
の洗浄に適応することができ、必要により洗浄液を加熱
したものであってもよい。また、洗浄液中に、オゾン等
のガスを導入した洗浄方法等にも適応することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】上述したように、洗浄液中に過酸化水素
を含む洗浄液により洗浄する方法において、本発明の洗
浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を下げることを特徴とす
る半導体基板の洗浄方法によって、半導体基板表面に酸
素の気泡が付着することがなくなり、半導体基板を効果
的に、かつむらなく洗浄することができる。
を含む洗浄液により洗浄する方法において、本発明の洗
浄槽周囲の雰囲気中の酸素濃度を下げることを特徴とす
る半導体基板の洗浄方法によって、半導体基板表面に酸
素の気泡が付着することがなくなり、半導体基板を効果
的に、かつむらなく洗浄することができる。
【図１】 本発明の一実施例を示す概略図である。
【符号の説明】 １…洗浄槽、 ２…洗浄ブース、 ３…導入管、 ４…排出口、 ５…ウェーハキャリアー、 ６…半導体基板（ウェーハ）。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽周
囲の雰囲気中の酸素濃度を下げることを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31292491A JPH05152274A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31292491A JPH05152274A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152274A true JPH05152274A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18035112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31292491A Withdrawn JPH05152274A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195632A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 塩酸過水を用いた洗浄方法 |
| US9537026B2 (en) | 2013-06-24 | 2017-01-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing solar-power-generator substrate and apparatus for manufacturing solar-power-generator substrate |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31292491A patent/JPH05152274A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195632A (ja) * | 1997-12-29 | 1999-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 塩酸過水を用いた洗浄方法 |
| US9537026B2 (en) | 2013-06-24 | 2017-01-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing solar-power-generator substrate and apparatus for manufacturing solar-power-generator substrate |
| JPWO2014208353A1 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-02-23 | 三菱電機株式会社 | 太陽光発電装置用基板の製造方法および太陽光発電装置用基板の製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |