JP5405042B2 - エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 - Google Patents
エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5405042B2 JP5405042B2 JP2008111575A JP2008111575A JP5405042B2 JP 5405042 B2 JP5405042 B2 JP 5405042B2 JP 2008111575 A JP2008111575 A JP 2008111575A JP 2008111575 A JP2008111575 A JP 2008111575A JP 5405042 B2 JP5405042 B2 JP 5405042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- etching solution
- solution
- etching
- acid concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D21/00—Control of chemical or physico-chemical variables, e.g. pH value
- G05D21/02—Control of chemical or physico-chemical variables, e.g. pH value characterised by the use of electric means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
本発明者は、実験により、硝酸、燐酸、さらには酢酸が共存する場合、硝酸濃度の希釈水溶液の導電率、硝酸濃度の吸光度、水分濃度の吸光度、燐酸濃度の吸光度、燐酸濃度の密度の測定値は、それぞれ一つの成分だけに感応するわけではなく、相互に相関するので、重回帰分析によらなければより正確な濃度を求められないことを知見した。
Claims (10)
- アルミニウム膜用エッチング液を調合する調合槽と、前記調合槽に接続された管路と、前記管路へ前記エッチング液または前記エッチング液の調合に使用される液を送るポンプとを備え、前記管路によりエッチング装置に接続されたエッチング液調合装置において、
前記調合槽内のエッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を導電率計で検出することにより前記希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間の直線関係に基づいて得られた前記エッチング液の硝酸濃度または前記エッチング液の吸光度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて吸光光度計で検出することにより得られた前記エッチング液の硝酸濃度に基づきその硝酸濃度が所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液または純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する硝酸濃度検出・液補給手段と、
前記エッチング液の吸光度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて吸光光度計で検出することにより得られた前記エッチング液の水分濃度に基づきその水分濃度が所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液または純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する水分濃度検出・液補給手段と、
前記エッチング液の吸光度を近赤外線領域のうち特定の測定波長を用いて吸光光度計で検出することにより前記特定の測定波長を用いて測定した前記エッチング液の吸光度と燐酸濃度との間の直線関係に基づいて得られた前記エッチング液の燐酸濃度に基づきその燐酸濃度が所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液及び純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する燐酸濃度検出・液補給手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液調合装置。 - アルミニウム膜用エッチング液であって、前記エッチング液の燐酸濃度の所定の目標値を含む所定の燐酸濃度域において前記エッチング液の密度と前記エッチング液の燐酸濃度との間に直線関係があるエッチング液を調合する調合槽と、前記調合槽に接続された管路と、前記管路へ前記エッチング液または前記エッチング液の調合に使用される液を送るポンプとを備え、前記管路によりエッチング装置に接続されたエッチング液調合装置において、
前記調合槽内のエッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を導電率計で検出することにより前記希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間の直線関係に基づいて得られた前記エッチング液の硝酸濃度または前記エッチング液の吸光度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて吸光光度計で検出することにより得られた前記エッチング液の硝酸濃度に基づきその硝酸濃度が所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液または純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する硝酸濃度検出・液補給手段と、
前記エッチング液の吸光度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて吸光光度計で検出することにより得られた前記エッチング液の水分濃度に基づきその水分濃度が所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液または純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する水分濃度検出・液補給手段と、
前記エッチング液の密度を密度計で検出することにより前記エッチング液の密度と前記エッチング液の燐酸濃度との間の直線関係に基づいて得られた前記エッチング液の燐酸濃度に基づきその燐酸濃度が前記所定の目標値となるように単酸原液、混酸原液及び純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する燐酸濃度検出・液補給手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液調合装置。 - アルミニウム膜用エッチング液を調合する調合槽と、前記調合槽に接続された管路と、前記管路へ前記エッチング液または前記エッチング液の調合に使用される液を送るポンプとを備え、前記管路によりエッチング装置に接続されたエッチング液調合装置において、
前記調合槽内のエッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を検出する導電率計または前記エッチング液の硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
近赤外線領域のうち特定の測定波長を用いて測定した前記エッチング液の吸光度と直線関係にある前記エッチング液の燐酸濃度を検出する吸光光度計と、
硝酸濃度と直線関係にある前記希釈液の導電率を検出する前記導電率計の導電率値または硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、燐酸濃度と直線関係にある吸光度を近赤外線領域のうち特定の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、から多変量解析法により前記エッチング液の成分濃度を演算する成分濃度演算手段と、
単酸原液、混酸原液及び純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する液補給手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液調合装置。 - アルミニウム膜用エッチング液であって、所定の燐酸濃度域において前記エッチング液の密度と前記エッチング液の燐酸濃度との間に直線関係があるエッチング液を調合する調合槽と、前記調合槽に接続された管路と、前記管路へ前記エッチング液または前記エッチング液の調合に使用される液を送るポンプとを備え、前記管路によりエッチング装置に接続されたエッチング液調合装置において、
前記調合槽内のエッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を検出する導電率計または前記エッチング液の硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の燐酸濃度と一定の直線関係にある前記エッチング液の密度を検出する密度計と、
硝酸濃度と直線関係にある前記希釈液の導電率を検出する前記導電率計の導電率値または硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、前記エッチング液の燐酸濃度と一定の直線関係にある前記エッチング液の密度を検出する前記密度計の密度値と、から多変量解析法により前記エッチング液の成分濃度を演算する成分濃度演算手段と、
単酸原液、混酸原液及び純水の少なくとも一つを前記調合槽に補給する液補給手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング液調合装置。 - 前記エッチング液が燐酸、硝酸を含む水溶液である請求項1から4のいずれか1項に記載のエッチング液調合装置。
- 前記エッチング液が、さらに有機酸、塩酸、硫酸、過塩素酸の少なくとも1種を含む水溶液である請求項5記載のエッチング液調合装置。
- 前記有機酸が、酢酸、マロン酸である請求項6記載のエッチング液調合装置。
- 前記エッチング液調合装置が、連続調合方式である請求項1から7のいずれか1項に記載のエッチング液調合装置。
- アルミニウム膜用エッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を検出する導電率計または前記エッチング液の硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
近赤外線領域のうち特定の測定波長を用いて測定した前記エッチング液の吸光度と直線関係にある前記エッチング液の燐酸濃度を検出する吸光光度計と、
硝酸濃度と直線関係にある前記希釈液の導電率を検出する前記導電率計の導電率値または硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、燐酸濃度と直線関係にある吸光度を近赤外線領域のうち特定の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、から多変量解析法により前記エッチング液の成分濃度を演算する成分濃度演算手段と、を備えたことを特徴とするエッチング液濃度測定装置。 - アルミニウム膜用エッチング液であって、所定の燐酸濃度域において前記エッチング液の密度と前記エッチング液の燐酸濃度との間に直線関係があるエッチング液を希釈液の導電率と前記エッチング液の硝酸濃度との間に直線関係があるように純水で所定比率に希釈した希釈液の導電率を検出する導電率計または前記エッチング液の硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する吸光光度計と、
前記エッチング液の燐酸濃度と一定の直線関係にある前記エッチング液の密度を検出する密度計と、
硝酸濃度と直線関係にある前記希釈液の導電率を検出する前記導電率計の導電率値または硝酸濃度を250nmから320nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、水分濃度を1920nmから1960nmの範囲の測定波長を用いて検出する前記吸光光度計の吸光度値と、前記エッチング液の燐酸濃度と一定の直線関係にある前記エッチング液の密度を検出する前記密度計の密度値と、から多変量解析法により前記エッチング液の成分濃度を演算する成分濃度演算手段と、を備えたことを特徴とするエッチング液濃度測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008111575A JP5405042B2 (ja) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 |
KR1020090029960A KR101213108B1 (ko) | 2008-04-22 | 2009-04-07 | 에칭액 조합장치 및 에칭액 농도 측정장치 |
TW098112317A TWI454872B (zh) | 2008-04-22 | 2009-04-14 | An etching solution mixing device and an etching solution concentration measuring device |
CN2009101331960A CN101567309B (zh) | 2008-04-22 | 2009-04-15 | 蚀刻液调合装置及蚀刻液浓度测定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008111575A JP5405042B2 (ja) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009266893A JP2009266893A (ja) | 2009-11-12 |
JP5405042B2 true JP5405042B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=41283413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008111575A Expired - Fee Related JP5405042B2 (ja) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5405042B2 (ja) |
KR (1) | KR101213108B1 (ja) |
CN (1) | CN101567309B (ja) |
TW (1) | TWI454872B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5180263B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-04-10 | 倉敷紡績株式会社 | 基板処理装置 |
KR101124118B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2012-03-16 | (주)화백엔지니어링 | 컬러 센서와 전도도 센서를 포함하는 에칭액 콘트롤 장치 |
CN102169102B (zh) * | 2011-01-13 | 2014-10-01 | 福州大学 | 纳米碳材料电泳沉积液浓度监测和分析方法 |
CN102181867A (zh) * | 2011-04-11 | 2011-09-14 | 江阴市润玛电子材料有限公司 | 一种新型酸性钼铝蚀刻液和制备工艺 |
CN102534621B (zh) * | 2012-02-21 | 2013-11-13 | 上海正帆科技有限公司 | 一种酸性蚀刻液的处理方法 |
US8877084B2 (en) * | 2012-06-22 | 2014-11-04 | General Electric Company | Method for refreshing an acid bath solution |
CN102981523A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 杭州格林达化学有限公司 | 在线测定和控制铝蚀刻液中各种酸浓度的方法 |
JP6028977B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-11-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | エッチング溶液の成分濃度測定方法およびエッチング溶液の管理方法 |
JP6112450B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2017-04-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | エッチング溶液の成分濃度測定装置およびエッチング溶液管理装置 |
CN103868866B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻液浓度测量装置及方法 |
KR20160010259A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 | 고체입자 회수 제거장치, 액체 관리장치 및 에칭액 관리장치 |
CN105278566A (zh) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 株式会社平间理化研究所 | 蚀刻液管理装置、溶解金属浓度测定装置及测定方法 |
JP6284452B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2018-02-28 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 |
KR20160010257A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 | 에칭액 관리장치, 용해금속 농도 측정장치 및 용해금속 농도 측정방법 |
JP6721157B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2020-07-08 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液の成分濃度測定方法及び装置、並びに、現像液管理方法及び装置 |
KR102511986B1 (ko) * | 2015-09-02 | 2023-03-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6751326B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-09-02 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP6850650B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN109659260A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 刻蚀液处理装置 |
US11340205B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-05-24 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Systems and methods for determining concentrations of materials in solutions |
CN109923415B (zh) * | 2019-01-24 | 2021-06-22 | 香港应用科技研究院有限公司 | 用于确定溶液中物质浓度的系统和方法 |
WO2022074817A1 (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | 三菱重工業株式会社 | 分析システム及び管理システム、分析方法、並びに分析プログラム |
CN114428064B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-09-19 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种铜蚀刻液中硝酸根离子含量的检测方法 |
CN115343410B (zh) * | 2022-08-10 | 2024-06-25 | 易安爱富(武汉)科技有限公司 | 一种含高氯酸的混酸蚀刻液中酸浓度定量的测定方法 |
CN116949452B (zh) * | 2023-08-04 | 2024-03-08 | 福建天甫电子材料有限公司 | 一种铝蚀刻液的冰醋酸、硝酸及磷酸比率控制系统 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0651914B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1994-07-06 | キヤノン株式会社 | 薄膜エッチング装置 |
JPH06122982A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物 |
JP3078199B2 (ja) * | 1994-07-04 | 2000-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 濃度制御方法及びこれを利用した基板処理装置 |
JP3093975B2 (ja) * | 1996-07-02 | 2000-10-03 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離液管理装置 |
JPH11142332A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 |
JP3610858B2 (ja) | 2000-01-20 | 2005-01-19 | 住友金属工業株式会社 | 酸濃度計および酸濃度測定法 |
CN1327888A (zh) * | 2000-06-09 | 2001-12-26 | 株式会社平间理化研究所 | 基板表面处理装置 |
JP3508712B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2004-03-22 | カシオ計算機株式会社 | レジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
KR100390553B1 (ko) | 2000-12-30 | 2003-07-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법 |
JP4596109B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2010-12-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液組成物 |
JP2003086565A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 薬液モニタ装置 |
TWI245071B (en) * | 2002-04-24 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and method of etching |
JP2004137519A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Nagase & Co Ltd | エッチング液管理方法およびエッチング液管理装置 |
JP2005079212A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2005117014A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液 |
TWI235425B (en) * | 2004-05-26 | 2005-07-01 | Promos Technologies Inc | Etching system and method for treating the etching solution thereof |
JP5058560B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2012-10-24 | 株式会社平間理化研究所 | エッチング液管理装置 |
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008111575A patent/JP5405042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-07 KR KR1020090029960A patent/KR101213108B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-14 TW TW098112317A patent/TWI454872B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-04-15 CN CN2009101331960A patent/CN101567309B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101567309A (zh) | 2009-10-28 |
KR20090111765A (ko) | 2009-10-27 |
CN101567309B (zh) | 2012-10-31 |
TWI454872B (zh) | 2014-10-01 |
JP2009266893A (ja) | 2009-11-12 |
TW201003348A (en) | 2010-01-16 |
KR101213108B1 (ko) | 2012-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5405042B2 (ja) | エッチング液調合装置及びエッチング液濃度測定装置 | |
TWI435384B (zh) | Etching fluid management device | |
US7363114B2 (en) | Batch mixing method with standard deviation homogeneity monitoring | |
US6943878B2 (en) | Methods and systems for controlling the concentration of a component in a composition with absorption spectroscopy | |
JP6721157B2 (ja) | 現像液の成分濃度測定方法及び装置、並びに、現像液管理方法及び装置 | |
WO2009075885A2 (en) | Method and apparatus for plating solution analysis and control | |
KR101580451B1 (ko) | 연속식 혼합 장치를 이용한 화학 조성물 제조 장치 | |
US20180024068A1 (en) | System for analyzing online-transferred assay samples | |
TWI695236B (zh) | 顯影液之管理方法及裝置 | |
JP5522860B2 (ja) | エッチング液管理装置 | |
JP6712415B2 (ja) | 現像液管理装置 | |
KR100548112B1 (ko) | 금속 용액 자동 희석 장치 | |
JP6284452B2 (ja) | エッチング液管理装置、エッチング液管理方法、及び、エッチング液の成分濃度測定方法 | |
JP2008191159A (ja) | 比重及び成分濃度が変動する系の成分濃度分析方法、成分濃度分析装置及び成分濃度管理装置 | |
JP2010243200A (ja) | 過酸化水素含有水溶液中の過酸化水素濃度の測定方法 | |
KR20080020140A (ko) | 식각액 관리 시스템, 식각 장치 및 이에 의한 식각액 관리방법 | |
KR20180087125A (ko) | 현상액 관리 장치 | |
JP3610858B2 (ja) | 酸濃度計および酸濃度測定法 | |
TW201827950A (zh) | 顯影裝置 | |
KR20180087118A (ko) | 현상액의 성분 농도 측정 장치, 및 현상액 관리 장치 | |
JP2009213988A (ja) | 塗料の濃度制御システムおよび方法 | |
JP2023170910A (ja) | 検量線液製造システム、測定システムおよび検量線液製造方法 | |
WO2003025519A1 (en) | Method and apparatus for determining liquid flow rate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130516 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131007 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5405042 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |