CN109659260A - 刻蚀液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种刻蚀液处理装置,该装置包括药液槽,用于容纳刻蚀液,刻蚀液用于对基板进行刻蚀;承载槽,用于承载基板以及容纳刻蚀后的刻蚀液;第一药液管,一端与药液槽连接,另一端设置在基板上,第一药液管用于将药液槽中的刻蚀液传输至基板上,使刻蚀液对基板进行刻蚀;第二药液管,一端与药液槽连接,另一端与承载槽连接,第二药液管用于将刻蚀后的刻蚀液传输至药液槽中;检测模块,用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;处理模块,用于根据检测结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理。该方案通过设置检测模块和处理模块,可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。

Description

刻蚀液处理装置
技术领域
本发明涉及刻蚀技术领域,特别是涉及一种刻蚀处理装置。
背景技术
在阵列基板制程中,一般采用对基板上的金属层进行湿刻的方法,形成扫描线、栅电极等结构。
具体的,湿刻通过刻蚀液与金属层发生化学反应,刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属层。在此刻蚀过程中,光刻胶、金属可能会剥离,溶解在刻蚀液中,使刻蚀液受到污染,造成基板刻蚀不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种刻蚀液处理装置,提高了刻蚀性能以及基板的良品率。
本发明实施例提供了一种刻蚀液处理装置,包括:
药液槽,用于容纳刻蚀液,所述刻蚀液用于对基板进行刻蚀;
承载槽,所述承载槽用于承载所述基板,所述承载槽用于容纳刻蚀后的刻蚀液;
第一药液管,所述第一药液管的一端与所述药液槽连接,所述第一药液管的另一端设置在所述基板上,所述第一药液管用于将所述药液槽中的所述刻蚀液传输至所述基板上,使所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀;
第二药液管,所述第二药液管的一端与所述药液槽连接,所述第二药液管的另一端与所述承载槽连接,所述第二药液管用于将所述刻蚀后的刻蚀液传输至所述药液槽中;
检测模块,用于检测所述刻蚀液或所述刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;
处理模块,用于根据所述检测结果,对所述刻蚀液和/或所述刻蚀后的刻蚀液进行处理。
在一实施例中,所述检测模块包括:
获取子模块,用于获取所述刻蚀液的导电值;
判断子模块,用于判断所述刻蚀液的导电值是否处于第一预设导电值范围;
第一得到子模块,用于在不处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;
第二得到子模块,用于在处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的导电值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的导电值是否处于第二预设导电值范围;
所述第一得到子模块,还用于在不处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀液的压差值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀液的压差值是否大于第一预设压差值;
所述第一得到子模块,还用于在大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在不大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的压差值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的压差值是否大于第二预设压差值;
所述第一得到子模块,还用于在大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在不大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,所述药液槽上设有第一阀门;
所述处理模块用于根据所述刻蚀液受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,开启所述第一阀门,清除所述药液槽中的刻蚀液。
在一实施例中,所述药液槽和所述第一药液管之间设有泵;
所述处理模块用于根据所述刻蚀液未受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,开启所述泵,使所述药液槽中的所述刻蚀液,通过所述第一药液管传输至所述基板上。
在一实施例中,所述承载槽和所述第二药液管之间具有第二阀门;
所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,将所述第二阀门打开,使所述刻蚀后的刻蚀液经所述第二药液管传入所述药液槽。
在一实施例中,所述承载槽上设有第三阀门;
所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,打开所述第三阀门,清除所述承载槽中所述刻蚀后的刻蚀液。
在一实施例中,所述刻蚀液处理装置还包括第三药液管:
所述第三药液管连接所述第二药液管和所述药液槽,所述第三药液管用于从所述第二药液管中导流所述刻蚀后的刻蚀液;
所述检测模块与所述第三药液管连接,所述检测模块用于检测所述第二药液管中导流的所述刻蚀后的刻蚀液,得到所述刻蚀后的刻蚀液的检测结果。
在一实施例中,所述检测模块与所述承载槽连接,所述检测模块用于检测所述承载槽内的所述刻蚀后的刻蚀液,得到刻蚀后的刻蚀液的检测结果。
在一实施例中,所述检测模块与所述药液槽连接,所述检测模块用于检测所述药液槽中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。
在一实施例中,所述检测模块与所述第一药液管连接,所述检测模块用于检测所述第一药液管中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。
在一实施例中,所述刻蚀液处理装置还包括滚轮,所述滚轮设置在所述承载槽上,所述基板设置在所述滚轮上,所述滚轮用于传动所述基板。
本发明实施例的刻蚀液处理装置,通过设置检测模块和处理模块,其中检测模块用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果。处理模块根据检测模块检测到的检查结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理,可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明实施例提供的刻蚀液处理装置的第一结构示意图。
图2为本发明实施例提供的检测模块的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的刻蚀液处理装置的第二结构示意图。
图4为本发明实施例提供的刻蚀液处理装置的第三结构示意图。
图5为本发明实施例提供的刻蚀液处理装置的第四结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参照图1,图1为本发明实施例提供的刻蚀液处理装置的结构示意图。该刻蚀液处理装置1包括药液槽11、承载槽12、第一药液管13、第二药液管14、检测模块15和处理模块16。
药液槽11用于容纳刻蚀液。其中,该刻蚀液用于对基板2进行刻蚀。除去与基板2发生化学反应的一部分刻蚀液,还可以得到刻蚀后的刻蚀液。由于在化学反应的过程中,基板2上的光刻胶、金属膜层结构可能会剥落,因此该刻蚀后的刻蚀液可能会受到污染。
承载槽12用于承载上述基板2。由于在实际刻蚀过程中,会对多个基板2进行刻蚀,因此在一实施例中,该刻蚀液处理装置1还设置了滚轮21。该滚轮21设置在承载槽12上,多个基板2依次排列在该滚轮21上。随着滚轮21的滚动,其上的基板2也发生传动。
承载槽12还用于容纳刻蚀后的刻蚀液。承载槽12和第二药液管14之间还设有第二阀门19。当第二阀门19关闭时,刻蚀后的刻蚀液不会马上流入药液槽11中,即承载槽12还可以起缓存刻蚀后的刻蚀液的作用。
第一药液管13的一端与药液槽11连接,第一药液管13的另一端设置在基板2上。第一药液管13用于将药液槽11中的刻蚀液传输至基板2上,使刻蚀液对基板2进行刻蚀。其中,第一药液管13位于基板2上的部分设有多个喷嘴131,该多个喷嘴131可以对基板2不同的区域喷涂刻蚀液。
第二药液管14的一端与药液槽11连接,第二药液管14的另一端与承载槽12连接。该第二药液管14用于将刻蚀后的刻蚀液传输至药液槽11中。这样可以将刻蚀后的刻蚀液再利用,降低成本。然而,如果刻蚀后的刻蚀液受到污染,则其输入到药液槽11后会影响全部刻蚀液的纯净度,导致刻蚀效率下降,影响基板2良品率。
为了提高基板2的良品率,在本发明实施例中设置了检测模块15。该检测模块15可以用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果。
如图1所示,可以设置第三药液管22,该第三药液管22连接第二药液管14和药液槽11,该第三药液管22用于从第二药液管14中导流刻蚀后的刻蚀液,检测模块15与该第三药液管22连接,对其导流的刻蚀后的刻蚀液进行检测。如图3所示,还可以将检测模块15与承载槽12连接,以对承载槽12内的刻蚀后的刻蚀液进行检测。
如图4所示,可以将检测模块15与药液槽11连接,检测药液槽11内的刻蚀液。如图5所示,还可以将检测模块15与第一药液管13连接,以检测第一药液管13内的刻蚀液。
具体的,当刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液被光刻胶污染后,其压差值会变大。当刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液被铜、钼等金属污染后,其导电值会发生变化。综上,可以根据刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液的导电值、压差值,来判断其是否受到污染。
如图2所示,检测模块15包括获取子模块151、判断子模块152、第一得到子模块153以及第二得到子模块154。
在一实施例中,获取子模块151用于获取刻蚀液的导电值。判断子模块152用于判断刻蚀液的导电值是否处于第一预设导电值范围。第一得到子模块153用于在刻蚀液的导电值不处于第一预设导电值范围时,得到刻蚀液受到污染的检测结果。第二得到子模块154用于在刻蚀液的导电值处于第一预设导电值范围时,得到刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,获取子模块151用于获取刻蚀后的刻蚀液的导电值。判断子模块152还用于判断刻蚀后的刻蚀液的导电值是否处于第二预设导电值范围。第一得到子模块153还用于在不处于第二预设导电值范围时,得到刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果。第二得到子模块154还用于在处于第二预设导电值范围时,得到刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,获取子模块151还用于获取刻蚀液的压差值。判断子模块152还用于判断刻蚀液的压差值是否大于第一预设压差值。第一得到子模块153还用于在大于第一预设压差值时,得到刻蚀液受到污染的检测结果。第二得到子模块154还用于在不大于第一预设压差值时,得到刻蚀液未受到污染的检查结果。
在一实施例中,获取子模块151还用于获取刻蚀后的刻蚀液的压差值。判断子模块152还用于判断刻蚀后的刻蚀液的压差值是否大于第二预设压差值。第一得到子模块153还用于在大于第二预设压差值时,得到刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果。第二得到子模块154还用于在不大于第二预设压差值时,得到刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
需要说明的是,上述第一预设导电值范围、第二预设导电值范围、第一预设压差值以及第二预设压差值,可以未被污染的刻蚀液对应的导电值和压差值为基准值,进行设置,在此不作具体限定。
处理模块16用于根据上述检测结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理。以下详细描述该处理模块16根据检测结果进行处理的方式。
在一实施例中,如图1、3-5所示,药液槽11上设有第一阀门17。处理模块16用于根据刻蚀液受到污染的检测结果或刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,开启该第一阀门17,清除药液槽11中的刻蚀液,避免受污染的刻蚀液影响对基板2的刻蚀。
在一实施例中,药液槽11和第一药液管13之间设有泵18。处理模块16用于根据刻蚀液未受到污染的检测结果或刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,开启泵18,使药液槽11中的刻蚀液,通过第一药液管13传输至基板上。
在一实施例中,承载槽12和第二药液管14之间具有第二阀门19。处理模块16用于根据刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,将第二阀门19打开,使刻蚀后的刻蚀液经第二药液管14传入药液槽。这样可以有效的避免刻蚀液的浪费。
在一实施例中,承载槽12上设有第三阀门20.处理模块16,用于根据刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,打开第三阀门20,清除承载槽12中刻蚀后的刻蚀液,避免受污染的刻蚀液影响对基板2的刻蚀。
本发明实施例的刻蚀液处理装置,通过设置检测模块和处理模块,其中检测模块用于检测刻蚀液或刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果。处理模块根据检测模块检测到的检查结果,对刻蚀液和/或刻蚀后的刻蚀液进行处理,可以提高刻蚀性能以及基板的良品率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种刻蚀液处理装置,其特征在于,包括:
药液槽,用于容纳刻蚀液,所述刻蚀液用于对基板进行刻蚀;
承载槽,所述承载槽用于承载所述基板,所述承载槽用于容纳刻蚀后的刻蚀液;
第一药液管,所述第一药液管的一端与所述药液槽连接,所述第一药液管的另一端设置在所述基板上,所述第一药液管用于将所述药液槽中的所述刻蚀液传输至所述基板上,使所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀;
第二药液管,所述第二药液管的一端与所述药液槽连接,所述第二药液管的另一端与所述承载槽连接,所述第二药液管用于将所述刻蚀后的刻蚀液传输至所述药液槽中;
检测模块,用于检测所述刻蚀液或所述刻蚀后的刻蚀液是否受到污染,得到检测结果;
处理模块,用于根据所述检测结果,对所述刻蚀液和/或所述刻蚀后的刻蚀液进行处理。
2.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述检测模块包括:
获取子模块,用于获取所述刻蚀液的导电值;
判断子模块,用于判断所述刻蚀液的导电值是否处于第一预设导电值范围;
第一得到子模块,用于在不处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;
第二得到子模块,用于在处于第一预设导电值范围时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。
3.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,
所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的导电值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的导电值是否处于第二预设导电值范围;
所述第一得到子模块,还用于在不处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在处于第二预设导电值范围时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
4.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,
所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀液的压差值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀液的压差值是否大于第一预设压差值;
所述第一得到子模块,还用于在大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在不大于第一预设压差值时,得到所述刻蚀液未受到污染的检查结果。
5.根据权利要求2所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,
所述获取子模块,还用于获取所述刻蚀后的刻蚀液的压差值;
所述判断子模块,还用于判断所述刻蚀后的刻蚀液的压差值是否大于第二预设压差值;
所述第一得到子模块,还用于在大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果;
所述第二得到子模块,还用于在不大于第二预设压差值时,得到所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检查结果。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述药液槽上设有第一阀门;
所述处理模块用于根据所述刻蚀液受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,开启所述第一阀门,清除所述药液槽中的刻蚀液。
7.根据权利要求2-5任意一项所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述药液槽和所述第一药液管之间设有泵;
所述处理模块用于根据所述刻蚀液未受到污染的检测结果或所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,开启所述泵,使所述药液槽中的所述刻蚀液,通过所述第一药液管传输至所述基板上。
8.根据权利要求3或5所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述承载槽和所述第二药液管之间具有第二阀门;
所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液未受到污染的检测结果,将所述第二阀门打开,使所述刻蚀后的刻蚀液经所述第二药液管传入所述药液槽。
9.根据权利要求3或5所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述承载槽上设有第三阀门;
所述处理模块,用于根据所述刻蚀后的刻蚀液受到污染的检测结果,打开所述第三阀门,清除所述承载槽中所述刻蚀后的刻蚀液。
10.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,还包括第三药液管:
所述第三药液管连接所述第二药液管和所述药液槽,所述第三药液管用于从所述第二药液管中导流所述刻蚀后的刻蚀液;
所述检测模块与所述第三药液管连接,所述检测模块用于检测所述第二药液管中导流的所述刻蚀后的刻蚀液,得到所述刻蚀后的刻蚀液的检测结果。
11.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述检测模块与所述承载槽连接,所述检测模块用于检测所述承载槽内的所述刻蚀后的刻蚀液,得到刻蚀后的刻蚀液的检测结果。
12.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述检测模块与所述药液槽连接,所述检测模块用于检测所述药液槽中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。
13.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,所述检测模块与所述第一药液管连接,所述检测模块用于检测所述第一药液管中的所述刻蚀液,得到所述刻蚀液的检测结果。
14.根据权利要求1所述的刻蚀液处理装置,其特征在于,还包括滚轮,所述滚轮设置在所述承载槽上,所述基板设置在所述滚轮上,所述滚轮用于传动所述基板。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101170063A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 株式会社平间理化研究所 蚀刻液管理装置
CN101567309B (zh) * 2008-04-22 2012-10-31 株式会社平间理化研究所 蚀刻液调合装置及蚀刻液浓度测定装置
CN103021895A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 隆达电子股份有限公司 监测刻蚀工艺的方法
CN104538335A (zh) * 2014-12-18 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置
US20150318224A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Akrion Systems, Llc Correlation between conductivity and ph measurements for koh texturing solutions and additives
CN105742213A (zh) * 2016-03-07 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101170063A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 株式会社平间理化研究所 蚀刻液管理装置
CN101567309B (zh) * 2008-04-22 2012-10-31 株式会社平间理化研究所 蚀刻液调合装置及蚀刻液浓度测定装置
CN103021895A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 隆达电子股份有限公司 监测刻蚀工艺的方法
US20150318224A1 (en) * 2014-05-02 2015-11-05 Akrion Systems, Llc Correlation between conductivity and ph measurements for koh texturing solutions and additives
CN104538335A (zh) * 2014-12-18 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 改善铜导线制程中刻蚀药液寿命与良率的方法及铜导线刻蚀装置
CN105742213A (zh) * 2016-03-07 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法

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