KR102083287B1 - 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법 - Google Patents

초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102083287B1
KR102083287B1 KR1020190131316A KR20190131316A KR102083287B1 KR 102083287 B1 KR102083287 B1 KR 102083287B1 KR 1020190131316 A KR1020190131316 A KR 1020190131316A KR 20190131316 A KR20190131316 A KR 20190131316A KR 102083287 B1 KR102083287 B1 KR 102083287B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ultrapure water
water cleaning
cleaning liquid
cleaning solution
sampling
Prior art date
Application number
KR1020190131316A
Other languages
English (en)
Inventor
김동완
황태진
Original Assignee
(주)제이쓰리
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)제이쓰리, 한국생산기술연구원 filed Critical (주)제이쓰리
Priority to KR1020190131316A priority Critical patent/KR102083287B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102083287B1 publication Critical patent/KR102083287B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F23/00Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
    • G01F23/22Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
    • G01F23/28Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02Devices for withdrawing samples
    • G01N1/10Devices for withdrawing samples in the liquid or fluent state
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/06Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/18Water
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02ATECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A20/00Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
    • Y02A20/20Controlling water pollution; Waste water treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템은 복수의 연결 부재 중 어느 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공받으면, 상기 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 다른 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공하는 정량 펌프, 상기 정량 펌프를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받아 내부에 저장하고, 상기 내부의 샘플링 초순수 세정액의 높이가 특정 높이 이상이면 상기 샘플링 초순수 세정액 중 일부 초순수 세정액을 외부로 배수하여 내부의 상기 특정 높이에 해당하는 샘플링 초순수 세정액에 프로브가 접촉되록하는 실시간 초순수 세정액 탱크 및 상기 실시간 초순수 세정액 저장 탱크에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정하는 전기 전도도 측정 장치를 포함한다. 따라서, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 초순수 세정액에 대한 금속 이온의 오염 여부 및 오염 정도를 실시간 측정할 수 있다는 장점이 있다.

Description

초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법{SYSTEM FOR MONITORING POLLUTION OF CLEANING LIQUDE AND METHOD PERFORMING THE SAME}
본 발명은 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 초순수 세정액에 대한 금속 이온의 오염 여부 및 오염 정도를 실시간 측정할 수 있도록 하는 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 일반적으로, 웨이퍼 상에 산화막 형성 후 감광액을 도포하고, 마스크를 사용하여 노광시킴으로써 일부의 감광액을 제거한 뒤, 금속 입자를 침전(deposit)시켜 금속 패턴을 형성하고 에칭하는 등과 같은 공정들을 거쳐 제조된다.
즉 반도체 소자의 제조 공정 중에는 웨이퍼 상에 매우 다양한 물질 층이 형성되었다가 제거되는 과정이 여러 번 이루어지게 된다. 이 때, 한 공정에서 다음 공정으로 넘어가기 전에 이전 공정에서 제거되어야 하는 물질들이 웨이퍼 상에 남아있지 않도록 하기 위하여, 일반적으로 반도체 제조 공정 중에는 여러 공정들 사이에 세정 공정이 들어가는 경우가 많이 있다.
특히, 반도체 기술의 발달로 인하여 반도체 소자의 고집적화 경향이 빠르게 이루어지고 있는 바, 이전 공정에서 남은 물질 또는 외부에서 유입된 물질 등과 같은 불순물을 최대한 완벽하게 제거해야만 할 필요성 역시 증가하고 있는 실정이다.
반도체 소자는 잘 알려져 있다시피 매우 미세한 구조로 되어 있는 바, 금속 등과 같은 불순물이 미량 유입됨에 의해서도 반도체 소자의 수율이나 성능에 큰 악영향이 초래된다.
예를 들어, 절연 파괴 강도, 전기 용량, 누설 전류 등과 같은 전기적 특성이 불량해지거나, 미량의 금속이 웨이퍼 상의 실리콘 또는 실리콘 산화물과 반응을 일으킴으로써 부산물이 형성되어 소자의 열화가 초래되는 등과 같은 악영향이 발생하는 것이다. 따라서 이와 같이, 웨이퍼 상에 불순물이 남아 있지 않도록 수행되는 세정 공정의 중요성이 증가되고 있는 것이다.
한편, 세정 공정이란 세정액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정이다. 종래의 기술로는 웨이퍼 표면상의 오염물 측정 기술 또는 측정 장비로 ICP-MS(Mass Spectroscopy)를 이용하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거한 후 오염물질을 측정하는 방식이 사용되고 있다.
상기와 같이, 종래에는 웨이퍼 세정 사후 오염물 검사는 ICP-MS를 이용한 원소 분석 기술을 활용하고 있으나, 이 분석 기법은 모든 고체 시편을 전부 액체 시편으로 만들어야 하기 때문에 시편 준비가 번거롭고, 이로 인해, 측정 시간이 많이 걸리는 약점이 있다.
이와 같이, 시편 준비의 번거로움과 함께 측정 장비가 매우 고가이고, 정확한 분석을 위해서는 전문 오퍼레이터가 분석을 전담해야 하므로, 분석 가격이 비싸, 생산 현장에서는 빈번히 활용하기 어려움이 있는 현실이다.
삭제
일본공개특허 공개번호 1998-170501 (1998.6.26 공개)
반도체 소자는 일반적으로, 웨이퍼 상에 산화막 형성 후 감광액을 도포하고, 마스크를 사용하여 노광시킴으로써 일부의 감광액을 제거한 뒤, 금속 입자를 침전(deposit)시켜 금속 패턴을 형성하고 에칭하는 등과 같은 공정들을 거쳐 제조된다.
즉 반도체 소자의 제조 공정 중에는 웨이퍼 상에 매우 다양한 물질 층이 형성되었다가 제거되는 과정이 여러 번 이루어지게 된다. 이 때, 한 공정에서 다음 공정으로 넘어가기 전에 이전 공정에서 제거되어야 하는 물질들이 웨이퍼 상에 남아있지 않도록 하기 위하여, 일반적으로 반도체 제조 공정 중에는 여러 공정들 사이에 세정 공정이 들어가는 경우가 많이 있다.
특히, 반도체 기술의 발달로 인하여 반도체 소자의 고집적화 경향이 빠르게 이루어지고 있는 바, 이전 공정에서 남은 물질 또는 외부에서 유입된 물질 등과 같은 불순물을 최대한 완벽하게 제거해야만 할 필요성 역시 증가하고 있는 실정이다.
반도체 소자는 잘 알려져 있다시피 매우 미세한 구조로 되어 있는 바, 금속 등과 같은 불순물이 미량 유입됨에 의해서도 반도체 소자의 수율이나 성능에 큰 악영향이 초래된다.
예를 들어, 절연 파괴 강도, 전기 용량, 누설 전류 등과 같은 전기적 특성이 불량해지거나, 미량의 금속이 웨이퍼 상의 실리콘 또는 실리콘 산화물과 반응을 일으킴으로써 부산물이 형성되어 소자의 열화가 초래되는 등과 같은 악영향이 발생하는 것이다. 따라서 이와 같이, 웨이퍼 상에 불순물이 남아 있지 않도록 수행되는 세정 공정의 중요성이 증가되고 있는 것이다.
한편, 세정 공정이란 세정액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정이다. 종래의 기술로는 웨이퍼 표면상의 오염물 측정 기술 또는 측정 장비로 ICP-MS(Mass Spectroscopy)를 이용하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거한 후 오염물질을 측정하는 방식이 사용되고 있다.
상기와 같이, 종래에는 웨이퍼 세정 사후 오염물 검사는 ICP-MS를 이용한 원소 분석 기술을 활용하고 있으나, 이 분석 기법은 모든 고체 시편을 전부 액체 시편으로 만들어야 하기 때문에 시편 준비가 번거롭고, 이로 인해, 측정 시간이 많이 걸리는 약점이 있다.
이와 같이, 시편 준비의 번거로움과 함께 측정 장비가 매우 고가이고, 정확한 분석을 위해서는 전문 오퍼레이터가 분석을 전담해야 하므로, 분석 가격이 비싸, 생산 현장에서는 빈번히 활용하기 어려움이 있는 현실이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템은 복수의 연결 부재 중 어느 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공받으면, 상기 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 다른 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공하는 정량 펌프, 상기 정량 펌프를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받아 내부에 저장하고, 상기 내부의 샘플링 초순수 세정액의 높이가 특정 높이 이상이면 상기 샘플링 초순수 세정액 중 일부 초순수 세정액을 외부로 배수하여 내부의 샘플링 초순수 세정액이 상기 특정 높이에 해당하도록 하며 상기 특정 높이에 해당하는 샘플링 초순수 세정액에 프로브가 접촉되록하는 실시간 초순수 세정액 탱크 및 상기 실시간 초순수 세정액 저장 탱크에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정하는 전기 전도도 측정 장치를 포함한다.
또한, 이러한 목적을 달성하기 위한 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 방법은 정량 펌프가 복수의 연결 부재 중 어느 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공받는 단계, 상기 정량 펌프가 상기 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 다른 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 실시간 초순수 세정액 탱크에 제공하는 단계, 상기 실시간 초순수 세정액 탱크가 상기 정량 펌프를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받아 내부에 저장하는 단계, 상기 실시간 초순수 세정액 탱크가 상기 내부의 샘플링 초순수 세정액의 높이가 특정 높이 이상이면 상기 샘플링 초순수 세정액 중 일부 초순수 세정액을 외부로 배수하여 내부의 상기 특정 높이에 해당하는 샘플링 초순수 세정액에 프로브가 접촉되록하는 단계 및 전기 전도도 측정 장치가 상기 실시간 초순수 세정액 저장 탱크에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정하는 단계를 포함한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼의 초순수 세정액에 대한 금속 이온의 오염 여부 및 오염 정도를 실시간 측정할 수 있다는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 9-Nine 정도의 극미량 오염에 대해서도 실시간으로 오염여부를 확인할 수 있으므로 즉각적인 오염 대응 방안을 구성할 수 있다는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정할 때 전기 전도도 측정 센서에 의한 오염을 방지하기 위해서 정량 펌프를 이용하여 초순수 세정액을 샘플링하여 실시간으로 제공함으로써 초순수 세정액의 전기 전도도를 실시간으로 측정할 수 있다는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 초순수 세정액의 전기 전도도를 원격 클라우드에 저장하여 허가된 사용자가 인터넷이 연결된 곳이면 언제 어디서나 실시간으로 데이터를 모니터링할 수 있다는 장점이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 제품의 불량을 일으키는 공정상의 오류 또는 환경 변화 에 대해서 체계적이고 정량적으로 관리 분석할 수 있게 됨에 따라 제품 품질 변화를 실시간 모니터링 할 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템을 설명하기 위한 네트워크 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실시간 초순수 세정액 탱크의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실시간 초순수 세정액 탱크를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프, 실시간 초순수 세정액 탱크 및 전기 전도도 측정 장치의 실행 과정을 설명하기 위한 도면이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템은 정량 펌프(100), 실시간 초순수 세정액 탱크(200), 전기 전도도 측정 장치(300), 원격 클라우드 서버(400) 및 사용자 단말(500_1~500_2)을 포함한다.
정량 펌프(100)는 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링하여 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공한다. 본 발명에 따른 정량 펌프(100)는 1분당 최대 60ml의 초순수 세정액을 샘플링할 수 있는 펌프로 구현될 수 있다.
이와 같이, 정량 펌프(100)는 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링하여 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공하는 이유는, 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 저장된 초순수 세정액에 프로브를 접촉시킨 경우, 프로브에 의해 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 저장된 초순수 세정액이 오염될 수 있기 때문에 프로브에 의한 초순수 세정액의 오염을 방지하기 위해서이다.
상기와 같이, 정량 펌프(100)는 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링하여 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공함으로써 실시간 초순수 세정액 탱크(200)의 초순수 세정액에 접촉되는 프로브에 의한 초순수 세정액의 오염을 방지할 수 있다.
상기의 정량 펌프(100)의 구조는 이하의 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
실시간 초순수 세정액 탱크(200)는 정량 펌프(100)를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받고, 상기 샘플링 초순수 세정액을 저장하거나 일정 초순수 세정액을 외부로 배출하여 상기 제2 케이스(230)에 제공한다.
이러한 실시간 초순수 세정액 탱크(200)는 정량 펌프(100)를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받으며, 항상 샘플링 초순수 세정액이 프로브의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 샘플링 초순수 세정액 중 일부를 초순수 세정액을 배수되도록 한다.
상기와 같이, 샘플링 초순수 세정액 중 특정 높이를 초과하는 초순수 세정액이 배수되도록 함으로써 항상 샘플링 초순수 세정액이 프로브의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 한다.
상기의 실시간 초순수 세정액 탱크(200)의 구조는 이하의 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
전기 전도도 측정 장치(300)는 실시간 초순수 세정액 저장 탱크(200)에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정한 후 원격 클라우드 서버(400)에 제공한다.
원격 클라우드 서버(400)는 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템(100)로부터 초순수 세정액의 전기 전도도를 수신하여 저장한다. 따라서, 사용자 단말(500_1~500_2)이 언제, 어디서나 원격 클라우드 서버(400)에 접속하여 초순수 세정액의 전기 전도도를 확인할 수 있도록 하였다.
사용자 단말(500_1~500_2)은 원격 클라우드 서버(400)에 접속하여 원격 클라우드 서버(400)에 저장된 초순수 세정액의 전기 전도도를 확인하는 사용자가 보유하는 단말이다. 이러한 사용자 단말(500_1~500_2)은 스마트폰, 테스크탑, 노트북, PDA 등으로 구현될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 정량 펌프(100)는 바디(110), 바디(110)의 일측면에 형성된 제1 연결 부재(120) 및 바디(110)의 일측면에 형성된 제2 연결 부재(130)를 포함한다.
바디(110)는 제1 연결 부재(120)에 연결된 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)을 통해 초순수 세정액이 제공되면 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링하여 샘플링 초순수 세정액을 제2 연결 부재(130)에 연결된 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)에 제공한다.
제1 연결 부재(120)에는 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)이 연결되며, 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)은 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 바디(110)에 제공한다.
제2 연결 부재(130)에는 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)이 연결되며, 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)은 바디(110)에 의해 샘플링된 초순수 세정액 중 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공한다.
이와 같이, 정량 펌프(100)가 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)을 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받은 후에 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)을 통해 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공하는 이유는, 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 저장된 초순수 세정액에 프로브(222)를 접촉시킨 경우, 프로브(222)에 의해 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 저장된 초순수 세정액이 오염될 수 있기 때문에 프로브(222)에 의한 초순수 세정액의 오염을 방지하기 위해서이다.
상기와 같이, 정량 펌프(100)가 실시간으로 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)을 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받은 후에 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)을 통해 샘플링 초순수 세정액을 실시간 초순수 세정액 탱크(200)에 제공함으로써 초순수 세정액에 접촉되는 프로브(222)에 의한 초순수 세정액의 오염을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실시간 초순수 세정액 탱크의 구조를 설명하기 위한 측면도이다.
도 3을 참조하면, 실시간 초순수 세정액 탱크(200)는 제1 케이스(210), 초순수 세정액 하우징(220) 및 제2 케이스(230)를 포함한다.
제1 케이스(210)에는 배관 삽입 홀(211)이 형성되어 있으며, 배관 삽입 홀(211)에는 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)이 삽입된다. 이러한 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)이 배관 삽입 홀(211)에 삽입됨으로써 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)은 샘플링 초순수 세정액을 초순수 세정액 하우징(220)에 제공할 수 있다.
초순수 세정액 하우징(220)은 제1 케이스(210) 및 제2 케이스(230) 사이에 형성되며, 특정 높이에 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)이 형성되어 있다.
초순수 세정액 하우징(220)은 제1 케이스(210)의 배관 삽입 홀(211)을 통해 삽입된 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)으로부터 샘플링 초순수 세정액을 제공받아 내부에 저장한다.
이때, 초순수 세정액 하우징(220)은 내부의 샘플링 초순수 세정액이 프로브(222)의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 내부의 샘플링 초순수 세정액의 일부 초순수 세정액을 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)을 통해 외부로 배출하여 제2 케이스(230)에 제공한다.
상기와 같이, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 외부로 배출하여 상기 제2 케이스(230)에 제공한다.
만일, 초순수 세정액 하우징(220)의 내부에 저장된 초순수 세정액의 높이가 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 높이보다 낮은 경우, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액을 외부로 배출하지 않는다.
하지만, 초순수 세정액 하우징(220)의 내부에 저장된 초순수 세정액의 높이가 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 높이보다 높은 경우, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액을 외부로 배출하여 제2 케이스(230)에 제공한다.
상기와 같이, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액이 특정 높이를 유지하도록 내부의 샘플링 초순수 세정액을 배수함으로써 내부의 샘플링 초순수 세정액이 프로브(222)의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 한다. 이러한, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 위치는 프로브(222)에 샘플링 초순수 세정액이 접촉해야하는 높이에 따라 결정될 수 있다.
상기의 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 크기 및 개수는 상기 초순수 세정액 하우징(220)의 크기, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 위치, 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)을 통해 제공되는 샘플링 초순수 세정액의 양 및 제공 속도 중 적어도 하나에 따라 결정된다.
제2 케이스(230)는 초순수 세정액 하우징(220)의 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)에서 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액이 배출되면 이를 공급받아 외부로 배수한다.
제2 케이스(230)는 제3 연결 부재(231)가 형성되어 있으며, 제3 연결 부재(231)에 초순수 세정액 배수 배관(232)이 연결되면, 초순수 세정액 배수 배관(232)은 초순수 세정액 하우징(220)에서 배출된 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 외부로 배수한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프를 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실시간 초순수 세정액 탱크를 설명하기 위한 도면이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정량 펌프, 실시간 초순수 세정액 탱크 및 전기 전도도 측정 장치의 실행 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 도 4의 정량 펌프(100)는 바디(110), 바디(110)의 일측면에 형성된 제1 연결 부재(120) 및 바디(110)의 일측면에 형성된 제2 연결 부재(130)를 포함한다. 제1 연결 부재(120)에는 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)이 연결되며, 제2 연결 부재(130)에는 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)이 연결된다.
도 5의 실시간 초순수 세정액 탱크(200)는 제1 케이스(210), 초순수 세정액 하우징(220) 및 제2 케이스(230)를 포함한다. 제1 케이스(210)에는 배관 삽입 홀(211)이 형성되어 있고, 초순수 세정액 하우징(220)에는 특정 높이에 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)이 형성되어 있고, 제2 케이스(230)에는 제3 연결 부재(231)가 형성되어 있으며, 제3 연결 부재(231)에 초순수 세정액 배수 배관(232)이 연결된다.
이하에서는 도 6을 참조하여 정량 펌프(100), 실시간 초순수 세정액 탱크 (200) 및 전기 전도도 측정 장치(300)의 실행 과정을 설명하기로 한다.
먼저, 정량 펌프(100)의 바디(110)는 제1 연결 부재(120)에는 연결된 제1 초순수 세정액 제공 배관(121)을 통해 초순수 세정액이 제공되면, 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링하여 샘플링 초순수 세정액을 제2 연결 부재(130)에 연결된 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)에 제공한다.
이때, 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)은 실시간 초순수 세정액 탱크(200)의 제1 케이스(210)의 배관 삽입 홀(211)에 삽입되어 있으기 때문에 샘플링 초순수 세정액은 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)을 통해 실시간 초순수 세정액 탱크(200)의 초순수 세정액 하우징(220) 내부에 제공된다.
초순수 세정액 하우징(220)은 제1 케이스(210)의 배관 삽입 홀(211)을 통해 삽입된 제2 초순수 세정액 제공 배관(131)으로부터 샘플링 초순수 세정액을 제공받아 내부에 저장한다.
이때, 초순수 세정액 하우징(220)은 내부의 샘플링 초순수 세정액이 프로브(222)의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 내부의 샘플링 초순수 세정액의 일부 초순수 세정액을 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)을 통해 외부로 배출하여 제2 케이스(230)에 제공한다.
상기와 같이, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 외부로 배출하여 상기 제2 케이스(230)에 제공한다.
만일, 초순수 세정액 하우징(220)의 내부에 저장된 초순수 세정액의 높이가 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 높이보다 낮은 경우, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액을 외부로 배출하지 않는다.
하지만, 초순수 세정액 하우징(220)의 내부에 저장된 초순수 세정액의 높이가 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 높이보다 높은 경우, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액을 외부로 배출하여 제2 케이스(230)에 제공한다.
상기와 같이, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)은 내부의 샘플링 초순수 세정액이 특정 높이를 유지하도록 내부의 샘플링 초순수 세정액을 배수함으로써 내부의 샘플링 초순수 세정액이 프로브(222)의 특정 높이까지 접촉할 수 있도록 한다. 이러한, 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)의 위치는 프로브(222)에 샘플링 초순수 세정액이 접촉해야하는 높이에 따라 결정될 수 있다.
제2 케이스(230)는 초순수 세정액 하우징(220)의 복수의 배수 홀(221_1, 221_2)에서 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액이 배출되면 이를 공급받아 외부로 배수한다.
제2 케이스(230)는 제3 연결 부재(231)가 형성되어 있으며, 제3 연결 부재(231)에 초순수 세정액 배수 배관(232)이 연결되면, 초순수 세정액 배수 배관(232)은 초순수 세정액 하우징(220)에서 배출된 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 외부로 배수한다.
전기 전도도 측정 장치(300)는 실시간 초순수 세정액 저장 탱크(200)에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정한 후 원격 클라우드 서버(400)에 제공한다.
이를 위해, 전기 전도도 측정 장치(300)는 실시간 초순수 세정액 저장 탱크(200)의 초순수 세정액 하우징(220) 내부의 샘플링 초순수 세정액에 접촉된 프로브(222)에 전기를 공급하여 전기 전도도를 측정한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 정량 펌프
110: 바디
120: 제1 연결 부재
121: 제1 초순수 세정액 제공 배관
131: 제2 초순수 세정액 제공 배관
130: 제2 연결 부재
200: 실시간 초순수 세정액 탱크
210: 제1 케이스
220: 초순수 세정액 하우징
221_1, 221_2: 복수의 배수 홀
222: 프로브
230: 제2 케이스
231: 제3 연결 부재
232: 초순수 세정액 배수 배관
300: 전기 전도도 측정 장치
400: 원격 클라우드 서버
500_1~500_2: 사용자 단말

Claims (8)

  1. 복수의 연결 부재 중 어느 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공받으면, 상기 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 다른 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공하는 정량 펌프;
    상기 정량 펌프를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받아 내부에 저장하고, 상기 내부의 샘플링 초순수 세정액의 높이가 특정 높이 이상이면 상기 샘플링 초순수 세정액 중 일부 초순수 세정액을 외부로 배수하여 내부의 샘플링 초순수 세정액이 상기 특정 높이에 해당하도록 하며 상기 특정 높이에 해당하는 샘플링 초순수 세정액에 프로브가 접촉되도록하는 실시간 초순수 세정액 탱크; 및
    상기 실시간 초순수 세정액 저장 탱크에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정하는 전기 전도도 측정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 정량 펌프는
    상기 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공하는 제1 초순수 세정액 제공 배관과 연결되는 제1 연결 부재;
    상기 제1 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공받은 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 결정하는 바디; 및
    상기 샘플링 초순수 세정액을 상기 실시간 초순수 세정액 탱크에 제공하는 제2 초순수 세정액 제공 배관과 연결되는 제2 연결 부재를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 실시간 초순수 세정액 탱크는
    상기 제2 초순수 세정액 제공 배관이 삽입되는 배관 삽입 홀이 형성되어 있는 제1 케이스;
    공급된 초순수 세정액을 외부로 배수하는 제2 케이스; 및
    상기 제1 케이스 및 제2 케이스 사이에 형성되며 상기 제2 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공받은 상기 샘플링 초순수 세정액을 내부에 저장하며, 내부의 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 상기 제2 케이스에 제공하기 위한 복수의 배수 홀이 형성되어 있는 초순수 세정액 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 케이스는
    상기 초순수 세정액 하우징의 내부의 샘플링 초순수 세정액 중 상기 복수의 배수 홀을 통해 외부로 배출된 일부 초순수 세정액을 공급받아 외부로 배수하는 초순수 세정액 배수 배관과 연결되는 제3 연결 부재가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 실시간 초순수 세정액 탱크는
    상기 내부에 저장된 초순수 세정액의 높이가 상기 복수의 배수 홀의 높이보다 높은 경우 상기 복수의 배수 홀을 통해 상기 내부에 저장된 샘플링 초순수 세정액 중 일정 샘플링 초순수 세정액을 외부로 배출하여 상기 제2 케이스에 제공되도록 하는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 배수 홀은
    상기 프로브에 상기 상기 실시간 초순수 세정액 탱크의 내부 샘플링 초순수 세정액이 접촉해야하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 배수 홀의 크기 및 개수는
    상기 제2 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공되는 샘플링 초순수 세정액의 양 및 제공 속도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템.
  8. 정량 펌프가 복수의 연결 부재 중 어느 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공받는 단계;
    상기 정량 펌프가 상기 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 다른 하나의 연결 부재에 연결된 초순수 세정액 제공 배관을 통해 실시간 초순수 세정액 탱크에 제공하는 단계;
    상기 실시간 초순수 세정액 탱크가 상기 정량 펌프를 통해 샘플링 초순수 세정액을 공급받아 내부에 저장하는 단계;
    상기 실시간 초순수 세정액 탱크가 상기 내부의 샘플링 초순수 세정액의 높이가 특정 높이 이상이면 상기 샘플링 초순수 세정액 중 일부 초순수 세정액을 외부로 배수하여 내부의 상기 특정 높이에 해당하는 샘플링 초순수 세정액에 프로브가 접촉되도록하는 단계; 및
    전기 전도도 측정 장치가 상기 실시간 초순수 세정액 저장 탱크에 저장된 나머지 초순수 세정액의 전기 전도도를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 정량 펌프는
    상기 초순수 세정액 탱크에 저장된 초순수 세정액을 제공하는 제1 초순수 세정액 제공 배관과 연결되는 제1 연결 부재;
    상기 제1 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공받은 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 샘플링한 후 샘플링 초순수 세정액을 결정하는 바디; 및
    상기 샘플링 초순수 세정액을 상기 실시간 초순수 세정액 탱크에 제공하는 제2 초순수 세정액 제공 배관과 연결되는 제2 연결 부재를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 실시간 초순수 세정액 탱크는
    상기 제2 초순수 세정액 제공 배관이 삽입되는 배관 삽입 홀이 형성되어 있는 제1 케이스;
    공급된 초순수 세정액을 외부로 배수하는 제2 케이스; 및
    상기 제1 케이스 및 제2 케이스 사이에 형성되며 상기 제2 초순수 세정액 제공 배관을 통해 제공받은 상기 샘플링 초순수 세정액을 내부에 저장하며, 내부의 샘플링 초순수 세정액 중 일정 초순수 세정액을 상기 제2 케이스에 제공하기 위한 복수의 배수 홀이 형성되어 있는 초순수 세정액 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는
    초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 방법.
KR1020190131316A 2019-10-22 2019-10-22 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법 KR102083287B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190131316A KR102083287B1 (ko) 2019-10-22 2019-10-22 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190131316A KR102083287B1 (ko) 2019-10-22 2019-10-22 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102083287B1 true KR102083287B1 (ko) 2020-03-02

Family

ID=69805270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190131316A KR102083287B1 (ko) 2019-10-22 2019-10-22 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102083287B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102602045B1 (ko) 2023-05-25 2023-11-14 주식회사 위드텍 세정효율 측정 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170501A (ja) 1996-12-09 1998-06-26 Able Kk 水質測定装置及び水質測定方法
KR19980025836A (ko) * 1996-10-05 1998-07-15 김광호 반도체소자 제조용 약액 모니터 장치 및 이를 이용한 모니터 방법
JP2003315297A (ja) * 2002-04-18 2003-11-06 Santoku Kagaku Kogyo Kk 超純水製造装置における比抵抗測定センサー取付位置の改良方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980025836A (ko) * 1996-10-05 1998-07-15 김광호 반도체소자 제조용 약액 모니터 장치 및 이를 이용한 모니터 방법
JPH10170501A (ja) 1996-12-09 1998-06-26 Able Kk 水質測定装置及び水質測定方法
JP2003315297A (ja) * 2002-04-18 2003-11-06 Santoku Kagaku Kogyo Kk 超純水製造装置における比抵抗測定センサー取付位置の改良方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102602045B1 (ko) 2023-05-25 2023-11-14 주식회사 위드텍 세정효율 측정 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100349273C (zh) 采用整合测量以增进介电质蚀刻效率的方法和设备
KR102083287B1 (ko) 초순수 세정액 오염도 원격 모니터링 시스템 및 이의 실행 방법
US10289109B2 (en) Methods of error detection in fabrication processes
WO2012128556A2 (en) Apparatus for measuring impurities on wafer and method of measuring impurities on wafer
US7799740B2 (en) Systems and methods for monitoring and controlling combinatorial processes
US8253422B2 (en) Method of manufacture of wafers using an electro-chemical residue sensor (ECRS)
CN105304514A (zh) 一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法
US5882598A (en) Wafer gap conductivity cell for characterizing process vessels and semiconductor fabrication processes and method of use
US20220362815A1 (en) Wafer wet cleaning system
CN103308654B (zh) 用于测试光阻剥离液中水分含量的方法
CN110851984B (zh) 一种数据处理方法及装置
CN106646179A (zh) 一种半导体阵列器件测试方法
US6248601B1 (en) Fix the glassivation layer's micro crack point precisely by using electroplating method
US7622305B2 (en) Multiple acid solution characterization
KR100219488B1 (ko) 반도체 제조장치의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법
TWI391592B (zh) 處理溶液之具感測器的閥以及使用該閥處理基板的裝置與方法
CN115793416B (zh) 半导体器件制备方法及监测光刻工艺化学品杂质的方法
KR101596727B1 (ko) 용액의 메탈에 대한 온라인 모니터링 시스템
KR100931788B1 (ko) 기판 세정장치용 세정 부품의 적합성 검사 장치
KR100872958B1 (ko) 구리 데코레이션 장치를 이용한 웨이퍼 결함 유무 판단시스템의 오류 검사 방법
Pohl The proper use of water liquid particle counters
CN114914167A (zh) 清洗溶液的监测方法及其监测系统
Chiang Rinsing of wafers after wet processing: Simulation and experiments
JP2011003817A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20010076635A (ko) 케미컬공급관의 다중샘플링시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant