CN107871690B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置和基板处理方法，该技术在基板处理装置或基板处理方法中，能够将处理槽中的处理液的浓度更可靠地保持为适合在该处理槽中进行的处理的浓度。一种基板处理装置，其是将基板浸渍在混合酸水溶液中而对该基板进行蚀刻处理的基板处理装置，包括：处理槽，贮存有混合酸水溶液；处理液更换部，根据处理槽中的混合酸水溶液的作用期限对混合酸水溶液进行全液更换；检测部，用于检测混合酸水溶液中的纯水浓度；浓度控制部，基于利用检测部检测的纯水浓度对处理槽中的混合酸水溶液供给纯水，从而控制纯水浓度以使该浓度成为规定的目标浓度；以及目标值变更部，用于变更下侧基准值(目标浓度)。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及将半导体晶片等基板浸渍于存储在处理槽内的处理液中并 且进行蚀刻处理、清洗处理的基板处理装置和基板处理方法，尤其涉及处理 槽中的处理液的浓度控制。
背景技术
在半导体装置的制造工序中包括将半导体晶片等基板浸渍于处理槽中 而对该基板实施蚀刻处理、清洗处理的工序。这样的工序利用包括多个处理 槽的基板处理装置来进行。该基板处理装置的各处理槽中的处理液的浓度存 在随着时间的消逝因处理液构成成分的蒸发、分解等而发生变化的情况，因 此进行用于将处理液的浓度保持在适合上述蚀刻处理、清洗处理的范围内的 浓度控制。
作为这样的技术，如下所述的技术是已知的。即，在该技术中，具有将 处理液供给到处理槽中的罐体。而且，在存在于罐体和循环管路内的处理液 的浓度超出规定范围时，使用浓度校正部，在设置在比罐体的出口靠下游侧 且比连接有液处理单元的连接区域靠上游侧的注入位置，对循环管路注入处 理液构成成分，从而使之与在循环管路中流动的处理液混合。由此来校正在 循环管路中流动的处理液的浓度(例如，参照专利文献1)。
在如上所述的现有技术中，在循环管路配置浓度计，并且测量了循环管 路内所存在的处理液的浓度，但存在用该浓度计得到的测定值受到循环管路 中的处理液的状态的影响的情况，但利用反馈控制等而将处理液的表观上的 浓度控制为目标值，也存在实际的处理液的浓度随着时间的消逝与表观上的 浓度出现差异的情况。
另外，在处理液由多个化学试剂和纯水构成的情况下，在处理液构成成 分中存在容易蒸发的成分和不易蒸发的成分，因此在不考虑各成分的挥发性 的差异而进行浓度的控制，有时对目标处理也难以将处理液的浓度控制在合 适的范围内。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-46443号公报
发明内容
本发明是鉴于如上所述的情况发明的，其目的在于，提供一种在基板处 理装置或基板处理方法中能够将处理槽中的处理液的浓度更可靠地保持为 适合在该处理槽中进行的处理的浓度的技术。
用于解决上述课题的本发明是一种基板处理装置，该基板处理装置是将 基板浸渍在包含一种以上的药液和纯水的处理液中而对该基板进行规定的 处理，包括：
处理槽，贮存有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述处理液；
处理液更换部，与所述处理槽中的所述处理液的作用期限一致地更换该 处理液；
检测部，用于检测所述处理液中的纯水或其它规定成分的浓度；
浓度控制部，基于利用所述检测部检测的所述浓度对所述处理槽中的处 理液供给纯水或所述其它规定成分，从而控制所述浓度以使该浓度成为规定 的目标浓度；以及
目标值变更部，用于变更所述目标浓度。
由此，在检测部的检测值因所述处理液的状态而发生变化的情况等、表 观上的所述纯水或其它规定成分的浓度与实际的所述纯水或其它规定成分 的浓度之间存在差异或者被检测的浓度中存在预测的处理状况(例如蚀刻速 率)与实际得到的处理状况之间存在差异的情况下，通过变更目标浓度，也 能够消除该差异，并且更可靠地将纯水或其它规定成分的浓度控制为适合处 理的适当的值。需要说明的是，此处处理液的作用期限是指，处理液的状态 持续地发生变化而继续使用该处理液时判断为处理自身无法充分进行的使用时间，预先通过实验等来确定。另外，“与作用期限一致”是指，可以是 作用期限消逝的时刻，也可以是相对于作用期限消逝时稍微前后的时刻。
另外，在本发明中，也可以使所述目标值变更部在所述处理液的作用期 限的中途升高所述目标浓度。若如此进行，在所述处理液的作用期限的中途， 通过更多地供给纯水或其它规定成分，能够消除该差异，并且将纯水或其它 规定成分的浓度控制为适合处理的适当的值。在此情况下，与降低所述纯水 或其他规定成分的浓度的控制相比，能够更容易地将纯水或其它规定成分的 浓度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标变更部也可以对所述目标浓度设置上限值。 由此，能够防止所述目标浓度在所述处理液的作用期限的中途过度地升高。
另外，在本发明中，所述处理液是包含磷酸、硝酸、乙酸中的至少一者 以及纯水的混合酸水溶液，所述浓度控制部也可以通过向所述混合酸水溶液 供给纯水来控制所述混合酸水溶液的纯水浓度以使其成为规定的目标浓度。 由此，通过变更纯水的供给量、供给时机这些简单的动作，能够将纯水的浓 度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部也可以在所述处理液的作用期限 的中途，在每隔恒定时间升高所述目标浓度。由此，能够一边抑制所述目标 浓度的急剧的变化，一边更稳定地将纯水或其它规定成分的浓度控制为适合 处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部也可以在所述处理液的作用期限 的中途变更升高所述目标浓度的时机，从而变更所述目标浓度的变更曲线。 由此，能够以更高的自由度根据所述处理液的状态，将纯水或其它规定成分 的浓度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部也可以在所述处理液的作用期限 的中途变更升高所述目标值时的升高幅度，从而变更所述目标浓度的变更曲 线。由此，能够以更高的自由度根据所述处理液的状态，将纯水或其它规定 成分的浓度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部也可以在所述处理液的作用期限 的中途，在进行了所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。此处，在 进行了所述基板的处理的情况下，金属离子从基板溶出到处理液中的倾向强 烈。因此，在进行了所述基板的处理的情况下，通过升高所述目标浓度，能 够更可靠地或适时地将纯水或其他规定成分的浓度控制为适合处理的适当 的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部在所述处理液的作用期限的中途， 在供给所述纯水的情况下，升高所述目标浓度。此处，在进行所述基板的处 理的情况下，认为进行纯水的供给的概率高，并且基板的处理时机与纯水的 供给时机之间存在高的相关性，因此在进行纯水的供给的情况下，通过升高 所述目标浓度，也能够更可靠地或适时地将纯水或其他规定成分的浓度控制 为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部也可以在所述处理液的作用期限 的中途，在对规定张数的所述基板进行处理的情况下，升高所述目标浓度。 此处，在进行所述基板的处理的情况下，被处理的基板的张数不一定均相同。 另一方面，与基板的处理的次数相比，被处理的基板的张数更加与从基板溶 出的金属离子的量是直接关联的。因此，在进行规定张数的所述基板的处理 的情况下，通过升高所述目标浓度，能够更精确地将纯水或其它规定成分的 浓度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，在基于表示所述基板处理时的处理程度的加权系数 以及所述基板处理张数的处理量成为规定量的情况下，所述目标值变更部也 可以升高所述目标浓度。此处，在进行所述基板的处理的情况下，处理一张 基板时的处理的程度因基板的种类而不同。该处理的程度例如可以是在一张 基板的处理中在反应中使用的处理液的量或者一张基板的处理引起的处理 液的劣化程度。因此，处理液中的纯水或其它规定成分的浓度的变化除了取 决于被处理的基板的张数以外，还取决于被处理一张基板时的处理的程度。
由此，在本发明中，在基于表示基板的处理中的处理程度的加权系数和 基板的处理张数的处理量成为规定量的情况下，通过升高目标浓度，能够更 精确地将纯水或其它规定成分的浓度控制为适合处理的适当的值。需要说明 的是，基于加权系数和基板的处理张数的处理量例如也可以是将加权系数与 基板的处理张数相乘而算出的值，也可以是利用与基板的处理张数(加权系 数)相乘等、其他的计算式的值。
另外，在本发明中，在所述处理液的作用期限中处理多种基板，在关于 所述多种基板中的各种类基板的、基于所述加权系数和所述基板的处理张数 的处理量的总量成为规定量的情况下，所述目标值变更部也可以升高所述目 标浓度。此处，在基板处理装置在处理液的作用期限中处理多个种类的基板 的情况下，处理液的纯水或其他规定成分的浓度的变化取决于各个种类的基 板的处理量的总量。
由此，在本发明中，在处理液的作用期限中处理多个种类的基板时，关 于多个种类的基板中的各种类的基板的、基于加权系数和基板的处理张数的 处理量的总量成为规定量的情况下，升高目标浓度。由此，在基板处理装置 在处理液的作用期限中处理多个种类的基板的情况下，也能够更精确地将纯 水或其他规定成分的浓度控制为适合处理的适当的值。
另外，在本发明中，所述目标值变更部在所述处理液的作用期限中，在 规定的等待时间期间不进行所述基板的处理的情况下，也可以升高所述目标 浓度。此处，在处理液的作用期限中，在长时间不进行基板的处理的情况下， 因此也存在处理液中的纯水或其它规定成分的浓度因蒸发、分解而发生变化 的情况。因此，在本发明中，目标值变更部在基于上述的加权系数和基板的 处理张数的基板的处理量(或者多个种类的基板的处理量的总量)成为规定 量的情况下，在升高目标浓度的同时在规定的等待时间期间不进行基板的处理的情况下，也升高目标浓度。由此，能够将基于基板的处理的加权系数和 基板的处理张数的处理量设定为处理液的浓度控制的基准，并且还能够将长 时间不进行基板的处理的情况也设定为处理液的浓度控制的基准，并且能够 更精确地将处理液中的纯水或其他规定成分的浓度控制为适合处理的适当 的值。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，该 基板处理装置是将基板浸渍在包含一种以上的药液和纯水并且贮存在处理 槽中的处理液而对该基板进行规定的处理，包括：
处理液更换工序，与所述处理液的作用期限一致地更换该处理液；
浓度检测工序，用于检测所述处理液中的纯水或其它规定成分的浓度；
浓度控制工序，基于在所述浓度检测工序中检测的所述浓度，对所述处 理槽中的所述处理液供给纯水或所述其它规定成分，以使所述浓度成为规定 的目标浓度；以及
目标值变更工序，在所述处理液的作用期限的中途变更所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中升高所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，对所述目标浓度设置上限值。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，所 述处理液是包含磷酸、硝酸、乙酸中的至少一者以及纯水的混合酸水溶液， 在所述浓度控制工序中，对所述混合酸水溶液供给纯水，以使所述混合酸水 溶液的纯水浓度成为规定的目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，在每隔恒定时间升高所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，变更升高所述目标浓度的时机，从而变更所述目标 浓度的变更曲线。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，变更升高所述目标值时的升高幅度，从而变更所述 目标浓度的变更曲线。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在所述目标值变更工序中，在进行所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，其特征在于，在上述基板处 理方法中，在所述目标值变更工序中，在供给所述纯水的情况下，升高所述 目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，在对规定张数的所述基板进行处理的情况下，升高 所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，在基于表示所述基板处理时的处理程度的加权系数 以及所述基板的处理张数的处理量成为规定量的情况下，升高所述目标浓 度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在所述目标值变更工序中，在所述处理液的作用期限中处理多种基板，在所述目标值变更工序中，在关于所述多种基板中的各种类基板的、基于所述加权系数和所述基板的处理张数的处理量的总量成为规定量的情况下，升高所述目标浓度。
另外，本发明也可以是一种基板处理方法，在上述基板处理方法中，在 所述目标值变更工序中，在所述处理液的作用期限中，在规定的等待时间期 间不进行所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
需要说明的是，上述用于解决课题的方案能够适宜地组合而使用。
根据本发明，在基板处理装置或基板处理方法中，能够更可靠地将处理 槽中的处理液的浓度保持为适合在该处理槽中进行的处理的浓度。
附图说明
图1是表示第一实施例的基板处理装置的概略结构的立体图。
图2是第一实施例的基板处理装置的功能框图。
图3是表示关于第一实施例的基板处理装置的处理部中的各处理槽的处 理液控制的图。
图4是表示通常的处理槽中的混合酸水溶液的浓度控制的方案的图表。
图5是表示第一实施例的基板处理装置的处理槽中的混合酸水溶液的浓 度控制的方案的图表。
图6是第一实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变化 形态的图表的例子。
图7A和图7B是第一实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准 值的变化形态的图表的第二个例子。
图8是第一实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变化 形态的图表的第三个例子。
图9是第二实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变化 形态的图表的例子。
图10是第二实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的第二个例子。
图11是第三实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的例子。
图12是第三实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的第二个例子。
图13是第三实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的第三个例子。
图14是第四实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的例子。
图15是第五实施例的混合酸水溶液的作用期限中的、下侧基准值的变 化形态的图表的例子。
附图标记的说明
1…基板处理装置
2…缓冲部
3…基板搬出入口
5、7、9…处理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b…处理槽
11、13、15…提升器
17…主搬运机构
20…循环管路
24…浓度计
40…浓度控制装置
43…副搬运机构
50a…内槽
50b…外槽
55…控制部
57…存储部
具体实施方式
＜第一实施例＞
下面，边参照附图边详细地说明本发明的实施例。需要说明的是，下面 所示的实施例是本申请发明的一个方案，并非限定本申请发明的技术范围。 图1是表示第一实施例的基板处理装置1的概略结构的立体图。该基板处理 装置1是主要对基板W实施蚀刻处理、清洗处理(下面，也简称为“处理”) 的装置。在基板处理装置1中的图1的右内侧配置有用于存放基板W的缓 冲部2，并且在缓冲部2的进一步右内侧设置有用于操作基板处理装置1的正面面板(未图示)。另外，在缓冲部2的与正面面板相反的一侧设置有基 板搬出入口3。另外，从基板处理装置1的长度方向上的与缓冲部2相反的 一侧(图1中为左近前侧)并列设置有对基板W进行处理的处理部5、7及 9。
各处理部5、7及9分别具有两个处理槽5a及5b、7a及7b、9a及9b。 另外，在基板处理装置1具有副搬运机构43，该副搬运机构43用于使多张 基板W仅在各处理部5、7及9中的各处理槽之间相对于图1中的短箭头的 方向及范围移动。另外，该副搬运机构43为了将多张基板W浸渍在处理槽 5a及5b、7a及7b、9a及9b中或者从这些处理槽中提起所述多张基板W，使多张基板W还沿上下移动。在各个副搬运机构43设置有用于保持多张基 板W的提升器11、13及15。而且，在基板处理装置1具有能够在图1中的 长箭头方向和范围内移动的主搬运机构17，以便将多张基板W搬运到各个 处理部5、7及9。
主搬运机构17具有两根可动式臂17a。在这些臂17a设置有用于载置基 板W的多个槽(省略图示)，在图1所示的状态下，将各基板W保持为起 立姿态(基板主面的法线沿水平方向的姿态)。另外，从图1中的右斜下方 向观察，主搬运机构17中的两根臂17a从“V”字状摇动为反“V”字状， 从而开放各基板W。而且，通过该动作，基板W能够在主搬运机构17与提升器11、13及15之间进行供给/接收。
图2表示基板处理装置1的功能框图。上述主搬运机构17、副搬运机构 43、处理部5、7、9被控制部55集中地控制。作为控制部55的硬件的结构 与普通的计算机相同。即，控制部55具有：CPU，进行各种运算处理；ROM， 作为读取存储的基本程序的专用的存储器；RAM，作为存储各种信息并且读 写自如的存储器；以及磁盘等，该磁盘用于存储控制用应用程序、数据等。 在本实施例中，控制部55的CPU执行规定的程序，从而将基板W搬运到各 处理部5、7、9，并且对各部进行控制以实施与程序对应的处理。上述程序 存储在存储部57中。
图3是表示关于基板处理装置1的处理部5、7、9中的各处理槽5a、7a、 9a的处理液控制的方案的图。在图3中，以处理部5、7、9中的各处理槽 5a、7a、9a中的处理槽7a为例进行说明。与关于下面的处理槽7a的处理液 的控制同等或类似的控制也适用于其它处理槽5a和9a。
此处，在半导体晶片的制造工序中，例如将硅等的单晶锭沿其棒轴向进 行切割，对得到的切割物依次实施磨边、研磨、蚀刻处理、抛光等处理。其 结果，在基板表面上形成由不同材料形成的多个层、结构、电路。而且，在 处理槽7a中进行的基板W的蚀刻处理例如以去除残留在基板W上的钨等金 属为目的而进行，将基板W以规定时间浸渍到作为处理液的混酸(磷酸、 硝酸、乙酸、纯水)水溶液等中而进行。需要说明的是，上述蚀刻处理是本 发明中的规定的处理的一个例子。另外，混酸中的磷酸、硝酸、乙酸是本发 明中的“其它规定成分”的一个例子。
在图3中，处理槽7a具有由内槽50a和外槽50b构成的二重槽结构，内 槽50a将基板W浸渍在混合酸水溶液中；外槽50b回收从内槽50a的上部溢 出的混合酸水溶液。内槽50a是由对混合酸水溶液的耐腐蚀性优异的石英或 氟树脂材料形成的俯视矩形的箱形形状构件。外槽50b由与内槽50a相同的 材料形成，被设置成包围内槽50a的外周上端部。
另外，在处理槽7a如前所述设置有提升器13，该提升器13用于将基板 W浸渍在贮存的混合酸水溶液中。提升器13利用三根保持棒共同保持以起 立姿态相互平行排列的多个(例如50张)基板W。提升器13被设置成利用 副搬运机构43能够沿上下左右的方向移动，并且被构成为能够在将需保持 的多张基板W浸渍在内槽50a中的混合酸水溶液中的处理位置(图3的位置) 与从混合酸水溶液提起的交接位置之间进行升降，并且能够朝相邻的处理槽 7b移动。
另外，基板处理装置1具有循环管路20，该循环管路20使混合酸水溶 液在处理槽7a中循环。循环管路20是将从处理槽7a排出的混合酸水溶液过 滤、加热而使之再次转移回流到处理槽7a中的管路路径，具体而言，是将 处理槽7a的外槽50b和内槽50a用流道连接而构成的。另外，排液管道30 从循环管路20分支而被支化，在不使混合酸水溶液回流到处理槽7a中而进 行排液的情况下，通过开闭排液切换阀26和排液阀27，将从外槽50b排出 的混合酸水溶液直接经由排液管道30而废弃。
在循环管路20的路径中途，除了阀类以外，还从上游侧设置有循环泵 21、温调器22、过滤器23以及作为检测部的浓度计24。循环泵21经由循 环管路20将混合酸水溶液从外槽50b吸入的同时朝内槽50a转移。温调器 22将在循环管路20流动的混合酸水溶液再次加热至规定的处理温度。需要 说明的是，在处理槽7a也设置有省略图示的加热器，还加热贮存在处理槽 7a中的混合酸水溶液以保持规定的处理温度。过滤器23是用于去除在循环 管路20中流动的混合酸水溶液中的异物的屏障滤器。
另外，浓度计24用于测定利用循环管路20被内槽50a回收的混合酸水 溶液成分中的纯水浓度。控制处理槽7a内的混酸浓度，以使利用该浓度计 24测定的纯水浓度成为最佳值。此处，利用浓度计24测定纯水浓度的处理 与本发明中的浓度检测工序相当。另外，利用控制部55来进行控制处理槽 7a内的混酸浓度的处理，但此时的控制部55相当于浓度控制部，处理自身 相当于本发明中的浓度控制工序。更具体而言，如图3所示，控制部55除 了处理槽内的混酸溶液的全液更换控制、混合酸水溶液的浓度的反馈控制等 处理以外，如后所述，进行与混合酸水溶液的浓度目标值(下侧基准值)的 变更控制相关的处理。
接着，详细说明具有上述方案的基板处理装置1的作用。首先，不论基 板W是否浸渍在处理槽7a中所贮存的混合酸水溶液中，循环泵21时常以恒 定流量转移混合酸水溶液。利用循环管路20回流到处理槽7a中的混合酸水 溶液从内槽50a的底部进行供给。由此，在内槽50a的内部产生从底部朝向 上方的混合酸水溶液的向上流动。从底部供给的混合酸水溶液最终从内槽 50a的上端部溢出而流入外槽50b。流入外槽50b的混合酸水溶液继续进行循环过程，该循环过程从外槽50b经由循环管路20被送进循环泵21，并且 再次转移回流到处理槽7a中。
在利用这样的循环管路20来执行混合酸水溶液的循环过程的同时，在 交接位置接受多个基板W的提升器13下降到处理位置而将基板W浸渍在内 槽50a中所贮存的混合酸水溶液中。由此，进行规定时间的处理，并且在结 束处理之后，提升器13再次上升到交接位置，从而将基板W从混合酸水溶 液中提起。其后，提升器13进行水平移动并且下降，从而将基板W浸渍于 相邻的处理槽7b中而实施水洗处理。
除上述以外，在基板处理装置1设置有浓度控制装置40，其用于控制处 理槽7a的混合酸水溶液的浓度。该浓度控制装置40具有：药液供给源41、 连结药液供给源41与处理槽7a的药液管道42、纯水供给源46、连结纯水 供给源46与处理槽7a的纯水管道47。
此处，虽然省略了图示，但在药液供给源41独立地设置有分别供给构 成混酸的磷酸、硝酸、乙酸的供给源，在药液管道42独立地设置有分别将 磷酸、硝酸、乙酸引导至处理槽7a的管道。在最初生成处理液时，要求供 给速度，因此从粗的配管向内槽50a投入处理液，但在补充处理液时，存在 向外槽50b进行补充的情况。在药液管道42的各个管道具有：药液流量计 44，能够分别测定所通过的药液(磷酸、硝酸、乙酸)的流量；以及药液补 充阀45，能够分别调节磷酸、硝酸、乙酸的流量。另一方面，在纯水管道 47具有：纯水流量计48，用于测定通过纯水管道47的纯水的流量；以及纯 水补充阀49，用于调节纯水的流量。另外，前述控制部55基于浓度计24的 测定结果而控制药液补充阀45和纯水补充阀49，并且控制处理槽7a内的混 合酸水溶液的浓度以使之成为适合处理的最佳浓度。
图4是表示上述处理槽7a中的混合酸水溶液的以往浓度控制方案的图 表。更具体而言，表示内槽50a中的混合酸水溶液的浓度(纯水浓度)的变 化。此处横轴表示时间，纵轴表示混酸中的纯浓度(W％)。在图4的图表 中，下部的脉冲形显示A表示将纯水供给到内槽50a的时机。另外，上部的 折线B表示纯水浓度的变化。
在图4中，在时刻t1，进行混合酸水溶液的全液更换。然后，在时刻t2 再次进行混合酸水溶液的全液更换。时刻t1与时刻t2的间隔也可以是例如 5～10小时左右。这是由于从时刻t1至时刻t2之间反复进行基板W的蚀刻处 理，并且在混合酸水溶液内从基板W溶出的金属离子的浓度升高，因此在 影响到蚀刻处理的品质之前，全部更换混合酸水溶液。能够认为该全液更换 的期间为基板处理装置1中的混合酸水溶液的作用期限。另外，全液更换是 利用控制部55进行的，但此时的控制部55与处理液更换部相当，该控制与 处理液更换工序相当。
此处，图4的图表上部的水平虚线表示纯水浓度的下侧基准值。即，在 处理槽7a中，在水分随着时间流逝而蒸发、纯水浓度降低、达到下侧基准 值的情况下，供给适量(例如，100ml)的纯水，并且升高纯水浓度，重复 这样的控制。通过该控制，将处理槽7a中的混合酸水溶液的浓度保持在下 侧基准值以上。另外，由于规定了一次供给的纯水量，因此纯水浓度也可以 高于允许范围。
需要说明的是，在图4中，在混合酸水溶液的全液更换的时机，混合酸 水溶液中的纯水浓度暂时大幅低于下侧基准值，但在其后，以短时间间隔反 复供给纯水，从而以较短时间使纯水浓度恢复到下侧基准值以上，以明确脉 冲显示A的间隔比作用期限中的其他期间短。这是出于如下理由而采用的： 在全液更换时，混合酸水溶液中的纯水浓度容易变化，因此暂时设定为纯水 浓度低于目标值的状态，以频繁地供给纯水而使纯水浓度稳定的控制来供给 混合酸水溶液，从而使控制比浓度控制更容易。
此处，如图4所示，在恒定地保持混合酸水溶液的浓度的情况下，在混 合酸水溶液的作用期限中，随着时间的消逝，可以看到基板W的蚀刻速率 逐渐降低的。认为这是如下原因引起的：在基板W的处理中从基板W溶出 的金属离子的浓度变高，其使浓度计24的测定精度变差，从而表观上的纯 水浓度与实际的纯水浓度之间产生差异。
另外，混酸是将磷酸+硝酸+乙酸+纯水这样的多个成分混合而形成的， 由于包含如磷酸那样难以蒸发的酸以及如硝酸、乙酸那样容易蒸发的酸，因 此认为硝酸和乙酸的蒸发量导致纯水浓度的降低，即使表观上纯水浓度保持 适当值，也存在实际的纯水浓度变低的影响。
与此相对，在本实施例中，如图5所示，随着在混合酸水溶液的作用期 限中时间的消逝，改变混合酸水溶液的浓度控制时的下侧基准值的值。由此， 消除表观上的纯水浓度与真正的纯水浓度的差异，实质上能够将处理槽7a 内的混合酸水溶液的浓度保持为适当的值。在图5的例子中，在混合酸水溶 液的作用期限之间，将纯水浓度的下侧基准值例如由15(W％)增加到16 (W％)。此处，利用控制部55来执行使纯水浓度的下侧基准值增加的处理， 但此时的控制部55构成目标值变更部。另外，增加纯水浓度的下侧基准值 的处理与本发明的目标值变更工序相当。而且，下侧基准值与本发明中的目 标浓度相当。
在上述中，作为目标变更部的控制部55也可以基于数据表来变更下侧 基准值。更具体而言，也可以将诸如沿预先规定的变化曲线发生变化的数据 作为表来进行存储。该变化曲线也可以在与时间(例如，来自作用期限初始 期t1的消逝时间)的关系中定义下侧基准值的变化。上述数据表可以保存在 存储部57中，也可以保存在外部存储器中。另外，对于与该变化曲线对应 的数据表，可由操作者来进行输入，也可以预先准备与多个变化曲线对应的 数据表，也可以是操作者适宜地进行选择。由操作者进行的输入、选择可由 基板处理装置1的正面面板进行，也可以从外部计算机、移动终端利用通信 来进行输入。
另外，作为目标变更部的控制部55也可以在满足预先规定的条件的时 机变更下侧基准值。上述条件例如可以是进行基板W的处理的时机，可以 是对处理槽7a供给纯水的时机，也可以是处理完的基板W的数量达到规定 数量的时机等。另外，上述条件也可以是由操作者允许变更下侧基准值的时 机。在此情况下，与利用装置来变更下侧基准值的含义的通知相对，由操作 者在手册中给出许可指示来变更下侧基准值。
在图6中表示将纯水浓度的下侧基准值在作为混合酸水溶液的作用期限 的时刻t1至时刻t2之间以恒定比率增加(例如，15％至16％等)时的下侧 基准值的变化形态的例子。在图6的例子中，将混合酸水溶液的作用期限等 间隔地区分为n等级，经过n次以恒定的间隔每次以恒定量增加下侧基准值 的值。如此地，能够线性地增加混合酸水溶液的浓度控制的目标值，并且能 够稳定地对混合酸水溶液的浓度进行最佳化。需要说明的是，在图6中表示 下侧基准值的变化的管道与本发明中的变更曲线相当。这对于下面所示的各 图中的下侧基准值的变化的线也是相同的。
需要说明的是，在本实施例中，如图7A和图7B所示，也可以对下侧基 准值设定上限值。在图7A和图7B中，在下侧基准值达到基准值变化上限值 (W％)后，停止增加下侧基准值。由此，在不论怎样设定混合酸水溶液的 作用期限与下侧基准值的增加间隔的情况下，也能够防止纯水浓度的目标值 过度地变高。另外，在本实施例中，如图7B所示，也可以在混合酸水溶液 的全液更换之后设定规定的开始延迟时间。即，无需在混合酸水溶液的全液更换之后立即开始增加下侧基准值，也可以在从基板W溶出的金属离子浓 度开始变高或者硝酸、乙酸的蒸发量开始变多起，开始增加下侧基准值。由 此，能够以更高的自由度使下侧基准值发生变化。
另外，在本实施例中，在混合酸水溶液的作用期限中，无需必须等间隔 地增加浓度控制的下侧基准值。在图8中表示将纯水浓度的下侧基准值在作 为混合酸水溶液的作用期限的一个例子的720分钟之间例如从15(W％)增 加到16(W％)时的、下侧基准值的变化形态的例子。在图8的例子中，在 经过初次变化开始延迟时间60分钟(3600秒)之后，将使浓度控制的下侧 基准值变化的间隔时间变更为90分钟(5400秒)
Figure BDA0001413409840000151
分钟(3600秒)
Figure BDA0001413409840000152
分钟(1800秒)，其后，暂时停止浓度控制的下侧基准值的变化(间隔时间 30分钟(1800秒)
Figure BDA0001413409840000153
分钟(0秒))，而且将间隔时间变化为0分钟(0 秒)
Figure BDA0001413409840000154
分钟(3600秒)。
如此地，在混合酸水溶液的作用期限中能够自由地变更间隔时间。另外， 在混合酸水溶液的作用期限中，在诸如积存在混合酸水溶液中的金属离子浓 度变高为恒定值以上且对浓度计的测定精度的影响显著地显现的情况下，在 作为混合酸水溶液的作用期限的一个例子的720分钟中，也可以改变逐渐缩 短间隔时间等。
＜第二实施例＞
接着，说明本发明的第二实施例。在第一实施例中，与将混合酸水溶液 的浓度控制的下侧基准值的增加的变化量设为恒定且基于变化时间进行控 制相对，在本发明的第二实施例中，在一边控制混合酸水溶液的浓度控制的 下侧基准值的变化幅度一边对其进行控制的方面是不同的。
在图9中，在经过初次变化开始延迟时间60分钟(3600秒)之后，将 使浓度控制的下侧基准值变化的间隔时间设为90分钟(5400秒)，关于最 初的两次间隔，在每个间隔设为D(W％)的增加幅度(偏移)，在经过第 三次和第四次的间隔时，设为2*D(W％)的增加幅度(偏移)，其后，暂 时停止浓度控制的下侧基准值的变化(增加幅度(偏移)＝0)，进而变化为D(W％)的增加幅度(偏移)。
另外，在本实施例中，浓度控制的下侧基准值的增加幅度的变化量也可 以设为恒定，也可以如图10所示，在间隔间的时间将过去的增加幅度的总 值作为增加幅度，并且增加浓度控制的下侧基准值。在图10中，在经过初 次变化开始延迟时间60分钟(3600秒)之后，将使浓度控制的下侧基准值 变化的间隔时间设为90分钟(5400秒)，基本上在每个间隔设为D(W％) 的增加幅度(偏移)，在规定的间隔间的时机，将过去的增加幅度的总值设 为增加幅度，并且增加浓度控制的下侧基准值。该时机可预先由程序决定， 也可以是使用者在手册中进行增加。
＜第三实施例＞
接着，说明本发明的第三实施例。在第三实施例中，对使混合酸水溶液 的浓度控制的下侧基准值的增加与基板W的处理量关联而进行控制的例子 进行说明。
在本实施例中，例如如图11所示，也可以在每个纯水的补充时机增加 混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值。在图11中，纵轴表示纯水浓度控 制的下侧基准值(W％)，横轴表示时间。另外，图表下部的脉冲形状的显 示是纯水的补充时机。此处，在处理槽7a中刚进行基板W的处理之后，多 数情况下补充纯水，在处理槽7a中进行基板W的处理的时机与补充纯水的 时机之间可观察到高的相关性。
因此，如图11所示，在每个纯水的补充时机增加混合酸水溶液的浓度 控制的下侧基准值时，与在处理槽7a中进行基板W的处理的情况具有高的 相关性，从而能够增加下侧基准值。由此，能够更容易地将混合酸水溶液的 纯水浓度保持为适当的值。
另外，在本实施例中，如图12所示，也可以在每次进行基板W的处理 (分批处理)时增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值。此处，在处理 槽7a中进行基板W的处理之后，存在在混合酸水溶液中积存的金属离子量 增加的倾向。因此，如图12所示，在每次进行基板W的处理(分批处理) 时增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值时，与在混合酸水溶液中积存 的金属离子量增加的时机一致地增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准 值，并且能够进行纯水的供给变得更容易的控制。其结果，能够将混合酸水 溶液的纯水浓度更可靠地保持为适当的值。
需要说明的是，在本实施例中也可以进行如下的控制：在每次进行基板 W的处理(分批处理)时，缩短增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值 的间隔，在每次进行基板W的处理(分批处理)时，增大增加混合酸水溶 液的浓度控制的下侧基准值时的增加幅度等。
另外，在本实施例中，例如，如图13所示，也可以根据在处理槽7a中 被处理的基板W的张数来增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值。在 图13中，横轴为时间，纵轴表示下侧基准值和基板W的处理张数。图中用 虚线所示的管道表示基板W的处理张数，图中用实线所示的管道表示下侧 基准值。而且，在图13中，在处理槽7a中被处理的基板W的张数每次增加 规定张数(例如，50张)时，也可以增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基 准值。
由此，被处理的基板W的数量例如增加50张，从而能够更直接地应对 在混合酸水溶液中积存的金属离子量增加的情况。即，认为，在混合酸水溶 液中积存的金属离子量与被处理的基板W的数量的相关性非常高，因此能 够更可靠地应对在混合酸水溶液中积存的金属离子的增加导致的表观上的 纯水浓度与实际的纯水浓度的差异。另外，即使每次基板W的处理(分批 处理)时所处理的半导体晶片的张数不同，也能够更精确地得到在各时刻适合处理的纯水浓度的混合酸水溶液。
＜第四实施例＞
接着，说明本发明的第四实施例。在第四实施例中，对将混合酸水溶液 的浓度控制的下侧基准值的增加与基板W的处理量关联而进行控制的例子、 即根据处理槽中的蚀刻量的累积值来增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧 基准值的例子进行说明。
此处，已知，一次处理时的蚀刻量因基板W的种类而不同，在处理相 同张数的情况下，混合酸水溶液的浓度变化也因基板W的种类而不同。因 此，在本实施例中，根据基板W的种类对每次处理一张基板W时的蚀刻量 利用加权系数进行加权。然后，基于各基板W的加权系数和处理张数来算 出蚀刻量的累积值，并且在每次蚀刻量的累积值达到规定量时，增加混合酸 水溶液的浓度控制的下侧基准值。
在图14中表示在本实施例中处理三种基板W时的蚀刻量的累积值以及 与之对应的混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值的变化的例子。如图14 所示，在本实施例中，对A、B、C这三种基板W进行分批处理。然后，将 A、B、C各个基板W中的蚀刻量的加权系数设为10、2、30。另外，在本 实施例中，对各基板W计算处理张数×加权系数，将其与全部基板加在一 起从而算出蚀刻量的累积值。然后，在将各基板W的一次处理时的处理张 数设为n的情况下，在蚀刻量的累积值每次达到12n时，使混合酸水溶液的 浓度控制的下侧基准值增加一个等级。
在图14所示的例中，在开始处理之后，首先对n张A基板进行分批处 理。由于A基板的加权系数为10，因此该时刻的蚀刻量的累积值为10n。接 着，对n张B基板进行分批处理。B基板的加权系数为2，因此对蚀刻量2n 进行相加，在此时刻下，蚀刻量的累积值达到12n。因此，在此时刻下，使 混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值增加一个等级。
接着，在本实施例中，对n张C基板进行处理。由于C基板的加权系数 为30，因此对蚀刻量30n进行相加，在此时刻下，蚀刻量的累积值达到42n， 超过阈值12n的3倍。因此，在此时刻下，使混合酸水溶液的浓度控制的下 侧基准值增加两个等级。
其后，在本实施例中，反复进行三次n张B基板的处理。由于B基板的 加权系数为2，因此在每次处理时，将蚀刻量2n相加，蚀刻量的累积值增加 为44n、46n、48n。而且，在此时刻下，达到阈值12n的4倍。因此，在此 时刻下，将混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值进一步增加一个等级。
其后，在本实施例中进行n张B基板的处理，蚀刻量的累积值变成50n， 接着，进行n张C基板的处理。于是，蚀刻量的累积值变成80n，在此时刻 下，超过阈值12n的6倍。因此，在此时刻下，将混合酸水溶液的浓度控制 的下侧基准值进一步增加两个等级。
而且，在本实施例中进行n张B基板的处理，蚀刻量的累积值变成82n， 接着进行n张A基板的处理。于是，蚀刻量的累积值变成92n，在此时刻下， 超过阈值12n的7倍。因此，在此时刻下，将混合酸水溶液的浓度控制的下 侧基准值进一步增加一个等级。
以上，如说明的那样，在本实施例中，利用加权系数对每个被处理的基 板进行蚀刻量的加权，并且基于各基板的加权系数和处理张数，算出多种基 板的蚀刻量的累积值。然后，在该蚀刻量的累积值每次达到规定量时，增加 规定量的混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值。由此，能够更精确地将混 合酸水溶液的纯水或其它规定成分的浓度保持为适当的值。需要说明的是， 在本实施例中，对处理液的作用期限中处理多种基板的情况进行了说明，但 在处理液的作用期限中仅对一种基板进行处理的情况下，也可以算出该基板 W的蚀刻量的累积值，并且在蚀刻量的累积值每次达到规定量时，使混合酸 水溶液的浓度控制的下侧基准值增加规定量。
＜第五实施例＞
接着，说明本发明的第五实施例。在第五实施例中，与第四实施例同样 地，对根据处理槽中的蚀刻量的累积值来增加混合酸水溶液的浓度控制的下 侧基准值的例子、即在经过规定的等待时间也不进行基板的处理的情况下， 仍然增加混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值的例子进行说明。
此处，已知，在完全不进行基板W的处理的情况下，在经过一段时间 时，因蒸发、分解导致混合酸水溶液的浓度发生变化。因此，在本实施例中， 基于被处理的各基板的加权系数和处理张数的蚀刻量的累积值每次达到规 定量时，增加规定量的混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值，并且经过规 定的等待时间，也没有进行任何基板W的处理的情况下，增加混合酸水溶 液的浓度控制的下侧基准值。
在图15中表示本实施例中处理三种基板W的张数以及与之对应的混合 酸水溶液的浓度控制的下侧基准值的变化的例子。如图15所示，在本实施 例中，对A、B、C这三种基板W进行分批处理，将A、B、C各个基板W 中的蚀刻量的加权系数设定为10、2、30。
另外，在本实施例中，对各基板W计算处理张数×加权系数，将其与 所有基板相加来算出蚀刻量的累积值。然后，在将各基板W的一次处理时 的处理张数设为n的情况下，在蚀刻量的累积值每次达到12n时，使混合酸 水溶液的浓度控制的下侧基准值增加一个等级。另外，对于在规定的等待时 间T期间没有进行任何基板W的处理的情况，仍然增加混合酸水溶液的浓 度控制的下侧基准值。
在图15所示的例子中，在开始处理之后，首先对n张A基板进行分批 处理。由于A基板的加权系数为10，因此该时刻的蚀刻量的累积值为10n。 接着，对n张B基板进行分批处理。由于B基板的加权系数为2，因此将蚀 刻量2n相加，在此时刻下，蚀刻量的累积值达到12n。因此，在此时刻下， 使混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值增加一个等级。
接着，在本实施例中对n张C基板进行处理。由于C基板的加权系数为 30，因此将蚀刻量30n相加，在此时刻下，蚀刻量的累积值达到42n，超过 阈值12n的3倍。因此，在此时刻下，使混合酸水溶液的浓度控制的下侧基 准值增加两个等级。
其后，在本实施例中，在等待时间T期间不进行任何基板的处理。因此， 在蚀刻量的累积值达到42n之后，在等待时间T消逝的时刻，使混合酸水溶 液的浓度控制的下侧基准值增加一个等级。
而且，在本实施例中进行n张B基板的处理，蚀刻量的累积值变成44n， 接着进行n张C基板的处理。于是，蚀刻量的累积值变成74n，在此时刻下， 超过阈值12n的6倍。因此，在此时刻下，将混合酸水溶液的浓度控制的下 侧基准值再增加三个等级。
其后，在本实施例中，在等待时间T期间不进行任何基板的处理。因此， 在蚀刻量的累积值达到74n之后，在等待时间T消逝的时刻，使混合酸水溶 液的浓度控制的下侧基准值增加一个等级增加。
以上，如说明的那样，在本实施例中，基于各基板的加权系数和处理张 数算出多个种类的基板的蚀刻量的累积值，在该蚀刻量的累积值每次达到规 定量时，使混合酸水溶液的浓度控制的下侧基准值增加规定量。然后，在等 待时间T期间不进行任何基板的处理的情况下，也可以使混合酸水溶液的浓 度控制的下侧基准值增加规定量。由此，能够更精确地将混合酸水溶液的纯 水或其它规定成分的浓度保持为适当的值。需要说明的是，对于在本实施例 中所示的控制，也能够适用于处理液的作用期限中仅处理一种基板的情况。
在上述实施例中，对将纯水供给到混合酸水溶液的构成成分中从而控制 纯水浓度的例子进行了说明，但也可以供给混合酸水溶液的其他规定成分、 即磷酸、硝酸、乙酸中的任一成分来进行混酸的浓度控制。另外，对上述实 施例是处理液为混合酸水溶液的情况进行了说明，但本发明也可以适用于磷 酸等其他处理液。
另外，在上述实施例中，浓度计24为直线排列方式，但也可以采用采 样方式的浓度计。另外，为了进行混合酸水溶液的浓度控制，也可以不检测 纯水等成分的浓度而检测ph、导电率等与浓度相关性高的其它的参数，从而 换算成浓度。另外，在上述实施例中，纯水的补充是在处理槽7a的内槽50a 中进行的，但其也可以在外槽50b中进行。而且，在上述实施例中，纯水等 的补充量的控制是通过纯水补充阀49的开闭进行的，但其也可以通过泵的 控制来补充适量。
而且，在上述实施例中，目标值变更部自动地改变下侧基准值，但对于 操作者(实际的人、在线的操作操作终端的人)而言，也可以确认能否确认 目标值。具体而言，也可以将应变更目标值的含义显示在正面面板上，在存 在操作者的许可的情况下，改变目标值，在不许可的情况下，保持目标值。

Claims (26)

1.一种基板处理装置，其特征在于，将基板浸渍在包含至少包含磷酸的两种以上的药液和纯水的混酸水溶液中来对所述基板进行规定的处理，包括：
处理槽，贮存有用于对所述基板进行所述规定的处理的所述混酸水溶液；
处理液更换部，根据所述处理槽中的所述混酸水溶液的作用期限进行所述混酸水溶液的全液更换；
检测部，用于检测所述混酸水溶液中的所述纯水的浓度；
浓度控制部，基于利用所述检测部检测的所述纯水的所述浓度，向所述处理槽中的混酸水溶液供给所述纯水，从而控制所述纯水的所述浓度以使所述纯水的所述浓度成为规定的目标浓度；以及
目标值变更部，在所述混酸水溶液的全液更换结束后且进行所述规定的处理的期间，在所述混酸水溶液的作用期限的中途升高所述目标浓度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标浓度是在所述纯水的所述浓度下降而达到该浓度值的情况下供给所述纯水的下侧基准值，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途升高所述下侧基准值，由此消除表观上的纯水浓度与真正的纯水浓度的差异。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部对所述目标浓度的变更后的值设置上限值。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述混酸水溶液包含所述磷酸、硝酸、乙酸以及所述纯水。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途，在每隔恒定时间升高所述目标浓度。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液作用期限的中途变更升高所述目标浓度的时机，从而变更所述目标浓度的变更曲线。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途变更升高所述目标浓度时的升高幅度，从而变更所述目标浓度的变更曲线。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途，在进行了所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途，在供给了所述纯水的情况下，升高所述目标浓度。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限的中途，在对规定张数的所述基板进行了处理的情况下，升高所述目标浓度。
11.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在基于表示处理所述基板时的处理程度的加权系数以及所述基板的处理张数的处理量成为规定量的情况下，所述目标值变更部升高所述目标浓度。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述混酸水溶液的作用期限中处理多种基板，
在关于所述多种基板中的各种类基板的、基于所述加权系数和所述基板的处理张数的处理量的总量成为规定量的情况下，所述目标值变更部升高所述目标浓度。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述目标值变更部在所述混酸水溶液的作用期限中，在规定的等待时间的期间内不进行所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
14.一种基板处理方法，其特征在于，将基板浸渍在包含至少包含磷酸的两种以上的药液和纯水并且贮存在处理槽中的混酸水溶液来对所述基板进行规定的处理，包括：
处理液更换工序，根据所述混酸水溶液的作用期限进行所述混酸水溶液的全液更换；
浓度检测工序，用于检测所述混酸水溶液中的所述纯水的浓度；
浓度控制工序，基于在所述浓度检测工序中检测的所述纯水的所述浓度，向所述处理槽中的所述混酸水溶液供给所述纯水，以使所述纯水的所述浓度成为规定的目标浓度；以及
目标值变更工序，在所述混酸水溶液的全液更换结束后且进行所述规定的处理的期间，在所述混酸水溶液的作用期限的中途升高所述目标浓度。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
所述目标浓度是在所述纯水的所述浓度下降而达到该浓度值的情况下供给所述纯水的下侧基准值，
在所述目标值变更工序中，在所述混酸水溶液的作用期限的中途升高所述下侧基准值，由此消除表观上的纯水浓度与真正的纯水浓度的差异。
16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，对所述目标浓度的变更后的值设置上限值。
17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
所述混酸水溶液包含所述磷酸、硝酸、乙酸以及所述纯水。
18.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在每隔恒定时间升高所述目标浓度。
19.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，变更升高所述目标浓度的时机，从而变更所述目标浓度的变更曲线。
20.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，变更升高所述目标浓度时的升高幅度，从而变更所述目标浓度的变更曲线。
21.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在进行了所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
22.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在供给了所述纯水的情况下，升高所述目标浓度。
23.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在对规定张数的所述基板进行了处理的情况下，升高所述目标浓度。
24.根据权利要求14～17中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在基于表示处理所述基板时的处理程度的加权系数以及所述基板的处理张数的处理量成为规定量的情况下，升高所述目标浓度。
25.根据权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述混酸水溶液的作用期限中处理多种基板，
在所述目标值变更工序中，在关于所述多种基板中的各种类基板的、基于所述加权系数和所述基板的处理张数的处理量的总量成为规定量的情况下，升高所述目标浓度。
26.根据权利要求24所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述目标值变更工序中，在所述混酸水溶液的作用期限中，在规定的等待时间的期间内不进行所述基板的处理的情况下，升高所述目标浓度。
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