TWI719258B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供於基板處理裝置或基板處理方法中，可使處理槽中處理液之濃度更確實地維持於適合在該處理槽所進行之處理之濃度的技術。
本發明之基板處理裝置，係藉由使基板浸漬於混酸水溶液而對該基板進行蝕刻處理者，其具備有：處理槽，其貯存有混酸水溶液；處理液更換部，其配合處理槽中之混酸水溶液之壽命時間而對混酸水溶液進行全液更換；檢測部，其檢測混酸水溶液中之純水濃度；濃度控制部，其根據由檢測部所檢測出之純水濃度，而對處理槽中之混酸水溶液供給純水，藉此以純水濃度成為既定之目標濃度之方式進行控制；及目標值變更部，其變更下側基準值(目標濃度)。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於使半導體晶圓等之基板浸漬於被貯存在處理槽之處理液，而進行蝕刻處理或洗淨處理之基板處理裝置及基板處理方法，尤其，關於處理槽中處理液之濃度控制。
半導體裝置之製造步驟，包含有藉由使半導體晶圓等之基板浸漬於處理槽，而對該基板實施蝕刻處理或洗淨處理之步驟。如此之步驟係藉由包含複數個處理槽之基板處理裝置所執行。該基板處理裝置之各處理槽中處理液之濃度，由於存在有隨著時間之經過而因處理液構成成分之蒸發、分解等產生變化之情形，因此進行用以將處理液之濃度維持在適合前述之蝕刻處理或洗淨處理之範圍內之濃度控制。
作為如此之技術，如以下者係眾所周知。亦即，於該技術中，具有將處理液供給至處理槽之桶槽。然後，於存在於桶槽及循環線內之處理液之濃度超出既定範圍時，使用濃度補正部，在被設定於較桶槽之出口更下游側且較連接有液處理單元之連接區域更上游側之注入位置，將處理液構成成分注入循環線而混合於在循環線內流動之處理液。藉此，對流動於循環線內之處理液之濃度進行補正(例如，參照專利文獻1)。
於前述之習知技術中，雖於循環線配置濃度計而量測存在於循環線內之處理液之濃度，但利用該濃度計所得到之測量值，存在有因循環線中處理液之狀態而受影響之情形，即便藉由反饋控制等而將處理液之表觀上之濃度控制在目標值，但仍存在實際之處理液之濃度會隨著時間的經過而偏離表觀上之濃度之情形。
又，於處理液由複數藥劑及純水所構成之情形時，由於處理液構成成分存在有容易蒸發之成分與難以蒸發之成分，因此即便不考慮各成分揮發性之不同而進行濃度之控制，仍存在有難以將處理液之濃度維持在適合作為目的之處理之範圍內之情形。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-46443號公報
本發明係鑑於前述之狀況所發明者，其目的在於提供於基板處理裝置或基板處理方法中，可使處理槽中處理液之濃度更確實地維持在適合在該處理槽所進行之處理之濃度的技術。
用以解決上述課題之本發明係一種基板處理裝置，其藉由使基板浸漬於含有一種以上之藥液及純水之處理液而對該基板進行既定之處理；其特徵在於其具備有：處理槽，其貯存有用以 對上述基板進行上述既定之處理之上述處理液；處理液更換部，其配合上述處理槽中之上述處理液之壽命時間而對該處理液進行更換；檢測部，其檢測上述處理液中純水或其他既定成分之濃度；濃度控制部，其根據由上述檢測部所檢測出之上述濃度，而對上述處理槽中之處理液供給純水或上述其他既定成分，藉此以上述濃度成為既定之目標濃度之方式進行控制；及目標值變更部，其變更上述目標濃度。
藉此，即便於檢測部之檢測值因上述處理液之狀態而產生變化之情形時等，表觀上之上述純水或其他既定成分之濃度與實際之上述純水或其他既定成分之濃度間之偏離，或者於所檢測出之濃度中存在有所預想之處理狀況(例如蝕刻速率)與實際所得到之處理狀況間之偏離之情形時，仍可藉由變更目標濃度來消除該偏離，而更確實地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。再者，此處所謂處理液之壽命時間，係指若處理液之狀態持續地變化而持續地使用該處理液，便會被判斷為處理本身無法被充分地進行之使用時間，且藉由事先之實驗等所決定。又，所謂「配合壽命時間」，既可為經過壽命時間時，亦可為相對於壽命時間經過時之稍前或稍後之時間點。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為在上述處理液之壽命時間之中途，使上述目標濃度上升。如此一來，在上述處理液之壽命時間之中途，藉由更多地供給純水或其他既定成分，可消除該偏離，而將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。於該情形時，相較於使上述純水或其他既定成分之濃度降低之控制，可更容易地將純水或其他既定成分之濃度控制在 與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標變更部亦可設為對上述目標濃度設定上限值。藉此，可在上述處理液之壽命時間之中途，防止上述目標濃度過度地上升。
又，於本發明中，上述處理液亦可設為包含磷酸、硝酸、醋酸之至少一者及純水之混酸水溶液，上述濃度控制部對上述混酸水溶液供給純水，藉此以上述混酸水溶液之純水濃度成為既定之目標濃度之方式進行控制。藉此，可藉由變更純水之供給量或供給時序之簡單之動作，而將純水之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間之中途，每隔固定時間使上述目標濃度上升。藉此，可一邊抑制上述目標濃度之劇烈變化，一邊更穩定地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間之中途，變更使上述目標濃度上升之時序，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。藉此，可以更高的自由度來對應於上述處理液之狀態，而將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可於上述處理液之壽命時間之中途，變更使上述目標值上升時之上升幅度，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。藉此，亦可以更高的自由度來對應於上述處理液之狀態，而將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間之中途，在上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。此處，在上述基板之處理已被進行之情形時，金屬離子自基板溶出至處理液中之傾向很強。因此，在上述基板之處理已被進行之情形時，可藉由使上述目標濃度上升，更確實地或適時地，將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間之中途，在上述純水之供給已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。此處，由於被認定為在上述基板之處理已被進行之情形時，純水之供給被進行之概率很高，而於基板之處理時序與純水之供給時序之間有高度的相關，因此於純水之供給已被進行之情形時，藉由使上述目標濃度上升，亦可更確實地或適時地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間之中途，在既定片數之上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。此處，在上述基板之處理已被進行之情形時，要被處理之基板的片數並不一定都相同。另一方面，與自基板所溶出之金屬離子量有直接相關者，與其說是基板處理之次數，其實是所處理之基板的片數。因此，在既定片數之上述基板之處理已被進行之情形時，可藉由使上述目標濃度上升，而精度更佳地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為在基於上述基板處理中顯示處理程度之加權係數與上述基板之處理片數 的處理量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。此處，在上述基板之處理已被進行之情形時，根據基板之種類，處理1片基板時之處理程度會不同。所謂該處理程度，例如亦可為在1片基板之處理中反應所使用之處理液之量，或是1片基板之處理所造成處理液之劣化程度。因此，處理液中純水或其他既定成分之濃度之變化，除了所處理之基板之片數以外，亦可由處理1片基板時之處理程度所決定。
藉此，於本發明中，在基於顯示基板之處理中處理之程度之加權係數與基板之處理片數之處理量成為既定量之情形時，使目標濃度上升，藉此可精度更佳地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。再者，所謂基於加權係數與基板之處理片數之處理量，例如既可為藉由將加權係數與基板之處理片數相乘所算出者，亦可為藉由對基板之處理片數進行(加權係數)次方等利用其他之計算式所算出者。
又，於本發明中，在上述處理液之壽命時間中處理複數種類之基板，上述目標值變更部亦可設為在上述複數種類之基板中之基於各種類基板之上述加權係數與上述基板之處理片數之處理量的合計量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。此處，在基板處理裝置於處理液之壽命時間中對複數種類之基板進行處理之情形時，處理液之純水或其他既定成分之濃度之變化，係由各種類之基板之處理量的合計量所決定。
藉此，於本發明中，設為在處理液之壽命時間中對複數種類之基板進行處理時，於複數種類之基板中之基於各種類之基板之加權係數與基板之處理片數之處理量的合計量成為既定量之 情形時，使目標濃度上升。藉此，於基板處理裝置在處理液之壽命時間中對複數種類之基板進行處理之情形時，亦可精度更佳地將純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，於本發明中，上述目標值變更部亦可設為於上述處理液之壽命時間中，在上述基板之處理於既定之等待時間之期間內未被進行之情形時，使上述目標濃度上升。此處，在處理液之壽命時間中，即便於基板之處理跨長時間未被進行之情形時，亦存在有處理液中純水或其他既定成分之濃度會因蒸發或分解而產生變化之情形。因此，於本發明中，目標值變更部設為在基於上述加權係數與基板之處理片數之基板處理量(或者，複數種類之基板之處理量的合計量)成為既定量之情形時，使目標濃度上升，並且基板之處理於既定之等待時間之期間內未被進行之情形時，亦使目標濃度上升。藉此，可將基於基板處理之加權係數與基板之處理片數之處理量設為處理液之濃度控制的基準，並且將基板進行之處理跨長時間未被進行之情形亦設為處理液之濃度控制的基準，而可精度更佳地將處理液中之純水或其他既定成分之濃度控制在與處理相應之適當值。
又，本發明亦可為一種基板處理方法，其藉由使基板浸漬於含有一種以上之藥液及純水之處理槽所貯存之處理液，而對該基板進行既定之處理；其特徵在於，其具備有：處理液更換步驟，其配合上述處理液之壽命時間而對該處理液進行更換；濃度檢測步驟，其檢測上述處理液中純水或其他既定成分之濃度；濃度控制步驟，其根據於上述濃度檢測步驟所檢測出之上述濃度，而以上述濃度成為既定之目標濃度之方式對上述處理槽中之上述處理液供給純水或上述其他既定成分；及目標值變更步驟，其在上述處理液之壽命時間之中途變更上述目標濃度。
又，本發明亦可為以在上述目標值變更步驟中，使上述目標濃度上升作為特徵之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為以在上述目標值變更步驟中，上述目標濃度設定有上限值作為特徵之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為上述處理液係包含磷酸、硝酸、醋酸之至少一者及純水之混酸水溶液，且在上述濃度控制步驟中，以上述混酸水溶液之純水濃度成為既定之目標濃度之方式對上述混酸水溶液供給純水之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，每隔固定時間使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，變更使上述目標濃度上升之時序，藉此變更上述目標濃度之變更曲線之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，變更使上述目標值上升時之上升幅度，藉此變更上述目標濃度之變更曲線之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，在上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
此外，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，在上述純水之供給已被進行之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，在既定片數之上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，在基於於上述基板處理中顯示處理程度之加權係數與上述基板之處理片數的處理量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述處理液之壽命時間中，對複數種類之基板進行處理，且在上述目標值變更步驟中，在上述複數種類之基板中之各種類基板之基於上述加權係數與上述基板之處理片數之處理量的合計量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
又，本發明亦可為在上述目標值變更步驟中，於上述處理液之壽命時間，在上述基板之處理於既定之等待時間之期間內未被進行之情形時，使上述目標濃度上升之前述之基板處理方法。
再者，前述之用以解決課題之手段，可適當組合而加以使用。
根據本發明，於基板處理裝置或基板處理方法中，可將處理槽中處理液之濃度，更確實地維持在適合在該處理槽所進行之處理的濃度。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧緩衝部
3‧‧‧基板搬出入口
5、7、9‧‧‧處理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b‧‧‧處理槽
11、13、15‧‧‧升降器
17‧‧‧主搬送機構
17a‧‧‧臂
20‧‧‧循環線
21‧‧‧循環泵
22‧‧‧溫度調節器
23‧‧‧過濾器
24‧‧‧濃度計
26‧‧‧排液切換閥
27‧‧‧排液閥
30‧‧‧排液線
40‧‧‧濃度控制裝置
41‧‧‧藥液供給源
42‧‧‧藥液線
43‧‧‧副搬送機構
44‧‧‧藥液流量計
45‧‧‧藥液補充閥
46‧‧‧純水供給源
47‧‧‧純水線
48‧‧‧純水流量計
49‧‧‧純水補充閥
50a‧‧‧內槽
50b‧‧‧外槽
55‧‧‧控制部
57‧‧‧儲存部
T‧‧‧等待時間
t1、t2‧‧‧時間點
W‧‧‧基板
圖1係顯示實施例1之基板處理裝置之概略構成的立體圖。
圖2係實施例1之基板處理裝置的功能方塊圖。
圖3係顯示關於實施例1之基板處理裝置之處理部中各處理槽之處理液之控制之構成的圖。
圖4係顯示一般之處理槽中混酸水溶液之濃度控制之態樣的曲線圖。
圖5係顯示實施例1之基板處理裝置之處理槽中混酸水溶液之濃度控制之態樣的曲線圖。
圖6係實施例1之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的例子。
圖7(a)及(b)係實施例1之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的第2例。
圖8係實施例1之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的第3例。
圖9係實施例2之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的例。
圖10係實施例2之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的第2例。
圖11係實施例3之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的例。
圖12係實施例3之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的第2例。
圖13係實施例3之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的第3例。
圖14係實施例4之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的例子。
圖15係實施例5之混酸水溶液之壽命時間之下側基準值之變化之態樣之曲線圖的例子。
<實施例1>
以下，一邊參照圖式一邊對本發明之實施例，詳細地進行說明。再者，以下所示之實施例係本發明之一態樣，並非用以限定本發明之技術範圍者。圖1係顯示實施例1之基板處理裝置1之概略構成的立體圖。該基板處理裝置1係主要對基板W實施蝕刻處理或洗淨處理(以下，亦簡稱為「處理」)者。於基板處理裝置1中，於圖1之右深處側，配置有存放基板W之緩衝部2，而於緩衝部2之更右深處側，設置有用以操作基板處理裝置1之正面面板(未圖示)。又，於緩衝部2中與正面面板相反之側，設置有基板搬出入口3。又，基板處理裝置1之長度方向上，自緩衝部2之相反側(圖1中之左近前側)，並排設置有對基板W進行處理之處理部5、7及9。
各處理部5、7及9各自具有兩個處理槽5a及5b、7a及7b、9a及9b。又，於基板處理裝置1具備有用以使複數片基板W僅於各處理部5、7及9之各處理槽之間對圖1中之短箭頭之方向及範圍移動之副搬送機構43。又，該副搬送機構43為了使複數片基板W浸漬於處理槽5a及5b、7a及7b、9a及9b，或者將複數片基板W自該等處理槽拉起，而使複數片基板W亦沿著上下移動。於各個副搬送機構43設置有保持複數片基板W之升降器11、13 及15。此外，於基板處理裝置1，為了將複數片基板W分別搬送至各處理部5、7及9，而具備有可在圖1中之長箭頭方向及範圍移動之主搬送機構17。
主搬送機構17具有兩根可動式之臂17a。於該等臂17a設置有用以載置基板W之複數個溝(省略圖示)，在圖1所示之狀態下，以立起姿勢(基板主面之法線沿著水平方向之姿勢)保持各基板W。又，自圖1中之右斜下方向觀察，主搬送機構17之兩根臂17a藉由自「V」字狀擺動為倒「V」字狀，而放開各基板W。然後，藉由該動作，基板W可在主搬送機構17與升降器11、13及15之間被交接。
圖2顯示基板處理裝置1之功能方塊圖。前述之主搬送機構17、副搬送機構43、處理部5、7、9係由控制部55所統括性地控制。作為控制部55之硬體之構成，與一般之電腦相同。亦即，控制部55具備有進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)、作為儲存基本程式之讀取專用之記憶體之ROM(Read-Only Memory；唯讀記憶體)、作為儲存各種資訊之讀寫自如之記憶體之RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)及事先儲存有控制用應用程式或資料等之磁碟等。在本實施例中，藉由控制部55之CPU執行既定之程式，而將基板W搬送至各處理部5、7、9，並以實施對應於程式處理之方式來控制各部分。前述之程式係儲存於儲存部57。
圖3係顯示關於基板處理裝置1之處理部5、7、9中各處理槽5a、7a、9a之處理液之控制之構成的圖。於圖3中，在處理部5、7、9之各處理槽5a、7a、9a中，以處理槽7a為例進行 說明。與以下之處理槽7a之處理液之控制相當或類似之控制，亦可被應用於其他處理槽5a及9a。
此處，在半導體晶圓之製造步驟中，例如將矽等之單結晶鑄塊(ingot)沿著其棒軸方向切片，並對所得到者依序實施倒角(chamfering)、研磨(lapping)、蝕刻處理、拋光(polishing)等之處理。其結果，於基板表觀上形成不同材料所構成之複數層、構造、及電路。然後，在處理槽7a所進行基板W之蝕刻處理，例如係以去除殘留於基板W上之鎢等金屬為目的所進行，且係藉由將基板W浸漬於作為處理液之混酸(磷酸、硝酸、醋酸、純水)水溶液等既定時間所進行。再者，前述之蝕刻處理係本發明之既定處理之一例。又，混酸中之磷酸、硝酸、醋酸係本發明中之「其他既定成分」之一例。
於圖3中，處理槽7a具有由供基板W浸漬於混酸水溶液中之內槽50a及回收自內槽50a之上部溢流之混酸水溶液之外槽50b所構成之雙重槽構造。內槽50a係由對混酸水溶液之抗蝕性優異之石英或氟樹脂材料所形成之俯視矩形之箱型構件。外槽50b係由與內槽50a相同之材料所形成，並以圍繞內槽50a之外周上端部之方式被設置。
又，如前所述，於處理槽7a設置有用以使基板W浸漬於其所貯存之混酸水溶液之升降器13。升降器13藉由3根保持棒一併地保持以立起姿勢被相互平行地排列之複數片(例如50片)基板W。升降器13係設為可藉由副搬送機構43朝上下左右之方向移動，而可使所保持之複數片基板W在浸漬於內槽50a內之混酸水溶液中之處理位置(圖3之位置)與自混酸水溶液拉起之交接位置之間升降，並且可使其朝向隔壁之處理槽7b移動。
又，基板處理裝置1具備有使混酸水溶液循環至處理槽7a之循環線20。循環線20係將自處理槽7a所排出之混酸水溶液加以過濾、加熱後再壓送回流至處理槽7a之配管路徑，具體而言，係將處理槽7a之外槽50b與內槽50a流路連接所構成。又，排液線30係以自循環線20分支之方式進行分支，並在將混酸水溶液送回處理槽7a而進行排液之情形時，藉由對排液切換閥26及排液閥27進行開閉，而將自外槽50b所排出之混酸水溶液經由排液線30而直接加以廢棄。
於循環線20之路徑中途，除了閥類以外，自上游側依序設置有循環泵21、溫度調節器22、過濾器23及作為檢測部之濃度計24。循環泵21經由循環線20而將混酸水溶液自外槽50b吸入並且朝向內槽50a壓送。溫度調節器22將流動於循環線20之混酸水溶液再加熱至既定之處理溫度。再者，於處理槽7a亦設置有省略圖示之加熱器，被貯存於處理槽7a之混酸水溶液亦以維持既定之處理溫度之方式被加熱。過濾器23係用以去除流動於循環線20之混酸水溶液中之異物的過濾器。
又，濃度計24對藉由循環線20被回收至內槽50a之混酸水溶液之成分中之純水濃度進行測量。處理槽7a內之混酸濃度係以由該濃度計24所測量之純水濃度成為最適值之方式所控制。此處，純水濃度由濃度計24所測量之處理，相當於本發明之濃度檢測步驟。又，處理槽7a內之混酸濃度被控制之處理，係由控制部55所進行，而此時之控制部55相當於濃度控制部，處理本身則相當於本發明之濃度控制步驟。更具體而言，如圖3所示，控制部55除了進行處理槽內之混酸溶液之全液更換控制、或混酸水 溶液之濃度之反饋控制等之處理之外，還如後所述，進行關於混酸水溶液之濃度之目標值(下側基準值)之變更控制的處理。
其次，對具有前述之構成之基板處理裝置1之作用更詳細地進行說明。首先，在被貯存於處理槽7a之混酸水溶液中是否有基板W浸漬，循環泵21始終以一定流量壓送混酸水溶液。藉由循環線20被回流至處理槽7a之混酸水溶液，係自內槽50a之底部所供給。藉此，於內槽50a之內部，產生自底部朝向上方之混酸水溶液之上升流。自底部所供給之混酸水溶液，最終自內槽50a之上端部溢出而流入外槽50b。持續進行流入外槽50b之混酸水溶液自外槽50b經由循環線20被送至循環泵21，並再次被壓送回流至處理槽7a之循環程序。
一邊執行由如此之循環線20所進行混酸水溶液之循環程序，一邊使在交接位置接收複數片基板W之升降器13下降至處理位置而使基板W浸漬於被貯存在內槽50a內之混酸水溶液中。藉此，進行既定時間之處理，並於處理結束後，升降器13再次上升至交接位置而將基板W自混酸水溶液拉起。其後，升降器13進行水平移動及降下，而使基板W浸漬於隔壁之處理槽7b，並使水洗處理被實施。
除了前述以外，於基板處理裝置1還具備有用以控制處理槽7a之混酸水溶液之濃度之濃度控制裝置40。該濃度控制裝置40具有藥液供給源41、連結藥液供給源41與處理槽7a之藥液線42、純水供給源46、及連結純水供給源46與處理槽7a之純水線47。
此處，雖省略圖示，但於藥液供給源41獨立地設置 有分別供給構成混酸之磷酸、硝酸、醋酸之供給源，且於藥液線42獨立地設置有分別將磷酸、硝酸、醋酸導至處理槽7a之線。於最初生成處理液時，存在有由於需要供給速度，因此處理液雖自粗配管朝向內槽50a被投入，但於補充處理液時，卻朝向外槽50b被補充之情形。於藥液線42之各個線，具備有可分別地測量通過之藥液(磷酸、硝酸、醋酸)之流量的藥液流量計44、及可分別調整磷酸、硝酸、醋酸之流量的藥液補充閥45。另一方面，於純水線47具備有測量通過純水線47之純水之流量的純水流量計48、及調整純水之流量的純水補充閥49。又，前述之控制部55根據濃度計24之測量結果來控制藥液補充閥45及純水補充閥49，並以使處理槽7a內之混酸水溶液之濃度成為最適於處理之濃度之方式進行控制。
圖4係顯示前述之處理槽7a中混酸水溶液之習知之濃度控制之態樣的曲線圖。更具體而言，其顯示內槽50a中混酸水溶液之濃度(純水濃度)之變化。此處，橫軸顯示時間，而縱軸顯示混酸中之純水濃度(W%)。於圖4之曲線圖中，下部之脈衝狀之表示A，顯示對內槽50a純水被供給之時序。又，上部之折線B顯示純水濃度之變化。
在圖4中，於時間點t1，進行混酸水溶液之全液更換。然後，於時間點t2再次進行混酸水溶液之全液更換。時間點t1與時間點t2之間隔，亦可為例如5~10小時左右。其原因在於在時間點t1至時間點t2之間基板W之蝕刻處理被重複進行，使自基板W溶出至混酸水溶液內之金屬離子之濃度上升，因此在對蝕刻處理之品質造成影響之前將混酸水溶液全部更換。該全液更換之間的期間，可認定為基板處理裝置1之混酸水溶液之壽命時間。又，全液 更換雖藉由控制部55所執行，但此時之控制部55相當於處理液更換部，而該控制相當於處理液更換步驟。
此處，圖4之曲線圖上部之水平之虛線，顯示純水濃度之下側基準值。亦即，於處理槽7a中，水分隨著時間之經過而蒸發，使純水濃度降低，而在達到下側基準值之情形時，供給適量(例如100ml)之純水，使純水濃度上升，並重複如此之控制。藉由該控制，處理槽7a中混酸水溶液之濃度被維持在下側基準值以上。又，由於限定一次所供給之純水量，因此純水濃度亦不會變得較容許範圍高。
再者，於圖4中，在混酸水溶液之全液更換之時序，混酸水溶液之純水濃度雖一度較下側基準值大幅地降低，但其後，根據脈衝狀表示A之間隔較壽命時間之其他期間短亦可得知，以短間隔重複進行純水之供給，純水濃度可於相對較短之期間內回復至下側基準值以上。這是因為在全液更換時，混酸水溶液之純水濃度容易變動，因此採用一度使純水濃度成為較目標值低之狀態並藉由頻繁地供給純水而使純水濃度穩定之控制，可相較於藉由供給混酸水溶液來進行濃度控制更容易進行控制。
此處，如圖4所示，在將混酸水溶液之濃度維持於一定之情形時，即便於混酸水溶液之壽命時間中，亦存在有隨著時間經過，基板W之蝕刻速率會逐漸地降低之現象。其原因可能在於，在基板W之處理中自基板W所溶出之金屬離子之濃度會變高，而使濃度計24之測量精度惡化，從而因表觀上之純水濃度與實際之純水濃度之間產生偏離所導致。
又，混酸係藉由混合磷酸+硝酸+醋酸+純水之複數種 成分所形成，由於含有如磷酸般難以蒸發之酸、與如硝酸、醋酸般易於蒸發之酸，因此被認為亦存在有因硝酸及醋酸之蒸發分量而導致純水濃度之降低，則即便表觀上之純水濃度被維持在適當值，但實際之純水濃度仍會變低之影響。
相對於此，如圖5所示，在本實施例子，於混酸水溶液之壽命時間中，隨著時間之經過，使混酸水溶液之濃度控制中下側基準值之數值變化。藉此，可消除表觀上之純水濃度與真實之純水濃度之偏離，而可實質上將處理槽7a內之混酸水溶液之濃度維持在適當之值。在圖5之例子中，使純水濃度之下側基準值，在混酸水溶液之壽命時間之間，例如自15(W%)增加至16(W%)。此處，使純水濃度之下側基準值增加之處理雖由控制部55所執行，但此時之控制部55構成目標值變更部。又，使純水濃度之下側基準值增加之處理相當於本發明之目標值變更步驟。此外，下側基準值相當於本發明之目標濃度。
於前述中作為目標變更部之控制部55，亦可根據資料表格來變更下側基準值。更具體而言，亦可將沿著所預先設定之變化曲線進行變化之資料，作為表格而加以存放。該變化曲線亦可定義為在與時間(例如自壽命時間之起始時間點t1起之經過時間)之關係下，下側基準值之變化。前述之資料表格既可被保存於儲存部57，亦可保存於外部記憶體。又，對應於該變化曲線之資料表格既可藉由操作者來輸入，亦可預先準備對應於複數個變化曲線之資料表格，而由操作者來適當選擇。由操作者進行之輸入或選擇，既可自基板處理裝置1之正面面板來進行，亦可自外部電腦或行動裝置終端而藉由通信來輸入。
又，作為目標變更部之控制部55，亦可在滿足所預先設定之條件之時序變更下側基準值。前述之條件，例如可為基板W之處理被進行之時序、純水被供給至處理槽7a之時序、處理完畢之基板W數量達到既定數量之時序等。又，前述之條件亦可為下側基準值之變更由操作者所許可之時序。於該情形時，對於由裝置所進行變更下側基準值之通知，下側基準值係藉由操作者以手動下達許可指示來變更。
圖6顯示在作為混酸水溶液之壽命時間之時間點t1至時間點t2之間，使純水濃度之下側基準值以一定比例增加(例如15%至16%等)之情形時，下側基準值之變化之態樣的例子。在圖6之例子中，將混酸水溶液之壽命時間等間隔地區分為n階段，並涵蓋n次以一定之間隔每次一定量地使下側基準值之數值增加。如此一來，可使混酸水溶液之濃度控制之目標值直線地增加，而可穩定地使混酸水溶液之濃度最佳化。再者，於圖6中顯示下側基準值之變化之線，相當於本發明之變更曲線。於以下所示之各圖中，下側基準值之變化之線亦相同。
再者，如圖7所示，於本實施例中，亦可對下側基準值設定上限值。於圖7(a)及圖7(b)中，在下側基準值達到基準值變動上限值(W%)之後，停止下側基準值之增加。藉此，無論在如何限定混酸水溶液之壽命時間與下側基準值之增加間隔之情形時，皆可防止純水濃度之目標值過度地變高之情形。又，如圖7(b)所示，於本實施例中，亦可在混酸水溶液之全液更換之後，設定既定之開始延遲時間。亦即，於混酸水溶液之全液更換後，不需要立刻開始使下側基準值增加，而可於自基板W所溶出之金屬離子濃度變高， 或硝酸與醋酸之蒸發量變多之後，再開始下側基準值之增加。藉此，可以更高之自由度使下側基準值變化。
又，於本實施例中，在混酸水溶液之壽命時間中，並不一定需要以等間隔使濃度控制之下側基準值增加。圖8顯示使純水濃度之下側基準值在作為混酸水溶液之壽命時間之一例之720分鐘之間例如自15(W%)增加至16(W%)之情形之下側基準值之變化之態樣的例子。於圖8之例子中，在經過初次變動開始延遲時間60分鐘(3600秒)之後，將使濃度控制之下側基準值變化之間隔時間變更為90分鐘(5400秒)
Figure 106132444-A0101-12-0020-18
60分鐘(3600秒)
Figure 106132444-A0101-12-0020-17
30分鐘(1800秒)，然後，使濃度控制之下側基準值之變化一度停止(間隔時間30分鐘(1800秒)
Figure 106132444-A0101-12-0020-19
0分鐘(0秒))，而且，使間隔時間變化為0分鐘(0秒)
Figure 106132444-A0101-12-0020-20
60分鐘(3600秒)。
如此，在混酸水溶液之壽命時間中，可自由地變更間隔時間。又，在混酸水溶液之壽命時間中，於被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子濃度上升至一定值以上而對濃度計之測量精度之影響明顯地呈現之情形時，亦可在作為混酸水溶液之壽命時間之一例之720分鐘中，使間隔時間產生逐漸地變短等之變化。
<實施例2>
其次，對本發明之實施例2進行說明。相對於在實施例1中，變化量設為一定量，而根據變化時間來控制混酸水溶液之濃度控制之下側基準值之增加，於本發明之實施例2中，在將混酸水溶液之濃度控制之下側基準值，一邊使其變化幅度產生變動一邊加以控制的部分，與實施例1不同。
於圖9中，在經過初次變動開始延遲時間60分鐘(3600秒)之後，將使濃度控制之下側基準值變化之間隔時間設為90分鐘(5400秒)，而關於最早的2次間隔，於每個間隔設為D(W%)之增加幅度(差量)，並在第3次與第4次之間隔經過時設為2*D(W%)之增加幅度(差量)，然後，一度停止濃度控制之下側基準值之變化(增加幅度(差量)=0)，而且，將其變化為D(W%)之增加幅度(差量)。
又，在本實施例中，濃度控制之下側基準值之增加幅度之變化量既可設為一定，亦可如圖10所示，於間隔之間之時間，將過去之增加幅度之合計值設為增加幅度，而使濃度控制之下側基準值增加。於圖10中，經過初次變動開始延遲時間60分鐘(3600秒)之後，將使濃度控制之下側基準值變化之間隔時間設為90分鐘(5400秒)，而基本上每個間隔設為D(W%)之增加幅度(差量)，並在既定之間隔之間之時序，將過去之增加幅度之合計值設為增加幅度，而使濃度控制之下側基準值增加。該時序既可設為預先由程式所決定，亦可設為由使用者以手動來使其增加。
<實施例3>
其次，對本發明之實施例3進行說明。在實施例3中，對將混酸水溶液之濃度控制之下側基準值之增加與基板W之處理量建立關聯而加以控制之例子進行說明。
在本實施例中，例如如圖11所示，亦可設為於每次在純水補充之時序使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。於圖11中，縱軸顯示純水濃度控制之下側基準值(W%)，而橫軸顯示 時間。又，曲線圖下部之脈衝狀之顯示係純水之補充時序。此處，在處理槽7a所進行基板W之處理後馬上進行純水補充之情形很多，在處理槽7a所進行基板W之處理之時序與補充純水之時序之間存在有高度的相關。
因此，如圖11所示，若每次在純水補充之時序使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加，便可使在處理槽7a所進行基板W之處理以高度的相關使下側基準值增加。藉此，可將混酸水溶液之純水濃度更加容易地維持在適當值。
又，在本實施例中，如圖12所示，亦可設為於每次在進行基板W之處理(批次處理)時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。此處，在處理槽7a所進行基板W之處理後，存在有被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子量增加之傾向。因此，如圖12所示，若每次在進行基板W之處理(批次處理)時使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加，便可配合被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子量增加之時序，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加，而進行純水之供給變得更容易之控制。其結果，可更確實地將混酸水溶液之純水濃度維持在適當值。
再者，於本實施例中，亦可進行於每次在進行基板W之處理(批次處理)時，縮短使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加之間隔，或於每次在進行基板W之處理(批次處理)時，增大使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加時之增加幅度等的控制。
其他，在本實施例中，例如如圖13所示，亦可根據在處理槽7a所進行處理之基板W之片數，來使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。在圖13中，橫軸表示時間，而縱軸表示 下側基準值與基板W之處理片數。以圖中虛線所表示之線顯示基板W之處理片數，而以圖中實線所表示之線顯示下側基準值。然後，於圖13中，於每次在處理槽7a所進行處理之基板W之片數增加既定片數(例如50片)時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。
藉此，藉由所處理之基板W數量例如增加50片，可更直接地對應於被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子量增加之情形。亦即，由於被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子之量與所處理之基板W之數量之相關性應該非常高，因此可更確實地利用被蓄積於混酸水溶液中之金屬離子之增加，來對應表觀上之純水濃度與實際之純水濃度之偏離。又，即便於每次在基板W之處理(批次處理)時，處理之半導體晶圓之片數不同，仍可精度更佳地在各時序中得到最適於處理之純水濃度之混酸水溶液。
<實施例4>
其次，對本發明之實施例4進行說明。在本實施例4中，對將混酸水溶液之濃度控制之下側基準值之增加與基板W之處理量建立關聯而加以控制之例子，且根據處理槽中蝕刻量之累積值使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加之例子進行說明。
此處，可知根據基板W之種類的不同，一次處理之蝕刻量會不同，且即便於處理相同片數之情形時，混酸水溶液之濃度變化也會因基板W之種類不同而不同。因此，在本實施例中，對應於基板W之種類而對每處理1片基板W之蝕刻量，藉由加權係數預先予以加權。然後，根據各基板W之加權係數與處理片數 計算出蝕刻量之累積值，並於蝕刻量之累積值每次達到既定量時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。
圖14顯示在本實施例中，處理3種類之基板W之情形時蝕刻量之累積值、及與之對應之混酸水溶液之濃度控制之下側基準值的變化例。如圖14所示，在本實施例中，對A、B、C之3種類的基板W進行批次處理。而且，A、B、C分別之基板W之蝕刻量之加權係數係設為10、2、30。又，在本實施例中，對各基板W計算處理片數×加權係數，並藉由將其與所有的基板進行合計，來計算出蝕刻量之累積值。然後，在將各基板W之1次處理之處理片數設為n之情形時，蝕刻量之累積值每達到12n時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。
在圖14所示之例子中，於處理開始後，首先對n片之A基板進行批次處理。由於A基板之加權係數為10，因此該時間點之蝕刻量之累積值為10n。其次，對n片之B基板進行批次處理。由於B基板之加權係數為2，因此加上蝕刻量2n，在該時間點，蝕刻量之累積值達到12n。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。
其次，在本實施例中，對n片之C基板進行處理。由於C基板之加權係數為30，因此加上蝕刻量30n，在該時間點，蝕刻量之累積值達到42n，超過臨限值12n之3倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加2個階段。
其後，在本實施例中，n片B基板之處理重複3次。由於B基板之加權係數為2，因此每進行處理時，加上蝕刻量2n，蝕刻量之累積值便增加為44n、46n、48n。然後，在該時間點達到 臨限值12n之4倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值再增加1個階段。
其後，在本實施例中，進行n片B基板之處理，蝕刻量之累積值成為50n，並接著進行n片C基板之處理。如此一來，蝕刻量之累積值成為80n，在該時間點超過臨限值12n之6倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值進再增加2個階段。
此外，在本實施例中，進行n片B基板之處理，蝕刻量之累積值成為82n，接著進行n片A基板之處理。如此一來，蝕刻量之累積值成為92n，在該時間點超過臨限值12n之7倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值再增加1個階段。
如以上所說明，在本實施例中，每被處理之基板利用加權係數賦予蝕刻量之加權，並根據各基板之加權係數與處理片數，來計算出複數種類之基板之蝕刻量之累積值。然後，在該蝕刻量之累積值每達到既定量時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加既定量。藉此，可精度更佳地將混酸水溶液之純水或其他既定成分之濃度維持在適當值。再者，在本實施例中，雖已對在處理液之壽命時間中處理複數種類之基板之情形進行說明，但即便在處理液之壽命時間中僅處理一種類之基板之情形時，亦可計算出該基板W之蝕刻量之累積值，且在蝕刻量之累積值每達到既定量時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加既定量。
<實施例5>
其次，對本發明之實施例5進行說明。在實施例5中，對與實施例4相同地，對應於處理槽中蝕刻量之累積值使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加之例子，且基板之處理即便經過既定之等待時間也未被進行之情形時，仍使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加之例子進行說明。
此處，已知即便於基板W之處理完全未被進行之情形時，若經過某個程度之時間，混酸水溶液之濃度就會因蒸發或分解而產生變化。因此，在本實施例中，在基於所處理之各基板之加權係數與處理片數之蝕刻量之累積值每達到既定量時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加既定量，且即便經過既定之等待時間，在任一基板W之處理皆未被進行之情形時，仍使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。
圖15顯示在本實施例中處理3種類基板W之片數及與之對應之混酸水溶液之濃度控制之下側基準值之變化的例子。如圖15所示，在本實施例中亦對A、B、C之3種類之基板W進行批次處理，且A、B、C各基板W之蝕刻量之加權係數係設為10、2、30。
又，在本實施例中，亦對各基板W計算處理片數×加權係數，並藉由將其與所有的基板進行合計，來計算出蝕刻量之累積值。然後，在將各基板W之1次處理之處理片數設為n之情形時，蝕刻量之累積值每達到12n時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。又，於既定之等待時間T之間，即便在任一基板W之處理皆未被進行之情形時，仍使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加。
在圖15所示之例子中，於處理開始後，首先對n片之A基板進行批次處理。由於A基板之加權係數為10，因此該時間點之蝕刻量之累積值為10n。其次，對n片之B基板進行批次處理。由於B基板之加權係數為2，因此加上蝕刻量2n，在該時間點，蝕刻量之累積值達到12n。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。
其次，在本實施例中，對n片之C基板進行處理。由於C基板之加權係數為30，因此加上蝕刻量30n，在該時間點，蝕刻量之累積值達到42n，超過臨限值12n之3倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加2個階段。
其後，在本實施例中，於等待時間T之間，任一基板之處理皆未被進行。因此，於蝕刻量之累積值達到42n後，在經過等待時間T之時間點，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。
此外，在本實施例中，進行n片B基板之處理，蝕刻量之累積值成為44n，接著進行n片C基板之處理。如此一來，蝕刻量之累積值成為74n，在該時間點超過臨限值12n之6倍。因此，在該時間點使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值再增加3個階段。
其後，在本實施例中，於等待時間T之間，任一基板之處理皆未被進行。因此，於蝕刻量之累積值達到74n後，在經過等待時間T之時間點，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加1個階段。
如以上所說明，在本實施例中，根據各基板之加權係數與處理片數，來計算出複數種類之基板之蝕刻量之累積值，並在 該蝕刻量之累積值每達到既定量時，使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加既定量。然後，即便於等待時間T之間任一基板之處理皆未被進行之情形時，仍使混酸水溶液之濃度控制之下側基準值增加既定量。藉此，可精度更佳地將混酸水溶液之純水或其他既定成分之濃度維持在適當值。再者，本實施例所示之控制，亦可適用於在處理液之壽命時間中僅處理一種類之基板之情形。
在前述之實施例中，雖已對藉由供給混酸水溶液之構成成分中之純水而控制純水濃度之例子進行說明，但亦可藉由供給混酸水溶液之其他既定成分、即磷酸、硝酸、醋酸中之任一成分而進行混酸之濃度控制。又，前述之實施例雖已對處理液為混酸水溶液之情形進行說明，但本發明亦可適用於磷酸等其他之處理液。
又，在前述之實施例中，濃度計24雖採用線上(in line)方式者，但亦可為採用取樣方式者。又，為了進行混酸水溶液之濃度控制，亦可不藉由純水等之成分之濃度，而藉由檢測ph值或導電率等與濃度相關性高之其他參數來換算成濃度。又，在前述之實施例中，純水之補充雖在處理槽7a之內槽50a進行，但亦可在外槽50b進行。此外，在前述之實施例中，純水等之補充量之控制雖藉由純水補充閥49之開閉而進行，但亦可藉由泵之控制適量地進行補充。
除此之外，在前述之實施例中，目標值變更部雖自動地使下側基準值變化，但亦可由操作者(實際的人或操作網路上之操作終端的人)確認是否可變更目標值。具體而言，亦可設為在正面面板顯示應變更目標值之內容時，在操作者許可之情形時使目標值變化，而在不許可之情形時維持目標值。

Claims (26)

  1. 一種基板處理裝置，係藉由使基板浸漬於含有至少包含磷酸之兩種以上之藥液及純水之處理液而對該基板進行既定之處理者；其特徵在於，其具備有：處理槽，其貯存有用以對上述基板進行上述既定之處理之上述處理液；處理液更換部，其配合上述處理槽中之上述處理液之壽命時間而對該處理液進行全液更換；檢測部，其檢測上述處理液中純水之濃度；濃度控制部，其根據由上述檢測部所檢測出之上述濃度，而對上述處理槽中之處理液供給純水，藉此以上述濃度成為既定之目標濃度之方式進行控制；及目標值變更部，其在上述處理液之全液更換結束後且進行上述既定之處理的期間，並在上述處理液之壽命時間之中途，使上述目標濃度上升。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述目標濃度係純水之濃度之下側基準值，上述目標值變更部在上述處理液之全液更換結束後且進行上述既定之處理的期間，並在上述處理液之壽命時間之中途，使上述下側基準值上升，藉此消除表觀上之純水濃度與真實之純水濃度的偏離。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述目標變更部對上述目標濃度之變更後之值設定上限值。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液係包含磷酸、 硝酸、醋酸及純水之混酸水溶液。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，每隔固定時間使上述目標濃度上升。
  6. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，變更使上述目標濃度上升之時序，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。
  7. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，變更使上述目標值上升時之上升幅度，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。
  8. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，在上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  9. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，在上述純水之供給已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  10. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間之中途，在既定片數之上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  11. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部在基於上述基板處理中顯示處理程度之加權係數與上述基板之處理片數的處理量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，在上述處理液之壽命時 間中，對複數種類之基板進行處理，上述目標值變更部在上述複數種類之基板中之各種類基板之基於上述加權係數與上述基板之處理片數之處理量的合計量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中，上述目標值變更部於上述處理液之壽命時間中，在上述基板之處理於既定之等待時間之期間內未被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  14. 一種基板處理方法，係藉由使基板浸漬於含有至少包含磷酸之兩種以上之藥液及純水之處理槽所貯存之處理液，而對該基板進行既定之處理；其特徵在於，其具備有：處理液更換步驟，其配合上述處理液之壽命時間而對該處理液進行全液更換；濃度檢測步驟，其檢測上述處理液中純水之濃度；濃度控制步驟，其根據於上述濃度檢測步驟所檢測出之上述濃度，而以上述濃度成為既定之目標濃度之方式對上述處理槽中之上述處理液供給純水；及目標值變更步驟，其在上述處理液之全液更換結束後且進行上述既定之處理的期間，並在上述處理液之壽命時間之中途，使上述目標濃度上升。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中，上述目標濃度係純水之濃度之下側基準值，在上述目標值變更步驟中，在上述處理液之全液更換結束後且進行上述既定之處理的期間，並在上述處理液之壽命時間之中途，使上述下側基準值上升，藉此消除表觀上之純水濃度與真實之純水濃 度的偏離。
  16. 如請求項14之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，上述目標濃度之變更後之值設定有上限值。
  17. 如請求項14之基板處理方法，其中，上述處理液係包含磷酸、硝酸、醋酸及純水之混酸水溶液。
  18. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，每隔固定時間使上述目標濃度上升。
  19. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，變更使上述目標濃度上升之時序，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。
  20. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，變更使上述目標值上升時之上升幅度，藉此變更上述目標濃度之變更曲線。
  21. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，在上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  22. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，在上述純水之供給已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  23. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，在既定片數之上述基板之處理已被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
  24. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，在基於上述基板處理中顯示處理程度之加權係 數與上述基板之處理片數的處理量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。
  25. 如請求項24之基板處理方法，其中，在上述處理液之壽命時間中，對複數種類之基板進行處理，在上述目標值變更步驟中，在上述複數種類之基板中之各種類基板之基於上述加權係數與上述基板之處理片數之處理量的合計量成為既定量之情形時，使上述目標濃度上升。
  26. 如請求項24之基板處理方法，其中，在上述目標值變更步驟中，於上述處理液之壽命時間，在上述基板之處理於既定之等待時間之期間內未被進行之情形時，使上述目標濃度上升。
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