JP2018056555A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記基板に前記所定の処理を行うための前記処理液が貯留された処理槽と、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換部
と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記濃度に基づいて、前記処理槽中の処理液に純水または前記他の所定成分を供給することで、前記濃度が所定の目標濃度になるように制御する濃度制御部と、
前記目標濃度を変更する目標値変更部と、
を備えることを特徴とする。
に応じて、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。
とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、目標濃度を上昇させることとした。これにより、基板処理装置が、処理液のライフタイム中に複数種類の基板を処理する場合にも、より精度よく、純水または他の所定成分の濃度を処理に応じた適切な値に制御することが可能となる。
前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換工程と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する濃度検出工程と、
前記濃度検出工程において検出された前記濃度に基づいて、前記濃度が所定の目標濃度になるように前記処理槽中の前記処理液に純水または前記他の所定成分を供給する濃度制御工程と、
前記処理液のライフタイムの途中で前記目標濃度を変更する目標値変更工程と、
を備えることを特徴とする、基板処理方法であってもよい。
前記目標値変更工程においては、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする上記の基板処理方法であってもよい。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図1は実施例1に係る基板処理装置1の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置1は、主として基板Wに対してエッチング処理や洗浄処理(以下、単に"処理"ともいう)を施すものである。基板処理装置1においては、図1において右奥側に、基板Wをストックするバッファ部2が配置され、バッファ部2のさらに右奥側には、基板処理装置1を操作するための正面パネル(不図示)が設けられている。また、バッファ部2における正面パネルと反対側には、基板搬出入口3が設けられている。また、基板処理装置1の長手方向における、バッファ部2の反対側(図1において左手前側)から、基板Wに対して処理を行う処理部5、7及び9が並設されている。
送機構43、処理部5、7、9は、制御部55によって統括的に制御されている。制御部55のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部55は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部55のCPUが所定のプログラムを実行することにより、基板Wを各処理部5、7、9に搬送し、プログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部57に記憶されている。
分のうち、純水濃度を測定する。この濃度計24によって測定される純水濃度が最適値となるように、処理槽7a内の混酸濃度が制御されている。ここで、濃度計24によって純水濃度が測定される処理は本実発明における濃度検出工程に相当する。また、処理槽7a内の混酸濃度が制御される処理は制御部55によって行われるがこの際の制御部55は濃度制御部に相当し、処理自体は本発明における濃度制御工程に相当する。より具体的には、制御部55は、図3に示すように、処理槽内の混酸溶液の全液交換制御や、混酸水溶液の濃度のフィードバック制御等に係る処理の他、後述するように、混酸水溶液の濃度の目標値(下側基準値)の変更制御に関わる処理を行う。
の変化を定義してもよい。上記のデータテーブルは、記憶部57に保存されていてもよいし、外部メモリに保存されていてもよい。また、この変化プロファイルに対応するデータテーブルは、操作者によって入力されてもよいし、予め複数の変化プロファイルに対応するデータテーブルが準備されており、操作者が適宜選択するようにしてもよい。操作者による入力や選択は、基板処理装置1の正面パネルからなされるようにしてもよいし、外部コンピュータやモバイル端末から通信により入力されるようにしてもよい。
次に、本発明の実施例2について説明する。実施例1においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、変化量は一定とし変化時間に基づいて制御したのに対し、本発明の実施例2においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、その変化幅を変動させつつ制御する点で異なる。
次に、本発明の実施例3について説明する。実施例3においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、基板Wの処理量と関連付けて制御する例について説明する。
の濃度制御の下側基準値を増加させるインターバルを短くしたり、基板Wの処理(バッチ処理)が行われる度に、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる際の増加幅を大きくする等の制御を行っても構わない。
次に、本発明の実施例4について説明する。実施例4においては、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値の増加を、基板Wの処理量と関連付けて制御する例であって、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、処理槽におけるエッチング量の累積値に応じて、増加させる例について説明する。
エッチング量30nが加算され、この時点でエッチング量の累積値が42nに達し、閾値12nの3倍を超える。よって、この時点で混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を2段階増加させる。
次に、本発明の実施例5について説明する。実施例5においては、実施例4と同じく、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を、処理槽におけるエッチング量の累積値に応じて増加させる例であって、且つ、所定の待ち時間が経過しても基板の処理が行われない場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる例について説明する。
回の処理における処理枚数をnとした場合に、エッチング量の累積値が12nに達する毎に混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を1段階増加させる。また、所定の待ち時間Tの間に、いずれの基板Wの処理も行われなかった場合にも、混酸水溶液の濃度制御の下側基準値を増加させる。
、これをポンプの制御により適量を補充するようにしても構わない。
2・・・バッファ部
3・・・基板搬出入口
5,7,9・・・処理部
5a、5b、7a、7b、9a、9b・・・処理槽
11、13、15・・・リフタ
17・・・主搬送機構
20・・・循環ライン
24・・・濃度計
40・・・濃度制御装置
43・・・副搬送機構
50a・・・内槽
50b・・・外槽
55・・・制御部
57・・・記憶部
Claims (26)
- 一種以上の薬液及び純水を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板に前記所定の処理を行うための前記処理液が貯留された処理槽と、
前記処理槽中の前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換部と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記濃度に基づいて、前記処理槽中の処理液に純水または前記他の所定成分を供給することで、前記濃度が所定の目標濃度になるように制御する濃度制御部と、
前記目標濃度を変更する目標値変更部と、
を備えることを特徴とする、基板処理装置。 - 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記目標変更部は、前記目標濃度に上限値を設けたことを特徴とする、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御部は、前記混酸水溶液に純水を供給することで前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるように制御することを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記目標値を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイムの途中で、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記目標値変更部は、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の
処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液のライフタイム中に、複数種類の基板を処理し、
前記目標値変更部は、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記目標値変更部は、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項11または12に記載の基板処理装置。
- 一種以上の薬液及び純水を含み処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記処理液のライフタイムに合わせて該処理液を交換する処理液交換工程と、
前記処理液における純水または他の所定成分の濃度を検出する濃度検出工程と、
前記濃度検出工程において検出された前記濃度に基づいて、前記濃度が所定の目標濃度になるように前記処理槽中の前記処理液に純水または前記他の所定成分を供給する濃度制御工程と、
前記処理液のライフタイムの途中で前記目標濃度を変更する目標値変更工程と、
を備えることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする、請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度に上限値が設けられたことを特徴とする、請求項14または15に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び、純水を含む混酸水溶液であり、
前記濃度制御工程においては、前記混酸水溶液の純水濃度が所定の目標濃度になるように前記混酸水溶液に純水を供給することを特徴とする、請求項14から16のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記目標値変更工程においては、一定時間毎に前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、前記目標濃度を上昇させるタイミングを変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、前記目標値を上昇させる際の上昇幅を変更することで、前記目標濃度の変更プロファイルを変更することを特徴とする請求項14から18のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更部においては、前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、前記純水の供給が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、所定枚数の前記基板の処理が行われた場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記目標値変更工程においては、前記基板の処理における処理の程度を示す重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項14から17のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液のライフタイム中に、複数種類の基板を処理し、
前記目標値変更工程においては、前記複数種類の基板のうちの各種類の基板についての、前記重み係数と前記基板の処理枚数とに基づく処理量の合計量が所定量となった場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項24に記載の基板処理方法。 - 前記目標値変更工程においては、前記処理液のライフタイム中において、所定の待ち時間の間に前記基板の処理が行われない場合に、前記目標濃度を上昇させることを特徴とする請求項24または25に記載の基板処理方法。
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