KR20190023045A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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고지 구라사키
겐지 에다미츠
마사하루 사토
게이 다케치
다케시 마츠무라
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 기판의 처리에 사용하는 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정하기 위한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 기판 처리 장치는, 기판 (12) 을 처리하기 위한 처리액 (30) 을 저류시키는 제 1 조 (14) 와, 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 처리액을, 제 1 조의 하부로 귀환시키는 제 1 경로 (20) 를 구비한다. 그리고, 제 1 경로로부터 분기되는 제 2 경로 (22) 와, 제 2 경로로부터 유입된 처리액을 저류시키는 측정조 (24) 와, 측정조의 상부로부터 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 측정조 내의 소정의 깊이에 있어서 처리액의 압력을 측정하는 압력 측정부 (26) 가 형성되어 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
이 발명은, 반도체 기판, 액정 표시용 유리 기판, 또는 포토마스크용 유리 기판 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 기판, 액정 표시용 유리 기판, 또는 포토마스크용 유리 기판 등의 기판의 제조 공정에 있어서, 순수, 또는 약액 등의 처리액에 기판을 침지시킴으로써 기판을 처리하는 침지형의 기판 처리 장치가 알려져 있다.
침지형의 기판 처리 장치는, 기판의 처리에 사용하는 처리액을 저류시키기 위한 처리조를 구비한다. 그리고, 처리조 중에서, 기판의 세정 처리 등이 실시된다.
처리조에서는, 기판에 대해 균일한 처리를 실시하기 위하여, 처리조 내의 처리액의 농도가 제어된다. 그 때, 처리조 내의 처리액의 농도를 측정하는 방법으로서, 처리액의 농도와 처리액의 비중 사이에 상관 관계가 있는 것에 주목하여, 처리액의 비중을 측정하는 방법이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).
일본 공개특허공보 2006-237228호
처리액의 비중을 측정하는 경우, 처리액의 비중과 소정의 깊이에 있어서의 처리액의 압력 사이에 상관 관계가 있는 것에 주목하여, 소정의 깊이에 있어서의 처리액의 압력을 측정한다. 이 때, 압력을 측정하고자 하는 처리액의 액면이 불안정하면, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정하는 것이 곤란해진다.
기판을 처리하는 처리조 내의 액면의 위치는, 기판의 처리에 사용되는 처리액의 유입 및 유출에 의해 변동된다. 그 때문에, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정하는 것이 곤란하였다.
또, 처리조 내에 저류된 처리액 중의 파티클을 제거하기 위하여 처리조 내에 기포를 공급하는 경우에는, 액면의 변동은 큰 것으로 되어, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정하는 것이 보다 곤란하였다.
이 발명은, 이상에 기재된 바와 같은 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 기판의 처리에 사용하는 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정하기 위한 기술을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 1 양태는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저류시키는 제 1 조와, 상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키는 제 1 경로와, 상기 제 1 경로로부터 분기되는 제 2 경로와, 상기 제 2 경로로부터 유입된 상기 처리액을 저류시키는 측정조와, 상기 측정조의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 측정조 내의 소정의 깊이에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는 압력 측정부를 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련하여, 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액의 유량은, 상기 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액의 유량보다 작다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 3 양태는, 제 1 양태 또는 제 2 양태에 관련하여, 상기 측정조는, 상기 제 2 경로로부터 상기 처리액이 유입되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 영역을 구비하고, 상기 압력 측정부는, 상기 제 2 영역의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 제 2 영역에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 4 양태는, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 조를 추가로 구비하고, 상기 제 1 경로는, 상기 제 2 조에 유입된 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키고, 상기 측정조는, 상기 제 2 조 내에 배치되고, 상기 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액은, 상기 제 2 조에 유입된다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 5 양태는, 제 1 양태 내지 제 4 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 조 내에 기포를 공급하는 기포 공급부를 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 6 양태는, 제 1 양태 내지 제 5 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 경로에 배치되고, 또한 상기 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액에 열을 가하는 제 1 가열부를 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 7 양태는, 제 1 양태 내지 제 6 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 2 경로에 배치되고, 또한 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액에 열을 가하는 제 2 가열부를 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 8 양태는, 제 1 양태 내지 제 7 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 측정조의 바닥부에 적어도 1 개의 구멍이 형성된다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 9 양태는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 제 1 조에 저류시키는 공정과, 상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액을, 제 1 경로를 통하여 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키는 공정과, 상기 제 1 경로로부터 분기되는 제 2 경로로부터 유입된 상기 처리액을, 측정조에 저류시키는 공정과, 상기 측정조의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 측정조 내의 소정의 깊이에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는 공정을 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 10 양태는, 제 9 양태에 관련하여, 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액의 유량은, 상기 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액의 유량보다 작다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 11 양태는, 제 9 양태 또는 제 10 양태에 관련하여, 상기 측정조는, 상기 제 2 경로로부터 상기 처리액이 유입되는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 영역을 구비하고, 상기 제 2 영역의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 제 2 영역에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 12 양태는, 제 9 양태 내지 제 11 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 경로는, 상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 조에 유입된 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키고, 상기 측정조는, 상기 제 2 조 내에 배치되고, 상기 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액은, 상기 제 2 조에 유입된다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 13 양태는, 제 9 양태 내지 제 12 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 조 내에 기포를 공급하는 공정을 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 14 양태는, 제 9 양태 내지 제 13 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 1 경로에 배치된 제 1 가열부에 의해, 상기 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액에 열을 가하는 공정을 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 15 양태는, 제 9 양태 내지 제 14 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 제 2 경로에 배치된 제 2 가열부에 의해, 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액에 열을 가하는 공정을 추가로 구비한다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 16 양태는, 제 9 양태 내지 제 15 양태 중 어느 하나에 관련하여, 상기 측정조의 바닥부에 적어도 1 개의 구멍이 형성된다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 1 양태에 의하면, 측정조에 있어서, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액의 액면의 변동을 억제할 수 있다. 따라서, 측정조에 있어서 액면이 안정적인 상태인 처리액의 압력을 압력 측정부에 의해 측정하게 되기 때문에, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
특히, 제 2 양태에 의하면, 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 처리액보다 유량이 적은 제 2 경로에 있어서의 처리액을 사용하여 압력 측정을 실시함으로써, 압력 측정부에 의한 처리액의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다. 즉, 측정조에서는, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액의 액면의 변동을 억제하고 있지만, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액의 유량이 적은 경우에는 측정조의 상부로부터 오버플로하는 처리액의 유량도 감소하기 때문에, 액면의 변동은 보다 적어진다. 따라서, 압력 측정부에 의한 처리액의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다.
특히, 제 3 양태에 의하면, 제 2 경로로부터 처리액이 유입되는 제 1 영역과는 다른, 제 1 영역으로부터 오버플로한 처리액이 저류되는 제 2 영역에 있어서, 압력 측정부에 의한 처리액의 압력 측정이 실시된다. 여기서, 제 2 영역에 있어서의 처리액의 액면은, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액이 측정조의 바닥부에서 튀어오르는 흐름에 의한 변동이 없기 때문에, 제 1 영역에 있어서의 처리액의 액면에 비하여 변동이 작다. 따라서, 압력 측정부에 의해 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
특히, 제 4 양태에 의하면, 측정조가 제 2 조 내에 배치되기 때문에, 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 처리액은 제 2 조에 유입되고, 또한 제 1 경로에 유입된다. 그 때문에, 압력 측정을 위하여 제 2 경로에 유입시킨 처리액을 다시 제 1 경로로 되돌려, 처리액을 기판의 처리를 위하여 유효하게 활용할 수 있다. 또, 측정조가 제 2 조 내에 배치되기 때문에, 제 2 경로에 유입시킨 처리액을 제 1 경로로 되돌리기 위한 배관 등을 별도 준비할 필요가 없다.
특히, 제 5 양태에 의하면, 제 1 조 내의 파티클을 제거할 수 있다.
특히, 제 6 양태에 의하면, 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 처리액의 온도를, 제 1 조 내의 처리액의 온도에 근접시킬 수 있다. 따라서, 측정조 내의 처리액의 온도 변화를 억제할 수 있다.
특히, 제 7 양태에 의하면, 측정조 내에 유입될 때의 처리액의 온도를, 제 1 조 내의 처리액의 온도에 근접시킬 수 있다.
특히, 제 8 양태에 의하면, 측정조를 제 2 조로부터 꺼낼 때에, 측정조 내에 처리액이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
본원 명세서에 개시되는 기술의 제 9 양태에 의하면, 측정조에 있어서, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액의 액면의 변동을 억제할 수 있다. 따라서, 측정조에 있어서 액면이 안정적인 상태인 처리액의 압력을 측정하게 되기 때문에, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
특히, 제 10 양태에 의하면, 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 처리액보다 유량이 적은 제 2 경로에 있어서의 처리액을 사용하여 압력 측정을 실시함으로써, 처리액의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다. 즉, 측정조에서는, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액의 액면의 변동을 억제하고 있지만, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액의 유량이 적은 경우에는 측정조의 상부로부터 오버플로하는 처리액의 유량도 감소하기 때문에, 액면의 변동은 보다 적어진다. 따라서, 처리액의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다.
특히, 제 11 양태에 의하면, 제 2 경로로부터 처리액이 유입되는 제 1 영역과는 다른, 제 1 영역으로부터 오버플로한 처리액이 저류되는 제 2 영역에 있어서, 처리액의 압력 측정이 실시된다. 여기서, 제 2 영역에 있어서의 처리액의 액면은, 제 2 경로로부터 유입되는 처리액이 측정조의 바닥부에서 튀어오르는 흐름에 의한 변동이 없기 때문에, 제 1 영역에 있어서의 처리액의 액면에 비하여 변동이 작다. 따라서, 처리액의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
특히, 제 12 양태에 의하면, 측정조가 제 2 조 내에 배치되기 때문에, 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 처리액은 제 2 조에 유입되고, 또한 제 1 경로에 유입된다. 그 때문에, 압력 측정을 위하여 제 2 경로에 유입시킨 처리액을 다시 제 1 경로로 되돌려, 처리액을 기판의 처리를 위하여 유효하게 활용할 수 있다. 또, 측정조가 제 2 조 내에 배치되기 때문에, 제 2 경로에 유입시킨 처리액을 제 1 경로로 되돌리기 위한 배관 등을 별도 준비할 필요가 없다.
특히, 제 13 양태에 의하면, 제 1 조 내의 파티클을 제거할 수 있다.
특히, 제 14 양태에 의하면, 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 처리액의 온도를, 제 1 조 내의 처리액의 온도에 근접시킬 수 있다. 따라서, 측정조 내의 처리액의 온도 변화를 억제할 수 있다.
특히, 제 15 양태에 의하면, 측정조 내에 유입될 때의 처리액의 온도를, 제 1 조 내의 처리액의 온도에 근접시킬 수 있다.
특히, 제 16 양태에 의하면, 측정조를 제 2 조로부터 꺼낼 때에, 측정조 내에 처리액이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
본원 명세서에 개시되는 기술에 관한 목적과, 특징과, 국면과, 이점은, 이하에 나타나는 상세한 설명과 첨부 도면에 의해 더욱 명백해진다.
도 1 은 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 예시하는 도면이다.
도 2 는 실시형태에 관한 측정조 및 그 주변의 구성을 예시하는 도면이다.
도 3 은 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 동작을 예시하는 플로 차트이다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시형태에 대해 설명한다.
또한, 도면은 개략적으로 나타내는 것으로서, 설명의 편의를 위하여, 적절히 구성의 생략, 또는 구성의 간략화가 이루어지는 것이다. 또, 상이한 도면에 각각 나타내는 구성 등의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것이 아니며, 적절히 변경될 수 있는 것이다.
또, 이하에 나타나는 설명에서는, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하여 도시하고, 그것들의 명칭과 기능에 대해서도 동일한 것으로 한다. 따라서, 그것들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위하여 생략하는 경우가 있다.
또, 이하에 기재되는 설명에 있어서,「상」,「하」,「좌」,「우」,「측」,「바닥」,「표」또는「리」등의 특정한 위치와 방향을 의미하는 용어가 사용되는 경우가 있어도, 이들의 용어는, 실시형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위하여 편의상 사용되는 것으로, 실제로 실시될 때의 방향과는 관계되지 않는 것이다.
또, 이하에 기재되는 설명에 있어서,「제 1」, 또는「제 2」등의 서수가 사용되는 경우가 있어도, 이들의 용어는, 실시형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위하여 편의상 사용되는 것으로, 이들의 서수에 의해 발생할 수 있는 순서 등에 한정되는 것은 아니다.
＜실시형태＞
이하, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
＜기판 처리 장치의 구성에 대해＞
도 1 은, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 예시하는 도면이다. 도 1 에 있어서는, 기판 (12) 은 지면 (紙面) 에 수직으로 배치되고, 동일하게 배치된 기판 (12) 이, 도 1 에 있어서의 x 축 방향으로 복수 나열된다.
도 1 에 예시되는 바와 같이, 기판 처리 장치는, 처리조 (14) 와, 외조 (16) 와, 기포 공급부 (18) 과, 순환 경로 (20) 와, 분기 경로 (22) 와, 측정조 (24) 와, 압력 측정부 (26) 와, 제어부 (28) 를 구비한다.
기판 (12) 은, 반도체 기판, 액정 표시용 유리 기판, 또는 포토마스크용 유리 기판 등의 기판이다. 기판 (12) 은, 리프터 (36) 에 유지된다. 리프터 (36) 는 리프터 헤드 (36A) 와, 유지판 (36B) 과, 리프터 헤드 (36A) 와 유지판 (36B) 사이에 배치되는 유지봉 (36C) 을 구비한다. 유지봉 (36C) 에는 복수의 유지홈 (여기서는, 도시하지 않음) 이 형성되고, 복수의 기판 (12) 은, 당해 유지홈에 기립 자세로 유지된다.
리프터 (36) 는, 서보 모터, 또는 타이밍 벨트 등을 갖는 리프터 구동부 (여기서는, 도시하지 않음) 에 접속된다. 리프터 구동부를 동작시킴으로써, 리프터 (36) 는 승강 이동하고, 즉, 도 1 에 있어서의 z 축 방향으로 이동한다. 그렇게 함으로써, 기판 (12) 은, 처리조 (14) 내의 처리 위치와, 처리조 (14) 의 상방에 있어서의 끌어올림 위치 사이를 이동할 수 있다. 처리조 (14) 내에 있어서 기판 (12) 을 처리할 때에는, 리프터 (36) 를 강하시킴으로써, 기판 (12) 을 처리조 (14) 내의 처리 위치에 위치시킨다. 어느 기판의 처리와 다음의 기판의 처리 사이의 시간에는, 리프터 (36) 를 상승시킴으로써, 기판 (12) 을 처리조 (14) 의 상방에 있어서의 끌어올림 위치에 위치시킨다.
처리조 (14) 는, 기판 (12) 을 처리하기 위한 처리액 (30) 이 저류되는 용기이다. 처리조 (14) 에 저류된 처리액 (30) 에 기판 (12) 이 침지됨으로써, 기판 (12) 의 세정 처리 등이 실시된다. 처리액 (30) 은, 예를 들어, 순수, 또는 에칭액인 인산 등이다. 순수는, 순수 공급원 (50) 으로부터 밸브 (52) 의 개폐에 의해 공급된다. 인산은, 인산 공급원 (32) 으로부터 밸브 (34) 의 개폐에 의해 공급된다.
처리조 (14) 의 바닥부에는, 처리액 토출구 (14A) 가 형성된다. 처리액 토출구 (14A) 는, 순환 경로 (20) 를 흐르는 처리액 (30) 을, 처리조 (14) 내에 토출한다.
외조 (16) 는, 처리조 (14) 를 둘러싸고 형성된다. 도 1 에 예시되는 바와 같이, 외조 (16) 는, 처리조 (14) 의 상부에 형성되는 변과, 처리조 (14) 의 상부에서 하부까지 포함하는 범위에 형성되는 변을 갖는다.
처리조 (14) 에 대해 공급되는 처리액 (30) 은, 처리조 (14) 의 상부로부터 넘쳐나오고, 즉, 오버플로한다. 그리고, 당해 처리액 (30) 은, 처리조 (14) 를 둘러싸는 외조 (16) 에 유입된다.
기포 공급부 (18) 는, 처리조 (14) 내의 파티클을 제거하기 위한 기포 (18A), 예를 들어, 직경 50 ㎛ 이하의 미소 기포인 마이크로 버블을 발생시키는 장치이다. 기포 공급부 (18) 의 기포는, 기체 공급원 (40) 으로부터 밸브 (38) 의 개폐에 의해 공급된다. 또한, 기포 공급부 (18) 는 구비되지 않아도 된다.
순환 경로 (20) 는, 처리조 (14) 의 상부로부터 오버플로하고, 또한 외조 (16) 에 유입된 처리액 (30) 을, 다시 처리조 (14) 의 하부의 처리액 토출구 (14A) 에 귀환시키는 경로이다. 순환 경로 (20) 는, 일단이 외조 (16) 의 예를 들어 바닥부에 접속되고, 타단이 처리조 (14) 의 처리액 토출구 (14A) 에 접속되고, 또한, 처리액 (30) 을 흘리는 배관에 의해 형성되는 경로이다.
도 1 에 예시되는 바와 같이, 순환 경로 (20) 에는, 처리액 (30) 을 흐르게 하기 위한 펌프 (42) 와, 순환 경로 (20) 로부터 처리조 (14) 에 귀환하는 처리액 (30) 을 가열하기 위한 히터 (44) 와, 순환 경로 (20) 를 흐르는 처리액 (30) 에 있어서의 파티클을 제거하기 위한 필터 (46) 가 배치된다. 또한, 순환 경로 (20) 에 있어서의 펌프 (42), 히터 (44), 및, 필터 (46) 의 배치 위치는, 도 1 에 예시되는 경우에 한정되는 것은 아니다.
분기 경로 (22) 는, 분기점 (22A) 에 있어서 순환 경로 (20) 로부터 분기되고, 또한, 외조 (16) 에 있어서의 측정조 (24) 에 처리액 (30) 을 흘리는 경로이다. 분기 경로 (22) 는, 일단이 순환 경로 (20) 의 분기점 (22A) 에 접속되고, 타단이 측정조 (24) 의 내부로 유도되고, 또한, 처리액 (30) 을 흘리는 배관에 의해 형성되는 경로이다. 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 의 유량은, 순환 경로 (20) 를 통과하여 처리조 (14) 에 귀환하는 처리액 (30) 의 유량보다 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 순환 경로 (20) 에 있어서의 처리액 (30) 의 유량이 30 ℓ 인 경우에, 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 의 유량이 1 ℓ 인 것이 바람직하다.
또한, 분기점 (22A) 의 위치는, 도 1 에 예시되는 지점에 한정되는 것은 아니다. 즉, 분기점 (22A) 의 위치는, 순환 경로 (20) 에 있어서의 펌프 (42) 의 하류이며, 또한 히터 (44) 의 상류에 한정되는 것은 아니다.
도 1 에 예시되는 바와 같이, 분기 경로 (22) 에는, 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 을 가열하기 위한 히터 (48) 가 배치되어 있어도 된다.
측정조 (24) 는, 분기 경로 (22) 로부터 유입된 처리액 (30) 을 저류시킨다. 측정조 (24) 는, 외조 (16) 내에 배치된다. 측정조 (24) 의 상단은, 외조 (16) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면보다 상방, 즉, 도 1 에 있어서의 z 축 방향의 정방향에 위치한다. 측정조 (24) 는, 당해 처리액 (30) 을 측정조 (24) 의 상부로부터 오버플로시켜, 외조 (16) 에 유입시킨다. 도 1 에 예시되는 경우에서는, 측정조 (24) 는 외조 (16) 내에 배치되지만, 측정조 (24) 의 배치 위치는 당해 지점에 한정되는 것이 아니다. 즉, 측정조 (24) 의 배치 위치는, 분기 경로 (22) 로부터 처리액 (30) 이 유입되는 지점이기만 하면 된다.
압력 측정부 (26) 는, 측정조 (24) 내에 배치되고, 측정조 (24) 에 저류된 처리액 (30) 의 소정의 깊이에 있어서의 압력을 측정한다. 상세한 것은 후술한다.
제어부 (28) 는, 리프터 구동부, 밸브 (34), 밸브 (52), 밸브 (38), 펌프 (42), 히터 (44), 및, 히터 (48) 등과 전기적으로 접속됨으로써, 이들의 동작을 제어한다. 또, 제어부 (28) 는, 압력 측정부 (26) 의 측정 결과를 수신한다.
제어부 (28) 는, 예를 들어, 내부 또는 외부의 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행하는, 중앙 연산 처리 장치 (CPU), 마이크로 프로세서, 마이크로 컴퓨터, 디지털 시그널 프로세서 (DSP) 이다. 또한, 제어부 (28) 의 기능은, 예를 들어, 복수의 처리 회로가 제휴함으로써 실현되어도 된다.
＜측정조의 구성에 대해＞
도 2 는, 본 실시형태에 관한 측정조 및 그 주변의 구성을 예시하는 도면이다.
도 2 에 예시되는 바와 같이 측정조 (24) 는, 분기 경로 (22) 로부터 유입된 처리액 (30) 을 저류시키는 영역 (24A) 과, 영역 (24A) 의 상부로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 을 저류시키는 영역 (24B) 을 구비한다. 그리고, 압력 측정부 (26) 는, 영역 (24B) 의 소정의 깊이에 있어서, 영역 (24B) 에 저류된 처리액 (30) 의 압력을 측정한다.
분기 경로 (22) 로부터 측정조 (24) 에 유입되는 처리액 (30) 은, 먼저, 영역 (24A) 에 저류된다. 그리고, 화살표 (30A) 에 예시되는 바와 같이, 영역 (24A) 에 저류된 처리액 (30) 은, 영역 (24A) 의 상부로부터 오버플로한다.
또한, 영역 (24A) 의 상부로부터 오버플로한 처리액 (30) 은, 영역 (24B) 에 저류된다. 그리고, 화살표 (30B) 에 예시되는 바와 같이, 영역 (24B) 에 저류된 처리액 (30) 은, 영역 (24B) 의 상부로부터 오버플로하여, 외조 (16) 에 유입된다. 또한, 외조 (16) 에는, 화살표 (30C) 에 예시되는 바와 같이, 처리조 (14) 로부터도 처리액 (30) 이 유입된다.
측정조 (24) 의 바닥부에, 구멍 (24C) 및 구멍 (24D) 이 형성되어 있어도 된다. 측정조 (24) 의 바닥부에 구멍이 형성됨으로써, 측정조 (24) 를 외조 (16) 로부터 꺼낼 때에, 측정조 (24) 내에 처리액 (30) 이 잔존하는 것을 억제할 수 있다. 단, 구멍 (24C) 및 구멍 (24D) 이 형성되는 경우에는, 측정조 (24) 내의 처리액 (30) 이 이들 구멍으로부터 외조 (16) 로 흘러나오기 때문에, 측정조 (24) 의 상부로부터 처리액 (30) 이 계속하여 오버플로하도록, 분기 경로 (22) 로부터 측정조 (24) 에 유입되는 처리액 (30) 의 유량을 조정할 필요가 있다. 당해 조정 동작은, 예를 들어, 제어부 (28) 가 실시한다. 또한, 측정조 (24) 의 바닥부에 있어서의 구멍은 형성되어 있지 않아도 되고, 또, 구멍이 형성되는 경우여도, 도 2 에 예시되는 형상 및 수에 한정되는 것은 아니다.
압력 측정부 (26) 는, 영역 (24B) 에 저류된 처리액 (30) 의 소정의 깊이에 있어서의 압력을 측정한다. 여기서, 예를 들어 처리액이 인산 용액인 경우, 인산의 농도와 인산의 비중 사이에는 상관 관계가 있다. 또한, 인산의 비중과 인산의 소정의 깊이에 있어서의 압력 사이에도 상관 관계가 있다. 따라서, 이들의 상관 관계에 기초하면, 압력 측정부 (26) 에 의해, 영역 (24B) 에 저류된 처리액 (30) 의 액면으로부터 소정의 깊이에 있어서의 압력을 측정함으로써, 예를 들어 인산 용액의 농도를 측정할 수 있다.
압력 측정부 (26) 는, 공급관 (26A) 에 접속된다. 공급관 (26A) 은, 영역 (24B) 에 저류된 처리액 (30) 에 침지되고, 또한 공급관 (26A) 의 하단이, 영역 (24B) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면으로부터 소정의 깊이에 도달한다. 또, 공급관 (26A) 에는, 레귤레이터 (26B) 에 의해 일정량의 가스, 예를 들어, 질소 가스가 공급된다.
정상 상태에 있어서는, 공급관 (26A) 의 하단으로부터 방출되는 질소 가스의 방출 압력은, 영역 (24B) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면으로부터 소정의 깊이에 있어서의 압력과 거의 동등한 것으로 간주할 수 있다. 압력 측정부 (26) 는, 공급관 (26A) 내의 상기 질소 가스의 압력을 측정한다. 그리고, 압력 측정부 (26) 는, 측정된 질소 가스의 압력에 따라, 0 V 이상, 또한 2.5 V 이하의 전압치를 출력한다.
처리액 (30) 의 액면으로부터 소정의 깊이에 있어서의 압력에 기초하여, 처리액 (30) 의 농도를 측정하는 경우에는, 압력 측정부 (26) 로부터 출력된 전압을, 미리 기억 매체 등에 기억된 압력과 비중의 상관 관계를 기술하는 데이터, 및 비중과 농도의 상관 관계를 기술하는 데이터를 참조하면서, 처리액 (30) 의 농도를 산출한다.
＜기판 처리 장치의 동작에 대해＞
다음으로, 도 1 내지 도 3 을 참조하면서, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 동작을 설명한다. 특히, 측정조 (24) 에 있어서의 압력 측정부 (26) 로부터의 측정 결과에 따라, 제어부 (28) 가 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 농도 제어를 실시하는 경우를 설명한다. 여기서, 도 3 은, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 동작을 예시하는 플로 차트이다.
먼저, 도 1 에 예시되는 바와 같이, 리프터 (36) 가 강하됨으로써, 기판 (12) 이 처리조 (14) 내의 처리 위치에 위치한다. 그리고, 처리조 (14) 에 저류된 처리액 (30) 에 기판 (12) 이 침지됨으로써, 기판 (12) 의 세정 처리 등이 실시된다. 또, 처리조 (14) 내의 파티클을 제거하기 위하여, 기포 공급부 (18) 에 의해 처리조 (14) 내에 기포 (18A) 가 공급된다. 한편으로, 처리조 (14) 로의 순수 및 인산의 공급에 의해 처리조 (14) 로부터 처리액 (30) 이 오버플로한다. 그리고, 처리조 (14) 로부터 오버플로한 처리액 (30) 은 외조 (16) 에 유입된다.
다음으로, 외조 (16) 에 저류된 처리액 (30) 은, 순환 경로 (20) 에 유입된다. 그리고, 순환 경로 (20) 에 유입된 처리액 (30) 의 일부가, 분기점 (22A) 으로부터 분기 경로 (22) 에 유입된다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST101).
분기점 (22A) 의 하류에 있어서 순환 경로 (20) 에 흐르는 처리액 (30) 은, 히터 (44) 에 의해 온도 조정되고, 또한 필터 (46) 에 의해 처리액 (30) 내의 파티클이 제거된다. 여기서, 히터 (44) 의 온도 제어는 제어부 (28) 에 의해 실시된다.
분기점 (22A) 의 하류에 있어서 순환 경로 (20) 에 흐르는 처리액 (30) 의 온도는, 히터 (44) 로 온도 조정됨으로써, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 온도에 근접한다. 또, 분기점 (22A) 의 하류에 있어서 순환 경로 (20) 에 흐르는 처리액 (30) 내의 파티클이 필터 (46) 에 의해 제거되기 때문에, 처리조 (14) 내로의 당해 파티클의 혼입을 억제할 수 있다.
그리고, 분기점 (22A) 의 하류에 있어서 순환 경로 (20) 에 흐르는 처리액 (30) 은, 처리액 토출구 (14A) 로부터 처리조 (14) 내로 토출된다.
한편으로, 분기점 (22A) 의 하류에 있어서 분기 경로 (22) 에 흐르는 처리액 (30) 은, 히터 (48) 에 의해 온도 조정된 후, 측정조 (24) 에 유입된다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST102). 여기서, 히터 (48) 의 온도 제어는 제어부 (28) 에 의해 실시된다.
분기점 (22A) 의 하류에 있어서 분기 경로 (22) 에 흐르는 처리액 (30) 은, 히터 (48) 로 온도 조정됨으로써, 측정조 (24) 내에 유입될 때의 처리액 (30) 의 온도를, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 온도에 근접시킬 수 있다. 그렇게 함으로써, 측정조 (24) 내의 처리액 (30) 에 대해, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 과 동등한 조건 하에 있어서의 압력 측정, 비중 측정, 나아가서는, 농도 측정을 실시할 수 있다.
측정조 (24) 에 있어서는, 도 2 에 예시되는 바와 같이, 먼저, 처리액 (30) 은 영역 (24A) 에 유입된다. 그리고, 처리액 (30) 은, 영역 (24A) 의 상부로부터 오버플로하여, 영역 (24B) 에 유입된다. 또한, 처리액 (30) 은, 영역 (24B) 의 상부로부터 오버플로하여, 외조 (16) 에 유입된다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST103). 외조 (16) 에 저류된 처리액 (30) 은, 순환 경로 (20) 에 유입된다.
여기서, 영역 (24B) 내의 소정의 깊이에는, 압력 측정부 (26) 에 접속된 공급관 (26A) 의 하단이 위치한다. 이 때, 레귤레이터 (26B) 에 의해 공급관 (26A) 에 일정량의 가스가 공급되어 정상 상태가 됨으로써, 공급관 (26A) 의 하단으로부터 방출되는 질소 가스의 방출 압력은, 영역 (24B) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면으로부터 소정의 깊이에 있어서의 압력과 거의 동등한 것으로 간주할 수 있다. 압력 측정부 (26) 는, 영역 (24B) 의 상부로부터 오버플로함으로써 액면이 안정적인 상태인 처리액 (30) 에 침지된, 공급관 (26A) 내의 가스의 압력을 측정하고, 당해 압력에 따라 전압치를 출력한다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST104).
압력 측정부 (26) 로부터 출력되는 전압치는, 도 1 에 예시되는 바와 같이, 제어부 (28) 에 수신된다. 제어부 (28) 는, 당해 전압치에 기초하여 처리액 (30) 의 농도를 산출한다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST105). 그리고, 제어부 (28) 는, 당해 농도의 값에 기초하여, 예를 들어, 밸브 (34), 및, 밸브 (52) 의 개폐 시간을 조정한다 (도 3 에 예시되는 스텝 ST106). 그렇게 함으로써, 제어부 (28) 는, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 농도 제어를 실시한다.
＜이상에 기재된 실시형태에 의해 발생하는 효과에 대해＞
다음으로, 이상에 기재된 실시형태에 의해 발생하는 효과를 예시한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 이상에 기재된 실시형태에 예시된 구체적인 구성에 기초하여 당해 효과가 기재되지만, 동일한 효과가 발생하는 범위에서, 본원 명세서에 예시되는 다른 구체적인 구성과 치환되어도 된다.
이상에 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 제 1 조와, 제 1 경로와, 제 2 경로와, 측정조 (24) 와, 압력 측정부 (26) 를 구비한다. 제 1 조는, 기판 (12) 을 처리하기 위한 처리액 (30) 을 저류시킨다. 제 1 경로는, 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 을 제 1 조의 하부로 귀환시킨다. 제 2 경로는 제 1 경로로부터 분기된다. 측정조 (24) 는, 제 2 경로로부터 유입된 처리액 (30) 을 저류시킨다. 압력 측정부 (26) 는, 측정조 (24) 의 상부로부터 처리액 (30) 이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 측정조 (24) 내의 소정의 깊이에 있어서 처리액 (30) 의 압력을 측정한다. 여기서, 제 1 조는, 예를 들어, 처리조 (14) 에 대응하는 것이다. 또, 제 1 경로는, 예를 들어, 순환 경로 (20) 에 대응하는 것이다. 또, 제 2 경로는, 예를 들어, 분기 경로 (22) 에 대응하는 것이다.
이와 같은 구성에 의하면, 측정조 (24) 에 있어서, 분기 경로 (22) 로부터 유입되는 처리액 (30) 을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액 (30) 의 액면의 변동을 억제할 수 있다. 따라서, 측정조 (24) 에 있어서 액면이 안정적인 상태인 처리액 (30) 의 압력을 압력 측정부 (26) 에 의해 측정하게 되기 때문에, 처리액 (30) 의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
또한, 이들의 구성 이외의 본원 명세서에 예시되는 다른 구성에 대해서는 적절히 생략할 수 있다. 즉, 적어도 이들의 구성을 구비하고 있으면, 이상에 기재된 효과를 발생시키게 할 수 있다.
그러나, 본원 명세서에 예시되는 다른 구성 중 적어도 1 개를 이상에 기재된 구성에 적절히 추가한 경우, 즉, 이상에 기재된 구성으로는 기재되지 않았던 본원 명세서에 예시되는 다른 구성을 이상에 기재된 구성에 추가한 경우에도, 동일하게 이상에 기재된 효과를 발생시키게 할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 의 유량은, 순환 경로 (20) 를 통과하여 처리조 (14) 에 귀환하는 처리액 (30) 의 유량보다 작다. 이와 같은 구성에 의하면, 순환 경로 (20) 에 있어서의 처리액 (30) 보다 유량이 적은 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 을 사용하여 압력 측정을 실시함으로써, 압력 측정부 (26) 에 의한 처리액 (30) 의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다. 즉, 측정조 (24) 에서는, 분기 경로 (22) 로부터 유입되는 처리액 (30) 을 상부로부터 오버플로시킴으로써, 당해 처리액 (30) 의 액면의 변동을 억제하고 있지만, 분기 경로 (22) 로부터 유입되는 처리액 (30) 의 유량이 적은 경우에는 측정조 (24) 의 상부로부터 오버플로하는 처리액 (30) 의 유량도 감소하기 때문에, 액면의 변동은 보다 적어진다. 따라서, 압력 측정부 (26) 에 의한 처리액 (30) 의 압력 측정의 정밀도를 높일 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 측정조 (24) 는, 제 1 영역과 제 2 영역을 구비한다. 제 1 영역은, 분기 경로 (22) 로부터 처리액 (30) 이 유입된다. 제 2 영역은, 제 1 영역으로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 이 유입된다. 그리고, 압력 측정부 (26) 는, 제 2 영역의 상부로부터 처리액 (30) 이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 제 2 영역에 있어서 처리액 (30) 의 압력을 측정한다. 여기서, 제 1 영역은, 예를 들어, 영역 (24A) 에 대응하는 것이다. 또, 제 2 영역은, 예를 들어, 영역 (24B) 에 대응하는 것이다. 이와 같은 구성에 의하면, 분기 경로 (22) 로부터 처리액 (30) 이 유입되는 영역 (24A) 과는 다른, 영역 (24A) 으로부터 오버플로한 처리액 (30) 이 저류되는 영역 (24B) 에 있어서, 압력 측정부 (26) 에 의한 처리액 (30) 의 압력 측정이 실시된다. 여기서, 영역 (24B) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면은, 분기 경로 (22) 로부터 유입되는 처리액 (30) 이 측정조 (24) 의 바닥부에서 튀어오르는 흐름에 의한 변동이 없기 때문에, 영역 (24A) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면에 비하여 변동이 작다. 따라서, 압력 측정부 (26) 에 의해 처리액 (30) 의 압력을 높은 정밀도로 측정할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리조 (14) 의 상부로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 이 유입되는 제 2 조를 구비한다. 순환 경로 (20) 는, 제 2 조에 유입된 처리액 (30) 을, 처리조 (14) 의 하부로 귀환시킨다. 측정조 (24) 는, 제 2 조 내에 배치된다. 그리고, 측정조 (24) 의 상부로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 은, 제 2 조에 유입된다. 여기서, 제 2 조는, 예를 들어, 외조 (16) 에 대응하는 것이다. 이와 같은 구성에 의하면, 측정조 (24) 가 외조 (16) 내에 배치되기 때문에, 측정조 (24) 의 상부로부터 넘쳐나온 처리액 (30) 은 외조 (16) 에 유입되고, 또한 순환 경로 (20) 에 유입된다. 그 때문에, 압력 측정을 위하여 분기 경로 (22) 에 유입시킨 처리액 (30) 을 다시 순환 경로 (20) 로 되돌려, 처리액 (30) 을 기판 (12) 의 처리를 위하여 유효하게 활용할 수 있다. 또, 측정조 (24) 가 외조 (16) 내에 배치되기 때문에, 분기 경로 (22) 에 유입시킨 처리액 (30) 을 순환 경로 (20) 로 되돌리기 위한 배관 등을 별도 준비할 필요가 없다. 또, 외조 (16) 중의 충분한 깊이를 갖는 지점에 측정조 (24) 가 배치되는 경우에는, 압력 측정의 정밀도를 높이기 위하여 필요한 깊이 방향의 길이를 충분히 확보할 수 있다. 즉, 공급관 (26A) 의 하단을 처리액 (30) 의 액면으로부터 충분히 떨어진 깊이까지 가라앉혀 압력 측정할 수 있다. 또한, 측정조 (24) 의 상단이, 외조 (16) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면보다 상방에 위치하기 때문에, 측정조 (24) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면에 대한, 외조 (16) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면의 변동의 영향을 억제할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리조 (14) 내에 기포를 공급하는 기포 공급부 (18) 를 구비한다. 이와 같은 구성에 의하면, 처리조 (14) 내의 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 기포 공급부 (18) 에 의해 기포 (18A) 를 처리조 (14) 내에 공급하는 경우에는, 처리조 (14) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면의 변동은 보다 현저해진다. 그러한 경우에, 예를 들어, 처리조 (14) 에 있어서 처리액 (30) 의 압력을 측정하면, 처리액 (30) 의 액면의 변동의 영향에 의해, 측정 정밀도가 낮아진다. 한편으로, 상기의 실시형태에 있어서의 경우와 같이, 측정조 (24) 에 있어서의 처리액 (30) 의 압력을 압력 측정부 (26) 에 의해 측정하면, 처리조 (14) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면, 나아가서는, 외조 (16) 에 있어서의 처리액 (30) 의 액면이 크게 변동되는 경우여도, 높은 정밀도로 처리액 (30) 의 압력을 측정할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 순환 경로 (20) 에 배치되고, 또한 순환 경로 (20) 로부터 처리조 (14) 에 귀환하는 처리액 (30) 에 열을 가하는 제 1 가열부를 구비한다. 여기서, 제 1 가열부는, 예를 들어, 히터 (44) 에 대응하는 것이다. 이와 같은 구성에 의하면, 순환 경로 (20) 에 흐르는 처리액 (30) 의 온도를, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 온도에 근접시킬 수 있다. 따라서, 측정조 (24) 내의 처리액 (30) 의 온도 변화를 억제할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 분기 경로 (22) 에 배치되고, 또한 분기 경로 (22) 에 있어서의 처리액 (30) 에 열을 가하는 제 2 가열부를 구비한다. 여기서, 제 2 가열부는, 예를 들어, 히터 (48) 에 대응하는 것이다. 이와 같은 구성에 의하면, 측정조 (24) 내에 유입될 때의 처리액 (30) 의 온도를, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 의 온도에 근접시킬 수 있다. 따라서, 측정조 (24) 내의 처리액 (30) 에 대해, 처리조 (14) 내의 처리액 (30) 과 동등한 조건 하에 있어서의 압력 측정, 비중 측정, 나아가서는 농도 측정을 실시할 수 있다.
또, 이상에 기재된 실시형태에 의하면, 측정조 (24) 의 바닥부에 구멍 (24C) 및 구멍 (24D) 이 형성된다. 이와 같은 구성에 의하면, 측정조 (24) 를 외조 (16) 로부터 꺼낼 때에, 측정조 (24) 내에 처리액 (30) 이 잔존하는 것을 억제할 수 있다.
＜이상에 기재된 실시형태에 있어서의 변형예에 대해＞
이상에 기재된 실시형태에서는, 각각의 구성 요소의 재질, 재료, 치수, 형상, 상대적 배치 관계 또는 실시의 조건 등에 대해서도 기재하는 경우가 있지만, 이들은 모든 국면에 있어서 예시로서, 본원 명세서에 기재된 것에 한정되는 경우는 없는 것으로 한다.
따라서, 예시되지 않은 무수한 변형예, 및 균등물이, 본원 명세서에 개시되는 기술의 범위 내에 있어서 상정된다. 예를 들어, 적어도 1 개의 구성 요소를 변형하는 경우, 추가하는 경우 또는 생략하는 경우가 포함되는 것으로 한다.
12 : 기판
14 : 처리조
14A : 처리액 토출구
16 : 외조
18 : 기포 공급부
18A : 기포
20 : 순환 경로
22 : 분기 경로
22A : 분기점
24 : 측정조
24A, 24B : 영역
24C, 24D : 구멍
26 : 압력 측정부
26A : 공급관
26B : 레귤레이터
28 : 제어부
30 : 처리액
30A, 30B, 30C : 화살표
32 : 인산 공급원
34, 38, 52 : 밸브
36 : 리프터
36A : 리프터 헤드
36B : 유지판
36C : 유지봉
40 : 기체 공급원
42 : 펌프
44, 48 : 히터
46 : 필터
50 : 순수 공급원

Claims (16)

  1. 기판을 처리하기 위한 처리액을 저류시키는 제 1 조와,
    상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키는 제 1 경로와,
    상기 제 1 경로로부터 분기되는 제 2 경로와,
    상기 제 2 경로로부터 유입된 상기 처리액을 저류시키는 측정조와,
    상기 측정조의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 측정조 내의 소정의 깊이에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는 압력 측정부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액의 유량은, 상기 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액의 유량보다 작은, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 측정조는,
    상기 제 2 경로로부터 상기 처리액이 유입되는 제 1 영역과,
    상기 제 1 영역의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 영역을 구비하고,
    상기 압력 측정부는, 상기 제 2 영역의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 제 2 영역에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 조를 추가로 구비하고,
    상기 제 1 경로는, 상기 제 2 조에 유입된 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키고,
    상기 측정조는, 상기 제 2 조 내에 배치되고,
    상기 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액은, 상기 제 2 조에 유입되는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 조 내에 기포를 공급하는 기포 공급부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 경로에 배치되고, 또한 상기 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액에 열을 가하는 제 1 가열부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 경로에 배치되고, 또한 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액에 열을 가하는 제 2 가열부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 측정조의 바닥부에 적어도 1 개의 구멍이 형성되는, 기판 처리 장치.
  9. 기판을 처리하기 위한 처리액을 제 1 조에 저류시키는 공정과,
    상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액을, 제 1 경로를 통하여 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키는 공정과,
    상기 제 1 경로로부터 분기되는 제 2 경로로부터 유입된 상기 처리액을, 측정조에 저류시키는 공정과,
    상기 측정조의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 측정조 내의 소정의 깊이에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액의 유량은, 상기 제 1 경로를 통과하여 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액의 유량보다 작은, 기판 처리 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 측정조는,
    상기 제 2 경로로부터 상기 처리액이 유입되는 제 1 영역과,
    상기 제 1 영역의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 영역을 구비하고,
    상기 제 2 영역의 상부로부터 상기 처리액이 넘쳐나오고 있는 상태에서, 상기 제 2 영역에 있어서 상기 처리액의 압력을 측정하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 경로는, 상기 제 1 조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액이 유입되는 제 2 조에 유입된 상기 처리액을, 상기 제 1 조의 하부로 귀환시키고,
    상기 측정조는, 상기 제 2 조 내에 배치되고,
    상기 측정조의 상부로부터 넘쳐나온 상기 처리액은, 상기 제 2 조에 유입되는, 기판 처리 방법.
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 조 내에 기포를 공급하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
  14. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 경로에 배치된 제 1 가열부에 의해, 상기 제 1 경로로부터 상기 제 1 조에 귀환하는 상기 처리액에 열을 가하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 경로에 배치된 제 2 가열부에 의해, 상기 제 2 경로에 있어서의 상기 처리액에 열을 가하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
  16. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 측정조의 바닥부에 적어도 1 개의 구멍이 형성되는, 기판 처리 방법.
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