JP2022028406A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００Ａは、処理槽１１０と、気泡供給管１８０Ａと、計測部３５３と、判定部１２とを備える。処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留して、基板Ｗを浸漬する。気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中に気泡として気体を供給する複数の開口Ｇを有する。計測部３５３は、気泡が供給された処理液ＬＱの状態に起因する物理量を、処理液ＬＱ中で計測する。判定部１２は、物理量に基づいて、複数の開口Ｇの状態を判定する。【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
半導体装置及び液晶表示装置等の電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板の処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
近年における半導体基板上に形成される素子の微細化や三次元化に伴い、基板の処理を均一化する要請が高まっている。例えば、三次元構造を有するＮＡＮＤ素子は、立体的な凹凸構造を有する積層構造を有している。素子パターンの凹凸構造の凹部に処理液が滞留した場合には、凹部内の液置換が不十分となる。そのため、凹部を含む基板全体に対して充分に液置換を促す手段として、処理槽に浸漬した基板の下方に気泡発生器（気泡供給管）を配置し、気泡発生器から気泡を発生させて処理槽内の液置換を促進するという技術がある。
特許文献１には、こうした気泡発生器の適用例が記載されている。特許文献１の基板処理装置では、燐酸水溶液を貯留した処理槽に基板を浸漬し基板を処理する際に、処理槽において浸漬した基板の下方に配置した気泡発生器から気泡を発生させる。気泡発生器は、筒状であり、多数の吐出口（多数の開口）を有する。気泡発生器の一端には、気泡発生器に混合気体を供給する気体供給配管が接続されている。そして、気泡発生器は、混合気体を各吐出口から燐酸水溶液中に吹き出すことによって、混合気体の気泡を燐酸水溶液中に発生させる。
発生した気泡は、処理槽内に載置された複数の基板と基板との間の間隙を上昇しつつ、燐酸水溶液を循環させる。この循環により、基板上に形成された素子パターン周囲の液置換が促進される。
特開２０１８－５６２５８号公報
基板を燐酸処理した結果、燐酸水溶液に溶出した成分は、気泡発生器にも析出する可能性がある。
溶出成分が気泡発生器の吐出口に析出沈着した状態では、いわゆる目詰まり（ｃｌｏｇｇｉｎｇ）となり、供給される気泡の粒形、分布、上昇速度が変動する可能性がある。その結果、基板処理の均一性に影響を及ぼす可能性がある。よって、定期的に処理槽から燐酸水溶液を排出し、開口の状態を目視で確認していた。その結果、開口の状態を確認するには、手間がかかった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一局面によれば、基板処理方法は、処理液で基板を処理する。前記基板処理方法は、複数の開口を有する気泡供給管に気体を供給して、気泡として前記気体を前記処理液中に供給する工程と、前記気泡が供給された前記処理液の状態に起因する物理量を、前記処理液中で計測する工程と、前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する工程とを含む。
本発明の基板処理方法は、前記物理量は、前記気泡が供給された前記処理液の比重を示し、前記判定する工程では、前記比重に基づいて、前記複数の開口の状態を判定することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記物理量は、前記気泡が供給された前記処理液中で生じる圧力を示し、前記判定する工程では、前記圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を判定することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記状態を判定する前記工程では、第１時間に計測された前記物理量である基準物理量と、第２時間に計測された前記物理量である計測物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、前記第１時間と前記第２時間とは、異なることが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、前記状態を判定する前記工程では、前記基準物理量と前記計測物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定することが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記気体を供給する前記工程では、前記基板を処理する時に、前記気泡供給管に第１流量の前記気体を供給し、前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気泡供給管に第２流量の前記気体を供給し、前記第２流量は、前記第１流量より多いことが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、気泡供給管と、計測部と、判定部とを備える。前記処理槽は、処理液を貯留して、基板を浸漬する。前記気泡供給管は、前記処理液中に気泡として気体を供給する複数の開口を有する。前記計測部は、前記気泡が供給された前記処理液の状態に起因する物理量を、前記処理液中で計測する。前記判定部は、前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する。
本発明の基板処理装置は、前記計測部は、前記処理槽内に配置された管と、前記管に気体を供給するガス供給機構とを有する比重計であることが好ましい。
本発明によれば、気泡供給管の開口の状態を容易に確認することができる。
（ａ）は、本発明の実施形態１に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置が基板処理を実行した後の状態を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置が判定処理を実行している状態を示す図である。 実施形態１に係る比重値の経時変化を示すグラフである。 実施形態１に係る比重値の経時変化を示すグラフである。 実施形態１に係る比重値の経時変化を示すグラフである。 実施形態１に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態１に係る複数の循環処理液供給部材及び複数の気泡供給管を示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る複数の循環処理液供給部材及び複数の気泡供給管を示す模式的平面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
＜実施形態１＞
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００Ａ及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００Ａを説明する。図１は、基板処理装置１００Ａを示す模式的斜視図である。具体的には、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００Ａの模式的斜視図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって多数の基板Ｗを所定数ずつ処理してもよい。所定数は、１以上の整数である。
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板等を含む。
処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。例えば、基板処理装置１００Ａは、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面からシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちのいずれかを除去する。
処理液ＬＱは、例えば、薬液である。処理液ＬＱは、例えば、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、アンモニアと過酸化水素水と水とが混合された混合液、又は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。例えば、処理液ＬＱとして、略８９質量％の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）と略１１質量％の水（脱イオン水）とが混合された略１５７℃の溶液（以下、「燐酸液」と記載する。）が用いられると、基板Ｗの表面からシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が除去される。換言すれば、処理液ＬＱとして、不純物を含有せず、高温、高酸濃度の溶液が用いられ、処理液ＬＱは、シリコン（Ｓｉ4+）を溶解していく。なお、基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液ＬＱの種類は特に限定されない。また、処理液ＬＱの温度も特に限定されない。
具体的には、基板処理装置１００Ａは、処理槽１１０と、基板保持部１２０とを備える。
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外周面に設けられる。
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０に略直交し、水平方向に略平行である。
具体的には、基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
図１（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
図１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。実施形態１では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、所定間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
詳細には、基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを更に含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１（ａ）及び図１（ｂ）の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６を更に含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図１（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図１（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。従って、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。
続けて図２を参照して、気泡供給管１８０Ａ及び気体供給部２００を説明する。図２は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを示す模式図である。なお、図２は、基板処理装置１００Ａが基板処理を実行している状態を示す図である。基板処理とは、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理することである。また、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。
図２に示すように、基板処理装置１００Ａは、少なくとも１個の気泡供給管１８０Ａと、気体供給部２００とを更に備える。
気体供給部２００は、気体供給源２６３から供給される気体を、気体供給管２６１Ａを通して、気泡供給管１８０Ａに供給する。気体供給部２００が気泡供給管１８０Ａに供給する気体は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ2）、又は、アルゴン（Ａｒ）である。
具体的には、気体供給部２００は、供給機構２５１Ａを含む。供給機構２５１Ａは、第１供給機構２１０と、気体供給管２６２とを含む。第１供給機構２１０は、バルブ２１１と、フィルター２１３と、ヒーター２１５と、流量計２１７と、調整バルブ２１９とを含む。バルブ２１１と、フィルター２１３と、ヒーター２１５と、流量計２１７と、調整バルブ２１９とは、この順番に気体供給管２６２の下流から上流に向かって、気体供給管２６２に配置される。
調整バルブ２１９は、気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量を調整する。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する流量を示す。具体的には、調整バルブ２１９は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
流量計２１７は、気体供給管２６２を流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２１９は、流量計２１７の計測結果に基づいて、気体の流量が第１流量Ｆ１となるように、気体の流量を調整する。第１流量Ｆ１は、基板Ｗを処理するための流量である。なお、例えば、調整バルブ２１９に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
バルブ２１１は、気体供給管２６２を開閉する。つまり、バルブ２１１は、気体供給管２６２からの気泡供給管１８０Ａに対する気体の供給と供給停止とを切り替える。
ヒーター２１５は、気体供給管２６２を加熱する。フィルター２１３は、気体供給管２６２を流れる気体から異物を除去する。
続けて気泡供給管１８０Ａについて説明する。気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。気泡供給管１８０Ａは、例えば、バブラーである。
気泡供給管１８０Ａは、略筒形状を有する。気泡供給管１８０Ａは、例えば、管である。気泡供給管１８０Ａは、第１方向Ｄ１０に延びている。
気泡供給管１８０Ａは、第１端部１８０ａと、第２端部１８０ｂとを有する。第１端部１８０ａは、第１方向Ｄ１０における気泡供給管１８０Ａの両端部のうちの一方端部である。第２端部１８０ｂは、第１方向Ｄ１０における気泡供給管１８０Ａの両端部のうちの他方端部である。
第１端部１８０ａには、気体供給管２６２が接続される。具体的には、気泡供給管１８０Ａは、気体供給管２６２に着脱自在である。第１端部１８０ａは、気体供給管２６２が接続されている部分を除き、閉塞されている。第２端部１８０ｂは閉塞されている。
具体的には、気泡供給管１８０Ａは、流路ＦＷ０を更に有する。流路ＦＷ０には気体が流れる。流路ＦＷ０は、気泡供給管１８０Ａの内部に気泡供給管１８０Ａの長手方向に沿って形成される。流路ＦＷ０は、一端が開口し、気体供給管２６２に連通する。流路ＦＷ０の他端は閉じた構造となっている。
また、気泡供給管１８０Ａは、流路ＦＷ０に連通する複数の気泡供給孔Ｇを更に有する。気泡供給孔Ｇは、開口の一例である。気泡供給孔Ｇは、例えば円形である。気泡供給孔Ｇの孔径は、例えば、数十μｍ～数百μｍのオーダーである。また、例えば、１つの気泡供給管１８０Ａに設けられる気泡供給孔Ｇの数は、例えば、４０個又は６０個である。
気泡供給管１８０Ａにおいて、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１０に所定間隔をあけて略一直線上に配置される。気泡供給管１８０Ａにおいて、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給管１８０Ａの上面部に設けられる。なお、気泡供給孔Ｇから気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給孔Ｇの位置は特に限定されない。また、気泡供給管１８０Ａにおいて、複数の気泡供給孔Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不等間隔に配置されていてもよい。
気泡供給管１８０Ａの材質は、例えば、石英、又は、合成樹脂である。合成樹脂は、耐酸性を有する点で、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、又は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）である。
特に、気泡供給管１８０Ａの材質が合成樹脂であると、気泡供給管１８０Ａの加工が容易である。更に、気泡供給管１８０Ａの材質がＰＦＡであると、曲げ加工が容易である。例えば、気泡供給管１８０ＡをＬ字状に加工することも可能である。従って、気泡供給管１８０Ａと他の配管との継ぎ目を少なくできる。その結果、気泡供給管１８０Ａの耐久性を向上できる。
気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部に配置される。具体的には、気泡供給管１８０Ａは、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。更に詳細には、基板Ｗを処理する時には、気泡供給管１８０Ａは、処理液ＬＱ中の所定深さＨＡの位置に配置される。所定深さＨＡは、処理液ＬＱの液面から気泡供給孔Ｇまでの距離を示す。気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の底部に固定される。気泡供給管１８０Ａは、内槽１１２の底部に接触していてもよいし、内槽１１２の底部に対して離隔していてもよい。
続けて、制御装置Ｕ４について説明する。基板処理装置１００Ｂは、制御装置Ｕ４を更に備える。
制御装置Ｕ４は、基板処理装置１００Ｂの各構成を制御する。例えば、制御装置Ｕ４は、基板保持部１２０及び気体供給部２００を制御する。
制御装置Ｕ４は、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置Ｕ４は、制御部１０と、記憶装置２０とを含む。
記憶装置２０は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置２０は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。
制御部１０は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。具体的には、制御部１０は、流量制御部１１を含む。
流量制御部１１は、基板Ｗを処理する時に、気体供給管２６２に第１流量Ｆ１の気体を供給する。具体的には、流量制御部１１は、バルブ２１１を開けて、気体供給管２６２に第１流量Ｆ１の気体を供給する。従って、気体供給管２６２を通って第１流量Ｆ１の気体が気泡供給管１８０Ａに供給される。その結果、処理液ＬＱ中に、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
続けて図３を参照して、排気機構３００及び比重計３５３を説明する。図３は、基板処理装置１００Ａが基板処理を実行した後の状態を示す図である。
図３に示すように、基板処理装置１００Ｂは、排気機構３００を更に備える。具体的には、排気機構３００は、排気配管３００ａと、バルブ３００ｂとを含む。排気配管３００ａにはバルブ３００ｂが配置される。バルブ３００ｂは、排気配管３００ａを開閉する。排気配管３００ａの一端は、気体供給管２６２に接続される。バルブ３００ｂが開くことにより、気体供給管２６２から気体は排気配管３００ａを通って外部に排出される。
従って、基板処理を実行した後には、バルブ２１１を閉めて、バルブ３００ｂを開けて、複数の基板Ｗが処理槽１１０から引き上げられる。
また、基板処理装置１００Ａは、比重計３５３を更に備える。比重計３５３は、計測部の一例である。
比重計３５３は、処理液ＬＱ中で生じる圧力を検出し、圧力に基づいて処理液ＬＱの比重を計測し、処理液ＬＱの比重を示す比重値を制御装置Ｕ４に出力する。具体的には、比重計３５３は、管３５３ａと、ガス供給機構３５３ｂと、制御回路３５３ｃとを有する。
例えば、比重計３５３の管３５３ａの先端は、処理槽１１０内に配置されている。具体的には、比重計３５３の管３５３ａの先端は、内槽１１２の処理液ＬＱ面から所定深さＨＢの位置に配置されている。ガス供給機構３５３ｂは、気体供給源からのガス（気体）を比重計３５３の管３５３ａ内に供給する。詳細には、ガス供給機構３５３ｂは、管３５３ａの先端に向かってガスを供給して、内槽１１２の処理液ＬＱ内に気泡を放出する。ガスとして、典型的には、窒素（Ｎ2）が用いられる。これにより、所定深さＨＢの処理液ＬＱ中で生じる圧力は、比重計３５３の管３５３ａの先端に向かってガスを供給する圧力として検出される。制御回路３５３ｃは、ガスを供給する圧力に応じて、処理液ＬＱの比重を計測し、処理液ＬＱの比重を示す比重値を制御装置Ｕ４に出力する。その結果、制御装置Ｕ４は、比重値に基づいて、処理液ＬＱ中の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の濃度を算出する。
続けて図４を参照して、判定処理を説明する。図４は、基板処理装置１００Ａが判定処理を実行している状態を示す図である。判定処理とは、気泡供給管１８０Ａの状態を判定することである。
供給機構２５１Ａは、第２供給機構２２０を更に含む。第２供給機構２２０は、気体供給管２０３Ａと、バルブ２２１と、フィルター２２３と、流量計２２７と、調整バルブ２２９とを更に含む。バルブ２２１と、フィルター２２３と、流量計２２７と、調整バルブ２２９とは、この順番に気体供給管２０３Ａの下流から上流に向かって、気体供給管２０３Ａに配置される。
調整バルブ２２９は、気泡供給管１８０Ａに供給される気体の流量を調整する。具体的には、調整バルブ２２９は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
流量計２２７は、気体供給管２０３Ａを流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２２９は、流量計２２７の計測結果に基づいて、気体の流量が第２流量Ｆ２となるように、気体の流量を調整する。第２流量は、第１流量より多い。第２流量Ｆ２は、気泡供給管１８０Ａの状態を判定するための流量である。
バルブ２２１は、気体供給管２０３Ａを開閉する。つまり、バルブ２２１は、気体供給管２０３Ａからの気泡供給管１８０Ａに対する気体の供給と供給停止とを切り替える。
フィルター２２３は、気体供給管２０３Ａを流れる気体から異物を除去する。
気体供給管２０３Ａの上流端は、第１供給機構２１０の上流端（具体的には調整バルブ２１９の上流側）に接続される。気体供給管２０３Ａの下流端は、第１供給機構２１０の下流端（具体的にはバルブ２１１の下流側）に接続される。従って、バルブ２１１及びバルブ３００ｂを閉めて、バルブ２２１を開けたときには、気体供給源２６３から気体供給管２０３Ａに気体が供給される。
流量制御部１１は、気泡供給管１８０Ａの状態を判定するときに、気体供給部２００を制御することで、気体供給管２０３Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。具体的には、流量制御部１１は、バルブ２２１を開けて、バルブ３００ｂを閉めて、気体供給管２０３Ａに第２流量Ｆ２の気体を供給する。従って、気体供給管２０３Ａを通って第２流量Ｆ２の気体が気泡供給管１８０Ａに供給される。その結果、処理液ＬＱ中に、気泡供給管１８０Ａの複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
実施形態１では、比重計３５３は、気泡が供給された処理液ＬＱ中で物理量を計測する。物理量は、気泡が供給された処理液ＬＱの状態に起因する量である。具体的には、物理量は、気泡が供給された処理液ＬＱの比重を示す。詳細には、比重計３５３は、気泡が供給された処理液ＬＱ中で生じる圧力を検出し、圧力に基づいて、気泡が供給された処理液ＬＱの比重を計測し、気泡が供給された処理液ＬＱの比重に相関する比重値を制御装置Ｕ４に出力する。
基板処理装置１００Ａでは、制御部１０は、判定部１２を更に含む。
判定部１２は、比重値（以下、「比重値ＧＡｎ」と記載する。）に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。具体的には、判定部１２は、比重値ＧＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。ｎは１又は２である。詳細には、判定部１２は、第１時間ｔ１に計測された比重値ＧＡ１と、第２時間ｔ２に計測された比重値ＧＡ２とを比較し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。比重値ＧＡ１は、基準物理量の一例である。比重値ＧＡ１は、第１時間ｔ１に計測された比重値（以下、「基準比重値ＧＡ１」と記載する場合がある。）を示す。比重値ＧＡ２は、計測物理量の一例である。比重値ＧＡ２は、第２時間ｔ２に計測された比重値（以下、「計測比重値ＧＡ２」と記載する場合がある。）を示す。
第１時間ｔ１と第２時間ｔ２とは、異なる。具体的には、第１時間ｔ１は、基板Ｗを処理する前の時を示す。例えば、第１時間ｔ１は、複数の気泡供給孔Ｇの状態が初期状態である時を示す。初期状態は、気泡供給管１８０Ａを取付けた時、又は、気泡供給管１８０Ａを取付けた直後の複数の気泡供給孔Ｇの状態を示す。例えば、初期状態では、複数の気泡供給孔Ｇが処理液ＬＱの影響を実質的に受けておらず、未使用時の気泡供給管１８０Ａにおける複数の気泡供給孔Ｇの孔径が実質的に維持されている。第２時間ｔ２は、基板Ｗを処理した後の時を示す。例えば、第２時間ｔ２は、基板Ｗを処理することを複数回実行した後の時を示し、第２時間ｔ２は、実験的又は経験的に定められる。基準比重値ＧＡ１は、記憶装置２０に記憶されている。
ここで図５から図７を参照して、複数の気泡供給孔Ｇの状態と、比重値ＧＡｎとの関係について説明する。図５から図７は、比重値ＧＡｎの経時変化を示すグラフである。図５から図７において、横軸は時間を示し、縦軸は比重値ＧＡｎを示している。なお、３分間、第２流量Ｆ２の気体を供給することと、３分間、気体の供給を停止することとを、３回繰り返した。
図５は、所定孔径のＮＡ個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを基板処理装置１００Ａに配置したときのグラフを示す。所定孔径のＮＡ個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａは、初期状態（正常な状態）の気泡供給管１８０Ａを示す。基準比重値ＧＡ１は、所定孔径のＮＡ個の気泡供給孔Ｇを有する気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置し、第２流量Ｆ２の気体を供給したときに計測された比重の平均の比重値を示す。
図６は、ＮＡ個の気泡供給孔Ｇの内のＮＢ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置したときのグラフを示す。ＮＢは、ＮＡより小さい。なお、ＮＢ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａに代えて、ＮＡ個の気泡供給孔Ｇの周縁部に、少量の成分（例えば、シリカ（Ｓｉ））が析出した気泡供給管１８０Ａを用いてもよい。計測比重値ＧＡ２１は、ＮＢ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置し、第２流量Ｆ２の気体を供給したときに計測された比重の平均の比重値を示す。
図７は、ＮＡ個の気泡供給孔Ｇの内のＮＣ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置したときのグラフを示す。ＮＣは、ＮＡより小さく、ＮＢより大きい。なお、ＮＣ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａに代えて、ＮＡ個の気泡供給孔Ｇの周縁部に、多量の成分（例えば、シリカ（Ｓｉ））が析出した気泡供給管１８０Ａを用いてもよい。計測比重値ＧＡ２２は、ＮＣ個の気泡供給孔Ｇが塞がれた気泡供給管１８０Ａを、基板処理装置１００Ａに配置し、第２流量Ｆ２の気体を供給したときに計測された比重の平均の比重値を示す。
図５から図７に示すように、計測比重値ＧＡ２１及び計測比重値ＧＡ２２は、基準比重値ＧＡ１より大きかった。従って、判定部１２は、比重値ＧＡｎに基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定できる。その結果、気泡供給管１８０Ａを目視で確認する必要がない。よって、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。
詳細には、判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを判定する。具体的には、判定部１２は、差分が閾値ＴＨ以上である場合に、複数の気泡供給孔Ｇが異常であると判定部１２は判定する。閾値ＴＨは、複数の気泡供給孔Ｇが小さくなったり塞がったりして、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常である時の数値を示す。一方、差分が閾値ＴＨ未満である場合に、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定部１２は判定する。なお、基準比重値ＧＡ１及び計測比重値ＧＡ２の各々は、複数の比重値の移動平均された比重値であってもよく、複数の比重値に基づいて作成された平滑化された波形であってもよい。
以上、図１から図７を参照して説明したように、実施形態１によれば、判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を容易に確認できる。また、複数の気泡供給孔Ｇの状態を個人差が無く確認できる。
また、判定部１２は、時間ｔ１に計測された基準比重値ＧＡ１と、時間ｔ２に計測された計測比重値ＧＡ２とを比較し、複数の気泡供給孔Ｇの状態を判定する。その結果、第１時間ｔ１から第２時間ｔ２までにおける複数の気泡供給孔Ｇの状態からの変化を確認できる。
また、第１時間ｔ１は、基板Ｗを処理する前の時を示す。その結果、初期状態（新品）の気泡供給管１８０からの変化を確認できる。更に、第２流量Ｆ２を第１流量Ｆ１より多くすることにより、複数の気泡供給孔Ｇの状態の変化が小さくても、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分が大きくなる。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を、精度よく確認できる。
続けて図８を参照して、基板処理装置１００Ａを詳細に説明する。図８は、基板処理装置１００Ａを示す図である。図８に示すように、基板処理装置１００Ａは、排液部１７０を更に備える。排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。
具体的には、排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
基板処理装置１００Ａは、複数の循環処理液供給部材１３０と、循環部１４０とを更に備える。
循環部１４０は、基板処理で、処理槽１１０に貯留されている処理液ＬＱを循環させて、処理液ＬＱを循環処理液供給部材１３０の各々に供給する。
循環部１４０は、配管１４１と、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。
配管１４１は、処理槽１１０から排出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。配管１４１の下流端に、複数の循環処理液供給部材１３０が接続される。
ポンプ１４２は、配管１４１から複数の循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを送る。従って、循環処理液供給部材１３０は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱを加熱する。ヒーター１４３により、処理液ＬＱの温度が調整される。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、複数の循環処理液供給部材１３０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。具体的には、調整バルブ１４５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。
複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐを有する。図８では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出孔Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。
基板処理装置１００Ａは、処理液供給部１５０と、希釈液供給部１６０とを更に備える。
処理液供給部１５０は、処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。処理液ＬＱは、例えば、略８５質量％の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）と略１５質量％の水（脱イオン水）とが混合された溶液を採用することができる。
処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２は処理液ＬＱを内槽１１２に吐出する。ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源ＴＫＡからの処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。
バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出された処理液ＬＱが、内槽１１２内に供給される。
希釈液供給部１６０は、希釈液を処理槽１１０に供給する。
希釈液供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、希釈液を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４に供給される希釈液は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１６４には、希釈液供給源ＴＫＢからの希釈液が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された希釈液が、外槽１１４内に供給される。
また、処理槽１１０は、蓋１１６を更に有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。
蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。なお、蓋１１６は、不図示の排気機構を有してもよい。
続けて図８及び図９を参照して、複数の気泡供給管１８０及び気体供給部２００を説明する。図９は、複数の循環処理液供給部材１３０及び複数の気泡供給管１８０を示す模式的平面図である。
図９に示すように、基板処理装置１００Ａは、気体供給ユニット２８０Ａを備えている。具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、少なくとも１個の気泡供給管１８０と、少なくとも１個の支持部材１８５とを含む。更に具体的には、気体供給ユニット２８０Ａは、複数の気泡供給管１８０と、複数の支持部材１８５とを含む。
複数の気泡供給管１８０及び複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部１１０ａに配置される。具体的には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、複数の気泡供給管１８０は、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部１１０ａに配置される。
複数の気泡供給管１８０の各々は、対応する支持部材１８５によって支持される。具体的には、複数の気泡供給管１８０の各々は、対応する支持部材１８５に固定される。従って、気泡供給管１８０の変形を抑制できる。複数の支持部材１８５は、処理槽１１０の底部１１０ａに固定される。具体的には、複数の支持部材１８５は、内槽１１２の底部１１０ａに固定される。従って、基板Ｗを処理する時には、複数の気泡供給管１８０の各々は、処理液ＬＱ中の所定深さＨＡの位置に配置される。
詳細には、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給管１８０は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの一方は、２つの気泡供給管１８０の間に配置される。また、平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの他方は、他の２つの気泡供給管１８０の間に配置される。更に、平面視において、４つの気泡供給管１８０のうち、真ん中の２つの気泡供給管１８０は、第２方向Ｄ２０に対向している。
具体的には、複数の気泡供給管１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。気泡供給管１８０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の気泡供給管１８０の各々において、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気泡供給管１８０の各々において、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給管１８０の上面部に設けられる。そして、各気泡供給孔Ｇは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて気泡を供給する。
また、複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。循環処理液供給部材１３０は、第１方向Ｄ１０に延びている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、複数の処理液吐出孔Ｐは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、各処理液吐出孔Ｐは、循環処理液供給部材１３０の上面部に設けられる。そして、各処理液吐出孔Ｐは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて処理液ＬＱを吐出する。なお、図７では処理液吐出孔Ｐは斜め上方を向いているがこれに限られず、処理液吐出孔Ｐは、下方又は側方を向いていてもよい。
気体供給部２００は、複数の気泡供給管１８０の各々に、気泡を発生するための気体を供給して、複数の気泡供給管１８０の各々に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。具体的には、気体供給部２００は、気体供給管部２６０を含む。複数の気泡供給管１８０は、気泡供給管１８０Ａと、気泡供給管１８０Ｂと、気泡供給管１８０Ｃと、気泡供給管１８０Ｄとを含む。
気体供給管部２６０は、気体供給管２６２と、複数の分岐気体供給管２６１とを含む。複数の分岐気体供給管２６１は、分岐気体供給管２６１Ａと、分岐気体供給管２６１Ｂと、分岐気体供給管２６１Ｃと、分岐気体供給管２６１Ｄとを含む。
気体供給管２６２は、気体供給源２６３に接続される。具体的には、気体供給管２６２の上流端が気体供給源２６３に接続される。気体供給源２６３は、気体供給管２６２に気体を供給する。気体供給管２６２は、各分岐気体供給管２６１の上流端に接続される。
分岐気体供給管２６１Ａの下流端は、気泡供給管１８０Ａに接続される。分岐気体供給管２６１Ｂの下流端は、気泡供給管１８０Ｂに接続される。分岐気体供給管２６１Ｃの下流端は、気泡供給管１８０Ｃに接続される。分岐気体供給管２６１Ｄの下流端は、気泡供給管１８０Ｄに接続される。この例では、気体は、気体供給管２６２から各分岐気体供給管２６１を通って、各気泡供給管１８０に供給される。
図９では、気体供給管部２６０の論理的構成が示されている。従って、気体供給管部２６０と各気泡供給管１８０との接続形態は、気体供給管部２６０から各気泡供給管１８０に気体が供給できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図８及び図９が気体供給管部２６０の物理的構成を示していてもよい。
次に、図１０を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図１０は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１２を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００Ａによって実行される。
まず、工程Ｓ１において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。
次に、工程Ｓ２において、流量制御部１１は、バルブ２１１を開けて、気体供給管２６２に第１流量Ｆ１の気体を供給する。
次に、工程Ｓ３において、流量制御部１１は、複数の基板Ｗを処理した後、バルブ２１１を閉じて、バルブ３００ｂを開けて、各気泡供給管１８０に気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ４において、制御装置Ｕ４の制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０の処理液ＬＱから複数の基板Ｗを引き上げる。
次に、工程Ｓ５において、流量制御部１１は、バルブ３００ｂを閉じて、バルブ２２１を開けて、気体供給管２６２に第２流量Ｆ２の気体を供給する。
次に、工程Ｓ６において、比重計３５３は、処理液ＬＱ中で生じる圧力を検出し、計測比重値ＧＡ２を制御装置Ｕ４に出力する。
次に、工程Ｓ７において、判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分が閾値ＴＨ以上であるか否かを判定する。
工程Ｓ７で判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分が閾値ＴＨ未満である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が正常であると判定し、処理は、工程Ｓ８に進む。
工程Ｓ８において、流量制御部１１は、バルブ２１１を閉じて、バルブ３００ｂを開けて、各気泡供給管１８０に気体を供給することを停止する。そして、基板処理方法が終了する。
一方、工程Ｓ７で判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分が閾値ＴＨ以上である場合には、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定し、処理は、工程Ｓ９に進む。
工程Ｓ９において、流量制御部１１は、バルブ２１１を閉じて、バルブ３００ｂを開けて、各気泡供給管１８０に気体を供給することを停止する。
次に、工程Ｓ１０において、排液部１７０は、バルブ１７０ｂを開けて、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。
次に、工程Ｓ１１において、複数の気泡供給管１８０が、新たな複数の気泡供給管１８０に交換される。
次に、工程Ｓ１２において、比重計３５３は、処理液ＬＱ中で生じる圧力を検出し、比重値を制御装置Ｕ４に出力し、処理液供給部１５０と希釈液供給部１６０とを制御し、処理液ＬＱ中の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の濃度を調整する。そして、処理は、工程Ｓ１に戻る。
以上、図１０を参照して説明したように、実施形態１によれば、判定部１２は、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分に基づいて、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であるか否かを判定する。具体的には、基準比重値ＧＡ１と計測比重値ＧＡ２との差分が閾値ＴＨ以上である場合には、複数の気泡供給管１８０が、新しい複数の気泡供給管１８０Ａに交換される。その結果、複数の気泡供給孔Ｇの状態を適切に回復できる。
＜実施形態２＞
図１１を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ｂを説明する。図１１は、複数の循環処理液供給部材１３０及び複数の気泡供給管１８０を示す模式的平面図である。実施形態２に係る基板処理装置１００Ｂが、複数の気泡供給管１８０の各々の状態を判定する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
気体供給部２００は、気体供給機構２５０を含む。気体供給機構２５０は、気体供給管部２６０を通して各気泡供給管１８０に気体を供給する。具体的には、気体供給機構２５０は、共通供給機構２５２と、複数の供給機構２５１とを含む。複数の供給機構２５１は、供給機構２５１Ａと、供給機構２５１Ｂと、供給機構２５１Ｃと、供給機構２５１Ｄとを含む。
共通供給機構２５２は、気体供給源２６３からの気体を、気体供給管２６２に供給する。具体的には、共通供給機構２５２は、圧力計とレギュレーターとバルブとを含む。
供給機構２５１Ａは、共通供給機構２５２から供給される気体を、分岐気体供給管２６１Ａを通して、気泡供給管１８０Ａに供給する。供給機構２５１Ｂは、共通供給機構２５２から供給される気体を、分岐気体供給管２６１Ｂを通して、気泡供給管１８０Ｂに供給する。供給機構２５１Ｃは、共通供給機構２５２から供給される気体を、分岐気体供給管２６１Ｃを通して、気泡供給管１８０Ｃに供給する。供給機構２５１Ｄは、共通供給機構２５２から供給される気体を、分岐気体供給管２６１Ｄを通して、気泡供給管１８０Ｄに供給する。供給機構２５１Ｂと供給機構２５１Ｃと供給機構２５１Ｄとの各々の構成は、供給機構２５１Ａの構成と同様である。
以上、図１１を参照して説明したように、実施形態２によれば、気体供給機構２５０は、複数の気泡供給管１８０の内の１個の気泡供給管１８０に気体を供給できる。その結果、判定部１２は、複数の気泡供給管１８０の各々の状態が異常であるか否かを判定できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態及び実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
（１）実施形態１では、物理量は、気泡が供給された処理液ＬＱの比重を示したが、本発明はこれに限定されない。物理量は、圧力に基づいて処理液ＬＱの比重を計測することなく、気泡が供給された処理液ＬＱ中で生じる圧力を示してもよい。すなわち、比重計３５３でなく、圧力計であってもよい。また、物理量は、気泡が供給された処理液ＬＱの液面の状態を示してもよく、気泡が供給された処理液ＬＱ中の燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の濃度の状態を示してもよい。
（２）実施形態１では、複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定した場合に、複数の気泡供給管１８０が、新たな複数の気泡供給管１８０に交換されたが、本発明はこれに限定されない。複数の気泡供給孔Ｇの状態が異常であると判定した場合に、複数の気泡供給管１８０を洗浄液（例えばフッ化水素酸（ＨＦ））で洗浄してもよい。
（３）実施形態１では、気泡供給管１８０Ａは、第１方向Ｄ１０に延びているが、本発明はこれに限定されない。気泡供給管１８０Ａは、第２方向Ｄ２０に延びていてもよい。
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１２ 判定部
１００Ａ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１８０Ａ 気泡供給管
２６２ 気体供給管
３５３ 比重計（計測部）
Ｇ 気泡供給孔（開口）
ＬＱ 処理液
Ｗ 基板

Claims (8)

  1. 処理液で基板を処理する基板処理方法であって、
    複数の開口を有する気泡供給管に気体を供給して、気泡として前記気体を前記処理液中に供給する工程と、
    前記気泡が供給された前記処理液の状態に起因する物理量を、前記処理液中で計測する工程と、
    前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する工程と
    を含む、基板処理方法。
  2. 前記物理量は、前記気泡が供給された前記処理液の比重を示し、
    前記判定する工程では、前記比重に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記物理量は、前記気泡が供給された前記処理液中で生じる圧力を示し、
    前記判定する工程では、前記圧力に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記状態を判定する前記工程では、第１時間に計測された前記物理量である基準物理量と、第２時間に計測された前記物理量である計測物理量とを比較し、前記複数の開口の状態を判定し、
    前記第１時間と前記第２時間とは、異なる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 前記第１時間は、前記基板を処理する前の時を示し、
    前記第２時間は、前記基板を処理した後の時を示し、
    前記状態を判定する前記工程では、前記基準物理量と前記計測物理量との差分に基づいて、前記複数の開口の状態が異常であるか否かを判定する、請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記気体を供給する前記工程では、
    前記基板を処理する時に、前記気泡供給管に第１流量の前記気体を供給し、
    前記複数の開口の状態を判定する時に、前記気泡供給管に第２流量の前記気体を供給し、
    前記第２流量は、前記第１流量より多い、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 処理液を貯留して、基板を浸漬する処理槽と、
    前記処理液中に気泡として気体を供給する複数の開口を有する気泡供給管と、
    前記気泡が供給された前記処理液の状態に起因する物理量を、前記処理液中で計測する計測部と、
    前記物理量に基づいて、前記複数の開口の状態を判定する判定部と
    を備える、基板処理装置。
  8. 前記計測部は、
    前記処理槽内に配置された管と、
    前記管に気体を供給するガス供給機構と
    を有する比重計である、請求項７に記載の基板処理装置。
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