JP4524575B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4524575B2
JP4524575B2 JP2004119086A JP2004119086A JP4524575B2 JP 4524575 B2 JP4524575 B2 JP 4524575B2 JP 2004119086 A JP2004119086 A JP 2004119086A JP 2004119086 A JP2004119086 A JP 2004119086A JP 4524575 B2 JP4524575 B2 JP 4524575B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trench
cleaning
pure water
wafer
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004119086A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005303131A (ja
Inventor
節子 脇本
公寿 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Systems Co Ltd filed Critical Fuji Electric Systems Co Ltd
Priority to JP2004119086A priority Critical patent/JP4524575B2/ja
Publication of JP2005303131A publication Critical patent/JP2005303131A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4524575B2 publication Critical patent/JP4524575B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にトレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
従来、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等のデバイスにはトレンチを形成したシリコン(Si)ウエハ等が広く利用されている。近年では、デバイスの高耐圧化等の要求から、より高アスペクト比のトレンチの高精度な形成も必要になってきている。
トレンチは、通常、半導体基板を反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching,RIE)等のドライエッチングでエッチングして形成される。このようなドライエッチングで半導体基板にトレンチ形成を行う場合、形成されるトレンチの内壁には、エッチングによる生成物(エッチング生成物)やその他の不純物が付着して残る。そのため、従来は、トレンチエッチング後にその半導体基板をフッ化水素(HF)溶液等の薬液に浸漬するなどして、トレンチに浸入した薬液によってそのようなエッチング生成物を溶解して除去する方法が一般的に用いられている。このような薬液洗浄後の半導体基板は、その後、純水で洗浄され、スピンドライヤ等で乾燥される。
図7は半導体基板の従来の洗浄方法の説明図である。
この図7に示すように、薬液洗浄の際、トレンチエッチング後の半導体基板100は、その面を略垂直に立てた状態で洗浄槽101内のキャリア102に収納される。薬液は、洗浄槽101の下部に設けられた供給ノズル103から槽内に導入され、整流板104を通って半導体基板100側に供給され、余剰分が洗浄槽101の上部から槽外に排出される。このように、薬液を洗浄槽101の下部から上部へと継続的に流し、その間に半導体基板を洗浄する。
純水洗浄のときもこれと同様にして、薬液洗浄後の半導体基板を純水洗浄槽に移した後に、純水洗浄槽内にその下部から上部に向かって継続的に純水を流し、それによって半導体基板を洗浄する。
半導体基板を薬液や純水などの洗浄液によって洗浄する方法については、特に半導体基板に形成されているトレンチを効果的に洗浄することを目的として、これまでにいくつかの提案がなされている。
例えば、図7に示したのと同様にしてトレンチエッチング後の半導体基板をその面を略垂直にして配置し、洗浄槽下部から上部に向かって洗浄液を流す際、その洗浄液を減圧沸騰させ、これを用いて洗浄槽内の半導体基板を洗浄する方法が提案されている(特許文献1参照)。さらに、トレンチエッチング後の半導体基板を減圧した洗浄槽内に配置し、ここにあらかじめ脱気しておいた洗浄液を供給し、これを用いて洗浄槽内の半導体基板を洗浄する方法も提案されている(特許文献2参照)。
このほか、半導体基板を配置した洗浄槽内に洗浄液を横方向に流す水平流通式の洗浄装置について、その洗浄槽内の全液深で均一な流速を得るために、半導体基板の上流側に通水抵抗の異なる2つの整流板を用いたものが提案されている(特許文献3参照)。そして、これを用いて洗浄を行う際には、洗浄槽内に半導体基板をその面を略水平にして配置するとともに、これを洗浄液の上流側に向かって移動させながら洗浄を行う。
特開2001−269634号公報(段落番号〔0014〕〜〔0018〕、図2) 特開平11−97401号公報(段落番号〔0016〕、図1) 特開平11−76956号公報(段落番号〔0029〕、図1)
しかし、近年の要求に伴って半導体基板に形成されるトレンチが深くなり、そのアスペクト比が高くなると、従来のような方法では洗浄液をトレンチに浸入させにくく、また、その内壁から除去されたエッチング生成物等をトレンチの外へ排出できず十分な清浄化を図れない場合があった。
図8はトレンチエッチング後の半導体基板の断面模式図である。
この図8は、Siウエハ等の半導体基板200に対し、例えば深さ5μmで幅1μmといった比較的高いアスペクト比のトレンチを形成した後に、HF溶液等を用いて薬液洗浄を行い、さらに別槽で純水洗浄して、スピンドライヤ等で乾燥させたときのトレンチ200aの長手方向の断面を模式的に示したものである。
トレンチ200aが高アスペクト比で形成されるようになると、例えばこの図8に示したように、HF溶液等で完全に溶解されずトレンチ内壁から剥離して洗浄しきれなかった粒状の残渣200bが、トレンチ、特にその終端部分に残ってしまうといった状況が発生する場合がある。
このような残渣が発生する原因のひとつとして、洗浄の際、Siウエハはその面が洗浄液流通方向と略平行になるよう、通常は洗浄槽内に略垂直あるいは略水平に配置されるが、Siウエハにトレンチが形成されている場合に、洗浄中のそのトレンチ形成面の向きまでは考慮されていなかったということが挙げられる。
すなわち、そのトレンチ形成面が重力方向に対して横向きあるいは逆向きになるようなSiウエハの配置になっていると、トレンチ内の洗浄液の入れ替わり(循環)が良くなく、完全に溶解されなかった遊離のエッチング生成物がトレンチ内に発生した場合には、それがトレンチ外へ排出されずにそのまま中に留まり、粒状の残渣として残ってしまうようになる。
粒状の残渣は、洗浄後のSiウエハをスピンドライヤで乾燥すると、そのときに加わる遠心力によってトレンチ終端部分に集まってしまうことがある。トレンチ終端部分に残渣が集中すると、特にトレンチゲート構造を用いたパワーデバイス等では、その耐圧が極端に低下してしまい、不良率が高くなるといった問題を引き起こす。
また、トレンチの清浄化を妨げる別の要因として、製造過程でトレンチ内に形成されてしまう酸化物の影響が挙げられる。
例えば、SiウエハをHF溶液の入った洗浄槽(HF槽)から取り出して純水の入った別の洗浄槽(水洗槽)に移す間や、水洗槽から取り出してスピンドライヤ等に移す間は、Siウエハが完全に乾燥されていない、いわゆる生乾きの状態になっている。このようにSiとこれに付着している水分、そして大気中の酸素の3者が揃った生乾きの状態では、Siウエハ表面が酸化されやすく、特にトレンチには水分が溜まりやすいため酸化物が生成されやすい。
このようにして生成された酸化物は、純粋なSiO2ではなく、大気中の不純物を含んだSiOxである場合が多い。そのため、一旦生成されてしまうとその除去が困難であり、それによってデバイスの耐圧低下等の問題が引き起こされることもある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体基板に深いトレンチがあってもこれを十分に清浄化することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明では上記問題を解決するために、トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法において、前記半導体基板にトレンチを形成した後に、前記トレンチの形成面を重力方向に対して垂直に向けた状態で、純水を供給することにより前記半導体基板を純水で浸漬させる純水浸漬工程と、前記トレンチの形成面を前記垂直に向けた状態から重力方向に向けた状態に変移させた後に、前記純水に薬液を供給して前記半導体基板の洗浄を行う薬液洗浄工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
このような半導体装置の製造方法によれば、トレンチの形成面を重力方向に対して垂直に向けた状態で、純水を供給することにより半導体基板を純水で浸漬させ、前記トレンチの形成面を前記垂直に向けた状態から重力方向に向けた状態に変移させた後に、薬液洗浄を行うので、薬液の流れと重力の作用により、トレンチ内に浸入した薬液は、トレンチ形成面が重力方向に対して横向きや逆向きになっている場合に比べてトレンチの外に流れ出やすくなる。そのため、トレンチ内に浸入してエッチング生成物を溶解した後の薬液は、トレンチ内の薬液が入れ替わる際にトレンチ外に排出される。さらに、たとえトレンチ内に溶解しきれなかった遊離のエッチング生成物が存在していても、同じく薬液の流れと重力の作用により、そのエッチング生成物は、トレンチ内の薬液が入れ替わる際に薬液と共にトレンチ外に排出される。
また、薬液洗浄工程後に純水を用いて半導体基板を洗浄する純水洗浄工程や、純水洗浄工程後に行われる基板乾燥工程においても、このようにトレンチ形成面を重力方向に向けた状態で洗浄あるいは乾燥するようにすることで、トレンチ内に入った液体や気体あるいはトレンチ内に残る残渣がその外に排出されやすくなり、トレンチの清浄化が図られるようになる。
さらに、薬液洗浄工程と純水洗浄工程、純水洗浄工程と基板乾燥工程、あるいは薬液洗浄工程、純水洗浄工程および基板乾燥工程を、半導体基板を大気から遮断して連続して行うようにすれば、連続する工程間で半導体基板に酸化物を生成させることなくその清浄化が図られるようになる。
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ形成後の薬液洗浄工程あるいはその後の純水洗浄工程や基板乾燥工程の際に、トレンチ形成面を重力方向に向けた状態で半導体基板を配置して、それぞれの工程の処理を行うようにしたので、トレンチを十分に清浄化することができる。それにより、半導体装置の高品質化を図ることができ、特にトレンチゲート構造を有する半導体装置にあっては、その耐圧低下を抑え、高品質・高信頼性の半導体装置を高歩留まりで製造することができるようになる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1および図2は第1の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図1は洗浄装置の要部側面図、図2は洗浄装置の要部平面図である。
この図1および図2に示す洗浄装置10は、密閉された中にSiウエハ1をセットできるチャンバ11を有しており、Siウエハ1は、ウエハガイド12に固定されてチャンバ11内に配置されるようになっている。チャンバ11には、回転軸13が設けられており、この回転軸13を回転させることによってチャンバ11が回転し、チャンバ11内にセットされたSiウエハ1の面の向きが重力方向に対して可動になっている。そして、この回転軸13には、その一方の側にはチャンバ11内にHF溶液や純水などの液体または窒素(N2)などの気体を供給する供給口14が、また他方の側にはチャンバ11内に供給された液体または気体をポンプ等を用いて排出する排出口15が、それぞれ設けられている。チャンバ11内には、供給口14とSiウエハ1の間に整流板16が設けられていて、供給口14から供給される液体または気体のチャンバ11内での流速分布の偏りが発生するのを抑制している。また、チャンバ11は、支持台17に取り付けられている。
ウエハ1の洗浄に当たり、チャンバ11は、図1に示したように、Siウエハ1表面に形成されているトレンチ1aが重力方向(図1中、下方向)に向いた状態となるよう、回転軸13を中心にしてあらかじめ回転され、洗浄時にはSiウエハ1のトレンチ1aの形成面が重力方向に向いた所で固定される。
このような構成を有する洗浄装置10を用いてSiウエハ1の薬液洗浄を行う際には、まず、Siウエハ1にドライエッチングによってトレンチ1aを形成した後、そのSiウエハ1を洗浄装置10のチャンバ11内にセットする。そして、真空ポンプで排出口15からガス引きを行い、チャンバ11内を減圧する。その上で、供給口14から薬液として例えば0.5%HF溶液を供給しSiウエハ1をHF溶液に浸漬し、引き続きHF溶液を供給しながら余剰分を排出口15から排出して、HF溶液をチャンバ11内に一定量満たした状態で流通させる。薬液洗浄後は、HF溶液の供給を停止し、通常はチャンバ11内の処理後のHF溶液をほぼ全量排出する。
Siウエハ1は、HF溶液に浸漬されてHF溶液がトレンチ1a内に浸入することで、そのトレンチ1aからエッチング生成物が溶解あるいは剥離されて除去される。HF溶液中に溶解したエッチング生成物は、チャンバ11内のHF溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ1a内のHF溶液が入れ替わる際にトレンチ1a外に排出されていく。また、トレンチ1a内にHF溶液で完全には溶解されなかった遊離のエッチング生成物があったとしても、そのエッチング生成物は、同じくチャンバ11内のHF溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ1a内のHF溶液が入れ替わる際にHF溶液と共にトレンチ1a外に排出される。
このように、チャンバ11内にSiウエハ1をセットしてHF溶液を流通させ、その際トレンチ1a形成面が重力方向に向くようにしてSiウエハ1を配置することにより、HF溶液の流れと重力の作用によって、トレンチ1a内のエッチング生成物をトレンチ1a外に効果的に排出することができ、トレンチ1aを清浄化することができるようになる。
薬液洗浄後は、純水を用いたSiウエハ1の洗浄が行われる。
純水洗浄は、上記の薬液洗浄の際に用いたHF溶液を純水に代えて行うことを除き、薬液洗浄の場合と同様の手順で行われる。すなわち、Siウエハ1をそのトレンチ1a形成面を重力方向に向けてチャンバ11内に配置し、供給口14から純水を供給しながら排出口15から処理後の液を排出していく。純水洗浄後は、純水の供給を停止し、チャンバ11内の処理後の液をほぼ全量排出する。
この純水洗浄においても、Siウエハ1のトレンチ1a形成面が重力方向を向いていることで、チャンバ11内の純水の流れと重力の作用によって、薬液洗浄後のSiウエハ1表面に残るHF溶液、特にトレンチ1a内に残るHF溶液が純水で置換され、トレンチ1aが効果的に洗浄される。また、このときなおトレンチ1a内に残っている残渣が洗浄される場合もある。
なお、上記の薬液洗浄からこの純水洗浄に移行する際には、薬液洗浄後、その処理後のHF溶液をチャンバ11に大気を流入させないようにして排出した後、そのままSiウエハ1を大気にさらすことなくチャンバ11に純水を供給するようにすることが望ましい。例えば、HF溶液の供給停止後に、チャンバ11にN2やアルゴン(Ar)などのSiウエハ1を酸化させないようなガスを供給しながら処理後のHF溶液を抜き出すようにする。あるいは、薬液洗浄後の液を排出せずにそのまま純水を供給し、チャンバ11内のHF濃度を徐々に薄めていくようにすることもできる。
このように薬液洗浄から純水洗浄に移行する際にSiウエハ1を大気から遮断することにより、トレンチ1aに大気中の不純物を含んだSiOx等の酸化物が生成されるのを防止することができ、いっそうの清浄化が図れる。
純水洗浄後は、N2を用いたSiウエハ1の乾燥が行われる。
乾燥にはドライN2を用い、Siウエハ1をそのトレンチ1a形成面を重力方向に向けた状態で、チャンバ11内に供給口14からドライN2を供給し、排出口15から排出する。このようにチャンバ11内にドライN2を流通させることによって中のSiウエハ1を乾燥させる。
このような基板乾燥の際、ドライN2の温度は常温でも効果があるが、高温にすれば乾燥時間を短縮することができる。さらに、ドライN2をチャンバ11内に供給する際、イソプロピルアルコール(IPA)等の揮発性溶液の蒸気を同時に供給するようにすれば、いっそう乾燥時間を短縮することができるようになる。また、このようなドライN2やIPA等を用いた乾燥時に、チャンバ11を回転させてSiウエハ1に残っている液滴を振り切るようにしてもよい。
なお、上記の純水洗浄からこの基板乾燥に移行する際には、前述の薬液洗浄から純水洗浄に移行する場合におけるのと同様に、純水洗浄後、その処理後の液をチャンバ11に大気を流入させないようにして排出した後、そのままSiウエハ1を大気にさらすことなくチャンバ11内にドライN2等を供給するようにすることが望ましい。それにより、純水洗浄から基板乾燥に移行する際に、トレンチ1aにSiOx等が生成されるのを防止することができる。
Siウエハ1のトレンチ1a形成面を重力方向に向けて行う上記の薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥をすべて、Siウエハ1を大気から遮断した状態で連続して行い、それによって得られたSiウエハ1を用いてパワーデバイスを形成したところ、耐圧不良率を約5%低下させることができた。
次に、第2の実施の形態について説明する。
図3および図4は第2の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図3はSiウエハのトレンチ形成面を重力方向に対して垂直向きに配置したときの図、図4はSiウエハのトレンチ形成面を重力方向に向けて配置したときの図である。ただし、図3および図4では、図1および図2に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この第2の実施の形態では、洗浄装置10のチャンバ11にSiウエハ1をセットした後、薬液洗浄前に、まず図3に示すようにSiウエハ1をそのトレンチ1a形成面が重力方向に対して垂直向きになるようにチャンバ11を回転させる。そして、この状態でチャンバ11内に純水を供給し、中を純水で満たす。その際、トレンチ1a形成面が重力方向に対して垂直向きになっているので、純水供給時にトレンチ1a内にも純水が行き渡り、トレンチ1a内に気泡等をほとんど発生させることなく、トレンチ1a内を液体で満たすことができる。
このようにチャンバ11内を純水で満たした後は、第1の実施の形態と同様、図4に示すようにSiウエハ1をそのトレンチ1a形成面が重力方向を向くようにチャンバ11を回転させる。そして、チャンバ11内の純水を抜き出さずにそのまま供給口14から0.5%HF溶液を供給し、薬液洗浄を開始する。この薬液洗浄とこれに続く純水洗浄および基板乾燥の各処理は、上記第1の実施の形態と同様に行われる。
この方法を用い、かつ、薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥をすべて、Siウエハ1を大気から遮断して連続して行い、それによって得られたSiウエハ1を用いてパワーデバイスを形成したところ、耐圧不良率を約5%低下させることができた。
次に、第3の実施の形態について説明する。
以上の説明では、Siウエハ1を1枚ずつ処理する場合を例にして述べたが、勿論、複数枚のSiウエハ1を1バッチで同時に処理するようにしても構わない。
図5および図6は第3の実施の形態の洗浄方法の説明図であって、図5は複数枚処理が可能な洗浄装置の要部側面図、図6は複数枚処理が可能な洗浄装置の要部平面図である。ただし、図5および図6では、図1および図2に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この図5および図6に示す洗浄装置20は、密閉された中に複数枚のSiウエハ1をその面同士を向かい合わせて並列にセットできるチャンバ21を有しており、各Siウエハ1がウエハガイド22に固定されてチャンバ21内に配置されるようになっている点で第1の実施の形態の洗浄装置10と相違している。その他の構成は第1の実施の形態の洗浄装置10と同じである。ただし、この洗浄装置20において複数枚のSiウエハ1をチャンバ21内にセットする際には、各Siウエハ1のトレンチ1a形成面を一方向に揃えて配置する。
このような構成を有する洗浄装置20を用いて複数枚のSiウエハ1の薬液洗浄を行う際には、例えば上記第1の実施の形態で述べたように、回転軸13によってSiウエハ1のトレンチ1a形成面を重力方向に向け、チャンバ21内にHF溶液を流通させて薬液洗浄を行う。そして、その後は、同じくトレンチ1a形成面を重力方向に向けた状態で、純水洗浄および基板乾燥を行う。薬液洗浄と純水洗浄の間、純水洗浄と基板乾燥の間は、Siウエハ1を大気から遮断して各処理を連続して行ってもよく、また、基板乾燥の際には、チャンバ21を回転させるようにしてもよい。
また、洗浄装置20を用い、上記第2の実施の形態で述べたように、薬液洗浄に先立って、Siウエハ1のトレンチ1a形成面を重力方向に対して略垂直に向け、チャンバ21内を純水で満たした後に、薬液洗浄、純水洗浄および基板乾燥を行うようにすることもできる。この場合にも、薬液洗浄と純水洗浄の間、純水洗浄と基板乾燥の間は、Siウエハ1を大気から遮断して各処理を連続して行ってもよく、また、基板乾燥の際には、チャンバ21を回転させるようにしてもよい。
このように複数枚のSiウエハ1を同時に処理可能な洗浄装置20を用いることにより、トレンチエッチング後の洗浄とそれに伴う各工程、さらにそのようなSiウエハ1を用いる半導体装置の製造工程におけるスループットを大幅に向上させることが可能になる。
以上説明したように、トレンチ1aを有するSiウエハ1の薬液洗浄を行う際、あるいはその後の純水洗浄や基板乾燥を行う際に、トレンチ1a形成面を重力方向に向けた状態でチャンバ11,21内にSiウエハ1を配置する。これにより、チャンバ11,21内のHF溶液の流れと重力の作用を利用してエッチング生成物を効果的に除去し、トレンチを清浄化することができる。このようにして清浄化されたSiウエハ1を用いてデバイスを形成することにより、その高品質化を図ることができ、特にトレンチゲート構造を有するデバイスにあっては、その耐圧低下を抑え、高品質・高信頼性の半導体装置を高歩留まりで製造することが可能になる。
なお、以上の説明においては、トレンチ1a内のエッチング生成物を除去するために用いる薬液としてHF溶液を用いたが、HFを含んでいれば薬液の種類はこれに限定されない。例えば、バッファドフッ化水素(BHF)や界面活性剤を含有したHF溶液であっても同様の効果を得ることができる。
洗浄装置の要部側面図である。 洗浄装置の要部平面図である。 Siウエハのトレンチ形成面を重力方向に対して垂直向きに配置したときの図である。 Siウエハのトレンチ形成面を重力方向に向けて配置したときの図である。 複数枚処理が可能な洗浄装置の要部側面図である。 複数枚処理が可能な洗浄装置の要部平面図である。 半導体基板の従来の洗浄方法の説明図である。 トレンチエッチング後の半導体基板の断面模式図である。
符号の説明
1 Siウエハ
1a トレンチ
10,20 洗浄装置
11,21 チャンバ
12,22 ウエハガイド
13 回転軸
14 供給口
15 排出口
16 整流板
17 支持台

Claims (3)

  1. トレンチを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法において、
    前記半導体基板にトレンチを形成した後に、前記トレンチの形成面を重力方向に対して垂直に向けた状態で、純水を供給することにより前記半導体基板を純水で浸漬させる純水浸漬工程と、
    前記トレンチの形成面を前記垂直に向けた状態から重力方向に向けた状態に変移させた後に、前記純水に薬液を供給して前記半導体基板の洗浄を行う薬液洗浄工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記薬液洗浄工程の後に、前記トレンチの形成面を重力方向に向けた状態で、純水を用いて前記半導体基板の洗浄を行う純水洗浄工程を有し、前記薬液洗浄工程と前記純水洗浄工程とを、前記半導体基板を大気から遮断した状態で、連続して行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記純水洗浄工程の後に、前記トレンチの形成面を重力方向に向けた状態で、前記半導体基板の乾燥を行う基板乾燥工程を有し、前記薬液洗浄工程と前記純水洗浄工程と前記基板乾燥工程とを、前記半導体基板を大気から遮断した状態で、連続して行うことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
JP2004119086A 2004-04-14 2004-04-14 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4524575B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004119086A JP4524575B2 (ja) 2004-04-14 2004-04-14 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004119086A JP4524575B2 (ja) 2004-04-14 2004-04-14 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005303131A JP2005303131A (ja) 2005-10-27
JP4524575B2 true JP4524575B2 (ja) 2010-08-18

Family

ID=35334246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004119086A Expired - Fee Related JP4524575B2 (ja) 2004-04-14 2004-04-14 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4524575B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012178458A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114229A (ja) * 1985-11-13 1987-05-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の乾燥方法
JPH0319337A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハ異物除去装置
JPH07273080A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Toshiba Corp 半導体基板洗浄処理装置
JPH11238718A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体部材の乾燥装置及び乾燥方法
JP2000114233A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Samsung Electronics Co Ltd 半導体湿式エッチング装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114229A (ja) * 1985-11-13 1987-05-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の乾燥方法
JPH0319337A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハ異物除去装置
JPH07273080A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Toshiba Corp 半導体基板洗浄処理装置
JPH11238718A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体部材の乾燥装置及び乾燥方法
JP2000114233A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Samsung Electronics Co Ltd 半導体湿式エッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005303131A (ja) 2005-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100935977B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5390808B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN100383927C (zh) 衬底的处理方法和处理设备
US20070105379A1 (en) Substrate processing apparatus
JP5645796B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP2008034779A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2007012859A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5424848B2 (ja) 半導体基板の表面処理装置及び方法
CN112740361A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
JP2007525848A (ja) 基板を乾燥させるための装置および方法
JP2009060112A (ja) 枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
JPH11233486A (ja) 半導体基板上の誘電体層をエッチングする方法および装置
JP5016525B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4763756B2 (ja) 半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
JP6275090B2 (ja) 工程分離型基板処理装置及び処理方法
JP4791905B2 (ja) 基板洗浄方法
JP6983571B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4524575B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10247635A (ja) ウェーハ等の洗浄処理装置及びその方法
JP6454608B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP3974465B2 (ja) ポリマー除去方法
JP4357456B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP4487626B2 (ja) 基板処理装置及びこの基板処理装置を用いた基板処理方法
KR100872995B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
JP2007012860A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070116

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080204

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080204

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080205

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090615

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091110

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20091112

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091112

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091112

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100208

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100506

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100519

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees