KR20070069453A - 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치 - Google Patents

세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070069453A
KR20070069453A KR1020050131638A KR20050131638A KR20070069453A KR 20070069453 A KR20070069453 A KR 20070069453A KR 1020050131638 A KR1020050131638 A KR 1020050131638A KR 20050131638 A KR20050131638 A KR 20050131638A KR 20070069453 A KR20070069453 A KR 20070069453A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical
line
drain
bath
chemicals
Prior art date
Application number
KR1020050131638A
Other languages
English (en)
Inventor
이형주
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050131638A priority Critical patent/KR20070069453A/ko
Publication of KR20070069453A publication Critical patent/KR20070069453A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조장치에서 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은, 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 순환라인(4)는 외조(3)에서 펌프(P)로 흡입하여 인라인 히터(H)와 필터(F)를 거쳐 다시 케미컬 배스(1)의 내조(2)로 공급하는 순환형식을 취하고; 상기 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 라이프 시간이 만료되기까지 순환을 지속하다가 케미컬 교환시에는 드레인 라인(5)으로 드레인시키고, 상기 내조(2)와 외조(3), 필터(F), 배관에 있는 케미컬을 흡입기 드레인밸브(8)를 거쳐 흡입기(A)에서 드레인시키도록 구성함에 있어서, 별도의 흡입기(11 : A1 - A3)에 각기 연결되는 대구경의 드레인(10) 라인을 설치하고, 용량이 더 큰 사이즈의 흡입기 밸브(9)를 설치하여 케미컬을 끌어당길 배관을 내조(2)에 3개를 설치한 것을 그 특징으로 한다.
세정프로세스, 케미컬공정, 오버딥, 케미컬 배스, 콘트롤장치

Description

세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치{CONTROL APPARATUS AGAINST CHEMICAL OVERDIP}
도 1 은 종래 반도체 제조장치에서 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치를 설명하기 위한 구성도,
도 2 는 본 발명의 실시예에 관한 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치를 설명하기 위한 구성도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 케미컬 배스 2 : 내조
3 : 외조 4 : 순환라인
5 : 드레인 6 : 쿨링워터
7 : 웨이퍼 8 : 흡입기 드레인밸브
A : 흡입기 F : 필터
H : 인라인 히터 P : 펌프
본 발명은 반도체 제조장비에서 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치에 관한 것이다.
보통, 반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 공정이 필요하다. 특히, 고집적화된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다. 반도체 웨이퍼의 습식 세정 공정은 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정)과, 수세 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 상기 화학 용액 처리 공정은 고순도 및 고농도의 화학약품을 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정이며, 수세 공정은 화학 용액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수로 세척하는 공정이며, 상기 건조 공정은 수세 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 공정이다.
상술한 습식 세정(Wet station)장치는 파티클, 유기오염, 자연산화막, 이온성 불순물, 중금속 오염등 다양한 세정대상을 제거하기 위해 복수개의 세정액을 조합하여 복수개의 처리조(process bath)를 순차적으로 편성할 수 있지만, 반면에 장비가 대형화하게 된다. 더욱이, 최근 웨이퍼의 대구경화와 함께 각 처리조도 커져야 한다. 또한, 각종 화학약품(Chemical), 순수 이온수(D.I Water), 정화된 공기(Flash Air)를 다량으로 소비해야 하기 때문에 각 처리조는 작을수록 에너지의 소 비나 비용절감 측면에서 유리하다. 따라서, 최근의 습식세정 장비는 상술한 대형화에 대응하기 위해 처리조내에서 필요 없이 면적을 많이 차지하는 기존의 웨이퍼 카세트를 사용하지 않고 웨이퍼 가이드라는 웨이퍼를 보호/유지하고, 반송하는 수단을 사용하여 습식세정장비 내에서 웨이퍼를 가공하고 있다.
도 1 은 종래 반도체 제조장치에서 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치의 구성과 동작원리로부터 설명하면 다음과 같다.
도면 부호 1 은 케미컬 배스(Chemical Bath)의 외부에 해당되는 싱크(Sink)조에 해당되어 있으며, 그 역할은 배스 크랙(Bath Crack) 또는 케미컬 누액시 설비와 유틸리티(Utility)보호에 목적이 있고, 상기 케미컬 배스(1) 안에 DI 쿨링워터(Cooling water : 6)를 공급하여 적절한 온도 유지와 과열방지에 도움을 준다. 순수이온수(DIW) 공급과 쿨링 벳(Cooling Vat) 흐름은 밸브와 흐름메터(Flow Meter : FM)를 통해 케미컬 배스(1)내로 공급된다.
상기 케미컬 배스(1)는 내조(2)와 외조(3)로 나누어지며, 상기 내조(2)에서 웨이퍼(7)가 프로세스를 진행하고 있다. 도면 부호 4는 케미컬의 순환라인을 나타낸 것으로, 상기 외조(3)에서 펌프(P)로 흡입하여 인라인 히터(H)와 필터(F)를 거쳐 다시 상기 내조(2)로 공급하는 순환형식을 취하고 있다.
상기와 같이 케미컬의 수명이 만료되기까지 순환을 지속하다가 케미컬 교환시에는 별도의 라인으로 드레인(Drain : 5)을 시키게 된다. 상기 케미컬배스(1)의 내조(2)와 외조(3), 필터(F), 배관에 있는 케미컬을 흡입기 드레인밸브(Aspirator drain valve : 8)를 거쳐 드레인을 시키게 된다. 상기 흡입기 드레인밸브(8)로부터 연결된 흡입기(Aspirator : A)는 압력차이를 이용하여 유체의 이동을 발생시키는 방식이다. 상기 흡입기 드레인밸브(8)에는 인 배스(IN BATH), 펌프(히터) 아웃, 필터아웃(배스 인), 펌프 인(배스 아웃), 필터 인이 각각 연결되어 있다.
종래에는 SC-1, SC-2와 같은 케미컬에서 반도체 제조장비의 반송장치 이상발생 또는 반도체 제조장비의 기타 문제로 인하여 원래 정해진 프로세스 레시피(Process Recipe)보다 지연되어 프로세스 타임(Process time)이 경과될 경우, 상기 SC-1, SC-2와 같은 케미컬은 순수 이온수(DIW)와 반응율이 적어 순수 이온수를 최단시간 다량으로 공급하여 웨이퍼에 주는 피해를 줄일 수 있다.
그렇지만, H3PO4, H2SO4 와 같은 케미컬은 순수이온(DI)과의 반응율도 무척 높고, 대부분 고온에서 사용되고 있으므로 상기 SC-1, SC-2와 같은 케미컬(Chemical)과 같이 DI로 치환시키는 방식으로는 어렵다. 이리하여 대부분 오버딥 발생시 웨이퍼에 심각한 손상을 주게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 발명한 것으로, 반도체 제조장치에서 세정 프로세스(WET Process)시에 자주 발생할 수 있는 케미컬 배스(Chemical Bath)에서의 오버딥(Overdip)발생시 대처방안을 구현하여 반도체 웨이퍼의 피해를 줄일 수 있는 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 순환라인(4)은 외조(3)에서 펌프(P)로 흡입하여 인라인 히터(H)와 필터(F)를 거쳐 다시 케미컬 배스(1)의 내조(2)로 공급하도록 이루어지고; 상기 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 라이프 시간이 만료되기까지 순환을 지속하다가 케미컬 교환시에는 드레인 라인(5)으로 드레인시키고, 상기 내조(2)와 외조(3), 필터(F), 배관에 있는 케미컬을 흡입기 드레인밸브(8)를 거쳐 흡입기(A)에서 드레인시키도록 구성함에 있어서, 별도의 흡입기(11 : A1 - A3)에 각기 연결되는 대구경의 드레인(10) 라인을 설치하고, 용량이 더 큰 사이즈의 흡입기 밸브(9)를 설치하여 케미컬을 끌어당길 배관을 내조(2)에 3개를 설치한 것을 그 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 관한 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치를 설명하기 위한 구성도이다. 도 1 에 도시된 케미컬 배스(1), 필터(F), 히터(H)및 펌프(P) 흡입기(A), 흐름메터(FM) 및 흡입기 드레인밸브(8)에다 밸브(9)와 다수의 흡입기(A1 - A3 : 11) 부분을 추가한 것으로, H3PO4, H2SO4와 같은 DI와 발열반응이 심한 케미컬에서 웨이퍼의 공정시간이 사전에 설정된 시간을 초과하는 경우 대응책을 마련한 것이다.
종래와 마찬가지로 케미컬 배스(1)는 내조(2)와 외조(3)로 이루어지는바, 그 중 상기 내조(2)에서는 웨이퍼(7)가 프로세스를 진행하고 있다. 상기 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 순환라인(4)은, 상기 외조(3)에서 펌프(P)로 흡입하여 인라인 히터(H)와 필터(F)를 거쳐 다시 케미컬 배스(1)의 내조(2)로 공급하는 순환형식을 취하고 있다.
상기 케미컬 배스(1)에서 케미컬의 라이프 시간이 만료되기까지 순환을 지속하다가 케미컬 교환시에는 드레인 라인(5)으로 드레인을 시키게 된다. 상기 케미컬배스(1)의 내조(2)와 외조(3), 필터(F), 배관에 있는 케미컬을 흡입기 드레인밸브(Aspirator drain valve : 8)를 거쳐 흡입기(A)에서 드레인 시키도록 구성되어 있다.
본 발명에 대해 추가된 부분을 설명하면 다음과 같다. 별도의 흡입기(11 : A1 - A3)에 각기 연결되는 대구경의 드레인(10) 라인을 추가로 설치하고 있는 바, 이는 평상시 드레인 라인(5)과 다른 프로세스 오버딥(process overdip) 발생시 전용으로 동작하게 될 라인으로 구성된다. 그리고, 도면 부호 11과 같이 기존과 같은 또는 용량이 더 큰 사이즈의 흡입기 밸브(aspirator valve : 9)를 추가로 설치하여 케미컬을 끌어당길 배관을 내조(2)에 3 개를 설치한다.
상기 케미컬 배스(1)의 드레인(12)과 같이 싱크조의 전용 드레인포트(drain port)에 밸브를 설치한다. 또한, 도면 부호 13과 같이 DI의 급수 라인을 추가로 설치하고 있다.
이들 추가된 구성품(9 - 13)의 동작을 설명하면, 우선 비정상적인 프로세스 가 발생하여 오버딥이 발생할 경우, 첫번째로 케미컬 배스(1)의 내조(2)에 있는 케미컬을 모두 비우는 동작을 실행한다. 상기 케미컬 배스(1)에서 빠른 배수를 위하여 3개의 전용 흡입기(A1 - A3)를 이용하여 케미컬을 급배수한다.
이렇게 상기 케미컬 배스(1)에 급배수하여 내조(2)의 레벨이 빈 상태가 되면, 드레인(12)의 밸브(Drain valve)를 닫고, 상기 케미컬 배스(1)에 DI(13)를 급수하여 내조(2)가 가득 차면 싱크조로써 케미컬 배스(1)의 드레인(12) 밸브를 개방함과 동시에, 평상시 정상적인 드레인 밸브류들도 모두 개방하여 급수로 인하여 채워지는 DI를 가능한 많이 배수하게 된다.
그러나, 상기 케미컬 배스(1)에서 급수량과 배수량은 비슷한 상태이거나 급수량이 많아야 한다. 이로써 내조(2)의 웨이퍼(7)는 항상 새로운 DI로 채워지는 상태가 되고 H3PO4, H2SO4와 같은 케미컬로부터 식각된다는 현상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
이상과 같이 구성되는 본 발명의 동작을 요약하면 다음과 같다. 세정프로세스에서의 오버딥을 발생하고, 케미컬 배스에서 케미컬의 급 배수하며, 상기 케미컬 배스의 내조를 빈 상태를 확인 후 드레인 밸브를 닫고, 상기 케미컬 배스에 DI의 급수를 개시하며, 상기 DI 급수후 상기 케미컬 배스에 있는 내조 레벨(LEVEL)이 풀(FULL)이 되면 싱크조를 포함한 모든 드레인 밸브를 개방하도록 되어 있다.
이어 장비의 정상상태 복귀시 내조내의 웨이퍼가 반송장치에 의해 빠져 나가면 상기 케미컬 배스내로 DI의 급수가 정지하며, 드레인 후에는 정상적인 케미컬 전환(Chemical change)을 시작하도록 되어 있다. 그러므로, 본 발명은 세정프로세스(WET Process)에서 케미컬 배스 형태를 갖춘 모든 프로세스장치를 포함한 것을 특징으로 한다
본 발명의 반도체 제조장비에서 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치에 대한 기술사상을 예시도면에 의거하여 설명했지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명의 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은 이 기술분야의 통상 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 제조장치에서 케미컬공정을 하는 세정 프로세스(WET Process)에서 반송장치, 기타 하드웨어 트러블(Hardware trouble)로 인하여 케미컬에 웨이퍼가 오버딥(overdip)되어 발생하는 로스를 방지할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (3)

  1. 케미컬 배스에서 케미컬의 순환라인은 외조에서 펌프로 흡입하여 인라인 히터와 필터를 거쳐 다시 케미컬 배스의 내조로 공급하도록 이루어지고; 상기 케미컬 배스에서 케미컬의 라이프 시간이 만료되기까지 순환을 지속하다가 케미컬 교환시에는 드레인 라인으로 드레인시키고, 상기 내조와 외조, 필터, 배관에 있는 케미컬을 흡입기 드레인밸브를 거쳐 흡입기에서 드레인시키도록 이루어진 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치에 있어서,
    별도의 흡입기에 각기 연결되는 대구경의 드레인라인을 설치하고, 용량이 더 큰 사이즈의 흡입기 밸브를 설치하여 케미컬을 끌어당길 배관을 내조에 3개를 설치한 것을 특징으로 하는 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 흡입기는 평상시 드레인 라인과 프로세스 오버딥 발생시 전용으로 동작하게 될 라인으로 구성된 것을 특징으로 하는 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 케미컬 배스의 드레인과 같이 싱크조의 전용 드레인포트에 밸브를 설치하고, DI의 급수 라인을 추가로 설치한 것을 더 포함한 것을 특징으로 하는 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치.
KR1020050131638A 2005-12-28 2005-12-28 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치 KR20070069453A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131638A KR20070069453A (ko) 2005-12-28 2005-12-28 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131638A KR20070069453A (ko) 2005-12-28 2005-12-28 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070069453A true KR20070069453A (ko) 2007-07-03

Family

ID=38505067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050131638A KR20070069453A (ko) 2005-12-28 2005-12-28 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070069453A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102382902B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법
KR102218117B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2013207076A (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
TWI721213B (zh) 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
KR101915358B1 (ko) 반도체 세정장치 및 이에 적용된 세정 방법
KR20070069453A (ko) 세정프로세스의 케미컬 오버딥시 콘트롤장치
KR100436900B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
CN219943856U (zh) 用于清洁硅片清洗设备的系统及硅片清洗设备
KR20010068648A (ko) 웨이퍼 세정장치
KR100664787B1 (ko) 세정조의 약액 배출시스템
KR20030095589A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
US11813646B2 (en) Substrate processing device
KR100891067B1 (ko) 웨트 스테이션 장치
JPH11176793A (ja) 洗浄装置
KR100885240B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100646416B1 (ko) 기판세정설비
TW202422677A (zh) 基板處理裝置
KR0174986B1 (ko) 반도체 공정의 액 순환 시스템
KR19990081141A (ko) 반도체 세정장비의 부품세척장치
KR20070069562A (ko) 웨이퍼 세정용 약액 공급 시스템
KR20080053113A (ko) 저온 및 고온 순수 공급라인이 설치된 화학약품조를포함하는 일괄처리형 세정장비
KR20230133231A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
KR20030097081A (ko) 반도체 제조설비의 재활용 화학약품 공급장치
KR20060030689A (ko) 기판 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination