JP2002343703A - 基板処理装置、露光用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回転体を含む基板保持機構が純水や薬液等を
用いる基板処理の回転時に基板表面や端面及び基板保持
部から飛散する薬液などを基板から離れた回転体の外周
部から飛散させることにより、基板への再付着を防止
し、また基板が埋設される回転体が基板表面から伝わっ
てきた薬液を吸い込み、外周部から吐き出すことによ
り、基板への再付着を抑止する基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】 回転円盤などの回転体１０を含む基板保
持機構は回転体の内部に基板１を埋設して保持する。回
転体は底板４とその上の基板１が埋め込まれた１枚以上
の側板５からなる。少なくともに純水や薬液などを用い
た基板処理をする際の回転時に基板表面や端面及び基板
保持部から飛散する薬液などを基板から離れた回転体の
側板間の空間などを介して側板外周部から矢印９に示す
ように飛散させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板もしく
はガラス基板などの被処理膜基板上の表面処理を行う処
理装置及び露光用マスクの製造方法に関し、とくに特に
被処理基板を保持する機構に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスや液晶ディスプレイなど
は、基板上に種々の加工を施し最終的に微細パターンを
形成して所望の機能を付加していく。このような基板の
加工を行う際にはガスを用いたドライプロセスだけでな
く、薬液を用いたウエットプロセスが広く用いられてい
る。例えば、微細パターンを加工する際に用いる感光性
樹脂パターンを形成する際の現像工程ではウエットプロ
セスが用いられている。感光性樹脂パターン（レジス
ト）を形成する場合において、シリコン又は石英基板上
に形成された被加工膜上に、まず始めに、感光性樹脂を
塗布し、露光マスクを用いて所望領域の感光性樹脂を感
光させる。次いで現像液、例えば、有機溶剤又はアルカ
リ性の水溶液を用いてポジ型では感光部、ネガ型では未
感光部を除去して感光性樹脂パターンを形成する工程が
現像工程である。また露光用のクロムマスクの加工の場
合にもそのクロム膜上にウエットプロセスが用いられ
る。この場合には石英基板上にクロム膜を形成後、感光
性樹脂パターンを形成する工程、あるいはウエットプロ
セスでクロム膜を加工する場合には、硝酸第２セリウム
アンモニウム溶液等を用いて感光性樹脂パターンより露
出したクロム膜を等方的にウエットエッチングする。

【０００３】また、加工に先立って、基板上に付着した
不要な有機物を除去する場合やエッチング加工終了後残
留した感光性樹脂パターンを除去する場合にも硫酸と過
酸化水素水の混合薬液が用いられている。空気中の酸素
とシリコン基板が反応してできる自然酸化膜も均一な加
工を妨げるため薬液としてＮＨ₄ Ｆや希釈したＨＦを用
いて除去される。さらに、シリコンウエハ上に金を成膜
する際にはＡｕめっき液が用いられる。さらに、塗布型
絶縁膜を形成するには、基板上にポリイミドなどの有機
材料を塗布し、熱処理により絶縁膜を形成するというウ
エットプロセスを用いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来技術
の中でとくに半導体装置を製造する際に適用される露光
技術において用いられるフォトマスクなどの露光用マス
クの製造工程である現像処理などの薬液を用いたウェッ
トプロセスにおいては、処理基板面内への薬液供給の均
一化を図るため、また、乾燥初期の薬液の振り切りを行
うためなどの理由によって、基板を保持したまま回転処
理を行っている。図９は、従来の基板処理装置の概略断
面図であり、その基板保持機構を示している。図１０
は、この基板処理装置を上方からみた透視平面図であ
る。基板処理装置は、外囲器（チャンバー）（図示しな
い）に収納されている。モータ（図示しない）により回
転される回転軸１０１の先端には十字状の回転体１０２
が取り付けられており、回転体１０２は、回転軸１０１
により任意の回転数で回転されるように構成されてい
る。回転体１０２表面には支持ピン１０５が植設されて
おり、この上に被処理基板１００が搭載されている。ま
た、この装置は、チャンバーの中に配置され基板処理を
行うように構成され、この装置の回転部分は、外壁１０
３に囲まれている。この例では、被処理基板１００とし
て露光用マスクを用いる。

【０００５】この基板処理装置において、回転体１０２
を回転させ、搭載されている被処理基板１００であるガ
ラス基板を所定の回転速度で回転させる。この回転する
ガラス基板に現像液を注いでガラス基板上のレジストを
現像する。図に示すように、回転処理しているガラス基
板上で薬液（現像液）は、ガラス基板から跳ね返って矢
印１０４のように飛散していく。矢印１０４の方向は、
回転速度の早さにもよるが、大体水平方向より最大４５
度上方に向いている。薬液は、被処理基板１００である
ガラス基板の端面から飛散するため、チャンバーの外壁
１０３の上方にぶつかり、さらに飛散する。このよう
に、基板処理装置で基板を処理する際には、回転体の回
転数に応じて、基板上の純水や薬液等の液体は、基板端
部から、飛散することがあり、周辺のチャンバー外壁な
どの壁面汚染や跳ね戻りなどによる処理基板の汚染を引
き起こし、欠陥マスクを作成する要因の一つとなるとい
う問題があった。

【０００６】本発明は、このような事情によりなされた
ものであり、回転円盤などの回転体を含む基板保持機構
が純水や薬液等を用いる基板処理回転時に基板表面や端
面及び基板保持部から飛散する薬液などを基板から離れ
た回転体の外周部から飛散させることにより、基板への
再付着を防止し、また、基板が埋設される回転体が基板
表面から伝わってきた薬液を吸い込み、外周部から吐き
出すことにより、基板への再付着を抑止する基板処理装
置及びこの装置を用いた露光用マスクの製造方法を提供
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板処理装置
において、その回転円盤などの回転体を含む基板保持機
構が、回転体の内部に基板を埋設して保持することによ
り、純水や薬液などを用いた基板処理をする際の回転体
回転時に、基板表面や端面及び基板保持部から飛散する
薬液などを、基板から離れた回転体の外周部から飛散さ
せることにより、基板への再付着を抑止することができ
る。また、基板が埋設される回転体は、前記被処理基板
が埋設された部分以外が相互に間隔を有する複数の薄い
板により構成されており、基板処理をする際の回転体回
転時にその空間が陰圧に成ることを利用して、基板表面
から伝わってきた薬液などを吸い込み、外周部から吐き
出すことにより、基板への再付着を抑止することができ
る。また、基板裏面に薬液及び純水などを吐出すること
が必要な工程において、裏面より表面への薬液などのま
わり込みを防止することができる。本発明の基板処理装
置が適用される技術は、半導体装置の製造、液晶の製造
などであり、対象とするウエットプロセスは、例えば、
基板へのフォトレジストなどのレジスト塗布工程、レジ
スト現像処理工程、ウエットエッチング処理工程、レジ
スト剥離工程、洗浄工程、有機絶縁膜形成工程などが含
まれる。

【０００８】すなわち、本発明の基板処理装置は、被処
理基板を収納し、この被処理基板外形寸法とほぼ同じか
或いはそれより大きな開口部を備えた複数の積層された
側板とこれらの側板を下から支えるようにその下に配置
された底板とを有する基板保持用回転体と、前記基板保
持用回転体を回転させる回転軸とを備え、前記開口部に
前記被処理基板を収納した場合において、前記側板の底
面は、前記被処理基板底面とほぼ同一水平面を形成し、
前記側板の上面は、前記被処理基板の上面とほぼ同一水
平面を形成し、前記回転軸により回転する前記回転体の
前記開口部に収納された前記被処理基板に対して薬液あ
るいは水などの処理液体を用いて表面処理を行うことを
特徴としている。前記側板の間には所定の間隔を有する
空間を有し、この空間は、前記表面処理を行った後の薬
液を排出させる通路とするようにしても良い。

【０００９】本発明の基板処理装置は、被処理基板を収
納し、この被処理基板外形寸法とほぼ同じか或いはそれ
より大きな開口部を備えた上部の少なくとも１枚の側板
とこの側板を下から支えるようにその下に配置され、且
つ前記開口部の下に配置されて前記被処理基板を収納す
る凹部を備えた底板とを有する基板保持用回転体と、前
記基板保持用回転体を回転させる回転軸とを備え、前記
開口部及び前記凹部に前記被処理基板を収納した場合に
おいて、前記側板の上面は、前記被処理基板の上面とほ
ぼ同一水平面を形成し、前記回転軸により回転する前記
回転体の前記開口部及び前記凹部に収納された前記被処
理基板に対して薬液あるいは水などの処理液体を用いて
表面処理を行うことを特徴としている。前記側板及び前
記底板の間には所定の間隔を有する空間を有し、この空
間は、前記表面処理を行った後の薬液を排出させる通路
とするしても良い。前記側板の間の空間もしくは前記側
板及び底板の間の空間には、前記回転体の回転に応じて
気体あるいは液体を前記回転体の外側に向かって吐出す
るブロワ羽根を設けても良い。前記被処理基板は、露光
用マスク、半導体基板及び液晶基板のいずれかから選択
されるようにしても良い。前記側板の前記開口部に収納
された前記被処理基板の外形寸法と前記開口部の内形寸
法との差（ｄ）が０ｍｍから１０ｍｍの範囲にあるよう
にしても良い。

【００１０】本発明の露光用マスクの製造方法は、マス
ク基板にクロム膜を形成する工程と、前記クロム膜が形
成されたマスク基板上に光、電子線、Ｘ線などに対する
レジストを塗布する工程と、前記レジストを露光し、現
像液を吐出させてこのレジストを現像し所定のパターン
に成形する工程と、前記レジストパターンをマスクにし
て前記クロム膜をエッチングし前記パターンの形状に成
形する工程と、前記マスクとして使用したレジストパタ
ーンを剥離する工程と、前記クロム膜のパターンを有す
るマスク基板を洗浄する工程と、前記クロム膜のパター
ン形状及び特性を検査する工程と、前記クロム膜のパタ
ーンに保護膜（ペリクル（pellicle））を形成する工程
とを備え、前記レジスト塗布工程、前記現像工程及び前
記洗浄工程のうちの少なくとも１つの工程は、上記のい
ずれかに記載の基板処理装置を用いることを特徴として
いる。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェー
ハ上に被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜が形成
された半導体ウェーハ上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストを露光し、現像液を吐出させてこのレジス
トを現像し所定のパターンに成形する工程と、前記レジ
ストパターンをマスクにして前記被処理膜をエッチング
し前記パターンの形状に成形する工程と、前記マスクと
して使用したレジストパターンを剥離する工程と、前記
レジストパターンを剥離した後、前記半導体ウェーハを
洗浄する工程とを備え、前記レジスト塗布工程、前記現
像工程及び前記洗浄工程のうちの少なくとも１つの工程
は、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の基板処理
装置を用いることを特徴としている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図５を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、被処理基板を搭載した基
板処理装置における基板保持機構の斜視図、図２は、被
処理基板を搭載する前の図１に示す基板保持機構の斜視
図、図３は、図１に示す基板保持機構の断面図、図４
は、動作中の図１に示す基板処理装置の概略断面図、図
５は、図１に示す基板処理装置内で薬液などを薬液など
の動作を説明する基板保持機構の部分断面図である。基
板処理装置は、外囲器（チャンバー）（図示しない）に
収納されている。モータ（図示しない）により回転され
る回転軸３の先端には回転体１０が取り付けられてお
り、回転体１０は、回転軸３により任意の回転数で回転
するように構成されている。回転体１０の表面には支持
ピン７が植設されており、この上に被処理基板１が搭載
されている。また、この装置は、チャンバーの中に配置
されて基板処理を行うように構成され、この装置の回転
部分は、外壁８に囲まれている。この実施例では、被処
理基板１として露光用マスクを用いる。

【００１２】この実施例の基板処理装置において、回転
体１０を回転させ、搭載されている被処理基板１である
ガラス基板を所定の回転速度で回転させる。この回転す
るガラス基板に現像液を注いでガラス基板上のレジスト
を現像する。回転処理しているガラス基板上で薬液（現
像液）は、ガラス基板端面及び支持ピンから跳ね返って
矢印９のように飛散していく（図４参照）。薬液は、回
転体１０の側板５の端面から飛散するため、チャンバー
の外壁８の上方にぶつかり、さらに飛散して被処理基板
１を汚す恐れはない。基板保持機構を構成する回転体１
０は、回転軸３にその底面が接合されて支持されている
底板４と、その上に形成された少なくとも１枚の薄い側
板５とにより構成されている。薄い側板と隣接する薄い
側板との間及び薄い側板５と隣接する底板４との間には
所定の数のスペーサ機能（図示しない）が介在されてお
り、側板５を底板４に固定すると共に側板間及び側板／
底板間の間隔を一定に保つように構成されている。

【００１３】側板５には開口部６が形成されており、こ
の中に、被処理基板１が埋め込まれるように配置されて
いる。つまり、側板５の側面は、回転体１０に被処理基
板１が搭載される際に、被処理基板１の側面に対向する
ように構成されている。回転体１０は、この実施例では
回転円盤であり、回転軸３を介してモータに接続されて
いて、この回転により回転する。回転体１０の上部は薄
い側板５を２枚重ねた構造になっており、側板５間には
空間が存在する。図４は、被処理基板を回転処理してい
る際の薬液の飛散状況を示している。薬液（現像液）
は、矢印９に示すように、被処理基板１の上面を水平に
通過し、薄い側板５の端面から飛散するため、従来の基
板保持機構の場合よりも、チャンバー外壁８のより低い
位置にぶつかり飛散する。そのため、被処理基板１上へ
の跳ね戻りは、従来の基板処理装置の場合と比較して十
分抑えられる。図５は、この実施例の基板保持機構の端
部拡大図を示している。回転処理中に被処理基板１の上
面を滑ってきた薬液１１は、回転によって陰圧になって
いる薄い側板５間の空間１３に吸い込まれて、この空間
を通過し、側板５の端面から矢印１２に示すように飛散
する。これにより、薬液の被処理基板上への跳ね戻りは
十分抑えられる。加えて、被処理基板と基板保持機構と
の間に存在する薬液、すなわち、現像液は無くなる。

【００１４】図５に示す側板５は、図３に示すように底
板４の上にスペーサ（図示しない）に支持されて積み重
ねられている。同様に、被処理基板１は、図３に示すよ
うに底板４の上に支持ピン７を介して搭載されている。
このような構成において、最下層の側板５の底面は、被
処理基板１の底面とほぼ同一の水平面を構成し、最上層
の側板５の上面は、被処理基板１の上面とほぼ同一の水
平面を構成するか、もしくは被処理基板１の上面より幾
分低い位置にある。例えば、この実施例で用いる被処理
基板１の厚さは、約６．２５ｍｍである。そして、最下
層の側板５の底面から最上層の側板５の上面までの距離
は、約６ｍｍである。したがって、最上層の側板５の上
面は、被処理基板１の上面より約０．２５ｍｍ程低い位
置にある。また、被処理基板１の外形寸法と、回転体の
被処理基板が埋め込まれる開口部の内形寸法との差（２
×ｄ）は、薬液の通路として必要性から０ｍｍから１０
ｍｍの範囲にあるのが適当である。側板５間の距離
（ｔ）は、この回転体が回転したときに両者間の空間に
渦流が発生せず層流が発生するような大きさにすること
が必要である。この距離ｔは、この場合においては、数
ｍｍ（３〜５ｍｍ）程度必要である。

【００１５】次に、図６を参照して第２の実施例を説明
する。図６は、基板処理装置の基板保持機構を示す部分
断面図である。基板処理装置は、チャンバー（図示しな
い）に収納されている。モータ（図示しない）により回
転される回転軸２３の先端には回転体２０が取り付けら
れている。回転体２０の表面には支持ピン２７が植設さ
れており、この上に被処理基板２１が搭載されている。
また、この装置は、チャンバーの中に配置されて基板処
理を行うように構成され、この装置の回転部分は、チャ
ンバー外壁に囲まれている。この実施例では、被処理基
板２１として露光用マスクを用いる。この実施例の基板
処理装置において、回転体２０を回転させ、搭載されて
いる被処理基板２１を所定の回転速度で回転させる。こ
の回転する被処理基板２１に現像液を注いで被処理基板
２１上のレジストを現像する。回転処理している被処理
基板２１上で薬液（現像液）は、跳ね返って飛散してい
く。薬液は、回転体２０の側板２５の端面から飛散する
ため、チャンバーの外壁の上方にぶつかり、さらに飛散
して被処理基板２１を汚す恐れはない。

【００１６】この実施例の基板保持機構を構成する回転
体２０は、回転軸２３にその底面が接合されて支持され
ている底板２４と、その上に形成された３枚の薄い側板
２５とにより構成されている。薄い側板と隣接する薄い
側板との間及び薄い側板２５と隣接する底板２４との間
には所定の数のスペーサ機能（図示しない）が介在され
ており、これらは側板２５を底板２４に固定すると共に
側板間及び側板／底板間の間隔を一定に保つように構成
されている。側板２５には開口部２６が形成されてお
り、この中に、被処理基板２１が埋め込まれるように配
置されている。つまり、側板２５の側面は、回転体２０
に被処理基板２１が搭載される際に、被処理基板２１の
側面に対向するように構成されている。薬液（現像液）
は、矢印２９に示すように、被処理基板２１の上面を水
平に通過し、薄い側板２５の端面から飛散するため、従
来の基板保持機構の場合よりも、チャンバー外壁のより
低い位置にぶつかり飛散する。そのため、被処理基板２
１上への跳ね戻りは、従来の基板処理装置の場合と比較
して十分抑えられる。この実施例では、回転体２０の側
板２５は、３枚である（本発明では、それ以上でも良
い）。側板間の空間が増えれば被処理基板の厚さの増大
に対応することができる。

【００１７】次に、図７を参照して第３の実施例を説明
する。図７は、基板処理装置の基板保持機構を示す上面
からみた平面図及び上層の側板を省略したこの平面図の
Ａ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。基板処理装置
は、チャンバー（図示しない）に収納されている。モー
タ（図示しない）により回転される回転軸３３の先端に
は回転体３０が取り付けられている。回転体３０の表面
には支持ピン３７が植設されており、この上に被処理基
板３１が搭載されている。また、この装置は、チャンバ
ーの中に配置されて基板処理を行うように構成され、こ
の装置の回転部分は、チャンバー外壁に囲まれている。
また、この実施例では、被処理基板３１として露光用マ
スクを用いる。この実施例の基板処理装置において、回
転体３０を回転させ、搭載されている被処理基板３１を
所定の回転速度で回転させる。この回転する被処理基板
３１に現像液を注いで被処理基板３１上のレジストを現
像する。回転処理している被処理基板３１上で薬液（現
像液）は、跳ね返って飛散していく。薬液は、回転体３
０の側板３５の端面から飛散するため、チャンバーの外
壁の上方にぶつかり、さらに飛散して被処理基板３１を
汚す恐れはない。

【００１８】この実施例の基板保持機構を構成する回転
体３０は、回転軸３３にその底面が接合されて支持され
ている底板３４と、その上に形成された２枚の薄い側板
３５（３５ａ、３５ｂ）とにより構成されている。薄い
側板と隣接する薄い側板との間及び薄い側板３５と隣接
する底板３４との間には所定の数のスペーサ機能（図示
しない）が介在されており、これらは側板３５を底板３
４に固定すると共に側板間及び側板／底板間の間隔を一
定に保つように構成されている。側板３５ｂの表面には
ブロワ羽根３２が形成されている。回転体３０が回転す
るとブロワ羽根３２により側板間の空間に強い層流が生
じる。側板３５には開口部３６が形成されており、この
中に、被処理基板３１が埋め込まれるように配置されて
いる。つまり、側板３５の側面は、回転体３０に被処理
基板３１が搭載される際に、被処理基板３１の側面に対
向するように構成されている。薬液（現像液）は、矢印
３９に示すように、被処理基板３１の上面を水平に通過
し、薄い側板３５の端面から飛散するため、従来の基板
保持機構の場合よりもチャンバー外壁のより低い位置に
ぶつかり飛散する。そのため、被処理基板３１上への跳
ね戻りは、従来の基板処理装置の場合と比較して十分抑
えられる。この実施例では、ブロワ羽根が形成されてい
るので回転体の回転により、薬液がよりスムースに飛散
する。

【００１９】次に、図８を参照して第４の実施例を説明
する。図６は、基板処理装置の基板保持機構を示す部分
断面図である。基板処理装置は、チャンバー（図示しな
い）に収納されている。モータ（図示しない）により回
転される回転軸４３の先端には回転体４０が取り付けら
れている。回転体４０の表面には支持ピン４７が植設さ
れており、この上に被処理基板４１が搭載されている。
また、この装置は、チャンバーの中に配置されて基板処
理を行うように構成され、この装置の回転部分は、チャ
ンバー外壁に囲まれている。この実施例では、被処理基
板４１として露光用マスクを用いる。この実施例の基板
処理装置において、回転体４０を回転させ、搭載されて
いる被処理基板４１を所定の回転速度で回転させる。こ
の回転する被処理基板４１に現像液などの薬液を注いで
被処理基板４１上のフォトレジストを現像する。回転処
理している被処理基板４１上で薬液（現像液）は、跳ね
返って飛散していく。薬液は、回転体４０の側板４５の
端面から飛散するため、チャンバーの外壁の上方にぶつ
かり、さらに飛散して被処理基板４１を汚す恐れはな
い。

【００２０】この実施例の基板保持機構を構成する回転
体４０は、回転軸４３にその底面が接合されて支持され
ている底板４４と、その上に形成された１枚の薄い側板
４５とにより構成されている。薄い側板と隣接する底板
４４との間には所定の数のスペーサ機能（図示しない）
が介在されており、これらは側板４５を底板４４に固定
すると共に側板／底板間の間隔を一定に保つように構成
されている。側板４５には開口部４６が形成されてお
り、この中に、被処理基板４１が埋め込まれるように配
置されている。そして底板４４には凹部４２が形成さ
れ、その底面に支持ピン４７が植設されている。また、
この凹部４２に所定の深さまで被処理基板４１が収納さ
れる。つまり、この凹部４２を囲む底板４４の上部は、
側板の一枚として用いられる。すなわち、側板４５及び
底板４４上部の側面は、回転体４０に被処理基板４１が
搭載される際に、被処理基板４１の側面に対向するよう
に構成されている。

【００２１】薬液（現像液）は、矢印４９に示すよう
に、被処理基板４１の上面を水平に通過し、薄い側板４
５の端面から飛散するため、従来の基板保持機構の場合
よりもチャンバー外壁のより低い位置にぶつかり飛散す
る。そのため、被処理基板４１上への跳ね戻りは、従来
の基板処理装置の場合と比較して十分抑えられる。この
実施例では、回転体４０の側板４５は、１枚であるが第
１の実施例と同じ作用効果を有することができる。

【００２２】次に、図１１を参照して、本発明の基板処
理装置を適用して半導体装置の製造工程における露光装
置に用いられる露光用マスクの製造工程を説明する。ま
ず、ガラス基板を準備する。そして、このガラス基
板上に遮光膜となるクロム膜を塗布する。次に、クロ
ム膜上にフォトレジストなどのレジストを塗布する。
塗布したレジストをベークする。次ぎに、露光装置を
用いてレジストを所定の形状にパタ−ニングする。露
光されたレジストを現像液を用いて現像する。次に、
レジストパターンをマスクにして、ガラス基板上のクロ
ム膜をエッチングし所定形状のパターンを形成する。次
に、ガラス基板上のレジストパターンをエッチングな
どにより剥離する。その後、クロム膜がパターニング
されたガラス基板を洗浄する。次に、(10)マスク検査を
行って製品の合否を決める。次に、(11)ガラス基板上の
クロム膜の上に保護膜（ペリクル）を形成する。最後
に、(12)完成した製品を出荷する。これらの工程のう
ち、現像工程及び洗浄工程もしくはこれらの工程のいず
れかは、以上の実施例で説明した基板処理装置を適宜適
用する。この他にもレジスト塗布工程やエッチング工
程、レジスト剥離工程なども本発明を適用させることが
できる。

【００２３】また、半導体装置の製造工程における半導
体ウェーハを処理する方法においても本発明の基板処理
装置が用いられる。すなわち、この処理方法では、シリ
コンなどの半導体ウェーハ上に金属膜などの導電膜や半
導体層などの被処理膜を形成する工程と、前記被処理膜
が形成された半導体ウェーハ上にレジストを塗布する工
程と、前記レジストを露光し、現像液を吐出させてこの
レジストを現像し所定のパターンに成形する工程と、前
記レジストパターンをマスクにして前記被処理膜をエッ
チングし前記パターンの形状に成形する工程と、前記マ
スクとして使用したレジストパターンを剥離する工程
と、前記レジストパターンを剥離した後、前記半導体ウ
ェーハを洗浄する工程とを備えており、これら工程のう
ち前記レジスト塗布工程、前記現像工程及び前記洗浄工
程の少なくとも１つの工程は、前述した本発明の基板処
理装置を用いることができる。

【００２４】

【発明の効果】半導体基板もしくはガラス基板などの被
処理基板上の表面処理、例えば、現像液などの薬液を用
いたウェットプロセスにおいて、被処理基板の回転処理
時に基板からの薬液の飛散を抑えることにより、基板処
理装置の壁面の汚染や被処理基板上への再付着を抑止す
ることになり欠陥の低減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置における基板保持機構の
斜視図。

【図２】図１の基板保持機構の上から見た概略平面図。

【図３】本発明の基板処理装置における基板保持機構の
概略断面図。

【図４】本発明の基板処理装置における基板保持機構で
回転処理を行う場合の薬液の飛散状況を説明する断面
図。

【図５】図１の基板保持機構における薬液の流れを説明
する部分断面図。

【図６】本発明の基板処理装置における基板保持機構に
おける薬液の流れを説明する部分断面図。

【図７】本発明の基板処理装置の基板保持機構を示す上
面からみた平面図及び上層の側板を省略したこの平面図
のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。

【図８】本発明の基板処理装置における基板保持機構の
概略断面図。

【図９】従来の基板処理装置における基板保持機構で回
転処理を行う場合の薬液の飛散状況を説明する断面図。

【図１０】図９の基板処理装置の上面から見た平面図。

【図１１】本発明の基板処理装置を用いることができる
露光用マスクの製造工程を説明するフロー図。

【符号の説明】

１、２１、３１、４１、１００・・・被処理基板、 ３、２３、３３、４３・・・回転軸、 ４、２４、３４、４４・・・回転体の底板、 ５、２５、３５、３５ａ、３５ｂ、４５・・・回転体の
側板、 ６、２６、３６、４６・・・開口部、 ７、２７、３７、４７・・・支持ピン、 ８、１０３・・・チャンバー外壁、 ９、１２、２９、３９、４９・・・薬液の流れる方向を
示す矢印、 １０、２０、３０、４０、１０２・・・回転体、 １１・・・薬液、 １３・・・側板間の空間、 ３２・
・・ブロワ羽根、 ４２・・・底板の凹部。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ａ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ ６５１Ｂ ６５１ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｃ (72)発明者 渡辺 秀弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 末永 真知子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 2H095 BB15 BB19 2H096 AA24 AA25 AA27 AA28 CA14 GA17 GA29 GA33 4D075 AC64 AC79 AC93 AE03 AE04 BB20Y BB40Y BB42Y BB46Y BB47Y BB48Y BB65Y BB66Y BB85X CA23 CA48 DA06 DB13 DB14 DC22 DC24 EA07 EA21 EA45 EB39 4F042 AA02 AA07 AA10 EB09 EB23 EB24 EB28 5F046 JA06 JA10 LA05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を収納し、この被処理基板外
   形寸法とほぼ同じか或いはそれより大きな開口部を備え
   た複数の積層された側板とこれらの側板を下から支える
   ようにその下に配置された底板とを有する基板保持用回
   転体と、 前記基板保持用回転体を回転させる回転軸とを備え、 前記開口部に前記被処理基板を収納した場合において、
   前記側板の底面は、前記被処理基板底面とほぼ同一水平
   面を形成し、前記側板の上面は、前記被処理基板の上面
   とほぼ同一水平面を形成し、前記回転軸により回転する
   前記回転体の前記開口部に収納された前記被処理基板に
   対して薬液あるいは水などの処理液体を用いて表面処理
   を行うことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記側板の間には所定の間隔を有する空
   間を有し、この空間は、前記表面処理を行った後の薬液
   を排出させる通路とすることを特徴とする請求項１に記
   載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 被処理基板を収納し、この被処理基板外
   形寸法とほぼ同じか或いはそれより大きな開口部を備え
   た上部の少なくとも１枚の側板とこの側板を下から支え
   るようにその下に配置され、且つ前記開口部の下に配置
   されて前記被処理基板を収納する凹部を備えた底板とを
   有する基板保持用回転体と、 前記基板保持用回転体を回転させる回転軸とを備え、 前記開口部及び前記凹部に前記被処理基板を収納した場
   合において、前記側板の上面は、前記被処理基板の上面
   とほぼ同一水平面を形成し、前記回転軸により回転する
   前記回転体の前記開口部及び前記凹部に収納された前記
   被処理基板に対して薬液あるいは水などの処理液体を用
   いて表面処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記側板及び前記底板の間には所定の間
   隔を有する空間を有し、この空間は、前記表面処理を行
   った後の薬液を排出させる通路とすることを特徴とする
   請求項３に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記側板の間の空間もしくは前記側板及
   び底板の間の空間には、前記回転体の回転に応じて気体
   あるいは液体を前記回転体の外側に向かって吐出するブ
   ロワ羽根を設けたことを特徴とする請求項２又は請求項
   ４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記被処理基板は、露光用マスク、半導
   体基板及び液晶基板のいずれかから選択されることを特
   徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 前記側板の前記開口部に収納された前記
   被処理基板の外形寸法と前記開口部の内形寸法との差が
   ０ｍｍから１０ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求
   項１乃至請求項６のいずれかに記載された基板処理装
   置。
8. 【請求項８】 マスク基板にクロム膜を形成する工程
   と、 前記クロム膜が形成されたマスク基板上にレジストを塗
   布する工程と、 前記レジストを露光し、現像液を吐出させてこのレジス
   トを現像し所定のパターンに成形する工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記クロム膜をエ
   ッチングし前記パターンの形状に成形する工程と、 前記マスクとして使用したレジストパターンを剥離する
   工程と、 前記クロム膜のパターンを有するマスク基板を洗浄する
   工程と、 前記クロム膜のパターン形状及び特性を検査する工程
   と、 前記クロム膜のパターンに保護膜を形成する工程とを備
   え、 前記レジスト塗布工程、前記現像工程及び前記洗浄工程
   のうちの少なくとも１つの工程は、請求項１乃至請求項
   ７のいずれかに記載の基板処理装置を用いることを特徴
   とする露光用マスクの製造方法。
9. 【請求項９】 半導体ウェーハ上に被処理膜を形成する
   工程と、 前記被処理膜が形成された半導体ウェーハ上にレジスト
   を塗布する工程と、 前記レジストを露光し、現像液を吐出させてこのレジス
   トを現像し所定のパターンに成形する工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記被処理膜をエ
   ッチングし前記パターンの形状に成形する工程と、 前記マスクとして使用したレジストパターンを剥離する
   工程と、 前記レジストパターンを剥離した後、前記半導体ウェー
   ハを洗浄する工程とを備え、 前記レジスト塗布工程、前記現像工程及び前記洗浄工程
   のうちの少なくとも１つの工程は、請求項１乃至請求項
   ７のいずれかに記載の基板処理装置を用いることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。