JP2016082117A - レジスト膜の形成方法および描画方法 - Google Patents

レジスト膜の形成方法および描画方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016082117A
JP2016082117A JP2014213511A JP2014213511A JP2016082117A JP 2016082117 A JP2016082117 A JP 2016082117A JP 2014213511 A JP2014213511 A JP 2014213511A JP 2014213511 A JP2014213511 A JP 2014213511A JP 2016082117 A JP2016082117 A JP 2016082117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist film
film
resist
substrate
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014213511A
Other languages
English (en)
Inventor
孝幸 大西
Takayuki Onishi
孝幸 大西
博人 安瀬
Hiroto Yasuse
博人 安瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2014213511A priority Critical patent/JP2016082117A/ja
Priority to US14/886,434 priority patent/US9633820B2/en
Publication of JP2016082117A publication Critical patent/JP2016082117A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31796—Problems associated with lithography affecting resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】スピンコート法を用いて、基板上の複数の領域にそれぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成し、高い効率で描画を行う。【解決手段】基板１上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜２ａを形成し、保護膜４を形成し、次いで、保護膜４および第１のレジスト膜２ａの一部を剥離して、基板１上に剥離領域５を設け、スピンコート法を用いて第２のレジスト膜６を形成し、保護膜４をその上の第２のレジスト膜６と一緒に除去して第１のレジスト膜２を露出させ、基板上１に第１のレジスト膜２が設けられた領域と第２のレジスト膜６が設けられた領域とを分けて形成する。得られた基板１の第１のレジスト膜２と第２のレジスト膜６にパターンの電子ビームを用いた露光を行って描画を行う。【選択図】図２

Description

本発明は、レジスト膜の形成方法および描画方法に関する。
近年、半導体装置の集積度の増加に伴い個々の素子の寸法は微小化が進み、各素子を構成する配線やゲートの幅も微細化されている。
この微細化を支えている電子ビームリソグラフィ技術には、マスク基板の表面に遮光膜を介してレジスト（組成物）を塗布する工程、電子ビームを照射して所定のレジストパターンを描画することによりレジストにパターン潜像する工程、必要に応じて加熱処理する工程、次いでこれを現像して所望の微細パターンを形成する工程、および、この微細パターンをマスクとして遮光膜に対してエッチング等の加工を行う加工工程が含まれる。
電子ビームリソグラフィ技術は、利用する電子ビームが荷電粒子ビームであるために、本質的に優れた解像度を有している。このため、ＤＲＡＭを代表とする最先端半導体デバイス用のマスク製造に用いられている。
特許文献１には、電子ビームリソグラフィ技術を用いた半導体集積回路装置の製造方法が開示されている。
電子ビームリソグラフィ技術においては、特許文献２に示されるように、上記したレジストが重要な役割を果たしている。例えば、近年の電子ビームリソグラフィ技術においては、化学増幅型レジストの使用が一般的になっている。基板上に形成されたレジスト膜から、電子ビームとの反応を利用して不要な部分が除去されると、パターニングされたレジスト膜が形成される。そして、このパターニングされたレジスト膜を利用して、基板に対する加工が行われる。
特開平１１−３１２６３４号公報 特開２０１１−１７１４９７号公報
電子ビームリソグラフィ技術においては、上述のようにレジストが重要な役割を果たしている。近年では、素子の寸法の微細化に対応すべく、レジストの解像度向上、ラインエッジの粗さ（ラフネス）改善、感度の制御等の検討が進められている。特に、ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｏｆ ｐａｔｔｅｒｎ ｓｉｚｅ）精度を向上できるように、レジストの感度を制御する検討が行われている。
例えば、従来の電子ビームリソグラフィ技術においては、感度が１０μＣ／ｃｍ２以下である高感度のレジストが用いられてきた。しかし、要求精度の向上により、感度は２０〜３０μＣ／ｃｍ２と低感度化してきた。さらに、描画に複数の電子ビームを使用するマルチビーム技術の採用によって、レジストの感度をさらに低くすることか可能になる。具体的には、感度が５０μＣ／ｃｍ２以上でも、スループットを低下することなく描画することができる。レジストを低感度化することによって、ビームのボケによるＣＤ寸法のバラツキを小さくすることができ、その結果、ＣＤ精度を向上させることができる。
しかしながら、レジストの低感度化は、当然に描画工程の長時間化を招くことになり、その結果、電子ビーム描画のスループットが低下してしまう。
ここで、１つの基板上で描画されるパターンには、素子の寸法の微細化に対応すべく、ナノメーター（ｎｍ）オーダーでの高い描画の精度が求められるパターンがあるが、そうしたパターンに限らず、要求される描画の精度がさほど高くないパターンも含まれるのが通常である。例えば、バーコードパターンや数字記号等からなるＩＤチップパターンは、描画面積は広いもののパターンの要求精度はさほど高くなく、例えば、マイクロメーター（μｍ）のオーダーとなる。
こうしたことから、描画対象となる１つの基板に対し、要求精度の高いパターンについては、感度が低く制御されたレジストを使用してそのＣＤ精度を向上させ、その一方で、要求精度のさほど高くないパターンについては、高感度のレジストを使用して、描画のスループットを向上させる技術が求められている。このような技術は、１つの基板上において、要求精度の高いパターンが形成される領域に低感度のレジスト膜を配置し、要求精度のさほど高くないパターンが形成される領域には、高感度のレジスト膜を配置することにより実現できる。
電子ビームリソグラフィ技術を用いて、要求精度の高いパターンの描画を行う際には、使用するレジスト膜に対して高い表面平滑性が求められる。具体的には、レジスト膜の最も厚い部分と最も薄い部分の差を１μｍ〜２μｍにすることが求められており、好ましくは、その差を０．５μｍ以下にすることとされている。そして、さらには、その差を０．１μｍ以下にすることが今後の課題とされている。
上記のような表面平滑性をレジスト膜で実現するには、高い表面平滑性の塗膜形成に好適なスピンコート法の採用が必須となる。
しかし、スピンコート法では、よく知られたように、描画対象の１つの基板の１つの面の全面に、１種類のレジストのみを形成するのが通常である。このため、スピンコート法によって、基板上で仮想的に分割された複数の領域毎に最適な感度のレジスト膜を配置するのは困難である。
一方、この仮想的に分割された複数の領域にそれぞれ感度の異なるレジスト膜を形成する方法として、例えば、インクジェット法を用いた方法が考えられる。
しかしながら、インクジェット法を用いたレジストの塗布方法では、レジストの供給によって形成されるドット間に大きな高低差が生じる。このため、要求精度の高いＣＤ精度を有するパターンの形成に好適となるような表面平滑性のレジスト膜を形成するのは困難である。すなわち、インクジェット塗布法によって形成されたレジスト膜では、最も厚い部分と最も薄い部分の差を上述したような範囲内とすることが難しく、要求精度の高いパターンの描画を行うことは困難である。
以上述べたように、描画対象の１つの基板に対し、描画されるパターンの要求精度に従って分割された複数の領域のそれぞれに、最適な感度を有し、且つ高い表面平滑性のレジスト膜を１種類ずつ配置する技術が求められている。かかる技術においては、高い表面平滑性のレジスト膜の形成に好適なスピンコート法を用いることが必要である。本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つまたはそれ以上の複数の領域に、それぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つまたはそれ以上の複数の領域に、それぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成し、高い効率で描画を行う描画方法を提供することにある。
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
本発明の第１の態様は、遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる工程と、
スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける工程と、
前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する工程と
を有することを特徴とするレジスト膜の形成方法に関する。
本発明の第２の態様は、遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、
前記基板の第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる剥離工程と、
スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける第２のレジスト膜形成工程と、
前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する保護膜除去工程と、
前記保護膜除去工程後の前記基板の上に保護膜を形成する第２の保護膜形成工程と、
前記第２の保護膜形成工程で形成された保護膜の一部と、その下に設けられた前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜の少なくとも一方の一部とを同時に剥離して、前記基板が露出した剥離領域を設ける第２の剥離工程と、
スピンコート法を用いて前記第２の剥離工程後の前記基板上に第３のレジスト膜を形成し、前記第３のレジスト膜が前記剥離領域の上に形成された第３の領域と、前記第３のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜の上に形成された第４の領域とを設ける第３のレジスト膜形成工程と、
前記第４の領域の前記保護膜を前記第３のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域と前記第３のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する第２の保護膜除去工程と
を有することを特徴とするレジスト膜の形成方法に関する。
本発明の第３の態様は、遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる工程と、
スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける工程と、
前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する工程と
前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜のそれぞれにパターンの露光を行う工程と
を有することを特徴とする描画方法に関する。
本発明の第１の態様によれば、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つまたはそれ以上の複数の領域に、それぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法が提供される。
本発明の第２の態様によれば、スピンコート法を用い、１つの基板上の３つ以上の領域に、それぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法が提供される。
本発明の第３の態様によれば、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つまたはそれ以上の複数の領域に、それぞれ最適となる１種のレジスト膜を形成し、高い効率で描画を行う描画方法が提供される。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって形成される基板の一例を模式的に示す平面図である。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法を示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第１のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の剥離工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって形成される基板の一例を模式的に示す平面図である。 本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程を模式的に説明する基板断面図である。 本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を用いて描画されるパターンの好ましい配置の例を説明する模式的な平面図である。 本発明の第３実施形態の描画方法を示すフローチャートである。 本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程およびその後のＰＥＢ工程を併せて模式的に説明する基板断面図である。
描画対象となる基板上にレジストを用いて高い表面平滑性のレジスト膜を形成する方法としては、スピンコート法を用いることが好ましい。しかしながら、スピンコート法の場合、１つの基板の１つの面の全面に、１種類のレジストのみを塗布するのが通常である。したがって、スピンコート法を用いた従来のレジスト膜の形成方法では、上述したように、１つの基板上で仮想的に分割された複数の領域毎に最適な１種のレジスト膜を選択して配置することは困難であり、その結果、基板上に異なる複数種のレジスト膜を形成するのは困難であった。
それに対し、本発明の実施形態は、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つまたはそれ以上の複数の領域毎に、好ましい１種のレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法に関する。そして、本発明の実施形態では、スピンコート法を用い、１つの基板上に異なる複数種のレジスト膜を形成することを可能にした。
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。
実施形態１．
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、スピンコート法を用い、１つの基板上の複数の領域に対し、それぞれ最適となるレジスト膜を形成して、１つの基板上に複数種のレジスト膜を形成する方法である。
図１は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって形成される基板の一例を模式的に示す平面図である。
図１に示すように、基板１上には、その中央を含む領域に矩形状の第１のレジスト膜２が配置されている。そして、基板１の周縁領域には、第１のレジスト膜２に近接してその周囲を囲むように、中央領域が開口する矩形状の第２のレジスト膜６が配置されている。第２のレジスト膜６は、開口する中央領域に矩形状の第１のレジスト膜２が配置されて、額縁状の形状を有する。
以下、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法をフローチャートに沿って説明する。
図２は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法を示すフローチャートである。
図２に示すように、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）と、その第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ１０２）と、その保護膜および第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離して、基板が露出した剥離領域を設ける剥離工程（Ｓ１０３）と、スピンコート法を用いて剥離工程（Ｓ１０３）後の基板上に第２のレジスト膜を形成し、その第２のレジスト膜が上述の剥離領域の上に形成された第１の領域と、その第２のレジスト膜が上述の保護膜を介して第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）と、その第２の領域の保護膜をその上の第２のレジスト膜と一緒に除去して下層にあった第１のレジスト膜を露出させ、基板上に第１のレジスト膜が設けられた領域と第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する保護膜除去工程（Ｓ１０５）とを有する。
次に、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）について、適宜図面を用いて説明する。
尚、以下の説明において、各工程を説明するために基板断面図を用いることがあるが、その場合の各図面は、上述した図１の基板１のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応する各工程の基板の断面を示すものとなる。また、各図面の間で共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明はできる限り省略することにする。
図３は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第１のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）では、図３に示すように、基板１上に、スピンコート法を用い、第１のレジスト膜２を設けるための第１のレジスト膜２ａを形成する。スピンコート法は、平滑な基板を高速回転させることにより遠心力で平滑な薄い塗膜を基板上に形成する塗布法である。第１のレジスト膜２ａは、スピンコートによる形成の後、必要な場合に、パターン形成のためのＰＥＢとは異なる、溶剤等の揮発成分を除去するためのプリベークが施され、基板１上に保持されることが好ましい。このプリベークは、例えば、７０℃〜２００℃の温度で７分間〜２０分間程度の加熱をして行われる。
基板１としては、例えば、表面に遮光膜３が設けられたガラス基板とすることができる。遮光膜３は、基板１を用いて製造されたマスクをステッパ等の露光装置で露光して、ＬＳＩパターンをウェハ等に転写する際、そのＬＳＩパターンの形成に不要な光を遮光する目的で設けられる。遮光膜３としては、酸化クロム（ＣｒＯｘ）とクロム（Ｃｒ）からなる膜を挙げることができる。
第１のレジスト膜２，２ａは、後述するポジ型の化学増幅型レジストを用いて形成されたポジ型の化学増幅型レジスト膜とすることができる。尚、第１のレジスト膜２，２ａは、後述する第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）で第２のレジスト膜の形成に用いられるポジ型の化学増幅型レジストとは異なる感度のレジスト、例えば、より低感度のレジストとすることができる。
化学増幅型レジストは、光および電子ビームの照射により酸を発生する酸発生剤と、酸により反応する化合物を含むレジストであり、酸触媒による反応を用いて化合物のアルカリ溶解特性を変化させることによりレジストパターンを形成するものである。
化学増幅型レジストにはポジ型とネガ型があり、ネガ型の化学増幅型レジストは、アルカリ可溶性樹脂、架橋剤および酸発生剤等を含む。化学増幅ネガ型レジストは、そのままではアルカリ可溶の状態である。そして、電子線など露光光を照射することにより酸発生剤から生ずる酸を触媒とし、露光後ベーク（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ：ＰＥＢと略される）によって架橋剤とアルカリ可溶性樹脂を架橋させ、アルカリ不溶の状態になる。よって、マスクを介した露光光照射（いわゆるパターニング露光）およびアルカリ現像により、ネガ型の所望のレジストパターンを形成することができる。
また、ポジ型の化学増幅型レジストは、一般に、アルカリ不溶性ポリマーおよび酸発生剤を含有する。アルカリ不溶性ポリマーは、例えば、ポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を保護基によってブロックした構造を有している。化学増幅型レジストに対し、電子ビーム等の露光光を照射すると、露光光の照射された露光部で酸発生剤が分解して酸を生じる。その後、加熱処理を行うと、フェノール性水酸基をブロックしている保護基が酸の触媒作用により加熱分解するために、保護基がはずれてフェノール性水酸基となる。これにより、化学増幅型レジストは露光光の照射された露光部でアルカリ可溶性となるので、アルカリ現像液を用いた現像処理で露光部を溶解除去することにより、所望のレジストパターンが形成される。
第１のレジスト膜２の形成に使用可能なポジ型の化学増幅型レジストとしては、例えば、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製のＦＥＰ１７１（商品名）、ＰＲＬ００９（商品名）、東京応化工業株式会社製のＯＥＢＲシリーズ（商品名）、信越化学工業株式会社製のＳＥＢＰシリーズ（商品名）等が挙げられる。
図４は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜形成工程（Ｓ１０２）では、図４に示すように、基板１上の第１のレジスト膜２ａの上に保護膜４を形成する。保護膜４の形成方法としては、スピンコート法を用いることができる。
保護膜４は、後述する第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）で形成される第２のレジスト膜と異なる溶解特性を備えた膜である。すなわち、保護膜４と後述する第２のレジスト膜は、ある溶剤が選択された場合、その溶剤に対して、互いに大きく異なった溶解度を示すことが望ましい。例えば、第２のレジスト膜が有機溶剤系の溶剤に溶解する一方水系の溶剤に溶解しないものである場合、保護膜４は、水系の溶剤に溶解するものであることが好ましい。
保護膜４としては、例えば、電子ビームリソグラフィ技術において、帯電防止膜として知られた、水系の溶解液に溶解可能な膜を使用することができる。ここで、電子ビームリソグラフィ技術において、帯電防止膜として使用される膜は、例えば、導電性ポリマー（約５％）と水（約９５％）と少量の界面活性剤等とからなる水溶性の膜である。尚、保護膜４としては、必ずしも導電性は必要とはされておらず、例えば、水系の溶剤に溶解可能な膜であれば多様な材料を選択して使用することができる。
図５は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の剥離工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の剥離工程（Ｓ１０３）では、保護膜４および第１のレジスト膜２ａの同じ領域を同時に剥離し、図４に示した保護膜４の一部およびその下の第１のレジスト膜２ａの一部の不要な部分が剥離される。そして、図５に示すように、基板１上に、保護膜４の一部の保護膜４ａとその下の第１のレジスト膜２ａの一部であるレジスト膜２が残される一方、基板１が露出した剥離領域５が形成される。より具体的には、剥離領域５では、基板１の遮光膜３の一部が露出する。
剥離工程（Ｓ１０３）において、保護膜４の一部およびその下の第１のレジスト膜２ａの一部の剥離は、レジスト剥離装置（図示されない）を用いて行うことができる。
上述のレジスト剥離装置としては、保護膜４および第１のレジスト膜２ａに対し、ノズルを用いて剥離液を吹き付け、保護膜４の一部およびその下の第１のレジスト膜２ａの一部であって不要な部分を剥離する装置を使用することができる。
そして、レジスト剥離装置では、保護膜４および第１のレジスト膜２ａの不要な部分をｍｍオーダーの精度で剥離することができる。このとき、保護膜４および第１のレジスト膜２ａを剥離するための剥離液としては、レジストシンナー等とも称される有機溶剤系の液体を使用することができる。
また、別のレジスト剥離装置としては、酸素ガス等を高周波でプラズマ化し、そのプラズマを利用してレジストを剥離するプラズマアッシング技術を用いた、アッシャー等とも称される剥離装置を使用することができる。このプラズマアッシング技術を用いた剥離装置を使用する場合、例えば、ガラス基板等を用いて、図５の保護膜４ａおよび第１のレジスト膜２のような必要部分をプラズマから保護して残すようにする一方、露出した不要な部分をｍｍオーダーの精度で剥離することができる。
図６は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）では、図６に示すように、剥離工程（Ｓ１０３）後の基板１上にスピンコート法を用いて第２のレジスト膜６を形成する。そして、基板１の遮光膜３上に、第２のレジスト膜６が形成された第１の領域７と、第２のレジスト膜６が保護膜４ａを介して第１のレジスト膜２の上に形成された第２の領域８とを設ける。第２のレジスト膜６は、スピンコートによる形成の後、必要な場合に、溶剤等の揮発成分を除去するためのプリベークが施され、基板１上に保持されることが好ましい。このプリベークは、例えば、７０℃〜２００℃の温度で７分間〜２０分間程度の加熱をして行われる。
第２のレジスト膜６は、ポジ型の化学増幅型レジストを用いて形成されたポジ型の化学増幅型レジスト膜とすることができる。尚、第２のレジスト膜６は、上述した第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）で第１のレジスト膜２ａの形成に用いられたポジ型の化学増幅型レジストとは異なる感度のレジスト、例えば、より高感度のレジストとすることができる。
第２のレジスト膜６の形成に使用可能なポジ型の化学増幅型レジストとしては、例えば、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製のＦＥＰ１７１（商品名）、ＰＲＬ００９（商品名）、東京応化工業株式会社製のＯＥＢＲシリーズ（商品名）、信越化学工業株式会社製のＳＥＢＰシリーズ（商品名）等の、上述した第１のレジスト膜２，２ａの形成に使用可能なポジ型の化学増幅型レジストを挙げることができる。そして、第２のレジスト膜６の形成に使用されるポジ型の化学増幅型レジストは、第１のレジスト膜２，２ａの形成に使用可能なポジ型の化学増幅型レジストとは異なる感度のレジスト、例えば、より高感度のレジストを選択して用いることができる。
そして、図６に示すように、基板１の遮光膜３上の第２の領域８においては、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）によって形成された第１のレジスト膜２ａの一部の第１のレジスト膜２上に、保護膜形成工程（Ｓ１０２）によって保護膜４が形成され、さらに保護膜４の一部の保護膜４ａの上に第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）による第２のレジスト膜６が形成されている。一方、第１の領域７では、基板１の遮光膜３上に第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）によって第２のレジスト膜６が形成されており、保護膜４は設けられていない。このとき、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）によって形成される第１のレジスト膜２ａの一部の第１のレジスト膜２の膜厚（Ａ）と、保護膜形成工程（Ｓ１０２）によって形成される保護膜４の膜厚（Ｂ）と、第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）によって形成される第２のレジスト膜６の膜厚（Ｃ）の関係は、（Ａ＋Ｂ）＞（Ｃ）を満たすことが望ましい。
上記のような関係を満たすことにより、図６に示す第２の領域８において、保護膜４ａの側面の一部を、領域７との境界で露出させることができる。その結果、この後に説明する保護膜除去工程（Ｓ１０５）において、溶剤を用いて保護膜４ａを第２のレジスト膜６と一緒に除去することが容易となる。
図７は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程（Ｓ１０５）では、図６に示した第２の領域８の保護膜４ａを第２のレジスト膜６と一緒に除去する。そして、図７に示すように、第１のレジスト膜２を露出させ、基板１上に第２のレジスト膜６が設けられた第１の領域７と第１のレジスト膜２が設けられた領域８とを分けて形成する。
保護膜除去工程（Ｓ１０５）において、保護膜４ａおよびその上の第２のレジスト膜６の除去は、それらが形成された基板１を用い、保護膜４を溶解させる溶剤で洗浄することによって行うことができる。その場合、その溶剤は、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜６を溶解させないことが求められる。したがって、例えば、保護膜４が水系の溶剤に溶解するものである一方、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜６が水系の溶剤に溶解しないものである場合、純水等の水系溶剤を用いることができる。
以上のように、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述した第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）の各工程によって、スピンコート法を用い、１つの基板上の複数の領域のそれぞれに対し、２種類のレジスト膜のうちの最適なレジスト膜を設けることができる。その結果、１つの基板上に、互いに異なる２種のレジスト膜形成領域を設けることができる。
したがって、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、例えば、電子ビーム描画の対象となる１つの基板において、要求精度の高いパターンが形成される領域に低感度のレジスト膜を配置し、要求精度のさほど高くないパターンが形成される領域には、高感度のレジスト膜を配置することができる。すなわち、描画対象の１つの基板に対し、描画されるパターンの要求精度に従って、レジスト膜の配置面を仮想的に複数の領域に分割し、その複数の領域毎に、例えば、最適な感度のレジスト膜を配置することができる。
その結果、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた、異なる２種のレジスト膜を有する基板は、電子ビームリソグラフィ技術に適用されて、描画のスループットを向上させることができる。
ここで、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、スピンコート法を用い、１つの基板上に２種のレジスト膜を形成することを可能とした。しかし、本発明の第１実施形態は、形成されるレジスト膜の種類が２つに限られるわけではない。本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、より多い種類のレジスト膜を１つの基板上に形成することができる。
すなわち、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、別の例として、上述した第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）を実施した後、得られた異なる２種のレジスト膜が形成された基板を用い、上述した保護膜形成工程（Ｓ１０２）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）の各工程と同様の工程を施すことにより、さらにもう１種の異なるレジスト膜が形成された基板を得ることができる。
例えば、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の別の例として、１つの基板上に互いに異なる第１〜第３の３種のレジスト膜を形成するレジスト膜の形成方法は以下の構成を有する。このとき、新たに設けられる第３のレジスト膜は、例えば、第１のレジスト膜および第２のレジスト膜のいずれとも感度が異なるポジ型の化学増幅型レジスト膜とすることができる。
すなわち、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の別の例は、基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）と、その第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ１０２）と、その保護膜および第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離して、基板が露出した剥離領域を設ける剥離工程（Ｓ１０３）と、スピンコート法を用いて剥離工程（Ｓ１０３）後の基板上に第２のレジスト膜を形成し、その第２のレジスト膜が上述の剥離領域上に形成された第１の領域と、その第２のレジスト膜が上述の保護膜を介して第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）と、その第２の領域の保護膜をその上の第２のレジスト膜と一緒に除去して下層にあった第１のレジスト膜を露出させ、基板上に第１のレジスト膜が設けられた領域と第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する保護膜除去工程（Ｓ１０５）とを有する。
基板としては、例えば、表面に遮光膜が設けられたガラス基板とすることができる。その場合、剥離工程（Ｓ１０３）においては、保護膜および第１のレジスト膜の剥離によって、基板の遮光膜の一部が露出する。そして、第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）において、第１の領域は、第２のレジスト膜が基板の遮光膜上に形成される領域となる。
そしてさらに、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の別の例では、保護膜除去工程（Ｓ１０５）後の基板の上に保護膜を形成する第２の保護膜形成工程（Ｓ１０６）と、その保護膜の一部と、その下に設けられた第１のレジスト膜および第２のレジスト膜の少なくとも一方の一部とを同時に剥離して、基板が露出した剥離領域を設ける第２の剥離工程（Ｓ１０７）と、スピンコート法を用いて第２の剥離工程（Ｓ１０７）後の基板上に第３のレジスト膜を形成し、その第３のレジスト膜が前記の剥離領域の上に形成された第３の領域と、その第３のレジスト膜が保護膜を介して第１のレジスト膜および第２のレジスト膜の上に形成された第４の領域とを設ける第３のレジスト膜形成工程（Ｓ１０８）と、第４の領域の保護膜を第３のレジスト膜と一緒に除去して第１のレジスト膜および第２のレジスト膜を露出させ、基板上に第１のレジスト膜が設けられた領域と第２のレジスト膜が設けられた領域と第３のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する第２の保護膜除去工程（Ｓ１０９）とを有する。
基板として、例えば、表面に遮光膜が設けられたガラス基板が用いられた場合、第２の剥離工程（Ｓ１０７）においては、上述した保護膜等の剥離によって、基板の遮光膜の一部が露出する。そして、第３のレジスト膜形成工程（Ｓ１０８）において、第３の領域は、第３のレジスト膜が基板の遮光膜上に形成される領域となる。
以上の第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜第２の保護膜除去工程（Ｓ１０９）の各工程を有する本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の別の例は、スピンコート法を用い、１つの基板上の複数の領域のそれぞれに対し、３種類のレジスト膜のうちの最適なレジスト膜を設けることができる。その結果、１つの基板上に、互いに異なる３種のレジスト膜形成領域を設けることができる。
実施形態２．
本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法と同様に、スピンコート法を用い、１つの基板上の複数の領域に対し、それぞれ最適なレジスト膜を形成して、１つの基板上に複数種のレジスト膜を形成する方法である。
そして、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法では、感度の異なる２種のポジ型の化学増幅型レジストを用い、１つの基板上に感度の異なる２種のポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成した。
このとき、本発明では、使用するレジストは、ポジ型の化学増幅型レジストに限られない。例えば、ネガ型の化学増幅型レジストの使用も可能である。
したがって、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法では、ポジ型の化学増幅型レジストとネガ型の化学増幅型レジストの２種類のレジストを用い、１つの基板上に感度の異なる２種の化学増幅型レジスト膜を形成する。すなわち、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜６と同様に形成される第２のレジスト膜が、ネガ型の化学増幅型レジストを用いて形成される。
そして、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法において、図３〜図５を用いて説明した、基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）と、その第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ１０２）と、その保護膜および第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離して、基板が露出した剥離領域を設ける工程（剥離工程（Ｓ１０３））とは、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法においても同様に含有される。本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法では、その後に、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程（Ｓ１０４）および保護膜除去工程（Ｓ１０５）に対応する第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）および保護膜除去工程（Ｓ２０５）を有する。
したがって、以下で図面を用いて、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法について説明するが、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法と同様の各工程の説明は、便宜上、可能な限り省略し、第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）およびその後の保護膜除去工程（Ｓ２０５）について、詳しく説明を行う。そして、説明に用いる図面中で本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法と共通する構成要素については同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図８は、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって形成される基板の一例を模式的に示す平面図である。
基板１としては、上述したように、例えば、表面に遮光膜３が設けられたガラス基板とすることができる。そして、図８に示すように、基板１上には、その中央を含む領域に矩形状の第１のレジスト膜２が配置されている。そして、基板１の周縁領域には、第１のレジスト膜２に近接してその周囲を囲むように、中央領域が開口する矩形状の第２のレジスト膜２６が配置されている。第２のレジスト膜２６は、開口する中央領域に矩形状の第１のレジスト膜２が配置されて、額縁状の形状を有する。
尚、以下の説明において、各工程を説明するために基板断面図を用いることがあるが、その場合の各図面は、上述した図８の基板１のＢ−Ｂ’線に沿った断面に対応する各工程の基板の断面を示すものとなる。また、各図面の間で共通する構成要素については、同じ符号を付し、重複する説明はできる限り省略することにする。
上述したように、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法の第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）、保護膜形成工程（Ｓ１０２）および剥離工程（Ｓ１０３）と同様の第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）、保護膜形成工程（Ｓ２０２）および剥離工程（Ｓ２０３）を有する。
したがって、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）では、第１のレジスト膜の形成に、例えば、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製のＦＥＰ１７１（商品名）、ＰＲＬ００９（商品名）、東京応化工業株式会社製のＯＥＢＲシリーズ（商品名）、信越化学工業株式会社製のＳＥＢＰシリーズ（商品名）等のポジ型の化学増幅型レジストが使用される。
そして、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述したように、第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）および保護膜除去工程（Ｓ２０５）を有する。
図９は、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）では、図９に示すように、剥離工程（Ｓ２０３）後の基板１上にスピンコート法を用いて第２のレジスト膜２６を形成し、第２のレジスト膜２６が形成された第１の領域２７と、第２のレジスト膜２６が保護膜４ａを介して第１のレジスト膜２の上に形成された第２の領域２８とを設ける。第２のレジスト膜２６は、スピンコートによる形成の後、必要な場合に、溶剤等の揮発成分を除去するためのプリベークが施され、基板１上に保持されることが好ましい。このプリベークは、例えば、７０℃〜２００℃の温度で７分間〜２０分間程度の加熱をして行われる。
第２のレジスト膜２６は、上述したように、ネガ型の化学増幅型レジストを用いて形成されたネガ型の化学増幅型レジスト膜とすることができる。尚、第２のレジスト膜２６は、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）で第１のレジスト膜２の形成に用いられたポジ型の化学増幅型レジストとは異なる感度を有することが好ましい。
第２のレジスト膜２６の形成に使用可能なネガ型の化学増幅型レジストとしては、例えば、住友化学工業株式会社製のＮＥＢ−２２（商品名）、ＮＥＢ−３１（商品名）、信越化学工業株式会社製のＳＥＢＮシリーズ（商品名）等が挙げられる。
そして、図９に示すように、基板１上の第２の領域２８においては、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）によって形成された第１のレジスト膜２ａの一部の第１のレジスト膜２上に、保護膜形成工程（Ｓ２０２）によって保護膜４が形成され、さらに保護膜４の一部の保護膜４ａの上に第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）による第２のレジスト膜２６が形成されている。一方、第１の領域２７では、基板１上に第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）によって第２のレジスト膜２６が形成されており、保護膜４は設けられていない。このとき、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）によって形成される第１のレジスト膜２ａの一部の第１のレジスト膜２の膜厚（Ａ）と、保護膜形成工程（Ｓ２０２）によって形成される保護膜４の膜厚（Ｂ）と、第２のレジスト膜形成工程（Ｓ２０４）によって形成される第２のレジスト膜２６の膜厚（Ｃ’）の関係は、（Ａ＋Ｂ）＞（Ｃ’）を満たすことが望ましい。
上記のような関係を満たすことにより、図９に示す第２の領域２８において、保護膜４ａの側面の一部が、領域２７との境界で露出することになる。その結果、この後に説明する保護膜除去工程（Ｓ２０５）において、溶剤を用いて保護膜４ａを第２のレジスト膜２６と一緒に除去することが容易となる。
図１０は、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程を模式的に説明する基板断面図である。
本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法の保護膜除去工程（Ｓ２０５）では、図９に示した第２の領域２８の保護膜４ａを第２のレジスト膜２６と一緒に除去する。そして、図１０に示すように、第１のレジスト膜２を露出させ、基板１上に第２のレジスト膜２６が設けられた第１の領域２７と第１のレジスト膜２が設けられた第２の領域２８とを分けて形成する。
保護膜除去工程（Ｓ２０５）において、保護膜４ａおよびその上の第２のレジスト膜２６の除去は、それらが形成された基板１を用い、保護膜４を溶解させる溶剤で洗浄することによって行うことができる。その場合、その溶剤は、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜２６を溶解させないことが求められる。したがって、例えば、保護膜４が水系の溶剤に溶解するものである一方、第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜２６が水系の溶剤に溶解しないものである場合、純水等の水系溶剤を用いることができる。
以上のように、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述した第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）〜保護膜除去工程（Ｓ２０５）の各工程によって、スピンコート法を用い、１つの基板上の２つの領域のそれぞれに対し、互いに異なる１種ずつのレジスト膜を形成することができる。
したがって、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、例えば、電子ビーム描画の対象となる１つの基板において、要求精度の高いパターンが形成される領域に低感度のレジスト膜を配置し、要求精度のさほど高くないパターンが形成される領域には、高感度のレジスト膜を配置することができる。すなわち、描画対象の１つの基板に対し、描画されるパターンの要求精度に従って、レジスト膜の配置面を仮想的に複数の領域に分割し、その複数の領域毎に、例えば、最適な感度のレジスト膜を配置することができる。
その結果、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた、異なる２種のレジスト膜を有する基板は、電子ビームリソグラフィ技術に適用されて、描画のスループットを向上させることができる。
ここで、上述した本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、スピンコート法を用い、１つの基板上にポジ型とネガ型の２種のレジスト膜を形成することを可能とした。しかし、本発明の第１実施形態は、形成されるレジスト膜の種類が２つに限られるわけではない。本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法は、ポジ型とネガ型という特性の違いの他に感度の違いも考慮し、より多い種類のレジスト膜を１つの基板上に形成することができる。
すなわち、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法は、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法と同様に、別の例として、上述した第１のレジスト膜形成工程（Ｓ２０１）〜保護膜除去工程（Ｓ２０５）を実施した後、得られた異なる２種のレジスト膜が形成された基板を用い、上述した保護膜形成工程（Ｓ２０２）〜保護膜除去工程（Ｓ２０５）の各工程と同様の工程を施すことにより、さらにもう１種の異なるレジスト膜が形成された基板を得ることができる。
尚、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板では、図８および図１０に示すように、ポジ型とネガ型の２種のレジスト膜が近接して形成されている。したがって、この基板が電子ビームリソグラフィ技術に適用された場合、２種のレジスト膜の境界近傍において、一方のレジスト膜に対して行われる露光が、他方のレジスト膜から形成される微細パターンに影響を与えることがある。すなわち、２種のレジスト膜の境界近傍において、望まない微細パターンの生成や微細パターンの望まない変形を生じさせる恐れがある。例えば、ポジ型とネガ型の２種のレジスト膜の境界で、いずれにもスペースパターンを形成しようとする場合、ポジ型のレジスト膜にスペースパターンを形成するための電子ビーム露光が、その境界近傍のネガ型のレジスト膜に影響し、その部分のネガ型のレジスト膜において所望形状のスペースパターンを形成できない場合がある。
したがって、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板は、低感度のレジスト膜に形成される要求精度の高いパターンと、高感度のレジスト膜に形成される要求精度のさほど高くないパターンが、間隔をあけて配置されたものである場合に、それらのパターンの形成に使用されることが好ましい。そして、基板上に描画される要求精度の高いパターンと要求精度のさほど高くないパターンとの間隔は、剥離工程（Ｓ２０３）での剥離の精度を考慮して、１ｍｍ以上であることが好ましい。
図１１は、本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を用いて描画されるパターンの好ましい配置の例を説明する模式的な平面図である。
図１１に示すように、例えば、基板１では、その中央を含む領域で要求精度の高いパターン１８が４つ描画され、基板１の周囲で、例えば、ＩＤチップ等の要求精度のさほど高くないパターン１９が３つ描画される。そのパターン１８とパターン１９とは、互いに離間するように間隔を設けて形成される。
そして、基板１上には、その中央を含むパターン１８の形成領域に、矩形状の第１のレジスト膜２が配置されている。そして、基板１の周縁領域のパターン１９の形成領域には、第１のレジスト膜２に近接してその周囲を囲むように、中央領域が開口する矩形状の第２のレジスト膜２６が配置されている。第２のレジスト膜２６は、開口する中央領域に矩形状の第１のレジスト膜２が配置されて、額縁状の形状を有する。
基板１上で、第１のレジスト膜２と第２のレジスト膜２６は、互いに近接するように配置されている。しかし、パターン１８とパターン１９とが離間されて形成されるものであるため、基板１が電子ビームリソグラフィ技術に適用されても、第１のレジスト膜２と第２のレジスト膜２６の境界近傍において、一方に対して行われる露光が、他方によって形成される微細パターンに影響を与えることはない。すなわち、第１のレジスト膜２と第２のレジスト膜２６の境界近傍において、望まないパターンの生成や、パターンの望まない変形が生じる恐れを低減することができる。
実施形態３．
本発明の第３実施形態の描画方法は、本発明のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を描画対象に用いる。すなわち、本発明の第３実施形態の描画方法は、スピンコート法を用い、１つの基板上の複数の領域に対し、それぞれ最適なレジスト膜を形成して、１つの基板上に複数種のレジスト膜を形成する方法によって得られた基板を描画の対象とする。そして、本発明の第３実施形態の描画方法は、描画対象の基板上のレジスト膜に所望のパターンの露光を行う露光工程を有する。
本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程は、電子ビームを露光光として用いる露光工程であることが好ましい。
そして、本発明の第３実施形態の描画方法は、例えば、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を描画対象に用いることができる。すなわち、例えば、図１に例示された基板を描画対象に用いることができる。
したがって、本発明の第３実施形態の描画方法は、図３〜図７を用いて説明した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法における、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）の各工程と同様の各工程（Ｓ３０１〜Ｓ３０５）を有することができる。
図１２は、本発明の第３実施形態の描画方法を示すフローチャートである。
本発明の第３実施形態の描画方法は、基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程（Ｓ３０１）と、その第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ３０２）と、その保護膜および第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離して、基板が露出した剥離領域を設ける剥離工程（Ｓ３０３）と、スピンコート法を用いて剥離工程（Ｓ３０３）後の基板上に第２のレジスト膜を形成し、その第２のレジスト膜が上述の剥離領域の上に形成された第１の領域と、その第２のレジスト膜が上述の保護膜を介して第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける第２のレジスト膜形成工程（Ｓ３０４）と、その第２の領域の保護膜をその上の第２のレジスト膜と一緒に除去して下層にあった第１のレジスト膜を露出させ、基板上に第１のレジスト膜が設けられた領域と第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する保護膜除去工程（Ｓ３０５）とを有する。
以上の本発明の第３実施形態の描画方法の各工程（Ｓ３０１〜Ｓ３０５）は、上述したように、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法における、対応する第１のレジスト膜形成工程（Ｓ１０１）〜保護膜除去工程（Ｓ１０５）の各工程とそれぞれ同様の工程である。
そして、本発明の第３実施形態の描画方法は、保護膜除去工程（Ｓ３０５）の後に、第１のレジスト膜および第２のレジスト膜のそれぞれに所望のパターンの露光を行う露光工程（Ｓ３０６）を有する。
さらに、本発明の第３実施形態の描画方法は、露光工程（Ｓ３０６）の後に、露光後の加熱処理であってレジスト内での反応を促進するためＰＥＢ処理を行うＰＥＢ工程（Ｓ３０７）を有することができる。そして、露光工程（Ｓ３０６）の後、または、露光工程（Ｓ３０６）後のＰＥＢ工程（Ｓ３０７）の後に、現像工程（Ｓ３０８）を有する。
以下で適宜図面を用い、本発明の第３実施形態の描画方法について、各工程を説明する。このとき、第１のレジスト膜形成工程（Ｓ３０１）〜保護膜除去工程（Ｓ３０５）の各工程は、本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法における、対応する各工程（Ｓ１０１〜Ｓ１０５）と同様であるため、便宜上、説明を省略する。そして、特に、露光工程（Ｓ３０６）、ＰＥＢ工程（Ｓ３０７）および現像工程（Ｓ３０８）について説明する。また、各工程を説明するために基板断面図を用いることがあるが、その場合の各図面は、上述した図１の基板１のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応する各工程の基板の断面を示すものとなる。その際、図面中で本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法と共通する構成要素については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
本発明の第３実施形態の描画方法は、上述したように、保護膜除去工程（Ｓ３０５）の後に、第１のレジスト膜および第２のレジスト膜のそれぞれに所望のパターンの露光を行う露光工程（Ｓ３０６）を有する。
図１３は、本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程およびその後のＰＥＢ工程を併せて模式的に説明する基板断面図である。
図１３には、描画対象となる基板１が示されている。基板１の表面には、遮光膜３が設けられている。そして、基板１上、すなわち、基板１の遮光膜３上に、第２のレジスト膜６の設けられた第１の領域７と第１のレジスト膜２の設けられた第２の領域８とが分けて形成されている。
本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程（Ｓ３０６）は、この基板１を描画対象とし、電子ビームを用いて露光を行い、第１の領域７の第２のレジスト膜６と第２の領域８の第１のレジスト膜２のそれぞれに所定のパターンを描画する。
このとき、第１のレジスト膜２は、上述したように、ポジ型の化学増幅型レジストを用いスピンコート法を用いて形成されたポジ型の化学増幅型レジスト膜である。また、第２のレジスト膜６も、上述したように、ポジ型の化学増幅型レジストを用いスピンコート法を用いて形成されたポジ型の化学増幅型レジスト膜であるが、第１のレジスト膜２の形成に用いられるポジ型の化学増幅型レジストとは異なる感度のレジスト、例えば、より高感度のレジストを用いて形成されたものである。したがって、第２のレジスト膜６は、第１のレジスト膜２と比べてより高い感度を有する。言い換えれば、第１のレジスト膜２は、第２のレジスト膜６と比べてより低い感度を有している。
したがって、本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程（Ｓ３０６）では、第２の領域８の第１のレジスト膜２に、要求精度の高いパターンを描画する。その結果、本発明の第３実施形態の描画方法は、素子の寸法の微細化に対応して要求精度の高いパターンに対し、例えば、ＣＤ精度を向上させることができる。
また、本発明の第３実施形態の描画方法の露光工程（Ｓ３０６）では、第１の領域７の第２のレジスト膜６に、例えば、ＩＤチップ等の描画面積は広いもののパターンの要求精度はさほど高くないパターンを描画する。その結果、本発明の第３実施形態の描画方法は、要求精度がさほど高くないパターンに対し、高効率な描画を行うことができる。
以上により、本発明の第３実施形態の描画方法は、描画されるパターンに対応した高精度且つ高スループットの電子ビーム描画が可能となる。
そして、本発明の第３実施形態の描画方法は、露光工程（Ｓ３０６）の後に、露光後の加熱処理であってレジスト内での反応を促進するためＰＥＢ処理を行うＰＥＢ工程（Ｓ３０７）を有することができる。
このＰＥＢ工程（Ｓ３０７）により、第１のレジスト膜２ａおよび第２のレジスト膜６内での反応が促進され、図１３に示すように、基板１上の第１のレジスト膜２および第２のレジスト膜６に、それぞれ露光パターンに対応する潜像３１，３２が形成される。
次いで、本発明の第３実施形態の描画方法は、現像工程（Ｓ３０８）として、ＰＥＢ工程（Ｓ３０７）を経た後の基板１を現像液に浸漬して現像処理をする。これにより、基板１の不要な部分が除去され、第１の領域７および第２の領域８のそれぞれに、レジストによる微細パターンが形成される。
以上の各工程を有する本発明の第３実施形態の描画方法は、スピンコート法を用いて形成された複数種のレジスト膜を複数の領域に分けて有する基板を描画の対象としている。すなわち、スピンコート法を用い、１つの基板上において、例えば、要求精度の高いパターンが形成される領域に低感度のレジスト膜を配置し、要求精度のさほど高くないパターンが形成される領域には、高感度のレジスト膜を配置して、描画を行うことができる。その結果、第３実施形態の描画方法は、電子ビーム描画のスループットを向上させることができる。
尚、本発明の第３実施形態の描画方法は、上述した本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を描画対象に用いたが、別の例として、上述した本発明の第２実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を描画対象に用いることも可能である。その場合、上述の本発明の第１実施形態のレジスト膜の形成方法によって得られた基板を用いたときと同様に、スピンコート法を用い、１つの基板上において、例えば、要求精度の高いパターンが形成される領域に低感度のレジスト膜を配置し、要求精度のさほど高くないパターンが形成される領域には、高感度のレジスト膜を配置して、描画を行うことができる。そして、電子ビーム描画のスループットを向上させることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、レジスト膜に電子ビームを照射して露光を行ったが、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを照射してもよい。また、ＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）などのレーザビームを照射してもよく、ＡｒＦによる液浸露光や、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を露光光源とする場合にも適用可能である。
また、上記実施形態では、レジスト膜に化学増幅型のレジスト膜を用いたが、非化学増幅型のレジスト膜を用いることも可能である。
１ 基板
２，２ａ 第１のレジスト膜
３ 遮光膜
４，４ａ 保護膜
５ 剥離領域
６，２６ 第２のレジスト膜
７，２７ 第１の領域
８，２８ 第２の領域
１８，１９ パターン
３１，３２ 潜像

Claims (6)

  1. 遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する工程と、
    前記第１のレジスト膜上に保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる工程と、
    スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける工程と、
    前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する工程と
    を有することを特徴とするレジスト膜の形成方法。
  2. 前記第１のレジスト膜と前記第２のレジスト膜とは、互いに異なる感度のレジスト膜であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト膜の形成方法。
  3. 前記第１のレジスト膜と前記第２のレジスト膜とは、一方がポジ型の化学増幅型レジスト膜であり、他方がネガ型の化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト膜の形成方法。
  4. 前記第１のレジスト膜の膜厚（Ａ）、前記保護膜の膜厚（Ｂ）および前記第２のレジスト膜の膜厚（Ｃ）は、（Ａ＋Ｂ）＞（Ｃ）の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト膜の形成方法。
  5. 遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する第１のレジスト膜形成工程と、
    前記基板の第１のレジスト膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる剥離工程と、
    スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける第２のレジスト膜形成工程と、
    前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する保護膜除去工程と、
    前記保護膜除去工程後の前記基板の上に保護膜を形成する第２の保護膜形成工程と、
    前記第２の保護膜形成工程で形成された保護膜の一部と、その下に設けられた前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜の少なくとも一方の一部とを同時に剥離して、前記基板が露出した剥離領域を設ける第２の剥離工程と、
    スピンコート法を用いて前記第２の剥離工程後の前記基板上に第３のレジスト膜を形成し、前記第３のレジスト膜が前記剥離領域の上に形成された第３の領域と、前記第３のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜の上に形成された第４の領域とを設ける第３のレジスト膜形成工程と、
    前記第４の領域の前記保護膜を前記第３のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域と前記第３のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する第２の保護膜除去工程と
    を有することを特徴とするレジスト膜の形成方法。
  6. 遮光膜が形成された基板上にスピンコート法を用いて第１のレジスト膜を形成する工程と、
    前記第１のレジスト膜上に保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜および前記第１のレジスト膜の同じ領域を同時に剥離し、前記遮光膜の一部を露出させる工程と、
    スピンコート法を用いて前記基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜が前記遮光膜上に形成された第１の領域と、前記第２のレジスト膜が前記保護膜を介して前記第１のレジスト膜の上に形成された第２の領域とを設ける工程と、
    前記第２の領域の前記保護膜を前記第２のレジスト膜と一緒に除去して前記第１のレジスト膜を露出させ、前記基板上に前記第１のレジスト膜が設けられた領域と前記第２のレジスト膜が設けられた領域とを分けて形成する工程と
    前記第１のレジスト膜および前記第２のレジスト膜のそれぞれにパターンの露光を行う工程と
    を有することを特徴とする描画方法。
JP2014213511A 2014-10-20 2014-10-20 レジスト膜の形成方法および描画方法 Pending JP2016082117A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014213511A JP2016082117A (ja) 2014-10-20 2014-10-20 レジスト膜の形成方法および描画方法
US14/886,434 US9633820B2 (en) 2014-10-20 2015-10-19 Method for forming resist film and charged particle beam writing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014213511A JP2016082117A (ja) 2014-10-20 2014-10-20 レジスト膜の形成方法および描画方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016082117A true JP2016082117A (ja) 2016-05-16

Family

ID=55749595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014213511A Pending JP2016082117A (ja) 2014-10-20 2014-10-20 レジスト膜の形成方法および描画方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9633820B2 (ja)
JP (1) JP2016082117A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2004888A (en) * 2009-06-29 2010-12-30 Asml Netherlands Bv Deposition method and apparatus.
US9547743B2 (en) * 2015-02-25 2017-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for a semiconductor device, pattern generating method and nontransitory computer readable medium storing a pattern generating program
JP6400161B1 (ja) * 2017-08-08 2018-10-03 キヤノン株式会社 成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4548893A (en) * 1981-04-20 1985-10-22 Gte Laboratories Incorporated High resolution lithographic resist and method
US4456678A (en) * 1981-04-20 1984-06-26 Gte Laboratories Incorporated High resolution lithographic resist of negative working cationic vinyl polymer
JPS62140485A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Hitachi Ltd 半導体構造体およびその製造方法
JPH03174716A (ja) * 1989-08-07 1991-07-29 Hitachi Ltd 電子ビーム描画装置および描画方式
US5290664A (en) * 1990-03-29 1994-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Method for preparing electrode for semiconductor device
JPH11312634A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Sony Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US6849856B1 (en) * 2001-04-17 2005-02-01 Si Diamond Technology, Inc. Electron beam duplication lithography method and apparatus
JP2011171497A (ja) 2010-02-18 2011-09-01 Nuflare Technology Inc マスクの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9633820B2 (en) 2017-04-25
US20160111253A1 (en) 2016-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010015280A (ko) 포토레지스트패턴의 형성방법
CN109427553A (zh) 保护晶圆免受斜面污染的半导体方法
JP2004247399A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2016082117A (ja) レジスト膜の形成方法および描画方法
JP2012256726A (ja) レジスト膜のリワーク方法および半導体装置の製造方法ならびに基板処理システム
JP2008153373A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100907898B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
JP2001291651A (ja) レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法
KR20010100767A (ko) 마스크의 형성방법
JP3310202B2 (ja) レジストパターンの形成方法
JP2009139695A (ja) 半導体装置の製造方法
US20120214103A1 (en) Method for fabricating semiconductor devices with fine patterns
JP2010073899A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009069592A (ja) レジスト基板及び該レジスト基板を用いた密着露光方法
JP5423073B2 (ja) ステンシルマスク及び電子線露光方法
US11275305B2 (en) Method for producing photomask, method for producing semiconductor device, method for forming pattern, and photomask
JP2010153641A (ja) 基板処理方法
JP2012178394A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに露光装置
WO2023108998A1 (zh) 光刻胶层的处理方法及光刻胶层
JP2003167351A (ja) レジストパターンの形成方法
JP5034410B2 (ja) 現像ローディング測定方法および現像ローディング測定基板
JP2011171497A (ja) マスクの製造方法
JP2010118501A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2011192906A (ja) レジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法
JP2544478B2 (ja) ウエットエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20160712

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160729