JP2000260739A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number
JP2000260739A
JP2000260739A JP11064574A JP6457499A JP2000260739A JP 2000260739 A JP2000260739 A JP 2000260739A JP 11064574 A JP11064574 A JP 11064574A JP 6457499 A JP6457499 A JP 6457499A JP 2000260739 A JP2000260739 A JP 2000260739A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate processing
wing
processing apparatus
blade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11064574A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Morita
富実雄 森田
Hitoshi Oka
齊 岡
Masataka Fujishiro
雅隆 藤城
Noriyuki Dairoku
範行 大録
Yuichiro Tanaka
雄一郎 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Kokusai Electric Corp filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11064574A priority Critical patent/JP2000260739A/ja
Priority to KR1020000009988A priority patent/KR20000062665A/ko
Priority to TW089103981A priority patent/TW466623B/zh
Priority to US09/524,744 priority patent/US6401734B1/en
Publication of JP2000260739A publication Critical patent/JP2000260739A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理液を効率的に回収でき、且つ基板処
理後に該処理液が基板に付着して、例えば、洗浄斑やウ
ォータマークが発生するという処理欠陥が発生すること
がない基板処理装置を得る。 【解決手段】 固定上板部1と固定下板部2との間隙S
内に基板処理液を導入し、間隙S内に支持された基板6
を回転させて、基板6の処理を行うようにした基板処理
装置において、基板6を支持して回転する支持部の外壁
面である外輪外周側面36aと、この側面36aを覆う
ように設けられたハウジング5の内面5aとの間で基板
処理液の排出路8を形成し、外輪外周側壁面36aに、
排出路8による基板処理液の排出作用を高めるための回
転羽根15を設け、ハウジング内面5aに、回転羽根1
5と協働して、基板処理液の排出作用を高めるための静
翼16を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄液等の基
板処理液の回収機構を有する基板処理装置(例えば、ウ
ェハの洗浄を行う枚葉式基板洗浄装置)に関し、特に、
その基板処理液の回収機構の改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェハ等の基板を洗浄
し、その洗浄液を回収する機構を有する基板処理装置と
しては、例えば、特開平8−130202号公報に記載
された装置が知られる。
【0003】この基板処理装置は、ウェハ洗浄機構(ベ
ルヌーイ洗浄機構)として、ウェハの上面に対向する上
洗浄板と、ウェハの下面に対向する下洗浄板と、ウェハ
の外径に一致した内径の円筒状のウェハ保持具とを備え
ている。ウェハは、ウェハの外周がウェハ保持具の内周
面に接触した状態で水平状態に保持される。上洗浄板及
び下洗浄板は、それぞれウェハの上面及び下面に平行に
配され、洗浄液をウェハ上面及び下面に噴出する。この
際、ウェハ保持具が回転して、これに保持されているウ
ェハも回転する。
【0004】上洗浄板の中心から噴出した洗浄液は、上
洗浄板とウェハ上面との間を通って、上洗浄板の外周縁
とウェハ上面の外周縁との間から流出する。また、下洗
浄板の中心から噴出した洗浄液は、下洗浄板とウェハ下
面との間を通って、下洗浄板の外周縁とウェハ下面の外
周縁との間から流出する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような、基板処理
装置においては、上述のように、ウェハ上下面の外周縁
より流出した洗浄液が回りに飛散するのを防止する機構
が必要である。このため、例えば、上下洗浄板、及びウ
ェハ保持具全体を覆うようにカバーを設けることが考え
られる。しかしながら、現実問題として、かかるカバー
には、単に洗浄液の飛散を防止できるという機能のみで
なく、洗浄液を効率的に回収でき、また、洗浄後に保持
具やカバー等に洗浄液が付着して残り(薬液ミスト或い
は滴となり残る)、それが洗浄を終えた基板に付着する
のを防止できる機能も要求される。洗浄を終えたウェハ
に洗浄液が再付着すると、洗浄斑、ウォータマーク発生
の原因となるという問題が生じる。
【0006】そこで、この発明は、かかる従来の課題を
解決するために成されたものであり、洗浄液等の基板処
理液を効率的に回収でき、且つ基板処理後に該処理液が
基板に付着して、例えば、洗浄斑やウォータマークが発
生するという処理欠陥が発生することがない基板処理装
置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、固定上板部(1)と固定下板部
(2)との間隙S内に基板処理液(例えば洗浄液)を導
入し、該間隙内に支持された基板(6)を回転させて、
前記基板の処理を行うようにした基板処理装置におい
て、前記基板処理液の排出路(8)に基板の回転に伴っ
て回転し、前記基板処理液の排出作用を高めるための回
転羽根(例えば15)を設けたものである。
【0008】このような構成によれば、排出路に設けら
れた回転翼により、基板処理液の排出方向への吸引が行
われ、基板処理液の排出作用が高められる。
【0009】また、この発明は、固定上板部と固定下板
部との間隙内に基板処理液を導入し、該間隙内に支持さ
れた基板を回転させて、前記基板の処理を行うようにし
た基板処理装置において、前記基板を支持して回転する
支持部の外壁面(例えば外輪外周側面36a)と、該支
持部の外壁面を覆うように設けられたハウジング(5)
の内面(5a)との間で前記基板処理液の排出路(8)
を形成し、前記支持部の外壁面側に、前記排出路による
前記基板処理液の排出作用を高めるための第1翼(回転
羽根15)を設け、前記ハウジング内面(5a)側に、
前記第1翼と協働して、前記基板処理液の排出作用を高
めるための第2翼(例えば静翼16)を設けたものであ
る。
【0010】更に、この発明は、請求項2に記載の基板
処理装置において、前記第2翼(静翼16)は、前記第
1翼(回転羽根15)よりも基板処理液の排出方向下流
側に設けられるようにしたものである。
【0011】また、この発明は、請求項2又は請求項3
に記載の基板処理装置において、前記第1翼(回転羽根
15)又は前記第2翼(静翼16)は、基板処理液を排
出方向に導くよう傾斜しているよう構成されたものであ
る。
【0012】更に、この発明は、請求項4に記載の基板
処理装置において、前記第1翼(回転羽根15)と前記
第2翼(静翼16)とは互いに逆方向に傾斜しているよ
う構成されたものである。
【0013】また、この発明は、請求項5に記載の基板
処理装置において、前記第1翼(回転羽根15)と前記
第2翼(静翼16)とは互いに逆方向に、且つ基板処理
液の排出方向に対して45度に傾斜しているものであ
る。
【0014】更に、この発明は、請求項2乃至請求項6
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持部
(例えば、基板支持部32の基板チャックピン37)は
その上端で前記基板(6)を支持し、前記第1翼(回転
羽根15)の上端(15a)は、前記基板の上面より上
方に位置するものである。
【0015】更に、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持部
の外壁面側に設けられる前記第1翼は、前記支持部と一
体的に回転するよう構成されているものである。
【0016】また、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第2翼
は前記ハウジングの内面に固定されるものである。
【0017】また、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記ハウジ
ングの内面側に設けられる前記第2翼は、前記第1翼の
回転方向と逆方向に回転するものである。
【0018】また、この発明は、請求項2乃至請求項1
0のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持
部の外壁面側に設けられる前記第1翼は、前記支持部の
回転より高速で回転するものである。
【0019】更に、この発明は、請求項2乃至請求項1
1のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1
翼が設けられる前記支持部の外壁面側に第3翼(ネジス
クリュー17)を設けたものである。
【0020】また、この発明は、請求項2乃至請求項1
2のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第3
翼(ネジスクリュー17)は、前記第1翼(回転羽根1
5)、及び前記第2翼(静翼16)よりも前記基板処理
液の排出方向下流側に設けられるものである。
【0021】更に、この発明は、請求項11又は請求項
13に記載の基板処理装置において、前記第1翼と前記
第2翼と前記第3翼との組み合わせを、前記基板処理液
の排出方向に複数段設けたものである。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態にお
ける基板処理装置について、基板洗浄機構を有する枚葉
装置を例にとって説明する。 実施の形態1.図1は基板処理装置の基板洗浄機構の要
部を示す一部断面側面図、図2は外輪とハウジングとの
関係を示す斜視図である。図1において、基板洗浄機構
は、水平に支持される固定上板部1と、固定上板部1の
下側において、該固定上板部1に対向して水平に支持さ
れる固定下板部2と、固定上板部1と固定下板部2との
間において基板6を水平に支持して回転する回転側部3
と、回転側部3の中心において、回転側部3を回転可能
に支持すると共に、その上端部に固定下板部2を固定支
持する支持シャフト4と、固定上板部1の周縁部より下
方に垂下するように設けられるハウジング5とを備えて
構成されている。
【0023】固定上板部1は円板状の上ベルヌーイ板1
1と、その中央に上方より設けられる洗浄液導入管12
とを備え、図示しない昇降機構により上下動されて基板
出し入れのための開閉動作を行う。上ベルヌーイ板11
は、その下面が基板6の径と略同じ径を有する円形平面
をなし、垂直下方に向くよう水平に支持される。洗浄液
導入管12は基板洗浄のための洗浄液を図示しないバル
ブを介して供給する。
【0024】固定下板部2は、円板状の下ベルヌーイ板
21と、その中央に下方より設けられる洗浄液導入管2
2とを備える。下ベルヌーイ板21は、その上面が基板
の径と略同じ径を有する円形平面をなし、上ベルヌーイ
板11の下面と間隙を有して対向するよう水平に、支持
シャフト4上端に固定支持される。
【0025】回転側部3は支持シャフト4に対して回転
可能に支持される円筒状支持部31と、この支持部上端
に形成され、その上端周縁部で基板を支持するための基
板支持部32とを備えて構成されている。円筒状支持部
31は内筒33と外筒34を有する2重円筒状をなし、
それら上端部が径外方にフランジ状に延出され、それら
の最外周部に基板支持部32が立設されている。
【0026】基板支持部32は、円筒状支持部31の内
筒33上端部よりフランジ状に延出された延出部周縁に
設けられた内輪35と、円筒状支持部31の外筒34上
端部よりフランジ状に延出された延出部周縁に立設され
た外輪36との間に基板チャックピン37を複数、円周
上に支持してなる。基板チャックピン37はその上端に
おいて、基板6円周部の複数箇所を把持する。なお、内
輪35と外輪36とは図示しない回転駆動系により、相
対回転させられ、外輪36を固定状態にし(図示しない
駆動系)、基板チャックピン37を所定角度回転せしめ
て、基板6の周辺部の把持、開放を行う。また、内輪3
5(及び基板チャックピン37)は図示しない昇降機構
により、基板の装置への着脱時に昇降される。
【0027】ハウジング5は固定上板部1の外周部より
軒状に垂下され、回転側部3の外輪36の外周側面36
aを覆うように形成される。このハウジング5の内面5
aと外輪外周側面36aとは、その間に形成される空間
部で基板洗浄液の排出路8を形成している。この排出路
8は図1よりも明らかなように、回転側部3の外輪上端
側が、排出路の上流側となり、外輪下端側が排出路の下
流側となる。
【0028】以上の構成において、回転側部3における
外輪36の外周側面36a上には、図1、図2に示され
るように、その上部に動翼としての回転羽根15(第1
翼)が複数固設され、また、その下部にネジスクリュー
17(第3翼)が固設されている。一方、ハウジング5
の内面5a側である、回転側部3の外輪外周側面36a
と対向する面上には、回転羽根15とネジスクリュー1
7との間に臨むように複数の静翼16(第2翼)が固設
されている。
【0029】すなわち、静翼16は、回転羽根15より
も基板洗浄液の排出方向下流側に位置するよう設けら
れ、また、ネジスクリュー17は、回転羽根15及び静
翼16よりも基板洗浄液排出方向下流側に位置するよう
に設けられる。また、図3に示されるように、回転羽根
15と静翼16とは、互いに基板洗浄液を排出方向に導
くよう傾斜しており、これらは互いに逆方向に、且つ基
板洗浄液の排出方向に対して45度に傾斜している。更
に、回転羽根15の上端15aは外輪36の上端面と略
面一となり、基板支持部32に支持されている基板6平
面より高い位置に設けられる。
【0030】以下、実施の形態の動作について説明す
る。まず、基板の搬入にあっては、上ベルヌーイ板11
は昇降機構により、上動位置にあり、図示しないロボッ
トアームが所定位置に基板6を搬送して停止する。この
とき基板チャックピン37が上昇して基板6をピンで把
持すると、ロボットアームは後退し、基板チャックピン
37は基板6を把持して下降する。次に上ベルヌーイ板
11が定位置まで下降し、下ベルヌーイ板21との間に
間隙Sを形成し、図1の状態となる。
【0031】次に、基板支持部32が回転して、基板6
が回転を始めると同時に、圧送された洗浄液が導入管1
2,22より基板6の上下面に噴射されて洗浄が始ま
る。基板中心部に噴射された洗浄液はノズル作用と回転
する遠心力で基板外周より排出路方向に飛び出す。この
とき、飛散された洗浄液は、基板支持部32の外側に設
けられているハウジング5により一カ所に無駄なく回収
できる。更に、基板の回転に伴って、回転羽根15、ネ
ジスクリュー17が回転をしており、飛散した洗浄液を
排出路8の下方に方向転換させて、排出路下流側に誘導
する。また、ハウジング5に設けられている静翼16が
回転羽根15及びネジスクリュー17と協働して排出作
用を高める。すなわち、排出路8は真空ポンプに繋がっ
ており、そのポンプによる吸引力と、回転羽根15、静
翼16、ネジスクリュー17がターボポンプ原理の作用
による減圧効果の相乗作用により洗浄液の排出作用を高
める。
【0032】従来の基板洗浄機構によれば、基板のエッ
ジ部はチャック(基板支持部)により支持されているた
め、基板を上下ベルヌーイ板で完全に覆うことができ
ず、このため、基板周囲において、洗浄液が渦を巻き、
その排出が滑らかに行われ難いが、この発明の実施の形
態によれば、回転羽根等の作用により、基板周辺に強制
的な下降気流(排出方向への流れ)が得られるので、基
板周辺部の洗浄液を強制的に排出でき、洗浄液滴やミス
トが残留して、洗浄後の基板に付着するのを防止するこ
とができ、基板汚染が防止される。また、上下ベルヌー
イ板11,21の間の間隙Sに対して酸素を遮断できる
構造とでき、自然酸化膜抑制効果も得ることができる。
【0033】また、基板を大気に触れることなく、搬
送、洗浄、処理(例えばCVD処理)等の一連の処理を
施す場合、各装置を非大気雰囲気(減圧雰囲気)にて接
続する構成が必要となると共に、洗浄液が搬送装置など
に付着して搬送アームの腐食原因をもたらすのを防止す
るため、洗浄液の完全に除去し得る洗浄装置が必要とな
るが、実施の形態に示した装置によれば、かかる構成を
容易に提供し得ることとなる。
【0034】以上、本発明の一つの実施の形態について
説明したが、本発明はかかる実施の形態の構成に限定さ
れることはなく、種々の応用、変更適用が可能である。
例えば、ハウジング5の内面に設けられる第2翼である
静翼16を第1翼である回転羽根15の回転方向と逆方
向に回転するようにすれば、上述したターボポンプの原
理による減圧効果をより高めることができて、洗浄液の
排出作用をより高めることができる。静翼の回転は、例
えばそれが取り付けられたハウジングを回転させるよう
にしても良いし、或いはハウジング内に回転機構を設け
るようにしても良い。
【0035】また、上記実施の形態では、回転羽根15
は基板支持部32と一体的に回転するようにしたが、基
板支持部32より高速で回転するようにしても良い。基
板の回転速度は処理内容により制限されることもある
が、回転羽根は高速で回転するほど、吸引(排出)作用
を高めることができ、本発明の効果をより高めることが
できる。
【0036】更に、上記実施の形態では、回転羽根15
(第1翼)と静翼(第2翼)とネジスクリュー(第3
翼)とを組み立てた場合について説明したが、回転羽根
15(第1翼)と静翼(第2翼)のみの組合せでも、十
分な排出効果を得ることができる。また、実施の形態で
は、回転羽根15(第1翼)と静翼16(第2翼)とネ
ジスクリュー17(第3翼)との組み合わせ一つ(一
段)としたが、これらを多段に組み合わせて用いるよう
にしても、排出作用を高められることは明白である。
【0037】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明によれば、基板処理液の排出路に基板処理液の排出作
用を高めるための回転羽根を設けるようにしたので、洗
浄液等の基板処理液を効率的に回収でき、且つ基板処理
後に該処理液が基板に付着して、例えば、洗浄斑やウォ
ータマークが発生するという処理欠陥が発生することが
ない基板処理装置を得ることができるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態を示す断面側面図であ
る。
【図2】回転羽根、静翼、及びネジスクリューの位置関
係を示す斜視図である。
【図3】回転羽根と静翼の協働作用を説明する図であ
る。
【符号の説明】
1 固定上板部 2 固定下板部 3 回転側部 4 支持シャフト 5 ハウジング 6 基板(ウェハ) 8 排出路 11 上ベルヌーイ板 15 回転羽根(動翼) 16 静翼 17 ネジスクリュー 21 下ベルヌーイ板 35 内輪 36 外輪 37 基板チャックピン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年12月13日(1999.12.
13)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 基板処理装置および基板処理方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄液等の基
板処理液の回収機構を有する基板処理装置(例えば、ウ
ェハの洗浄を行う枚葉式基板洗浄装置)及び基板処理方
法に関し、特に、その基板処理液の回収効率の改善に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェハ等の基板を洗浄
し、その洗浄液を回収する機構を有する基板処理装置と
しては、例えば、特開平8−130202号公報に記載
された装置が知られる。
【0003】この基板処理装置は、ウェハ洗浄機構(ベ
ルヌーイ洗浄機構)として、ウェハの上面に対向する上
洗浄板と、ウェハの下面に対向する下洗浄板と、ウェハ
の外径に一致した内径の円筒状のウェハ保持具とを備え
ている。ウェハは、ウェハの外周がウェハ保持具の内周
面に接触した状態で水平状態に保持される。上洗浄板及
び下洗浄板は、それぞれウェハの上面及び下面に平行に
配され、洗浄液をウェハ上面及び下面に噴出する。この
際、ウェハ保持具が回転して、これに保持されているウ
ェハも回転する。
【0004】上洗浄板の中心から噴出した洗浄液は、上
洗浄板とウェハ上面との間を通って、上洗浄板の外周縁
とウェハ上面の外周縁との間から流出する。また、下洗
浄板の中心から噴出した洗浄液は、下洗浄板とウェハ下
面との間を通って、下洗浄板の外周縁とウェハ下面の外
周縁との間から流出する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような、基板処理
装置においては、上述のように、ウェハ上下面の外周縁
より流出した洗浄液が回りに飛散するのを防止する機構
が必要である。このため、例えば、上下洗浄板、及びウ
ェハ保持具全体を覆うようにカバーを設けることが考え
られる。しかしながら、現実問題として、かかるカバー
には、単に洗浄液の飛散を防止できるという機能のみで
なく、洗浄液を効率的に回収でき、また、洗浄後に保持
具やカバー等に洗浄液が付着して残り(薬液ミスト或い
は滴となり残る)、それが洗浄を終えた基板に付着する
のを防止できる機能も要求される。洗浄を終えたウェハ
に洗浄液が再付着すると、洗浄斑、ウォータマーク発生
の原因となるという問題が生じる。
【0006】そこで、この発明は、かかる従来の課題を
解決するために成されたものであり、洗浄液等の基板処
理液を効率的に回収でき、且つ基板処理後に該処理液が
基板に付着して、例えば、洗浄斑やウォータマークが発
生するという処理欠陥が発生することがない基板処理装
置及び基板処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明に係る基板処理装置は、固定上板部
(1)と固定下板部(2)との間隙S内に基板処理液
(例えば洗浄液)を導入し、該間隙内に支持された基板
(6)を回転させて、前記基板の処理を行うようにした
基板処理装置において、前記基板処理液の排出路(8)
に基板の回転に伴って回転し、前記基板処理液の排出作
用を高めるための回転羽根(例えば15)を設けたもの
である。
【0008】このような構成によれば、排出路に設けら
れた回転翼により、基板処理液の排出方向への吸引が行
われ、基板処理液の排出作用が高められる。
【0009】また、この発明に係る基板処理装置は、固
定上板部と固定下板部との間隙内に基板処理液を導入
し、該間隙内に支持された基板を回転させて、前記基板
の処理を行うようにした基板処理装置において、前記基
板を支持して回転する支持部の外壁面(例えば外輪外周
側面36a)と、該支持部の外壁面を覆うように設けら
れたハウジング(5)の内面(5a)との間で前記基板
処理液の排出路(8)を形成し、前記支持部の外壁面側
に、前記排出路による前記基板処理液の排出作用を高め
るための第1翼(回転羽根15)を設け、前記ハウジン
グ内面(5a)側に、前記第1翼と協働して、前記基板
処理液の排出作用を高めるための第2翼(例えば静翼1
6)を設けたものである。
【0010】更に、この発明は、請求項2に記載の基板
処理装置において、前記第2翼(静翼16)は、前記第
1翼(回転羽根15)よりも基板処理液の排出方向下流
側に設けられるようにしたものである。
【0011】また、この発明は、請求項2又は請求項3
に記載の基板処理装置において、前記第1翼(回転羽根
15)又は前記第2翼(静翼16)は、基板処理液を排
出方向に導くよう傾斜しているよう構成されたものであ
る。
【0012】更に、この発明は、請求項4に記載の基板
処理装置において、前記第1翼(回転羽根15)と前記
第2翼(静翼16)とは互いに逆方向に傾斜しているよ
う構成されたものである。
【0013】また、この発明は、請求項5に記載の基板
処理装置において、前記第1翼(回転羽根15)と前記
第2翼(静翼16)とは互いに逆方向に、且つ基板処理
液の排出方向に対して45度に傾斜しているものであ
る。
【0014】更に、この発明は、請求項2乃至請求項6
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持部
(例えば、基板支持部32の基板チャックピン37)は
その上端で前記基板(6)を支持し、前記第1翼(回転
羽根15)の上端(15a)は、前記基板の上面より上
方に位置するものである。
【0015】更に、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持部
の外壁面側に設けられる前記第1翼は、前記支持部と一
体的に回転するよう構成されているものである。
【0016】また、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第2翼
は前記ハウジングの内面に固定されるものである。
【0017】また、この発明は、請求項2乃至請求項7
のいずれかに記載の基板処理装置において、前記ハウジ
ングの内面側に設けられる前記第2翼は、前記第1翼の
回転方向と逆方向に回転するものである。
【0018】また、この発明は、請求項2乃至請求項1
0のいずれかに記載の基板処理装置において、前記支持
部の外壁面側に設けられる前記第1翼は、前記支持部の
回転より高速で回転するものである。
【0019】更に、この発明は、請求項2乃至請求項1
1のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第1
翼が設けられる前記支持部の外壁面側に第3翼(ネジス
クリュー17)を設けたものである。
【0020】また、この発明は、請求項2乃至請求項1
2のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第3
翼(ネジスクリュー17)は、前記第1翼(回転羽根1
5)、及び前記第2翼(静翼16)よりも前記基板処理
液の排出方向下流側に設けられるものである。
【0021】更に、この発明は、請求項11又は請求項
13に記載の基板処理装置において、前記第1翼と前記
第2翼と前記第3翼との組み合わせを、前記基板処理液
の排出方向に複数段設けたものである。
【0022】また、この発明における基板処理方法は、
固定上板部と固定下板部との間隙内に基板を挿入する工
程と、該間隙内に基板処理液を導入する工程と、該間隙
内に支持された基板を回転させる工程と、前記基板処理
液の排出路に設けた回転羽根を、基板の回転に伴って回
転させる工程と、前記回転羽根の排出作用により前記基
板処理液の排出を行う工程とを備えるものである。
【0023】さらに、この発明における基板処理方法
は、固定上板部と固定下板部との間隙内に基板を挿入す
る工程と、該間隙内に基板処理液を導入する工程と、前
記基板を支持する支持部にて基板を回転させる工程と、
前記支持部の外壁面と、該支持部の外壁面を覆うように
設けられたハウジングの内面との間に形成された排出路
により前記基板処理液の排出を行う工程と、前記基板処
理液の排出においては、前記支持部の外壁面側に設けた
前記排出路による前記基板処理液の排出作用を高めるた
めの第1翼と、前記ハウジング内面側に設けた前記基板
処理液の排出作用を高めるための第2翼との協働にて、
該基板処理液の排出を行う工程とを備えるものである。
【0024】また、この発明における基板処理方法は、
請求項16に記載の基板処理方法において、前記第2翼
は、前記第1翼よりも基板処理液の排出方向下流側に設
けられるものである。
【0025】さらに、この発明における基板処理方法
は、請求項16又は請求項17に記載の基板処理方法に
おいて、前記第1翼又は前記第2翼は、基板処理液を排
出方向に導くよう傾斜しているものである。
【0026】また、この発明における基板処理方法は、
請求項18に記載の基板処理方法において、前記第1翼
と前記第2翼とは互いに逆方向に傾斜しているものであ
る。
【0027】以上のような基板処理方法によれば、排出
路に設けられた回転翼により、基板処理液の排出方向へ
の吸引が行われ、基板処理液の排出作用が高められ、洗
浄液等の基板処理液を効率的に回収できる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態にお
ける基板処理装置及び基板処理方法について、基板洗浄
機構を有する枚葉装置を例にとって説明する。 実施の形態1.図1は基板処理装置の基板洗浄機構の要
部を示す一部断面側面図、図2は外輪とハウジングとの
関係を示す斜視図である。図1において、基板洗浄機構
は、水平に支持される固定上板部1と、固定上板部1の
下側において、該固定上板部1に対向して水平に支持さ
れる固定下板部2と、固定上板部1と固定下板部2との
間において基板6を水平に支持して回転する回転側部3
と、回転側部3の中心において、回転側部3を回転可能
に支持すると共に、その上端部に固定下板部2を固定支
持する支持シャフト4と、固定上板部1の周縁部より下
方に垂下するように設けられるハウジング5とを備えて
構成されている。
【0029】固定上板部1は円板状の上ベルヌーイ板1
1と、その中央に上方より設けられる洗浄液導入管12
とを備え、図示しない昇降機構により上下動されて基板
出し入れのための開閉動作を行う。上ベルヌーイ板11
は、その下面が基板6の径と略同じ径を有する円形平面
をなし、垂直下方に向くよう水平に支持される。洗浄液
導入管12は基板洗浄のための洗浄液を図示しないバル
ブを介して供給する。
【0030】固定下板部2は、円板状の下ベルヌーイ板
21と、その中央に下方より設けられる洗浄液導入管2
2とを備える。下ベルヌーイ板21は、その上面が基板
の径と略同じ径を有する円形平面をなし、上ベルヌーイ
板11の下面と間隙を有して対向するよう水平に、支持
シャフト4上端に固定支持される。
【0031】回転側部3は支持シャフト4に対して回転
可能に支持される円筒状支持部31と、この支持部上端
に形成され、その上端周縁部で基板を支持するための基
板支持部32とを備えて構成されている。円筒状支持部
31は内筒33と外筒34を有する2重円筒状をなし、
それら上端部が径外方にフランジ状に延出され、それら
の最外周部に基板支持部32が立設されている。
【0032】基板支持部32は、円筒状支持部31の内
筒33上端部よりフランジ状に延出された延出部周縁に
設けられた内輪35と、円筒状支持部31の外筒34上
端部よりフランジ状に延出された延出部周縁に立設され
た外輪36との間に基板チャックピン37を複数、円周
上に支持してなる。基板チャックピン37はその上端に
おいて、基板6円周部の複数箇所を把持する。なお、内
輪35と外輪36とは図示しない回転駆動系により、相
対回転させられ、外輪36を固定状態にし(図示しない
駆動系)、基板チャックピン37を所定角度回転せしめ
て、基板6の周辺部の把持、開放を行う。また、内輪3
5(及び基板チャックピン37)は図示しない昇降機構
により、基板の装置への着脱時に昇降される。
【0033】ハウジング5は固定上板部1の外周部より
軒状に垂下され、回転側部3の外輪36の外周側面36
aを覆うように形成される。このハウジング5の内面5
aと外輪外周側面36aとは、その間に形成される空間
部で基板洗浄液の排出路8を形成している。この排出路
8は図1よりも明らかなように、回転側部3の外輪上端
側が、排出路の上流側となり、外輪下端側が排出路の下
流側となる。
【0034】以上の構成において、回転側部3における
外輪36の外周側面36a上には、図1、図2に示され
るように、その上部に動翼としての回転羽根15(第1
翼)が複数固設され、また、その下部にネジスクリュー
17(第3翼)が固設されている。一方、ハウジング5
の内面5a側である、回転側部3の外輪外周側面36a
と対向する面上には、回転羽根15とネジスクリュー1
7との間に臨むように複数の静翼16(第2翼)が固設
されている。
【0035】すなわち、静翼16は、回転羽根15より
も基板洗浄液の排出方向下流側に位置するよう設けら
れ、また、ネジスクリュー17は、回転羽根15及び静
翼16よりも基板洗浄液排出方向下流側に位置するよう
に設けられる。また、図3に示されるように、回転羽根
15と静翼16とは、互いに基板洗浄液を排出方向に導
くよう傾斜しており、これらは互いに逆方向に、且つ基
板洗浄液の排出方向に対して45度に傾斜している。更
に、回転羽根15の上端15aは外輪36の上端面と略
面一となり、基板支持部32に支持されている基板6平
面より高い位置に設けられる。
【0036】以下、実施の形態の動作について説明す
る。まず、基板の搬入にあっては、上ベルヌーイ板11
は昇降機構により、上動位置にあり、図示しないロボッ
トアームが所定位置に基板6を搬送して停止する。この
とき基板チャックピン37が上昇して基板6をピンで把
持すると、ロボットアームは後退し、基板チャックピン
37は基板6を把持して下降する。次に上ベルヌーイ板
11が定位置まで下降し、下ベルヌーイ板21との間に
間隙Sを形成し、図1の状態となる。
【0037】次に、基板支持部32が回転して、基板6
が回転を始めると同時に、圧送された洗浄液が導入管1
2,22より基板6の上下面に噴射されて洗浄が始ま
る。基板中心部に噴射された洗浄液はノズル作用と回転
する遠心力で基板外周より排出路方向に飛び出す。この
とき、飛散された洗浄液は、基板支持部32の外側に設
けられているハウジング5により一カ所に無駄なく回収
できる。更に、基板の回転に伴って、回転羽根15、ネ
ジスクリュー17が回転をしており、飛散した洗浄液を
排出路8の下方に方向転換させて、排出路下流側に誘導
する。また、ハウジング5に設けられている静翼16が
回転羽根15及びネジスクリュー17と協働して排出作
用を高める。すなわち、排出路8は真空ポンプに繋がっ
ており、そのポンプによる吸引力と、回転羽根15、静
翼16、ネジスクリュー17がターボポンプ原理の作用
による減圧効果の相乗作用により洗浄液の排出作用を高
める。
【0038】従来の基板洗浄機構によれば、基板のエッ
ジ部はチャック(基板支持部)により支持されているた
め、基板を上下ベルヌーイ板で完全に覆うことができ
ず、このため、基板周囲において、洗浄液が渦を巻き、
その排出が滑らかに行われ難いが、この発明の実施の形
態によれば、回転羽根等の作用により、基板周辺に強制
的な下降気流(排出方向への流れ)が得られるので、基
板周辺部の洗浄液を強制的に排出でき、洗浄液滴やミス
トが残留して、洗浄後の基板に付着するのを防止するこ
とができ、基板汚染が防止される。また、上下ベルヌー
イ板11,21の間の間隙Sに対して酸素を遮断できる
構造とでき、自然酸化膜抑制効果も得ることができる。
【0039】また、基板を大気に触れることなく、搬
送、洗浄、処理(例えばCVD処理)等の一連の処理を
施す場合、各装置を非大気雰囲気(減圧雰囲気)にて接
続する構成が必要となると共に、洗浄液が搬送装置など
に付着して搬送アームの腐食原因をもたらすのを防止す
るため、洗浄液の完全に除去し得る洗浄装置が必要とな
るが、実施の形態に示した装置によれば、かかる構成を
容易に提供し得ることとなる。
【0040】以上、本発明の一つの実施の形態について
説明したが、本発明はかかる実施の形態の構成に限定さ
れることはなく、種々の応用、変更適用が可能である。
例えば、ハウジング5の内面に設けられる第2翼である
静翼16を第1翼である回転羽根15の回転方向と逆方
向に回転するようにすれば、上述したターボポンプの原
理による減圧効果をより高めることができて、洗浄液の
排出作用をより高めることができる。静翼の回転は、例
えばそれが取り付けられたハウジングを回転させるよう
にしても良いし、或いはハウジング内に回転機構を設け
るようにしても良い。
【0041】また、上記実施の形態では、回転羽根15
は基板支持部32と一体的に回転するようにしたが、基
板支持部32より高速で回転するようにしても良い。基
板の回転速度は処理内容により制限されることもある
が、回転羽根は高速で回転するほど、吸引(排出)作用
を高めることができ、本発明の効果をより高めることが
できる。
【0042】更に、上記実施の形態では、回転羽根15
(第1翼)と静翼(第2翼)とネジスクリュー(第3
翼)とを組み立てた場合について説明したが、回転羽根
15(第1翼)と静翼(第2翼)のみの組合せでも、十
分な排出効果を得ることができる。また、実施の形態で
は、回転羽根15(第1翼)と静翼16(第2翼)とネ
ジスクリュー17(第3翼)との組み合わせ一つ(一
段)としたが、これらを多段に組み合わせて用いるよう
にしても、排出作用を高められることは明白である。
【0043】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明によれば、基板処理液の排出路に基板処理液の排出作
用を高めるための回転羽根を設けるようにしたので、洗
浄液等の基板処理液を効率的に回収でき、且つ基板処理
後に該処理液が基板に付着して、例えば、洗浄斑やウォ
ータマークが発生するという処理欠陥が発生することが
ない基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態を示す断面側面図であ
る。
【図2】回転羽根、静翼、及びネジスクリューの位置関
係を示す斜視図である。
【図3】回転羽根と静翼の協働作用を説明する図であ
る。
【符号の説明】 1 固定上板部 2 固定下板部 3 回転側部 4 支持シャフト 5 ハウジング 6 基板(ウェハ) 8 排出路 11 上ベルヌーイ板 15 回転羽根(動翼) 16 静翼 17 ネジスクリュー 21 下ベルヌーイ板 35 内輪 36 外輪 37 基板チャックピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 齊 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 藤城 雅隆 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 大録 範行 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所内 (72)発明者 田中 雄一郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固定上板部と固定下板部との間隙内に基
    板処理液を導入し、該間隙内に支持された基板を回転さ
    せて、前記基板の処理を行うようにした基板処理装置に
    おいて、 前記基板処理液の排出路に基板の回転に伴って回転し、
    前記基板処理液の排出作用を高めるための回転羽根を設
    けたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 固定上板部と固定下板部との間隙内に基
    板処理液を導入し、該間隙内に支持された基板を回転さ
    せて、前記基板の処理を行うようにした基板処理装置に
    おいて、 前記基板を支持して回転する支持部の外壁面と、該支持
    部の外壁面を覆うように設けられたハウジングの内面と
    の間で前記基板処理液の排出路を形成し、 前記支持部の外壁面側に、前記排出路による前記基板処
    理液の排出作用を高めるための第1翼を設け、 前記ハウジング内面側に、前記第1翼と協働して、前記
    基板処理液の排出作用を高めるための第2翼を設けたこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
    て、 前記第2翼は、前記第1翼よりも基板処理液の排出方向
    下流側に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項2又は請求項3に記載の基板処理
    装置において、 前記第1翼又は前記第2翼は、基板処理液を排出方向に
    導くよう傾斜していることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
    て、 前記第1翼と前記第2翼とは互いに逆方向に傾斜してい
    ることを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置におい
    て、 前記第1翼と前記第2翼とは互いに逆方向に、且つ基板
    処理液の排出方向に対して45度に傾斜していることを
    特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項2乃至請求項6のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記支持部はその上端で前記基板を支持し、前記第1翼
    の上端は、前記基板の上面より上方に位置することを特
    徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項2乃至請求項7のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記支持部の外壁面側に設けられる前記第1翼は、前記
    支持部と一体的に回転することを特徴とする基板処理装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項2乃至請求項7のいずれかに記載
    の基板処理装置において、 前記第2翼は前記ハウジングの内面に固定されることを
    特徴とする基板処理装置。
  10. 【請求項10】 請求項2乃至請求項7のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記ハウジングの内面側に設けられる前記第2翼は、前
    記第1翼の回転方向と逆方向に回転することを特徴とす
    る基板処理装置。
  11. 【請求項11】 請求項2乃至請求項10のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記支持部の外壁面に設けられる前記第1翼は、前記支
    持部の回転より高速で回転することを特徴とする基板処
    理装置。
  12. 【請求項12】 請求項2乃至請求項11のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記第1翼が設けられる前記支持部の外壁面側に第3翼
    を設けたことを特徴とする基板処理装置。
  13. 【請求項13】 請求項2乃至請求項12のいずれかに
    記載の基板処理装置において、 前記第3翼は、前記第1翼、及び前記第2翼よりも前記
    基板処理液の排出方向下流側に設けられることを特徴と
    する基板処理装置。
  14. 【請求項14】 請求項11又は請求項13に記載の基
    板処理装置において、 前記第1翼と前記第2翼と前記第3翼との組み合わせ
    を、前記基板処理液の排出方向に複数段設けることを特
    徴とする基板処理装置。
JP11064574A 1999-03-11 1999-03-11 基板処理装置および基板処理方法 Withdrawn JP2000260739A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11064574A JP2000260739A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 基板処理装置および基板処理方法
KR1020000009988A KR20000062665A (ko) 1999-03-11 2000-02-29 기판처리장치 및 기판처리방법
TW089103981A TW466623B (en) 1999-03-11 2000-03-06 Substrate treatment device and method
US09/524,744 US6401734B1 (en) 1999-03-11 2000-03-13 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11064574A JP2000260739A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000260739A true JP2000260739A (ja) 2000-09-22

Family

ID=13262151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11064574A Withdrawn JP2000260739A (ja) 1999-03-11 1999-03-11 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6401734B1 (ja)
JP (1) JP2000260739A (ja)
KR (1) KR20000062665A (ja)
TW (1) TW466623B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010093191A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016225428A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN110960931A (zh) * 2018-10-01 2020-04-07 河南一轮电子科技有限公司 真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法
CN113496927A (zh) * 2021-05-30 2021-10-12 黄国燊 一种半导体硅片表面液体清理设备

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6736906B2 (en) * 2002-04-10 2004-05-18 International Business Machines Corporation Turbine part mount for supercritical fluid processor
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US20040261823A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US6883250B1 (en) * 2003-11-04 2005-04-26 Asm America, Inc. Non-contact cool-down station for wafers
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8043441B2 (en) * 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
KR100618868B1 (ko) * 2004-10-19 2006-08-31 삼성전자주식회사 스핀 장치
US20080128085A1 (en) * 2004-12-01 2008-06-05 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Surface Treating Apparatus For Square Wafer For Solar Battery
KR100695229B1 (ko) * 2005-10-26 2007-03-14 세메스 주식회사 스핀 척
US8480810B2 (en) * 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
SG154438A1 (en) * 2005-12-30 2009-08-28 Lam Res Corp Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound
DE602007000584D1 (de) * 2006-06-16 2009-04-09 Tokio Electron Ltd Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung und -verfahren
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
JP2009094242A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Ebatekku:Kk 基板保持機構、基板受渡機構、及び基板処理装置
US8211846B2 (en) 2007-12-14 2012-07-03 Lam Research Group Materials for particle removal by single-phase and two-phase media
CN102441539B (zh) * 2010-09-30 2013-09-18 承澔科技股份有限公司 易于导流的元件清洗机
CN113441454B (zh) * 2021-06-21 2022-02-15 常州都铂高分子有限公司 一种水性粘合剂生产用原料清洗装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5473475A (en) * 1977-11-24 1979-06-12 Hitachi Ltd Device for washing and drying
DE3446619C2 (de) 1984-12-20 1991-02-14 J.G. Mailänder GmbH & Co, 7120 Bietigheim-Bissingen Rotations-Druckeinrichtung
JPH04369210A (ja) 1991-06-18 1992-12-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエハ用回転塗布装置
US5211753A (en) * 1992-06-15 1993-05-18 Swain Danny C Spin coating apparatus with an independently spinning enclosure
JP3326656B2 (ja) * 1994-10-31 2002-09-24 ソニー株式会社 回転式半導体基板処理装置及び回転式半導体基板処理方法
JPH08257469A (ja) * 1995-01-24 1996-10-08 Canon Inc 基板回転装置および基板処理装置
JP3440655B2 (ja) * 1995-10-31 2003-08-25 株式会社日立製作所 試料保持方法、試料回転方法及び試料表面の流体処理方法並びにそれらの装置
US6105592A (en) * 1997-07-21 2000-08-22 Semitool, Inc. Gas intake assembly for a wafer processing system
JP3641115B2 (ja) * 1997-10-08 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6374836B1 (en) * 1997-10-22 2002-04-23 Hitachi, Ltd. Apparatus for treating plate type part with fluid
US6062239A (en) * 1998-06-30 2000-05-16 Semitool, Inc. Cross flow centrifugal processor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010093191A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016225428A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN110960931A (zh) * 2018-10-01 2020-04-07 河南一轮电子科技有限公司 真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法
CN113496927A (zh) * 2021-05-30 2021-10-12 黄国燊 一种半导体硅片表面液体清理设备
CN113496927B (zh) * 2021-05-30 2022-06-24 山东华楷微电子装备有限公司 一种半导体硅片表面液体清理设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW466623B (en) 2001-12-01
US6401734B1 (en) 2002-06-11
KR20000062665A (ko) 2000-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000260739A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5156114B2 (ja) 液処理装置
JP5180661B2 (ja) スピンナ洗浄装置および加工装置
TW201624611A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4805003B2 (ja) 液処理装置
JP2009231710A (ja) 基板処理装置
JP4933945B2 (ja) 液処理装置
JP6418743B2 (ja) ウエハチャックおよびウエハチャック補助具
JP4804407B2 (ja) 液処理装置
JP2007335758A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4912020B2 (ja) 液処理装置
JP2008034489A (ja) 液処理装置
JP2002009036A (ja) スピン処理装置
US20070256632A1 (en) Systems and methods for clamping semiconductor wafers
JPH07249559A (ja) 回転処理装置
JP2906783B2 (ja) 処理装置
JPS6253942B2 (ja)
JP3100108B2 (ja) 回転処理装置
JPH07183266A (ja) 回転式基板処理装置
JPS627133A (ja) 洗浄乾燥装置
JP2003093979A (ja) スピン処理装置
JP2003001178A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH0684776A (ja) 回転機構
JPH1116875A (ja) スピン処理装置
JP2004160335A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060606