KR20180020903A - 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR20180020903A
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지카라 사가에
마사노리 이마무라
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 방법은 기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하는 시각까지 기판에 대한 용제의 공급을 계속한다. 이러한 기판 처리 방법에 의하면, 파티클의 발생을 효과적으로 억제하면서 기판의 표면의 전부를 용제로 덮을 수 있다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히 기판에 용제를 공급하는 기술에 관한 것이다. 기판은, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용의 유리 기판, 액정 표시용의 유리 기판, 광디스크용의 기판 등이다.
포토리소그래피 프로세스는 반도체 디바이스의 회로 패턴을 기판상의 레지스트막에 전사한다. 포토리소그래피 프로세스는, 기판에 레지스트막 등의 도막을 형성하는 처리나 레지스트막을 현상하는 처리 등을 포함한다.
이러한 처리에서는, 각종의 처리액을 기판에 공급한다. 처리액은, 예를 들면, 약액이나 용제이다. 약액은, 예를 들면, 기판에 레지스트막 등의 도막을 형성하는 도포액이나, 레지스트막을 현상하는 현상액이다. 도포액은, 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막 재료 등이다. 용제는, 예를 들면 시너이다.
용제는, 예를 들면, 레지스트막 재료의 습윤성을 향상시킨다. 레지스트막의 습윤성을 향상시키는 것에 의해서, 레지스트막 재료의 소비량을 억제할 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2 참조). 혹은, 레지스트막의 습윤성을 향상시키는 것에 의해서, 품질이 좋은 레지스트막을 기판상에 형성할 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 3, 4 참조).
일본 특허 공개 제2002－134399호 공보에서는, 정지한 기판상에 시너를 공급한다. 시너의 공급을 종료한 후, 기판상에 레지스트막 재료를 공급하면서 기판의 회전 속도를 즉시 4000 rpm으로 증가한다. 이것에 의해, 용제 및 레지스트막 재료를 기판의 표면에 펼쳐 기판상에 레지스트막을 형성한다.
일본 특허 공개 제2010－207788호 공보에서는, 회전 속도가 0~50 rpm로 유지된 기판상에 시너를 공급한다. 시너의 공급을 종료한 후, 레지스트막 재료를 공급하면서 기판의 회전 속도를 즉시 2000~4000 rpm으로 증가한다. 이것에 의해, 용제 및 레지스트막 재료를 기판의 표면에 펼쳐 기판상에 레지스트막을 형성한다.
일본 특허 공개 제2002－175966호 공보에서는, 정지한 기판상에 시너를 적하한다. 시너의 적하를 종료한 후, 기판을 회전시켜 시너를 기판의 표면에 펼치고, 기판의 표면에 시너의 막을 형성한다. 그 후, 기판상에 레지스트막 재료를 공급한다. 이것에 의해, 기판상에 레지스트막을 형성한다.
일본 특허 공개 제2012－589호 공보에서는, 정지한 기판상에 용제를 공급한다. 용제의 공급을 종료한 후, 기판의 회전 속도를 즉시 500 rpm으로 증가하고, 용제를 기판의 표면에 펼친다. 그 후, 기판상에 레지스트막 재료를 공급한다. 이것에 의해, 기판상에 레지스트막을 형성한다.
용제의 용도는, 레지스트막 재료의 습윤성을 향상시키는 것에 한정되지 않는다. 용제의 용도로서는, 예를 들면, 레지스트막 재료 이외의 약액의 습윤성을 향상시키는 것, 기판의 표면을 약액이 잘 스며들기 쉬운 상태로 하는 것, 또는, 약액을 희석하는 것 등이 있다. 또, 용제의 용도로서는, 기판의 표면 개질을 행하는 것, 또는, 기판의 표면의 습윤성을 높이는 것 등도 있다.
최근, 레지스트 패턴의 미세화에 수반하여, 종전에는 문제가 되지 않던 미소한 파티클이 패턴 결함이 될 가능성이 생겼다. 또, 처리의 품질을 검사하는 정밀도가 향상되고, 종전에는 간과되고 있던 파티클이 검출되게 되었다. 이러한 사정에 의해, 기판에 처리액을 공급하는 처리에 있어서도, 미소한 파티클의 발생이 문제가 되어 왔다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 처리 품질을 더욱 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 파티클의 발생 원인은 기판에 대한 약액의 공급의 방법에 있다고 생각했다. 일반적으로, 약액은 용제에 비교하여 습윤성이 나쁘고(낮고), 또는, 약액은 용제에 비해 점도가 높다. 이 때문에, 약액을 기판에 적합하게 공급하는 것은, 용제를 기판에 적합하게 공급하는 것에 비교하여 어렵다.
본 발명자들은, 약액을 기판에 공급하는 순서나 조건의 변경을 시도했다. 그러나, 약액을 기판에 공급하는 순서나 조건을 어떻게 변경해도, 파티클의 발생을 효과적으로 억제할 수 없었다.
따라서, 파티클의 발생 상황을 재차 검토한 바, 많은 파티클이 기판의 중앙부에 위치하는 작은 가상 원의 둘레 상에 분포하는 것을, 본 발명자들은 알아냈다. 또한, 그 가상 원이, 기판에 용제를 공급했을 때에 일시적으로 형성되는 용제의 액 고임의 범위와 유사한 것을 본 발명자들은 깨달았다. 파티클의 발생 원인은 기판에 대한 용제의 공급의 방법에 있을지도 모른다라고 본 발명자들은 생각했다.
또한, 「용제의 액 고임」은, 용제의 덩어리인 것이다. 본 명세서에서는, 「용제의 액 고임」을, 적당하게 「용제의 코어」라고 부른다.
따라서, 본 발명자들은, 용제를 기판에 공급하는 순서나 조건의 변경을 시도했다.
본 발명은, 이러한 지견, 검토 및 시행에 의해서 얻어지는 것으로, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하며, 상기 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지 기판에 대한 용제의 공급을 계속한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 용제 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 기판의 중앙부에 용제를 공급함으로써, 기판의 중앙부에 용제의 하나의 코어를 형성한다. 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 증가시킴으로써, 용제의 코어를 펼친다. 용제 공급 공정은, 또한, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐, 기판에 용제를 계속 공급한다. 이것에 의해, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 그 결과, 파티클의 발생을 효과적으로 억제하면서, 기판의 표면의 전부를 용제로 덮는 일이 생긴다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 「기판의 중앙부」란, 기판의 회전 중심을 포함한 기판의 표면의 부분이다. 「기판의 표면」은, 기판의 상면의 의미이다. 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 동안, 용제의 공급 위치가 항상 기판의 중앙부일 필요는 없다. 예를 들면, 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 동안, 용제의 공급 위치를 기판의 중앙부로부터 기판의 중앙부 이외의 부분으로 이동해도 된다. 「기판의 회전 속도를 증가시킨다」란, 용제 공급 공정이 끝날 때의 기판의 회전 속도가 용제 공급 공정이 시작될 때의 기판의 회전 속도보다 크고, 또한 용제 공급 공정이 시작될 때부터 용제 공급 공정이 끝날 때까지 기판의 회전 속도가 감소하는 일이 없는 것을 말한다. 예를 들면, 용제 공급 공정의 전체 기간에 걸쳐서 기판의 회전 속도의 가속을 계속해도 된다. 혹은, 용제 공급 공정의 기간은, 기판의 회전 속도를 증가시키는 기간과, 기판의 회전 속도를 일정하게 유지하는 기간을 포함해도 된다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 제1 속도로 유지하고, 또한 기판에 용제를 공급하는 제1 등속 공정과, 상기 제1 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제1 속도로부터 상기 제1 속도보다 큰 제2 속도로 가속하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제1 가속 공정을 포함하고, 상기 제1 가속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은 제1 등속 공정을 포함하기 때문에, 용제의 코어를 기판상에 적합하게 형성할 수 있다. 용제 공급 공정은 제1 가속 공정을 포함하기 때문에, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에, 용제에 작용하는 원심력을 적극적으로 증대할 수 있다. 이것에 의해, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 상기 제1 가속 공정 후에 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도로 유지하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제2 등속 공정을 포함하며, 상기 제2 등속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 2개의 등속 공정(즉, 제1 등속 공정과 제2 등속 공정)을 실행한다. 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 단계적으로 증가한다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 상기 제2 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도로부터 상기 제2 속도보다 큰 제3 속도로 가속하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제2 가속 공정을 포함하고, 상기 제2 가속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 2개의 가속 공정(즉, 제1 가속 공정과 제2 가속 공정)을 실행한다. 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제에 작용하는 원심력을 2회 이상, 적극적으로 증대한다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 상기 제2 가속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제3 속도로 유지하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제3 등속 공정을 포함하고, 상기 제3 등속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 3개의 등속 공정(즉, 제1 등속 공정과 제2 등속 공정과 제3 등속 공정)을 실행한다. 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 3개 이상의 단계에 의해서 증가한다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제1 속도는 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만인 것이 바람직하다. 제1 속도는 비교적으로 작기 때문에, 용제의 코어를 한층 적합하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하며, 상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 3개 이상의 단계로 증가시킨다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 용제 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 기판의 중앙부에 용제를 공급함으로써, 기판의 중앙부에 용제의 코어를 1개만 형성한다. 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 증가시킴으로써, 용제의 코어를 기판상에 펼친다. 여기서, 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 3개의 단계를 통해 기판의 회전 속도를 증가한다. 이것에 의해, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 그 결과, 파티클의 발생을 효과적으로 억제하면서, 기판의 표면의 전부를 용제로 덮을 수 있다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 「적어도 3개의 단계」는 각각, 서로 상이한 속도로 기판의 회전 속도를 일정하게 유지한다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 제1 속도에 유지하고, 또한 기판에 용제를 공급하는 제1 등속 공정과, 상기 제1 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제1 속도보다 큰 제2 속도로 유지하는 제2 등속 공정과, 상기 제2 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도보다 큰 제3 속도로 유지하는 제3 등속 공정을 포함하고, 상기 제3 등속 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 3개의 등속 공정(즉, 제1 등속 공정과 제2 등속 공정과 제3 등속 공정)을 실행한다. 즉, 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 3개 이상의 단계에 의해서 증가한다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
또한, 제1 내지 제 3 등속 공정은, 전술의 기판 처리 방법에 기재된 「적어도 3개의 단계」의 예이다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 제1 속도는 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만인 것이 바람직하다. 제1 속도는 비교적으로 작기 때문에, 기판상에 용제의 코어를 한층 적합하게 형성할 수 있다.
또, 본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하고, 상기 용제 공급 공정은 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐 기판의 회전 속도의 가속을 계속한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 용제 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 기판의 중앙부에 용제를 공급함으로써, 기판의 중앙부에 용제의 하나의 코어를 일시적으로 형성한다. 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 증가시킴으로써, 용제의 코어를 확대한다. 여기서, 용제 공급 공정은 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐, 기판의 회전 속도를 계속 가속한다. 이것에 의해, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 그 결과, 파티클의 발생을 효과적으로 억제하면서, 기판의 표면의 전부를 용제로 덮을 수 있다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 것이 바람직하다. 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐 기판에 대한 용제의 공급을 계속한다. 이것에 의해, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는, 1500 rpm 미만인 것이 바람직하다. 환언하면, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도는 1500 rpm 미만으로 제한되는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는, 200 rpm 미만인 것이 바람직하다. 환언하면, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도는 200 rpm 미만으로 제한되는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지의 기간의 적어도 일부에 있어서, 기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시키는 것이 바람직하다. 기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시키는 것에 의해서, 기판의 회전 가속도를 완만하게 변화시킬 수 있다. 즉, 기판상의 용제에 작용하는 원심력을 완만하게 변화시킬 수 있다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
또한, 「기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시킨다」란, 기판의 회전 속도를 가속하기 시작할 때, 시간의 경과에 수반하여 기판의 회전 가속도를 증가시키는 것을 포함한다. 또, 「기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시킨다」란, 기판의 회전 속도의 가속을 종료할 때, 시간의 경과에 수반하여 기판의 회전 가속도를 감소시키는 것을 포함한다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 대한 용제의 공급을 종료한 후, 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 용제를 기판에 품질좋게 공급한 후에 약액 공급 공정을 실행하기 때문에, 약액을 기판에 공급하는 처리의 품질도 높일 수 있다.
전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 대한 용제의 공급을 종료한 후, 기판에 처리액을 공급하지 않고 기판을 회전시키는 단순 회전 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 기판상에 형성된 용제의 막의 두께를 적합하게 얇게 할 수 있다.
또한, 본 명세서는, 다음과 같은 기판 처리 방법에 따른 발명도 개시한다.
(1) 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
기판의 중앙부에 용제를 공급하기 시작하는 것에 의해서, 용제의 코어를 기판상의 중앙부에 생성하고,
기판에 대한 용제의 공급을 계속하며, 또한 기판의 회전 속도를 완만하게 증가시키는 것에 의해서 용제의 코어의 가장자리가 기판에 접촉한 상태로 용제의 코어를 확대한다.
상기 (1)에 기재된 기판 처리 방법은, 기판에 대한 용제의 공급을 계속한다. 이 때문에, 용제의 코어를 확대할 때, 용제의 코어의 가장자리가 기판의 표면에 접촉한 상태를 적합하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 (1)에 기재된 기판 처리 방법은, 기판의 회전 속도를 완만하게 증가시킨다. 이 때문에, 용제의 코어를 확대할 때, 용제의 코어의 가장자리가 기판의 표면에 접촉한 상태를 한층 적합하게 유지할 수 있다. 이것에 의해, 용제의 코어는, 기포를 말려 들지 않게 확대한다. 그 결과, 파티클의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
(2) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 용제를 공급하기 시작할 때, 기판에 대한 용제의 공급 위치는 기판의 중앙부이다.
상기 (2)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 기판의 중앙부에 용제의 코어를 적합하게 생성할 수 있다.
(3) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 대한 용제의 공급 위치는 기판의 중앙부뿐이다.
상기 (3)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 기판에 용제를 공급할 때, 기판에 대한 용제의 공급 위치는 기판의 표면의 중앙부에 한정된다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
(4) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제1 등속 공정에 있어서 기판의 중앙부에 용제를 공급하기 시작한다.
상기 (4)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 제1 등속 공정은, 용제의 코어를 기판상의 중앙부에 적합하게 생성할 수 있다.
(5) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 상기 제3 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제3 속도로부터 가속하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제3 가속 공정을 포함하고, 상기 제3 가속 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시한다.
상기 (5)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 적어도 3개의 가속 공정(제1 가속 공정과 제2 가속 공정과 제3 가속 공정)을 실행한다. 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제에 작용하는 원심력을 3회 이상, 적극적으로 증대한다. 이것에 의해, 용제의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
(6) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 제1 속도로 가속하는 사전 가속 공정을 포함한다.
상기 (6)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 용제 공급 공정은, 사전 가속 공정을 포함하기 때문에, 제1 등속 공정을 적합하게 준비할 수 있다.
(7) 상기 (6)에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 제1 속도는 0 rpm보다 크고, 또한 30 rpm 미만이다.
상기 (7)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 제1 속도는 비교적으로 작기 때문에, 용제의 코어를 한층 적합하게 형성할 수 있다.
(8) 상기 (6) 또는 상기 (7)에 기재한 기판 처리 방법에 있어서, 사전 가속 공정은, 기판에 용제를 공급한다.
상기 (8)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 사전 가속 공정에 있어서 용제의 코어를 기판상에 적합하게 형성할 수 있다.
(9) 상기 (6)부터 상기 (8) 중 어느 하나에 기재한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 사전 가속 공정에 있어서 기판의 중앙부에 용제를 공급하기 시작한다.
상기 (9)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 사전 가속 공정은, 용제의 코어를 기판상의 중앙부에 적합하게 생성할 수 있다.
(10) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐 기판의 회전 속도의 가속을 계속한다.
상기 (10)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다.
(11) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 용제를 공급하기 시작할 때, 기판의 회전 속도는 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만이다.
상기 (11)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 기판에 용제를 공급하기 시작할 때의 기판의 회전 속도가 비교적으로 작기 때문에, 기판상에 용제의 코어를 한층 적합하게 생성할 수 있다.
(12) 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하며, 상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지 기판의 회전 속도를 200 rpm 미만으로 제한한다.
상기 (12)에 기재된 기판 처리 방법은 용제 공급 공정을 구비한다. 용제 공급 공정은, 기판의 중앙부에 용제를 공급함으로써, 기판의 중앙부에 용제의 하나의 코어를 일시적으로 형성한다. 용제 공급 공정은, 기판의 회전 속도를 증가시킴으로써, 용제의 코어를 확대한다. 여기서, 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 200 rpm 미만으로 제한한다. 이것에 의해, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 용제의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 그 결과, 파티클의 발생을 효과적으로 억제하면서, 기판의 표면의 전부를 용제로 덮을 수 있다. 즉, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
(13) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 용제 공급 공정 후에, 기판에 처리액을 공급하지 않고, 기판을 회전시키는 단순 회전 공정과, 상기 단순 회전 공정 후에, 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정을 구비한다.
상기 (13)에 기재된 기판 처리 방법은 단순 회전 공정을 구비하기 때문에, 기판상에 형성된 용제의 막의 두께를 적합하게 얇게 할 수 있다. 또, 기판 처리 방법은 약액 공급 공정을 구비하기 때문에, 용제를 기판에 공급하는 처리의 품질 뿐만 아니라, 약액을 기판에 공급하는 처리의 품질도 높일 수 있다.
(14) 전술의 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 대한 용제의 공급을 종료했을 때에, 기판에 약액을 공급하기 시작한다.
상기 (14)에 기재된 기판 처리 방법에 의하면, 기판상의 용제가 건조하기 전에 기판에 약액을 공급할 수 있기 때문에, 약액은 기판상을 한층 원활하게 퍼진다. 따라서, 약액을 기판에 공급하는 처리의 품질을 적합하게 높일 수 있다.
발명을 설명하기 위해서 현재의 적합하다고 생각되는 몇개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책으로 한정되는 것은 아닌 것을 이해해야 한다.
도 1은, 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 처리예 1의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 3은, 처리예 1의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 4a－4c는 각각, 기판상의 용제를 나타내는 평면도이다.
도 5는, 비교예에 따른 기판 처리 방법의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6은, 처리예 1에 의해서 처리를 실시한 기판에 대해서, 파티클의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은, 비교예에 의해서 처리를 실시한 기판에 대해서, 파티클의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 8a－8e는 각각, 비교예에 있어서의 용제의 행동을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9a－9d는 각각, 처리예 1에 있어서의 용제의 행동을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 처리예 2의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 11은, 처리예 2의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 12는, 처리예 3의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 13은, 처리예 3의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 14는, 처리예 4의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 15는, 처리예 4의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 16은, 처리예 5의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 17은, 처리예 5의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
도 18은, 처리예 6의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 19는, 처리예 6의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은, 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)(W)에 처리액을 공급한다. 처리액은, 예를 들면 용제와 약액이다. 약액은, 예를 들면 기판(W) 상에 도막을 형성하는 도포액이다. 도포액은, 예를 들면 레지스트막 재료(이하, 적당하게 「레지스트」라고 함)이다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 회전 가능하게 보관 유지하는 회전 보관 유지부(11)를 구비한다. 회전 보관 유지부(11)는 스핀 척(13)과 모터(15)를 포함한다. 스핀 척(13)은 기판(W)을 대략 수평 자세로 보관 유지한다. 보다 구체적으로는, 스핀 척(13)은 기판(W)의 하면의 중앙부를 흡착한다. 스핀 척(13)의 하부에는 모터(15)의 출력축(15a)의 선단이 연결된다. 출력축(15a)은 대략 연직 방향으로 늘어난다. 모터(15)가 출력축(15a)을 회전 구동함으로써, 스핀 척(13) 및 기판(W)은 일체로 회전한다. 출력축(15a)의 축심은, 기판(W)의 회전 중심(Ra)에 상당한다. 기판(W)의 회전 중심(Ra)은, 기판(W)의 상면의 중앙부를 통과하여, 기판(W)의 상면과 대략 직교한다. 이하에서는, 기판(W)의 상면을 「기판(W)의 표면」이라고 적당하게 부른다.
기판 처리 장치(1)는, 스핀 척(13)의 주위에 설치되는 비산 방지 컵(17)을 구비한다. 비산 방지 컵(17)은, 기판(W)으로부터 비산하는 처리액(즉, 약액이나 용제 등)을 받아 들여 회수한다.
기판 처리 장치(1)는, 용제를 공급하는 용제 공급부(21)를 구비한다. 용제 공급부(21)는, 용제 공급원(23)과 배관(24)과 개폐 밸브(25)와 노즐(26)과 이동 기구(27)를 구비한다. 용제 공급원(23)은, 용제를 저류한다. 용제 공급원(23)은, 배관(24)의 일단과 연통 접속한다. 개폐 밸브(25)는, 배관(24) 상에 설치된다. 개폐 밸브(25)는, 배관(24) 내의 용제의 유로를 개폐한다. 노즐(26)은, 배관(24)의 타단과 연통 접속한다. 노즐(26)은 용제를 토출한다. 이동 기구(27)는 노즐(26)을 이동한다. 구체적으로는, 이동 기구(27)는, 기판(W)의 표면의 중앙부의 상방에 해당하는 처리 위치와, 기판(W)의 상방으로부터 어긋난 퇴피 위치와의 사이에서 노즐(26)을 이동한다. 도 1에서는, 퇴피 위치에 있는 노즐(26)을 실선으로 나타내고, 처리 위치에 있는 노즐(26)을 파선으로 나타낸다.
용제는, 예를 들면 친수성이다. 용제는, 레지스트에 비교하여 습윤성이 높다. 용제는, 레지스트에 비교하여 점도가 낮다. 용제는, 예를 들면 유기 용제이다. 용제는, 예를 들면, 시너, PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate), 유화 에틸, IPA(isopropyl alcohol) 등이다.
기판 처리 장치(1)는, 레지스트를 공급하는 레지스트 공급부(31)를 구비한다. 레지스트 공급부(31)는, 레지스트 공급원(33)과 배관(34)과 개폐 밸브(35)와 노즐(36)과 이동 기구(37)를 구비한다. 레지스트 공급원(33)은, 레지스트를 저류 한다. 레지스트 공급원(33)은, 배관(34)의 일단과 연통 접속한다. 개폐 밸브(35)는, 배관(34)상에 설치된다. 개폐 밸브(35)는, 배관(34) 내의 레지스트의 유로를 개폐한다. 노즐(36)은, 배관(34)의 타단과 연통 접속한다. 노즐(36)은 레지스트를 토출한다. 이동 기구(37)는 노즐(36)을 이동한다. 구체적으로는, 이동 기구(37)는, 기판(W)의 중앙부의 상방에 해당하는 처리 위치와, 기판(W)의 상방으로부터 어긋난 퇴피 위치와의 사이에서 노즐(36)을 이동한다. 도 1에서는, 퇴피 위치에 있는 노즐(36)을 실선으로 나타내고, 처리 위치에 있는 노즐(36)을 파선으로 나타낸다.
기판 처리 장치(1)는, 전술한 각 구성을 통괄적으로 조작하는 제어부(41)를 구비한다. 구체적으로는, 제어부(41)는, 모터(15)를 제어하여 기판(W)의 회전 속도(회전수)를 조정한다. 제어부(41)는, 이동 기구(27, 37)를 제어하여 노즐(26, 36)을 이동시킨다. 제어부(41)는, 개폐 밸브(25, 35)를 제어하여 용제 및 레지스트의 공급·정지를 전환한다.
제어부(41)는, 기판(W)를 처리하기 위한 처리 조건이 미리 설정되는 처리 레시피 등을 가진다. 처리 조건은, 예를 들면, 기판(W)의 회전 속도와 시간의 관계, 기판(W)의 회전 가속도와 시간의 관계, 및, 처리액의 공급과 시간의 관계에 관한 정보 등이다. 제어부(41)는, 각종 처리를 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU)나, 연산 처리의 작업 영역이 되는 RAM(Random-Access Memory)이나, 각종 정보를 기억하는 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해서 실현된다.
다음에, 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 의해서 행해지는 복수의 기판 처리 방법(처리예)에 대해 설명한다.
［처리예 1］
도 2는, 처리예 1의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 처리예 1은, 용제 공급 공정(단계 S1)과 단순 회전 공정(단계 S2)과 약액 공급 공정(단계 S3)을 포함한다. 처리예 1은, 우선 용제 공급 공정을 행한다. 처리예 1은, 용제 공급 공정 후에 단순 회전 공정을 행한다. 처리예 1은, 단순 회전 공정의 후에 약액 공급 공정을 행한다. 용제 공급 공정은, 기판(W)에 용제를 공급한다. 용제 공급 공정은, 또한, 6개의 공정(단계 S1a－S1f)을 포함한다. 단순 회전 공정은, 기판(W)에 처리액을 공급하지 않고, 단순하게 기판(W)을 회전시킨다. 약액 공급 공정은, 기판(W)에 레지스트를 공급한다. 용제 공급 공정은 「프리 웨트(Pre-Wet)」라고도 불린다.
도 3은, 처리예 1의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 3을 참조하여, 전술한 각 공정을 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 기판(W)이 회전 보관 유지부(11)에 대략 수평으로 보관 유지되고 있는 것으로 한다. 기판(W)의 회전 속도는 영(0 rpm)이며, 기판(W)은 정지하고 있는 것으로 한다. 노즐(26, 36)은 퇴피 위치에 있고, 개폐 밸브(25, 35)는 폐쇄되어 있는 것으로 한다.
＜단계 S1＞
용제 공급 공정은, 6개의 공정(단계 S1a－S1f)을 순서대로 행한다. 이하, 각 공정을 설명한다.
＜단계 S1a＞ 사전 가속 공정(시각 t1－t2)
제어부(41)는, 모터(15)를 제어하여, 시각 t1－t2의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 0 rpm에서 제1 속도(V1)로 증가한다.
제1 속도(V1)는 0 rpm보다 크고, 또한 30 rpm 미만인 것이 바람직하다.
제1 속도(V1)는 예를 들면 10 rpm이다. 시각 t1－t2의 기간은 예를 들면 0.1 sec이다. 시각 t1－t2의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 일정하다. 시각 t1－t2의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 100 rpm/sec이다. 바꾸어 말하면, 사전 가속 공정은, 100 rpm/sec의 회전 가속도로 0.1 sec의 사이, 기판(W)의 회전 속도를 가속한다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전 속도는 0 rpm에서 10 rpm으로 증가한다.
＜단계 S1b＞ 제1 등속 공정(시각 t2－t4)
제어부(41)는, 모터(15)를 구동하여, 시각 t2부터 시각 t4까지, 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로 유지한다. 제어부(41)는, 이동 기구(27)을 구동하여, 노즐(26)을 퇴피 위치로부터 처리 위치에 이동시킨다. 제어부(41)는, 개폐 밸브(25)를 개방하여, 노즐(26)로부터 용제를 토출시킨다. 이것에 의해, 시각 t3에, 기판(W)의 표면의 중앙부에 용제를 공급하기 시작한다.
시각 t2－t4의 기간은 예를 들면 2 sec이다.
도 4a는, 제1 등속 공정에 있어서의, 기판(W) 상의 용제를 나타내는 평면도이다. 보다 구체적으로는, 도 4a는, 기판(W)에 용제를 공급하기 시작한 직후에 있어서의, 기판(W) 상의 용제를 나타내는 평면도이다. 도시하는 바와 같이, 제1 등속 공정에서는 기판(W)의 중앙부에 용제(A)의 하나의 액 고임이 생성된다. 여기서, 용제(A)의 액 고임은, 용제(A)의 덩어리이다. 이하에서는, 용제(A)의 액 고임을, 적당하게 「용제(A)의 코어」라고 부른다. 용제(A)의 코어는 평면에서 보아 원형상을 가진다. 용제(A)의 코어의 크기는 기판(W)의 표면보다 작다. 제1 등속 공정에서는, 용제(A)는 아직도 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하지 않는다.
제1 등속 공정에서는 기판(W)은 회전하고 있기 때문에, 용제(A)의 코어에 원심력(F)이 작용한다. 원심력(F)은 회전 중심(Ra)으로부터 멀어지는 방향으로 작용한다. 원심력(F)에 의해서, 용제(A)의 코어는 균등하게 확대한다. 보다 구체적으로는, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)는, 기판(W)의 둘레 가장자리(E)의 전부를 향하여 퍼진다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어는, 평면에서 보아 원형상으로 유지된다.
＜단계 S1c＞ 제1 가속 공정(시각 t4－t5)
제1 가속 공정은, 시각 t4－t5의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)부터 제1 속도(V1)보다 큰 제2 속도(V2)로 가속한다. 또한, 제1 가속 공정은, 기판(W)의 중앙부에 용제(A)를 계속 공급한다.
제2 속도(V2)는 1500 rpm 미만인 것이 바람직하다. 제2 속도(V2)는, 200 rpm 미만인 것이 한층 바람직하다.
제2 속도(V2)는 예를 들면 30 rpm이다. 시각 t4－t5의 기간은 예를 들면 0.5 sec이다. 시각 t4－t5의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 일정하다. 시각 t4－t5의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 40 rpm/sec이다.
제1 가속 공정에서는, 기판(W)의 회전 속도가 증가하기 때문에, 용제(A)의 코어에 작용하는 원심력(F)이 증대한다. 원심력(F)의 증대에 의해, 용제(A)의 코어는 적극적으로 확대한다. 또, 원심력(F)의 증대를 계기로 하여, 기판(W)에 대한 용제(A)의 코어의 유동성이 높아지고, 용제(A)의 코어가 원활하게 확대한다. 또한, 제1 가속 공정에서는 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속하기 때문에, 용제(A)의 코어는 한층 원활하게 확대한다. 제1 가속 공정에 있어서도, 용제(A)의 코어는 균등하게 확대하고, 용제(A)의 코어의 형상은 원형상으로 유지된다.
＜단계 S1d＞ 제2 등속 공정(t5－t6)
제2 등속 공정은, 시각 t5부터 시각 t6까지에 걸쳐, 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)로 유지한다. 제2 등속 공정은, 시각 t5부터 시각 t6까지에 걸쳐, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
시각 t5－t6의 기간은 예를 들면 3 sec이다.
도 4b는, 제2 등속 공정에 있어서의, 기판(W) 상의 용제(A)를 나타내는 평면도이다. 제2 등속 공정에서는, 제1 등속 공정보다도 용제(A)의 코어가 크다. 이와 같이, 용제(A)의 코어는 시간의 경과에 수반하여 커진다. 단, 제2 등속 공정에서는, 용제(A)의 코어는 아직도 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하지 않는다. 제2 속도(V2)는 제1 속도(V1)보다 크다. 이 때문에, 제2 등속 공정에서는 제1 등속 공정보다 큰 원심력(F)이 용제(A)의 코어에 작용한다. 제2 등속 공정에 있어서도, 용제(A)의 코어는 균등하게 확대하고, 용제(A)의 코어는 평면에서 보아 원형상으로 유지된다.
＜단계 S1e＞ 제2 가속 공정(시각 t6－t7)
제2 가속 공정은, 시각 t6－t7의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)로부터 제2 속도(V2)보다 큰 제3 속도(V3)로 가속한다. 제2 가속 공정은, 기판(W)의 중앙부에 용제(A)를 계속 공급한다.
제3 속도(V3)는, 1500 rpm 미만인 것이 바람직하다. 제3 속도(V3)는, 200 rpm 미만인 것이 한층 바람직하다.
제3 속도(V3)는 예를 들면 100 rpm이다. 시각 t6－t7의 기간은 예를 들면 1.0 sec이다. 시각 t6－t7의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 일정하다. 시각 t6－t7의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 70 rpm/sec이다.
제2 가속 공정에서는, 제2 등속 공정보다도 원심력(F)이 증대한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어는, 다시, 적극적으로, 또한 원활하게 확대한다. 또한, 제2 가속 공정에서는, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어는 한층 원활하게 확대한다. 용제(A)의 코어는 균등하게 확대한다. 용제(A)의 코어는 평면에서 보아 원형상으로 유지된다.
＜단계 S1f＞ 제3 등속 공정(t7－t9)
제3 등속 공정은, 시각 t7로부터 시각 t9까지, 기판(W)의 회전 속도를 제3 속도(V3)로 유지한다. 제3 등속 공정은, 시각 t7부터 시각 t9까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 제3 등속 공정의 실행 중, 용제(A)는, 시각 t8에 있어서 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다. 구체적으로는, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다.
시각 t7－t9의 기간은 예를 들면 4 sec이다.
도 4c는, 제3 등속 공정에 있어서의, 기판(W)상의 용제(A)를 나타내는 평면도이다. 보다 구체적으로는, 도 4c는, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한 후에 있어서의, 기판(W)상의 용제(A)를 나타내는 평면도이다. 도시하는 바와 같이, 용제(A)는 기판(W)의 표면의 전부를 덮는다. 용제(A)의 막이 기판(W)상에 형성된다.
용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8 이후, 기판(W)상의 용제(A)는, 기판(W)의 둘레 가장자리(E)로부터 뿌리쳐져 기판(W)의 주위에 비산된다. 비산된 용제(A)는, 비산 방지 컵(17)에 의해서 회수된다.
시각 t9 에 있어서, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지한다. 그 후, 제어부(41)는 이동 기구(27)를 구동하여, 노즐(26)을 처리 위치로부터 퇴피 위치에 이동시킨다. 이것에 의해, 제3 등속 공정이 종료한다.
제3 등속 공정의 종료에 의해, 용제 공급 공정이 종료한다.
＜단계 S2＞ 단순 회전 공정(t9－t10)
단순 회전 공정은, 기판(W)에 처리액을 공급하지 않고 기판(W)을 회전시킨다. 보다 구체적으로는, 단순 회전 공정은, 시각 t9－t10의 기간에 걸쳐, 기판(W)의 회전 속도를 제3 속도(V3)로 유지한다. 기판(W) 상의 용제(A)의 대부분은 기판(W) 밖에 버려진다. 기판(W) 상의 용제(A)의 막이 얇아진다.
＜단계 S3＞ 약액 공급 공정(t10－t15)
제어부(41)는, 이동 기구(37)을 구동하여 노즐(36)을 퇴피 위치로부터 처리 위치에 이동시키고, 개폐 밸브(35)를 개방하여 노즐(36)로부터 레지스트를 토출시킨다. 이것에 의해, 시각 t10에 있어서, 기판(W)에 레지스트를 공급하기 시작한다. 기판(W)에 대한 레지스트의 공급은 시각 t15까지 계속된다. 기판(W)에 레지스트를 공급하는 시각 t10－t15의 사이, 제어부(41)는, 기판(W)의 회전 속도를 증감시킨다.
구체적으로는, 시각 t10－t11의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전 속도는 제3 속도(V3)로 유지된다. 시각 t11－t12의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도는 제3 속도(V3)로부터 제3 속도(V3)보다 큰 속도(VR)로 증가한다. 시각 t12－t13의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도는 속도(VR)로 유지된다. 시각 t13－t14의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도는 속도(VR)로부터 영까지 감소한다. 시각 t14－t15의 기간에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도는 영으로 유지된다.
기판(W)에 대한 레지스트의 공급은, 시각 t15에 있어서 종료한다. 이러한 약액 공급 공정에 의해 기판(W)의 표면에 레지스트막이 형성된다.
처리예 1의 순서에 대해서는, 이상대로이다.
다음에, 비교예를 예시한 다음, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질에 관해서, 처리예 1과 비교예를 비교한다.
도 5는, 비교예에 따른 기판 처리 방법의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 비교예 1은, 시각 ta－tc에 걸쳐, 기판(W)의 회전 속도를 소정의 저속도(VL)로 유지한다. 저속도(VL)는, 예를 들면, 영이다. 또한, 시각 ta부터, 용제(A)를 기판(W)에 공급하기 시작한다. 이것에 의해, 기판(W) 상에 용제(A)의 코어가 생성된다. 시각 tb에 있어서, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 종료한다.
시각 tc－td에 있어서, 기판(W)의 회전 속도를 저속도(VL)로부터 고속도(VH)로 즉시 증가한다. 고속도(VH)는 비교적으로 높다. 고속도(VH)는, 예를 들면 수백~수천 rpm이다. 시각 td 이후에 있어서, 기판(W)의 회전 속도를 고속도(VH)로 유지한다. 용제(A)는, 시각 tc 이후에 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다.
도 6은, 처리예 1의 순서로 용제를 공급하는 처리를 행한 기판(W)에 대해서, 파티클을 측정한 결과이다. 구체적으로는, 처리예 1 중, 용제 공급 공정과 단순 회전 공정만을 행하고, 약액 공급 공정을 행하지 않은 기판(W)에 대해서, 파티클을 측정한 결과이다. 도 7은, 비교예의 순서로 용제를 공급하는 처리를 행한 기판(W)에 대해서, 파티클을 측정한 결과이다. 도 6, 도 7은 각각, 기판(W)의 평면도에 있어서, 파티클이 검출된 위치를 나타낸다.
처리예 1에서는, 35개의 파티클(B)이 검출되었다. 이것에 대해, 비교예에서는, 120개의 파티클(B)이 검출되었다. 이와 같이, 처리예 1에 있어서의 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리에서는, 파티클(B)의 수가, 비교예의 3분의 1 이하로 억제되었다.
본 발명자들은 파티클(B)의 발생에 관해서, 이하와 같이 추측한다.
도 8a－8e는 각각, 비교예에 있어서의, 기판(W)상의 용제(A)의 행동을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 8a－8e는, 기판(W)의 부분적인 수직 단면도이다.
비교예에서는, 우선, 기판(W) 상에 용제(A)의 코어를 생성한다(도 8a 참조). 계속해서, 기판(W)의 회전 속도가 저속도(VL)에서 고속도(VH)로 증가한다. 기판(W)의 회전 속도가 증가할 때, 용제(A)의 코어의 확대는 원활하게 행해지지 않는다. 보다 구체적으로 말하면, 기판(W)의 회전 속도가 증가할 때, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러진다(도 8b, 8c 참조). 예를 들면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)가 기판(W)의 표면으로부터 떠오른다. 예를 들면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)가 들쭉날쭉한 형상이 된다. 가장자리(e)가 흐트러진 형상으로 늘어나기 때문에, 용제(A)의 코어는 기포(b)를 말려 들게 한다(도 8d 참조). 말려 들어간 기포(b)는, 기판(W) 상에 고인다. 용제(A)는 기판(W)의 둘레 가장자리(E)를 향해 기판(W) 상을 흐르지만, 말려 들어간 기포(b)는 용제(A)와 함께 흐르지 않는다. 용제(A)의 막이 박막화된 후, 혹은, 용제(A)가 건조한 후, 기포(b)의 자국이 파티클(B)이 된다(도 8e 참조).
가장자리(e)의 형상의 흐트러짐의 원인은, 몇 개 정도 생각할 수 있다.
제1 원인은, 기판(W)의 회전 속도가 고속도(VH)로 즉시 증가하는 것이다. 도 5에 나타내는 시각 tc의 직후, 원심력은 급격하게 증대한다. 용제(A)의 코어가 비교적으로 큰 원심력을 갑자기 받는다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러진다.
제2 원인은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급이 행해지지 않는 것이다. 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급이 계속되지 않는다. 이 때문에, 용제(A)의 코어가 확대함에 따라, 용제(A)의 코어의 두께가 얇아진다. 용제(A)의 코어가 확대함에 따라, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)는 기판(W)상을 원 활하게 늘어나기 어려워진다. 이 때문에, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러진다.
도 7을 참조한다. 비교예에서는, 많은 파티클(B)이, 기판(W)의 중앙부에 위치하는 가상 원(C) 상에 분포한다. 이것은, 기판(W)의 회전 속도가 증가하기 시작한 직후(즉, 시각 tc의 직후)에, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러져, 용제(A)의 코어가 다수의 기포(b)를 말려 들게 한 것을 의미한다.
도 9a－9d는 각각, 처리예 1에 있어서의, 기판(W) 상의 용제(A)의 행동을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 9a－9d는, 기판(W)의 부분적인 수직 단면도이다.
처리예 1에서는, 우선, 기판(W) 상에 용제(A)의 코어가 형성된다(도 9a 참조). 그 후, 기판(W)의 회전 속도가 단계적으로 증가한다. 용제(A)의 코어가 확대한다. 그 때, 용제(A)의 코어의 확대는 원활하게 행해진다. 보다 구체적으로 말하면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상은 흐트러지기 어렵다(도 9b 참조). 바꾸어 말하면, 가장자리(e)는 기판(W)의 표면에 접촉하는 형상으로 유지된다. 이 때문에, 용제(A)의 코어는, 기포를 말려 들게 하지 않고 확대한다. 따라서, 용제(A)가 기판(W)의 표면을 덮은 후에 있어서도, 기포는 기판(W) 상에 거의 존재하지 않는다(도 9c 참조). 그 결과, 용제(A)의 막이 박막화된 후, 혹은, 용제(A)가 건조한 후, 기포에 기인하는 파티클(B)이 생기기 어렵다(도 9d 참조).
또한, 본 명세서에서는, 「용제(A)의 코어가 원활하게 확대한다」란, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)가 기판(W)에 접촉한 상태로, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)가 기판(W)을 따라서 연장되는 것과 동의이다.
이하에 예시하는 3개의 조건 중 적어도 어느 하나를 만족하면, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 또한, 처리예 1은 3개의 조건을 모두 만족하기 때문에, 용제(A)의 코어를 매우 원활하게 확대할 수 있다.
제1 조건은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속하는 것이다. 처리예 1에서는, 기판(W)에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달할 때까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 이 때문에, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)는 기판(W)의 표면을 따라서 원활하게 늘어난다. 즉, 용제(A)의 코어는 원활하게 확대한다.
제2 조건은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)의 회전 속도가 완만하게 증가하는 것이다. 처리예 1에서는, 기판(W)의 회전 속도는 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로, 제2 속도(V2)에서 제3 속도(V3)로 단계적으로 증가한다. 기판(W)의 회전 속도가 서서히 증가하기 때문에, 원심력은 완만하게 증대한다. 이 때문에, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상은 원심력에 의해서 흐트러지기 어렵다.
제3 조건은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)의 회전 속도가 비교적으로 낮은 것이다. 처리예 1에서는, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작했을 때부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달할 때까지, 기판(W)의 회전 속도는, 제3 속도(V3)(즉, 100 rpm) 이하로 제한된다. 이 때문에, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 원심력에 의해서 흐트러지는 것을, 적합하게 억제할 수 있다.
용제(A)의 코어의 원활한 확대와 용제(A)의 코어의 균등한 확대 사이에는, 일정한 상관이 있다. 환언하면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 미시적인 형상과, 용제(A)의 코어의 거시적인 형상은 일정한 상관 관계가 있다.
예를 들면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러지지고 있지 않으면, 평면에서 보아서 용제(A)의 코어는 원 형상으로 유지된다라고 할 수 있다. 예를 들면, 평면에서 보아 용제(A)의 코어가 원 형상으로 유지되고 있으면, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러지고 있지 않다고 할 수 있다. 예를 들면, 용제(A)의 코어가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)의 일부분을 향해 가늘고 길게 늘어나는 부분(「수염」또는 「줄기」라고도 불린다)을 가지는 경우, 용제(A)의 코어의 가장자리(e)의 형상이 흐트러지고 있다고 할 수 있다.
이 때문에, 평면에서 보아 용제(A)의 코어를 원 형상으로 유지하는 것은, 용제 공급 공정에 있어서의 목표 또는 기준이 된다.
파티클(B)의 발생에 관한 추측은, 이상대로이다.
＜처리예 1의 효과＞
처리예 1에 의하면, 이하의 효과를 나타낸다.
용제 공급 공정은, 기판(W)의 중앙부에 용제(A)를 공급함으로써, 기판(W)의 중앙부에 용제(A)의 하나의 코어를 일시적으로 형성한다. 용제 공급 공정은, 기판(W)의 회전 속도를 증가시킴으로써, 용제(A)의 코어를 기판(W)의 둘레 가장자리(E)를 향하여 확대한다. 용제 공급 공정은, 또한, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t3부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8까지에 걸쳐, 기판(W)에 용제(A)를 계속 공급한다. 이것에 의해, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8까지, 용제(A)의 코어가 원활하게 확대한다. 그 결과, 파티클(B)의 발생을 효과적으로 억제하면서, 기판(W)의 표면의 전부를 용제(A)로 덮을 수 있다. 즉, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
용제 공급 공정은 제1 등속 공정을 포함하기 때문에, 용제(A)의 코어를 기판(W) 상에 적합하게 형성할 수 있다.
제1 등속 공정에 있어서의 제1 속도(V1)는 0 rpm보다 크고, 또한 30 rpm 미만이며, 비교적으로 작다. 이 때문에, 용제(A)의 코어를 한층 적합하게 형성할 수 있다.
제1 등속 공정에 있어서 기판(W)의 중앙부에 용제(A)를 공급하기 시작한다. 이 때문에, 용제(A)의 코어를 기판(W) 상의 중앙부에 적합하게 생성할 수 있다.
용제 공급 공정은 제1 등속 공정에 더하여, 제2, 제3 등속 공정을 포함하고, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t3부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8까지의 사이에, 기판(W)의 회전 속도를 3개의 단계에 의해서 증가한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
용제 공급 공정은 제1 가속 공정을 포함하기 때문에, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8의 전에, 용제(A)에 작용하는 원심력(F)을 적극적으로 증대할 수 있다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
용제 공급 공정은 제1 가속 공정에 더하여 제2 가속 공정을 포함한다. 이 때문에, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8의 전에, 용제(A)에 작용하는 원심력을 복수회(2회), 적극적으로 증대할 수 있다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8에 있어서의 기판(W)의 회전 속도는, 제3 속도(V3)이다. 제3 속도(V3)는 1500 rpm 미만이며, 비교적으로 작다. 따라서, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 또한, 제3 속도(V3)는 200 rpm 미만이며, 한층 작다. 따라서, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t3부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8까지에 걸쳐, 기판(W)의 회전 속도는 제3 속도(V3) 이하로 제한된다. 제3 속도(V3)는 비교적으로 작기 때문에, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
시간적으로 잇따라 행해지는 2개의 등속 공정의 사이에 있어서의 기판(W)의 회전 속도의 차이는, 100 rpm 이하이다. 예를 들면, 제1 속도(V1)와 제2 속도(V2)와의 차이는, 20 rpm이다. 예를 들면, 제2 속도(V2)와 제3 속도(V3)의 차이는, 70 rpm이다. 이와 같이, 기판(W)의 회전 속도는 완만하게 증가한다. 이 때문에, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t3부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t8까지의 사이, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급 위치는 항상 기판(W)의 표면의 중앙부이다. 따라서, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
용제 공급 공정은 사전 가속 공정을 포함하기 때문에, 제1 등속 공정을 적합하게 준비할 수 있다.
기판 처리 방법은, 단순 회전 공정을 구비하기 때문에, 기판(W)상에 형성된 용제(A)의 막의 두께를 적합하게 얇게 할 수 있다.
기판 처리 방법은 약액 공급 공정을 구비하기 때문에, 레지스트를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질도 적합하게 높일 수 있다.
［처리예 2］
다음에, 처리예 2를 설명한다. 도 10은, 처리예 2의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 또한, 처리예 1과 동일한 단계에 대해서는, 동일 부호를 부여하여 간략하게 설명한다.
처리예 2는, 용제 공급 공정(단계 S1)과 약액 공급 공정(단계 S3)을 포함한다. 처리예 2는, 우선 용제 공급 공정을 행한다. 처리예 2는, 용제 공급 공정의 후에 약액 공급 공정을 행한다. 처리예 2는, 단순 회전 공정을 포함하지 않는다. 처리예 2의 용제 공급 공정은, 6개의 공정(단계 S1a－S1f)을 포함한다.
도 11은, 처리예 2의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 11을 참조하여, 전술한 각 공정을 상세하게 설명한다.
＜단계 S1a＞ 사전 가속 공정(시각 t21－t22)
사전 가속 공정은, 시각 t21－t22의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 0 rpm에서 제1 속도(V1)로 증가시킨다.
제1 속도(V1)는 예를 들면 20 rpm이다. 시각 t21－t22의 기간은 예를 들면 0.1 sec이다. 시각 t21－t22의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 200 rpm/sec이다.
＜단계 S1b＞ 제1 등속 공정(시각 t22－t24)
제1 등속 공정은, 시각 t22부터 시각 t24까지, 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로 유지한다. 제1 등속 공정은, 시각 t23부터 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다.
시각 t22－t24의 기간은 예를 들면 3 sec이다.
＜단계 S1c＞ 제1 가속 공정(시각 t24－t25)
제1 가속 공정은, 시각 t24－t25의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로 가속한다. 제1 가속 공정은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
제2 속도(V2)는 예를 들면 50 rpm이다. 시각 t24－t25의 기간은 예를 들면 0.5 sec이다. 시각 t24－t25의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 60 rpm/sec이다.
＜단계 S1d＞ 제2 등속 공정(t25－t26)
제2 등속 공정은, 시각 t25로부터 시각 t26까지, 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)로 유지한다. 제2 등속 공정은, 시각 t25부터 시각 t26까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
시각 t25－t26의 기간은 예를 들면 3 sec이다.
＜단계 S1e＞ 제2 가속 공정(시각 t26－t27)
제2 가속 공정은, 시각 t26－t27의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)에서 제3 속도(V3)로 가속한다. 제2 가속 공정은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
제3 속도(V3)는 예를 들면 100 rpm이다. 시각 t26－t27의 기간은 예를 들면 1.0 sec이다. 시각 t26－t27의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 50 rpm/sec이다.
＜단계 S1f＞ 제3 등속 공정(t27－t29)
제3 등속 공정은, 시각 t27부터 시각 t29까지, 기판(W)의 회전 속도를 제3 속도(V3)로 유지한다. 제3 등속 공정은, 시각 t27부터 시각 t29까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 제3 등속 공정의 실행 중, 용제(A)는, 시각 t28 에 있어서 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다.
시각 t27－t29의 기간은 예를 들면 3 sec이다.
시각 t29에 있어서, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지한다. 이것에 의해, 제3 등속 공정이 종료하고, 용제 공급 공정이 종료한다.
＜단계 S3＞ 약액 공급 공정(t29 이후)
약액 공급 공정은, 시각 29부터 레지스트를 기판(W)에 공급하기 시작한다. 즉, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지했을 때에, 기판(W)에 대한 레지스트의 공급을 개시한다. 약액 공급 공정은, 시각 t29 이후, 기판(W)의 회전 속도를 바꾸면서, 기판(W)에 레지스트를 공급한다.
＜처리예 2의 효과＞
처리예 2에 의해서도, 처리예 1과 동일한 효과를 나타낸다. 예를 들면, 처리예 2에 의해서, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 처리예 2는, 용제 공급 공정을 종료했을 때에 약액 공급 공정을 시작한다. 환언하면, 처리예 2는, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 종료한 시각 t29에, 기판(W)에 레지스트를 공급하기 시작한다. 용제(A)가 건조하기 전에 레지스트가 용제(A) 상에 공급되기 때문에, 레지스트는 기판(W) 상을 한층 원활하게 퍼진다. 이것에 의해, 레지스트를 기판(W)에 공급하는 처리(즉, 기판(W) 상에 레지스트막을 형성하는 처리)의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
［처리예 3］
다음에, 처리예 3을 설명한다. 도 12는, 처리예 3의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 또한, 처리예 1과 동일한 단계에 대해서는, 동일 부호를 부여하여 간략하게 설명한다.
처리예 3은, 용제 공급 공정(단계 S1)과 단순 회전 공정(단계 S2)과 약액 공급 공정(단계 S3)을 포함한다. 처리예 3의 용제 공급 공정(단계 S1)의 내용은, 처리예 1의 용제 공급 공정과 상이하다. 처리예 3의 용제 공급 공정은, 7개의 공정(단계 S1b－S1h)을 포함한다.
도 13은, 처리예 3의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 13을 참조하여, 용제 공급 공정을 상세하게 설명한다. 또한, 단순 회전 공정과 약액 공급 공정은, 처리예 1과 대략 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
＜단계 S1b＞ 제1 등속 공정(시각 t30－t32)
제1 등속 공정은, 시각 t30부터 시각 t32까지, 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로 유지한다. 제1 등속 공정은, 시각 t31부터 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다.
제1 속도(V1)는 예를 들면 영이다. 시각 t30－t32의 기간은 예를 들면 2 sec이다.
＜단계 S1c＞ 제1 가속 공정(시각 t32－t33)
제1 가속 공정은, 시각 t32－t33의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로부터 제2 속도(V2)로 가속한다. 제1 가속 공정은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
제2 속도(V2)는 예를 들면 10 rpm이다. 시각 t32－t33의 기간은 예를 들면 0.1 sec이다. 시각 t32－t33의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 100 rpm/sec이다.
＜단계 S1d＞ 제2 등속 공정(t33－t34)
제2 등속 공정은, 시각 t33부터 시각 t34까지, 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)로 유지한다. 제2 등속 공정은, 시각 t33부터 시각 t34까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
시각 t33－t34의 기간은 예를 들면 2 sec이다.
＜단계 S1e＞ 제2 가속 공정(시각 t34－t35)
제2 가속 공정은, 시각 t34－t35의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제2 속도(V2)에서 제3 속도(V3)로 가속한다. 제2 가속 공정은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
제3 속도(V3)는 예를 들면 30 rpm이다. 시각 t35－t36의 기간은 예를 들면 0.5 sec이다. 시각 t34－t35의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 40 rpm/sec이다.
＜단계 S1f＞ 제3 등속 공정(t35－t36)
제3 등속 공정은, 시각 t35부터 시각 t36까지, 기판(W)의 회전 속도를 제3 속도(V3)로 유지한다. 제3 등속 공정은, 시각 t35부터 시각 t36까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
시각 t35－t36의 기간은 예를 들면 2 sec이다.
＜단계 S1g＞ 제3 가속 공정(시각 t36－t37)
제3 가속 공정은, 시각 t36－t37의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제3 속도(V3)에서 제4 속도(V4)로 가속한다. 제3 가속 공정은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다.
제4 속도(V4)는 예를 들면 100 rpm이다. 시각 t36－t37의 기간은 예를 들면 1.0 sec이다. 시각 t36－t37의 기간에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 예를 들면 70 rpm/sec이다.
＜단계 S1h＞ 제4 등속 공정(t37－t39)
제4 등속 공정은, 시각 t37부터 시각 t39까지 기판(W)의 회전 속도를 제4 속도(V4)로 유지하고, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 제4 등속 공정의 실행 중, 용제(A)는, 시각 t38에 있어서 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다.
시각 t37－t39의 기간은 예를 들면 4 sec이다.
제4 등속 공정의 종료 시인 시각 t39에 있어서, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지한다. 이것에 의해, 제4 등속 공정이 종료하고, 용제 공급 공정이 종료한다.
＜처리예 3의 효과＞
처리예 3에 의해서, 처리예 1과 동일한 효과를 나타낸다. 예를 들면, 처리예 3에 의해서, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 처리예 3에 의하면, 제1 등속 공정에 있어서의 제1 속도(V1)가 영이기 때문에, 제1 등속 공정은 정지하는 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 기판(W) 상에 적합하게 생성할 수 있다.
용제 공급 공정은, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한 시각 t31부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t38까지, 4개의 등속 공정(즉, 제1－제4 등속 공정)을 실행한다. 즉, 용제 공급 공정은, 기판(W)의 회전 속도를 4개의 단계에 의해서 증가한다. 따라서, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
［처리예 4］
다음에, 처리예 4를 설명한다. 도 14는, 처리예 4의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 또한, 처리예 1과 동일한 단계에 대해서는, 동일 부호를 부여하여 간략하게 설명한다.
도시하는 바와 같이, 처리예 4는, 용제 공급 공정(단계 S1)과 단순 회전 공정(단계 S2)을 포함한다. 처리예 4는, 약액 공급 공정을 포함하지 않는다. 처리예 4의 용제 공급 공정의 내용은, 처리예 1의 용제 공급 공정과 상이하다. 처리예 4의 용제 공급 공정은, 2개의 공정(단계 S1b, S1c)을 포함한다.
도 15는, 처리예 4의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 15를 참조하여, 용제 공급 공정을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 단순 회전 공정은, 처리예 1과 대략 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
＜단계 S1b＞ 제1 등속 공정(시각 t41－t43)
제1 등속 공정은, 시각 t41부터 시각 t43까지, 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로 유지한다. 제1 등속 공정은, 시각 t42부터 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다.
제1 속도(V1)는 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만인 것이 바람직하다.
＜단계 S1c＞ 제1 가속 공정(시각 t43－t46)
제1 가속 공정은, 시각 t43－t46의 기간에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 제1 속도(V1)로부터 가속한다. 시각 t43－t46에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는 일정하다. 제1 가속 공정은 시각 t44까지 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 제1 가속 공정은, 시각 t44에 있어서 용제(A)의 공급을 종료한다. 용제(A)는, 시각 t45에 있어서 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다. 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 것은, 용제(A)의 공급을 종료한 후이다.
용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t45에 있어서의 기판(W)의 회전 속도(VE)는 1500 rpm 미만인 것이 바람직하다. 회전 속도(VE)는, 200 rpm 미만인 것이 더욱 바람직하다.
＜처리예 4의 효과＞
처리예 4에 의하면, 이하의 효과를 나타낸다. 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t42부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t45까지, 기판(W)의 회전 속도는 완만하게 증가한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 따라서, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달할 때의 기판(W)의 회전 속도(VE)는 비교적으로 낮다. 즉, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t42로부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t45까지, 기판(W)의 회전 속도는 비교적으로 낮은 범위로 제한된다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
제1 가속 공정은, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한 후에 행해지는 최초의 가속 공정이다. 이 제1 가속 공정이 시작될 때(보다 구체적으로 말하면, 제1 가속 공정에 있어서 기판(W)의 회전 속도를 가속하기 시작할 때)까지, 용제(A)의 공급을 계속한다. 따라서, 적어도 용제(A)의 코어가 확대하기 시작하는 초기의 단계에 있어서, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다.
［처리예 5］
다음에, 처리예 5를 설명한다. 도 16은, 처리예 5의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 또한, 처리예 1과 동일한 단계에 대해서는, 동일 부호를 부여하여 간략하게 설명한다.
도시하는 바와 같이, 처리예 5는, 용제 공급 공정(단계 S1)을 포함한다. 처리예 5는, 단순 회전 공정과 약액 공급 공정을 포함하지 않는다. 처리예 5의 용제 공급 공정의 내용은, 처리예 1의 용제 공급 공정과 상이하다. 처리예 5의 용제 공급 공정은, 1개의 공정(단계 S1i)을 포함한다.
도 17은, 처리예 5의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 17을 참조하여, 용제 공급 공정을 더욱 상세하게 설명한다.
＜단계 S1i＞ 가속 공정(시각 t51－t53)
가속 공정은, 시각 t51부터 시각 t53에 걸쳐, 기판(W)의 회전 속도를 가속한다. 가속 공정은, 시각 t51부터 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다. 가속 공정은, 시각 t53까지 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 가속 공정은, 시각 t53에 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 종료한다. 가속 공정의 실행 중, 용제(A)는 시각 t52 에 있어서 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다.
기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t51에 있어서의 기판(W)의 회전 속도 VS는, 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만인 것이 바람직하다. 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t52에 있어서의 기판(W)의 회전 속도(VE)는, 1500 rpm 미만인 것이 바람직하다. 회전 속도(VE)는, 200 rpm 미만인 것이 한층 바람직하다. 시각 t51부터 시각 t53까지, 기판(W)의 회전 가속도는 일정한 것이 바람직하다.
＜처리예 5의 효과＞
처리예 5에 의하면, 이하의 효과를 나타낸다.
용제 공급 공정은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)의 회전 속도를 완만하게 증가한다. 구체적으로는, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t51부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t52까지, 기판(W)의 회전 속도의 가속을 계속한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다. 따라서, 용제(A)를 기판(W)에 공급하는 처리의 품질을 효과적으로 높일 수 있다.
용제 공급 공정은, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 구체적으로는, 기판(W)에 용제를 공급하기 시작하는 시각 t51부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t52까지, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 계속한다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 원활하게 확대할 수 있다.
용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달할 때의 기판(W)의 회전 속도(VE)는, 비교적으로 낮다. 즉, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t51부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t52까지, 기판(W)의 회전 속도는 비교적으로 낮은 범위로 제한된다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어를 원 활하게 한층 확대할 수 있다.
기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작하는 시각 t51부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t52까지, 기판(W)의 회전 가속도는 일정하다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전 속도는 일정한 비율로 연속적으로 증가한다. 이 때문에, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
［처리예 6］
다음에, 처리예 6을 설명한다. 도 18은, 처리예 6의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 또한, 처리예 1과 동일한 단계에 대해서는, 동일 부호를 부여하여 간략하게 설명한다.
도시하는 바와 같이, 처리예 6은, 용제 공급 공정(단계 S1)을 포함한다. 처리예 6은, 단순 회전 공정과 약액 공급 공정을 포함하지 않는다. 처리예 6의 용제 공급 공정의 내용은, 처리예 1의 용제 공급 공정과 상이하다. 처리예 6의 용제 공급 공정은, 1개의 공정(단계 S1j)을 포함한다.
도 19는, 처리예 6의 순서를 나타내는 타이밍 차트이다. 도 19를 참조하여, 용제 공급 공정을 더욱 상세하게 설명한다.
＜단계 S1j＞ 가속 공정(시각 t61－t67)
가속 공정은, 시각 t61부터 기판(W)의 회전 속도를 가속하기 시작한다. 가속 공정은, 시각 t67에서 기판(W)의 회전 속도의 가속을 종료한다.
여기서, 기판(W)의 회전 속도를 가속하기 시작할 때, 가속 공정은 기판(W)의 회전 속도를 S자 형상으로 가속한다. 보다 구체적으로는, 시각 t61부터 시각 t63까지, 가속 공정은, 시간의 경과에 수반하여 단위시간 당의 기판(W)의 회전 가속도를 증가시킨다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전 속도를 가속하기 시작할 때, 기판(W)의 회전 가속도가 완만하게 커진다. 이하에서는, 시간의 경과에 수반하여 단위시간 당의 기판(W)의 회전 가속도를 증가시키는 것을, 「제1 S자 가속 구동」이라고 부른다.
또한, 기판(W)의 회전 속도의 가속을 종료할 때, 가속 공정은, 기판(W)의 회전 속도를 S자 형상으로 가속한다. 보다 구체적으로는, 시각 t64부터 시각 t67까지, 가속 공정은, 시간의 경과에 수반하여 단위시간 당의 기판(W)의 회전 가속도를 영까지 감소시킨다. 이것에 의해, 기판(W)의 회전 속도의 가속을 종료할 때, 기판(W)의 회전 가속도가 완만하게 작아진다. 이하에서는, 시간의 경과에 수반하여 단위시간 당의 기판(W)의 회전 가속도를 감소시키는 것을 「제2 S자 가속 구동」이라고 부른다.
제1 S자 가속 구동을 종료하고 나서 제2 S자 가속 구동을 개시할 때까지, 가속 공정은 기판(W)의 회전 가속도를 일정하게 유지한다. 보다 구체적으로는, 시각 t63부터 시각 t64까지에 걸쳐, 가속 공정은 기판(W)의 회전 속도를 일정한 가속도로 증가시킨다. 이하에서는, 기판(W)의 회전 속도를 일정한 가속도로 증가시키는 것을 「정가속 구동」이라고 부른다.
정가속 구동에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는, 제1 S자 가속 구동의 종료시에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도와 동일한 것이 바람직하다. 정가속 구동에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는, 제2 S자 가속 구동의 개시시에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도와 동일한 것이 바람직하다.
가속 공정은, 시각 t62부터 시각 t65에 걸쳐, 기판(W)에 용제(A)를 공급한다.
가속 공정은, 시각 t62에 용제(A)를 기판(W)에 공급하기 시작한다. 즉, 제1 S자 가속 구동을 행하고 있을 때 용제(A)를 기판(W)에 공급하기 시작한다.
가속 공정은, 시각 t65에 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지한다. 즉, 가속 공정은, 제2 S자 가속 구동을 행하고 있을 때에 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급을 정지한다.
용제(A)는, 제2 S자 가속 구동이 행해지고 있는 시각 t66에, 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한다. 이와 같이, 가속 공정은, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t66까지, 기판(W)의 회전 속도의 가속을 계속한다. 단, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t66은, 기판(W)에 대한 용제(A)의 공급이 종료하는 시각 t65의 후이다.
시각 t67 에 있어서, 가속 공정이 종료하고, 용제 공급 공정이 종료한다.
＜처리예 6의 효과＞
처리예 6에 의하면, 이하의 효과를 나타낸다.
용제 공급 공정은, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한 시각 t62부터 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하는 시각 t66까지의 기간의 적어도 일부에 있어서, 기판(W)의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시킨다. 이것에 의해, 용제(A)의 코어가 확대할 때, 기판(W)의 회전 속도는 지극히 완만하게 증가한다. 따라서, 용제(A)의 코어를 지극히 원활하게 확대할 수 있다.
용제 공급 공정은, 시각 t61부터 시각 t63의 기간에 있어서, 제1 S자 가속 구동을 행한다. 이것에 의해, 시간의 경과에 따라 기판(W)의 회전 속도를 완만하게 증가시킬 수 있다. 또한, 제1 S자 가속 구동을 행하고 있을 때, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작한다. 따라서, 기판(W) 상에 용제(A)의 코어를 한층 적합하게 생성할 수 있다.
용제 공급 공정은, 시각 t64부터 시각 t66까지의 기간에 있어서, 제2 S자 가속 구동을 행한다. 이것에 의해, 시간의 경과에 따라 기판(W)의 회전 속도를 완만하게 집속시킬 수 있다.
제1 S자 가속 구동의 종료시에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는, 정가속 구동에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도와 동일하다. 이 때문에, 제1 S자 가속 구동으로부터 정가속 구동으로 이행하는 시각 t63에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도가 급격하게 변화하지 않는다. 따라서, 용제(A)의 코어를 한층 원활하게 확대할 수 있다.
동일하게, 정가속 구동에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도는, 제2 S자 가속 구동의 개시시에 있어서의 기판(W)의 회전 가속도와 동일하다. 이 때문에, 정가속 구동으로부터 제2 S자 가속 구동으로 이행하는 시각 t64에 있어서, 기판(W)의 회전 가속도가 급격하게 변화하지 않는다. 따라서, 용제(A)의 코어를 기판(W)의 둘레 가장자리(E)를 향하여 한층 원활하게 확대할 수 있다.
본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 전술한 각 처리예 1－6에서는, 용제(A)의 공급 위치는 항상 기판(W)의 표면의 중앙부였지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 용제(A)의 공급 위치는 항상 기판(W)의 표면의 중앙부가 아니어도 된다. 예를 들면, 용제(A)의 공급 위치를 적당하게 변경해도 된다. 예를 들면, 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작할 때, 용제(A)의 공급 위치를 기판(W)의 중앙부로 하고, 그 후, 용제(A)의 공급 위치를 기판(W)의 둘레 가장자리(E)를 향해 이동해도 된다.
(2) 전술한 실시예에서는, 용제(A)는 레지스트의 습윤성을 향상시키는 것이었지만, 이것에 한정되지 않는다. 용제(A)는, 레지스트 이외의 도포액의 습윤성을 향상시키는 것이어도 된다. 여기서, 레지스트 이외의 도포액은, 예를 들면, 반사 방지막 재료, 보호막 재료, SOG(Spin On Glass)막 재료, SOD(Spin on Dielectric)막 재료 등이다. 혹은, 용제(A)는 도포액 이외의 약액의 습윤성을 향상시키는 것 이어도 된다. 도포액 이외의 약액은, 예를 들면 현상액이다.
용제(A)는, 기판(W)의 표면을 약액이 스며들기 쉬운 상태로 하는 것이어도 된다. 예를 들면, 용제(A)는, 기판(W)의 표면을 현상액이 스며들기 쉬운 상태로 하는 것이어도 된다.
용제(A)는, 약액을 희석하는 것이어도 된다.
혹은, 용제(A)를, 약액과 무관계한 용도로 사용해도 된다. 예를 들면, 용제(A)는, 기판(W)의 표면 개질을 행하는 것이어도 된다. 예를 들면, 용제(A)는, 기판(W)의 표면의 습윤성을 높이는 것이어도 좋다.
(2) 전술한 실시예에서는, 약액은 레지스트였지만, 이것에 한정되지 않는다. 전술한 바와 같이, 약액은, 레지스트 이외의 도포액(예를 들면, 반사 방지막 재료, 보호막 재료, SOG막 재료, SOD막 재료 등)이어도 된다. 혹은, 약액은, 현상액 등이어도 된다.
(3) 전술한 처리예 1, 3, 4의 단순 회전 공정은, 용제(A)를 건조시켜도 되고, 용제(A)를 건조시키지 않아도 된다.
(4) 전술한 처리예 1, 2에서는, 제1 등속 공정에 있어서 용제(A)를 기판(W)에 공급하기 시작하지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 사전 가속 공정에 있어서 용제(A)를 기판(W)에 공급하기 시작해도 된다.
(5) 전술한 처리예 1, 2에서는, 제3 등속 공정에 있어서 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달하지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2 등속 공정에 있어서 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달해도 된다. 이 변형 실시예에 있어서, 제2 가속 공정 및 제3 등속 공정 중 적어도 어느 하나를 생략해도 된다.
혹은, 제1, 제2 가속 공정 중 어느 하나에 있어서 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달해도 된다. 이 변형 실시예에 있어서도, 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달한 후의 등속 공정 및 가속 공정의 적어도 하나를 생략해도 된다.
(6) 전술한 각 처리예에 있어서, 용제 공급 공정이 가지는 등속 공정의 수를 적당하게 변경해도 된다. 예를 들면, 용제 공급 공정이 가지는 등속 공정의 수는 1개라도 된다. 예를 들면, 용제 공급 공정이 가지는 등속 공정의 수는 2개라도 된다. 예를 들면, 용제 공급 공정이 가지는 등속 공정의 수는 3개 이상이어도 된다. 예를 들면, 용제 공급 공정은 등속 공정을 포함하지 않아도 된다.
(7) 전술한 처리예 1－5에 있어서의 각 가속 공정은, 일정한 회전 가속도로 기판(W)의 회전 속도를 증가하지만, 이것에 한정되지 않는다. 즉, 적어도 어느 하나의 가속 공정은, 기판(W)의 회전 가속도를 변화시키면서, 기판(W)의 회전 속도를 증가시켜도 된다. 혹은, 적어도 어느 하나의 가속 공정은, 처리예 6에서 설명한 바와 같이, 기판(W)의 회전 속도를 S자 형상으로 가속해도 된다.
(8) 전술한 실시예에서는, 회전 보관 유지부(11)는 스핀 척(13)을 구비하고 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 회전 보관 유지부(11)은, 스핀 척(13) 대신에, 기판(W)의 둘레 가장자리(E)를 보관 유지하는 복수의 핀을 가지는 회전반을 구비해도 된다.
(9) 전술한 각 처리예에 있어서, 노즐(26, 36)이 이동하는 타이밍을 적당하게 변경해도 된다. 처리예 1에서는, 노즐(26)이 제1 등속 공정에 있어서 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 등속 공정의 전에 노즐(26)이 처리 위치로 이동해도 된다.
(10) 전술한 각 실시예 및 상기 (1)부터 (9)에서 설명한 각 변형 실시예에 대해서는, 다시 각 구성을 다른 변형 실시예의 구성에 치환 또는 조합하는 등하여 적당하게 변경해도 된다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서 이상의 설명이 아니라, 부가된 클레임을 참조해야 한다.
1: 기판 처리 장치 11: 회전 보관 유지부
21: 용제 공급부 26: 용제의 노즐
31: 레지스트 공급부 36: 레지스트의 노즐
41: 제어부 A: 용제
B: 파티클 b: 기포
C: 가상 원 E: 기판(W)의 둘레 가장자리
e: 용제(A)의 코어의 가장자리 Ra: 회전 중심
F: 원심력 V1: 제1 속도
V2: 제2 속도 V3: 제3 속도
V4: 제4 속도
VE: 용제(A)가 기판(W)의 둘레 가장자리(E)에 도달할 때의 기판(W)의 회전 속도
VS: 기판(W)에 용제(A)를 공급하기 시작할 때의 기판(W)의 회전 속도
W: 기판

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하고,
    상기 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은,
    기판의 회전 속도를 제1 속도로 유지하고, 또한 기판에 용제를 공급하는 제1 등속 공정과,
    상기 제1 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제1 속도로부터 상기 제1 속도보다 큰 제2 속도로 가속하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제1 가속 공정을 포함하고,
    상기 제1 가속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은,
    상기 제1 가속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도로 유지하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제2 등속 공정을 포함하며,
    상기 제2 등속 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은,
    상기 제2 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도로부터 상기 제2 속도보다 큰 제3 속도로 가속하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제2 가속 공정을 포함하고,
    상기 제2 가속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은,
    상기 제2 가속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제3 속도로 유지하고, 또한 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는 제3 등속 공정을 포함하고,
    상기 제3 등속 공정은 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 속도는 0 rpm 이상이고, 또한 30 rpm 미만인, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는 1500 rpm 미만인, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는 200 rpm 미만인, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지의 기간의 적어도 일부에 있어서, 기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시키는, 기판 처리 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    기판에 대한 용제의 공급을 종료한 후, 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    기판에 대한 용제의 공급을 종료한 후, 기판에 처리액을 공급하지 않고 기판을 회전시키는 단순 회전 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  12. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한, 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하고,
    상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판의 회전 속도를 3개 이상의 단계로 증가시키는, 기판 처리 방법
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은,
    기판의 회전 속도를 제1 속도로 유지하고, 또한, 기판에 용제를 공급하는 제1 등속 공정과,
    상기 제1 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제1 속도보다 큰 제2 속도로 유지하는 제2 등속 공정과,
    상기 제2 등속 공정 후에, 기판의 회전 속도를 상기 제2 속도보다 큰 제3 속도로 유지하는 제3 등속 공정을 포함하고,
    상기 제3 등속 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달하기 전에 개시하는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 12에 있어서,
    용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는 1500 rpm 미만인, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 12에 있어서,
    용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때의 기판의 회전 속도는 200 rpm 미만인, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 12에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은, 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지의 기간의 적어도 일부에 있어서, 기판의 회전 속도를 S자 형상으로 가속시키는, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 12에 있어서,
    기판에 대한 용제의 공급을 종료한 후, 기판에 약액을 공급하는 약액 공급 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
  19. 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    기판의 중앙부에 용제를 공급하고, 또한 기판의 회전 속도를 증가시키는 용제 공급 공정을 구비하고,
    상기 용제 공급 공정은 기판에 용제를 공급하기 시작했을 때부터 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지에 걸쳐 기판의 회전 속도의 가속을 계속하는, 기판 처리 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 용제 공급 공정은, 용제가 기판의 둘레 가장자리에 도달할 때까지, 기판에 대한 용제의 공급을 계속하는, 기판 처리 방법.
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