KR20110022530A - 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 - Google Patents

도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 Download PDF

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KR20110022530A
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Abstract

본 발명의 도포 처리 방법은 제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정, 기판의 회전을 제 2 회전수인 1500 rpm까지 감속시켜 기판을 제 2 회전수로 0.5 초 회전시키는 제 2 공정, 기판의 회전을 제 3 회전수까지 더 감속시켜 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정, 기판의 회전을 제 4 회전수까지 가속시켜 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 포함하고, 상기 제 1 공정의 도중부터 상기 제 3 공정의 도중까지 기판의 중심으로 레지스트액을 연속적으로 공급한다.

Description

도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치{COATING METHOD, COMPUTER STORAGE MIDIUM AND COATING APPARATUS}
본 발명은 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 차례로 행해져 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성되고 있다.
상술한 레지스트 도포 처리에서는 회전 중인 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 레지스트액을 공급하고 원심력에 의해 웨이퍼 상에서 레지스트액을 확산시킴으로써 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하는, 이른바 스핀 도포법이 많이 이용되고 있다.
또한, 이 스핀 도포법에서 레지스트액을 소량으로 균일하게 도포하는 방법으로서, 다음의 제 1 공정부터 제 3 공정까지를 실행하는 도포 처리 방법이 제안되어 있다. 먼저, 제 1 공정에서 고속의 제 2 회전수로 회전 중인 웨이퍼의 중심부로 레지스트액을 공급하여 웨이퍼 상에 레지스트액을 확산시킨다. 이 제 1 공정에서는 웨이퍼 상으로 공급되는 레지스트액이 소량이기 때문에, 레지스트액은 웨이퍼의 단부(端部)까지 확산되지 않는다. 이어서, 제 2 공정에서 고속의 웨이퍼의 회전을 제 2 회전수까지 일단 감속시키고, 웨이퍼 상의 레지스트액의 유동성을 향상시키기 위하여 제 1 공정에서의 레지스트액의 공급을 계속하여 행한다. 그 후, 제 2 공정에서의 레지스트액의 공급을 정지시킨 후, 제 3 공정에서 웨이퍼의 회전을 제 3 회전수까지 가속시켜 레지스트액을 웨이퍼의 표면의 전면에 확산시켜서 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포한다(일본특허공개공보 2008-71960호).
그러나, 상술한 종래의 방법을 이용했을 경우, 제 1 공정에서 레지스트액 중의 첨가제의 영향에 의해 웨이퍼 상의 레지스트액 표면의 접촉각이 커진다. 또한, 웨이퍼를 제 1 회전수로 고속 회전시키기 때문에, 웨이퍼 상의 레지스트액이 건조되어 당해 레지스트액 표면의 유동성이 저하된다. 이 때문에, 그 후에 행해지는 제 2 공정에서 제 2 회전수로 저속 회전 중인 웨이퍼로 레지스트액을 공급했을 경우, 앞서 제 1 공정에서 웨이퍼 상으로 공급된 레지스트액은 제 2 공정에서 웨이퍼 상으로 공급된 레지스트액과 융합되지 않는다. 그러면, 후속의 제 3 공정에서 웨이퍼를 제 3 회전수로 회전시켜 레지스트액을 웨이퍼 상으로 확산시킨 경우, 도 18에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주부에서 레지스트액(R)이 외측 방향으로 불규칙하게 줄무늬 형상으로 확산되어 날카롭고 긴 도포 얼룩(L)이 방사 형상으로 출현하는 경우가 있었다. 이와 같이 종래의 방법으로는 웨이퍼 면내에서 레지스트액을 균일하게 도포할 수 없었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 상에 도포액을 도포할 때에 도포액의 공급량을 소량으로 억제하면서 기판 면내에서 균일하게 도포액을 도포하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 도포액을 도포하는 방법으로서, 제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과, 그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 가지고, 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하고, 상기 제 2 회전수는 1500 rpm ~ 2000 rpm이다.
발명자들이 조사한 바, 제 2 회전수인 1500 rpm ~ 2000 rpm으로 회전 중인 기판으로 도포액을 공급하면, 도포액의 건조를 억제하면서 기판 상에 도포액이 확산된다는 것을 알았다. 따라서, 기판을 제 2 회전수로 회전시켰을 경우, 도포액이 기판의 동심원 형상으로 확산되어 기판 상에 도포 얼룩을 발생시키지 않고 도포액을 도포할 수 있는 것을 알았다.
한편, 기판으로의 도포액의 공급량을 소량으로 했을 경우에, 제 2 회전수로 회전 중인 기판 상에 도포액을 확산시키려고 하면 기판의 회전 속도가 늦기 때문에 도포액의 확산 속도도 늦어진다. 그러면, 기판 상의 도포액의 막 두께 분포가 불균일해진다. 이 때문에, 소량의 도포액을 기판 상에 균일하게 도포하기 위해서는, 제 2 회전수보다 빠른 제 1 회전수로 기판을 회전시킴으로써 기판 상의 도포액을 확산시킬 필요가 있다는 것을 알았다.
따라서, 본 발명에서는, 먼저 제 1 공정에서 제 1 회전수로 기판을 회전시키면서 기판의 중심부로 도포액을 공급하고 있으므로, 기판으로의 도포액의 공급량이 소량인 경우에도 당해 도포액을 균일하게 확산시킬 수 있다. 그 후 제 2 공정에서 제 2 회전수로 기판을 회전시키므로, 제 1 공정에서 공급된 도포액은 그 건조가 억제되면서 기판 상으로 확산된다. 그러면, 제 1 공정에서 공급된 도포액과 제 2 공정에서 공급된 도포액이 쉽게 융합되기 때문에, 도포액은 기판의 동심원 형상으로 확산된다. 그 후 제 3 공정에서, 제 2 회전수보다 더 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키므로, 기판 상의 도포액은 균일해져 평탄화된다. 즉, 저속의 제 3 회전수로 기판을 회전시킴으로써, 예를 들면 기판의 외주부의 도포액에 중앙부로 끌어 들여지는 힘이 작용하여 도포액의 막 두께의 균일화가 도모된다. 또한, 이 제 3 공정에서 기판의 중심부로 도포액을 공급하므로, 기판 상의 도포액의 유동성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 후속의 제 4 공정에서, 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키고 있으므로, 도포액을 기판의 표면의 전면에 원활하게 확산시킬 수 있다. 이 때, 제 2 공정에서 기판의 동심원 형상으로 확산되어 있는 도포액은 그대로 기판의 동심원 형상으로 확산되므로, 기판 상에 도포 얼룩이 발생할 일은 없다. 이상과 같이 본 발명의 도포 처리 방법에 따르면, 도포액의 공급량을 소량으로 억제하면서 기판 면내에서 균일하게 도포액을 도포할 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 도포 처리 방법을 도포 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 당해 도포 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서, 상기 도포 처리 방법은, 제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과, 그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 가지고, 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하고, 상기 제 2 회전수는 1500 rpm ~ 2000 rpm이다.
또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치로서, 기판을 보지(保持)하여 회전시키는 회전 보지부와, 기판으로 도포액을 공급하는 도포액 노즐과, 제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 1500 rpm ~ 2000 rpm인 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과, 그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하도록 상기 도포액 노즐을 제어하는 제어부를 가진다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 도포액을 도포할 때에 도포액의 공급량을 소량으로 억제하면서 기판 면내에서 균일하게 도포액을 도포할 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 3은 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 4a는 제 5 회전수로 회전 중인 웨이퍼 상을 레지스트액이 확산하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 4b는 제 1 회전수로 회전 중인 웨이퍼 상을 레지스트액이 확산하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 4c는 제 2 회전수로 회전 중인 웨이퍼 상을 레지스트액이 확산하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 4d는 제 4 회전수로 회전 중인 웨이퍼 상을 레지스트액이 확산하는 모습을 도시한 설명도이다.
도 4e는 웨이퍼 상에 레지스트막이 형성된 모습을 도시한 설명도이다.
도 5는 웨이퍼의 중심으로부터 145 mm의 위치에서의 레지스트액의 막 두께의 레인지(range)와 레지스트액의 접촉각과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도포 얼룩이 발생하지 않은 웨이퍼의 회전수와 레지스트액의 접촉각과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 실시예와 비교예에 대하여 웨이퍼의 외주부 상의 레지스트막의 막 두께를 나타낸 그래프이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 15는 다른 실시예와 비교예에 대하여, 웨이퍼의 외주부 상의 레지스트막의 막 두께를 나타낸 그래프이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다.
도 18은 종래의 도포 처리 방법을 이용했을 경우에서, 웨이퍼 상을 레지스트액이 확산하는 모습을 도시한 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 도포 처리 장치로서의 레지스트 도포 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다. 도 2는 레지스트 도포 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다. 또한, 본 실시예에서는 도포액으로서 레지스트액이 이용된다. 또한, 본 실시예에서 기판으로서 이용되는 웨이퍼(W)의 직경은 300 mm이다.
레지스트 도포 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 처리 용기(10)를 가지고 있다. 처리 용기(10) 내의 중앙부에는 웨이퍼(W)를 보지(保持)하여 회전시키는 회전 보지부로서의 스핀 척(20)이 설치되어 있다. 스핀 척(20)은 수평한 상면을 가지고, 당해 상면에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(20) 상에 흡착 보지할 수 있다.
스핀 척(20)은, 예를 들면 모터 등을 구비한 척 구동 기구(21)를 가지고, 이 척 구동 기구(21)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(21)에는 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있고, 스핀 척(20)은 상하 이동 가능하게 되어 있다.
스핀 척(20)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 비산(飛散) 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 컵(22)이 설치되어 있다. 컵(22)의 하면에는 회수된 액체를 배출하는 배출관(23)과, 컵(22) 내의 분위기를 배기하는 배기관(24)이 접속되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 컵(22)의 X 방향 부방향(도 2의 하방향)측에는 Y 방향(도 2의 좌우 방향)을 따라 연장되는 레일(30)이 형성되어 있다. 레일(30)은, 예를 들면 컵(22)의 Y 방향 부방향(도 2의 좌방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 2의 우측향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(30)에는, 예를 들면 2 개의 암(31, 32)이 장착되어 있다.
제 1 암(31)에는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)로 레지스트액을 공급하는 도포액 노즐로서의 레지스트액 노즐(33)이 지지되어 있다. 제 1 암(31)은 도 2에 도시한 노즐 구동부(34)에 의해 레일(30) 상을 이동 가능하다. 이에 따라, 레지스트액 노즐(33)은 컵(22)의 Y 방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(35)로부터 컵(22) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 제 1 암(31)은 노즐 구동부(34)에 의해 승강 가능하며, 레지스트액 노즐(33)의 높이를 조정할 수 있다.
레지스트액 노즐(33)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 레지스트액 공급원(36)에 연통되는 공급관(37)이 접속되어 있다. 레지스트액 공급원(36) 내에는 레지스트액이 저장되어 있다. 공급관(37)에는 레지스트액의 흐름을 제어하는 밸브 또는 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(38)이 설치되어 있다.
제 2 암(32)에는 레지스트액의 용제, 예를 들면 시너를 공급하는 용제 노즐(40)이 지지되어 있다. 제 2 암(32)은 도 2에 도시한 노즐 구동부(41)에 의해 레일(30) 상을 이동 가능하며, 용제 노즐(40)을 컵(22)의 Y 방향 부방향측의 외방에 설치된 대기부(42)로부터 컵(22) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동시킬 수 있다. 또한, 노즐 구동부(41)에 의해 제 2 암(32)은 승강 가능하며, 용제 노즐(40)의 높이를 조절할 수 있다.
용제 노즐(40)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 용제 공급원(43)에 연통되는 공급관(44)이 접속되어 있다. 용제 공급원(43) 내에는 용제가 저장되어 있다. 공급관(44)에는 용제의 흐름을 제어하는 밸브 또는 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(45)이 설치되어 있다. 또한, 이상의 구성에서는, 레지스트액을 공급하는 레지스트액 노즐(33)과 용제를 공급하는 용제 노즐(40)이 각각 다른 암에 지지되어 있었지만, 동일한 암에 지지되어, 이 암의 이동의 제어에 따라 레지스트액 노즐(33)과 용제 노즐(40)의 이동과 공급 타이밍을 제어해도 좋다.
상술한 스핀 척(20)의 회전 동작과 상하 동작, 노즐 구동부(34)에 의한 레지스트액 노즐(33)의 이동 동작, 공급 기기군(38)에 의한 레지스트액 노즐(33)의 레지스트액의 공급 동작, 노즐 구동부(41)에 의한 용제 노즐(40)의 이동 동작, 공급 기기군(45)에 의한 용제 노즐(40)의 용제의 공급 동작 등의 구동계의 동작은 제어부(50)에 의해 제어되고 있다. 제어부(50)는, 예를 들면 CPU 또는 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 예를 들면 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써 레지스트 도포 장치(1)에서의 레지스트 도포 처리를 실현할 수 있다. 또한, 레지스트 도포 장치(1)에서의 레지스트 도포 처리를 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체(H)에 기억되어 있는 것으로서, 이 기억 매체(H)로부터 제어부(50)에 인스톨된 것이 이용되고 있다.
이어서, 이상과 같이 구성된 레지스트 도포 장치(1)에서 행해지는 도포 처리 프로세스에 대하여 설명한다. 도 3은 도포 처리 프로세스의 각 공정에서의 웨이퍼(W)의 회전수와 레지스트액 및 용제의 공급 타이밍을 나타낸 그래프이다. 도 4a 내지 4e는 도포 처리 프로세스의 주된 공정에서의 웨이퍼(W) 상의 액막 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 또한, 도 3에서의 프로세스의 시간의 길이는 기술 이해의 용이성을 우선시 하기 때문에, 반드시 실제 시간의 길이에 대응하지는 않는다.
레지스트 도포 장치(1)로 반입된 웨이퍼(W)는, 우선 스핀 척(20)에 흡착 보지된다. 이어서, 제 2 암(32)에 의해 대기부(42)의 용제 노즐(40)이 웨이퍼(W)의 중심부의 상방까지 이동한다. 이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 정지하고 있는 상태에서 용제 노즐(40)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 소정량의 용제가 공급된다. 그 후 척 구동 기구(21)를 제어하여 스핀 척(20)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키고, 그 회전수를, 예를 들면 2000 rpm까지 상승시킨다. 이 2000 rpm의 회전수로 웨이퍼(W)를, 예를 들면 0.3 초간 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 중심부로 공급된 용제는 외주부를 향하여 확산되고, 즉 프리웨팅(pre-wetting)이 행해져 웨이퍼(W)의 표면이 용제로 젖은 상태가 된다. 그 후 용제가 웨이퍼(W)의 표면의 전체 면에 확산되면, 웨이퍼(W)의 회전을 제 5 회전수인, 예를 들면 10 rpm ~ 500 rpm, 본 실시예에서는 500 rpm까지 감속시킨다(도 3의 공정(S1)). 이와 같이 웨이퍼(W) 상을 용제가 확산하는 동안에, 용제 노즐(40)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로부터 이동하고, 제 1 암(31)에 의해 대기부(35)의 레지스트액 노즐(33)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동한다.
그 후, 웨이퍼(W)를 제 5 회전수로, 예를 들면 0.4 초간 회전시킨다. 이 때, 제 5 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전 개시로부터, 예를 들면 0.2 초 후에, 레지스트액 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 소정량의 레지스트액이 공급된다(도 3의 공정(S2)). 도 4a에 도시한 바와 같이, 공급된 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W) 상으로 확산된다. 또한, 이 공정(S2)에서의 레지스트액(R)의 공급은, 후술하는 바와 같이, 공정(S5)의 도중까지 연속하여 행해진다.
그 후, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전을 제 1 회전수인, 예를 들면 2000 rpm ~ 3500 rpm, 본 실시예에서는 3000 rpm까지 가속시키고, 그 후 웨이퍼(W)를 제 1 회전수로, 예를 들면 0.8 초간 회전시킨다. 그리고, 이 웨이퍼(W)의 가속 회전 중 및 제 1 회전수로의 회전 중에, 레지스트액 노즐(33)로부터 레지스트액(R)이 연속하여 공급된다(도 3의 공정(S3)). 공급된 레지스트액(R)은, 도 4b에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W) 상으로 확산된다. 이 공정(S3)에서는 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 하고 있기 때문에, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 단부(端部)까지 확산되지 않는다. 또한, 웨이퍼(W)는 제 1 회전수로 고속 회전하고 있지만, 이 제 1 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전은 0.8 초간으로 단시간이기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)은 완전히 건조되지는 않았다.
그 후, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전을 제 2 회전수인, 예를 들면 1500 rpm ~ 2000 rpm, 본 실시예에서는 1500 rpm까지 감속시키고, 그 후 제 2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 제 2 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전은 0.4 초 이상, 본 실시예에서는 0.5 초간 행해진다. 그리고, 이 웨이퍼(W)의 감속 회전 중 및 제 2 회전수로의 회전 중에, 레지스트액 노즐(33)로부터 레지스트액(R)이 연속하여 공급된다(도 3의 공정(S4)). 공급된 레지스트액(R)은, 도 4c에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W) 상으로 확산된다. 이 공정(S4)에서는, 웨이퍼(W)의 회전수를 제 2 회전수로 감속시키고 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)의 건조를 억제할 수 있다. 그러면, 앞서 공정(S3)에서 공급된 레지스트액(R)과 공정(S4)에서 공급된 레지스트액(R)이 쉽게 융합되기 때문에, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W) 상에서 동심원 형상으로 확산된다. 또한, 이 공정(S4)에서, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 외주부까지 확산되지만, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 단부까지 확산되지는 않는다. 또한, 발명자들이 조사한 바, 제 2 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전을 0.4 초 이상 행하면, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)의 건조를 충분히 억제할 수 있는 것을 알았다.
그 후, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전을 제 3 회전수인, 예를 들면 100 rpm ~ 800 rpm, 본 실시예에서는 200 rpm까지 더 감속시키고, 그 후 웨이퍼(W)를 제 3 회전수로, 예를 들면 0.4 초간 회전시킨다. 그리고, 이 웨이퍼(W)의 감속 회전 중 및 제 3 회전수로의 회전의 도중까지, 레지스트액 노즐(33)로부터 레지스트액(R)이 연속하여 공급된다. 즉, 제 3 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전 개시로부터, 예를 들면 0.2 초 후에 공정(S2)으로부터 연속하여 행해졌던 레지스트액(R)의 공급을 정지한다(도 3의 공정(S5)). 이 공정(S5)에서는, 웨이퍼(W)가 제 3 회전수로 저속 회전하고 있기 때문에, 예를 들면 웨이퍼(W)의 외주부의 레지스트액(R)에 중앙부로 끌어 당겨지는 힘이 작용하여 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)은 균일해져 평탄화된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 회전을 제 4 회전수인, 예를 들면 1000 rpm ~ 1800 rpm, 본 실시예에서는 1500 rpm까지 가속시키고, 그 후 웨이퍼(W)를 제 4 회전수로, 예를 들면 2.5 초간 회전시킨다(도 3의 공정(S6)). 이 공정(S6)에서는, 도 4d에 도시한 바와 같이, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W)의 표면의 전체 면에 확산되고, 잔여 레지스트액(R)이 제거되어 레지스트액(R)의 막 두께가 조정된다. 그리고, 도 4e에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면의 전체 면에 확산된 레지스트액(R)은 건조되고 웨이퍼(W) 상에 레지스트막(F)이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)의 이면이 세정되어 레지스트 도포 장치(1)에서의 일련의 도포 처리가 종료된다.
여기서, 상술한 공정(S4)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 제 2 회전수인 1500 rpm ~ 2000 rpm으로 했을 경우, 당해 제 2 회전수로 회전 중인 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)이 그 건조가 억제되면서 웨이퍼(W) 상으로 확산되는 것에 대하여 검증한다.
발명자들은 300 mm의 직경을 가지는 웨이퍼(W)를 다양한 회전수로 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W) 상에 재료가 상이한 8 종류의 레지스트액(R1 ~ R8)을 공급하여 본 검증을 행하였다. 이들 레지스트액(R1 ~ R8)은, 예를 들면 레지스트액 중에 포함되는 첨가제의 종류가 상이하다. 여기서, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)의 건조가 억제되었을 경우, 이 레지스트액(R)은 웨이퍼(W) 상을 동심원 형상으로 확산하여, 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩을 발생시키지 않고 레지스트액(R)을 도포할 수 있다. 이 때문에, 본 검증에서는 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R1 ~ R8)의 도포 얼룩이 발생하는지의 여부에 대하여 검증을 행했다.
우선, 비교예로서, 제 1 회전수인 3000 rpm의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨 경우에 대하여 설명한다. 이 때, 웨이퍼(W)로의 레지스트액(R1 ~ R8)의 공급량은 각각 0.4 ml였다. 또한, 웨이퍼(W)로의 레지스트액(R1 ~ R8)의 공급을 1.7 초간 행하였다. 그 결과를 도 5에 나타냈다. 도 5의 세로축은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 145 mm의 위치에서의 레지스트액(R1 ~ R8)의 막 두께의 레인지(range), 즉 레지스트액(R1 ~ R8)의 막 두께의 최대치와 최소치의 차이를 나타내고 있다. 도 5의 가로축은 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R1 ~ R8)의 접촉각을 나타내고 있다. 도 5를 참조하면, 모든 레지스트액(R1 ~ R8)에 대하여 막 두께의 레인지가 제로가 되지 않고, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R1 ~ R8)의 도포 얼룩이 발생했다. 즉, 제 1 회전수만으로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것으로는 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩이 발생한다는 것을 알았다. 또한, 이 경우 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R1 ~ R8)의 접촉각은 모두 85 도 이상이었다.
그래서, 발명자들은 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩이 발생하지 않도록 레지스트액(R1 ~ R8)을 도포할 수 있는 웨이퍼(W)의 회전수에 대하여 조사했다. 그 결과를 도 6에 나타낸다. 도 6의 세로축은 도포 얼룩이 발생하지 않는 웨이퍼(W)의 회전수를 나타내고 있다. 도 6의 가로축은 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R1 ~ R8)의 접촉각을 나타내고 있다. 도 6을 참조하면, 웨이퍼(W)의 회전수가 1500 rpm ~ 2000 rpm인 범위에서는 레지스트액(R1 ~ R8)의 접촉각이 85 도 이상이어도 모든 레지스트액(R1 ~ R8)에 대하여 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩이 발생하지 않는다는 것을 알았다. 따라서, 본 실시예와 같이 웨이퍼(W)의 제 2 회전수를 1500 rpm ~ 2000 rpm으로 하면, 레지스트액(R)의 건조를 억제하면서 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R)이 확산된다는 것을 알았다.
이상의 실시예에 따르면, 우선 공정(S3)에서 제 1 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심부로 레지스트액(R)을 공급하고 있으므로, 웨이퍼(W)로의 레지스트액(R)의 공급량이 소량인 경우에도 레지스트액(R)을 균일하게 확산시킬 수 있다. 그 후, 공정(S4)에서 제 2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키므로, 공정(S3)에서 공급된 레지스트액(R)은 레지스트액(R)의 접촉각이 85 도 이상이어도 그 건조가 억제되면서 웨이퍼(W) 상을 확산한다. 그러면, 공정(S3)에서 공급된 레지스트액(R)과 공정(S4)에서 공급된 레지스트액(R)이 쉽게 융합되기 때문에, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W) 상을 동심원 형상으로 확산된다. 그 결과, 그 후 공정(S6)에서 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 표면의 전체 면에 확산시킬 때에도, 레지스트액(R)은 웨이퍼(W) 상을 동심원 형상으로 확산된다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R)의 도포 얼룩이 발생할 일은 없다. 따라서, 웨이퍼(W)로의 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 억제하면서 웨이퍼 면내에서 균일하게 레지스트액(R)을 도포할 수 있다.
또한, 발명자들이 조사한 바, 본 실시예의 도포 처리 방법을 이용했을 경우, 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩 없이 레지스트액(R)을 도포하기 위하여 필요한 레지스트액(R)의 공급량은 0.4 ml였다. 이에 반해, 상술한 종래의 도포 처리 방법을 이용했을 경우, 필요한 레지스트액의 공급량은 0.9 ml였다. 따라서, 본 실시예에 따르면 레지스트액(R)의 공급량을 비약적으로 저감시킬 수 있다는 것을 알았다.
또한, 발명자들은 본 실시예의 도포 처리 방법을 이용했을 경우, 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩 없이 레지스트액(R)을 균일하게 도포할 수 있는 효과에 대하여 검증을 행하였다. 이 때, 비교예로서 종래의 도포 처리 방법을 이용하여 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R)을 도포했다. 즉, 비교예에서는, 본 실시예와 같이 제 2 회전수를 거치지 않고, 제 1 회전수로부터 제 3 회전수까지 웨이퍼(W)의 회전을 감속시켰다. 비교 예의 그 외의 도포 레시피는, 본 실시예의 도포 레시피와 동일하다. 또한, 본 검증에서는 제 2 회전수를 1500 rpm ~ 2000 rpm의 범위 내의 1800 rpm으로서 검증을 행하였다.
이러한 검증의 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7의 가로축은 레지스트막의 막두께의 측정점을 나타내고 있다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 외주부 상의 복수점을 측정점으로 했다. 도 7의 세로축은 각 측정점에서의 레지스트막의 막 두께를 나타내고 있다. 도 7을 참조하면, 비교예에서는 레지스트막의 막 두께가 불균일인데 반해, 본 실시예에서는 레지스트막의 막 두께가 균일하다는 것을 알았다. 따라서, 본 실시예에서는, 종래와 같이 도포 얼룩이 발생하지 않고 웨이퍼 면내에서 균일하게 레지스트액(R)을 도포할 수 있다는 것을 알았다.
또한, 공정(S5)에서 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W)의 외주부의 레지스트액(R)에 중앙부로 끌어 당겨지는 힘이 작용하여, 레지스트액(R)의 막 두께의 균일화가 도모된다. 또한, 이 공정(S5)에서 웨이퍼(W) 상에 건조되지 않은 레지스트액(R)을 공급하고 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)의 유동성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 후속의 공정(S6)에서 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 단부까지 원활하게 확산시킬 수 있다.
또한, 공정(S2)에서 제 5 회전수로 저속 회전 중인 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R)을 공급하고 있으므로, 레지스트액(R)은 원활하게 무리없이 확산된다. 이에 따라, 레지스트액(R)의 도포 얼룩의 발생을 보다 확실히 방지할 수 있다.
또한, 공정(S1)에서 웨이퍼(W) 상을 레지스트액(R)의 용제로 프리웨팅(pre-wetting)하고 있으므로, 그 후의 공정에서 웨이퍼(W) 상으로 공급된 레지스트액(R)을 원활하게 확산시킬 수 있다.
이상의 실시예의 공정(S3)에서, 도 8에 나타낸 바와 같이, 제 1 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키기 전에, 제 1 회전수보다 빠른 제 6 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시켜도 좋다.
예를 들면, 공정(S2) 후에 웨이퍼(W)의 회전을 제 6 회전수인, 예를 들면 4000 rpm 이하, 본 실시예에서는 4000 rpm까지 가속시키고, 그 후 제 6 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 제 6 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전은 0.1 초 ~ 0.5 초간, 본 실시예에서는 0.2 초간 행해진다(도 8의 공정(S3-1)). 그 후, 웨이퍼(W)의 회전을 제 1 회전수까지 감속시키고, 그 후 웨이퍼(W)를 제 1 회전수로, 예를 들면 0.6 초간 회전시킨다(도 8의 공정(S3-2)). 또한, 공정(S3-1) 및 공정(S3-2)에서도 레지스트액 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 레지스트액(R)이 연속하여 공급된다. 또한, 그 외의 공정(S1, S2, S4, S5, S6)에 대해서는 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
이러한 경우, 공정(S3-1)에서 고속의 제 6 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W) 상으로 레지스트액(R)를 공급하고 있으므로, 레지스트액(R)을 보다 원활하고 균일하게 확산시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 상으로의 레지스트액(R)의 공급량을 보다 소량으로 할 수 있다. 또한, 본 실시예에서 공정(S3-1) 및 공정(S3-2)의 소요 시간은 상기 실시예의 공정(S3)의 소요 시간과 거의 동일한 경우에 대하여 설명했지만, 상술한 바와 같이 레지스트액(R)을 원활하게 확산시킬 수 있기 때문에, 공정(S3-1) 및 공정(S3-2)의 소요 시간을 단축할 수도 있다. 예를 들면, 발명자들이 조사한 바, 제 6 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전을 0.1 초 ~ 0.5 초간 행하면, 상술한 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 할 수 있는 효과가 충분히 얻어진다는 것을 알았기 때문에, 이 제 6 회전수로의 웨이퍼(W)의 회전을 0.2 초 이하로 할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 공정(S1)에서 웨이퍼(W)를, 예를 들면 2000 rpm의 회전수로 회전시켜 웨이퍼(W)의 표면에 용제를 도포한 후, 웨이퍼(W)의 회전을 제 5 회전수로 감속했지만, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전을 감속시키지 않고, 즉 상술한 공정(S2)을 거치지 않고 공정(S3)을 개시해도 좋다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 회전을, 예를 들면 2000 rpm으로 유지한 상태로 공정(S3)이 개시된다. 즉, 본 실시예에서는 이 2000 rpm이 제 5 회전수가 된다. 그 후 공정(S3)에서, 웨이퍼(W)의 회전을 제 1 회전수까지 가속시켜, 그 후 웨이퍼(W)를 제 1 회전수로 회전시킨다. 그리고, 공정(S3)이 개시됨과 동시에 레지스트액 노즐(33)로부터의 레지스트액(R)의 공급이 개시되고, 이 레지스트액(R)의 공급은 공정(S5)의 도중까지 연속하여 행해진다. 또한, 그 외의 공정(S4, S5, S6)에 대해서는 상기 실시예와 동일하므로 설명을 생략한다.
이러한 경우, 공정(S1)에서 웨이퍼(W)의 표면에 용제를 도포한 후, 웨이퍼(W)의 회전을 감속하지 않고 공정(S3)을 개시하고 있으므로, 공정(S3)에서의 웨이퍼(W)의 회전이 상기 실시예에 비해 비교적 고속으로 유지된다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 비교적 강한 원심력이 작용하여, 웨이퍼 면내에서의 레지스트액(R)의 막 두께 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.
이상의 실시예의 공정(S3)에서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 항상 가속 회전시켜도 좋다. 공정(S3)에서는 웨이퍼(W)의 회전이 제 5 회전수로부터 예를 들면 550 rpm으로 가속된다(도 10의 공정(S3-1)). 이 공정(S3-1)에서, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는, 예를 들면 500 rpm/s 이하, 보다 바람직하게는 100 rpm/s의 제 1 가속도이다. 이와 같이 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 중심부로 토출된 직후에는 웨이퍼(W)의 회전 속도가 저속이므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 강한 원심력이 작용하지 않는다. 또한, 이 때의 웨이퍼(W)의 회전의 제 1 가속도도 작기 때문에, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 작용하는 원심력이 억제된다. 이 때문에, 레지스트액(R)이 외측 방향으로 균등하게 확산된다.
이어서, 웨이퍼(W)의 회전이 550 rpm으로부터, 예를 들면 2800 rpm으로 가속된다(도 10의 공정(S3-2)). 이 공정(S3-2)에서, 웨이퍼의 회전의 가속도는 제 1 가속도보다 큰, 예를 들면 5000 rpm/s ~ 30000 rpm/s, 보다 바람직하게는 10000 rpm/s인 제 2 가속도이다. 이와 같이 제 1 가속도보다 큰 제 2 가속도로 웨이퍼(W)를 가속 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)이 매끄럽게 또한 신속하게 확산된다.
이어서, 웨이퍼(W)의 회전이 2800 rpm으로부터 제 1 회전수로 가속된다(도 10의 공정(S3-3)). 이 공정(S3-3)에서, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는 제 2 가속도보다 작은, 예를 들면 500 rpm/s 이하, 보다 바람직하게는 100 rpm/s인 제 3 가속도이다. 이와 같이 제 2 가속도보다 작은 제 3 가속도로 웨이퍼(W)를 가속 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W)의 외주부에 도달한 레지스트액(R)을 매끄럽게 확산시키면서, 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외부로 비산하는 양을 극히 소량으로 억제할 수 있다.
이상과 같이 공정(S3)에서는 웨이퍼(W)의 회전의 가속도가 제 1 가속도, 제 2 가속도, 제 3 가속도의 순으로 변화하고, 웨이퍼(W)는 항상 가속 회전한다. 그리고, 공정(S3)에서는 웨이퍼(W)의 중심부로 레지스트액(R)이 계속 공급된다. 그러면, 공급된 레지스트액(R)은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 전체 면에 확산되어, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액(R)이 도포된다. 또한, 그 외의 공정(S1, S2, S4, S5, S6)에 대해서는 상기 실시예와 동일한 것이므로 설명을 생략한다.
이러한 경우, 공정(S3)에서 웨이퍼(W)를 항상 가속 회전시키고 있으므로, 레지스트액(R)을 신속히 확산시킬 수 있고 레지스트액(R)을 웨이퍼(W)의 표면 전체 면에 확산시키기 위한 공급량을 소량으로 억제할 수 있다. 또한, 공정(S3-1)에서 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 중심부로 토출된 직후에는 웨이퍼(W)의 회전 속도가 저속이므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 강한 원심력이 작용하지 않는다. 또한, 이 때의 웨이퍼(W)의 회전의 가속도가 제 2 가속도보다 작은 제 1 가속도이므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)에 작용하는 원심력이 억제된다. 이 때문에, 종래와 같이 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩이 출현하지 않고 레지스트액(R)이 외측 방향으로 균등하게 확산된다. 그 후 공정(S3-2)에서, 제 1 가속도보다 큰 제 2 가속도로 웨이퍼(W)를 가속 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W) 상의 레지스트액(R)이 매끄럽게 또한 신속히 확산된다. 그 후, 공정(S3-3)에서 제 2 가속도보다 작은 제 3 가속도로 웨이퍼(W)를 가속 회전시키고 있으므로, 웨이퍼(W)의 외주부에 도달한 레지스트액(R)을 매끄럽게 확산시키면서, 레지스트액(R)이 웨이퍼(W)의 외부에 비산하는 양을 극히 소량으로 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 한 경우에도, 레지스트액(R)을 웨이퍼 면내에서 보다 균일하게 도포할 수 있다.
또한, 본 실시예에서도, 도 9에 나타낸 바와 같이, 공정(S1)에서 웨이퍼(W)의 회전을 제 5 회전수로 감속시키지 않고 공정(S3)을 개시해도 좋다. 즉, 도 11에 나타낸 바와 같이 공정(S3-1)에서 제 1 가속도로 웨이퍼(W)의 회전이 2000 rpm으로부터, 예를 들면 2200 rpm으로 가속되고, 이어서 공정(S3-2)에서 제 2 가속도로 웨이퍼(W)의 회전이 2200 rpm으로부터, 예를 들면 2800 rpm으로 가속되고, 이어서 공정(S3-3)에서 제 3 가속도로 웨이퍼(W)의 회전이 2800 rpm으로부터 제 1 회전수로 가속된다. 이러한 경우에도, 상술한 바와 같이 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 억제하면서, 레지스트액(R)을 웨이퍼 면내에서 균일하게 도포할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 공정(S3)에서 웨이퍼(W)를 항상 가속 회전시키고 있었지만, 이러한 웨이퍼(W)의 가속 회전의 방법은 도 10 및 도 11에 나타낸 방법에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 12에 나타낸 바와 같이, 공정(S3)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 제 5 회전수로부터 제 1 회전수로 S 자 형상으로 변동시키도록 웨이퍼(W)를 가속 회전시켜도 좋다. 즉, 공정(S3)의 개시 전에 제 5 회전수인 웨이퍼(W)의 회전은, 그 후 그 회전수가 연속적으로 매끄럽게 변동하도록 서서히 가속된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는, 예를 들면 제로부터 점차 증가한다. 그리고, 공정(S3)의 종료 시에는 웨이퍼(W)의 회전의 가속도가 점차 감소되어 웨이퍼(W)의 회전수가 제 1 회전수로 매끄럽게 수속(收束)된다.
또한, 예를 들면 도 13에 나타낸 바와 같이, 공정(S3)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 제 5 회전수로부터 제 1 회전수로 직선 형상으로 변동시키도록 웨이퍼(W)를 가속 회전시켜도 좋다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는 일정하다.
이와 같이 도 12 및 도 13에 나타낸 어떤 경우에도, 공정(S3)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 항상 가속 회전시키고 있으므로, 상술한 바와 같이 레지스트액(R)의 공급량을 소량으로 억제하면서 레지스트액(R)을 웨이퍼 면내에서 보다 균일하게 도포할 수 있다.
이상의 실시예의 공정(S4)에서, 도 14에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 항상 감속 회전시켜도 좋다. 공정(S4)에서는 웨이퍼(W)의 회전이 제 1 회전수로부터, 예를 들면 1800 rpm으로 감속된다(도 14의 공정(S4-1)). 이 공정(S4-1)에서, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는, 예를 들면 (-30000 rpm/s) ~ (-5000 rpm/s), 보다 바람직하게는 (-10000 rpm/s)인 제 4 가속도이다. 이어서, 웨이퍼(W)의 회전이 1800 rpm으로부터 제 2 회전수로 감속 회전된다(도 14의 공정(S4-2)). 이 공정(S4-2)에서, 웨이퍼의 회전의 가속도는 제 4 가속도보다 큰, 예를 들면(-500 rpm/s) 이상이고 제로 rpm/s 미만, 보다 바람직하게는 (-100 rpm/s)의 제 5 가속도이다.
이러한 경우, 공정(S4)에서 제 2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키고 있으므로, 공정(S3)에서 웨이퍼(W) 상으로 공급된 레지스트액(R)을 그 건조를 억제하면서 확산시킬 수 있다. 그러면, 공정(S3)에서 공급된 레지스트액(R)과 공정(S4)에서 공급된 레지스트액(R)이 쉽게 융합되기 때문에, 레지스트액(R)을 웨이퍼(W) 상에서 동심원 형상으로 확산시킬 수 있다. 따라서, 레지스트액(R)의 도포 얼룩의 발생을 방지하여 웨이퍼 면내에서 균일하게 레지스트액(R)을 도포할 수 있다.
여기서, 발명자들은 상술한 웨이퍼(W) 상에 도포 얼룩 없이 레지스트액(R)을 균일하게 도포할 수 있는 효과에 대하여 검증을 행하였다. 이 때, 비교예로서, 도 7에 나타낸 비교예와 마찬가지로 종래의 도포 처리 방법을 이용하여 웨이퍼(W) 상에 레지스트액(R)를 도포했다. 즉, 비교예에서는 제 2 회전수를 거치지 않고 제 1 회전수로부터 제 3 회전수까지 웨이퍼(W)의 회전을 감속시켰다. 비교예의 그 외의 도포 레시피는 도 14에 나타낸 도포 레시피와 동일하다. 또한, 본 검증에서는 제 2 회전수를 1500 rpm ~ 2000 rpm의 범위 내의 1800 rpm으로서 검증을 행하였다. 그리고, 공정(S4)에서 웨이퍼(W)의 회전을 제 4 가속도로 제 1 회전수로부터 1830 rpm으로 감속시키고, 이어서 웨이퍼(W)의 회전을 제 5 가속도로 제 2 회전수로 감속시켰다. 또한, 본 검증에서는 도 14의 공정(S1)과 공정(S3)의 사이에서 상술한 공정(S2)을 행하고, 당해 공정(S2)에서 500 rpm의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시켰다.
이러한 검증의 결과를 도 15에 나타낸다. 도 15의 가로축은 레지스트막의 막 두께의 측정점을 나타내고 있다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 외주부 상의 복수점을 측정점으로 했다. 도 15의 세로축은 각 측정점에서의 레지스트막의 막 두께를 나타내고 있다. 또한, 앞서 나타낸 도 7과 구별하기 위하여, 도 15에서 도 14에 나타낸 도포 처리 방법을 이용한 실시예를 ‘다른 실시예’라고 한다. 도 15를 참조하면, 비교예에서는 레지스트막의 막 두께가 불균일한데 반해, 다른 실시예에서는 레지스트막의 막 두께가 균일하다는 것을 알았다. 따라서, 다른 실시예에서는 종래와 같이 도포 얼룩이 발생하지 않고, 웨이퍼 면내에서 균일하게 레지스트액(R)을 도포할 수 있다는 것을 알았다.
이상의 실시예에서는, 공정(S4)에서 웨이퍼(W)를 항상 감속 회전시키고 있었지만, 이러한 웨이퍼(W)의 감속 회전의 방법은 도 14에 나타낸 방법에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 16에 나타낸 바와 같이, 공정(S4)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 제 1 회전수로부터 제 2 회전수로 S 자 형상으로 변동시키도록 웨이퍼(W)를 감속 회전시켜도 좋다. 즉, 제 1 회전수인 웨이퍼(W)의 회전은 그 후 그 회전수가 연속적으로 매끄럽게 변동하도록 서서히 감속된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는, 예를 들면 제로부터 점차 감소한다. 그리고, 공정(S4)의 종료 시에는 웨이퍼(W)의 회전의 가속도가 점차 증가되어 웨이퍼(W)의 회전수가 제 2 회전수로 매끄럽게 수속된다.
또한, 예를 들면 도 17에 나타낸 바와 같이, 공정(S4)에서 웨이퍼(W)의 회전수를 제 1 회전수로부터 제 2 회전수로 직선 형상으로 변동시키도록 웨이퍼(W)를 감속 회전시켜도 좋다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전의 가속도는 일정하다.
이와 같이 도 16 및 도 17에 나타낸 어떤 경우에도, 공정(S4)에서 제 2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키고 있으므로, 상술한 바와 같이 레지스트액(R)의 도포 얼룩의 발생을 방지하여, 웨이퍼 면내에서 균일하게 레지스트액(R)을 도포할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종의 변경예 또는 수정예를 도출해 낼 수 있는 것은 명백하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 태양을 채용할 수 있는 것이다. 예를 들면, 상술한 실시예에서는 레지스트액의 도포 처리를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 레지스트액 이외의 다른 도포액, 예를 들면 반사 방지막, SOG(Spin On Glass)막, SOD(Spin On Dielectric)막 등을 형성하는 도포액의 도포 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시예는 웨이퍼에 도포 처리를 행하는 예였지만, 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 래티컬 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.

Claims (29)

  1. 기판 상에 도포액을 도포하는 방법으로서,
    제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과,
    그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과,
    그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과,
    그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 가지고,
    기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하고,
    상기 제 2 회전수는 1500 rpm ~ 2000 rpm인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정에서, 제 2 회전수로의 기판의 회전을 0.4 초 이상 행하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 전에 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 가지고,
    상기 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 5 공정의 도중부터 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 제 1 회전수로 기판을 회전시키기 전에 제 1 회전수보다 빠른 제 6 회전수로 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 6 회전수는 4000 rpm 이하이며,
    상기 제 1 공정에서, 상기 제 6 회전수로의 기판의 회전을 0.1 초 ~ 0.5 초간 행하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 가지고,
    상기 제 1 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 제 1 가속도, 상기 제 1 가속도보다 큰 제 2 가속도, 상기 제 2 가속도보다 작은 제 3 가속도의 순으로 변화시키고, 상기 기판을 제 5 회전수로부터 제 1 회전수까지 가속 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 가지고,
    상기 제 1 공정에서, 개시 전에 제 5 회전수인 기판의 회전을 개시 후에 그 회전수가 연속적으로 변동하도록 점차 가속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 감소시켜 기판의 회전을 제 1 회전수로 수속(收束)시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 가지고,
    상기 제 1 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 일정하게 하고, 상기 기판을 제 5 회전수로부터 제 1 회전수까지 가속 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 5 공정 전에, 기판으로 도포액의 용제를 공급하고, 제 5 회전수보다 빠른 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 용제를 도포하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 5 공정에서, 기판으로 도포액의 용제를 공급하고, 제 5 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 용제를 도포하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 기판 상의 레지스트액의 접촉각은 85 도 이상인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 제 4 가속도, 상기 제 4 가속도보다 큰 제 5 가속도의 순으로 변화시켜, 상기 기판을 제 1 회전수로부터 제 2 회전수까지 감속 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정에서, 개시 전에 제 1 회전수인 기판의 회전을, 개시 후에 그 회전수가 연속적으로 변동하도록 점차 감속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 증가시켜 기판의 회전을 제 2 회전수에 수속시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 일정하게 하고, 상기 기판을 제 1 회전수로부터 제 2 회전수까지 감속 회전시키는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  15. 도포 처리 방법을 도포 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 도포 처리 장치를 제어하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
    상기 도포 처리 방법은,
    제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과,
    그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과,
    그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과,
    그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 가지고,
    기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하고,
    상기 제 2 회전수는 1500 rpm ~ 2000 rpm인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 기억 매체.
  16. 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 장치로서,
    기판을 보지(保持)하여 회전시키는 회전 보지부와,
    기판으로 도포액을 공급하는 도포액 노즐과,
    제 1 회전수로 기판을 회전시키는 제 1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하여 제 1 회전수보다 느린 1500 rpm ~ 2000 rpm인 제 2 회전수로 기판을 회전시키는 제 2 공정과, 그 후 기판의 회전을 더 감속하여 제 2 회전수보다 느린 제 3 회전수로 기판을 회전시키는 제 3 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 제 3 회전수보다 빠른 제 4 회전수로 기판을 회전시키는 제 4 공정을 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 1 공정부터 상기 제 3 공정의 도중까지 연속하여 행하도록 상기 도포액 노즐을 제어하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 공정에서, 제 2 회전수로의 기판의 회전을 0.4 초 이상 행하도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 상기 기판의 중심부로의 도포액의 공급을 상기 제 5 공정의 도중부터 연속하여 행하도록 상기 도포액 노즐을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공정에서, 제 1 회전수로 기판을 회전시키기 전에, 제 1 회전수보다 빠른 제 6 회전수로 기판을 회전시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 6 회전수가 4000 rpm 이하이며, 상기 제 1 공정에서, 상기 제 6 회전수로의 기판의 회전을 0.1 초 ~ 0.5 초간 행하도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 상기 제 1 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 제 1 가속도, 상기 제 1 가속도보다 큰 제 2 가속도, 상기 제 2 가속도보다 작은 제 3 가속도의 순으로 변화시켜, 상기 기판을 제 5 회전수로부터 제 1 회전수까지 가속 회전시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 상기 제 1 공정에서, 개시 전에 제 5 회전수인 기판의 회전을, 개시 후에 그 회전수가 연속적으로 변동하도록 점차 가속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 감소시켜 기판의 회전을 제 1 회전수로 수속시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 1 공정 전에, 제 1 회전수보다 느린 제 5 회전수로 기판을 회전시키는 제 5 공정을 더 실행하도록 상기 회전 보지부를 제어하고, 상기 제 1 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 일정하게 하여 상기 기판을 제 5 회전수로부터 제 1 회전수까지 가속 회전시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    기판으로 도포액의 용제를 공급하는 용제 노즐을 더 가지고,
    상기 제어부는, 상기 제 5 공정 전에, 기판으로 도포액의 용제를 공급하고, 제 5 회전수보다 빠른 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 용제를 도포하도록 상기 회전 보지부 및 상기 용제 노즐을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    기판에 도포액의 용제를 공급하는 용제 노즐을 더 가지고,
    상기 제어부는, 상기 제 5 공정에서, 기판으로 도포액의 용제를 공급하고, 제 5 회전수로 기판을 회전시키면서 기판 상에 용제를 도포하도록 상기 회전 보지부 및 상기 용제 노즐을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  26. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서, 기판 상의 레지스트액의 접촉각은 85 도 이상인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  27. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 제 4 가속도, 상기 제 4 가속도보다 큰 제 5 가속도의 순으로 변화시키고, 상기 기판을 제 1 회전수로부터 제 2 회전수까지 감속 회전시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  28. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 공정에서, 개시 전에 제 1 회전수인 기판의 회전을, 개시 후에 그 회전수가 연속적으로 변동하도록 점차 감속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 증가시켜, 기판의 회전을 제 2 회전수로 수속(收束)시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  29. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 공정에서, 기판의 회전의 가속도를 일정하게 하여, 상기 기판을 제 1 회전수로부터 제 2 회전수까지 감속 회전시키도록 상기 회전 보지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180020903A (ko) * 2016-08-18 2018-02-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5296021B2 (ja) * 2010-07-23 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP5614418B2 (ja) * 2012-01-25 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US9028915B2 (en) * 2012-09-04 2015-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a photoresist layer
JP2014050803A (ja) 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 回転塗布装置および回転塗布方法
CN104425322B (zh) * 2013-08-30 2018-02-06 细美事有限公司 基板处理设备以及涂覆处理溶液的方法
JP2015213887A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
CN104076609A (zh) * 2014-07-11 2014-10-01 上海先进半导体制造股份有限公司 光刻胶的涂胶工艺
KR101842118B1 (ko) 2015-03-31 2018-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102315661B1 (ko) * 2015-05-18 2021-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102330278B1 (ko) * 2015-05-18 2021-11-25 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP6437405B2 (ja) * 2015-09-10 2018-12-12 東芝メモリ株式会社 回転塗布方法および電子部品の製造方法
KR101927696B1 (ko) * 2016-08-31 2019-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6899265B2 (ja) * 2017-06-27 2021-07-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体
US11925963B2 (en) 2022-05-27 2024-03-12 Semes Co., Ltd. Method for treating a substrate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5405813A (en) * 1994-03-17 1995-04-11 Vlsi Technology, Inc. Optimized photoresist dispense method
JP3315609B2 (ja) * 1996-11-25 2002-08-19 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
JPH1116810A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法及びその装置
JPH1116819A (ja) 1997-06-27 1999-01-22 Hitachi Ltd 露光方法および基板ホルダ
US5912049A (en) * 1997-08-12 1999-06-15 Micron Technology, Inc. Process liquid dispense method and apparatus
TWI305677B (en) * 2002-10-22 2009-01-21 Nanya Technology Corp Method for coating low viscosity materials
JP4749829B2 (ja) * 2005-10-20 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
JP4749830B2 (ja) * 2005-10-21 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
JP4805769B2 (ja) 2006-09-14 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法
JP5065071B2 (ja) * 2007-03-15 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5133641B2 (ja) * 2007-09-27 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4745358B2 (ja) * 2008-03-04 2011-08-10 株式会社東芝 回転塗布方法、および回転塗布装置
JP5203337B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180020903A (ko) * 2016-08-18 2018-02-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법
US10698315B2 (en) 2016-08-18 2020-06-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating method

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