TW202041114A - 塗布膜形成方法及塗布膜形成裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題，係在基板的面內，迅速地形成膜厚均勻性良好的塗布膜。 其解決手段係提供一種塗布膜形成方法，係在基板之表面形成塗布膜；該塗布膜形成方法，具有以下步驟：塗布擴散步驟，在頂面有開口之塗布杯內，使該基板以第1轉速旋轉，並對該基板之表面供給用以形成該塗布膜的塗布液而使其擴散；以及乾燥步驟，在該塗布擴散步驟後，一邊以低於該第1轉速之第2轉速使該基板旋轉，一邊從環狀構件與基板表面之間的縫隙進行排氣，該環狀構件係配置在該基板上方而使各中心位於同一軸上；該環狀構件，所具有的大小，會使其外周端部，位在與該基板之外周端部的位置相同之位置或更外側；於該乾燥步驟，以比起在該塗布擴散步驟中從塗布杯內排出氣體時更為高壓而進行排氣。

Description

塗布膜形成方法及塗布膜形成裝置
本發明，係有關於塗布膜形成方法及塗布膜形成裝置。
在半導體元件的製程，會進行成膜處理，對於係圓形基板之半導體晶圓(於下文中，記載為「晶圓」)，塗布光阻等等各種塗布液，以進行成膜處理。於專利文獻1記載：在要使塗布於晶圓之光阻乾燥之際，會在該晶圓上配置一環繞晶圓之圓周的環狀構件，而使該晶圓上的氣流整流。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-92392號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明之技術，會在基板的面內，迅速地形成膜厚均勻性良好的塗布膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣，係一種塗布膜形成方法，係在基板之表面形成塗布膜；該塗布膜形成方法，具有以下步驟： 塗布擴散步驟，在頂面有開口之塗布杯內，使該基板以第1轉速旋轉，並對該基板之表面供給用以形成該塗布膜的塗布液而使其擴散；以及 乾燥步驟，在該塗布擴散步驟後，一邊以低於該第1轉速之第2轉速使該基板旋轉，一邊從環狀構件與基板表面之間的縫隙進行排氣，該環狀構件係配置在該基板上方而使各中心位於同一軸上； 該環狀構件，所具有的大小，會使其外周端部，位在與該基板之外周端部的位置相同之位置或更外側； 於該乾燥步驟，以比起在該塗布擴散步驟中從塗布杯內排出氣體時更為高壓而進行排氣。 [發明之效果]
若藉由本發明之技術，可以在基板的面內，迅速地形成膜厚均勻性良好的塗布膜。
專利文獻1所記載之技術，具有以下步驟：對基板之中心部供給塗布液之同時，使基板以第1轉速旋轉，藉由離心力而使塗布液擴散；接著使基板從第1轉速減速成第2轉速，再以該第2轉速旋轉而使塗布液之液膜表面平整。之後使基板以比第2轉速更快的第3轉速旋轉，以使其乾燥。然後在前述以第3轉速旋轉而使基板表面乾燥的步驟，會將沿著基板之圓周方向而形成為環狀的環狀構件，設置在覆蓋基板之周緣部上方的位置，再以前述環狀構件而使基板之周緣部上方的氣流整流。
然而，對於例如3D-NAND元件這般「高寬比」較大的圖案，於塗布高黏度之(例如300cP左右)塗布液的製程處理，會有凹部之膜厚在半徑方向變大的傾向，而有待於進一步的改善。另一方面，在前述乾燥步驟，若為了提高膜厚均勻性而將轉速設低，則會有乾燥時間變長的問題。
本發明之技術，即使在對「高寬比」較大的圖案塗布高黏度之塗布液的情況下，也能比起習知技術更為提高膜厚的均勻性，而更進一步地實現乾燥時間的縮短。
以下，針對本實施形態之基板處理裝置的構成，參照圖式以進行說明。又，於本說明書，對於實質具有相同機能構成之要素，會藉由標註相同符號以省略重複說明。
圖1，示意性繪示在實施形態用作為塗布膜形成裝置的光阻膜形成裝置1之側面的剖面。此光阻膜形成裝置1，具備旋轉夾頭11，其作為基板固持部，藉由真空吸附例如直徑為300mm之作為圓形基板的晶圓W的背面中央部，而水平地固持該晶圓W。此旋轉夾頭11連接於旋轉機構12，並藉由該旋轉機構12而繞著鉛直軸旋轉。再者，設有作為塗布杯的杯體14，如包圍著旋轉夾頭11所固持之晶圓W般地，防止塗布液或溶劑等等各種處理液從晶圓W飛散。於此杯體14的底部，有著構成排液口15的開口。再者，在杯體14的底部，設有排氣管16；在晶圓W的處理當中，杯體14內會藉由連接至排氣管16，而以排氣裝置17進行排氣。藉由對此杯體14內進行之排氣，而從晶圓W之周圍進行該晶圓W之表面的排氣。
在旋轉夾頭11的周圍，配置著升降頂針21。此升降頂針21，藉由升降機構22以垂直升降，而可支撐著晶圓W以使其升降。藉此，可以在旋轉夾頭11與未圖示之基板搬運機構之間，傳遞晶圓W。
在頂面有開口之杯體14的上方，設有風機過濾機組(FFU)19，對載置於旋轉夾頭11的晶圓W供給潔淨空氣。供給至晶圓W的空氣，會藉由前述排氣管16而從杯體14內排出。
在旋轉夾頭11的周圍，配置著於內外具有斜面部23a、23b的環狀之導引構件23。在導引構件23的頂部，設有背面洗淨噴嘴24。背面洗淨噴嘴24，對晶圓W之背面的周緣部噴出光阻液的溶劑，以進行背面的洗淨。
杯體14中的頂面側，形成朝向外側下方傾斜的環狀之斜面部25；於此斜面部25的內周緣部，形成朝向上側垂直形成之環狀的凸部26。
光阻膜形成裝置1，具備例如朝向垂直下方噴出光阻的光阻液供給噴嘴31。此光阻液供給噴嘴31，連接至貯藏光阻液的光阻供給機構32。光阻供給機構32具備泵或閥等等，而對光阻液供給噴嘴31供給光阻液。於此實施形態，貯藏於光阻供給機構32的光阻液之黏度，係例如50cP～900cP。
光阻液供給噴嘴31，如圖2所示，被支撐在臂體33的前端部，而臂體33的根部側則連接至移動機構34。移動機構34係藉由馬達等等的驅動機構(未圖示)，而沿著導軌35，在圖中之雙向箭頭的方向上移動自如。再者，臂體33所支撐著的光阻液供給噴嘴31，係在垂直方向上移動自如。光阻液供給噴嘴31，可在配置於杯體14外側之待命部36待命。
光阻膜形成裝置1，具備例如朝向垂直下方噴出溶劑的溶劑供給噴嘴41。此溶劑供給噴嘴41，連接至貯藏溶劑的溶劑供給機構42，而從該溶劑供給機構42對溶劑供給噴嘴41供給溶劑。溶劑供給噴嘴41，係用於去除晶圓W之周緣部的多餘光阻膜。
溶劑供給噴嘴41，被支撐在臂體43的前端部，而臂體43的根部側則連接至移動機構44。移動機構44係藉由馬達等等的驅動機構(未圖示)，而沿著導軌45，在圖中之雙向箭頭的方向上移動。再者，由臂體43支撐著的溶劑供給噴嘴41，係在垂直方向上移動自如。溶劑供給噴嘴41，可在配置於杯體14外側之待命部46待命。
於光阻膜形成裝置1，設有環狀板51，其係圓形的環狀構件，而位在載置於旋轉夾頭11之晶圓W的上方。在環狀板51之中心部，有形成圓形的開口部52。再者，環狀板51之開口部52的內徑，亦即開口部52的直徑D，係例如設定為40mm～200mm。再者，形成開口部52的環狀板51之內周的周緣部51a，係成型為朝向上方凸起。
環狀板51之底面，係與載置於旋轉夾頭11的晶圓W相向，而覆蓋著該晶圓W。環狀板51之中心，亦即開口部52之中心，於俯視觀察下，係與載置於旋轉夾頭11的晶圓W之中心一致。然後，環狀板51的大小，亦即環狀板51的直徑，係與晶圓W相同，或具有更大的長度，例如設定為300mm～310mm左右。
環狀板51，係經由支持構件53而連接至升降機構54，並在圖1以一點鏈線所示之上升位置(第1位置)、與在上升位置之下方且係圖1以實線所示之下降位置(第2位置)之間升降。
在環狀板51下降至第2位置之際，如圖3所示，會在杯體14內側的凸部26與環狀板51的外周端部之間，形成縫隙d。此縫隙d，係例如設定在1～10mm之間。再者，在環狀板51下降至第2位置之際，會在載置於旋轉夾頭11的晶圓W與環狀板51的底面之間，形成縫隙h。此縫隙h，係例如設定在1～10mm之間。縫隙h的大小之設定，在升降機構54係可任意設定。
於光阻膜形成裝置1，設有控制部100，控制部100係電腦。於控制部100，安裝有程式，程式係例如儲存於光碟、硬碟、MO(磁光碟)及記憶卡、DVD等等的記錄媒體。所安裝之程式，編寫著命令(各步驟程序)，會對光阻膜形成裝置1之各部位，傳送控制信號，以控制其動作。例如控制：旋轉機構12旋轉晶圓W之轉數(轉速)變更、光阻液供給噴嘴31及溶劑供給噴嘴41之移動、從光阻供給機構32對光阻液供給噴嘴31之光阻液的供給及停止。更進一步地，環狀板51的升降、排氣裝置17之排氣量，也都由控制部100進行控制。
接著，針對此光阻膜形成裝置1所處理之晶圓W，參照圖4以進行說明。要在晶圓W表面，形成凹凸圖案。在圖4(a)所示之晶圓W的表面，以虛線所包圍的領域，係擴大繪示於一點鏈線的箭頭前方，並於此擴大圖中，繪示凹凸圖案之一例。於此例中，為了將晶圓W的表面以矩陣狀加以區分，而在縱向、橫向分別形成了複數個凹槽(凹部)61，並以凹槽61而形成了凸部62。在這些凹槽61、凸部62的頂面，分別形成了光阻膜61a、62a。
圖4(b)繪示晶圓W之側面的縱剖面。凹槽61的深度(凸部62的高度)A，係例如1μm～20μm，更具體而言係例如8μm。凹槽61的寬度B係例如10μm～5000μm，更具體而言例如200μm。凸部62的一邊之寬度C係例如10μm～5000μm，更具體而言係例如2800μm。又，凹凸圖案並不限定於此圖4所示之形狀。再者，在處理未形成凹凸圖案之基板時，亦可適用本發明之技術。在適用本發明之技術的該凹凸圖案中之凹部的高寬比，係例如在0.01～0.1，最能發揮效果。
接著，針對使用具有前述構成之光阻膜形成裝置1的塗布膜形成處理之一例的光阻膜形成方法，進行說明。首先，將晶圓W固持在旋轉夾頭11上，並以係第1轉速的1000rpm～3000rpm，例如2000rpm，使晶圓W旋轉；再從光阻液供給噴嘴31，對晶圓W之中心部供給光阻液。在此情況下，環狀板51會位在上升位置(第1位置)。再者，在以前述第1轉速而使光阻液在晶圓W上擴散的期間，以排氣裝置17對杯體14內進行排氣的壓力，係例如設定為70Pa。
又，在供給光阻液之際，亦可採用所謂的預濕法，即於光阻液之供給前，使用溶劑供給噴嘴41，對晶圓W表面供給溶劑並使其擴散。
接著以比第1轉速慢、而為50rpm～200rpm的第2轉速，例如100rpm的低速旋轉，進行晶圓W上之光阻液的乾燥步驟。於此乾燥步驟，環狀板51會位於下降位置(第2位置)。然後以排氣裝置17對杯體14內進行排氣的壓力，係例如設定為70Pa而以高壓排氣進行排氣。
藉由在此狀態下實施乾燥步驟，而在晶圓W之整面形成光阻液膜。然後藉由以那樣的低速旋轉、以及高壓排氣，實施光阻液塗布後之晶圓W的乾燥，而可以比習知之低速旋轉乾燥的膜厚更為均勻、且能謀求縮短乾燥時間。
對此進行詳述如下：首先，對於使用實施形態之光阻膜形成裝置1而進行低速旋轉-高壓排氣的乾燥步驟之情況、與進行低速旋轉-一般排氣之情況，其膜厚之比較，繪示成圖5的曲線圖。繪示於此曲線圖的膜厚分佈，係為了調查高壓排氣之效果，而未使用環狀板51者。
據其所載，低速旋轉-一般排氣，在以100rpm之低速旋轉而實施乾燥步驟的期間，排氣裝置17所進行之排氣的壓力，係維持在21Pa。另一方面，低速旋轉-高壓排氣，在以100rpm之低速旋轉而實施乾燥步驟之際，排氣裝置17所進行之排氣的壓力，係從21Pa增加到70Pa。其結果，如圖5所示，可以抑制在低速旋轉-一般排氣會觀察到的晶圓W之周緣部的膜厚上升，而全體的膜厚均變得均勻。
推測此係由於以下機制。亦即，在低速旋轉-一般排氣下，如圖6(a)所示，即使在乾燥步驟，光阻液R也會繼續擴散。然而在光阻液R為高黏度之情況下(例如50cP～900cP)，與低轉速相輔相成地，如圖6(b)所示，由於光阻液R的擴散較弱，所以光阻液R會繼續堆積在晶圓W的外周部。然後直到外周部乾燥為止，光阻液R會持續堆積在外周部，其結果，乾燥結束時，晶圓W之外周部的膜厚會變大，而如圖6(c)所示，外周部之光阻膜會發生陡升的現象。
相對於此，在低速旋轉-高壓排氣下，如圖7(a)所示，光阻液R的擴散，係與低速旋轉-一般排氣相同。然而，如圖7(a)所示，由於係高壓排氣，所以晶圓W上的光阻液之乾燥時間縮短，可以抑制光阻液R在外周部的堆積量。其結果，如圖7(c)所示，可以抑制在晶圓W之外周部的膜厚上升、陡升。
然後於實施形態之光阻膜形成方法，由於更進一步地在乾燥步驟，使環狀板51下降而位於第2位置，所以會以環狀板51的底面覆蓋晶圓W的表面。因此，晶圓W上的光阻液R表面之空氣的流速會進一步地變快。其結果，會提高膜厚之均勻性的同時，還可以謀求乾燥時間之縮短。再者，風機過濾機組(FFU)19所供給之空氣，會從環狀板51的開口部52，也就是晶圓W的中央部上方進入，而如上所述，會使空氣的流速變快，並流向外周部。基於此點，在由於晶圓W的中央側與外周側之間的流速差異而有導致影響膜厚變動之疑慮的情況下，亦可使得開口部52之中心，從於俯視觀察下係載置於旋轉夾頭11的晶圓W之中心錯開。 藉此，相當於在開口部52之下方的晶圓W的半徑位置，會隨著晶圓W的旋轉而變化，所以由於空氣的流速差異所導致對膜厚的影響，料想會隨著一邊使晶圓W旋轉所進行的處理而被平整、減輕。在此情況下，亦可取代將開口部52配置成使中心從晶圓W之中心錯開，而改為在環狀板51之開口部分的局部設置缺口；或是取代環狀板51，而採用具有部分從外周切除之形狀的板材。
發明人調查發現，相較於在低速旋轉-一般排氣下使環狀板51在乾燥步驟時下降而配置於第2位置之情形，在低速旋轉-高壓排氣的情況下，膜厚的均勻性約可提升40%。再者，關於乾燥時間，相較於在低速旋轉-一般排氣下使環狀板51在乾燥步驟時下降而配置於第2位置之情形，在低速旋轉-高壓排氣下，可以縮短20%。 又，在此所謂的高壓排氣，係意謂在塗布擴散步驟下，以排氣壓力高於排氣裝置17進行之一般排氣的排氣壓力進行排氣的情形，例如以一般排氣之排氣壓力的2倍以上之壓力進行排氣。
發明者人更進一步調查發現，在乾燥步驟下，杯體14內側的凸部26與環狀板51的外周端部之間的縫隙d、和載置於旋轉夾頭11的晶圓W與環狀板51的底面之間的縫隙h，對膜厚的均勻性、乾燥時間，會有影響。
亦即，若縫隙d變窄，則膜厚的均勻性就會惡化，但可以縮短乾燥時間。但是，發現到即便使縫隙d變窄，例如設定為5mm，若仍維持在低排氣，則膜厚的均勻性也不會改善。另一方面，針對縫隙h，發現到若此數值變大，則乾燥時間會變長。
從這樣的情況而了解到：在要提升膜厚之均勻性、且要縮短乾燥時間之際，若能使得於排氣之際流經縫隙d的空氣、與流經縫隙h的空氣，流速取得平衡，則可得到最佳結果。從而，使縫隙d與縫隙h的大小係各自在1～10mm的範圍內、並且使縫隙d與縫隙h設定為幾乎相同大小為宜。
當然，視塗布液之種類、黏度，最適當之縫隙d與縫隙h的大小也會改變，所以藉由適當地調整縫隙d與縫隙h的大小，可以謀求最良好之膜厚均勻性、及乾燥時間之縮短。再者，隨著製程配方，膜厚均勻性的容許範圍也千變萬化，所以在該容許範圍內縮短乾燥時間之際，藉由適當地調整這些縫隙d與縫隙h的大小，可以控制膜厚均勻性及乾燥時間之縮短。
又，針對一般排氣與高壓排氣，如前文所述，藉由排氣裝置17所進行之排氣的壓力的調整，係將光阻液供給、擴散時的排氣壓視為一般排氣，而比其更高的排氣壓力所進行的排氣視為高壓排氣，但亦可使用其他的參數。
亦即，於乾燥步驟，亦可使得從上述縫隙h排出之空氣的流速較大，係以風機過濾機組(FFU)19從上方對杯體14內的晶圓W供給之空氣的流速之2倍以上；更佳係以3倍～5倍之流速來排氣。又，在此所言之流經縫隙h之空氣的流速，係指流過晶圓W之直徑方向的空氣之流速。
以上，應視本次所揭露之實施形態，在全部各點，皆為例示，而非用以限制。上述實施形態，亦可在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。
又，以下之構成，亦屬於本發明之技術範圍。 (1)一種塗布膜形成方法，係在基板之表面形成塗布膜；該塗布膜形成方法，具有以下步驟： 塗布擴散步驟，在頂面有開口之塗布杯內，使該基板以第1轉速旋轉，並對該基板之表面供給用以形成該塗布膜的塗布液而使其擴散；以及 乾燥步驟，在該塗布擴散步驟後，一邊以低於該第1轉速之第2轉速使該基板旋轉，一邊從環狀構件與基板表面之間的縫隙進行排氣，該環狀構件係配置在該基板上方而使各中心位於同一軸上； 該環狀構件，所具有的大小，會使其外周端部，位在與該基板之外周端部的位置相同之位置或更外側； 於該乾燥步驟，使得從該縫隙排出之空氣的流速，比起在該塗布杯內從該基板上方供給至該基板之空氣的流速，大2倍以上。 在此，於該塗布擴散步驟，所謂供給塗布液而使其擴散一事，未必要使塗布液擴散至基板整面。 (2)一種塗布膜形成方法，係在基板之表面形成塗布膜；該塗布膜形成方法，具有以下步驟：塗布擴散步驟，在頂面有開口之塗布杯內，使該基板以第1轉速旋轉，並對該基板之表面供給用以形成該塗布膜的塗布液而使其擴散；以及乾燥步驟，在該塗布擴散步驟後，一邊以低於該第1轉速之第2轉速使該基板旋轉，一邊從環狀構件與基板表面之間的縫隙進行排氣，該環狀構件係配置在該基板上方而使各中心位於同一軸上；該環狀構件，所具有的大小，會使其外周端部，位在與該基板之外周端部的位置相同之位置或更外側；於該乾燥步驟，以比起在該塗布擴散步驟中從塗布杯內排出氣體時更為高壓而進行排氣。 在此，於該塗布擴散步驟，所謂供給塗布液而使其擴散一事，未必要使塗布液擴散至基板整面。 (3)於前述之(1)或(2)的塗布膜形成方法，亦可使得於該塗布杯中最靠近該環狀構件的部位、與該環狀構件的外周端部之間在縱向的縫隙，設為1～10mm，並使得該環狀構件的底面、與該基板表面之間的縫隙，設為1～10mm。 (4)於(3)的塗布膜形成方法，亦可使得於該塗布杯中最靠近該環狀構件的部位、與該環狀構件的外周端部之間在縱向的縫隙，和該環狀構件的底面、與該基板表面之間的縫隙，設為相同。 (5)於前述之(1)～(4)中之任一種塗布膜形成方法，亦可使得該第1轉速係1000rpm～3000rpm，該第2轉速係50rpm～500rpm。 (6)於前述之(1)～(5)中之任一種塗布膜形成方法，亦可使得該基板，於表面形成凹凸圖案，而該凹凸圖案中之凹部的高寬比，係0.01～0.1。 (7)於前述之(1)～(6)中之任一種塗布膜形成方法，亦可使得該塗布液的黏度，係50cP～900cP。 (8)一種塗布膜形成裝置，係在基板之表面形成塗布膜；該塗布膜形成裝置，具有： 基板固持部，固持基板； 旋轉機構，使該基板固持部所固持之該基板旋轉； 塗布杯，包圍著該基板固持部所固持之基板； 噴嘴，對該基板的表面之中心部，供給用以形成塗布膜的塗布液； 環狀構件，其直徑所具有之長度係在該基板的直徑以上，並配置成可在該基板固持部的上方上下自由移動； 排氣裝置，使該塗布杯內的雰圍氣體排出；以及 控制裝置，構成為控制該旋轉機構及該排氣裝置，而在藉由以該噴嘴對該基板固持部所固持之基板供給塗布液、並藉由該旋轉機構而使塗布液擴散的步驟之後，降低該旋轉機構的速度，同時增加以該排氣裝置排氣的流量。 在此，於使塗布液擴散的步驟，未必要使塗布液擴散至基板整面。
1:光阻膜形成裝置 11:旋轉夾頭 12:旋轉機構 14:杯體 15:排液口 16:排氣管 17:排氣裝置 19:風機過濾機組 21:升降頂針 22:升降機構 23:導引構件 23a,23b:斜面部 24:背面洗淨噴嘴 25:斜面部 26:凸部 31:光阻液供給噴嘴 32:光阻供給機構 33:臂體 34:移動機構 35:導軌 36:待命部 41:溶劑供給噴嘴 42:溶劑供給機構 43:臂體 44:移動機構 45:導軌 46:待命部 51:環狀板 51a:環狀板之內周的周緣部 52:開口部 53:支持構件 54:升降機構 61:凹槽 61a,62a:光阻膜 62:凸部 100:控制部 d,h:縫隙 A:凹槽的深度 B:凹槽的寬度 C:凸部的一邊之寬度 D:開口部的直徑 R:光阻液 W:晶圓
[圖1]示意性繪示一實施形態之光阻塗布裝置之側面的縱斷側的說明圖。 [圖2]圖1之光阻塗布裝置的俯視圖。 [圖3]繪示圖1之光阻塗布裝置的環狀板與杯體間之關係的說明圖。 [圖4](a)、(b)繪示圖1之光阻塗布裝置所處理之晶圓之一例的說明圖。 [圖5]繪示在低速旋轉時之排氣量之大小與膜厚分佈之關係的曲線圖。 [圖6](a)～(c)繪示低速旋轉-一般排氣時之晶圓上的光阻液繼續擴散之狀態的說明圖。 [圖7](a)～(c)繪示低速旋轉-高壓排氣時之晶圓上的光阻液繼續擴散的狀態的說明圖。
1:光阻膜形成裝置
11:旋轉夾頭
12:旋轉機構
14:杯體
15:排液口
16:排氣管
17:排氣裝置
19:風機過濾機組
21:升降頂針
22:升降機構
23:導引構件
23a,23b:斜面部
24:背面洗淨噴嘴
25:斜面部
26:凸部
31:光阻液供給噴嘴
32:光阻供給機構
41:溶劑供給噴嘴
42:溶劑供給機構
51:環狀板
51a:環狀板之內周的周緣部
52:開口部
53:支持構件
54:升降機構
100:控制部
W:晶圓

Claims (9)

  1. 一種塗布膜形成方法，在基板之表面形成塗布膜，包括以下步驟： 塗布擴散步驟，在頂面有開口之塗布杯內，使該基板以第1轉速旋轉，並對該基板之表面供給用以形成該塗布膜的塗布液而使其擴散；以及 乾燥步驟，在該塗布擴散步驟後，一邊以低於該第1轉速之第2轉速使該基板旋轉，一邊從一環狀構件與該基板表面之間的縫隙進行排氣，該環狀構件係配置在該基板上方而使各中心位於同一軸上； 該環狀構件所具有的大小，會使其外周端部位在與該基板之外周端部的位置相同之位置或更外側； 於該乾燥步驟，使得從該縫隙排出之空氣的流速，大於在該塗布杯內從該基板上方供給至該基板之空氣的流速。
  2. 如請求項1之塗布膜形成方法，其中， 於該乾燥步驟，使得從該縫隙排出之空氣的流速，係在該塗布杯內從該基板上方供給至該基板之空氣的流速之2倍以上。
  3. 如請求項1之塗布膜形成方法，其中， 於該乾燥步驟，以比在該塗布擴散步驟中從該塗布杯內之排氣更高壓進行排氣。
  4. 如請求項1之塗布膜形成方法，其中， 於該塗布杯中最靠近該環狀構件的部位、與該環狀構件的外周端部之間在縱向的縫隙設為1～10mm，並使該環狀構件的底面、與該基板表面之間的縫隙設為1～10mm。
  5. 如請求項4之塗布膜形成方法，其中， 於該塗布杯中最靠近該環狀構件的部位、與該環狀構件的外周端部之間在縱向的縫隙，和該環狀構件的底面、與該基板表面之間的縫隙，設為相同。
  6. 如請求項1至5項中任一項之塗布膜形成方法，其中， 該第1轉速係1000rpm～3000rpm，該第2轉速係50rpm～500rpm。
  7. 如請求項1至5項中任一項之塗布膜形成方法，其中， 於該基板的表面形成凹凸圖案，而該凹凸圖案中之凹部的高寬比係0.01～0.1。
  8. 如請求項1至4項中任一項之塗布膜形成方法，其中， 該塗布液的黏度，係50cP～900cP。
  9. 一種塗布膜形成裝置，在基板之表面形成塗布膜，包括： 基板固持部，固持一基板； 旋轉機構，使該基板固持部所固持之該基板旋轉； 塗布杯，包圍著該基板固持部所固持之基板； 噴嘴，對該基板的表面之中心部，供給用以形成塗布膜的塗布液； 環狀構件，其直徑之長度係在該基板的直徑以上，並配置成可在該基板固持部的上方上下自由移動； 排氣裝置，使該塗布杯內的雰圍氣體排出；以及 控制裝置，控制該旋轉機構及該排氣裝置，而在藉由以該噴嘴對該基板固持部所固持之基板供給塗布液、並藉由該旋轉機構而使塗布液擴散的步驟之後，降低該旋轉機構的轉速，同時增加以該排氣裝置排氣的流量。
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