JP6883462B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
以下、第1実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール15の液処理ユニットU1について詳細に説明する。図4に示すように、処理モジュール15の液処理ユニットU1は、スピンチャック61(保持部)と、塗布液供給ノズル62(処理液供給部)と、溶剤供給ノズル63と、回転駆動部64と、カップベース65(回収部)と、バックリンス供給ノズル77(バックリンス供給部)と、排出部70と、捕集プレート30(第1捕集部)とを備える。
スピンチャック61は、ウェハW(基板)を水平に保持する。スピンチャック61は、上下方向(鉛直方向)に延伸したシャフト66を介して回転駆動部64に連結されている。スピンチャック61は、回転駆動部64がシャフト66を回転させることに応じて、鉛直軸周りに回転する。スピンチャック61が鉛直軸周りに回転することにより、スピンチャック61に保持されたウェハWが鉛直軸周りに回転する。また、スピンチャック61は、回転駆動部64がシャフト66を昇降させることに応じて、上下方向に昇降する。
回転駆動部64は、スピンチャック61を鉛直軸周りに回転させる。回転駆動部64は、シャフト66を回転させることにより、該シャフト66の上端に連結されたスピンチャック61を回転させる。また、回転駆動部64は、シャフト66を昇降させることにより、該シャフト66の上端に連結されたスピンチャック61を上下方向に昇降させる。
塗布液供給ノズル62は、塗布液供給工程において、回転駆動部64によって回転させられているスピンチャック61が保持するウェハWにレジスト等の塗布液(処理液)を供給する。塗布液供給ノズル62は、例えば有機溶剤濃度が70%以下の高粘性(例えば2000cp以上)の塗布液を供給する。塗布液供給ノズル62は、ウェハWの略中心位置上方から、ウェハWの表面W1に対して塗布液を供給する。なお、塗布液供給ノズル62は、ウェハWの中心位置と周縁部との間の位置上方から塗布液を供給してもよいし、ウェハWの中心位置と周縁部との間をスキャンしながら塗布液を供給してもよい。
溶剤供給ノズル63は、プリウェット工程において、回転駆動部64によって回転させられているスピンチャック61が保持するウェハWにシンナー等の有機溶剤を供給する。溶剤供給ノズル63は、ウェハWの中心位置と周縁部との間を、例えば10〜200mm/secの速度でスキャンしながら有機溶剤を供給する。なお、溶剤供給ノズル63は、ウェハWの略中心位置上方で停止した状態で有機溶剤を供給してもよい。
カップベース65は、スピンチャック61の下方においてシャフト66を囲むように配置されている。カップベース65は、ウェハWの裏面W2(ウェハWにおける塗布膜が供給される表面W1と反対側の面)側に漏出して落下した塗布液を受け止め、回収する。
バックリンス供給ノズル77は、ウェハWの裏面W2に向けて、シンナー等の有機溶剤であるバックリンスを供給する。バックリンス供給ノズル77は、カップベース65の例えば2箇所に設けられており、後述する捕集プレート30の通過口30bの下方にて上方に開口した吐出口を有する。塗布液拡開工程において、バックリンスがウェハWの裏面W2に供給されることにより、表面W1に供給された塗布膜が裏面W2側に回り込むことを抑制することができる。また、塗布膜拡開工程においては、ウェハWの回転に伴って塗布膜が糸状に固化した糸状物がウェハWの端部に発生するところ、バックリンスがウェハWの裏面W2に供給されることにより、発生直後の糸状物を溶解することができる。更に、ウェハWの裏面W2に供給されたバックリンスは、裏面W2で跳ね返り、裏面W2の下方に配置された捕集プレート30(後述)にも供給されることとなる。
排出部70は、スピンチャック61を外側から取り囲む位置に配置されており、排気及び塗布液の排出(廃液)に係る構成である。排出部70は、スピンチャック61を取り囲む処理カップとして、内側カップ71と、該内側カップ71を外側から取り囲む位置に配置された外側カップ72とを有する。内側カップ71と外側カップ72との間に排気流路80が形成されている。
捕集プレート30は、スピンチャック61の下方、より詳細には、スピンチャック61及びカップベース65の間に配置され、回転するウェハWに塗布液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する部材である。より詳細には、捕集プレート30は、シャフト66を囲むようにカップベース65の上面に配置されている。捕集プレート30は、スピンチャック61と別体に構成され固定された、プレート状部材である。捕集プレート30は、カップベース65に固定されている。
第1実施形態に係る液処理ユニットU1は、ウェハWを保持するスピンチャック61と、スピンチャック61を回転させる回転駆動部64と、回転駆動部64によって回転させられているスピンチャック61が保持するウェハWに塗布液を供給する塗布液供給ノズル62と、ウェハWにおける塗布液が供給される面(表面W1)の反対側の面である裏面W2から落下する塗布液を回収するカップベース65と、裏面W2及びカップベース65の間に配置され、回転するウェハWに塗布液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する捕集プレート30と、を備える。
次に、図6及び図7を参照して、第2実施形態に係る液処理ユニットU1Aについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、図8を参照して、第3実施形態に係る液処理ユニットU1Bについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1及び第2実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、図9及び図10を参照して、第4実施形態に係る液処理ユニットU1Cについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1〜第3実施形態と異なる点について主に説明する。
Claims (7)
- 基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記回転駆動部によって回転させられている前記保持部が保持する基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記保持部の下方に配置され、回転する前記基板に前記処理液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する第1捕集部と、を備え、
前記第1捕集部は、前記保持部と一体的に設けられており、前記保持部と共に回転する、基板処理装置。 - 前記基板の裏面側に漏出した前記処理液を受け止める回収部を更に備え、
前記第1捕集部は、前記保持部及び前記回収部の間に配置されている、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板の裏面に向けてバックリンスを供給するバックリンス供給部を更に備える、請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記第1捕集部は、第1開口を有し、
前記バックリンス供給部は、前記第1開口の下方にて上方に開口した吐出口を有する、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記第1捕集部は、プレート状に形成されている、請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記第1捕集部は、前記基板の裏面と平行な面に対して傾斜している、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記保持部を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路と、
前記排気流路の上部において前記排気流路を覆うように配置された、前記糸状物を捕集する第2捕集部と、を更に備え、
前記第2捕集部は、前記排気流路を流れる排気を通過させる第2開口を有する、請求項1〜6のいずれか一項記載の基板処理装置。
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