JP2018182023A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】回転する基板に対して処理液を供給した際に生じる糸状物が回収部に堆積することを抑制すること。【解決手段】液処理ユニットＵ１は、ウェハＷを保持するスピンチャック６１と、スピンチャック６１を回転させる回転駆動部６４と、回転駆動部６４によって回転させられているスピンチャック６１が保持するウェハＷに塗布液を供給する塗布液供給ノズル６２と、ウェハＷにおける塗布液が供給される面（表面Ｗ１）の反対側の面である裏面Ｗ２から落下する塗布液を回収するカップベース６５と、裏面Ｗ２及びカップベース６５の間に配置され、回転するウェハＷに塗布液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する捕集プレート３０と、を備える。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１には、塗布液（処理液）を塗布された基板を、塗布液を拡げるために回転させる際、塗布液が糸状に固化した糸状物が発生すること、当該糸状物が排気流路中に詰まるおそれがあること、排気流路の上方に当該糸状物を捕集する捕集部を設けること、が開示されている。

実用新案登録第３１７５８９３号公報

上記特許文献１に開示された手段により、糸状物が排気流路中に詰まることを好適に抑制することができる。ここで、基板の回転によって発生する糸状物の一部は、基板の裏面側に回り込み、基板を保持する保持部の下方に配置されたカップベース（処理液を回収する回収部）等に堆積する場合がある。カップベースの周辺等、保持部の下方には配管が多く設けられているため、堆積した糸状物を回収する作業は煩雑となる。

本開示は上記実情に鑑みてなされたものであり、回転する基板に対して処理液を供給した際に生じる糸状物が基板を保持する保持部の下方に堆積することを抑制することを目的とする。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を保持する保持部と、保持部を回転させる回転駆動部と、回転駆動部によって回転させられている保持部が保持する基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記保持部の下方に配置され、回転する基板に処理液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する第１捕集部と、を備える。

本開示に係る基板処理装置では、回転する基板に処理液が供給されることにより生じる糸状物が、保持部の下方に配置された第１捕集部により捕集される。糸状物の発生箇所である基板よりも下方に第１捕集部が配置されることにより、糸状物を効果的に捕集することができる。以上により、本開示に係る基板処理装置によれば、回転する基板に対して処理液を供給した際に生じる糸状物が保持部の下方に堆積することを抑制することができる。

上記基板処理装置は、基板の裏面側に漏出した処理液を受け止める回収部を更に備え、第１捕集部は、保持部及び回収部の間に配置されていてもよい。第１捕集部が回収部よりも上方に配置されることにより、糸状物が堆積しやすい回収部に糸状物が堆積することを抑制できる。

上記基板処理装置は、基板の裏面に向けてバックリンスを供給するバックリンス供給部を更に備えていてもよい。バックリンスが基板の裏面に供給されることにより、基板の表面に供給された処理液が基板の裏面に回り込むことを抑制することができる。また、基板の裏面に供給されたバックリンスは、該裏面で跳ね返り、基板の裏面よりも下方に配置された第１捕集部にも供給されることとなる。これにより、第１捕集部が捕集している糸状物をバックリンスで洗い流すことができる。洗い流された捕集物は液状化するので、糸状であるときのように回収部に堆積することがない。

第１捕集部は第１開口を有し、バックリンス供給部は、第１開口の下方にて上方に開口した吐出口を有していてもよい。これにより、バックリンス供給部から供給されたバックリンスが、第１開口を介して基板の裏面に適切に到達することとなり、上述したバックリンスによる効果を好適に奏することができる。すなわち、バックリンス供給部の吐出口からバックリンスが上方に向かう際には、バックリンスを第１開口を通過させて基板の裏面に到達させることができ、裏面を適切に洗浄することができる。裏面に十分にバックリンスを供給できるため、裏面から第１捕集部に落下するバックリンスの量も十分なものとできる。

第１捕集部は、保持部と別体で構成され固定されていてもよい。第１捕集部が、保持部とは別体の、回転しない（位置が固定されている）部材とされることにより、回転する場合と比較してより効果的に糸状物を捕集することができる。

第１捕集部は、保持部と一体的に設けられており、保持部と共に回転してもよい。第１捕集部が回転することにより、第１捕集部における様々な面にバックリンスを流すことができる。これにより、第１捕集部が捕集している糸状物をより効果的にバックリンスで洗い流すことができる。

第１捕集部は、プレート状に形成されていてもよい。これにより、基板処理装置内の限られたスペースにおいても、簡易な構成で、糸状物を回収することができる。

第１捕集部は、基板の裏面と平行な面に対して傾斜していてもよい。これにより、バックリンスが流れやすい構成（糸状物を適切に液状化させることができる構成）とすることができる。

上記基板処理装置は、保持部を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路と、排気流路の上部において排気流路を覆うように配置された、糸状物を捕集する第２捕集部と、を更に備え、第２捕集部は、排気流路を流れる排気を通過させる開口部を有していてもよい。糸状物は、回転する基板の端部から処理液が振り切られることにより発生する。このため、糸状物は基板の端部側すなわち保持部の外側に発生し易い。すなわち、保持部を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路には糸状物が詰まり易い。この点、排気流路を覆うように第２捕集部が設けられることにより、排気流路に糸状物が詰まることを抑制することができる。また、第２捕集部には、排気を通過させる開口部が形成されている。これにより、糸状物を捕集すると共に、排気流路における排気を適切に行うことができる。

本開示によれば、回転する基板に対して処理液を供給した際に生じる糸状物が基板を保持する保持部の下方に堆積することを抑制することができる。

第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係る液処理ユニットの模式図である。 第１実施形態に係る捕集部材の模式図である。 第２実施形態に係る液処理ユニットの模式図である。 第２実施形態に係る捕集部材の模式図である。 第３実施形態に係る液処理ユニットの模式図である。 第４実施形態に係る液処理ユニットの模式図である。 第４実施形態に係る捕集部材の模式図である。

［第１実施形態］
以下、第１実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（塗布・現像装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（塗布液）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１についての詳細は後述する。

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像用の処理液（現像液）を塗布した後、これを洗浄用の処理液（リンス液）により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。

まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、被膜形成用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１４，１５，１６の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

〔液処理ユニット〕
続いて、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１について詳細に説明する。図４に示すように、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、スピンチャック６１（保持部）と、塗布液供給ノズル６２（処理液供給部）と、溶剤供給ノズル６３と、回転駆動部６４と、カップベース６５（回収部）と、バックリンス供給ノズル７７（バックリンス供給部）と、排出部７０と、捕集プレート３０（第１捕集部）とを備える。

（スピンチャック）
スピンチャック６１は、ウェハＷ（基板）を水平に保持する。スピンチャック６１は、上下方向（鉛直方向）に延伸したシャフト６６を介して回転駆動部６４に連結されている。スピンチャック６１は、回転駆動部６４がシャフト６６を回転させることに応じて、鉛直軸周りに回転する。スピンチャック６１が鉛直軸周りに回転することにより、スピンチャック６１に保持されたウェハＷが鉛直軸周りに回転する。また、スピンチャック６１は、回転駆動部６４がシャフト６６を昇降させることに応じて、上下方向に昇降する。

（回転駆動部）
回転駆動部６４は、スピンチャック６１を鉛直軸周りに回転させる。回転駆動部６４は、シャフト６６を回転させることにより、該シャフト６６の上端に連結されたスピンチャック６１を回転させる。また、回転駆動部６４は、シャフト６６を昇降させることにより、該シャフト６６の上端に連結されたスピンチャック６１を上下方向に昇降させる。

回転駆動部６４は、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１におけるそれぞれの工程毎に、適切な速度でスピンチャック６１を回転させる。当該工程には、少なくとも、プリウェット工程、塗布液供給工程、及び塗布液拡開工程が含まれている。プリウェット工程とは、ウェハＷに塗布液を塗布する前にウェハＷ上に有機溶剤の液膜を形成することにより、ウェハＷ上で塗布液を拡がり易くすると共に、ウェハＷと塗布液との間に気泡が混入しにくくするための工程である。塗布液供給工程とは、高粘度レジスト等の塗布液をウェハＷに供給する工程である。塗布液拡開工程とは、ウェハＷ上に塗布された塗布液をウェハＷの周縁部にまで拡げる工程である。塗布膜拡開工程においてウェハＷが回転することにより、一部の塗布膜がウェハＷの端部から振り切られて、高粘性（例えば１０００ｃｐ以上）の塗布膜は糸状に固化して糸状物となる。回転駆動部６４は、プリウェット工程において例えばウェハＷを５００〜１５００ｒｐｍで回転させる。回転駆動部６４は、塗布液供給工程において例えばウェハＷを８００〜１５００ｒｐｍで回転させる。回転駆動部６４は、塗布液拡開工程において例えばウェハＷを５００〜１２００ｒｐｍで回転させる。

（塗布液供給ノズル）
塗布液供給ノズル６２は、塗布液供給工程において、回転駆動部６４によって回転させられているスピンチャック６１が保持するウェハＷにレジスト等の塗布液（処理液）を供給する。塗布液供給ノズル６２は、例えば有機溶剤濃度が７０％以下の高粘性（例えば２０００ｃｐ以上）の塗布液を供給する。塗布液供給ノズル６２は、ウェハＷの略中心位置上方から、ウェハＷの表面Ｗ１に対して塗布液を供給する。なお、塗布液供給ノズル６２は、ウェハＷの中心位置と周縁部との間の位置上方から塗布液を供給してもよいし、ウェハＷの中心位置と周縁部との間をスキャンしながら塗布液を供給してもよい。

（溶剤供給ノズル）
溶剤供給ノズル６３は、プリウェット工程において、回転駆動部６４によって回転させられているスピンチャック６１が保持するウェハＷにシンナー等の有機溶剤を供給する。溶剤供給ノズル６３は、ウェハＷの中心位置と周縁部との間を、例えば１０〜２００ｍｍ／ｓｅｃの速度でスキャンしながら有機溶剤を供給する。なお、溶剤供給ノズル６３は、ウェハＷの略中心位置上方で停止した状態で有機溶剤を供給してもよい。

（カップベース）
カップベース６５は、スピンチャック６１の下方においてシャフト６６を囲むように配置されている。カップベース６５は、ウェハＷの裏面Ｗ２（ウェハＷにおける塗布膜が供給される表面Ｗ１と反対側の面）側に漏出して落下した塗布液を受け止め、回収する。

（バックリンス供給ノズル）
バックリンス供給ノズル７７は、ウェハＷの裏面Ｗ２に向けて、シンナー等の有機溶剤であるバックリンスを供給する。バックリンス供給ノズル７７は、カップベース６５の例えば２箇所に設けられており、後述する捕集プレート３０の通過口３０ｂの下方にて上方に開口した吐出口を有する。塗布液拡開工程において、バックリンスがウェハＷの裏面Ｗ２に供給されることにより、表面Ｗ１に供給された塗布膜が裏面Ｗ２側に回り込むことを抑制することができる。また、塗布膜拡開工程においては、ウェハＷの回転に伴って塗布膜が糸状に固化した糸状物がウェハＷの端部に発生するところ、バックリンスがウェハＷの裏面Ｗ２に供給されることにより、発生直後の糸状物を溶解することができる。更に、ウェハＷの裏面Ｗ２に供給されたバックリンスは、裏面Ｗ２で跳ね返り、裏面Ｗ２の下方に配置された捕集プレート３０（後述）にも供給されることとなる。

（排出部）
排出部７０は、スピンチャック６１を外側から取り囲む位置に配置されており、排気及び塗布液の排出（廃液）に係る構成である。排出部７０は、スピンチャック６１を取り囲む処理カップとして、内側カップ７１と、該内側カップ７１を外側から取り囲む位置に配置された外側カップ７２とを有する。内側カップ７１と外側カップ７２との間に排気流路８０が形成されている。

内側カップ７１は、ウェハＷの裏面Ｗ２側周縁部と近接する位置から外側カップ７２方向且つ下方（外側下方）へ傾斜して延びる環状の傾斜壁７９と、傾斜壁７９の下端に連続し鉛直下方に延びる環状の垂直壁７５とを有する。当該傾斜壁７９及び垂直壁７５は、ウェハＷの端部から振り切られた塗布液が流れ落ちることをガイドするための構成である。外側カップ７２は、底部が凹部上に形成され、環状の液受け部として構成される。外側カップ７２は下部に廃液口７３が形成されると共に、廃液口７３よりスピンチャック６１寄り（内側）に排気口７８が形成されている。廃液口７３と排気口７８との間には、下方から上方に向けて延在する隔離壁７６が形成されている。隔離壁７６は、垂直壁７５よりも内側において垂直壁７５の下端よりも上側まで延在している。これにより、隔離壁７６と垂直壁７５とによりラビリンス構造が形成され、気体と液体とが適切に分離され、排気口７８からは気体を、廃液口７３からは液体を、それぞれ適切に排出できる。

（捕集プレート）
捕集プレート３０は、スピンチャック６１の下方、より詳細には、スピンチャック６１及びカップベース６５の間に配置され、回転するウェハＷに塗布液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する部材である。より詳細には、捕集プレート３０は、シャフト６６を囲むようにカップベース６５の上面に配置されている。捕集プレート３０は、スピンチャック６１と別体に構成され固定された、プレート状部材である。捕集プレート３０は、カップベース６５に固定されている。

図５に示すように、捕集プレート３０は、円盤状に形成されている。捕集プレート３０は、シャフト６６を通過させるシャフト孔３０ａと、バックリンス供給ノズル７７からウェハＷの裏面Ｗ２に向かって供給されるバックリンスを通過させる通過口３０ｂ（第１開口）と、カップベース６５に固定するための位置決めピンを挿入するためのピン孔３０ｘとを有する。シャフト孔３０ａは捕集プレート３０における略中央部分に形成されている。通過口３０ｂは、捕集プレート３０をカップベース６５上に固定した状態においてバックリンス供給ノズル７７からのバックリンスを通過させることができる位置に形成されている。本実施形態では、バックリンス供給ノズル７７が、カップベース６５の２箇所に設けられているので、対応して形成される通過口３０ｂも捕集プレート３０の２箇所に形成されている。ピン孔３０ｘは、例えば捕集プレート３０の中央部分を挟んで対称となる２箇所に形成されている。

捕集プレート３０は、糸状物をより好適に捕集するための各種処理が施されたものであってもよい。例えば、捕集プレート３０は、表面に凹凸部を有していてもよい。また、捕集プレート３０は、その表面がブラスト処理されたものであってもよい。また、捕集プレート３０はエアーノズルを有し、エアーノズルにより温度及び湿度や気流をコントロールして糸状物の状態を変化させるものであってもよい。

捕集プレート３０は、例えばステンレス等の金属、ＰＴＦＥ（Poly Tetra FluoroEthylene）、ＰＴＥＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene）、又はポリ三フッ化塩化エチレン等の、塗布液に対して耐食性を有する材料により構成されている。

〔第１実施形態の作用効果〕
第１実施形態に係る液処理ユニットＵ１は、ウェハＷを保持するスピンチャック６１と、スピンチャック６１を回転させる回転駆動部６４と、回転駆動部６４によって回転させられているスピンチャック６１が保持するウェハＷに塗布液を供給する塗布液供給ノズル６２と、ウェハＷにおける塗布液が供給される面（表面Ｗ１）の反対側の面である裏面Ｗ２から落下する塗布液を回収するカップベース６５と、裏面Ｗ２及びカップベース６５の間に配置され、回転するウェハＷに塗布液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する捕集プレート３０と、を備える。

液処理ユニットＵ１では、回転するウェハＷに塗布液が供給されることにより生じる糸状物が、裏面Ｗ２及びカップベース６５の間に配置された捕集プレート３０により捕集される。糸状物の発生箇所であるウェハＷよりも下方に捕集プレート３０が配置されることにより、糸状物を効果的に捕集することができる。また、カップベース６５よりも上方に捕集プレート３０が配置されることにより、カップベース６５に糸状物が堆積することを抑制できる。以上により、液処理ユニットＵ１によれば、回転するウェハＷに対して塗布液を供給した際に生じる糸状物がスピンチャック６１の下方の空間（例えばカップベース６５）に堆積することを抑制することができる。

液処理ユニットＵ１は、ウェハＷの裏面Ｗ２に向けてバックリンスを供給するバックリンス供給ノズル７７を更に備えている。バックリンスがウェハＷの裏面Ｗ２に供給されることにより、ウェハＷの表面Ｗ１に供給された塗布液がウェハＷの裏面Ｗ２に回り込むことを抑制することができる。また、裏面Ｗ２に供給されたバックリンスは、裏面Ｗ２で跳ね返り、裏面Ｗ２よりも下方に配置された捕集プレート３０にも供給されることとなる。これにより、捕集プレート３０が捕集している糸状物をバックリンスで洗い流すことができる。洗い流された捕集物は液状化するので、糸状であるときのよにカップベース６５に堆積することがない。

捕集プレート３０は通過口３０ｂを有し、バックリンス供給ノズル７７は、通過口３０ｂの下方にて上方に開口した吐出口を有している。これにより、バックリンス供給ノズル７７から供給されたバックリンスが、通過口３０ｂを介してウェハＷの裏面Ｗ２に適切に到達することとなり、上述したバックリンスによる効果を好適に奏することができる。すなわち、バックリンス供給ノズル７７の吐出口からバックリンスが上方に向かう際には、バックリンスを通過口３０ｂを通過させてウェハＷの裏面Ｗ２に到達させることができ、裏面Ｗ２を適切に洗浄することができる。裏面Ｗ２に十分にバックリンスを供給できるため、裏面Ｗ２から捕集プレート３０に落下するバックリンスの量も十分なものとできる。

なお、本実施形態では、捕集プレート３０で捕集した糸状物をバックリンスにより洗い流すとして説明しているが、仮に捕集プレート３０で捕集した糸状物がバックリンスにより洗い流されなかったとしても、従来のようにカップベースに糸状物が堆積する構成と比較すると液処理ユニットの運用が容易になる。すなわち、従来のようにカップベースに糸状物が堆積した場合には、配管が多く設けられたカップベースを直接洗浄する必要等があり、液処理ユニットの運用が煩雑であった。これに対して、捕集プレート３０にて糸状物を捕集する構成においては、仮に糸状物がバックリンスにより洗い流しきれなかったとしても、捕集プレート３０を取り出して洗浄することにより、糸状物を容易に取り除くことができる。これにより、従来と比較して液処理ユニットの運用を容易化することができる。

捕集プレート３０は、スピンチャック６１と別体であり、カップベース６５上に固定されている。捕集プレート３０が、スピンチャック６１とは別体であり、回転しない（位置が固定されている）ことにより、回転する場合と比較してより効果的に糸状物を捕集することができる。

捕集プレート３０は、プレート状に形成されている。これにより、液処理ユニットＵ１内の限られたスペースにおいても、簡易な構成で、糸状物を回収することができる。

［第２実施形態］
次に、図６及び図７を参照して、第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ａについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第１実施形態と異なる点について主に説明する。

図６に示すように、第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ａは、第１実施形態で説明した捕集プレート３０に替えて、捕集プレート４０を備えている。捕集プレート４０は、スピンチャック６１と一体的に設けられており、スピンチャック６１と共に回転する。より詳細には、捕集プレート４０は、スピンチャック６１の下面に配置されており、スピンチャック６１と共に回転する。

図７に示すように、円盤状の捕集プレート４０は、周方向に沿って、パックリンスを通過させるための通過口４０ｂが複数形成されている。図７に示す例では、通過口４０ｂは捕集プレート４０において８か所形成されている。捕集プレート４０では、バックリンスが供給される位置（径方向における位置）において、少なくとも、通過口４０ｂの領域が、通過口４０ｂとなっていない（バックリンスを通過させない）領域よりも広い。これにより、捕集プレート４０が回転する構成においても、通過口４０ｂから適切にバックリンスを通過させることができる。

上述したように、第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ａでは、捕集プレート４０が、スピンチャック６１と一体的に設けられており、スピンチャック６１と共に回転する。捕集プレート４０が回転することにより、捕集プレート４０における様々な面にバックリンスを流すことができる。これにより、捕集プレート４０部が捕集している糸状物をより効果的にバックリンスで洗い流すことができる。

また、捕集プレート４０がスピンチャック６１の下面に配置されていることにより、簡易に、上述した捕集プレート４０が回転する構成、すなわちバックリンスにより糸状物を洗い流す構成とすることができる。

［第３実施形態］
次に、図８を参照して、第３実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ｂについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第１及び第２実施形態と異なる点について主に説明する。

図８に示すように、第３実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ｂは、第１実施形態で説明した捕集プレート３０及び第２実施形態で説明した捕集プレート４０に替えて、捕集プレート５０を備えている。捕集プレート５０は、ウェハＷの裏面Ｗ２と平行な面に対して傾斜している。より詳細には、捕集プレート５０は、シャフト６６に近い側（内側）が厚肉とされると共に、排出部７０に近い側（外側）に近づくにつれて薄肉とされ、ウェハＷの裏面Ｗ２と平行な面に対して傾斜している。

このような傾斜した捕集プレート５０では、ウェハＷの裏面Ｗ２で跳ね返って捕集プレート５０に到達したバックリンスＢＲが、捕集プレート５０上において排出部７０側に流れやすくなる（図８参照）。すなわち、バックリンスＢＲが流れやすい構成とすることができる。このことで、捕集プレート５０において捕集した糸状物ＳＩを効果的に洗い流し、糸状物ＳＩを適切に液状化させることができる。

［第４実施形態］
次に、図９及び図１０を参照して、第４実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ｃについて説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第１〜第３実施形態と異なる点について主に説明する。

図９に示すように、第４実施形態に係る液処理ユニットＵ１Ｃは、第１実施形態で説明した構成に加えて、スピンチャック６１を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路８０の上部において排気流路８０を覆うように配置された、糸状物を捕集する捕集部材９０（第２捕集部）を備える。捕集部材９０は、排気流路８０を塞ぐように設けられている。捕集部材９０は、排気流路８０を流れる排気を通過させる開口部９０ｄ（第２開口）（図１０参照）を有しており、開口部９０ｄから排気を可能にすると共に、排気流路８０側に到達した糸状物を捕集するように構成されている。

図１０に示すように、捕集部材９０は、例えばステンレス等の金属製の内側リング９０ａと、内側リング９０ａより大径の外側リング９０ｂと、内側リング９０ａ及び外側リング９０ｂの間をつなぐ、複数の例えば三角形状の連結部材９０ｃとを有する。捕集部材９０においては、内側リング９０ａと外側リング９０ｂとの間の領域のうち、三角形状の連結部材９０ｃが設けられた領域以外は開口部９０ｄとされている。これにより、捕集部材９０の上方と下方とで、開口部９０ｄを介して連通可能とされており、処理室内部の雰囲気を排気流路８０に排気可能となっている。捕集部材９０は、開口部９０ｄによって排気及び排気中の液を捕集部材９０の下方に通過させると共に、連結部材９０ｃによって糸状物を捕集する。

上述したように、糸状物は、回転するウェハＷの周縁部から塗布液が振り切られることにより発生する。このため、糸状物はウェハＷの周縁部側すなわちスピンチャック６１の外側に発生し易い。すなわち、スピンチャック６１を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路８０には糸状物が詰まり易い。この点、排気流路８０を覆うように捕集部材９０が設けられることにより、排気流路８０に糸状物が詰まることを抑制することができる。また、捕集部材９０には、排気を通過させる開口部９０ｄが形成されている。これにより、糸状物を捕集すると共に、排気流路８０における排気を適切に行うことができる。

以上、本発明の第１〜第４実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。

例えば、本開示に係る構成を、処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１に用いる例を説明したがこれに限定されず、本開示に係る構成は、回転する基板に高粘度の処理液を供給することによって糸状物を生じる様々な装置に用いることができる。

２…塗布・現像装置（基板処理装置）、３０，４０，５０…捕集プレート（第１捕集部）、３０ｂ，４０ｂ…通過口、６１…スピンチャック（保持部）、６２…塗布液供給ノズル（処理液供給部）、６４…回転駆動部、６５…カップベース（回収部）、７０…排出部、７７…バックリンス供給ノズル（バックリンス供給部）、８０…排気流路、９０…捕集部材（第２捕集部）、９０ｄ…開口部、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗ２…裏面。

Claims (9)

1. 基板を保持する保持部と、
   前記保持部を回転させる回転駆動部と、
   前記回転駆動部によって回転させられている前記保持部が保持する基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記保持部の下方に配置され、回転する前記基板に前記処理液が供給されることにより生じる糸状物を捕集する第１捕集部と、を備える基板処理装置。
2. 前記基板の裏面側に漏出した前記処理液を受け止める回収部を更に備え、
   前記第１捕集部は、前記保持部及び前記回収部の間に配置されている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記基板の裏面に向けてバックリンスを供給するバックリンス供給部を更に備える、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記第１捕集部は、第１開口を有し、
   前記バックリンス供給部は、前記第１開口の下方にて上方に開口した吐出口を有する、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第１捕集部は、前記保持部と別体に構成され固定されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記第１捕集部は、前記保持部と一体的に設けられており、前記保持部と共に回転する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記第１捕集部は、プレート状に形成されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記第１捕集部は、前記基板の裏面と平行な面に対して傾斜している、請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記保持部を外側から取り囲む位置において上下方向に延びる排気流路と、
   前記排気流路の上部において前記排気流路を覆うように配置された、前記糸状物を捕集する第２捕集部と、を更に備え、
   前記第２捕集部は、前記排気流路を流れる排気を通過させる第２開口を有する、請求項１〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。

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