JP6427449B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）に、処理を施す基板処理技術に関する。

このような処理を行う基板処理装置として、特許文献１には、チャックピンによって基板を略水平に保持しつつ回転するスピンベース（「保持部材」）と、当該基板の上面から所定間隔を空けて平行に対向する蓋部材と、蓋部材の中央部に設けられた貫通孔を介して当該基板の上面にフッ酸や純水などを選択的に供給するノズルとを備える装置が開示されている。また、当該装置は、底面を有する円筒状の処理カップをさらに備える。スピンベースは、処理カップの底面の上方に回転可能に支持されている。当該装置は、円筒状のガードを更に備える。ガードは、処理カップの側壁の内周面に沿って設けられおり、スピンベースを取り囲む。ガードは、駆動機構によって所定の下方位置と上方位置との間で昇降される。基板の処理時にノズルから基板に供給された液は、基板から排出される際にスピンベースの側面に付着する。そこで、当該装置は、スピンベースの側面の洗浄を行う洗浄ノズルをさらに備える。洗浄ノズルは、スピンベースから径方向外側に離れて、処理カップの底面に設けられている。洗浄ノズルは、洗浄液をスピンベースの側面に向けて斜め上方に吐出し、スピンベースの側面を洗浄する。

特開平１１−１０２８８２号公報

ガードの上端部分は、通常、スピンベースの回転軸に向かって斜め上方に延設される。特許文献１の基板処理装置は、ガードが上方位置に配置されている状態で、ノズルから基板に液を供給する。供給された液は、基板から排出される際に飛散し、ガードの内周面にも付着する。付着した液が残留した状態で処理を繰り返すと、当該液が乾燥し固化した堆積物が、ガードに徐々に堆積してゆく。このような堆積物が剥離するとパーティクルの原因となる。ガードの上端部分は基板に近いため、上端部分に付着した堆積物は、パーティクルの原因になりやすい。

しかしながら、特許文献１の装置においては、スピンベースの側面を洗浄する洗浄ノズルによって、ガードの内周面を洗浄することはできないといった問題がある。また、例えば、ガードの内周面に向けて洗浄液を吐出する専用の洗浄ノズルをさらに設けると、装置構成が複雑化し、製造コストが増加するといった問題がある。また、パーティクルを効果的に抑制するためには、ガードの上端部分の内周面に付着した液を洗浄することが有効である。しかし、スピンベースが基板を保持している状態で、洗浄ノズルが当該上端部分の内周面に向けて下方から洗浄液を吐出すると、洗浄液がガードの上端部分から基板側に飛散して基板に付着するといった問題がある。また、この洗浄液の付着を避けようとすると、基板をスピンベースから待避させた後に、ガードを洗浄する必要があるといった問題もある。

本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、保持部材が基板を保持している状態で、ガードと保持部材との双方を共通の洗浄液吐出部によって洗浄できる技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、前記昇降駆動部と前記処理液吐出部と前記洗浄液吐出部とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記昇降駆動部に前記ガードを前記上方位置に配置させた状態で前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させて前記基板を処理させた後に、前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させた状態で前記洗浄液吐出部に前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出させる。

第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記保持部材は、前記基部の周壁部の上端部から前記保持部材の径方向外側に向けて前記フランジ部よりも突出する上側フランジ部を、前記フランジ部の上側にさらに備えている。

第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記保持部材は、円弧状の断面形状を有して、前記保持部材の前記基部の外周面と、前記フランジ部の下面とのそれぞれになだらかに接続する曲面部を前記フランジ部の基端部分に備えており、前記洗浄液吐出部は、前記フランジ部の前記曲面部に向けて下方から前記洗浄液を吐出する。

第４の態様に係る基板処理装置は、第１から第３の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記ガードの外側に設けられ、前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能な筒状の外側ガードを更に備え、前記昇降駆動部は、前記外側ガードも昇降させることができ、前記制御部は、前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させるとともに前記外側ガードを前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な位置に配置させた状態で、前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記フランジ部の下面に向けて前記洗浄液を吐出させる。

第５の態様に係る基板処理装置は、第１から第４の何れか１つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部材に保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する本体部と、前記本体部の周縁部から前記基板の端面を取り囲んで前記保持部材側に延びる筒状の延設部とを備え、前記回転軸を中心に回転する対向部材をさらに備える。

第６の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置を用いる基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、を備え、前記基板処理方法は、前記昇降駆動部が前記ガードを上方位置に配置した状態で前記処理液吐出部が前記基板に向けて前記処理液を吐出して前記基板を処理する処理ステップと、前記処理ステップの後に、前記昇降駆動部が前記ガードを前記下方位置に配置した状態で前記洗浄液吐出部が前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄ステップと、を備える。

第７の態様に係る基板処理方法は、第６の態様に係る基板処理方法であって、前記基板処理装置の前記保持部材は、前記基部の周壁部の上端部から前記保持部材の径方向外側に向けて前記フランジ部よりも突出する上側フランジ部を、前記フランジ部の上側にさらに備えている。

第８の態様に係る基板処理方法は、第６または第7の態様に係る基板処理方法であって、前記基板処理装置の前記保持部材は、円弧状の断面形状を有して、前記保持部材の前記基部の外周面と、前記フランジ部の下面とのそれぞれになだらかに接続する曲面部を前記フランジ部の基端部分に備えており、前記洗浄ステップは、前記洗浄液吐出部が前記フランジ部の前記曲面部に向けて下方から前記洗浄液を吐出するステップである。

第９の態様に係る基板処理方法は、第６から第８の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記基板処理装置は、前記ガードの外側に設けられ、前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能な筒状の外側ガードを更に備え、前記昇降駆動部は、前記外側ガードも昇降させることができ、前記基板処理方法の前記洗浄ステップは、前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させるとともに前記外側ガードを前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な位置に配置させた状態で、前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記フランジ部の下面に向けて前記洗浄液を吐出させるステップを含む。

第１０の態様に係る基板処理方法は、第６から第９の何れか１つの態様に係る基板処理方法であって、前記基板処理装置は、前記保持部材に保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する本体部と、前記本体部の周縁部から前記基板の端面を取り囲んで前記保持部材側に延びる筒状の延設部とを備えて前記回転軸を中心に回転する対向部材をさらに備える。

第１および第６の何れの態様に係る発明によっても、基板から排出される処理液を受けることが可能な上方位置にガードが配置された状態で処理液吐出部が基板の処理面に向けて処理液を吐出する。その後、ガードの上端が保持部材のフランジ部の側方に位置する下方位置にガードが配置された状態で、洗浄液吐出部が、基板を保持しつつ回転する保持部材のフランジ部に向けて洗浄液を吐出する。吐出された洗浄液は、フランジ部の下面から保持部材の径方向外側に向けて排出される。下方位置に配置されたガードの上端は、フランジ部の側方に位置するので、排出された処理液はガードの上端部分の内周面に当る。これにより、保持部材に基板を保持した状態で、処理液が付着しているガードと保持部材との双方を共通の洗浄液吐出部によって洗浄できる。

第２および第７の何れの態様に係る発明によっても、上側フランジ部が、フランジ部よりも上方に位置するとともに、フランジ部よりも保持部材の径方向外側に突出している。下方からフランジ部に吐出された洗浄液は、フランジ部の下面に沿ってフランジ部の先端に移動し、先端から保持部材の径方向外側に向けて保持部材の外部に排出される。基板の処理面に吐出されて基板から排出される処理液は、上側フランジ部の上面を経て洗浄液よりも径方向外側かつ上方からから保持部材の径方向外側に向けて排出される。従って、処理液と洗浄液とは互いに分離された状態で保持部材から排出されるので、排出された処理液と洗浄液とが混合することを抑制できる。

第３および第８の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液吐出部は、フランジ部の曲面部に向けて下方から洗浄液を吐出する。曲面部は、保持部材の基部の外周面と、フランジ部の下面とのそれぞれになだらかに接続する。従って、曲面部に吐出された後、下方に跳ね返される洗浄液を減少させて、より多くの洗浄液をフランジ部の下面に沿って排出することができる。これにより、ガードの内周面をより効率良く洗浄できる。

第４および第９の何れの態様に係る発明によっても、ガードが下方位置に配置されるとともに、処理液吐出部から基板に供給された後に基板から排出される処理液を受けることが可能な位置に外側ガードが配置される。この状態で、基板の処理面に向けて処理液が吐出されるとともに、フランジ部の下面に向けて洗浄液が吐出される。従って、基板の処理と、保持部材およびガードの洗浄処理とを並行して行うことができる。

第５および第１０の何れの態様に係る発明によっても、対向部材によって基板の密閉性を高めた状態で、保持部材およびガードの洗浄をすることができるので、基板の上面をさらに保護することができる。

実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための模式図である。 処理位置に配置された図１の遮断板とスピンベースとを示す斜視図である。 図２のスピンベースを示す斜視図である。 図２の遮断板を示す斜視図である。 図２のスピンベースを示す斜視図である。 図２の遮断板とスピンベースの周縁部を示す縦断面図である。 図２の遮断板とスピンベースの周縁部を示す他の縦断面図である。 図６の規制部の横断面図である。 図８の規制部が弾性部材により覆われた状態を示す断面図である。 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例を示す斜視図である。 図１０の遮断板が処理位置に配置された状態を示す斜視図である。 実施形態に係る遮断板とスピンベースの他の構成例の縦断面図である。 図１２の遮断板とスピンベースの他の断面を示す縦断面図である。 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す横断面図である。 図１４の規制部の他の状態を示す横断面図である。 図１４の規制部の他の状態を示す横断面図である。 図１４の規制部の他の状態を示す横断面図である。 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。 実施形態に係る規制部の他の構成例を示す断面図である。 実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図２０のフローチャートに示される動作を説明するための図である。 図２０のフローチャートにおける一部の動作を説明するための図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンベースに対して基板側が上である。

＜実施形態について＞
＜１．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図１〜図５を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１の構成を説明するための模式図である。図１では、遮断板９０が待避位置に配置されている状態が示されている。また、処理位置に配置された遮断板９０が仮想線で示されている。図２は、遮断板９０が処理位置に配置された状態で、回転軸ａ１周りに回転する遮断板９０とスピンベース２１とを示す概略斜視図である。図３は、基板９を保持して回転軸ａ１周りに回転するスピンベース２１を斜め上方からみた概略斜視図である。遮断板９０の記載は省略されている。基板９の表面形状は略円形である。基板９の基板処理装置１への搬入搬出は、遮断板９０が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置１に搬入された基板９は、スピンベース２１により着脱自在に保持される。図４は、遮断板９０を斜め下方から見た概略斜視図である。図５は、スピンベース２１を斜め上方から見た概略斜視図である。

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液（「洗浄液」とも称される）」と、が含まれる。

基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、表面保護部４、処理部５、洗浄部６、および制御部１３０を備える。これら各部２〜６は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。

＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板９を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板９を、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１のまわりで回転させる。

スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース（「保持部材」）２１を備える。スピンベース２１は、その上面、下面の中央にそれぞれ開口する円筒状の貫通孔２１ａが、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように形成されている。貫通孔２１ａの下側の開口には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。これにより貫通孔２１ａと回転軸部２２の中空部とが連通する。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線まわりに回転駆動する。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。従って、スピンベース２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１周りに回転可能である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。

また、スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）のチャックピン２５が設けられている。各チャックピン２５は、スピンベース２１の上面に設けられた複数の開口２１ｂにおいてスピンベース２１に取り付けられている。チャックピン２５は、基板９の端面と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で保持する。すなわち、スピンベース２１は、チャックピン２５を介して基板９を下方から略水平に保持する。スピンベース２１の上面は、基板９の下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。スピンベース２１の円筒状の側面部分には、２つの突出部２６が周方向に沿って等間隔に設けられている。突出部２６は、少なくとも１つ設けられればよく、多数の突出部２６が設けられてもよい。

この構成において、スピンベース２１がその上方でチャックピン２５によって基板９を保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１のまわりで回転される。後述する表面保護部４には遮断板９０が回転軸ａ１を中心とする周方向に回転可能に設けられている。当該周方向におけるスピンベース２１と遮断板９０との相対位置は、規制可能である。当該相対位置が規制された状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転させるとスピンベース２１、基板９、および遮断板９０が同じ回転方向に、同じ回転速度で回転する。回転駆動部２３と、突出部２６と、規制構造９４とは、スピンベース２１と遮断板９０とを、回転軸ａ１を中心に互いに同じ方向に回転させる回転機構２３１である。

なお、当該相対位置が規制された状態で回転軸ａ１を中心に遮断板９０を回転させる他の回転駆動部が、回転駆動部２３に代えて設けられてもよい。この場合、当該他の回転駆動部が、回転駆動部２３の代わりに回転機構２３１の構成要素の１つとなる。また、回転駆動部２３と当該他の回転駆動部との双方が設けられてもよい。すなわち、回転機構２３１は、周方向におけるスピンベース２１と遮断板９０との相対位置が規制された状態で、スピンベース２１と遮断板９０との少なくとも一方を、回転軸ａ１を中心に回転させる。回転機構２３１がスピンベース２１と遮断板９０とを同じ方向に同じ速度で回転させれば、基板９の上面と遮断板９０の下面との間に、基板９の中心ｃ１側に向かう気流が発生することを抑制できる。これにより、処理液の液適が基板の上面に吸い込まれることを抑制できる。

回転駆動部２３と当該他の回転駆動部との双方が設けられる場合には、規制構造９４と突出部２６とが設けられていなくてもよい。この場合には、さらに、回転駆動部２３がスピンベース２１を回転させる速度と、当該他の回転駆動部が遮断板９０をスピンベース２１と同じ方向に回転させる速度とが異なっていてもよい。また、回転駆動部２３と当該他の回転機構との双方が設けられる場合には、延設部９２の先端が、スピンベース２１の上面よりも若干上側に位置していてもよい。

チャックピン２５および回転駆動部２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スピンベース２１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース２１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１とともに回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部３は、スプラッシュガード３１を備える。スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード３１は、例えば、底部材３１１、内部材（「内側ガード」とも、単に「ガード」とも称する）３１２、および、外部材（「外側ガード」とも称する）３１３の３個の部材を含んで構成されている。外部材３１３が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材３１３の外側に、スピンチャック２を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。

底部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。

底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内側壁部と外側壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内側壁部と外側壁部との間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

内部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。内部材３１２の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成される。底部材３１１と内部材３１２とが近接する状態（図１に示される状態）において、底部材３１１の外側壁部は、内部材３１２の内周壁部と外周壁部との間に収容される。内部材３１２の上部が受けた処理液等は、底部材３１１を介して排出される。

外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部（「上端側部分」、「上端部分」）は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。下部は、内部材３１２の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材３１３の上部が受けた処理液等は、内部材３１２の外周壁部と外部材３１３の下部との隙間から排出される。

スプラッシュガード３１には、これを昇降移動させるガード駆動機構（「昇降駆動部」）３２が配設されている。ガード駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構３２は、スプラッシュガード３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。

内部材３１２、および、外部材３１３の各々は、ガード駆動機構３２の駆動を受けて、各々の上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１上に保持された基板９の側方、かつ、上方に配置される位置である。一方、各部材３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。外部材３１３の上方位置（下方位置）は、内部材３１２の上方位置（下方位置）よりも若干上方に位置する。内部材３１２と外部材３１３とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。底部材３１１は、その内側壁部が、ケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される位置と、その下方の位置との間でガード駆動機構３２によって駆動される。ただし、ガード駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３１の位置（具体的には、底部材３１１、内部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。

＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持された基板９の上面の中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、基板９の上面を、下面に供給された処理液の雰囲気等から保護する。

表面保護部４は、スピンベース２１上に保持される基板９の上面の中央付近に向けて、ガスを吐出する円筒状のカバーガスノズル４１を備える。カバーガスノズル４１は、水平に延在するアーム４２の先端寄りの部分に取り付けられおり、アーム４２を鉛直方向に貫通している。カバーガスノズル４１の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。カバーガスノズル４１の下端部分は、アーム４２の下端面からさらに下方に延設されている。カバーガスノズル４１の下端部分には、円板状の回転部９３がベアリングを介して取り付けられている。回転部９３の中心軸は、回転軸ａ１と一致している。これにより、回転部９３は、回転軸ａ１を中心としてカバーガスノズル４１の周囲を周方向に回転可能となっている。

回転部９３の下部には、円板状の遮断板（「対向部材」）９０が回転部９３と供に回転可能なように取り付けられている。遮断板９０の上面は、略水平となるように設けられており、その形状は、スピンベース２１よりも若干大きい円形であり、その中心を回転軸ａ１が通る。これにより、遮断板９０は、回転軸ａ１を中心とする周方向に回転可能である。遮断板９０は、回転軸ａ１を中心軸とする円板状の本体部９１と、本体部９１の周縁部に設けられた延設部９２とを備えている。本体部９１の中央部には、カバーガスノズル４１と連通する貫通孔９１ａが設けられている。延設部９２は、本体部９１の周縁部から下方に延設された筒状壁部（環状壁部）であり、当該周縁部の周方向に沿って設けられている。延設部９２は、本体部９１の周縁部から基板９の端面を取り囲んでスピンベース２１側に延びる筒状の部材である。延設部９２は、基板９を含む平面を、基板９の端面の外側において横切って基板９よりもスピンベース２１側に突出している。

アーム４２の基端部は、ノズル基台４３に連結されている。ノズル基台４３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、鉛直方向に沿って伸縮可能なように構成されている。アーム４２の基端部はノズル基台４３の上端に連結されている。ノズル基台４３には、ノズル基台４３をその軸線に沿って伸縮させる駆動部（「移動部」）４４が配設されている。駆動部４４は、例えば、ステッピングモータなどを備えて構成される。

駆動部４４は、ノズル基台４３を伸縮させることによって、処理位置（「第１位置」）と、処理位置の上方の待避位置（「第２位置」）との間で遮断板９０を回転軸ａ１方向に沿ってスピンベース２１に対して相対的に移動させる。遮断板９０の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方の位置であって、遮断板９０の下面が基板９の上面と対向しつつ、当該上面と非接触状態で近接する位置である。遮断板９０の待避位置は、遮断板９０が基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、スプラッシュガード３１の上端縁部よりも上方の位置である。遮断板９０が処理位置に配置されたときに、本体部９１は、スピンベース２１に保持された基板９の上面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。駆動部４４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、遮断板９０の位置は、制御部１３０によって制御される。

延設部９２の先端側部分には、２つの規制構造９４が設けられている。規制構造９４として、例えば、図４に示されるように、延設部９２の先端面から、延設部９２の内周面にかけて開口する凹み部が採用される。当該凹み部には、突出部２６の少なくとも一部が収容される。

スピンベース２１、遮断板９０には、それぞれの周方向における初期位置（初期回転角度）が予め設定されている。遮断板９０が処理位置の上方の待避位置に配置されているときには、スピンベース２１、遮断板９０は、それぞれ周方向の初期位置に配置されている。２つの規制構造９４は、この状態で、遮断板９０の上方から透視したときに、スピンベース２１の側面部分に設けられた２つの突出部２６とそれぞれ重なるように、延設部９２の先端側部分にそれぞれ設けられている。

図６に示されるように、遮断板９０が処理位置に配置された状態において、突出部２６の少なくとも一部が規制構造９４に収容される。この場合、規制構造９４は、回転軸ａ１を中心とする周方向の前後から突出部２６に対向して配置されて突出部２６の周方向への相対的な動きを規制する。また、遮断板９０が処理位置に配置された状態では、延設部９２は、本体部９１の周縁部からスピンベース２１の側方に延びている。そして、規制構造９４は、スピンベース２１の上面よりも下方に配置されている。すなわち、突出部２６と規制構造９４の双方が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置されている。スピンベース２１と遮断板９０とは、回転軸ａ１を中心とする周方向への相対的な動きを突出部２６と規制構造９４とを介して相互に規制される。すなわち、規制構造９４と突出部２６とは、スピンベース２１と遮断板９０との周方向への相対的な動きを規制する規制部２０１である。換言すれば、規制部２０１は、回転軸ａ１を中心とする周方向において遮断板９０のスピンベース２１に対する相対位置を規制する。

遮断板９０が待避位置に配置されているときには、回転軸ａ１を中心とする規制構造９４と突出部２６とのそれぞれの周方向の回転位置は、互いに位置合わせされている。規制構造９４は、待避位置から処理位置への遮断板９０の移動過程における突出部２６の規制構造９４に対する相対的な移動経路を避けて配置されている。これにより、当該移動過程における規制構造９４と突出部２６との衝突を回避することができる。遮断板９０が処理位置に配置されると、規制構造９４が回転軸ａ１を中心とする周方向の前後から突出部２６に対向して配置される。より詳細には、規制構造９４が処理位置に配置された直後で、スピンベース２１が停止しているときは、規制構造９４は、当該周方向の前後から、突出部２６に接触することなく突出部２６に対向して配置される。これにより、当該周方向において遮断板９０のスピンベース２１に対する相対位置が規制される。また、遮断板９０が待避位置に配置されると、規制構造９４は回転軸ａ１方向に沿って突出部２６から相対的に離れて配置される。

遮断板９０が処理位置に配置されて、規制部２０１によって、スピンベース２１に対する遮断板９０の周方向における相対位置が規制された状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転させると、スピンベース２１が基板９とともに回転する。これにより、規制構造９４のうち突出部２６に対して回転方向下流側の部分に突出部２６が当接する。その後、遮断板９０がスピンベース２１と同じ回転方向に、同じ回転速度で従動回転する。

ここで、例えば、基板処理装置１が基板を回転させつつ処理している最中に、緊急停止動作が行われた場合を考える。例えばこの場合には、基板処理装置１は、遮断板９０を待避位置に移動させることが想定される。このように遮断板９０およびスピンベース２１が初期位置（初期回転角度）になっていない場合でも、自動的に処理を再開させる必要がある。

スピンベース２１は回転駆動部２３に駆動されることにより回転可能である一方、遮断板９０はスピンベース２１の回転に従動回転する。そのため、以下の動作が必要となる。制御部１３０は、駆動部４４を制御して、例えば、遮断板９０がスピンベース２１に僅かに接触するように遮断板９０を上下方向に移動させる。その後、制御部１３０は、回転駆動部２３を制御して、スピンベース２１を低速で回転させることにより、遮断板９０を回転軸ａ１を中心とする周方向に回転させる。

遮断板９０は、当該周方向における遮断板９０の初期位置を検出可能なセンサーを備えている。制御部１３０は、当該センサーの出力に基づいて、遮断板９０が初期位置に到達した時点で回転駆動部２３を制御して遮断板９０の回転を停止させる。

その後、制御部１３０は、駆動部４４を制御して遮断板９０を上方の待避位置に移動させるとともに、回転駆動部２３を制御して、スピンベース２１を周方向の初期位置に回転させる。これにより、遮断板９０が待避位置に配置された状態で、遮断板９０とスピンベース２１とは周方向の初期位置に配置される。遮断板９０が待避位置と処理位置との間で、スピンベース２１に対して相対的に移動する際に、遮断板９０が周方向の初期位置からずれないようすることが好ましい。このため、表面保護部４は、好ましくは、遮断板９０が周方向の初期位置に配置された状態で、アーム４２に対する回転部９３および遮断板９０の周方向の位置を固定するロック機構を備える。遮断板９０が処理位置に配置されているときには、当該ロック機構は解放される。

図４、図５の例では、規制構造９４が延設部９２の先端側部分（下端側部分）に設けられるとともに、突出部２６がスピンベース２１の側面部分に設けられているが、規制構造９４がスピンベース２１の側面部分に設けられるとともに、突出部２６が延設部９２の先端側部分に設けられてもよい。すなわち、遮断板９０の延設部９２の先端側部分とスピンベース２１の側面部分とのうち一方の部分に突出部２６が設けられるとともに、他方の部分に規制構造９４が設けられる。

規制構造９４として、凹み部に代えて、例えば、回転軸ａ１を中心とする周方向の前後から突出部２６に対向して配置される一対の突出部が採用されてもよい。この場合も、当該規制構造によって突出部２６の周方向への相対的な動きを規制できるので、本発明の有用性を損なうものではない。図４に示されるように、突出部２６の少なくとも一部を収容可能な凹み部が規制構造として採用される場合には、スピンベース２１と遮断板９０の延設部９２との間隔をより狭くできるので、遮断板９０をより小径にすることができる。

また、図４に示される延設部９２は筒状部材であるが、延設部として、本体部９１の周縁部において周方向に分散して配置され、周縁部から下方に延びる複数の壁部、あるいは柱部が用いられてもよい。この延設部は、本体部９１の周縁部のうち少なくとも一部からスピンベース２１の側方に延びる。延設部が筒状部材であれば、基板９に供給されて基板９から外部に排出される処理液の流れを横切らないので、延設部から基板９側に跳ね返る処理液を少なくすることができる。

カバーガスノズル４１には、これにガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する配管系であるカバーガス供給部４５が接続されている。カバーガス供給部４５は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源４５１が、開閉弁４５３が介挿された配管４５２を介して、カバーガスノズル４１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁４５３が開放されると、窒素ガス供給源４５１から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル４１を経て、遮断板９０の中央部に設けられた貫通孔９１ａから吐出される。なお、カバーガスノズル４１に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）であってもよい。

遮断板９０が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部４５からカバーガスノズル４１にガスが供給されると、カバーガスノズル４１から、スピンベース２１上に保持される基板９の上面の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）が基板９の上面に向けて吐出される。ただし、カバーガス供給部４５の開閉弁４５３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル４１からのガスの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜処理部５＞
処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の処理面（図１の例では、下面）に対する処理を行う。具体的には、処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の処理面に処理液を供給する。

図１に示されるように、処理部５は、例えば、スピンチャック２の回転軸部２２の中空部に貫通して配置された供給管８１を備える。供給管８１の先端は、供給管８１とスピンベース２１の貫通孔２１ａとが連通するように、貫通孔２１ａの下側の開口に接続されている。貫通孔２１ａの上側（基板９側）の開口には、ノズル５０が接続されている。ノズル５０は、スピンベース２１に保持されて回転している基板９の処理面に吐出口を備えている。ノズル５０は、供給管８１を経て供給される処理液を当該吐出口から基板の下面に吐出する。なお、処理面である基板９の上面（全体または周縁部）に処理液を供給可能なノズルが採用されてもよい。このようなノズルは、例えば、遮断板９０に設けられる。ノズル５０として、基板９の処理面に処理液を吐出可能な種々のノズルが採用され得る。

供給管８１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部８３が接続されている。処理液供給部８３は、具体的には、ＳＣ−１供給源８３１ａ、ＤＨＦ供給源８３１ｂ、ＳＣ−２供給源８３１ｃ、リンス液供給源８３１ｄ、複数の配管８３２ａ，８３２ｂ，８３２ｃ，８３２ｄ、および、複数の開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄを、組み合わせて構成されている。

ＳＣ−１供給源８３１ａは、ＳＣ−１を供給する供給源である。ＳＣ−１供給源８３１ａは、開閉弁８３３ａが介挿された配管８３２ａを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ａが開放されると、ＳＣ−１供給源８３１ａから供給されるＳＣ−１が、ノズル５０から吐出される。

ＤＨＦ供給源８３１ｂは、ＤＨＦを供給する供給源である。ＤＨＦ供給源８３１ｂは、開閉弁８３３ｂが介挿された配管８３２ｂを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｂが開放されると、ＤＨＦ供給源８３１ｂから供給されるＤＨＦが、ノズル５０から吐出される。

ＳＣ−２供給源８３１ｃは、ＳＣ−２を供給する供給源である。ＳＣ−２供給源８３１ｃは、開閉弁８３３ｃが介挿された配管８３２ｃを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｃが開放されると、ＳＣ−２供給源８３１ｃから供給されるＳＣ−２が、ノズル５０から吐出される。

リンス液供給源８３１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８３１ｄは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源８３１ｄは、開閉弁８３３ｄが介挿された配管８３２ｄを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｄが開放されると、リンス液供給源８３１ｄから供給されるリンス液が、ノズル５０から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水（ＣＯ２水など）、などが用いられてもよい。

処理液供給部８３から供給管８１に処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）が供給されると、ノズル５０から、スピンベース２１上に保持された基板９の処理面の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部８３が備える開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、ノズル５０からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。ノズル５０と供給管８１と処理液供給部８３とは、制御部１３０の制御によって基板９の処理面に処理液を吐出する処理液吐出部８３Ａである。

＜洗浄部６＞
洗浄部６は、スピンベース２１の側面と、スプラッシュガード３１の内部材３１２との双方に対する洗浄処理を行う。具体的には、洗浄部６は、スピンベース２１のフランジ部２９（図６）の下方からフランジ部２９の下面に処理液を供給する。図１に示されるように、洗浄部６は、例えば、スピンチャック２のケーシング２４の側面に設けられた複数（例えば、４個）のリンス液吐出口８６と複数（例えば、２個）のリンス液吐出口８７とを備える。

複数のリンス液吐出口８６は、スピンベース２１のフランジ部２９の下面（より好ましくは、フランジ部２９の基端部分の下面である曲面２１１（図６））に対向して当該下面の下方に、スピンベース２１の周方向に分散して設けられている。各リンス液吐出口８６は、フランジ部２９の下面（より好ましくは、曲面２１１）に向けて、鉛直方向に沿って上向きにリンス液を吐出可能に構成されている。

複数のリンス液吐出口８７は、スピンベース２１の円板状の基部２８（図６）の下面の周縁部に対向して当該周縁部の下方に、スピンベース２１の周方向に分散して設けられている。各リンス液吐出口８７は、基部２８の下面の周縁部に向けて、鉛直方向に沿って上向きにリンス液を吐出可能に構成されている。

なお、上述したケーシング２４の軸線は、回転軸ａ１と一致する。ケーシング２４の上端部分は、回転軸ａ１を軸線とする円筒状に形成されており、その径は、スピンベース２１の円板状の基部２８の径よりも若干小さい。従って、基部２８の下面の周縁部は、下方から見たときに、ケーシング２４の上端部分の外周面から外側にはみ出して当該外周面を取り囲んでいる。これにより、基部２８の下面の周縁部に向けて下方からリンス液を吐出可能となっている。また、ケーシング２４は、スピンベース２１のフランジ部２９の下面に斜めに対向する斜面を備えている。当該斜面は、円錐台の側面のような形状を有しており、上端（スピンベース２１側）に近づくにつれて径が小さくなる。各リンス液吐出口８６、８７は、例えば、当該斜面に開口して設けられる。

各リンス液吐出口８６、８７には、これにリンス液を供給する配管系であるリンス液供給部８５が接続されている。リンス液供給部８５は、スピンベース２１が回転しているときにリンス液を供給する。リンス液供給部８５は、具体的には、リンス液供給源８５１ｄ、配管８５２ｄ、および、開閉弁８５３ｄを、組み合わせて構成されている。

リンス液供給源８５１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８５１ｄは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源８５１ｄは、開閉弁８５３ｄが介挿された配管８５２ｄを介して、各リンス液吐出口８６、８７に接続されている。配管８５２ｄは、ケーシング２４の内部で複数の枝管に分岐し、各枝管の上端が各リンス液吐出口８６、８７に接続している。したがって、開閉弁８５３ｄが開放されると、リンス液供給源８５１ｄから供給されるリンス液が、各リンス液吐出口８６、８７から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水（ＣＯ２水など）、などが用いられてもよい。

内部材３１２（外部材３１３）は、その上方位置に配置された状態で、ノズル５０から基板９に供給された後に基板９から排出される処理液を受けることができる。また、内部材３１２が、その下方位置に配置された状態では、内部材３１２の上端がスピンベース２１のフランジ部２９の側方に位置する。

リンス液供給部８５からリンス液吐出口８６、８７にリンス液が供給されると、リンス液吐出口８６、８７から、スピンベース２１のフランジ部２９の下面と、基部２８の下面の周縁部とに向けて、当該リンス液が吐出されることになる。基部２８の下面の周縁部に向けて吐出されたリンス液によって基部２８の下面が洗浄される。フランジ部２９の下面に向けて吐出されたリンス液は、基部２８の側面を洗浄しつつ、当該側面に沿って進み、フランジ部２９の下面に当たる。この処理液は、スピンベース２１の回転による遠心力によってフランジ部２９の下面に沿ってスピンベース２１の径方向外側に移動し、フランジ部２９の先端部からスピンベース２１の外部に排出される。下方位置に配置された内部材３１２は、その上端側部分の内周面によって、スピンベース２１の外部に排出された当該リンス液を受ける。これにより、内部材３１２の内周面が洗浄される。ただし、リンス液供給部８５が備える開閉弁８５３ｄは、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、リンス液吐出口８６、８７からのリンス液の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。リンス液吐出口８６、８７と、処理液供給部８３とは、制御部１３０の制御によってリンス液を吐出するリンス液吐出部（「洗浄液吐出部」）８５Ａである。

＜２．遮断板とスピンベースの構成＞
図６、図７は、遮断板９０が処理位置に配置されているときの遮断板９０とスピンベース２１の周縁部の構成を示す縦断面図である。図６には、規制部２０１における断面が示され、図７には、規制部２０１以外の部分における断面が示されている。図６、図７の例では、スプラッシュガード３１の外部材３１３が上方位置に配置され、内部材３１２が下方位置に配置されている。図８は、規制部２０１を示す横断面図である。図９は、実施形態に係る他の規制部２０１Ｆを示す横断面図である。

スピンベース２１は、上面形状が円形である円板状の基部２８と、基部２８の周縁（側面）において、基部２８の上面よりも若干下方の位置から径方向外側に突設する環状のフランジ部２９とを備えている。基部２８およびフランジ部２９は、例えば、塩化ビニルによって、一体的に形成されている。フランジ部２９の上面と下面（より詳細には、フランジ部２９のうち基端部分以外の部分の下面、すなわちフランジ部２９の先端側部分の下面）とは、水平面に沿って形成され、基部２８の側面は、鉛直面である。フランジ部２９の基端部分には、スピンベース２１の周方向に沿う環状の曲面（「曲面部」）２１１が形成されている。曲面２１１は、例えば、回転軸ａ１に向かって斜め上方に凸の１／４円弧状の断面形状を有している。当該円弧の半径は、例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍに設定される。フランジ部２９の先端側部分の下面と、基部２８の側面のうちフランジ部２９よりも下側の部分とは、曲面２１１によってなだらかに接続されている。

フランジ部２９の上面と、基部２８の側面のうちフランジ部２９の上側部分とによって環状の凹みが形成されている。この凹みには、環状の板状部材である水切り部２７がボルトによって固定されている。水切り部２７は、好ましくは、基部２８よりも耐熱性の高い、例えば、フッ素樹脂などにより形成される。水切り部２７の外周縁部は、基部２８の径方向においてフランジ部２９の外周縁よりも外側に延びている。水切り部２７の外周縁の径、すなわちスピンベース２１の外周縁の径は、基板９の径よりも大きい。水切り部２７のうち外周縁部（「先端部分」）以外の部分の上面は、基部２８の上面と同一の水平面をなしている。水切り部２７の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面である。当該外周縁部は、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。上述した２つの突出部２６は、水切り部２７の外周縁部の先端（外縁）から遮断板９０の径方向外側に向けてそれぞれ突設されている。突出部２６は、例えば、図５、図６、図８に示されるように四角柱状の形状に形成される。この突出部２６の上面２６１は、長方形状の水平面である。突出部２６の先端面２６２は、上面２６１と直交し、その中心を通る法線が回転軸ａ１と交わる長方形状の鉛直面である。突出部２６の側面２６３、２６４は、上面２６１、先端面２６２の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面２６１は、基部２８の上面よりも下方に位置する。これにより突出部２６全体が基部２８の上面よりも下方に位置する。

遮断板９０の本体部９１は、例えば、塩化ビニルによって形成された円板状の部材である。本体部９１の下面のうち周縁部以外の下面９１１は、スピンベース２１のチャックピン２５に保持された基板９の上面と、隙間を隔てて対向している。下面９１１と基板９の上面との間隔Ｄ２は、例えば、１ｍｍ程度である。本体部９１の下面のうち周縁部には、周縁に沿う環状の凹みが形成されている。これにより、本体部９１の周縁部の厚みは、他の部分の半分程度となっている。延設部９２は、この凹みに嵌合可能な環状の形状を有する。延設部９２は、この凹みに嵌合してボルトによって本体部９１に固定されている。延設部９２は、好ましくは、本体部９１よりも耐熱性に優れた、例えば、フッ素樹脂などの材料により形成される。延設部９２の環状の内周面９２１は、その下端から上方に向かって立設された後、回転軸ａ１側に向かって基板９の周縁部の上方まで延びている。内周面９２１のうち回転軸ａ１側の環状の周縁部は、本体部９１の下面９１１になだらかに接続しており、下面９１１とともに、基板９の上面に対向する対向面をなしている。延設部９２は、本体部９１の周縁部から下方に延設された筒状壁部となっており、その先端側部分は、スピンベース２１の側方部分に延びている。延設部９２の内周面９２１のうち延設部９２の先端側（下端側）の部分は、スピンベース２１の上面に対して斜め上方外側に張り出すように湾曲した曲面である。これにより、遮断板９０の径方向における延設部９２の先端側部分の幅は、下方、すなわち、スピンベース２１の側方部分に向かうにつれて徐々に細くなっている。このように、内周面９２１は、遮断板９０の下面と連続するとともに、スピンベース２１の上面に対して斜め上方外側に張り出すように膨らんで湾曲している。

延設部９２の先端側部分には、規制構造９４が形成されている。規制構造９４は、例えば、図４、図６、図８に示されるように、延設部９２の先端面から、延設部９２の内周面にかけて開口する凹み部である。この規制構造９４は、遮断板９０が処理位置に配置されたときに、突出部２６の少なくとも一部を収容可能なように形成されている。規制構造９４の上面９４１は、長方形状の水平面である。規制構造９４の底面９４２は、上面９４１と直交し、その中心を通る法線が回転軸ａ１と交わる長方形状の鉛直面である。規制構造９４の側面９４３、９４４は、上面９４１、底面９４２の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面９４１は、基部２８の上面よりも下方、かつ、突出部２６の上面２６１よりも上方に位置する。これにより規制構造９４全体が基部２８の上面よりも下方に位置する。

遮断板９０が処理位置に配置されたときに、２つの規制構造９４の一方が、２つの突出部２６の一方の少なくとも一部を収容し、他方の規制構造９４が、他方の突出部２６の少なくとも一部を収容する。

突出部２６が規制構造９４に収容された直後の状態において、スピンベース２１が停止しているときは、規制構造９４の上面９４１と、突出部２６の上面２６１とが隙を隔てて互いに対向するとともに、規制構造９４の底面９４２と、突出部２６の先端面２６２とが隙間を隔てて互いに対向する。そして、規制構造９４の側面９４３は、突出部２６の側面２６３と対向し、規制構造９４の側面９４４は、突出部２６の側面２６４と対向する。これにより、規制構造９４は、回転軸ａ１を中心とする周方向の前後から突出部２６に対向して配置されて突出部２６の周方向への相対的な動きを規制可能となる。規制構造９４と、突出部２６とは、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿ったスピンベース２１と遮断板９０との相対的な動きを規制する規制部２０１である。

図７に示されるように、遮断板９０が処理位置に配置された状態で、延設部９２の先端側部分と、スピンベース２１の側部、より具体的には、水切り部２７の先端部分との間には、規制部２０１以外の部分において、隙間Ｇ１が形成される。隙間Ｇ１の幅Ｄ１は、例えば、１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。処理部５のノズル５０が基板９の処理面に吐出した処理液は、処理面に沿って、基板９の外部に排出され、さらにスピンベース２１の周縁部から隙間Ｇ１を通って外部に排出される。延設部９２の内周面９２１のうち延設部９２の先端の部分と、水切り部２７の先端部分の上面とが、上述のように、互いに湾曲していれば、処理液は、隙間Ｇ１からスムーズに外部へ排出される。

延設部９２の内周面９２１の上端部分は、遮断板９０の下面のうち基板９に対向する対向面（より詳細には、当該対向面の周縁部）よりも上方、すなわちスピンベース２１の上面に対して当該対向面よりも高い位置にある。これにより、内周面９２１の上端側部分に、環状の凹み部９２２が形成されている。凹み部９２２は、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って形成されている。凹み部９２２は、延設部９２の先端側部分と、遮断板９０のうち基板９に対向する部分との間に形成されている。すなわち、凹み部９２２は、遮断板９０の内側面９０１のうち、延設部９２の先端側部分と、基板９に対向する対向部分との間の部分に形成されている。内側面９０１は、基板９の上面及び端面を取り囲む面である。内側面９０１は、本体部９１の下面９１１と延設部９２の内周面９２１とを含んでいる。凹み部９２２は、遮断板９０のうち基板９の上面に対向する対向部分の周縁部よりも上方にくぼんでいる。凹み部９２２と、スピンベース２１の上面との間には、環状の膨んだ空間（「膨らみ空間」）９２３が形成される。空間９２３は、遮断板９０のうち基板９に対向する対向面よりも上方に膨らんでいる。凹み部９２２の最もくぼんだ部分と基板９の上面との間隔Ｄ３は、間隔Ｄ２よりも長い。遮断板９０の径方向における凹み部９２２の幅Ｄ４は、好ましくは、例えば、２０ｍｍ以上に設定される。

遮断板９０の内側面９０１（より詳細には、延設部９２の内周面９２１）のうち、下面９１１に対して凹み部９２２よりも外側（遮断板９０の径方向外側）の部分には、上述のように、スピンベース２１の上面に対して斜め上方外側に膨らんで湾曲する湾曲面が形成されている。なお、図示の例では、下面９１１は、基板９の上面と平行である。しかし、例えば、下面９１１のうちその周縁部を除く部分が、下面９１１の中心に向かうにつれて基板９の上面から高くなるなど、下面９１１全体が基板９の上面と平行でなくてもよい。

隙間Ｇ１から排出される処理液は、処理液の量と、隙間Ｇ１の幅によっては、延設部９２と水切り部２７との間の空間に滞留する場合があるが、凹み部９２２により形成された空間９２３が、バッファとなる。これにより、滞留した処理液に起因して、処理液が基板９の非処理面に跳ね返って付着することを抑制できる。

また、水切り部２７の先端部分から排出される処理液の一部は、規制構造９４、突出部２６に当たって跳ね返る。しかしながら、遮断板９０が処理位置に配置された状態で、遮断板９０の規制構造９４と、スピンベース２１の突出部２６との双方がスピンベース２１の上面より下方にあることから、跳ね返された処理液が、基板９の処理面以外の主面（「非処理面」）に付着することが抑制される。

延設部９２、水切り部２７が、耐熱性に優れたフッ素樹脂などにより形成されていれば、処理液が高温である場合でも、高温による遮断板９０、スピンベース２１の損傷を抑制することができる。しかしながら、例えば、フッ素樹脂は、塩化ビニルに比べて、耐熱性に優れるが、硬度が低い。遮断板９０が処理位置に配置された状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を介してスピンベース２１を回転させる場合、加速時、減速時には、突出部２６と規制構造９４とが互いに当接する。これにより、規制構造９４と突出部２６同士、すなわちフッ素樹脂製の部材同士が衝突し、塵が発生する場合がある。この塵が基板９に付着すると欠陥となる。なお、延設部９２、スピンベース２１がそれぞれ同じ材料で一体的に形成されていてもよい。

図９の構成例では、スピンベース２１の突出部２６は、その外周面のうち先端面２６２以外の面を、ＥＰＤＭなどの弾性部材により形成されたＯリングなどによって覆われている。規制構造９４と突出部２６とがスピンベース２１の加速時などに互いに当接する場合でも、塵の発生を抑制できる。なお、突出部２６と規制構造９４とのうち少なくも一方が、他方と対向する部分を弾性部材に覆われていれば発塵を抑制できる。突出部２６と規制構造９４の何れもが、弾性部材によって覆われていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。

図１２、図１３は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板９０Ｂとスピンベース２１Ｂとを示す縦断面図である。図１２、図１３では、遮断板９０Ｂとスピンベース２１Ｂとの周縁部が示されている。図１２では、規制部２０１における断面が示され、図１３では、規制部２０１以外の部分における断面が示されている。遮断板９０Ｂは、遮断板９０の延設部９２に代えて、延設部９２Ｂを備えていることを除いて、遮断板９０と同様の構成を備えている。スピンベース２１Ｂは、スピンベース２１の水切り部２７に代えて、水切り部２７Ｂを備えていることを除いてスピンベース２１と同様の構成を備えている。

延設部９２Ｂの内周面（下面）９２１Ｂは、本体部９１のうち薄肉の周縁部以外の部分の下面と滑らかに接続されている。内周面９２１Ｂには、延設部９２の凹み部９２２が形成されていない。また、水切り部２７Ｂには、水切り部２７の先端部分の上面に設けられている曲面が形成されておらず、水切り部２７Ｂの先端面は、鉛直面である。処理液は、基板９の処理面およびスピンベース２１Ｂの上面の周縁部を経て、延設部９２Ｂと水切り部２７Ｂとの間の隙間Ｇ２から外部に排出される。規制部２０１が設けられている部分においては、処理液は、規制部２０１（規制構造９４、突出部２６）により跳ね返される。

しかしながら、水切り部２７Ｂの先端部分、すなわちスピンベース２１Ｂの側面部分に設けられた突出部２６と、延設部９２Ｂの先端側部分に設けられた規制構造９４とが、スピンベース２１Ｂの上面よりも下方に配置されている。これにより、跳ね返された処理液の基板９の非処理面への侵入と付着が抑制される。従って、遮断板９０に代えて遮断板９０Ｂが採用されるとともに、スピンベース２１に代えてスピンベース２１Ｂが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、遮断板９０Ｂが、スピンベース２１と組み合わされてもよく、遮断板９０が、スピンベース２１Ｂと組み合わされてもよい。

＜３．基板処理装置の動作と構成＞
図２０は、基板処理装置１がノズル５０、洗浄部６によって、基板９の下面の処理と、スピンベース２１の側面および内部材３１２の洗浄処理を行う動作を示すフローチャートである。図２１は、図２０のフローチャートに示される動作を説明するための模式図である。図２１には、図２０の処理の順序に従って基板処理装置１の縦断面が示されている。図２２は、図２０のフローチャートにおけるステップＳ１５０の動作を、より詳しく説明するための模式図である。ステップＳ１５０は、基板処理装置１が、洗浄部６によって洗浄処理を行うステップである。図２２には、基板処理装置１のうち、遮断板９０およびスピンベース２１の周縁部と、内部材３１２および外部材３１３の上側の一部とを含む部分の縦断面が示されている。スプラッシュガード３１の外部材３１３が上方位置に配置され、内部材３１２が下方位置に配置されている。

以下に、図２０〜図２２を参照しつつ、基板処理装置１が基板９の下面の処理と、スピンベース２１の側面および内部材３１２の洗浄処理を行う動作の一例について説明する。また、遮断板９０、スピンベース２１、内部材３１２、外部材３１３の位置関係等についても適宜説明する。必要に応じて、他の図面も適宜参照する。ここでは、ノズル５０が基板９の下面に処理液を吐出する場合について説明するが、例えば、遮断板９０の中央部に設けられたノズルから基板９の上面に処理液を供給して基板９の上面を処理してもよい。

図２０に示される動作の開始に先立って、基板９がスピンベース２１上に搬送されて、チャックピン２５によって保持されている。また、遮断板９０は、処理位置に配置され、内部材３１２、外部材３１３は、それぞれの下方位置に配置されている。スピンベース２１は回転を停止されており、ノズル５０、リンス液吐出口８６、８７は、処理液、リンス液の吐出を行っていない。

基板処理装置１は、内部材３１２、外部材３１３がそれぞれの下方位置に配置されている状態から、内部材３１２、外部材３１３をそれぞれの上方位置に移動する（ステップＳ１１０）。具体的には、制御部１３０がガード駆動機構３２を制御して、内部材３１２、外部材３１３をそれぞれの上方位置に移動させて、上方位置に配置させる。その後、好ましくは、表面保護部４のカバーガスノズル４１（図１）が、スピンベース２１上に保持される基板９の上面の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）の吐出を開始する。

ステップＳ１１０の処理が完了すると、基板処理装置１は、スピンベース２１の回転を開始する（ステップＳ１２０）。具体的には、制御部１３０が、回転駆動部２３を制御して回転軸部２２の回転を開始させる。これにより、スピンベース２１が回転軸部２２とともに回転を開始する。スピンベース２１、すなわち基板９の回転数は、例えば、１０００〜１５００ｒｐｍに設定される。

次に、基板処理装置１は、処理液による基板９の下面の処理を行う（ステップＳ１３０）。具体的には、具体的には、制御部１３０が、例えば、開閉弁８３３ａ〜８３３ｄを選択的に開かせることにより、処理液供給部８３に処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）の供給を開始させる。処理液は、配管８３２ａ等を介してノズル５０に供給され、ノズル５０が基板９の処理面（図示の例では、下面）に向けて処理液の吐出を開始する。処理液は、例えば、６００ｍｌ／分の流量で、７〜１０秒間供給される。その後、制御部１３０は、開閉弁８３３ａ〜８３３ｄを閉じさせることにより、処理液供給部８３に処理液の供給を停止させる。これにより、ノズル５０が基板９の下面に向けた処理液の吐出を停止する。

処理液供給部８３に処理液の供給を停止させると、基板処理装置１は、内部材３１２を下方位置に移動させて、下方位置に配置する（ステップＳ１４０）。具体的には、制御部１３０が、ガード駆動機構３２に内部材３１２を上方位置から下方位置に移動させて、下方位置で内部材３１２を停止させる。

内部材３１２が下方位置に配置されると、内部材３１２の上端がフランジ部２９の下面の側方に位置する。より具体的には、内部材３１２の上端の下面は、フランジ部２９の先端側部分の下面に対して、例えば、下方２５ｍｍ〜上方２５ｍｍの範囲に配置される。好ましくは、図２２に示されるように、内部材３１２の上端の下面とフランジ部２９の先端側部分の下面とは同じ高さに配置される。内部材３１２が下方位置に配置されたことにより内部材３１２の上端がフランジ部２９の下面の側方に位置すると、内部材３１２は、その上端部分の内周面によって、フランジ部２９の下面に沿ってスピンベース２１の外部に排出されるリンス液を受けることができる。

内部材３１２、外部材３１３の上端部と、遮断板９０の外周面との水平方向の間隔Ｄ５は、例えば、１ｍｍ〜５ｍｍに設定される。間隔Ｄ５は、内部材３１２、外部材３１３の昇降に関わらず一定である。また、内部材３１２、外部材３１３の上端部と、水切り部２７の先端との水平方向の間隔Ｄ６は、例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍに設定される。内部材３１２、外部材３１３の上端部と、フランジ部２９の先端面との水平方向の間隔Ｄ７は、例えば、１５ｍｍ〜２５ｍｍに設定される。また、内部材３１２、外部材３１３の上端部と、基部２８の側面との水平方向の間隔Ｄ８は、例えば、４０ｍｍに設定される。内部材３１２、外部材３１３の上端部の厚みは、例えば、５ｍｍ程度である。水切り部２７の下面と、遮断板９０の延設部９２の下端面とは略同じ高さに設定され、これらの面と、内部材３１２の上端部の下面との鉛直方向の間隔Ｄ９は、例えば、１０ｍｍに設定される。

基板処理装置１は、内部材３１２を下方位置に配置させた状態で、処理液による基板９の下面の処理を行いつつ、スピンベース２１の側面と、内部材３１２の内周面との洗浄処理を行う（ステップＳ１５０）。すなわち、制御部１３０は、ガード駆動機構３２に内部材３１２を下方位置に配置させた状態で、基板９を保持しつつ回転しているスピンベース２１のフランジ部２９の下面に向けて、リンス液吐出口８６、８７にリンス液を吐出させる。具体的には、制御部１３０は、開閉弁３５３ｄを開かせて、リンス液供給源８５１ｄから各リンス液吐出口８６、８７に、例えば、６００ｍｌ／分の流量で、７〜１０秒間リンス液を供給させる。リンス液は、配管８５２ｄを介して各リンス液吐出口８６、８７に供給され、各リンス液吐出口８６、８７は、リンス液を鉛直方向上方に吐出する。

なお、各リンス液吐出口８６、８７へのリンス液の供給開始に先立って、制御部１３０は、好ましくは、回転駆動部２３を制御して、スピンベース２１の回転数を上昇させる。具体的には、当該回転数は、例えば、２０００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ程度に設定される。これにより、フランジ部２９の下面に吐出されるリンス液が内部材３１２により到達しやすくなる。

また、制御部１３０は、ステップＳ１５０において、各リンス液吐出口８６、８７からリンス液を鉛直方向上向きに吐出させつつ、ステップＳ１３０の処理と同様に処理液供給部８３を制御して基板９の下面に向けてノズル５０に処理液を吐出させる。ステップＳ１５０において吐出される処理液は、ステップＳ１３０において吐出される処理液と同じものでもよいし、異なってもよい。

図２２に示されるように、フランジ部２９の曲面２１１に向けて吐出されたリンス液は、基部２８の側面に沿って流れ、当該側面を洗浄する。曲面２１１に達したリンス液の進行方向は、曲面２１１によってスピンベース２１の径方向外側向きに変更される。リンス液は、スピンベース２１の回転による遠心力によってフランジ部２９の先端から内部材３１２の上端側に向けて飛ばされる。内部材３１２が下方位置に配置されて、その上端がフランジ部２９の先端側部分の下面の側方に配置された場合には、フランジ部２９の先端から飛ばされたリンス液は、図２２に示されるように、内部材３１２の上端側部分の下面を含む内部材３１２の内周面に飛散し、当該内周面を洗浄する。

また、ノズル５０によって基板９の下面に供給された処理液は、遮断板９０の延設部９２の先端部（下端部）と、スピンベース２１の水切り部２７の先端部との隙間Ｇ１（図７）からスピンベース２１の外部に排出される。水切り部２７は、フランジ部２９よりも上方に位置するとともに、フランジ部２９よりもスピンベース２１の径方向外側に突出している。従って、水切り部２７の上面から排出される処理液と、フランジ部２９の下面から排出されるリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース２１から排出される。排出された処理液とリンス液とは、内部材３１２の上端側部分によって互いに分離された状態で、上下方向に拡がりつつスピンベース２１の径方向外側に飛散する。処理液は、外部材３１３の上端側部分の上面上方位置に配置されている外部材３１３によって受けられる。リンス液は、内部材３１２の上端側部分の内周面を含む外部材３１３の内周面に受けられて、内周面を洗浄する。

制御部１３０は、ステップＳ１５０の処理が終了すると、処理液供給部８３、リンス液供給部８５に処理液、リンス液の供給を停止させて、内部材３１２、外部材３１３の下方位置への移動、あるいはスピンベース２１の回転停止等を行う。

既述したように、水切り部２７の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面であり、水切り部２７の外周縁部（先端部分）、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。従って、隙間Ｇ１から排出された処理液が、水切り部２７の下面に沿ってフランジ部２９側に回り込むことが抑制される。従って、処理液が、フランジ部２９から排出されるリンス液に混じって内部材３１２の内周面に向けて飛散することが抑制される。

例えば、後述する水切り部２７Ｂ（図１３）の先端面は鉛直面であるが、水切り部２７Ｂも、フランジ部２９より上方に位置するとともに、フランジ部２９よりスピンベース２１の径方向外側に突出している。従って、水切り部２７Ｂの上面から排出される処理液と、フランジ部２９の下面から排出されるリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース２１から排出される。このように、水切り部２７Ｂが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。

例えば、水切り部２７（２７Ｂ）が設けられない場合には、基板９に吐出されて基板を経てスピンベース２１から排出される処理液の一部は、フランジ部２９の下面側に回り込む。この場合には、回り込んだ処理液は、フランジ部の下面に向けて下方から吐出されて当該下面に沿って排出されるリンス液と混じってスピンベース２１から排出される。しかしながら、基板９に供給される処理液として、リンス液供給部８５が供給するリンス液と同じリンス液が採用されれば、当該混合による問題は生じることなく、リンス液によって基板９の洗浄と、内部材３１２の内周面の洗浄とを並行して行うことができる。従って、水切り部２７（２７Ｂ）が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。

また、例えば、ステップＳ１５０においてノズル５０から処理液を吐出せずにリンス液吐出口８６、８７からのリンス液を吐出すれば、ステップ１３０において基板９に付着して残存している処理液を、基板９の高速回転によって振り切って基板９を乾燥させることができる。この場合には、ステップＳ１５０において、多量の処理液が基板９を経てスピンベース２１から排出されることがない。従って、外部材３１３を設けられない場合でも、ステップＳ１５０において、スピンベース２１の側面の洗浄と、内部材３１２の内周面の洗浄とを、リンス液吐出口８６、８７によって行うことかできる。従って、外部材３１３が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。

また、フランジ部２９の基端部分の下面に曲面２１１が形成されておらず、例えば、フランジ部２９の下面と、基部２８の側面とが略直交していてもよい。この場合においても、フランジ部２９の下面に吐出されたリンス液は、スピンベース２１の回転による遠心力によりフランジ部２９の先端から内部材３１２の内周面に向けて排出される。

また、各リンス液吐出口８７が、スピンベース２１の下面周縁部に向けてリンス液を吐出しない場合でも、各リンス液吐出口８６がフランジ部２９の下面に向けてリンス液を吐出すれば、スピンベース２１の側面の洗浄と、内部材３１２の内周面の洗浄とを行うことができる。従って、各リンス液吐出口８７が設けられないとしても本発明の有用性を損なうものではない。

また、スピンベース２１、リンス液吐出口８６、８７、および内部材３１２のうちスピンベース２１のみが回転軸ａ１を中心に回転する。このため、多数のリンス液吐出口８６がスピンベース２１の周方向に沿って分散して配置されれば、内部材３１２の内周面をより均一に洗浄できるので好ましいが、１つのリンス液吐出口８６のみが設けられるとしてもスピンベース２１の側面と内部材３１２の内周面とを並行して洗浄できるので、本発明の有用性を損なうものではない。

＜４．他の実施形態について＞
図１０、図１１は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板９０Ａとスピンベース２１Ａとを示す斜視図である。図１１は、遮断板９０Ａが処理位置に配置されたときの遮断板９０Ａとスピンベース２１Ａを示す斜視図である。

遮断板９０Ａは、遮断板９０の延設部９２に代えて、延設部９２Ａを備えることを除いて、遮断板９０と同様に構成されている。延設部９２Ａは、延設部９２と同様に、円板状の本体部９１の周縁部からスピンベース２１Ａの側方に延設されており、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って環状に延在する筒状壁部である。延設部９２Ａと延設部９２との差異は、遮断板９０がその先端側部分に２つの規制構造９４を備えていたことに対して、延設部９２Ａが、その先端側部分に複数の規制構造９４Ａを備えることである。

また、スピンベース２１Ａは、スピンベース２１の水切り部２７の先端部分に、突出部２６に代えて、突出部２６Ａを備えることを除いてスピンベース２１と同様に構成されている。規制構造９４Ａと突出部２６Ａとは、回転軸ａ１を中心とする周方向へのスピンベース２１Ａと遮断板９０Ａとの互いの相対的な動きを規制する規制部２０１Ａである。

複数の規制構造９４Ａは、延設部９２Ａの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。各規制構造９４Ａは、突出部２６Ａの少なくとも一部を収容可能な形状に形成された凹み部である。各規制構造９４Ａは、延設部９２Ａの先端部分を遮断板９０Ａの径方向に沿って貫通するとともに、当該先端部分の下方にも開口している。すなわち、規制構造９４Ａは、スピンベース２１Ａの側面部分から突出する突出部２６Ａへ回転軸ａ１方向に沿って向かう方向に開口している。なお、図６に示される規制構造９４のように、規制構造９４Ａが、延設部９２Ａの先端部分を遮断板９０Ａの径方向に沿って貫通していないとしても、本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、遮断板９０Ａによる基板９の密閉性を向上させることができる。

規制構造９４Ａのうち少なくとも下方側の開口部分の周方向に沿った幅Ｗ１は、当該開口に近づくにつれて広くなっている。具体的には、規制構造９４Ａは、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って互いに斜めに対向する側面（斜面）９４３Ａ、９４４Ａを備えている。側面９４３Ａと、側面９４４Ａとの当該周方向に沿った幅Ｗ１は、下方に近づくにつれて広くなっている。

突出部２６Ａは、例えば、五角柱状に形成されており、その軸方向は、スピンベース２１Ａの径方向に沿っている。突出部２６Ａは、長方形状の水平な底面２６７Ａと、スピンベース２１Ａの周方向における底面２６７Ａの両端のそれぞれから上方、すなわち規制構造９４Ａの開口側に立設された長方形状の側面２６５Ａ、２６６Ａとを備える。側面２６５Ａ、２６６Ａは、鉛直面である。側面２６５Ａ、２６６Ａの上端部には、斜面２６３Ａ、２６４Ａが接続している。斜面２６３Ａと斜面２６４Ａとは、突出部２６Ａの先端部分（上端部分）を形成している。斜面２６３Ａと、規制構造９４Ａの側面９４３Ａとは互いに略平行であり、斜面２６４Ａと側面９４４Ａも互いに略平行である。斜面２６３Ａと斜面２６４Ａとの回転軸ａ１を中心とする周方向の幅Ｗ２は、上方に近づくにつれて狭くなっている。すなわち、突出部２６Ａのうち少なくとも先端部分は、延設部９２Ａの先端側部分の規制構造９４Ａに対向し、当該先端部分の回転軸ａ１を中心とする周方向に沿った幅Ｗ２は、規制構造９４に近づくにつれて狭くなっている。また、規制構造９４Ａと突出部２６Ａとは、好ましくは、突出部２６Ａのうち少なくとも先端側部分が、規制構造９４Ａのうち少なくとも突出部２６Ａ側の開口部分に嵌合可能なようにそれぞれ形成される。

ここで、スピンベース２１Ａと遮断板９０Ａとのうち少なくとも一方が周方向の初期位置に配置されておらず、かつ、何れか一方が、当該周方向への回転をロックされておらず、他方がロックされている状態で、遮断板９０Ａが待避位置から処理位置に移動される場合について、検討する。

複数の規制構造９４Ａは、延設部９２Ａの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。従って、遮断板９０Ａの処理位置への移動の途中で、突出部２６Ａの先端が、複数の規制構造９４Ａのうち何れか１つの規制構造９４Ａに当接する。殆どの場合は、図１０に示されるように、規制構造９４の側面９４４Ａと、突出部２６Ａの斜面２６４Ａとが当接するか、あるいは、規制構造９４の側面９４３Ａと、突出部２６Ａの斜面２６３Ａとが当接することとなる。すなわち、互いにほぼ同じ傾斜の斜面同士が互いに当接する。

この状態から、遮断板９０Ａがさらに処理位置へと移動されると、その過程で、規制構造９４Ａの頂部と突出部２６Ａの先端とが互いに周方向に沿って近づくように、延設部９２Ａが、スピンベース２１Ａに対して周方向に相対的に回転しつつ処理位置へと移動される。そして、図１１に示されるように、遮断板９０Ａが処理位置に配置されたときに、突出部２６Ａの先端側部分が、規制構造９４Ａに収容される。これにより、遮断板９０Ａは、スピンベース２１Ａに対する周方向への相対的な動きを規制される。

また、遮断板９０Ａが処理位置に配置されたときに、各規制構造９４Ａの上端と、突出部２６Ａの上端とは、スピンベース２１Ａの上面よりも下方に設けられている。従って、基板９の処理面から排出される処理液が、規制部２０１Ａに当たって跳ね返る場合でも、跳ね返った処理液の基板９の非処理面への付着を抑制できる。

なお、複数の規制構造９４Ａがスピンベース２１Ａの側面部分において周方向に沿って設けられ、突出部２６Ａが、延設部９２Ａの先端側部分に設けられてもよい。

図１４〜図１７は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、遮断板９０Ｃとスピンベース２１Ｃとの規制部２０１Ｃを示す横断面図である。遮断板９０Ｃは、処理位置に配置されている。図１４は、スピンベース２１が静止している状態の規制部２０１を示し、図１５は、スピンベース２１Ｃが加速しつつ回転しているときの規制部２０１Ｃを示している。図１６は、スピンベース２１Ｃが等速回転しているときの規制部２０１Ｃを示し、図１７は、スピンベース２１Ｃが減速しつつ回転しているときの規制部２０１Ｃを示している。

スピンベース２１Ｃは、スピンベース２１の突出部２６に代えて、突出部２６Ｃを備えることを除いて、スピンベース２１と同様に構成されている。突出部２６Ｃは、内部に磁石１０１ａを備えることを除いて、突出部２６と同様に構成されている。磁石１０１ａのＮ極は、側面２６３側に配置され、Ｓ極は側面２６４側に配置されている。磁石１０１ａは、Ｎ極とＳ極とが、回転軸ａ１を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように突出部２６Ｃに設けられている。

遮断板９０Ｃは、遮断板９０の延設部９２に代えて、延設部９２Ｃを備えることを除いて、遮断板９０と同様に構成されている。延設部９２Ｃは、内部に磁石１０１ｂ、１０１ｃを備えることを除いて、延設部９２と同様に構成されている。磁石１０１ｂは、Ｎ極とＳ極とが、回転軸ａ１を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、Ｎ極が、Ｓ極よりも規制構造９４の側面９４３に近くなるように規制構造９４に対してスピンベース２１Ｃの回転方向上流側に設けられている。磁石１０１ｃは、Ｎ極とＳ極とが、回転軸ａ１を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、Ｓ極が、Ｎ極よりも規制構造９４の側面９４４に近くなるように規制構造９４に対してスピンベース２１Ｃの回転方向下流側に設けられている。

このように、磁石１０１ａ〜１０１ｃは、磁石１０１ｂのＮ極と、磁石１０１ａのＮ極とが向き合い、磁石１０１ａのＳ極と磁石１０１ｃのＳ極とが互いに向き合うように配列されている。そして、Ｎ極同士、Ｓ極同士の間に磁気的な斥力が働く。また、各磁石１０１ａ〜１０１ｃ、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。

すなわち、磁石１０１ａ〜１０１ｃは、規制構造９４のうち突出部２６Ｃに対して回転軸ａ１を中心とする周方向の前後に配置された側面９４３、９４４と、突出部２６Ｃとの各間隔を広げるように磁気的な斥力を作用させる。当該磁気的な斥力によって、規制構造９４に対する突出部２６Ｃの周方向への相対的な動きが規制される。また、磁石１０１ａ〜１０１ｃのそれぞれのＮ極とＳ極とが互いに反転するように磁石１０１ａ〜１０１ｃが設けられてもよい。

図１４に示されるように、スピンベース２１が静止しているときには、側面９４３と側面２６３との間隔を広げるように作用する力と、側面９４４と側面２６４との間隔を広げるように作用する力とは、互いに略等しくなり、これらの間隔は、略等しくなる。図１６に示されるように、スピンベース２１が等速回転しているときも、これらの間隔は、略等しくなる。

図１５に示されるように、スピンベース２１が加速しているときには、各磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース２１の加速によって、側面９４４と側面２６４との間隔を狭めるとともに、側面９４３と側面２６３との間隔を広げる力が更に作用する。このため、側面９４４と側面２６４との間隔は、側面９４３と側面２６３との間隔よりも広くなる。

図１７に示されるように、スピンベース２１が減速しているときには、磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース２１の減速によって、側面９４４と側面２６４との間隔を拡げるとともに、側面９４３と側面２６３との間隔を狭める力が更に作用する。このため、側面９４４と側面２６４との間隔は、側面９４３と側面２６３との間隔よりも狭くなる。

各磁石１０１ａ〜１０１ｃと、規制構造９４と、突出部２６Ｃとは、回転軸ａ１を中心とする周方向において、スピンベース２１Ｃに対する遮断板９０Ｃの相対的な動き（位置）を規制する規制部２０１Ｃである。

図１４〜図１７に示されるように遮断板９０Ｃが処理位置に配置されているときには、スピンベース２１の加速中、減速中を含めて、突出部２６Ｃと、延設部９２Ｃの規制構造９４とは、常に、非接触の状態で、互いに回転軸ａ１を中心とする周方向の動きを規制することが好ましい。この場合には、突出部２６Ｃと、延設部９２Ｃの規制構造９４との接触による発塵を完全に防止できる。仮に、各磁石が作用させる斥力の大きさや、スピンベース２１Ｃの加速度の大きさに起因して、スピンベース２１の加速中、減速中に突出部２６Ｃと、延設部９２Ｃの規制構造９４とが接触するとしても、各磁石１０１ａ〜１０１ｃが設けられない場合に比べて、接触時の衝撃を大幅に軽減できる。従って、スピンベース２１の加速中、減速中に突出部２６Ｃと、延設部９２Ｃの規制構造９４とが接触するとしても、本発明の有用性を損なうものではない。

図１８は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部９２Ｄとスピンベース２１Ｃとの規制部２０１Ｄを示す断面図である。図１９は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部９２Ｅとスピンベース２１Ｃとの規制部２０１Ｅを示す断面図である。図１８、図１９は、規制部２０１Ｄ、２０１Ｅ部分を、回転軸ａ１を中心とする円筒によってそれぞれ切断した断面図である。

図１８、図１９に示されるスピンベース２１Ｃは、図１４に示されるスピンベース２１Ｃと同様の構成を備えている。図１８の遮断板９０Ｄは、図１４の遮断板９０Ｃの延設部９２Ｃに代えて、延設部９２Ｄを備えることを除いて、遮断板９０Ｃと同様に構成されている。延設部９２Ｄは、内部に磁石１０１ｄをさらに備えることを除いて、延設部９２Ｃと同様に構成されている。各磁石１０１ａ〜１０１ｅは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石１０１ｄは、規制構造９４の上面９４１に沿って、Ｎ極とＳ極とが回転軸ａ１を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように設けられている。磁石１０１ｄのＮ極は、磁石１０１ａのＮ極と向き合い、磁石１０１ｄのＳ極は、磁石１０１ａのＳ極と向き合う。これにより、磁石１０１ａ、１０１ｄ間には、磁気的な斥力が働く。これにより、上面９４１と上面２６１との間隔を拡げようとする力が作用する。

磁石１０１ａ〜１０１ｃは、規制構造９４の側面９４３、９４４と、突出部２６Ｃとの各間隔を、回転軸ａ１を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石１０１ａ、１０１ｄは、規制構造９４の上面９４１と、突出部２６Ｃの上面２６１との間隔を回転軸ａ１方向（鉛直方向）に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面９４１と上面２６１とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造９４と突出部２６Ｃとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。

各磁石１０１ａ〜１０１ｄと、規制構造９４と、突出部２６Ｃとは、回転軸ａ１を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース２１Ｃに対する遮断板９０Ｃの相対的な動き（位置）を規制する規制部２０１Ｄである。

図１９の遮断板９０Ｅは、図１４の遮断板９０Ｃの延設部９２Ｃに代えて、延設部９２Ｅを備えることを除いて、遮断板９０Ｃと同様に構成されている。延設部９２Ｅは、内部に磁石１０１ｅ、１０１ｆをさらに備えることを除いて、延設部９２Ｃと同様に構成されている。各磁石１０１ａ〜１０１ｃ、１０１ｅ、１０１ｆは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石１０１ｅは、規制構造９４の上面９４１の上方において、そのＮ極が上面９４１に近接し、その上方にＳ極が位置するように設けられている。また、磁石１０１ｄのＮ極と、磁石１０１ａのＮ極とは互いに向き合っている。磁石１０１ｆは、規制構造９４の上面９４１の上方において、そのＳ極が上面９４１に近接し、その上方にＮ極が位置するように設けられている。また、磁石１０１ｄのＳ極と、磁石１０１ａのＳ極とは互いに向き合っている。

これにより、磁石１０１ａ、１０１ｅ間に、磁気的な斥力が働くとともに、磁石１０１ａ、１０１ｆの間にも磁気的な斥力が働く。これにより、上面９４１と上面２６１との間隔を拡げようとする力が作用する。

磁石１０１ａ〜１０１ｅは、規制構造９４の側面９４３、９４４と、突出部２６Ｃとの各間隔を、回転軸ａ１を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石１０１ａ、１０１ｅ、１０１ｆは、規制構造９４の上面９４１と、突出部２６Ｃの上面２６１との間隔を回転軸ａ１方向（鉛直方向）に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面９４１と上面２６１とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造９４と突出部２６Ｃとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。

各磁石１０１ａ〜１０１ｃ、１０１ｅ、１０１ｆと、規制構造９４と、突出部２６Ｃとは、回転軸ａ１を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース２１Ｃに対する遮断板９０Ｃの相対的な動き（位置）を規制する規制部２０１Ｅである。

なお、基板処理装置１が遮断板９０、９０Ａ〜９０Ｅを備えていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、内部材３１２、外部材３１３の処理位置は、遮断板９０等が設けられている場合に比べて上方の位置、例えば、基板９の上面よりも上方の位置に設定される。また、遮断板９０、９０Ａ〜９０Ｅが設けられている場合において、規制部２０１、２０１Ｃ〜２０１Ｅがスピンベース２１の上面と同じ高さ、若しくは、当該上面よりも上方に設けられたとしても本発明の有用性を損なうものではない。

以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、基板９から排出される処理液を受けることが可能な上方位置に内部材３１２が配置された状態で、処理液吐出部８３Ａが基板９の処理面に向けて処理液を吐出する。その後、内部材３１２の上端がスピンベース２１のフランジ部２９の側方に位置する下方位置に内部材３１２が配置された状態で、リンス液吐出部８５Ａが、基板を保持しつつ回転するスピンベース２１のフランジ部２９に向けてリンス液を吐出する。吐出されたリンス液は、フランジ部２９の下面からスピンベース２１の径方向外側に向けて排出される。下方位置に配置された内部材３１２の上端は、フランジ部２９の側方に位置するので、排出された処理液は内部材３１２の上端部分の内周面に当る。これにより、スピンベース２１に基板９を保持した状態で、処理液が付着している内部材３１２とスピンベース２１との双方を共通のリンス液吐出部８５Ａによって洗浄できる。

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、水切り部２７がフランジ部２９よりも上方に位置するとともに、フランジ部２９よりもスピンベース２１の径方向外側に突出している。下方からフランジ部２９に吐出されたリンス液は、フランジ部２９の下面に沿ってフランジ部２９の先端に移動し、先端からスピンベース２１の径方向外側に向けて排出される。基板９の処理面に吐出されて基板９から排出される処理液は、水切り部２７の上面を経てリンス液よりも径方向外側かつ上方からからスピンベース２１の径方向外側に向けて排出される。従って、処理液とリンス液とは互いに分離された状態でスピンベース２１から排出されるので、排出された処理液とリンス液とが混合することを抑制できる。

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、リンス液吐出部８５Ａは、フランジ部２９の曲面２１１に向けて下方からリンス液を吐出する。曲面２１１は、スピンベース２１の基部２８の外周面と、フランジ部２９の下面とのそれぞれになだらかに接続する。従って、曲面２１１に吐出された後、下方に跳ね返されるリンス液を減少させて、より多くのリンス液をフランジ部２９の下面に沿って排出することができる。これにより、内部材３１２の内周面をより効率良く洗浄できる。

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、内部材３１２が下方位置に配置されるとともに、処理液吐出部８３Ａから基板９に供給された後に基板９から排出される処理液を受けることが可能な位置に外部材３１３が配置される。この状態で、基板９の処理面に向けて処理液が吐出されるとともに、フランジ部２９の下面に向けてリンス液が吐出される。従って、基板９の処理と、スピンベース２１および内部材３１２の洗浄処理とを並行して行うことができる。

また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、遮断板９０によって基板９の密閉性を高めた状態で、スピンベース２１および内部材３１２の洗浄をすることができるので、基板９の上面をさらに保護することができる。

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ 基板処理装置
２１ スピンベース（保持部材）
２３ 回転駆動部
２３１ 回転機構
２６ 突出部
４４ 駆動部
５０ ノズル
８３ 処理液供給部
８３Ａ 処理液吐出部
８５ リンス液供給部
８５Ａ リンス液吐出部
８６，８７ リンス液吐出口
９０ 遮断板（対向部材）
９１ 本体部
９２ 延設部
９４ 規制構造
３１２ 内部材（ガード）
３１３ 外部材（外側ガード）

Claims (10)

1. 基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、
   前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、
   上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、
   前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、
   前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、
   前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、
   前記昇降駆動部と前記処理液吐出部と前記洗浄液吐出部とを制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記昇降駆動部に前記ガードを前記上方位置に配置させた状態で前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させて前記基板を処理させた後に、前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させた状態で前記洗浄液吐出部に前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出させる、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記保持部材は、
   前記基部の周壁部の上端部から前記保持部材の径方向外側に向けて前記フランジ部よりも突出する上側フランジ部を、前記フランジ部の上側にさらに備えている、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記保持部材は、
   円弧状の断面形状を有して、前記保持部材の前記基部の外周面と、前記フランジ部の下面とのそれぞれになだらかに接続する曲面部を前記フランジ部の基端部分に備えており、
   前記洗浄液吐出部は、前記フランジ部の前記曲面部に向けて下方から前記洗浄液を吐出する、基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記ガードの外側に設けられ、前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能な筒状の外側ガードを更に備え、
   前記昇降駆動部は、前記外側ガードも昇降させることができ、
   前記制御部は、
   前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させるとともに前記外側ガードを前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な位置に配置させた状態で、前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記フランジ部の下面に向けて前記洗浄液を吐出させる、基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の基板処理装置であって、
   前記保持部材に保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する本体部と、前記本体部の周縁部から前記基板の端面を取り囲んで前記保持部材側に延びる筒状の延設部とを備え、前記回転軸を中心に回転する対向部材をさらに備える、基板処理装置。
6. 基板処理装置を用いる基板処理方法であって、
   前記基板処理装置は、
   基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられ、前記回転軸を中心軸とする円板状の基部と、前記基部の周壁部から径方向外側に突出するフランジ部とを備える保持部材と、
   前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転駆動部と、
   上端側部分が前記回転軸に向かって斜め上方に延びる筒形状を有して前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能に設けられたガードと、
   前記基板の処理面に処理液を吐出可能な処理液吐出部と、
   前記保持部材の前記フランジ部の下方から前記フランジ部に洗浄液を吐出可能な洗浄液吐出部と、
   前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な上方位置と、前記ガードの上端が前記フランジ部の側方に位置する下方位置との間で前記ガードを昇降させることができる昇降駆動部と、
   を備え、
   前記基板処理方法は、
   前記昇降駆動部が前記ガードを上方位置に配置した状態で前記処理液吐出部が前記基板に向けて前記処理液を吐出して前記基板を処理する処理ステップと、
   前記処理ステップの後に、前記昇降駆動部が前記ガードを前記下方位置に配置した状態で前記洗浄液吐出部が前記基板を保持しつつ回転する前記保持部材の前記フランジ部に向けて前記洗浄液を吐出する洗浄ステップと、
   を備える、基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法であって、
   前記基板処理装置の前記保持部材は、
   前記基部の周壁部の上端部から前記保持部材の径方向外側に向けて前記フランジ部よりも突出する上側フランジ部を、前記フランジ部の上側にさらに備えている、基板処理方法。
8. 請求項６または請求項７に記載の基板処理方法であって、
   前記基板処理装置の前記保持部材は、
   円弧状の断面形状を有して、前記保持部材の前記基部の外周面と、前記フランジ部の下面とのそれぞれになだらかに接続する曲面部を前記フランジ部の基端部分に備えており、
   前記洗浄ステップは、前記洗浄液吐出部が前記フランジ部の前記曲面部に向けて下方から前記洗浄液を吐出するステップである、基板処理方法。
9. 請求項６から請求項８の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
   前記基板処理装置は、
   前記ガードの外側に設けられ、前記保持部材の周囲を取り囲み、昇降可能な筒状の外側ガードを更に備え、
   前記昇降駆動部は、前記外側ガードも昇降させることができ、
   前記基板処理方法の前記洗浄ステップは、
   前記昇降駆動部に前記ガードを前記下方位置に配置させるとともに前記外側ガードを前記処理液吐出部から前記基板に供給された後に前記基板から排出される前記処理液を受けることが可能な位置に配置させた状態で、前記処理液吐出部に前記基板の前記処理面に向けて前記処理液を吐出させるとともに、前記洗浄液吐出部から前記フランジ部の下面に向けて前記洗浄液を吐出させるステップを含む、基板処理方法。
10. 請求項６から請求項９の何れか１つの請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、
    前記保持部材に保持された前記基板の上面と隙間を隔てて対向する本体部と、前記本体部の周縁部から前記基板の端面を取り囲んで前記保持部材側に延びる筒状の延設部とを備えて前記回転軸を中心に回転する対向部材をさらに備える、基板処理方法。

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