TWI627670B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於抑制處理液附著至基板的非處理面。
本發明的解決手段在於，基板處理裝置係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板；以及對向構件，係具備有：本體部，係隔著間隙與該基板的上表面相對向；以及延伸設置部，係從本體部的周緣部中的至少一部分朝保持構件的側方延伸。於延伸設置部的前端側部分與保持構件的側面部分中的一者的部分設置有突出部，於另一者的部分設置有限制構造，該限制構造係在以旋轉軸作為中心之周方向中，從突出部的前後與突出部相對向配置，並限制突出部之朝周方向的相對性的動作。保持構件與對向構件係限制朝周方向的相對性的動作；該基板處理裝置係進一步具備有：旋轉機構，係使保持構件與對向構件中的至少一者以旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係將處理液噴出至基板的處理面；突出部與限制構造係配置於比保持構件的上表面還下方。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於一種對半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用玻璃基板、太陽電池用基板等(以下簡稱為「基板」)施予處理之基板處理技術。
以此種進行處理之基板處理裝置而言，於專利文獻1、2中揭示有一種裝置，係一邊使用以從下方水平地保持基板之保持構件以及與基板的上表面相對向之阻隔板旋轉，一邊將處理液供給至基板並處理基板。阻隔板係比基板稍大，並以覆蓋基板之方式配置於基板的上方接近位置。從阻隔板的周緣部朝下方突設之第一卡合部的前端部與從保持構件的周緣部朝上方突設之第二卡合部的前端部係在基板與保持構件之間的位置卡合。如此，在保持構件與阻隔板卡合的狀態下，旋轉驅動部係使保持構件旋轉。藉此，阻隔板係於與保持構件相同的旋轉方向以相同的旋轉速度被旋轉驅動，而謀求防止灰塵或霧氣(mist)等附著至 基板的上表面。
此外，於專利文獻3中揭示有一種裝置，係具備有：保持構件，係從下方水平地保持基板；以及阻隔板，係與基板的上表面相對向；一邊使保持構件與阻隔板分別旋轉，一邊將處理液供給至基板的處理面並處理基板。阻隔板係以將基板表面的氛圍與阻隔板的外部的氛圍阻隔為目的而設置。阻隔板係比基板稍大，並以覆蓋基板之方式配置於基板的上方。阻隔板係具有：對向面，係與基板的上表面相對向；以及周壁部。周壁部係從阻隔板的周緣部朝下方突設，並圍繞基板的周緣部的全周。周壁部的前端緣係位於比被保持構件保持的基板還靠近保持構件的位置。周壁部的內周面係具有將對向面作為上表面之圓錐台的側面般之形狀，且其直徑係隨著愈從對向面側接近前端緣側愈緩緩變大。噴出至基板的處理液係藉由基板的旋轉而從基板表面排出，並從保持構件的上表面周緣部與阻隔板的前端緣之間的間隙排出。
此外，於專利文獻4中揭示有一種裝置，係具備有：保持構件，係從下方水平地保持基板；以及圓板狀的噴嘴，係設置於保持構件與基板之間。圓板狀的噴嘴係與基板W的下表面的中央部分相對向。該裝置係一邊使保持構件旋轉一邊從圓板狀的噴嘴朝基板的下表面的中央部噴出處理液。噴出的處理液係藉由離心力以覆蓋基板的下表面整體 之方式從下表面的中央部移動至周緣部，並從周緣部排出至基板外部。藉此，處理基板的下表面整體。
此外，於專利文獻5中揭示有一種裝置，係具備有：自轉基座(spin base)(亦即「保持構件」)，係藉由夾具銷(chuck pin)將基板一邊略水平地保持一邊旋轉；蓋構件，係隔開預定間隔與該基板的上表面平行地相對向；以及噴嘴，係透過設置於蓋構件的中央部之貫通孔選擇性地將氟酸或純水等供給至該基板的上表面。此外，該裝置係進一步具備有：圓筒狀的處理罩(processing cup)，係具有底面。自轉基座係可旋轉地被支撐於處理罩的底面的上方。該裝置係進一步具備有圓筒狀的防護罩(guard)。防護罩係沿著處理罩的側壁的內周面設置，並圍繞自轉基座。防護罩係藉由驅動機構在預定的下方位置與上方位置之間升降。於基板處理時從噴嘴供給至基板之液體係在從基板排出時附著至自轉基座的側面。因此，該裝置係進一步具備有用以進行自轉基座的側面的洗淨之洗淨噴嘴。洗淨噴嘴係從自轉基座朝徑方向外側離開，並設置於處理罩的底面。洗淨噴嘴係將洗淨液斜上方地朝自轉基座的側面噴出，並洗淨自轉基座的側面。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-67778號公報。
專利文獻2：日本特開2014-67780號公報。
專利文獻3：日本特開2010-56218號公報。
專利文獻4：日本特開2011-211094號公報。
專利文獻5：日本特開平11-102882號公報。
然而，在專利文獻1、2的裝置中，將阻隔板與保持構件卡合之第一卡合部與第二卡合部的連接部分係位於比保持構件還上方。因此，存在有下述問題：供給至基板的處理面並藉由離心力從基板的周緣部排出至外部之處理液係因為該連接部分的連接點等而濺回至基板側並附著至基板的處理面以外的面(非處理面)，而產生微粒(particle)等缺陷。
此外，在專利文獻3的裝置中，由於被阻隔板與保持構件圍繞的空間中之周壁部的內周面與基板的周緣部之間的環狀的空間狹窄，因此會有從基板排出並在周壁部的內周面濺回的處理液到達並附著至基板的非處理面而於基板產生缺陷之問題。
此外，在專利文獻4的裝置中，會有噴出至基板的下表面之處理液的一部分係從基板下表面落下並附著至保持構件的上表面而一直殘留之問題。
此外，通常防護罩的上端部分係朝著自轉基座的旋轉軸往斜上方延伸設置。專利文獻5的基板處理裝置係在防護罩配置於上方位置的狀態下從噴嘴將液體供給至基板。被供給的液體係在從基板排出時飛散且亦附著至防護罩的內周面。當在殘留有附著的液體的狀態下反復處理時，該液體乾燥且固化的堆積物係緩緩地堆積於防護罩。當此種堆積物剝離時會成為微粒的成因。由於防護罩的上端部分接近基板，因此附著於上端部分的堆積物容易成為微粒的成因。
然而，在專利文獻5的裝置中，會有無法藉由用以洗淨自轉基座的側面之洗淨噴嘴洗淨防護罩的內周面之問題。此外，例如當進一步設置用以朝防護罩的內周面噴出洗淨液之專用的洗淨噴嘴時，會有裝置構成複雜化且增加製造成本之問題。此外，為了有效地抑制微粒，有效的方式為洗淨附著至防護罩的上端部分的內周面的液體。然而，當在自轉基座保持基板的狀態下洗淨噴嘴從下方朝該上端部分的內周面噴出洗淨液時，會有洗淨液從防護罩的上端部分朝基板側飛散並附著至基板之問題。此外，若為了避免該洗淨液的附著，則會有在使基板從自轉基座退避後，需要洗淨防護罩之問題。
本發明乃為解決此種問題而研創者，其目的在於提供 一種能抑制供給至基板且從基板排出至外部之處理液附著至基板的非處理面的技術。此外，本發明另一目的係提供一種能抑制供給至被保持構件保持且正在旋轉中的基板的下表面之處理液落下並附著至保持構件上且一直殘留之技術。此外，為了解決此種問題，本發明的另一目的在於提供一種能在保持構件保持基板的狀態下藉由共通的洗淨液噴出部洗淨防護罩與保持構件雙方之技術。
為了解決上述課題，第一實施形態的基板處理裝置係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；以及對向構件，係設置成可以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及延伸設置部，係從前述本體部的周緣部中的至少一部分朝前述保持構件的側方延伸；於前述延伸設置部的前端側部分與前述保持構件的側面部分中的一者的部分設置有突出部，於另一者的部分設置有限制構造，該限制構造係在以前述旋轉軸作為中心之周方向中從前述突出部的前後與前述突出部相對向配置，並限制前述突出部之朝前述周方向之相對性的動作；前述保持構件與前述對向構件係透過前述突出部與前述限制構造相互地限制朝以前述旋轉軸作為中心的周方向之相對性的動作；該基板處理裝置 係進一步具備有：旋轉機構，係使前述保持構件與前述對向構件中的至少一者以前述旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係將處理液噴出至被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的處理面；前述突出部與前述限制構造係配置於比前述保持構件的上表面還下方。
第二實施形態的基板處理裝置係如第一實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述突出部與前述限制構造中的至少一者係具備有與另一者相對向之部分，且該部分係被彈性構件覆蓋。
第三實施形態的基板處理裝置係如第一實施形態或第二實施形態所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：移動部，係使前述對向構件在第一位置與第二位置之間沿著前述旋轉軸方向相對於前述保持構件相對性地移動；前述限制構造係避開前述突出部藉由前述移動部相對於前述限制構造相對性地移動之移動路徑而配置；當前述對向構件配置於前述第一位置時，前述限制構造係在前述周方向中從前述突出部的前後與前述突出部相對向配置；當前述對向構件配置於前述第二位置時，前述限制構造係沿著前述旋轉軸方向從前述突出部相對性地分離配置。
第四實施形態的基板處理裝置係如第一實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述限制構造為以可收容前述突 出部的至少一部分之方式形成於前述另一者的部分之凹部。
第五實施形態的基板處理裝置係如第三實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述另一者的部分係具備有：複數個凹部，係沿著以前述旋轉軸作為中心之周方向環狀地延伸，並遍及前述周方向中的前述另一者的部分的全周連續地設置；前述複數個凹部係各自為具有開口的凹部，該開口係沿著前述旋轉軸方向朝向從前述一者的部分突出之前述突出部開放，該凹部係形成為可收容前述突出部的至少一部分之形狀，該凹部中之至少該開口一側的部分之沿著前述周方向之寬度係愈接近該開口愈廣；前述突出部中之至少前端部分係沿著前述旋轉軸方向與前述凹部相對向，該前端部分中之沿著前述周方向的寬度係愈接近前端愈窄。
第六實施形態的基板處理裝置係如第一實施形態所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：複數個磁鐵，係以將前述突出部與在前述限制構造中的前述周方向中配置於前述突出部的前後的各部分之間的各個間隔擴寬之方式，使磁性的排斥力作用，並藉由該磁性的排斥力限制前述突出部相對於前述限制構造之朝前述周方向之相對性地動作。
第七實施形態的基板處理裝置係如第六實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述限制構造係包含有：對向部，係沿著前述旋轉軸方向與前述突出部相對向配置；該基板處理裝置係具備有：複數個磁鐵，係以沿著前述旋轉軸方向擴寬前述突出部與前述對向部之間的間隔之方式，使磁性的排斥力作用，並藉由該磁性的排斥力限制前述突出部相對於前述對向部沿著前述旋轉軸方向接近之動作。
第八實施形態的基板處理裝置係如第一實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述延伸設置部為沿著前述對向構件的周緣部設置之筒狀壁部。
第九實施形態的基板處理裝置係如第八實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述筒狀壁部的內周面係包含有：彎曲面，係與前述對向構件的下表面連續，並相對於前述保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。
第十實施形態的基板處理裝置係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；對向構件，係設置成可以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面，並朝前述保 持構件之側延伸；旋轉機構，係使前述保持構件與前述對向構件以前述旋轉軸作為中心朝彼此相同的方向旋轉；以及噴出部，係將處理液噴出至被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的上表面及下表面的任一者的處理面；前述對向構件係包含有：環狀的凹部，係形成於圍繞前述基板的上表面及端面之內側面中的一部分，該一部分係設置於前述延伸設置部的前端側部分與前述內側面中之與前述基板相對向的對向面之間的部分，前述環狀的凹部係於比前述對向面的周緣部還上方呈凹陷。
第十一實施形態的基板處理裝置係如第十實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述保持構件與前述對向構件係以相同的速度朝以前述旋轉軸作為中心之相同的方向旋轉。
第十二實施形態的基板處理裝置係如第十實施形態或第十一實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係於前述內側面中比前述環狀的凹部還靠近徑方向外側的部分具備有彎曲面，該彎曲面係相對於前述保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。
第十三實施形態的基板處理方法係具備有：旋轉步驟，係使保持構件與基板一起以旋轉軸作為中心旋轉，該保持構件係從下方略水平地保持前述基板，並具有隔著間 隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且可設置成以預定的前述旋轉軸作為中心旋轉；處理液噴出步驟，係從被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的下表面的中央部的下方朝該中央部噴出處理液；以及洗淨液噴出步驟，係從被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的中央部與前述保持構件的中央部之間沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第十四實施形態的基板處理方法係如第十三實施形態所記載之基板處理方法，其中並行地進行前述處理液噴出步驟與前述洗淨液噴出步驟。
第十五實施形態的基板處理方法係如第十三實施形態或第十四實施形態所記載之基板處理方法，其中處理液噴出步驟係從具備有板狀構件的噴嘴中之設置於前述板狀構件的上表面的處理液噴出口朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液之步驟，該板狀構件係隔著間隙與前述基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向；前述洗淨液噴出步驟係從設置於前述噴嘴的前述板狀構件的上表面或下表面的洗淨液噴出口，沿著前述板狀構件的上表面或下表面與前述保持構件的上表面雙方的面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第十六實施形態的基板處理方法係如第十三實施形態 所記載之基板處理方法，其中處理液噴出步驟係從具備有板狀構件的噴嘴中之設置於前述板狀構件的上表面的處理液噴出口朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液之步驟，該板狀構件係隔著間隙與前述基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向；前述洗淨液噴出步驟係從設置於前述噴嘴的前述板狀構件的側面的洗淨液噴出口沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第十七實施形態的基板處理裝置係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具備有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，並設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；旋轉機構，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係分別設置有：處理液噴出口，係從前述基板的下表面的中央部的下方朝該中央部噴出處理液；以及洗淨液噴出口，係從前述基板的中央部與前述保持構件的中央部之間沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第十八實施形態的基板處理裝置係如第十七實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴係具備有隔著間隙與基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向之板狀構件；前述處理液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面，並朝前述基板的下表面的中央部噴出處理 液；前述洗淨液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面或下表面，並沿著前述板狀構件的上表面或下表面與前述保持構件的上表面雙方的面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第十九實施形態的基板處理裝置係如第十七實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴係具備有隔著間隙與基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向之板狀構件；前述處理液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面，並朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液；前述洗淨液噴出口係設置於前述板狀構件的側面，並沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
第二十實施形態的基板處理裝置係具備有：保持構件，係具備有：圓板狀的基部，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉，並以前述旋轉軸作為中心軸；以及凸緣(flange)部，係從前述基部的周壁部朝徑方向外側突出；旋轉驅動部，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；防護罩，係具有上端側部分朝向前述旋轉軸往斜上方延伸之筒形狀，並圍繞前述保持構件的周圍，且設置成可升降；處理液噴出部，係可將處理液噴出至前述基板的處理面；洗淨液噴出部，係可從 前述保持構件的前述凸緣部的下方朝前述凸緣部噴出洗淨液；升降驅動部，係使前述防護罩在可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液之上方位置與前述防護罩的上端位於前述凸緣部的側方之下方位置之間升降；以及控制部，係控制前述升降驅動部、前述處理液噴出部以及前述洗淨液噴出部；前述控制部係在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述上方位置的狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並在處理前述基板後，在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置的狀態下，使前述洗淨液噴出部朝將前述基板一邊保持一邊旋轉之前述保持構件的前述凸緣部噴出前述洗淨液。
第二十一實施形態的基板處理裝置係如第二十實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述保持構件係進一步於前述凸緣部的上側具備有上側凸緣部，該上側凸緣部係從前述基部的周壁部的上端部朝向前述保持構件的徑方向外側，且比前述凸緣部還突出。
第二十二實施形態的基板處理裝置係如第二十實施形態或第二十一實施形態所記載之基板處理裝置，其中前述保持構件係於前述凸緣部的基端部分具備有曲面部，該曲面部係具有圓弧狀的剖面形狀，且分別與前述保持構件的前述基部的外周面以及前述凸緣部的下表面平緩地連接； 前述洗淨液噴出部係從下方朝前述凸緣部的前述曲面部噴出前述洗淨液。
第二十三實施形態的基板處理裝置係如第二十實施形態所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有可升降的筒狀的外.側防護罩，係設置於前述防護罩的外側，並圍繞前述保持構件的周圍；前述升降驅動部係能使前述外側防護罩升降；前述控制部係在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置且將前述外側防護罩配置於可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液的位置之狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並從前述洗淨液噴出部朝前述凸緣部的下表面噴出前述洗淨液。
第二十四實施形態的基板處理裝置係如第二十實施形態所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：對向構件，係以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及筒狀的延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面並朝前述保持構件之側延伸。
第二十五實施形態的基板處理方法係使用基板處理裝置，前述基板處理裝置係具備有：保持構件，係具備有：圓板狀的基部，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著 間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉，並將前述旋轉軸作為中心軸；以及凸緣部，係從前述基部的周壁部朝徑方向外側突出；旋轉驅動部，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；防護罩，係具有上端側部分朝著前述旋轉軸往斜上方延伸之筒形狀，並圍繞前述保持構件的周圍，且設置成可升降；處理液噴出部，係可將處理液噴出至前述基板的處理面；洗淨液噴出部，係可從前述保持構件的前述凸緣部的下方將洗淨液噴出至前述凸緣部；以及升降驅動部，係能使前述防護罩在可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液之上方位置與前述防護罩的上端位於前述凸緣部的側方之下方位置之間升降；前述基板處理方法係具備有：處理步驟，係在前述升降驅動部將前述防護罩配置於上方位置的狀態下，前述處理液噴出部係朝前述基板噴出前述處理液並處理前述基板；以及洗淨步驟，係在前述處理步驟後，在前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置的狀態下，前述洗淨液噴出部朝將前述基板一邊保持一邊旋轉之前述保持構件的前述凸緣部噴出前述洗淨液。
第二十六實施形態的基板處理方法係如第二十五實施形態所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置的前述保持構件係於前述凸緣部的上側進一步具備有上側凸緣部，該上側凸緣部係從前述基部的周壁部的上端部朝向前 述保持構件的徑方向外側，且比前述凸緣部還突出。
第二十七實施形態的基板處理方法係如第二十五實施形態或第二十六實施形態所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置的前述保持構件係於前述凸緣部的基端部分具備有曲面部，該曲面部係具有圓弧狀的剖面形狀，且分別與前述保持構件的前述基部的外周面以及前述凸緣部的下表面平緩地連接；前述洗淨步驟係前述洗淨液噴出部從下方朝前述凸緣部的前述曲面部噴出前述洗淨液之步驟。
第二十八實施形態的基板處理方法係如第二十五實施形態所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步具備有：筒狀的外側防護罩，係設置於前述防護罩的外側，並圍繞前述保持構件的周圍，且可升降；前述升降驅動部係能使前述外側防護罩升降；前述基板處理方法的前述洗淨步驟係包含下述步驟：在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置且將前述外側防護罩配置於可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液的位置之狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並從前述洗淨液噴出部朝前述凸緣部的下表面噴出前述洗淨液。
第二十九實施形態的基板處理方法係如第二十五實施 形態所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步具備有：對向構件，係以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及筒狀的延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面並朝前述保持構件之側延伸。
依據第一實施形態的發明，延伸設置部係從對向構件的本體部的周緣部朝保持構件的側方延伸。於延伸設置部的前端側部分與保持構件的側面部分中的一者的部分設置有突出部，於另一者的部分設置有限制構造；突出部與限制構造係配置於比保持構件的上表面還下方。因此，能抑制從基板排出的處理液因為突出部或限制構造而濺回並附著至基板的非處理面。
依據第二實施形態的發明，由於突出部與限制構造中的至少一者係具備有與另一者相對向之部分，且該部分係被彈性構件覆蓋，因此能抑制突出部與限制構造接觸時的衝擊。
依據第三實施形態的發明，對向構件係在限制構造於周方向中從突出部的前後與突出部相對向配置之第一位置與限制構造沿著旋轉軸方向從突出部相對性地離開配置之 第二位置之間，沿著旋轉軸方向相對於保持構件相對性地移動。藉此，能容易地切換限制構造限制突出部之朝周方向的相對性的動作之限制狀態以及不限制突出部之朝周方向的相對性的動作之解除狀態。
依據第四實施形態的發明，限制構造為以可收容突出部的至少一部分之方式形成於另一者的部分之凹部。因此，由於能使對向構件的延伸設置部的前端側部分與保持構件的側面部分接近，因此能將對向構件小型化。
依據第五實施形態的發明，在對向構件從第二位置相對性地移動至第一位置的過程中，突出部係抵接至複數個凹部中之相對向的凹部。只要在對向構件為不會限制以旋轉軸作為中心之旋轉的狀態下，突出部的前端部分抵接至該凹部後，因為該凹部及突出部各自的形狀，以突出部被導引至該凹部中之更低窪的部分之方式，一邊修正對向構件相對於保持構件之周方向中的相對位置，一邊使對向構件沿著旋轉軸方向朝第一位置相對性地移動。在對向構件移動至第一位置後，該凹部係限制突出部的周方向的動作，並限制對向構件相對於保持構件之朝周方向的相對性的動作。因此，成為下述限制構造：即使不將對向構件相對於保持構件之周方向中的相對位置予以對位，複數個凹部中之與突出部相對向的凹部亦會限制朝周方向之突出部的相對性的動作。藉此，能限制對向構件相對於保持構件 之朝周方向的相對性的動作。
依據第六實施形態的發明，以將突出部與限制構造中之配置於周方向前後的各部分之間的各個間隔擴寬之方式，使複數個磁鐵作用磁性的排斥力。藉此，限制突出部相對於限制構造之朝周方向的相對性的動作。因此，能抑制限制構造與突出部的接觸。
依據第七實施形態的發明，限制構造係包含有：對向部，係沿著旋轉軸方向與突出部相對向配置。複數個磁鐵係以沿著旋轉軸方向將突出部與對向部之間的間隔擴寬之方式使磁性的排斥力作用。藉此，限制突出部相對於對向部沿著旋轉軸方向接近之動作。因此，能進一步抑制限制構造與突出部的接觸。
依據第八實施形態的發明，由於延伸設置部為沿著對向構件的周緣部設置之筒狀壁部，因此延伸設置部不會橫切過因為離心力而從基板表面排出至外部的處理液的流動。藉此，由於能抑制延伸設置部中的處理液的飛散，因此能進一步抑制處理液因為突出部或限制構造而濺回並附著至基板的非處理面。
依據第九實施形態的發明，筒狀壁部的內周面係包含有彎曲面，該彎曲面係與對向構件的下表面連續，並相對 於保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。由於藉由離心力從基板表面排出至外部的處理液容易沿著筒狀壁狀的內周面順暢地流動，因此容易將處理液從內周面與保持構件之間的間隙排出至外部。
依據第十實施形態的發明，對向構件係包含有：環狀的凹部，係形成於圍繞基板的上表面及端面之內側面中的一部分，該一部分係設置於延伸設置部的前端側部分以及內側面中之與基板相對向的對向面之間的部分，環狀的凹部係朝比該對向面的周緣部還上方凹陷。藉此，由於在基板的周緣部的外側形成有比該對向面還朝上方膨脹的環狀的膨脹空間，因此能抑制從基板排出後從延伸設置部的內周面濺回的處理液附著至基板的非處理面。
依據第十一實施形態的發明，由於保持構件與對向構件係以相同的速度將旋轉軸作為中心於相同的方向旋轉，因此能抑制在基板上表面與對向構件的下表面之間產生朝向基板的中心側的氣流。藉此，能進一步抑制處理液附著至基板的非處理面。
依據第十二實施形態的發明，由於在對向構件的內側面中比環狀的凹部還靠近徑方向外側的部分形成有相對於保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲的彎曲面，因此噴出至基板並從基板排出的處理液容易沿著彎曲面流動 至延伸設置部的前端側。因此，能抑制對向構件的內側面中比環狀的凹部還外側的部分中的處理液濺回。藉此，能進一步抑制處理液附著至基板的非處理面。
依據第十三實施形態至第十七實施形態的任一發明，洗淨液係沿著保持構件的上表面朝保持構件的徑方向外側噴出。藉此，能一邊抑制洗淨液與碰撞至基板的下表面並附著至下表面的處理液混合，一邊藉由洗淨液洗淨保持構件的上表面，並在從基板的下表面落下的處理液附著至保持構件的上表面之前藉由洗淨液沖洗。因此，能抑制供給至基板的下表面的處理液落下並附著至保持構件上且一直殘留。
依據第十四實施形態的發明，由於並行地進行處理液噴出步驟與洗淨液噴出步驟，因此能有效率地抑制噴出至基板的背面的處理液附著至保持構件的上表面。
依據第十五實施形態及第十八實施形態的任一發明，由於洗淨液係沿著噴嘴的板狀構件的上表面或下表面以及保持構件的上表面雙方的面朝保持構件的徑方向外側噴出，因此能於保持構件的洗淨中亦進行噴嘴的洗淨。
依據第十六實施形態及第十九實施形態中的任一發明，洗淨液係從設置於噴嘴的板狀構件的側面的洗淨液噴 出口沿著保持構件的上表面朝保持構件的徑方向外側噴出。因此，將洗淨液噴出口的形狀於板狀構件的周方向加長，而容易地擴展噴出的洗淨液.
依據第二十實施形態及第二十五實施形態中的任一發明，在防護罩配置於可接受從基板排出的處理液的上方位置之狀態下，處理液噴出部係朝基板的處理面噴出處理液。之後，在防護罩配置於防護罩的上端位於保持構件的凸緣部的側方之下方位置的狀態下，洗淨液噴出部係朝將基板一邊保持一邊旋轉的保持構件的凸緣部噴出洗淨液。噴出的洗淨液係從凸緣部的下表面朝保持構件的徑方向外側排出。由於配置於下方位置之防護罩的上端係位於凸緣部的側方，因此排出的處理液係碰撞至防護罩的上端部分的內周面。藉此，能在將基板保持於保持構件的狀態下，藉由共通的洗淨液噴出部洗淨附著有處理液的防護罩與保持構件的雙方。
依據第二十一實施形態及第二十六實施形態中的任一發明，上側凸緣部係位於比凸緣部還上方的位置，且突出至比凸緣部還靠近保持構件的徑方向外側。從下方噴出至凸緣部的洗淨液係沿著凸緣部的下表面移動至凸緣部的前端，並從前端朝保持構件的徑方向外側排出至保持構件的外部。噴出至基板的處理面並從基板排出的處理液係經過上側凸緣部的上表面並比洗淨液還靠近徑方向外側，且從 上方朝保持構件的徑方向外側排出。因此，由於在處理液與洗淨液彼此分離的狀態從保持構件排出，因此能抑制排出的處理液與洗淨液混合。
依據第二十二實施形態及第二十七實施形態中的任一發明，洗淨液噴出部係從下方朝凸緣部的曲面部噴出洗淨液。曲面部係分別平緩地連接至保持構件的基部的外周面與凸緣部的下表面。因此，能減少噴出至曲面部後濺回至下方的洗淨液，並能將更多的洗淨液沿著凸緣部的下表面排出。藉此，能效率佳地洗淨防護罩的內周面。
依據第二十三實施形態及第二十八實施形態中的任一發明，防護罩係配置於下方位置，且外側防護罩係配置於可接受從處理液噴出部供給至基板後從基板排出的處理液之位置。在此狀態下，洗淨液係朝基板的處理面噴出，且洗淨液係朝凸緣部的下表面噴出。因此，能並行地進行基板的處理與保持構件及防護罩的洗淨處理。
依據第二十四實施形態及第二十九實施形態中的任一發明，由於能在藉由對向構件提高基板的密閉性的狀態下進行保持構件及防護罩的洗淨，因此能進一步保護基板的上表面。
1、1A、1B‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧自轉夾具
3‧‧‧飛散防止部
4‧‧‧表面保護部
5、5A‧‧‧處理部
6‧‧‧洗淨部
9‧‧‧基板
12、23‧‧‧旋轉驅動部
21、21A、21B、21C‧‧‧自轉基座(保持構件)
21a、91a‧‧‧貫通孔
21b‧‧‧開口
22‧‧‧旋轉軸部
24‧‧‧殼體
25‧‧‧夾具銷
26、26A、26C‧‧‧突出部
27、27B‧‧‧瀝水部
28‧‧‧基部
29‧‧‧凸緣部
31‧‧‧防濺防護罩
32‧‧‧防護罩驅動機構
41‧‧‧蓋氣體噴嘴
42‧‧‧手臂
43‧‧‧噴嘴基台
44‧‧‧驅動部(移動部)
45‧‧‧蓋氣體供給部
50、50A‧‧‧噴嘴
51‧‧‧板狀構件
52、261、941‧‧‧上表面
53、911‧‧‧下表面
54‧‧‧處理液噴出口
55、56、86、87‧‧‧清洗液噴出口
81‧‧‧供給管
83‧‧‧處理液供給部
83A‧‧‧處理液噴出部
84、85‧‧‧清洗液供給部
84A、85A‧‧‧清洗液噴出部
90、90A、90B、90C‧‧‧阻隔板(對向構件)
91‧‧‧本體部
92、92A、92B、92C、92D、92E‧‧‧延伸設置部
93‧‧‧旋轉部
94、94A‧‧‧限制構造
101a、101b、101c、101d、101e、101f‧‧‧磁鐵
130、201A‧‧‧控制部
201、201C、201D、201E、201F‧‧‧限制部
211‧‧‧曲面
231‧‧‧旋轉機構
241‧‧‧鍔狀構件
262‧‧‧前端面
263、264、265A、266A、943、943A、944、944A‧‧‧側面
263A、264A‧‧‧斜面
267A、942‧‧‧底面
311‧‧‧底構件
312‧‧‧內構件(防護罩)
313‧‧‧外構件(外側防護罩)
451‧‧‧氮氣供給源
452、832a、832b、832c、832d、842d、852d‧‧‧配管
453、833a、833b、833c、833d、843d、853d‧‧‧開閉閥
811‧‧‧處理液供給管
812、851d‧‧‧清洗液供給管
831a‧‧‧SC-1供給源
831b‧‧‧DHF供給源
831c‧‧‧SC-2供給源
831d、841d、851d‧‧‧清洗液供給源
901‧‧‧內側面
921、921B‧‧‧內周面
922‧‧‧凹部
923‧‧‧空間
a1‧‧‧旋轉軸
c1‧‧‧中心
D1、D4、W2‧‧‧寬度
D2、D3、D5、D6、D7、D8、D9‧‧‧間隔
G1‧‧‧間隙
圖1係用以說明第一實施形態的基板處理裝置的構成之示意圖。
圖2係顯示配置於處理位置的圖1的阻隔板與自轉基座之立體圖。
圖3係顯示圖2的自轉基座之立體圖。
圖4係顯示圖2的阻隔板之立體圖。
圖5係顯示圖2的自轉基座之立體圖。
圖6係顯示圖2的阻隔板與自轉基座的周緣部之縱剖視圖。
圖7係顯示圖2的阻隔板與自轉基座的周緣部之其他的縱剖視圖。
圖8係圖6的限制部的橫剖視圖。
圖9係顯示圖8的限制部被彈性構件覆蓋的狀態之剖視圖。
圖10係顯示第一實施形態的阻隔板與自轉基座的另一構成例之立體圖。
圖11係顯示圖10的阻隔板配置於處理位置的狀態之立體圖。
圖12係第一實施形態的阻隔板與自轉基座的另一構成例的縱剖視圖。
圖13係顯示圖12的阻隔板與自轉基座的另一剖面之縱剖視圖。
圖14係顯示第一實施形態的限制部的其他構成例之橫剖視圖。
圖15係顯示圖14的限制部的另一狀態之橫剖視圖。
圖16係顯示圖14的限制部的另一狀態之橫剖視圖。
圖17係顯示圖14的限制部的另一狀態之橫剖視圖。
圖18係顯示第一實施形態的限制部的另一構成例之剖視圖。
圖19係顯示第一實施形態的限制部的另一構成例之剖視圖。
圖20係用以說明第二實施形態的基板處理裝置的構成之示意圖。
圖21係用以說明圖20的噴嘴的構成之示意圖。
圖22係顯示第二實施形態的基板處理裝置的動作的一例之流程圖。
圖23係用以說明第三實施形態的基板處理裝置的構成之示意圖。
圖24係顯示第三實施形態的基板處理裝置的動作的一例之流程圖。
圖25係用以說明圖24的流程圖所顯示的動作之圖。
圖26係用以說明圖24的流程圖中的一部分的動作之圖。
以下，一邊參照圖式一邊說明實施形態。以下的實施形態為將本發明具體化的一例，並非是用來限縮本發明的技術性範圍。此外，在以下所參照的各圖中，為了容易理 解，有將各構件的尺寸和數量誇張地顯示或簡略地顯示之情形。上下方向為鉛直方向，且基板側係位於自轉基座的上方。
<1.關於第一實施形態> <1-1.基板處理裝置1的構成>
一邊參照圖1至圖5一邊說明基板處理裝置1的構成。圖1係用以說明基板處理裝置1的構成之示意圖。在圖1中，顯示阻隔板90配置於退避位置的狀態。此外，以虛線顯示配置於處理位置的阻隔板90。圖2係顯示在阻隔板90配置於處理位置的狀態下繞著旋轉軸a1旋轉之阻隔板90與自轉基座21之概略立體圖。圖3係顯示從上方觀看用以將基板9予以保持並繞著旋轉軸a1旋轉之自轉基座21之概略立體圖。省略阻隔板90的顯示。基板9的表面形狀為略圓形。基板9相對於基板處理裝置1的搬入及搬出係在阻隔板90配置於退避位置的狀態下藉由機器人等進行。搬入至基板處理裝置1的基板9係被自轉基座21裝卸自如地保持。圖4係從斜下方觀看阻隔板90之概略立體圖。圖5係從斜上方觀看自轉基座21之概略立體圖。
此外，在以下的說明中，「處理液」係包括使用於藥液處理之「藥液」以及使用於沖流藥液的清洗(rinse)處理之「清洗液(亦稱為「洗淨液」)」。
基板處理裝置1係具備有自轉夾具2、飛散防止部3、表面保護部4、處理部5以及控制部130。自轉夾具2、飛散防止部3、表面保護部4以及處理部5係與控制部130電性連接，並因應來自控制部130的指示動作。以控制部130而言，例如能採用與一般的電腦同樣的構成。亦即，控制部130係例如具備有用以進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit；中央處理器)、用以記憶基本程式之屬於讀出專用的記憶體之ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)、用以記憶各種資訊之屬於可自由讀寫的記憶體之RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)、預先記憶控制用軟體及/或資料等之磁碟等。在控制部130中，作為主控制部的CPU係依據程式所訂定的順序進行運算處理，藉此控制基板處理裝置1的各構成要件。
<自轉夾具2>
自轉夾具2為用以將基板9的一主面朝向上方的狀態下略水平姿勢地保持基板9之基板保持部，並使該基板9繞著通過主面的中心c1之鉛直的旋轉軸a1旋轉。
自轉夾具2係具備有比基板9還稍大之圓板狀的構件之自轉基座(亦即「保持構件」)21。自轉基座21係於上表面及下表面的中央形成有分別開口的圓筒狀的貫通孔21a，且該貫通孔21a係以其中心軸與旋轉軸a1一致的方式形成。於貫通孔21a的下側的開口連結有圓筒狀的旋轉 軸部22。藉此，貫通孔21a與旋轉軸部22的中空部係連通。旋轉軸部22係以其軸線沿著鉛直方向的姿勢配置。此外，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如馬達)23。旋轉驅動部23係將旋轉軸部22繞著其軸線旋轉驅動。旋轉軸部22的軸線係與旋轉軸a1一致。因此，自轉基座21係可與旋轉軸部22一起繞著旋轉軸a1旋轉。旋轉軸部22及旋轉驅動部23係收容於筒狀的殼體(casing)24內。
此外，於自轉基座21的上表面的周緣部附近隔著適當的間隔設置有複數個(例如六個))夾具銷(chuck pin)25。各個夾具銷25係在設置於自轉基座21的上表面的複數個開口21b中安裝於自轉基座21。夾具銷25係與基板9的端面抵接且進行基板9的水平方向的定位，並在比自轉基座21的上表面稍高的位置(亦即從自轉基座21的上表面隔著設定的間隔)以略水平姿勢保持基板9。亦即，自轉基座21係經由夾具銷25從下方略水平地保持基板9。自轉基座21的上表面係隔著間隙與基板9的下表面例如略平行地相對向。於自轉基座21的圓筒狀的側面部分沿著周方向等間隔地設置有兩個突出部26。突出部26只要至少設置一個即可，亦可設置有複數個突出部26。
在該構成中，當在自轉基座21藉由夾具銷25在該自轉基座21的上方保持基板9的狀態下旋轉驅動部23旋轉旋轉軸部22時，自轉基座21係繞著沿著鉛直方向的軸心 旋轉，藉此保持於自轉基座21上的基板9係繞著通過基板9的面內的中心c1之鉛直的旋轉軸a1旋轉。於後述的表面保護部4設置有阻隔板90，該阻隔板90係設置成可於以旋轉軸a1作為中心的周方向旋轉。該周方向中的自轉基座21與阻隔板90的相對位置係可限制。當在已限制該相對位置的狀態下旋轉驅動部23使旋轉軸部22旋轉時，自轉基座21、基板9以及阻隔板90係以相同的旋轉速度朝相同的旋轉方向旋轉。旋轉驅動部23、突出部26以及限制構造94為用以使自轉基座21與阻隔板90以旋轉軸a1作為中心彼此於相同的方向旋轉之旋轉機構231。
此外，亦可設置用以在已限制該相對位置的狀態下以旋轉軸a1作為中心使阻隔板90旋轉之其他的旋轉驅動部，以取代旋轉驅動部23。在此情形中，該其他的旋轉驅動部係取代旋轉驅動部23成為旋轉機構231的構成要素之一。此外，亦可設置旋轉驅動部23與該其他的旋轉驅動部雙方。亦即，旋轉機構231係在已限制周方向中的自轉基座21與阻隔板90的相對位置的狀態下，使自轉基座21與阻隔板90中的至少一者以旋轉軸a1作為中心旋轉。只要旋轉機構231使自轉基座21與阻隔板90以相同的速度於相同的方向旋轉，即能抑制在基板9的上表面與阻隔板90的下表面之間產生朝向基板9的中心c1側的氣流。藉此，能抑制處理液的液滴被吸入至基板9的上表面。
在設置有旋轉驅動部23與該其他的旋轉驅動部雙方之情形中，亦可不設置限制構造94與突出部26。在此情形中，旋轉驅動部23使自轉基座21旋轉的速度與該其他的旋轉驅動部使阻隔板90朝與自轉基座21相同的方向旋轉之速度亦可不同。此外，在設置有旋轉驅動部23與該其他的旋轉機構雙方之情形中，延伸設置部92的前端亦可位於比自轉基座21的上表面還稍微上側。
夾具銷25及旋轉驅動部23係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下動作。亦即，控制部130係控制用以將基板9保持於自轉基座21上之時序(timing)、解除被保持的基板9之時序、以及自轉基座21的旋轉態樣(具體而言為旋轉開始時序、旋轉結束時序、旋轉數(亦即旋轉速度)等)。
<飛散防止部3>
飛散防止部3係接住從與自轉基座21一起旋轉的基板9飛散之處理液等。
飛散防止部3係具備有防濺防護罩(splash guard)31。防濺防護罩31為上端開放的筒形狀的構件，並以圍繞自轉夾具2之方式設置。在本實施形態中，防濺防護罩31係例如包含有底構件311、內構件(以下亦稱為「內側防護罩」或簡稱為「防護罩」)312以及外構件(以下亦稱為「外側防 護罩」)313這三個構件而構成。亦可不設置外構件313，或者亦可於外構件313的外側進一步以圍繞自轉夾具2之方式設置有防護罩。
底構件311為上端開放的筒形狀的構件，並具備有圓環狀的底部、從底部的內側緣部朝上方延伸之圓筒狀的內側壁部、以及從底部的外側緣部朝上方延伸之圓筒狀的外側壁部。內側壁部的至少前端附近係收容於設置在自轉夾具2的殼體24之鍔狀構件241的內側空間。
於底部形成有與內側壁部及外側壁部之間的空間連通之排液槽(未圖示)。該排液槽係與工廠的排液線路連接。此外，於該排液槽連接有排氣排液機構，該排氣排液機構係將槽內強制性地排氣，並將內側壁部與外側壁部之間的空間設為負壓狀態。內側壁部與外側壁部之間的空間為將基板9的處理所使用的處理液予以收集並排液之空間，收集至該空間的處理液係從排液槽排液。
內構件312為上端開放的筒形狀的構件，內構件312的上部(亦即「上端側部分」、「上端部分」)係朝內側上方延伸。亦即，該上部係朝著旋轉軸a1向斜上方延伸。於內構件312的下部形成有沿著上部的內周面朝下方延伸之筒狀的內周壁部以及沿著上部的外周面朝下方延伸之筒狀的外周壁部。在底構件311與內構件312接近的狀態下(圖 1所示的狀態)，底構件311的外側壁部係收容至內構件312的內周壁部與外周壁部之間。內構件312的上部所接受的處理液等係經由底構件311排出。
外構件313為上端開放的筒形狀的構件，並設置於內構件312的外側。外構件313的上部(亦即「上端側部分」、「上端部分」)係朝內側上方延伸。亦即，該上部係朝著旋轉軸a1朝斜上方延伸。下部係沿著內構件312的外周壁部朝下方延伸。外構件313的上部所接受的處理液等係經由內構件312的外周壁部與外構件313的下部之間的間隙排出。
於防濺防護罩31配設有使防濺防護罩31升降移動之防護罩驅動機構(亦即「升降驅動部」)32。防護罩驅動機構32係例如由步進馬達(stepping motor)所構成。在本實施形態中，防護罩驅動機構32係獨立地使防濺防護罩31所具備的三個底構件311、內構件312以及外構件313升降。
內構件312及外構件313係分別接受防護罩驅動機構32的驅動，並分別在上方位置與下方位置之間移動。在此，內構件312及外構件313的上方位置為該內構件312及外構件313的上端緣部配置在保持於自轉基座21上的基板9的側方且上方之位置。另一方面，內構件312及外構件313的下方位置為該內構件312及外構件313的上端緣 部配置於比自轉基座21的上表面還下方之位置。外構件313的上方位置(下方位置)係位於比內構件312的上方位置(下方位置)還稍微上方。內構件312與外構件313係以彼此不會碰撞之方式同時或者依序升降。底構件311的內側壁部係藉由防護罩驅動機構32在被收容於設置在殼體24的鍔狀構件241的內側空間之位置與其下方的位置之間被驅動。其中，防護罩驅動機構32係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下動作。亦即，控制部130係控制防濺防護罩31的位置(具體而言為底構件311、內構件312以及外構件313各者的位置)。
<表面保護部4>
表面保護部4係對保持於自轉基座21上之基板9的上表面的中央附近供給氣體(蓋氣體(cover gas))，從而保護基板9的上表面不受供給至下表面的處理液的氛圍等影響。
表面保護部4係具備有：圓筒狀的蓋氣體噴嘴(cover gas nozzle)41，係朝保持於自轉基座21上之基板9的上表面的中央附近噴出氣體。蓋氣體噴嘴41係安裝至水平延伸的手臂(arm)42中靠近前端的部分，並將手臂42朝鉛直方向貫通。蓋氣體噴嘴41的中心軸係與旋轉軸a1一致。蓋氣體噴嘴41的下端部分係進一步從手臂42的下端面朝下方延伸設置。於蓋氣體噴嘴41的下端部分經由軸承(bearing)安裝有圓板狀的旋轉部93。旋轉部93的中心軸係與旋轉 軸a1一致。藉此，旋轉軸93係可以旋轉軸a1作為中心將蓋氣體噴嘴41的周圍朝周方向旋轉。
以可與旋轉部93一起旋轉之方式於旋轉部93的下部安裝有圓板狀的阻隔板(亦即「對向構件」)90。阻隔板90的上表面係以呈略水平之方式設置，該阻隔板90的形狀為比自轉基座21還稍大的圓形，且旋轉軸a1通過阻隔板90的中心。藉此，阻隔板90係可以旋轉軸a1作為中心朝周方向旋轉。阻隔板90係具備有：圓板狀的本體部91，係以旋轉軸a1作為中心軸；以及延伸設置部92，係設置於本體部91的周緣部。於本體部91的中央部設置有與蓋氣體噴嘴41連通之貫通孔91a。延伸設置部92為從本體部91的周緣部朝下方延伸設置的筒狀壁部(環狀壁部)，並沿著該周緣部的周方向設置。延伸設置部92為筒狀的構件，從本體部91的周緣部圍繞基板9的端面並朝自轉基座21之側延伸。延伸設置部92係在基板9的端面外側橫切過包含基板9的平面並朝比基板9還靠近自轉基座21之側突出。
手臂42的基端部係連結至噴嘴基台43。噴嘴基台43係以將噴嘴基台43的軸線沿著鉛直方向之姿勢配置，並構成為可沿著鉛直方向伸縮。手臂42的基端部係連結至噴嘴基台43的上端。於噴嘴基台43配設有驅動部(亦即「移動部」)44，該驅動部44係使噴嘴基台43沿著噴嘴基台43 的軸線伸縮。驅動部44係例如具備有步進馬達等而構成。
驅動部44係使噴嘴基台43伸縮，藉此使阻隔板90在處理位置(亦即「第一位置」)與處理位置的上方的退避位置(亦即「第二位置」)之間沿著旋轉軸a1方向相對於自轉基座21相對性地移動。阻隔板90的處理位置為保持於自轉基座21上之基板9的上方的位置，且為阻隔板90的下表面一邊與基板9的上表面相對向一邊以非接觸狀態接近該上表面之位置。阻隔板90的退避位置為阻隔板90不會干擾基板9的搬運路徑之位置，例如為比防濺防護罩31的上端緣部還上方的位置。在阻隔板90配置於處理位置時，本體部91係隔著間隙與保持於自轉基座21之基板9的上表面例如略平行地相對向。驅動部44係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下動作。亦即，控制部130係控制阻隔板90的位置。
於延伸設置部92的前端側部分設置有兩個限制構造94。以限制構造94而言，例如如圖4所示，採用從延伸設置部92的前端面朝延伸設置部92的內周面開口之凹部。於該凹部收容有突出部26的至少一部分。
對自轉基座21及阻隔板90分別預先設定有周方向中的初始位置(初始旋轉角度)。在阻隔板90配置於處理位置的上方的退避位置時，自轉基座21及阻隔板90分別配置 於周方向的初始位置。在此狀態下，以從阻隔板90的上方透視時會分別與設置於自轉基座21的側面部分的兩個突出部26重疊之方式，於延伸設置部92的前端側部分分別設置有兩個限制構造94。
如圖6所示，在阻隔板90配置於處理位置的狀態下，突出部26的至少一部分係收容於限制構造94。在此情形中，限制構造94係在以旋轉軸a1作為中心的周方向中，從突出部26的前後與突出部26相對向地配置，並限制突出部26朝周方向的相對性的動作。換言之，限制構造94係與該周方向中的突出部26的兩端相對向配置。亦即，限制構造94係以沿著該周方向夾著突出部26之方式配置。藉此，限制構造94係限制該周方向中的突出部26的相對向的動作。此外，在阻隔板90配置於處理位置的狀態下，延伸設置部92係從本體部91的周緣部朝自轉基座21的側方延伸。此外，限制構造94係配置於比自轉基座21的上表面還下方。亦即，突出部26與限制構造94雙方係配置於比自轉基座21的上表面還下方。自轉基座21與阻隔板90係經由突出部26與限制構造94相互地限制朝以旋轉軸a1作為中心之周方向的相對性的動作。亦即，限制構造94與突出部26為用以限制自轉基座21與阻隔板90朝周方向的相對性的動作之限制部201。換言之，限制部201係在以旋轉軸a1作為中心之周方向中限制阻隔板90相對於自轉基座21的相對位置。
於阻隔板90配置於退避位置時，以旋轉軸a1作為中心之限制構造94與突出部26各自的周方向的旋轉位置係彼此對合。限制構造94係避開阻隔板90從退避位置朝處理位置的移動過程中突出部26相對於限制構造94的相對性的動作路徑而配置。藉此，能迴避在該移動過程中限制構造94與突出部26的衝突。當阻隔板90配置於處理位置時，限制構造94係在以旋轉軸a1作為中心之周方向中從突出部26的前後與突出部26相對向配置。更詳細而言，在限制構造94配置於處理位置後自轉基座21立即停止時，限制構造94係在該周方向中從突出部26的前後以不會接觸突出部26之方式與突出部26相對向配置。藉此，在該周方向中限制阻隔板90相對於自轉基座21之相對位置。此外，當阻隔板90配置於退避位置時，限制構造94係沿著旋轉軸a1方向從突出部26相對性地離開配置。
在阻隔板90配置於處理位置並被限制部201限制阻隔板90相對於自轉基座21之周方向中的相對位置的狀態下，當旋轉驅動部23使旋轉軸部22旋轉時，自轉基座21係與基板9一起旋轉。藉此，突出部26係抵接至限制構造94中相對於突出部26朝旋轉方向下游側的部分。之後，阻隔板90係於與自轉基座21相同的旋轉方向以相同的旋轉速度從動旋轉。
在此，考量例如在基板處理裝置1一邊使基板旋轉一邊處理時進行緊急停止動作的情形。例如在此情形中，假想基板處理裝置1係使阻隔板90移動至退避位置。如此，即使在阻隔板90及自轉基座21未位於初始位置(初始旋轉角度)之情形中，亦需要自動地使處理再次開始。
自轉基座21係可被旋轉驅動部23驅動而旋轉，而阻隔板90係隨著自轉基座21的旋轉而從動旋轉。因此，需要以下的動作。控制部130係控制驅動部44，並以例如阻隔板90稍微接觸自轉基座21之方式使阻隔板90於上下方向移動。因此，控制部130係控制旋轉驅動部23，使自轉基座21以低速旋轉，藉此使阻隔板90於以旋轉軸a1作為中心之周方向旋轉。
阻隔板90係具備有可檢測該周方向中的阻隔板90的初始位置之感測器。控制部130係依據該感測器的輸出，在阻隔板90到達初始位置的時間點，控制旋轉驅動部23使阻隔板90停止旋轉。
之後，控制部130係控制驅動部44使阻隔板90移動至上方的退避位置，並控制旋轉驅動部23使自轉基座21旋轉至周方向的初始位置。藉此，在阻隔板90配置於退避位置的狀態下，阻隔板90與自轉基座21係配置於周方向的初始位置。較佳為在阻隔板90在退避位置與處理位置之 間相對於自轉基座21相對性地移動時，阻隔板90不會從周方向的初始位置偏移。因此，較佳為表面保護部4係具備有鎖定機構，該鎖定機構係在阻隔板90配置於周方向的初始位置的狀態下，將旋轉部93及阻隔板90相對於手臂42之周方向的位置固定。於阻隔板90配置於處理位置時，該鎖定機構係被解除。
在圖4及圖5的例子中，雖然限制構造94係設置於延伸設置部92的前端側部分(下端側部分)，且突出部26係設置於自轉基座21的側面部分，但是限制構造94亦可設置於自轉基座21的側面部分，且突出部26亦可設置於延伸設置部92的前端側部分。亦即，於阻隔板90的延伸設置部92的前端側部分與自轉基座21的側面部分中一者的部分設置有突出部26，並於另一者的部分設置有限制構造94。
以限制構造94而言，亦可採用一對突出部以取代凹部，該一對突出部係例如在以旋轉軸a1作為中心之周方向中，從突出部26的前後與突出部26相對向配置。在此情形中，由於亦能藉由該限制構造限制突出部26朝周方向的相對性的動作，因此不會損及本發明的可利用性。如圖4所示，在採用可收容突出部26的至少一部分之凹部作為限制構造之情形中，由於能將自轉基座21與阻隔板90的延伸設置部92之間的間隔作成更窄，因此能將阻隔板90作 成更小的直徑。
此外，雖然圖4所示的延伸設置部92為筒狀構件，但亦可使用在本體部91的周緣部中於周方向分散配置並從周緣部朝下方延伸之複數個壁部或者柱部作為延伸設置部。該延伸設置部係從本體部91的周緣部中的至少一部分朝自轉基座21的側方延伸。只要延伸設置部為筒狀構件，即不會橫切過供給至基板9並從基板9排出至外部的處理液的流動，因此能減少從延伸設置部濺回至基板9側的處理液。
於蓋氣體噴嘴41連接有屬於配管系統的蓋氣體供給部45，該蓋氣體供給部45係將氣體(在此例如為氮(N2)氣體)供給至蓋氣體噴嘴41。具體而言蓋氣體供給部45係例如具備有用以供給氮氣之屬於供給源的氮氣供給源451係經由夾設有開閉閥453之配管452連接至蓋氣體噴嘴41之構成。在該構成中，當開閉閥453開放時，從氮氣供給源451供給的氮氣係經由蓋氣體噴嘴41從設置於阻隔板90的中央部的貫通孔91a噴出。此外，供給至蓋氣體噴嘴41的氣體亦可為氮氣以外的氣體(例如氮氣以外的各種惰性氣體或乾燥空氣等)。
當在阻隔板90配置於處理位置的狀態下從蓋氣體供給部45對蓋氣體噴嘴41供給氣體時，從蓋氣體噴嘴41朝 保持於自轉基座21上之基板9的上表面的中央附近對基板9的上表面噴出氣體(蓋氣體)。其中，蓋氣體供給部45的開閉閥453係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下開閉。亦即，控制部130係控制從蓋氣體噴嘴41的氣體噴出態樣(具體而言為噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)。
<處理部5>
處理部5係對保持於自轉基座21上之基板9的處理面(在圖1的例子中為下表面)進行處理。具體而言，處理部5係將處理液供給至保持於自轉基座21上之基板9的處理面。
如圖1所示，處理部5係例如具備有：供給管81，係貫通並配置於自轉夾具2的旋轉軸部22的中空部。供給管81的前端係以連通供給管81與自轉基座21的貫通孔21a之方式連接至貫通孔21a的下側的開口。於貫通孔21a的上側(基板9側)的開口連接有噴嘴50。噴嘴50係具備有：噴出口，係與保持於自轉基座21且正在旋轉中的基板9的下表面相對向。噴嘴50係從該噴出口將經由供給管81供給的處理液噴出至基板的下表面。此外，亦可採用可將處理液供給至屬於處理面之基板9的上表面(全體或周緣部)之噴嘴。此種噴嘴係例如設置於阻隔板90。亦即，基板處理裝置1係具備有：噴嘴，係可將處理液噴出至保持 於自轉基座21且正在旋轉中的基板9的上表面及下表面的任一個處理面。以噴嘴50而言，係能採用可將處理液噴出至基板9的處理面之各種噴嘴。
於供給管81連接有用以將處理液供給至供給管81之屬於配管系統的處理液供給部83。具體而言，處理液供給部83係組合SC-1(Standard clean-1；第一標準清洗液)供給源831a、DHF(dilute hydrofluoric acid；稀釋氫氟酸)供給源831b、SC-2(Standard clean-2；第二標準清洗液)供給源831c、清洗液供給源831d、複數個配管832a、832b、832c、832d以及複數個開閉閥833a、833b、833c、833d而構成。
SC-1供給源831a為用以供給SC-1之供給源。SC-1供給源831a係經由夾設有開閉閥833a之配管832a連接至供給管81。因此，當開閉閥833a開放時，從噴嘴50噴出從SC-1供給源831a供給的SC-1。
DHF供給源831b為用以供給DHF之供給源。DHF供給源831b係經由夾設有開閉閥833b的配管832b連接至供給管81。因此，當開閉閥833b開放時，從噴嘴50噴出從DHF供給源831b供給的DHF。
SC-2供給源831c為用以供給SC-2之供給源。SC-2供給源831c係經由夾設有開閉閥833c的配管832c連接至供 給管81。因此，當開閉閥833c開放時，從噴嘴50噴出從SC-2供給源831c供給的SC-2。
清洗液供給源831d為用以供給清洗液之供給源。在此，清洗液供給源831d係例如將純水作為清洗液供給。清洗液供給源831d係經由夾設有開閉閥833d的配管832d連接至供給管81。因此，當開閉閥833d開放時，從噴嘴50噴出從清洗液供給源831d供給的清洗液。此外，以清洗液而言，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水(magnetic water)、還原水(氫水)、各種的有機溶劑(離子水、IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)、機能水(CO2水等))等。
當從處理液供給部83將處理液(SC-1、DHF、SC-2或清洗液)供給至供給管81時，從噴嘴50朝保持於自轉基座21上之基板9的處理面的中央附近噴出該處理液。此外，處理液供給部83所具有的開閉閥833a、833b、833c、833d各者係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下開閉。亦即，控制部130係控制來自噴嘴50的處理液的噴出態樣(具體而言為噴出的處理液的種類、噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)。噴嘴50、供給管81以及處理液供給部83為用以接受控制部130的控制將處理液噴出至基板9的處理面之處理液噴出部83A。
<1-2.阻隔板與自轉基座的構成>
圖6及圖7係顯示阻隔板90配置於處理位置時之阻隔板90與自轉基座21的周緣部的構成之縱剖視圖。於圖6顯示限制部201的剖面，於圖7顯示限制部201以外的部分的剖面。在圖6及圖7的例子中，防濺防護罩31的外構件313係配置於上方位置，內構件312係配置於下方位置。圖8係顯示限制部201之橫剖視圖。圖9係顯示第一實施形態的其他的限制部201F之橫剖視圖。
自轉基座21係具備有：圓板狀的基部28，上表面形狀為圓形；以及環狀的凸緣部29，係在基部28的周緣(側面)中，從基部28中之比上表面還稍微下方的位置朝徑方向外側突設。基部28及凸緣部29係例如藉由氯乙烯一體性地形成。凸緣部29的上表面與下表面(更詳細而言為凸緣部29中之基端部分以外的部分的下表面，亦即凸緣部29的前端側部分的下表面)係沿著水平面形成，且基部28的側面為鉛直面。於凸緣部29的基端部分形成有沿著自轉基座21的周方向之環狀的曲面(亦即「曲面部」)211。曲面211係例如具有朝向旋轉軸a1往斜上方凸起之1/4圓弧狀的剖面形狀。該圓弧的半徑係設定成例如5mm至10mm。凸緣部29的前端側部分的下表面與基部28的側面中之比凸緣部29還下側的部分係藉由曲面211平緩地連接。
藉由凸緣部29的上表面與基部28的側面中的凸緣部 29的上側部分形成有環狀的凹部。於該凹部藉由螺栓固定有屬於環狀的板狀構件之瀝水部(亦即「上側凸緣部」)27。較佳為瀝水部27係藉由比基部28的耐熱性還高之例如氟樹脂等所形成。瀝水部27的外周緣部係在基部28的徑方向中朝比凸緣部29的外周緣還靠近外側延伸。瀝水部27的外周緣的直徑，亦即自轉基座21的外周緣的直徑係比基板9的直徑還大。瀝水部27中之外周緣部(亦即「前端部分」)以外的部分的上表面係作成與基部28的上表面齊平的水平面。瀝水部27的外周緣部的上表面為朝斜上方外側伸出之彎曲的曲面。該外周緣部係愈接近外周緣則厚度愈緩緩地變薄。上述兩個突出部26係分別從瀝水部27的外周緣部的前端(外緣)朝阻隔板90的徑方向外側突設。如圖5、圖6及圖8所示，突出部26形成為四角柱狀的形狀。該突出部26的上表面261為長方形狀的水平面。突出部26的前端面262為與上表面261正交且通過其中心的法線與旋轉軸a1相交之長方形狀的鉛直面。突出部26的側面263、264為與上表面261、前端面262雙方正交之長方形狀的鉛直面。上表面261係位於比基部28的上表面還下方。藉此，突出部26整體係位於比基部28的上表面還下方。
阻隔板90的本體部91為例如藉由氯乙烯所形成之圓板狀的構件。本體部91的下表面中之周緣部以外的下表面911係隔著間隙與保持於自轉基座21的夾具銷25之基板9 的上表面相對向。下表面911與基板9的上表面之間的間隔D2係例如為1mm左右。於本體部91的下表面中的周緣部形成有沿著周緣之環狀的凹部。藉此，本體部91的周緣部的厚度成為其他部分的一半左右。延伸設置部92係具有可嵌合至該凹部之環狀的形狀。延伸設置部92係嵌合至該凹部，並藉由螺栓固定至本體部91。較佳為延伸設置部92係藉由耐熱性比本體部91還佳之例如氟樹脂等材料所形成。延伸設置部92的環狀的內周面921係從其下端朝上方立設後，朝旋轉軸a1側延伸達至基板9的周緣部的上方。內周面921中之旋轉軸a1側的環狀的周緣部係平緩地連接至本體部91的下表面911，並與下表面911一起作成與基板9的上表面相對向之對向面。延伸設置部92係成為從本體部91的周緣部朝下方延伸設置之筒狀壁部，延伸設置部92的前端側部分係朝自轉基座21的側方部分延伸。延伸設置部92的內周面921中之延伸設置部92的前端側(下端側)的部分係朝自轉基座21的側方部分延伸。延伸設置部92的外緣側的內周面921為以相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側伸出之方式彎曲的曲面。換言之，內周面921中之延伸設置部92的前端側(下端側)的部分為以相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側伸出之方式彎曲的曲面。藉此，阻隔板90的徑方向中的延伸設置部92的前端側部分的寬度係愈朝下方亦即愈朝自轉基座21的側方部分愈緩緩地變細。如此，內周面921係以與阻隔板90的下表面連續並相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側 伸出之方式膨脹並彎曲。
於延伸設置部92的前端側部分係形成有限制構造94。如圖4、圖6及圖8所示，限制構造94係例如為從延伸設置部92的前端面朝延伸設置部92的內周面開口之凹部。該限制構造94係以在阻隔板90配置於處理位置時可收容突出部26的至少一部分之方式形成。限制構造94的上表面941為長方形狀的水平面。限制構造94的底面942為與上表面941正交且通過其中心的法線與旋轉軸a1交會之長方形狀的鉛直面。限制構造94的側面943、944為與上表面941、底面942雙方正交之長方形狀的鉛直面。上表面941係位於比基部28的上表面還下方且比突出部26的上表面261還上方。藉此，限制構造94整體係位於比基部28的上表面還下方。
在阻隔板90配置於處理位置時，兩個限制構造94的一者係收容兩個突出部26的一者的至少一部分，另一者的限制構造94係收容另一者的突出部26的至少一部分。
在突出部26收容於限制構造94後的狀態下自轉基座21停止時，限制構造94的上表面941與突出部26的上表面261係隔著間隙彼此相對向，且限制構造94的底面942與突出部26的前端面262隔著間隙彼此相對向。並且，限制構造94的側面943係與突出部26的側面263相對向， 限制構造94的側面944係與突出部26的側面264相對向。藉此，限制構造94係在以旋轉軸a1作為中心之周方向中從突出部26的前後與突出部26相對向配置，並可限制突出部26之朝周方向的相對性的動作。限制構造94與突出部26為用以限制沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向的自轉基座21與阻隔板90之間的相對性的動作之限制部201。
如圖7所示，在阻隔板90配置於處理位置的狀態下，在延伸設置部92的前端側部分與自轉基座21的側部之間，具體而言為在延伸設置部92的前端側部分與瀝水部27的前端部分之間且在限制部201以外的部分形成有間隙G1。間隙G1的寬度D1係例如為1mm至5mm左右。處理部5的噴嘴50噴出至基板9的處理面之處理液係沿著處理面排出至基板9的外部，並從自轉基座21的周緣部通過間隙G1排出至外部。如上所述，延伸設置部92的內周面921中的延伸設置部92的前端的部分與瀝水部27的前端部分的上表面只要彼此彎曲，處理液即能從間隙G1順暢地排出至外部。
延伸設置部92的內周面921的上端部分係位於阻隔板90的下表面中之比與基板9相對向的對向面(詳細而言為該對向面的周緣部)還上方，亦即相對於自轉基座21的上表面位於比該對向面還高的位置。藉此，於內周面921的上端側部分形成有環狀的凹部922。凹部922係沿著以旋 轉軸a1作為中心之周方向形成。凹部922係形成於延伸設置部92的前端側部分與阻隔板90中之與基板9相對向的部分之間。亦即，凹部922係形成於阻隔板90的內側面901中之延伸設置部92的前端側部分以及與基板9相對向的對向部分之間的部分。內側面901為圍繞基板9的上表面及端面之面。內側面901係包含有本體部91的下表面911與延伸設置部92的內周面921。凹部922係在阻隔板90中之比與基板9的上表面相對向之對向部分的周緣部還上方凹陷。於凹部922與自轉基座21的上表面之間形成有環狀的膨脹的空間(亦即「膨脹空間」)923。空間923係朝阻隔板90中之比與基板9相對向的對向面還上方膨脹。凹部922中最低窪的部分與基板9的上表面之間的間隔D3係比間隔D2還長。阻隔板90的徑方向中的凹部922的寬度D4較佳為設定成例如20mm以上。
如上所述，於阻隔板90的內側面901(更詳細而言為延伸設置部92的內周面921)中之相對於下表面911比凹部922還外側(阻隔板90的徑方向外側)的部分形成有相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲之彎曲面。此外，在圖式的例子中，下表面911係與基板9的上表面平行。然而，下表面911整體亦可不與基板9的上表面平行，而是下表面911中除了其周緣部以外的部分亦可愈隨著朝向下表面911的中心愈從基板9的上表面變高等。
在從間隙G1排出的處理液會因為處理液的量與間隙G1的寬度而滯留在延伸設置部92與瀝水部27之間的空間之情形中，藉由凹部922所形成的空間923係成為緩衝。藉此，能抑制因為滯留的處理液造成處理液濺回並附著至基板9的非處理面。
此外，從瀝水部27的前端部分排出的處理液的一部分係碰撞至限制構造94、突出部26並濺回。然而，由於在阻隔板90配置於處理位置的狀態下，阻隔板90的限制構造94與自轉基座21的突出部26雙方位於比自轉基座21的上表面還下方，因此抑制濺回的處理液附著至基板9的處理面以外的主面(亦即「非處理面」)。
只要延伸設置部92及瀝水部27為藉由耐熱性佳的氟樹脂等所形成，即使在處理液為高溫的情形中，亦能抑制高溫造成阻隔板90與自轉基座21的損傷。然而，例如與氯乙烯相比，雖然氟樹脂的耐熱性佳，但硬度低。在阻隔板90配置於處理位置在狀態下旋轉驅動部23經由旋轉軸部22使自轉基座21旋轉之情形中，於加速時及減速時，突出部26與限制構造94彼此抵接。如此，會有限制構造94與突出部26彼此衝突而產生粉塵之情形，亦即會有氟樹脂製的構件彼此衝突而產生粉塵之情形。當這些粉塵附著至基板9時會造成缺陷。此外，延伸設置部92與自轉基座21亦可分別以相同的材料一體性地形成。
在圖9的構成例中，自轉基座21的突出部26係藉由由EPDM(Ethylene Propylene Diene Monomer；乙烯/丙烯/二烯橡膠)等彈性構件所形成的O形環等覆蓋突出部26的外周面中的前端面262以外的面。即使在自轉基座21的加速時等限制構造94與突出部26彼此抵接之情形中，亦能抑制粉塵的產生。此外，只要突出部26與限制構造94中的至少一者被彈性構件覆蓋與另一者相對向的部分，即可抑制產生粉塵。即使突出部26與限制構造94皆未被彈性構件覆蓋，亦不會損及本發明的可利用性。
圖12及圖13係顯示以阻隔板90B與自轉基座21B作為第一實施形態的基板處理裝置的阻隔板與自轉基座的其他構成例之縱剖視圖。在圖12及圖13中，顯示阻隔板90B與自轉基座21B之間的周緣部。在圖12中顯示限制部201的剖面，在圖13中顯示限制部201以外的部分的剖面。除了具備有延伸設置部92B以取代阻隔板90的延伸設置部92之外，阻隔板90B係具備有與阻隔板90同樣的構成。除了具備有瀝水部27B以取代自轉基座21的瀝水部27之外，自轉基座21B係具備有與自轉基座21同樣的構成。
延伸設置部92B的內周面(下表面)921B係流順地與本體部91中之厚度較薄的周緣部以外之部分的下表面連接。未於內周面921B形成有延伸設置部92的凹部922。 此外，未於瀝水部27B形成有設置於瀝水部27的前端部分的上表面之曲面，且瀝水部27B的前端面為鉛直面。處理液係經過基板9的處理面及自轉基座21B的上表面的周緣部，從延伸設置部92B與瀝水部27B之間的間隙G2排出至外部。在設置有限制部201的部分中，處理液係藉由限制部201(限制構造94、突出部26)而濺回。
然而，瀝水部27B的前端部分，亦即設置於自轉基座21B的側面部分之突出部26與設置於延伸設置部92B的前端側部分之限制構造94係配置於比自轉基座21B的上表面更下方。藉此，抑制濺回的處理液侵入並附著至基板9的非處理面。因此，即使採用阻隔板90B以取代阻隔板90，並採用自轉基座21B以取代自轉基座21，亦不會損及本發明的可利用性。此外，阻隔板90B亦可與自轉基座21結合，阻隔板90亦可與自轉基座21B結合。
<1-3.其他的構成例>
圖10及圖11係顯示以阻隔板90A與自轉基座21A作為第一實施形態的基板處理裝置的阻隔板與自轉基座的其他構成例之立體圖。圖11係顯示阻隔板90A配置於處理位置時之阻隔板90A與自轉基座21A之立體圖。
除了具備有延伸設置部92A以取代阻隔板90的延伸設置部92之外，阻隔板90A係作成與阻隔板90同樣的構 成。與延伸設置部92同樣地，延伸設置部92A為筒狀壁部，係從圓板狀的本體部91的周緣部朝自轉基座21A的側方延伸設置，並沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向環狀地延伸。延伸設置部92A與延伸設置部92的差異在於：阻隔板90的前端側部分具備有兩個限制構造94，而延伸設置部92A的前端側部分具備有複數個限制構造94A。
此外，除了於自轉基座21的瀝水部27的前端部分具備有突出部26A以取代突出部26之外，自轉基座21A係作成與自轉基座21同樣的構成。限制構造94A與突出部26A為用以限制朝向以旋轉軸a1作為中心的周方向之自轉基座21A與阻隔板90A彼此的相對性的動作之限制部201A。
複數個限制構造94A係遍及延伸設置部92A的前端側部分的周方向的全周連續地設置。各個限制構造94A為形成為可收容突出部26A的至少一部分的形狀之凹部。各個限制構造94A係沿著阻隔板90A的徑方向貫通延伸設置部92A的前端部分，且亦於該前端部分的下方開口。亦即，限制構造94A係在從自轉基座21A的側面部分朝突出的突出部26A沿著旋轉軸a1方向之方向開口。此外，如圖6所示的限制構造94，即使限制構造94A未沿著阻隔板90A的徑方向貫通延伸設置部92A的前端部分，亦不會損及本發明的可利用性。在此情形中，能提升阻隔板90A對於基 板9的密封性。
限制構造94A中之沿著至少下方側的開口部分的周方向之寬度W1係愈接近該開口愈變廣。具體而言，限制構造94A係具備有：側面(斜面)943A、944A，係沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向彼此傾斜地相對向。沿著側面943A與側面944A之間的該周方向的寬度W1係愈接近下方愈變廣。
突出部26A係形成為例如五角柱狀，且突出部26A的軸方向沿著自轉基座21A的徑方向。突出部26A係具備有：長方形狀的水平的底面267A；以及長方形狀的側面265A、266A，係分別從自轉基座21A的周方向中的底面267A的兩端朝上方立設，亦即立設於限制構造94A的開口側。側面265A、266A為鉛直面。於側面265A、266A的上端部連接有斜面263A、264A。斜面263A與斜面264A係形成突出部26A的前端部分(上端部分)。斜面263A與限制構造94A的側面943A係彼此略平行，且斜面264A與側面944A亦彼此略平行。斜面263A與斜面264A中之以旋轉軸a1作為中心之周方向的寬度W2係愈接近上方愈變窄。亦即，突出部26A中至少前端部分係與延伸設置部92A的前端側部分的限制構造94A相對向，且該前端部分中沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向的寬度W2係愈接近限制構造94愈變窄。此外，較佳為限制構造94A與突出部26A係以 突出部26A中至少前端側部分可嵌合至限制構造94A中之至少突出部26A側的開口部分之方式分別形成。
在此，檢討下述情形：自轉基座21A與阻隔板90A中的至少一者並未配置於周方向的初始位置，且任一者並未將朝向該周方向的旋轉鎖定，並在另一者鎖定的狀態下，阻隔板90A從退避位置移動至處理位置。
複數個限制構造94A係遍及延伸設置部92A的前端側部分的周方向的全周連續地設置。因此，在阻隔板90A移動至處理位置的途中，突出部26A的前端係抵接至複數個限制構造94A中的任一個限制構造94A。如圖10所示，幾乎所有的情形為限制構造94的側面944A與突出部26A的斜面264A抵接，或者限制構造94的側面943A與突出部26A的斜面263A抵接。亦即，彼此大致相同傾斜的斜面彼此係互相抵接。
在此狀態下，當阻隔板90A進一步移動至處理位置時，在移動過程中以限制構造94A的頂部與突出部26A的前端彼此沿著周方向接近之方式，延伸設置部92A係相對於自轉基座21A一邊於周方向相對性地旋轉一邊移動至處理位置。並且，如圖11所示，在阻隔板90A配置於處理位置時，突出部26A的前端側部分係收容於限制構造94A。藉此，阻隔板90A係限制相對於自轉基座21A之朝 周方向的相對性的動作。
此外，在阻隔板90A配置於處理位置時，各個限制構造94A的上端與突出部26A的上端係配置於比自轉基座21A的上表面還下方。因此，即使在從基板9的處理面排出的處理液碰撞限制部201A並濺回之情形中，亦能抑制濺回的處理液附著至基板9的非處理面。
此外，複數個限制構造94A係在自轉基座21A的側面部分中沿著周方向設置，突出部26A係可設置於延伸設置部92A的前端側部分。
圖14至圖17係顯示以阻隔板90C與自轉基座21C所構成的限制部201C作為第一實施形態的基板處理裝置的阻隔板與自轉基座所構成的限制部的其他構成例。阻隔板90C係配置於處理位置。圖14係顯示自轉基座21靜止狀態的限制部201，圖15係顯示自轉基座21C一邊加速一邊旋轉時的限制部201C。圖16係顯示自轉基座21C在等速旋轉時的限制部201C，圖17係顯示自轉基座21C一邊減速一邊旋轉時的限制部201C。
除了具備有突出部26C以取代自轉基座21的突出部26以外，自轉基座21C係作成與自轉基座21同樣的構成。除了內部具備有磁鐵101a之外，突出部26C係作成與突出 部26同樣的構成。磁鐵101a的N極係配置於側面263側，S極係配置於側面264側。磁鐵101a係設置成N極與S極係略沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向依序排列之方式設置於突出部26C。
除了具備有延伸設置部92C以取代阻隔板90的延伸設置部92之外，阻隔板90C係作成與阻隔板90同樣的構成。除了內部具備有磁鐵101b、101c之外，延伸設置部92C係作成與延伸設置部92同樣的構成。磁鐵101b係以N極與S極係略沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向依序排列且N極比S極還接近限制構造94的側面943之方式，相對於限制構造94設置於自轉基座21C的旋轉方向上游側。磁鐵101c係以N極與S極略沿著以旋轉軸a1作為中心之周方向依序排列且S極比N極還接近限制構造94的側面944之方式，相對於限制構造94設置於自轉基座21C的旋轉方向下游側。
如此，磁鐵101a至101c係以磁鐵101b的N極與磁鐵101a的N極彼此相對向且磁鐵101a的S極與磁鐵101c的S極彼此相對向之方式排列。並且，N極彼此與S極彼此間作用有磁性地排斥力。此外，較佳為各個磁鐵101a至101c係產生彼此略相等強度的磁場。
亦即，磁鐵101a至101c係以擴寬突出部26C與限制 構造94中之在以旋轉軸a1作為中心之周方向中配置於突出部26C的前後之側面943、944之間的各個間隔之方式作用磁性地排斥力。藉由該磁性地排斥力，限制突出部26C相對於限制構造94之朝周方向的相對性的動作。此外，亦可以磁鐵101a至101c各自的N極與S極彼此反轉之方式設置有磁鐵101a至101c。
如圖14所示，在自轉基座21靜止時，以擴寬側面943與側面263之間的間隔之方式作用的力量以及以擴寬側面944與側面264之間的間隔之方式作用的力量係成為彼此略相等，該等的間隔係成為略相等。如圖16所示，在自轉基座21以等速旋轉時，該等間隔亦成為略相等。
如圖15所示，在自轉基座21加速時，不僅是各個磁鐵間的磁性地排斥力，再藉由自轉基座21的加速，進一步作用將側面944與側面264之間的間隔縮窄並將側面943與側面263之間的間隔擴寬之力量。因此，側面944與側面264之間的間隔係變成比側面943與側面263之間的間隔還寬。
如圖17所示，在自轉基座21減速時，不僅是各個磁鐵間的磁性地排斥力，再藉由自轉基座21的減速，進一步作用將側面944與側面264之間的間隔擴寬並將側面943與側面263之間的間隔縮窄之力量。因此，側面944與側 面264之間的間隔係變成比側面943與側面263之間的間隔還窄。
各個磁鐵101a至101c、限制構造94以及突出部26C為用以在以旋轉軸a1作為中心之周方向中限制阻隔板90C相對於自轉基座21C的相對性的動作(位置)之限制部201C。
如圖14至圖17所示，在阻隔板90C配置於處理位置時，包含自轉基座21的加速中與減速中，突出部26C與延伸設置部92C的限制構造94較佳為恆常地在非接觸的狀態下彼此限制以旋轉軸a1作為中心之周方向的動作。在此情形中，能完全地防止突出部26C與延伸設置部92C的限制構造94之間的接觸而產生粉塵。即使假設因為各個磁鐵所作用的排斥力的大小或自轉基座21C的加速度的大小造成於自轉基座21的加速中與減速中突出部26C與延伸設置部92C的限制構造94接觸，與未設置有各個磁鐵101a至101c的情形相比，亦能大幅地降低接觸時的衝擊。因此，即使於自轉基座21的加速中與減速中突出部26C與延伸設置部92C的限制構造94接觸，亦不會損及本發明的可利用性。
圖18係顯示以延伸設置部92D與自轉基座21C所構成的限制部201D作為第一實施形態的基板處理裝置的阻隔板與自轉基座所構成的限制部的其他構成例之剖視圖。 圖19係顯示以延伸設置部92E與自轉基座21C所構成的限制部201E作為第一實施形態的基板處理裝置的阻隔板與自轉基座所構成的限制部的其他構成例。圖18及圖19係藉由以旋轉軸a1作為中心之圓筒分別切斷限制部201D、201E部分之剖視圖。
圖18及圖19所示的自轉基座21C係具備有與圖14所示的自轉基座21C同樣的構成。除了具備有延伸設置部92D以取代圖14的阻隔板90C的延伸設置部92C之外，圖18的阻隔板90D係作為與阻隔板90C同樣的構成。除了於內部進一步具備有磁鐵101d之外，延伸設置部92D係作成與延伸設置部92C同樣的構成。較佳為各個磁鐵101a至101e係產生彼此略相等強度的磁場。磁鐵101d係以N極與S極略沿著以旋轉軸a1作為中心的周方向依序排列之方式沿著限制構造94的上表面941設置。磁鐵101d的N極係與磁鐵101a的N極彼此相對向，磁鐵101d的S極係與磁鐵101a的S極彼此相對向。藉此，於磁鐵101a、101d之間作用磁性地排斥力。藉此，作用擴寬上表面941與上表面261之間的間隔之力量。
磁鐵101a至101c係作用使限制構造94的側面943、944與突出部26C之間的各個間隔在以旋轉軸a1作為中心的周方向中擴寬之磁性地排斥力。再者，磁鐵101a、101d係作用使限制構造94的上表面941與突出部26C的上表面 261之間的間隔朝旋轉軸a1方向(鉛直方向)擴寬之磁性地排斥力。藉此，由於限制上表面941與上表面261彼此接近的動作並抑制彼此的接觸，因此能進一步地抑制限制構造94與突出部26C之間的接觸而產生粉塵。
各個磁鐵101a至101d、限制構造94以及突出部26C為用以限制在以旋轉軸a1作為中心的周方向與鉛直方向兩者中阻隔板90C相對於自轉基座21C的相對性的動作(位置)之限制部201D。
除了具備有延伸設置部92E以取代圖14的阻隔板90C的延伸設置部92C之外，圖19的阻隔板90E係作成與阻隔板90C同樣的構成。除了於內部進一步具備有磁鐵101e、101f之外，延伸設置部92E係作成與延伸設置部92C同樣的構成。較佳為各個磁鐵101a至101c、101e、101f係產生彼此略相等強度的磁場。磁鐵101e係以N極接近上表面941且S極位於N極的上方之方式設置於限制構造94的上表面941的上方。此外，磁鐵101d的N極與磁鐵101a的N極係彼此相對向。磁鐵101f係以S極接近上表面941且N極位於S極的上方之方式設置於限制構造94的上表面941的上方。此外，磁鐵101d的S極與磁鐵101a的S極係彼此相對向。
藉此，於磁鐵101a、101e之間作用磁性地排斥力，並 於磁鐵101a、101f之間作用磁性地排斥力。藉此，以擴寬上表面941與上表面261之間的間隔之方式作用力量。
磁鐵101a至101e係作用使限制構造94的側面943、944與突出部26C之間的各個間隔在以旋轉軸a1作為中心的周方向中擴寬之磁性地排斥力。再者，磁鐵101a、101e、101f係作用使限制構造94的上表面941與突出部26C的上表面261之間的間隔朝旋轉軸a1方向(鉛直方向)擴寬之磁性地排斥力。藉此，由於限制上表面941與上表面261彼此接近的動作並抑制彼此的接觸，因此能進一步地抑制限制構造94與突出部26C之間的接觸而產生粉塵。
各個磁鐵101a至101c、101e、101f、限制構造94以及突出部26C為用以限制在以旋轉軸a1作為中心的周方向與鉛直方向兩者中阻隔板90C相對於自轉基座21C的相對性的動作(位置)之限制部201E。
依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，延伸設置部92係從阻隔板90的本體部91的周緣部朝自轉基座21的側方延伸。於延伸設置部92的前端側部分與自轉基座21的側面部分中一者的部分設置有突出部26，並於另一者的部分設置有限制構造94。突出部26與限制構造94係配置於比自轉基座21的上表面還下方。因此，能抑制從基板9排出的處理液因為突出部26或限制構造94而濺回 並附著至基板9的非處理面。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，由於突出部26與限制構造94中的至少一者係具備有與另一者相對向的部分，且該部分係被彈性構件覆蓋，因此能抑制突出部26與限制構造94之間接觸時的衝擊。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，阻隔板90係在以旋轉軸a1作為中心的周方向中限制構造94從突出部26的前後與突出部26相對向配置的處理位置與限制構造94沿著旋轉軸a1方向從突出部26相對性地離開配置的退避位置之間，沿著旋轉軸a1相對於自轉基座21相對性地移動。藉此，能容易地切換限制構造94限制突出部26之朝周方向的相對性的動作之限制狀態以及限制構造94不限制突出部26之朝周方向的相對性的動作之解放狀態。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，限制構造94為以可收容突出部26的至少一部分之方式所形成的凹部。因此，由於能使阻隔板90的延伸設置部92的前端側部分與自轉基座21的側面部分接近，因此能將阻隔板90小型化。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝 置，在阻隔板90A從退避位置朝處理位置相對於自轉基座21A相對性地移動的過程中，突出部26A係抵接至複數個凹部(限制構造94A)中相對向的凹部。在阻隔板90A未限制繞著旋轉軸a1的旋轉之狀態下，突出部26A的前端部分抵接至該凹部後，以因為該凹部及突出部26A各自的形狀使突出部26A被引導至該凹部中更深的低窪的部分之方式，一邊修正阻隔板90A相對於自轉基座21A的周方向中的相對位置，阻隔板90A一邊沿著旋轉軸a1方向朝處理位置移動。在阻隔板90A移動至處理位置後，該凹部係限制突出部26A的周方向的動作，並限制阻隔板90A相對於自轉基座21A之朝周方向的相對性的動作。因此，即使未將阻隔板90A相對於自轉基座21A的周方向中的相對位置對位，複數個凹部中之與突出部26A相對向的凹部亦成為用以限制朝周方向的突出部26A的相對性的動作。藉此，能抑制阻隔板90A相對於自轉基座21A之朝周方向的相對性的動作。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，複數個磁鐵101a至101b係以將突出部26C與限制構造94中在周方向中配置於突出部26C前後的各部分之間的各個間隙擴寬之方式作用磁性地排斥力。藉此，限制突出部26C相對於限制構造94之朝周方向的相對性的動作。因此，能抑制限制構造94與突出部26C之間的接觸。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，限制構造94係包含有沿著旋轉軸a1方向與突出部26C相對向配置的上表面941。複數個磁鐵101a、101d(101e及101f)係以將突出部26C與上表面941之間的間隔沿著旋轉軸a1方向擴寬之方式作用磁性地排斥力。藉此，限制突出部26C相對於上表面941沿著旋轉軸a1方向接近的動作。因此，能進一步地抑制限制構造94與突出部26C之間的接觸。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，由於延伸設置部92為沿著阻隔板90的周緣部設置之筒狀壁部，因此延伸設置部92不會橫切過藉由離心力而從基板9的表面排出至外部的處理液的流動。藉此，由於能抑制延伸部92中的處理液的飛散，因此能進一步地抑制處理液因為突出部26或限制構造94而濺回並附著至基板9的非處理面。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，筒狀壁部(延伸設置部92)的內周面921係包含有：彎曲面，係與阻隔板90的下表面連續，並相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。由於藉由離心力從基板9的表面排出至外部的處理液容易沿著內周面921順暢地流動，因此能容易地將處理液從內周面921與自轉基座21之間的間隙G1排出至外部。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，阻隔板90係包含有：環狀的凹部922，係形成於圍繞基板9的上表面及端面之內側面901中之延伸設置部92的前端側部分以及與基板9相對向的對向面之間的部分；該凹部922係朝比該對向面的周緣部更上方凹陷。藉此，由於在基板9的周緣部的外側形成有朝比該對向面還上方膨脹之環狀的空間923，因此能抑制供給至基板9並從基板9排出後從延伸設置部92的內周面921濺回的處理液附著至基板9的非處理面。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，由於自轉基座21與阻隔板90係以相同的速度朝以旋轉軸a1作為中心的相同方向旋轉，因此能抑制於基板9的上表面與阻隔板90的下表面之間產生朝向基板9的中心c1側的氣流。藉此，能進一步地抑制處理液附著至基板9的非處理面。
此外，依據上述構成的第一實施形態的基板處理裝置，於阻隔板90的內側面901中之比環狀的凹部922還靠近阻隔板90的徑方向外側的部分形成有相對於自轉基座21的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲的彎曲面。藉此，噴出至基板9並從基板9排出的處理液係容易沿著該彎曲面流動至延伸設置部92的前端側。因此，由於能抑制阻隔板 90的內側面901中之比環狀的凹部922還靠近徑方向外側的部分中的處理液的濺回，因此能進一步地抑制處理液附著至基板9的非處理面。
<2.第二實施形態> <2-1.基板處理裝置1A的構成>
圖20係用以說明基板處理裝置1A的構成之示意圖。除了具備有處理部5A以取代基板處理裝置1的處理部5並進一步地具備有清洗液供給部84之外，基板處理裝置1A係具備有與基板處理裝置1同樣的構成。亦即，與基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1A係具備有圖2至圖9所示的構成。在圖20中，顯示阻隔板90配置於退避位置的狀態。此外，以虛線顯示配置於處理位置的阻隔板90。此外，與基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1A係可採用圖10至圖13所示的阻隔板與自轉基座的其他構成例，亦可採用圖14至圖19所示的限制部的其他構成例。因此，說明基板處理裝置1A與基板處理裝置1不同的構成。針對同樣的構成，除了不同構成的說明時的參照之外，省略一部分或全部的說明。
<處理部5A>
處理部5A係對於保持於自轉基座21上之基板9的處理面(在圖20的例子中為下表面)進行處理。具體而言，處理部5A係將處理液供給至保持於自轉基座21上之基板9 的處理面，亦即將處理液供給至基板9的下表面。此外，處理部5A係沿著自轉基座21的上表面供給清洗液，並將該上表面洗淨。
如圖20所示，處理部5A係例如具備有：供給管81，係將自轉夾具2的旋轉軸部22的中空部與貫通孔21a予以貫通配置。於供給管81的前端(基板9側之端)連接有噴嘴50A。於供給管81插通有處理液供給管811以及清洗液供給管812。於處理液供給管811連接有用以將處理液供給至處理液供給管811之屬於配管系統的處理液供給部83。於清洗液供給管812連接有用以將清洗液供給至清洗液供給管812之屬於配管系統的清洗液供給部84。
圖21係用以說明噴嘴50A的構成之示意圖。噴嘴50A係具備有：圓形的板狀構件51，係隔著間隙與基板9的下表面的中央部及自轉基座21的上表面雙方的面略平行地相對向。板狀構件51的中心軸為與旋轉軸部22相同的旋轉軸a1。板狀構件51的直徑係設定成例如與旋轉軸部22的直徑相同的程度或者稍大。
板狀構件51的上表面52係與基板9的下表面略平行地相對向，下表面53係與自轉基座21的上表面的中央部分略平行地相對向。於上表面52的中央部分中之比上表面52的周緣部還靠近基板9之側係具有凸的形狀，於下表面 53的中央部分中之比下表面53的中央部分還靠近自轉基座21的上表面側係具有凸的形狀。在圖21的例子中，上表面52的中央部分係形成為圓錐梯狀，下表面53的中央部分係形成為圓板狀。
於板狀構件51的上表面52的中央部分設置有：處理液噴出口54，係具有與基板9的中心相對向之開口。處理液噴出口54係與處理液供給管811連接。處理液噴出口54係將經由處理液供給管811從處理液供給部83所供給的處理液從基板9的中央部的下方朝基板9的下表面的中央部往略鉛直方向噴出。此外，於上表面52的中央部分的側面設置有清洗液噴出口(亦即「洗淨液噴出口」)55，於下表面53的中央部分的側面設置有清洗液噴出口56。清洗液噴出口55、56係分別與清洗液供給管812連接。清洗液噴出口55、56係分別將經由清洗液供給管812從清洗液供給部84所供給的清洗液沿著自轉基座21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴出。詳細而言，清洗液噴出口55係沿著上表面52與自轉基座21的上表面雙方的面將清洗液朝自轉基座21的徑方向外側噴出，清洗液噴出口56係沿著下表面53與自轉基座21的上表面雙方的面將清洗液朝自轉基座21的徑方向外側噴出。
噴嘴50A亦可僅具備有清洗液噴出口55、56中的任一者。此外，亦可於板狀構件51的外周面(側面)形成有用以 將清洗液沿著自轉基座21的上表面噴出至自轉基座21的徑方向外側之側面噴出口以取代清洗液噴出口55、56，或者亦可進一步設置有清洗液噴出口55、56的至少一者。
此外，亦可於基板處理裝置1A進一步設置有可將處理液供給至基板9的上表面(更詳細而言為上表面的整體或周緣部)之噴嘴。此種噴嘴係例如設置於阻隔板90。
具體而言，清洗液供給部84係具備有清洗液供給源841d、配管842d以及開閉閥843d而構成。
與基板處理裝置1的噴嘴50同樣地，噴嘴50A係可噴出從SC-1供給源831a、DHF供給源831b、SC-2供給源831c供給的SC-1、DHF、SC-2。
清洗液供給源831d、841d為用以供給清洗液之供給源。在此，清洗液供給源(亦即「洗淨液供給源」)831d、841d係例如將純水作為清洗液供給。清洗液供給源831d係經由夾插有開閉閥833d之配管832d連接至處理液供給管811。因此，當開閉閥833d開放時，從清洗液供給源831d供給的清洗液係從噴嘴50A的處理液噴出口54噴出。此外，清洗液供給源841d係經由夾插有開閉閥843d之配管842d連接至清洗液供給管812。因此，當開閉閥843d開放時，從清洗液供給源841d供給的清洗液係從噴嘴50A的清 洗液噴出口55、56噴出。此外，以清洗液而言，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種的有機溶劑(離子水、IPA、機能水(CO2水等))等。
當從處理液供給部83將處理液(SC-1、DHF、SC-2或清洗液)供給至處理液供給管811時，從噴嘴50A的處理液噴出口54朝保持於自轉基座21上之基板9的處理面的中央附近噴出該處理液。此外，當從清洗液供給部84將清洗液供給至清洗液供給管812時，清洗液係從噴嘴50A的清洗液噴出口55、56沿著自轉基座21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴出。其中，處理液供給部83所具有的開閉閥833a、833b、833c、833d各者以及清洗液供給部84所具有的開閉閥843d係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下開閉。亦即，控制部130係控制來自噴嘴50A的處理液(亦即處理液及清洗液)的噴出態樣(具體而言為噴出的處理液的種類、噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)。
此外，噴嘴50A係可並行地進行從處理液噴出口54噴出處理液與從清洗液噴出口55、56噴出清洗液，亦能選擇性地進行該處理液的噴出與該清洗液的噴出；噴嘴50A、供給管81以及處理液供給部83為用以藉由控制部130的控制將處理液噴出至基板9的處理面之處理液噴出部83A。噴嘴50A、供給管81以及清洗液供給部84為用 以將清洗液沿著自轉基座21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴出之清洗液噴出部84A。
<2-2.針對基板處理裝置的動作>
圖22係用以顯示基板處理裝置1A的動作的一例之流程圖。以下依據圖22的流程圖說明基板處理裝置1A的動作。該流程圖係顯示在自轉基座21已經保持基板9的狀態下，基板處理裝置1A進行使用了處理液的基板9的下表面之處理以及使用了清洗液的自轉基座21的上表面之洗淨的動作。
在基板處理裝置1A進行藉由處理液供給部83所供給的處理液而進行之基板9的下表面的處理以及藉由清洗液供給部84所供給的清洗液而進行之自轉基座21的上表面的洗淨時，首先，控制部130係驅動旋轉驅動部23使保持基板9的自轉基座21旋轉，藉此開始基板9的旋轉(步驟S10)。
在基板9正在旋轉的狀態下，基板處理裝置1A係控制處理液供給部83以及清洗液供給部84，開始噴出處理液及清洗液(步驟S20)。具體而言，控制部130係例如選擇性地開啟開閉閥833a至833d，藉此使處理液供給部83開始供給處理液(SC-1、DHF、SC-1或者清洗液)。處理液係經由處理液供給管811供給至噴嘴50A的處理液噴出口 54，處理液噴出口54係開始將處理液朝基板9的下表面噴出。噴出至下表面的處理液並不會接觸至自轉基座21，而是僅接觸至基板9的下表面與自轉基座21中的基板9的下表面，並從正在旋轉中的基板9的下表面朝基板9的周緣側擴展。
與處理液的供給開始並行，控制部130係開啟開閉閥843d，使清洗液供給部84開始供給清洗液。清洗液係經由清洗液供給管812供給至噴嘴50A的清洗液噴出口55、56，且清洗液噴出口55、56開始沿著自轉基座21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴出清洗液。
噴出的清洗液並不會接觸至基板9的下表面，而是僅接觸至基板9的下表面與自轉基座21的上表面中之自轉基座21的上表面，並從正在旋轉中的自轉基座21的上表面朝自轉基座21的周緣側擴展。藉此，基板處理裝置1A係並行地進行藉由處理液所為之基板9的下表面的處理以及自轉基座21的上表面的洗淨處理。處理中的基板W的旋轉速度係例如設定成300rpm。處理時間係例如設定成30秒等。
當結束基板9的下表面的處理時，在基板9正在旋轉的狀態下，基板處理裝置1A係控制處理液供給部83及清洗液供給部84，停止噴出處理液及清洗液(步驟S30)。具 體而言，控制部130係例如關閉開閉閥833a至833d，藉此使處理液供給部83停止供給處理液。藉此，處理液噴出口54停止朝基板9的下表面噴出處理液。與停止處理液的噴出並行，控制部130係關閉開閉閥843d，使清洗液供給部84停止供給清洗液。藉此，清洗液噴出口55、56停止噴出清洗液。
噴出處理液所為之基板9的下表面的處理與噴出清洗液所為之自轉基座21的上表面的處理係可如上所述地並行地進行，亦可依序進行。
當結束基板9的下表面的處理以及洗淨液所為之自轉基座21的上表面的洗淨處理時，控制部130係控制旋轉驅動部23，使自轉基座21以高速旋轉，藉此基板處理裝置1A係進行甩離處理(亦即「液體甩離處理」)，該甩離處理係將附著於基板9及噴嘴50A的處理液及清洗液等液體甩離，使基板9及噴嘴50A乾燥(步驟S40)。
當結束液體甩離處理時，基板處理裝置1A的控制部130係控制旋轉驅動部23，停止自轉基座21的旋轉(步驟S50)，並結束一連串的基板處理。
依據上述第二實施形態的基板處理方法以及上述構成的第二實施形態的基板處理裝置，處理液係沿著自轉基座 21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴出。藉此，能一邊抑制洗淨液與碰撞到基板9的下表面並附著至下表面的處理液混合，一邊藉由洗淨液洗淨自轉基座21的上表面，並能在從基板9的下表面落下的處理液附著至自轉基座21的上表面之前藉由洗淨液沖洗。因此，能抑制供給至基板9的下表面的處理液落下並附著至自轉基座21上並一直殘留。
依據上述第二實施形態的基板處理方法以及上述構成的第二實施形態的基板處理裝置，由於並行地進行朝基板9的下表面噴出處理液以及沿著自轉基座21的上表面噴出洗淨液，因此能有效率地抑制噴出至基板9的背面的處理液附著至自轉基座21的上表面。
此外，依據上述第二實施形態的基板處理方法以及上述構成的第二實施形態的基板處理裝置，由於洗淨液係沿著噴嘴50A的板狀構件51的上表面或下表面與自轉基座21的上表面雙方的面朝自轉基座21的徑方向外側噴出，因此在自轉基座21的洗淨中亦能亦進行噴嘴50A的洗淨。
此外，依據上述第二實施形態的基板處理方法以及上述構成的第二實施形態的基板處理裝置，洗淨液係從設置於噴嘴50A的板狀構件51的側面之清洗液噴出口55、56沿著自轉基座21的上表面朝自轉基座21的徑方向外側噴 出。因此，容易地將清洗液噴出口55、56的形狀於板狀構件51的周方向加長，並擴展噴出的洗淨液。
<3.針對第三實施形態> <3-1.基板處理裝置1B的構成>
圖23係用以說明基板處理裝置1B的構成之示意圖。除了進一步具備有洗淨部6及清洗液供給部85之外，基板處理裝置1B係具備有與基板處理裝置1同樣的構成。亦即，與基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1B係具備有圖2至圖9所示的構成。在圖23中，顯示阻隔板90配置於退避位置的狀態。此外，以虛線顯示配置於處理位置的阻隔板90。此外，與基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1B係可採用圖10至圖13所示的阻隔板與自轉基座的其他構成例，亦可採用圖14至圖19所示的限制部的其他構成例。因此，說明基板處理裝置1B與基板處理裝置1的不同構成。針對同樣的構成，除了不同構成的說明時的參照之外，省略一部分或全部的說明。
<洗淨部6>
洗淨部6係對自轉基座21的側面與防濺防護罩31的內構件312雙方進行洗淨處理。具體而言，洗淨部6係從自轉基座21的凸緣部29(圖6)的下方將處理液供給至凸緣部29的下表面。如圖23所示，洗淨部6係例如具備有設置於自轉夾具2的殼體24的側面之複數個(例如四個)清洗 液噴出口86與複數個(例如兩個)清洗液噴出口87。
複數個清洗液噴出口86係與自轉基座21的凸緣部29的下表面(更佳為凸緣部29的基端部分的下表面之曲面211(圖6))相對向，並於該下表面的下方分散地設置於自轉基座21的周方向。各個清洗液噴出口86係構成為可朝凸緣部29的下表面(更佳為曲面211)沿著鉛直方向朝上地噴出清洗液。
複數個清洗液噴出口87係與自轉基座21的圓板狀的基部28(圖6)的下表面的周緣部相對向，且於該周緣部的下方分散地設置於自轉基座21的周方向。各個清洗液噴出口87係構成為可朝基部28的下表面的周緣部沿著鉛直方向朝上地噴出清洗液。
此外，上述殼體24的軸線係與旋轉軸a1一致。殼體24的上端部分係形成為以旋轉軸a1作為軸線之圓筒狀，且其直徑比自轉基座21的圓板狀的基部28的直徑還稍小。因此，從下方觀看時，基部28的下表面的周緣部係從殼體24的上端部分的外周面朝外側伸出並圍繞該外周面。藉此，可從下方朝基部28的下表面的周緣部噴出清洗液。此外，殼體24係具備有與自轉基座21的凸緣部29的下表面傾斜地相對向之斜面。該斜面係具有圓錐梯狀的側面般的形狀，且愈接近上端(自轉基座21側)直徑愈小。各 個清洗液噴出口86、87係例如於該斜面開口地設置。
於各個清洗液噴出口86、87連接有用以將清洗液供給至清洗液噴出口86、87之屬於配管系統的清洗液供給部85。清洗液供給部85係在自轉基座21旋轉時供給清洗液。具體而言，清洗液供給部85係將清洗液供給源851d、配管852d以及開閉閥853d組合而構成。
清洗液供給源851d為用以供給清洗液之供給源。在此，清洗液供給源851d係例如供給純水作為清洗液。清洗液供給源851d係經由夾插有開閉閥853d的配管852d連接至各個清洗液噴出口86、87。配管852d係在殼體24的內部分歧成複數個支管，且各個支管的上端係連接至各個清洗液噴出口86、87。因此，當開閉閥853d開放時，從清洗液供給源851d供給的清洗液係從各個清洗液噴出口86、87噴出。此外，以清洗液而言，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種的有機溶劑(離子水、IPA、機能水(CO2水等))等。
內構件312(外構件313)係在配置於上方位置的狀態下，能接受從噴嘴50供給至基板9後從基板9排出的處理液。此外，在內構件312配置於下方位置的狀態下，內構件312的上端係位於自轉基座21的凸緣部29的側方。
當從清洗液供給部85將清洗液供給至清洗液噴出口86、87時，從清洗液噴出口86、87朝自轉基座21的凸緣部29的下表面與基部28的下表面的周緣部噴出該清洗液。藉由朝基部28的下表面的周緣部噴出的清洗液洗淨基部28的下表面。朝凸緣部29的下表面噴出的清洗液係一邊洗淨基部28的側面一邊沿著該側面前進並碰撞凸緣部29的下表面。該處理液係藉由自轉基座21的旋轉的離心力，沿著凸緣部29的下表面移動至自轉基座21的徑方向外側，並從凸緣部29的前端部排出至自轉基座21的外部。配置於下方位置的內構件312係藉由內構件312的上端側部分的內周面接受排出至自轉基座21的外部的該清洗液。藉此，洗淨內構件312的內周面。其中，清洗液供給部85所具備的開閉閥853d係與控制部130電性連接，並在控制部130的控制下開閉。亦即，控制部130係控制來自清洗液噴出口86、87的清洗液的噴出態樣(具體而言為噴出開始時序、噴出結束時序、噴出流量等)。清洗液噴出口86、87以及清洗液供給部85為用以接受控制部130的控制噴出清洗液之清洗液噴出部(亦即「洗淨液噴出部」)85A。
<3-2.基板處理裝置的動作與構成>
圖24係顯示基板處理裝置1B藉由噴嘴50與洗淨部6進行基板9的下表面的處理以及自轉基座21的側面與內構件312的洗淨處理之動作的流程圖。圖25係用以說明圖 24的流程圖所示的動作之示意圖。圖25係顯示依循圖24的處理順序之基板處理裝置1B的縱剖視圖。圖26係用以更詳細地說明圖24的流程圖中的步驟S150的動作之示意圖。步驟S150為基板處理裝置1B藉由洗淨部6進行洗淨處理之步驟。於圖26顯示基板處理裝置1B中包含有阻隔板90與自轉基座21的周緣部以及內構件312與外構件313的上側的一部分之部分的縱剖面。防濺防護罩31的外構件313係配置於上方位置，內構件312係配置於下方位置。
以下一邊參照圖24至圖26，一邊說明基板處理裝置1B進行基板9的下表面的處理以及自轉基座21的側面及內構件312的洗淨處理之動作的一例。此外，適當地說明阻隔板90、自轉基座21、內構件312以及外構件313的位置關係等。因應需要亦適當地參照其他的圖式。在此，雖然說明噴嘴50將處理液噴出至基板9的下表面之情形，但亦可為例如從設置於阻隔板90的中央部之噴嘴將處理液供給至基板9的上表面並處理基板9的上表面。
在開始圖24所示的動作之前，基板9係被搬運至自轉基座21上，並被夾具銷25保持。此外，阻隔板90係配置於處理位置，內構件312及外構件313係配置於各自的下方位置。自轉基座21係停止旋轉，噴嘴50及清洗液噴出口86、87係未進行處理液及清洗液的噴出。
基板處理裝置1B係從內構件312及外構件313配置於各自的下方位置的狀態下，將內構件312及外構件313移動至各自的上方位置(步驟S110)。具體而言，控制部130係控制防護罩驅動機構32，並使內構件312及外構件313移動至各自的上方位置，並配置於上方位置。之後，較佳為表面保護部4的蓋氣體噴嘴41(圖23)係開始朝保持於自轉基座21上之基板9的上表面的中央附近噴出氣體(蓋氣體)。
當結束步驟S110的處理時，基板處理裝置1B係開始自轉基座21的旋轉(步驟S120)。具體而言，控制部130係控制旋轉驅動部23，使旋轉軸部22開始旋轉。藉此，自轉基座21係與旋轉軸部22一起開始旋轉。自轉基座21的旋轉數，亦即基板9的旋轉數係設定成例如1000rpm至1500rpm。
接著，基板處理裝置1B係進行處理液所為之基板9的下表面的處理(步驟S130)。具體而言，控制部130係例如選擇性地開啟開閉閥833a至833d，藉此使處理液供給部83開始供給處理液(SC-1、DHF、SC-2或者清洗液)。處理液係經由配管832a等供給至噴嘴50，噴嘴50開始朝基板9的處理面(在圖式的例子中為下表面)噴出處理液。處理液係例如以600ml/分的流量供給7秒至10秒。之後，控制部130係關閉開閉閥833a至833d，藉此使處理液供給部 83停止供給處理液。藉此，噴嘴50停止朝基板9的下表面噴出處理液。
當使處理液供給部83停止供給處理液時，基板處理裝置1B係使內構件312移動至下方位置，並配置於下方位置(步驟S140)。具體而言，控制部130係使防護罩驅動機構32將內構件312從上方位置移動至下方位置，並使內構件312在下方位置停止。
當內構件312配置於下方位置時，內構件312的上端係位於凸緣部29的下表面的側方。更具體而言，內構件312的上端的下表面係相對於凸緣部29的前端側部分的下表面配置於例如下方25mm至上方25mm的範圍。較佳為如圖26所示，內構件312的上端的下表面與凸緣部29的前端側部分的下表面配置成相同的高度。當內構件312配置於下方位置，藉此使內構件312的上端位於凸緣部29的下表面的側方時，內構件312係能藉由內構件312的上端部分的內周面接受沿著凸緣部29的下表面排出至自轉基座21的外部的清洗液。
內構件312及外構件313的上端部與阻隔板90的外周面之間的水平方向的間隔D5係設定成例如1mm至5mm。間隔D5為一定，不受內構件312及外構件313的升降而影響。此外，內構件312及外構件313的上端部與瀝水部27 的前端之間的水平方向的間隔D6係設定成例如5mm至10mm。內構件312及外構件313的上端部與凸緣部29的前端面之間的水平方向的間隔D7係設定成例如15mm至25mm。此外，內構件312及外構件313的上端部與基部28的側面之間的水平方向的間隔D8係設定成例如40mm。內構件312及外構件313的上端部的厚度例如為5mm左右。瀝水部27的下表面與阻隔板90的延伸設置部92的下端面係設定成略相同的高度，這些面與內構件312的上端部的下表面之間的鉛直方向的間隔D9係設定成例如10mm。
基板處理裝置1B係在使內構件312配置於下方位置的狀態下，一邊進行處理液所為之基板9的下表面的處理，一邊進行自轉基座21的側面與內構件312的內周面的洗淨處理(步驟S150)。亦即，控制部130係在使防護罩驅動機構32將內構件312配置於下方位置的狀態下，使清洗液噴出口86、87將清洗液噴出至將基板9一邊保持一邊旋轉之自轉基座21的凸緣部29的下表面。具體而言，控制部130係開啟開閉閥853d，並從清洗液供給源851d朝各個清洗液噴出口86、87以例如600ml/分的流量供給清洗液7秒至10秒。清洗液係經由配管852d供給至各個清洗液噴出口86、87，各個清洗液噴出口86、87係將清洗液朝鉛直方向上方噴出。
此外，在開始朝各個清洗液噴出口86、87供給清洗液 之前，較佳為控制部130係控制旋轉驅動部23，使自轉基座21的旋轉數上升。具體而言，該旋轉數係設定成例如2000rpm至2500rpm左右。藉此，噴出至凸緣部29的下表面的清洗液係藉由內構件312而變成容易到達。
此外，控制部130係在步驟S150中從各個清洗液噴出口86、87於鉛直方向朝上地噴出清洗液，並與步驟S130的處理同樣地，控制處理液供給部83，使噴嘴50將處理液噴出至基板9的下表面。在步驟S150中所噴出的處理液係可為與步驟S130中噴出的處理液相同，亦可不同。
如圖26所示，朝凸緣部29的曲面211噴出的清洗液亦沿著基部28的側面流動，並洗淨該側面。到達曲面211的清洗液的行進方向係藉由曲面211變更成朝向自轉基座21的徑方向外側。清洗液係藉由自轉基座21的旋轉的離心力從凸緣部29的前端朝內構件312的上端側飛離。在內構件312配置於下方位置且內構件312的上端配置於凸緣部29的前端側部分的下表面的側方之情形中，如圖26所示，從凸緣部29的前端飛離的清洗液係飛散至包含內構件312的上端側部分的下表面之內構件312的內周面，並洗淨該內周面。
此外，藉由噴嘴50供給至基板9的下表面之處理液係從阻隔板90的延伸設置部92的前端部(下端部)與自轉基 座21的瀝水部27的前端部之間的間隙G1(圖7)排出至自轉基座21的外部。瀝水部27係位於比凸緣部29還上方，並朝比凸緣部29還靠近自轉基座21的徑方向外側突出。因此，從瀝水部27的上表面排出的處理液與從凸緣部29的下表面排出的清洗液係在彼此分離的狀態下從自轉基座21排出。排出的處理液與清洗液係在藉由內構件312的上端側部分而彼此分離的狀態下，一邊朝上下方向擴展一邊飛散至自轉基座21的徑方向外側。處理液係被配置在外構件313的上端側部分的上表面上方位置的外構件313接住。清洗液係被包含內構件312的上端側部分的內周面之外構件313的內周面接住，並洗淨內周面。
在結束步驟S150的處理後，控制部130係使處理液供給部83及清洗液供給部85停止供給處理液及清洗液並朝內構件312及外構件313的下方移動，或者停止自轉基座21的旋轉等。
如上所述，瀝水部27的外周緣部的上表面為朝斜上方外側伸出並彎曲的曲面，厚度係愈接近瀝水部27的外周緣部(前端部分)及外周緣愈緩緩地變薄。因此，抑制從間隙G1排出的處理液沿著瀝水部27的下表面繞至凸緣部29側。因此，抑制處理液混入至從凸緣部29排出的清洗液並朝內構件312的內周面飛散。
例如，雖然後述的瀝水部27B(圖13)的前端面為鉛直面，但瀝水部27B亦位於比凸緣部29還上方，且比凸緣部29還朝自轉基座21的徑方向外側突出。因此，從瀝水部27B的上表面排出的處理液與從凸緣部29的下表面排出的清洗液係在彼此分離的狀態下從自轉基座21排出。如此，即使採用瀝水部27B，亦不會損及本發明的可利用性。
例如在未設置有瀝水部27(27B)的情形中，噴出至基板9並經由基板9從自轉基座21排出的處理液的一部分係繞入至凸緣部29的下表面側。在此情形中，繞入的處理液係與從下方朝凸緣部的下表面噴出並沿著該下表面排出的清洗液混合，並從自轉基座21排出。然而，以供給至基板9的處理液而言，只要採用與清洗液供給部85所供給的清洗液相同的清洗液，即不會因為該混合產生問題，能藉由清洗液並行地進行基板9的洗淨與內構件312的內周面的洗淨。因此，即使未設置有瀝水部27(27B)，亦不會損及本發明的可利用性。
此外，例如在步驟S150中，不從噴嘴50噴出處理液而是從清洗液噴出口86、87噴出清洗液，即能藉由基板9的高速旋轉甩離在步驟S130中附著並殘留於基板9的處理液，並使基板9乾燥。此時，在步驟S150中，多量的處理液不會經由基板9從自轉基座21排出。因此，即使在未設置外構件313的情形中，亦能在步驟S150中藉由清洗液噴 出口86、87進行自轉基座21的側面的洗淨與內構件312的內周面的洗淨。因此，即使未設置有外構件313，亦不會損及本發明的可利用性。
此外，亦可不於凸緣部29的基端部分的下表面形成有曲面211，且亦可為例如凸緣部29的下表面與基部28的側面略正交。在此情形中，噴出至凸緣部29的下表面的清洗液係藉由自轉基座21的旋轉的離心力，從凸緣部29的前端朝內構件312的內周面排出。
此外，即使在各個清洗液噴出口87不朝自轉基座21的下表面周緣部噴出清洗液之情形中，只要各個清洗液噴出口86朝凸緣部29的下表面噴出清洗液，即能進行自轉基座21的側面的洗淨與內構件312的內周面的洗淨。因此，即使未設置有各個清洗液噴出口87，亦不會損及本發明的可利用性。
此外，自轉基座21、清洗液噴出口86、87以及內構件312中僅自轉基座21以旋轉軸a1作為中心旋轉。因此，只要沿著自轉基座21的周方向分散配置有多個清洗液噴出口86，即能更均勻地洗淨內構件312的內周面，故而較佳；然而，即使僅設置有一個清洗液噴出口86，亦能並行地洗淨自轉基座21的側面與內構件312的內周面，因此不會損及本發明的可利用性。
依據上述第三實施形態的基板處理方法以及上述構成的第三實施形態的基板處理裝置，在內構件312配置於可接受從基板9排出的處理液之上方位置的狀態下，處理液噴出部83A係朝基板9的處理面噴出處理液。之後，在內構件312配置於內構件312的上端會位於自轉基座21的凸緣部29的側方之下方位置的狀態下，清洗液噴出部85A係朝將基板9一邊保持一邊旋轉之自轉基座21的凸緣部29噴出清洗液。噴出的清洗液係從凸緣部29的下表面朝自轉基座21的徑方向外側排出。由於配置於下方位置的內構件312的上端係位於凸緣部29的側方，因此排出的處理液係碰撞至內構件312的上端部分的內周面。藉此，能在將基板9保持於自轉基座21的狀態下，藉由共通的清洗液噴出部85A洗淨附著有處理液的內構件312與自轉基座21雙方。
此外，依據上述第三實施形態的基板處理方法及上述第三實施形態的基板處理裝置，瀝水部27係位於比凸緣部29還上方，且朝比凸緣部29還靠近自轉基座21的徑方向外側突出。從下方噴出至凸緣部29的清洗液係沿著凸緣部29的下表面移動至凸緣部29的前端，並從前端朝自轉基座21的徑方向外側排出。噴出至基板9的處理面並從基板9排出的處理液係經由瀝水部27的上表面從比清洗液還靠近徑方向外側且上方朝自轉基座21的徑方向外側排出。因 此，由於在處理液與清洗液彼此分離的狀態下從自轉基座21排出，因此能抑制排出的處理液與清洗液混合。
此外，依據上述第三實施形態的基板處理方法及上述構成的第三實施形態的基板處理裝置，清洗液噴出部85A係從下方朝凸緣部29的曲面211噴出清洗液。曲面211係分別平緩地與自轉基座21的基部28的外周面及凸緣部29的下表面連接。因此，能減少噴出至曲面211後濺回至下方的清洗液，並能將更多的清洗液沿著凸緣部29的下表面排出。藉此，能更有效率地洗淨內構件312的內周面。
此外，依據上述第三實施形態的基板處理方法以及上述構成的第三實施形態的基板處理裝置，內構件312係配置於下方位置，且外構件313配置於可接受從處理液噴出部83A供給至基板9後從基板9排出的處理液之位置。在此狀態下，朝基板9的處理面噴出處理液，並朝凸緣部29的下表面噴出清洗液。因此，能並行地進行基板9的處理以及自轉基座21與內構件312的洗淨處理。
此外，依據上述第三實施形態的基板處理方法及上述構成的第三實施形態的基板處理裝置，由於能在藉由阻隔板90提高基板9的密閉性的狀態下進行自轉基座21及內構件312的洗淨，因此能進一步地保護基板9的上表面。
雖然已詳細地顯示並記載本發明，但上述記載在全部的實施形態中僅為例示性，並非限定性。因此，本發明可在本發明的精神範圍內適當地變化實施形態以及適當地省略實施形態的構件。

Claims (31)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；以及對向構件，係設置成可以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及延伸設置部，係從前述本體部的周緣部中的至少一部分朝前述保持構件的側方延伸；於前述延伸設置部的前端側部分與前述保持構件的側面部分中的一者的部分設置有突出部，於另一者的部分設置有限制構造，該限制構造係在以前述旋轉軸作為中心之周方向中從前述突出部的前後與前述突出部相對向配置，並限制前述突出部中朝前述周方向之相對性的動作；前述保持構件與前述對向構件係透過前述突出部與前述限制構造相互地限制朝以前述旋轉軸作為中心的周方向之相對性的動作；該基板處理裝置係進一步具備有：旋轉機構，係使前述保持構件與前述對向構件中的至少一者以前述旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係將處理液噴出至被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的處理面；前述突出部與前述限制構造係配置於比前述保持構件的上表面還下方。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述突出部與前述限制構造中的至少一者係具備有與另一者相對向之部分，且該部分係被彈性構件覆蓋。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：移動部，係使前述對向構件在第一位置與比前述第一位置還上方的第二位置之間沿著前述旋轉軸方向相對於前述保持構件相對性地移動；前述限制構造係避開前述突出部藉由前述移動部相對於前述限制構造相對性地移動之移動路徑而配置；當前述對向構件配置於前述第一位置時，前述限制構造係在前述周方向中從前述突出部的前後與前述突出部相對向配置；當前述對向構件配置於前述第二位置時，前述限制構造係沿著前述旋轉軸方向從前述突出部相對性地分離配置。
  4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述限制構造為以可收容前述突出部的至少一部分之方式形成於前述另一者的部分之凹部。
  5. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述另一者的部分係具備有：複數個凹部，係沿著以前述旋轉軸作為中心之周方向環狀地延伸，並遍及前述周方向中的前述另一者的部分的全周連續地設置；前述複數個凹部係各自為具有開口的凹部，該開口係沿著前述旋轉軸方向朝向從前述一者的部分突出之前述突出部開放，該凹部係形成為可收容前述突出部的至少一部分之形狀，該凹部中之至少該開口一側的部分之沿著前述周方向之寬度係愈接近該開口愈廣；前述突出部中之至少前端部分係沿著前述旋轉軸方向與前述凹部相對向，該前端部分中之沿著前述周方向的寬度係愈接近前端愈窄。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：複數個磁鐵，係以將前述突出部與在前述限制構造中的前述周方向中配置於前述突出部的前後的各部分之間的各個間隔擴寬之方式，使磁性的排斥力作用，並藉由該磁性的排斥力限制前述突出部相對於前述限制構造之朝前述周方向之相對性地動作。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述限制構造係包含有：對向部，係沿著前述旋轉軸方向與前述突出部相對向配置；該基板處理裝置係具備有：複數個磁鐵，係以沿著前述旋轉軸方向擴寬前述突出部與前述對向部之間的間隔之方式，使磁性的排斥力作用，並藉由該磁性的排斥力限制前述突出部相對於前述對向部沿著前述旋轉軸方向接近之動作。
  8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述延伸設置部為從前述本體部的周緣部圍繞前述基板之端面並朝前述保持構件之側延伸的筒狀壁部。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述延伸設置部的內周面係包含有：彎曲面，係與前述對向構件的下表面連續，並相對於前述保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。
  10. 一種基板處理裝置，係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；對向構件，係設置成可以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及筒狀的延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面，並朝前述保持構件之側延伸；旋轉機構，係使前述保持構件與前述對向構件以前述旋轉軸作為中心朝彼此相同的方向旋轉；以及噴嘴，係將處理液噴出至被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的上表面及下表面的任一者的處理面；前述對向構件係包含有：環狀的凹部，係形成於圍繞前述基板的上表面及端面之內側面中的一部分，該一部分係設置於前述延伸設置部的前端側部分與前述內側面中之與前述基板相對向的對向面之間的部分，前述環狀的凹部係於比前述對向面的周緣部還上方呈凹陷。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉機構係使前述保持構件與前述對向構件以相同的速度朝以前述旋轉軸作為中心之相同的方向旋轉。
  12. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中前述對向構件係於前述內側面中比前述環狀的凹部還靠近徑方向外側的部分具備有彎曲面，該彎曲面係相對於前述保持構件的上表面朝斜上方外側膨脹並彎曲。
  13. 一種基板處理方法，係具備有：旋轉步驟，係使保持構件與基板一起以旋轉軸作為中心旋轉，該保持構件係從下方略水平地保持前述基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且可設置成以預定的前述旋轉軸作為中心旋轉；處理液噴出步驟，係從被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的下表面的中央部的下方朝該中央部噴出處理液；以及洗淨液噴出步驟，係從被前述保持構件保持且正在旋轉中之前述基板的中央部與前述保持構件的中央部之間沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中並行地進行前述處理液噴出步驟與前述洗淨液噴出步驟。
  15. 如請求項13或14所記載之基板處理方法，其中處理液噴出步驟係從具備有板狀構件的噴嘴中之設置於前述板狀構件的上表面的處理液噴出口朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液之步驟，該板狀構件係隔著間隙與前述基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向；前述洗淨液噴出步驟係從設置於前述噴嘴的前述板狀構件的上表面或下表面的洗淨液噴出口，沿著前述板狀構件的上表面或下表面與前述保持構件的上表面雙方的面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  16. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中處理液噴出步驟係從具備有板狀構件的噴嘴中之設置於前述板狀構件的上表面的處理液噴出口朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液之步驟，該板狀構件係隔著間隙與前述基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向；前述洗淨液噴出步驟係從設置於前述噴嘴的前述板狀構件的側面的洗淨液噴出口沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  17. 一種基板處理裝置，係具備有：保持構件，係從下方略水平地保持基板，並具備有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，並設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉；旋轉機構，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；以及噴嘴，係分別設置有：處理液噴出口，係從前述基板的下表面的中央部的下方朝該中央部噴出處理液；以及洗淨液噴出口，係從前述基板的中央部與前述保持構件的中央部之間沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  18. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴係具備有隔著間隙與基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向之板狀構件；前述處理液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面，並朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液；前述洗淨液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面或下表面，並沿著前述板狀構件的上表面或下表面與前述保持構件的上表面雙方的面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  19. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述噴嘴係具備有隔著間隙與基板的下表面的中央部及前述保持構件的上表面雙方相對向之板狀構件；前述處理液噴出口係設置於前述板狀構件的上表面，並朝前述基板的下表面的中央部噴出處理液；前述洗淨液噴出口係設置於前述板狀構件的側面，並沿著前述保持構件的上表面朝前述保持構件的徑方向外側噴出洗淨液。
  20. 一種基板處理裝置，係具備有：保持構件，係具備有：圓板狀的基部，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉，並以前述旋轉軸作為中心軸；以及凸緣部，係從前述基部的周壁部朝徑方向外側突出；旋轉驅動部，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；防護罩，係具有上端側部分朝向前述旋轉軸往斜上方延伸之筒形狀，並圍繞前述保持構件的周圍，且設置成可升降；處理液噴出部，係可將處理液噴出至前述基板的處理面；洗淨液噴出部，係可從前述保持構件的前述凸緣部的下方朝前述凸緣部噴出洗淨液；升降驅動部，係使前述防護罩在可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液之上方位置與前述防護罩的上端位於前述凸緣部的側方之下方位置之間升降；以及控制部，係控制前述升降驅動部、前述處理液噴出部以及前述洗淨液噴出部；前述控制部係在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述上方位置的狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並在處理前述基板後，在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置的狀態下，使前述洗淨液噴出部朝將前述基板一邊保持一邊旋轉之前述保持構件的前述凸緣部噴出前述洗淨液。
  21. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中前述保持構件係進一步於前述凸緣部的上側具備有上側凸緣部，該上側凸緣部係從前述基部的周壁部的上端部朝向前述保持構件的徑方向外側，且比前述凸緣部還突出。
  22. 如請求項20或21所記載之基板處理裝置，其中前述保持構件係於前述凸緣部的基端部分具備有曲面部，該曲面部係具有圓弧狀的剖面形狀，且分別與前述保持構件的前述基部的外周面以及前述凸緣部的下表面平緩地連接；前述洗淨液噴出部係從下方朝前述凸緣部的前述曲面部噴出前述洗淨液。
  23. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有可升降的筒狀的外側防護罩，係設置於前述防護罩的外側，並圍繞前述保持構件的周圍；前述升降驅動部係能使前述外側防護罩升降；前述控制部係在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置且將前述外側防護罩配置於可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液的位置之狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並從前述洗淨液噴出部朝前述凸緣部的下表面噴出前述洗淨液。
  24. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：對向構件，係以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及筒狀的延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面並朝前述保持構件之側延伸。
  25. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置，前述基板處理裝置係具備有：保持構件，係具備有：圓板狀的基部，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉，並將前述旋轉軸作為中心軸；以及凸緣部，係從前述基部的周壁部朝徑方向外側突出；旋轉驅動部，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；防護罩，係具有上端側部分朝著前述旋轉軸往斜上方延伸之筒形狀，並圍繞前述保持構件的周圍，且設置成可升降；處理液噴出部，係可將處理液噴出至前述基板的處理面；洗淨液噴出部，係可從前述保持構件的前述凸緣部的下方將洗淨液噴出至前述凸緣部；以及升降驅動部，係能使前述防護罩在可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液之上方位置與前述防護罩的上端位於前述凸緣部的側方之下方位置之間升降；前述基板處理方法係具備有：處理步驟，係在前述升降驅動部將前述防護罩配置於上方位置的狀態下，前述處理液噴出部係朝前述基板噴出前述處理液並處理前述基板；以及洗淨步驟，係在前述處理步驟後，在前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置的狀態下，前述洗淨液噴出部朝將前述基板一邊保持一邊旋轉之前述保持構件的前述凸緣部噴出前述洗淨液。
  26. 如請求項25所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置的前述保持構件係於前述凸緣部的上側進一步具備有上側凸緣部，該上側凸緣部係從前述基部的周壁部的上端部朝向前述保持構件的徑方向外側，且比前述凸緣部還突出。
  27. 如請求項25或26所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置的前述保持構件係於前述凸緣部的基端部分具備有曲面部，該曲面部係具有圓弧狀的剖面形狀，且分別與前述保持構件的前述基部的外周面以及前述凸緣部的下表面平緩地連接；前述洗淨步驟係前述洗淨液噴出部從下方朝前述凸緣部的前述曲面部噴出前述洗淨液之步驟。
  28. 如請求項25所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步具備有：筒狀的外側防護罩，係設置於前述防護罩的外側，並圍繞前述保持構件的周圍，且可升降；前述升降驅動部係能使前述外側防護罩升降；前述基板處理方法的前述洗淨步驟係包含下述步驟：在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置且將前述外側防護罩配置於可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液的位置之狀態下，使前述處理液噴出部朝前述基板的前述處理面噴出前述處理液，並從前述洗淨液噴出部朝前述凸緣部的下表面噴出前述洗淨液。
  29. 如請求項25所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步具備有：對向構件，係以前述旋轉軸作為中心旋轉，並具備有：本體部，係隔著間隙與保持於前述保持構件之前述基板的上表面相對向；以及筒狀的延伸設置部，係從前述本體部的周緣部圍繞前述基板的端面並朝前述保持構件之側延伸。
  30. 一種基板處理裝置，係具備有：保持構件，係具備有：圓板狀的基部，係從下方略水平地保持基板，並具有隔著間隙與前述基板的下表面相對向之上表面，且設置成可以預定的旋轉軸作為中心旋轉，並以前述旋轉軸作為中心軸；以及凸緣部，係從前述基部的周壁部朝徑方向外側突出；旋轉驅動部，係使前述保持構件以前述旋轉軸作為中心旋轉；防護罩，係具有上端側部分朝向前述旋轉軸往斜上方延伸之筒形狀，並圍繞前述保持構件的周圍，且設置成可升降；處理液噴出部，係可將處理液噴出至前述基板的處理面；洗淨液噴出部，係可從前述保持構件的前述凸緣部的下方朝前述凸緣部噴出洗淨液；升降驅動部，係使前述防護罩在可接受從前述處理液噴出部供給至前述基板後從前述基板排出的前述處理液之上方位置與前述防護罩的上端位於前述凸緣部的側方之下方位置之間升降；以及控制部，係控制前述升降驅動部、前述處理液噴出部以及前述洗淨液噴出部；前述控制部係在使前述升降驅動部將前述防護罩配置於前述下方位置的狀態下，使前述洗淨液噴出部朝將前述基板一邊保持一邊旋轉之前述保持構件的前述凸緣部噴出前述洗淨液。
  31. 一種基板處理方法，係具備有以下步驟：藉由具備凸緣部之基板保持部將基板予以保持的步驟；使前述基板旋轉的步驟；將處理液供給至前述基板的步驟；藉由防護罩接受前述處理液的步驟；以及自前述凸緣部的下方將洗淨液供給至前述凸緣部，藉此將已附著於前述防護罩之前述處理液洗淨的步驟。
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