TW201340190A - 基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板清潔裝置係於框體內之上部配置ULPA過濾器。框體之外部之空氣經由導管供給至ULPA過濾器。通過ULPA過濾器之潔淨之空氣經由流路形成構件、連接構件、台座、馬達支持構件及旋轉馬達之旋轉軸而導引至旋轉板之開口。利用旋轉夾頭保持基板，藉此，基板之上表面與旋轉板相對向。於該狀態下，旋轉板因旋轉馬達進行動作而旋轉，藉由清潔刷對旋轉之基板之下表面進行清潔。

Description

基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置
本發明係關於一種基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置。
自先前以來，為了對半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、及光碟用玻璃基板等基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
日本專利特開2006-019584號公報所揭示之基板處理裝置具備複數個處理室。風扇過濾器單元配置於各處理室之上部，處理室內排氣導管連接於各處理室之下部。無塵室內之外氣經由風扇過濾器單元之過濾器而供給至各處理室內，且自處理室內排氣導管排出。於該情形時，於各處理室內形成潔淨之降流(下降流)。
然而，即便於處理室內形成降流，亦存在如下情形，即，無法充分地防止薄霧(微小液滴)及顆粒附著於基板。
例如，日本專利特開2009-164370號公報所揭示之清潔/乾燥處理單元具備旋轉夾頭，該旋轉夾頭包含旋轉板。旋轉板具有稍大於基板之外形之圓板形狀。於藉由旋轉夾頭而水平地保持基板之狀態下，旋轉板位於基板之上部。於該情形時，即便於清潔/乾燥處理單元內形成降流，潔淨之空氣亦不會被供給至旋轉板與基板之間之空間。因此，當對基板進行清潔處理時及進行甩乾處理時，清潔液之薄霧 及顆粒有可能會進入至旋轉板與基板之間之空間而附著於基板之上表面。
本發明之目的在於提供如下基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置，該基板清潔裝置可一面使基板之上表面保持潔淨，一面對基板之下表面進行清潔。
(1)本發明之一形態之基板清潔裝置係對基板之下表面進行清潔者，且包括：旋轉構件，其設置為可圍繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉且於中央部具有開口；旋轉驅動裝置，其設置於旋轉構件之上側，且使旋轉構件旋轉；保持構件，其設置於旋轉構件之下側，且於基板之上表面與旋轉構件相對向之狀態下保持基板；空氣供給機構，其將空氣經由旋轉構件之開口供給至由保持構件而保持之基板與旋轉構件之間；及清潔機構，其對由保持構件而保持之基板之下表面進行清潔，空氣供給機構包含：過濾器；空氣供給部，其將空氣供給至過濾器；及空氣路徑，其係構成將通過過濾器之空氣導引至旋轉構件之開口。
於上述基板清潔裝置中，藉由空氣供給部將空氣供給至過濾器。通過過濾器之潔淨之空氣藉由空氣路徑而導引至形成於旋轉構件之中央部之開口。
利用保持構件保持基板，藉此，基板之上表面與旋轉構件相對向。藉此，導引至旋轉構件之開口之潔淨之空氣朝由保持構件而保持之基板之中心供給。於該狀態下，旋轉構件藉由旋轉驅動裝置而圍繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉，藉由清潔機構對旋轉之基板之下表面進行清潔。
於上述情形時，於基板之上表面上，形成自基板之中心朝向基板之外周端部之潔淨之空氣流。藉此，防止包含處理液之液滴或顆粒等之環境氣體流入至由保持構件而保持之基板與旋轉構件之間。其結果，可一面使基板之上表面保持潔淨，一面對基板之下表面進行清潔。
(2)基板清潔裝置亦可進而包括框體，該框體收容空氣供給機構之至少一部分、旋轉構件、旋轉驅動裝置、保持構件及清潔機構，過濾器係以使空氣供給部所供給之空氣自上方朝下方通過之方式，配置於框體內之上部，空氣路徑係構成為將通過過濾器之一部分之空氣導引至旋轉構件之開口，通過過濾器之剩餘之空氣供給至框體內。
於上述情形時，通過配置於框體內之上部之過濾器的一部分之空氣係供給至由保持構件而保持之基板與旋轉構件之間。又，通過過濾器之剩餘之空氣自框體內之上部供給至框體內。
藉此，於基板之上表面上，形成自基板之中心朝向基板之外周端部之潔淨之空氣流，並且於框體內形成自上部朝向下部之潔淨之空氣流。因此，可一面使基板之上表面保持潔淨，一面於框體內，抑制處理液之液滴或顆粒等飛散。
(3)空氣供給部亦可包含導管，該導管設置於過濾器之上側，且將自框體之外部供給之空氣導引至過濾器。
於上述情形時，可容易地使自框體之外部供給之空氣經由導管而自過濾器之上方朝下方通過。藉此，可使用通過 過濾器之剩餘之空氣，容易地於框體內形成自上部朝向下部之潔淨之空氣流。
(4)空氣路徑亦可構成為具有自過濾器朝旋轉構件之開口逐漸減少之剖面積。
於上述情形時，空氣路徑之剖面積自過濾器朝旋轉構件之開口逐漸減少，因此，可使通過旋轉構件之開口之空氣之流速大於通過過濾器之空氣之流速。藉此，充分量之空氣供給至基板與旋轉構件之間，因此，於基板之上表面上，確實地形成自基板之中心朝向基板之外周端部之潔淨之空氣流。
(5)旋轉驅動裝置亦可具有中空之旋轉軸，該中空之旋轉軸構成空氣路徑之一部分且沿著鉛垂方向延伸，旋轉構件係以使旋轉軸之內部空間經由開口而與旋轉構件下方之空間連通之方式，設置於旋轉軸之下端部。
於上述情形時，於藉由保持構件保持基板之狀態下，通過過濾器之潔淨之空氣經由旋轉軸之內部空間供給至基板與旋轉構件之間。如此，旋轉驅動裝置之旋轉軸構成空氣路徑之一部分，藉此，可不使用複雜之構成而將潔淨之空氣導引至旋轉構件之開口。
(6)清潔機構亦可包括：清潔具，其用以對由保持構件而保持之基板之下表面進行清潔；及清潔液供給部，其將清潔液供給至由保持構件而保持之基板之下表面。
於上述情形時，清潔液供給至由保持構件而保持之基板之下表面，並且藉由清潔具確實地對該基板之下表面進行 清潔。
當對基板之下表面進行清潔時，供給至基板之清潔液之液滴會於基板周邊之空間中飛散。即便於此種情形時，於基板之上表面上，形成自基板之中心朝向基板之外周端部之潔淨之空氣流，因此，確實地防止清潔液之液滴附著於基板之上表面。
(7)本發明之其他形態之基板處理裝置係以鄰接於曝光裝置之方式配置且對基板進行處理者，且包括：處理部，其用以對基板進行處理；及交接部，其用以於處理部與曝光裝置之間交接基板，處理部及交接部中之至少一者包含對利用曝光裝置進行曝光處理前之基板之下表面進行清潔的上述基板清潔裝置。
於上述基板處理裝置中，藉由處理部對基板進行特定之處理，藉由交接部於處理部與曝光裝置之間交接基板。處理部及交接部中之至少一者包含上述基板清潔裝置。
於上述基板清潔裝置中，可一面使基板之上表面保持潔淨，一面對基板之下表面進行清潔。藉此，可防止產生因基板之上表面及下表面受到污染而引起之基板之處理不良。
(8)處理部亦可包含感光性膜形成單元，該感光性膜形成單元係以於基板之上表面形成包含感光性材料之感光性膜之方式而構成，基板清潔裝置係構成為對利用感光成膜形成單元形成感光性膜後且利用曝光裝置進行曝光處理前或進行曝光處理後之基板的下表面進行清潔。
於上述情形時，藉由基板清潔裝置對利用感光成膜形成單元形成感光性膜後且利用曝光裝置進行曝光處理前或進行曝光處理後之基板的下表面進行清潔。於利用基板清潔裝置對基板進行清潔時，基板之上表面保持潔淨。藉此，防止形成於基板之上表面之感光成膜受到污染。
以下，使用圖式，對本發明之實施形態之基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置進行說明。於以下之說明中，所謂基板，係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、及光罩用基板等。於本實施形態中，作為基板清潔裝置之一例，對背面清潔處理單元進行說明，該背面清潔處理單元於曝光處理前，對基板之背面進行清潔處理。
(1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。本實施形態之基板處理裝置500例如設置於無塵室內。再者，於圖1以及後述之圖2~圖4中，標記有表示彼此正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭，以使位置關係明確。X方向及Y方向於水平面內彼此正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包含：索引區塊9、抗反射膜用處理區塊10、抗蝕膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15。又，曝光裝置16係以鄰接於介面區塊15 之方式配置。於曝光裝置16中，對基板W進行曝光處理。
索引區塊9包含：主控制器(控制部)30、複數個載體載置台40及索引機器人IR。主控制器30對索引區塊9、抗反射膜用處理區塊10、抗蝕膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15之動作進行控制。於索引機器人IR中設置有用以對基板W進行交接之機械手IRH。
抗反射膜用處理區塊10包含：抗反射膜用熱處理部100、101、抗反射膜用塗佈處理部50及第1中心機器人CR1。抗反射膜用塗佈處理部50係隔著第1中心機器人CR1而與抗反射膜用熱處理部100、101相對向地設置。於第1中心機器人CR1中，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH1、CRH2。
於索引區塊9與抗反射膜用處理區塊10之間，設置有環境氣體阻隔用之間隔壁17。基板載置部PASS1、PASS2上下接近地設置於該間隔壁17，該基板載置部PASS1、PASS2用以於索引區塊9與抗反射膜用處理區塊10之間接交基板W。上側之基板載置部PASS1係於自索引區塊9朝抗反射膜用處理區塊10搬送基板W時使用，下側之基板載置部PASS2係於自抗反射膜用處理區塊10朝索引區塊9搬送基板W時使用。
又，於基板載置部PASS1、PASS2設置有對基板W之有無進行檢測之光學式感測器(未圖示)。藉此，能夠判定於基板載置部PASS1、PASS2是否載置有基板W。又，於基板載置部PASS1、PASS2設置有固定設置之複數根支持 銷。再者，上述光學式感測器及支持銷亦同樣地設置於後述之基板載置部PASS3~PASS9。
抗蝕膜用處理區塊11包含：抗蝕膜用熱處理部110、抗蝕膜用熱處理部111、抗蝕膜用塗佈處理部60及第2中心機器人CR2。抗蝕膜用塗佈處理部60係隔著第2中心機器人CR2而與抗蝕膜用熱處理部110、111相對向地設置。於第2中心機器人CR2中，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH3、CRH4。
於抗反射膜用處理區塊10與抗蝕膜用處理區塊11之間設置有環境氣體阻隔用之間隔壁18。基板載置部PASS3、PASS4上下接近地設置於該間隔壁18，該基板載置部PASS3、PASS4用以於抗反射膜用處理區塊10與抗蝕膜用處理區塊11之間交接基板W。上側之基板載置部PASS3係於自抗反射膜用處理區塊10朝抗蝕膜用處理區塊11搬送基板W時使用，下側之基板載置部PASS4係於自抗蝕膜用處理區塊11朝抗反射膜用處理區塊10搬送基板W時使用。
顯影處理區塊12包含：顯影用熱處理部120、曝光後烘烤用熱處理部121、顯影處理部70及第3中心機器人CR3。曝光後烘烤用熱處理部121鄰接於介面區塊15，且如下所述具備基板載置部PASS7、PASS8。顯影處理部70係隔著第3中心機器人CR3而與顯影用熱處理部120及曝光後烘烤用熱處理部121相對向地設置。於第3中心機器人CR3中，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH5、CRH6。
於抗蝕膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間設置有環 境氣體阻隔用之間隔壁19。基板載置部PASS5、PASS6上下接近地設置於該間隔壁19，該基板載置部PASS5、PASS6用以於抗蝕膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間交接基板W。上側之基板載置部PASS5係於自抗蝕膜用處理區塊11朝顯影處理區塊12搬送基板W時使用，下側之基板載置部PASS6係於自顯影處理區塊12朝抗蝕膜用處理區塊11搬送基板W時使用。
介面區塊15包含：進給緩衝部SBF、背面清潔處理單元BC、第4中心機器人CR4、邊緣曝光部EEW、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元PASS-CP(以下簡稱為P-CP)、基板載置部PASS9及介面用搬送機構IFR。
背面清潔處理單元BC於曝光處理前，對基板W之背面進行清潔處理(以下稱為背面清潔處理)。此處，所謂基板W之上表面，係指朝向上方之基板W之面，所謂基板W之下表面，係指朝向下方之基板W之面。又，所謂基板W之表面，係指於抗反射膜用處理區塊10及抗蝕膜用處理區塊11中形成抗反射膜及抗蝕膜的面(主面)，所謂基板W之背面，係指上述面(主面)之相反側之面。於本實施形態之基板處理裝置500之內部，在基板W之表面朝向上方之狀態下，對基板W進行各種處理。
背面清潔處理單元BC具備端部保持式之旋轉夾頭600(後述之圖5)，該端部保持式之旋轉夾頭600(後述之圖5)保持基板之外周端部。旋轉夾頭600包含旋轉板520(後述之圖5)，該旋轉板520(後述之圖5)於中央部形成有開口520h。 利用旋轉夾頭600保持基板W，藉此，基板W之上表面(本例中為基板W之表面)與旋轉板520相對向。於該狀態下，經由ULPA(Ultra Low Penetration Air，超低穿透率空氣)過濾器F(後述之圖5)之空氣自旋轉板520之開口520h供給至基板W與旋轉板520之間，對基板W之下表面(本例中為基板W之背面)進行清潔。背面清潔處理單元BC之詳情將後述。
於第4中心機器人CR4中，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH7、CRH8(圖4)，於介面用搬送機構IFR中，上下地設置有用以交接基板W之機械手H1、H2(圖4)。介面區塊15之詳情將後述。
於本實施形態之基板處理裝置500中，索引區塊9、抗反射膜用處理區塊10、抗蝕膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15沿著Y方向依序並排設置。
圖2係圖1之基板處理裝置500之一方之概略側面圖，圖3係圖1之基板處理裝置500之另一方之概略側面圖。再者，於圖2中主要表示設置於基板處理裝置500之一側方之部分，於圖3中主要表示設置於基板處理裝置500之另一側方之部分。
首先，使用圖2對基板處理裝置500之構成進行說明。如圖2所示，3個塗佈單元BARC上下地積層配置於抗反射膜用處理區塊10之抗反射膜用塗佈處理部50(圖1)。各塗佈單元BARC具備：旋轉夾頭51，其以水平姿勢吸附保持基板W地旋轉；及供給噴嘴52，其將抗反射膜之塗佈液供給至 保持於旋轉夾頭51上之基板W。
3個塗佈單元RES上下地積層配置於抗蝕膜用處理區塊11之抗蝕膜用塗佈處理部60(圖1)。各塗佈單元RES具備：旋轉夾頭61，其以水平姿勢吸附保持基板W地旋轉；及供給噴嘴62，其將抗蝕膜之塗佈液供給至保持於旋轉夾頭61上之基板W。
5個顯影處理單元DEV上下地積層配置於顯影處理區塊12之顯影處理部70(圖1)。各顯影處理單元DEV具備：旋轉夾頭71，其以水平姿勢吸附保持基板W地旋轉；及供給噴嘴72，其將顯影液供給至保持於旋轉夾頭71上之基板W。
於介面區塊15內之一側方側配置有邊緣曝光部EEW。邊緣曝光部EEW具備：旋轉夾頭98，其以水平姿勢吸附保持基板W地旋轉；及光照射器99，其對保持於旋轉夾頭98上之基板W之周緣進行曝光。
其次，使用圖3對基板處理裝置500之構成進行說明。如圖3所示，2個加熱單元(加熱板)HP及2個冷卻單元(冷卻板)CP分別積層配置於抗反射膜用處理區塊10之抗反射膜用熱處理部100、101。又，對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC分別配置於抗反射膜用熱處理部100、101之最上部。
2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP分別積層配置於抗蝕膜用處理區塊11之抗蝕膜用熱處理部110、111。又，對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC分別配置於抗蝕膜用熱處理部110、111之最上部。
2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP積層配置於顯影處理區塊12之顯影用熱處理部120，2個加熱單元HP、2個冷卻單元CP及基板載置部PASS7、PASS8上下地積層配置於曝光後烘烤用熱處理部121。又，對加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度進行控制之現場控制器LC分別配置於顯影用熱處理部120及曝光後烘烤用熱處理部121之最上部。
其次，使用圖4詳細地對介面區塊15進行說明。圖4係自圖1之曝光裝置16之位置所見之介面區塊15的概略側面圖。如圖4所示，於介面區塊15內，進給緩衝部SBF及3個背面清潔處理單元BC積層配置於一側方。又，於介面區塊15內，邊緣曝光部EEW配置於另一側方之上部。
於邊緣曝光部EEW之下方，返回緩衝部RBF、2個載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9上下地積層配置於介面區塊15內之大致中央部。
又，於介面區塊15內之下部，設置有第4中心機器人CR4及介面用搬送機構IFR。第4中心機器人CR4係設置為於進給緩衝部SBF、背面清潔處理單元BC、邊緣曝光部EEW、返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9之間，在鉛垂方向上可移動且可旋轉。介面用搬送機構IFR係設置為於返回緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9之間，在鉛垂方向上可移動且可旋轉。
(2)基板處理裝置之動作
其次，一面參照圖1~圖4，一面對本實施形態之基板處 理裝置500之動作進行說明。
(2-1)自索引區塊至顯影處理區塊為止之動作
首先，簡單地對自索引區塊9至顯影處理區塊12為止之動作進行說明。
將載體C搬入至索引區塊9之載體載置台40上，該載體C多段地收納複數片基板W。索引機器人IR使用機械手IRH，將收納於載體C內之未處理之基板W取出。其後，索引機器人IR一面朝X方向移動，一面圍繞與Z方向平行之軸進行旋轉移動，將未處理之基板W載置於基板載置部PASS1。
載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W係藉由抗反射膜用處理區塊10之第1中心機器人CR1接收。第1中心機器人CR1將上述基板W搬入至抗反射膜用熱處理部100、101。
其後，第1中心機器人CR1將熱處理已完成之基板W自抗反射膜用熱處理部100、101中取出，且將該基板W搬入至抗反射膜用塗佈處理部50。於該抗反射膜用塗佈處理部50中，為了使曝光時產生之駐波(standing wave)或暈光(halation)減少，藉由塗佈單元BARC於基板W上塗佈形成抗反射膜。
其次，第1中心機器人CR1將塗佈處理已完成之基板W自抗反射膜用塗佈處理部50中取出，且將該基板W搬入至抗反射膜用熱處理部100、101。其後，第1中心機器人CR1將熱處理已完成之基板W自抗反射膜用熱處理部100、101 中取出，且將該基板W載置於基板載置部PASS3。
載置於基板載置部PASS3之基板W係藉由抗蝕膜用處理區塊11之第2中心機器人CR2接收。第2中心機器人CR2將該基板W搬入至抗蝕膜用熱處理部110、111。
其後，第2中心機器人CR2將熱處理已完成之基板W自抗蝕膜用熱處理部110、111中取出，且將該基板W搬入至抗蝕膜用塗佈處理部60。於該抗蝕膜用塗佈處理部60中，藉由塗佈單元RES於已塗佈形成有抗反射膜之基板W上塗佈形成抗蝕膜。
其次，第2中心機器人CR2將塗佈處理已完成之基板W自抗蝕膜用塗佈處理部60中取出，且將該基板W搬入至抗蝕膜用熱處理部110、111。其後，第2中心機器人CR2將熱處理已完成之基板W自抗蝕膜用熱處理部110、111中取出，且將該基板W載置於基板載置部PASS5。
載置於基板載置部PASS5之基板W係藉由顯影處理區塊12之第3中心機器人CR3接收。第3中心機器人CR3將該基板W載置於基板載置部PASS7。
載置於基板載置部PASS7之基板W係藉由介面區塊15之第4中心機器人CR4接收，且如下所述，於介面區塊15及曝光裝置16中被實施特定之處理。於介面區塊15及曝光裝置16中，對基板W實施特定之處理之後，藉由第4中心機器人CR4將該基板W搬入至顯影處理區塊12之曝光後烘烤用熱處理部121。
於曝光後烘烤用熱處理部121中，對基板W進行曝光後 之烘烤(PEB(Post Exposure Bake))。其後，第4中心機器人CR4將基板W自曝光後烘烤用熱處理部121中取出，且將該基板W載置於基板載置部PASS8。
載置於基板載置部PASS8之基板W係藉由顯影處理區塊12之第3中心機器人CR3接收。第3中心機器人CR3將該基板W搬入至顯影處理部70。於顯影處理部70中，對經曝光之基板W實施顯影處理。
其次，第3中心機器人CR3將顯影處理已完成之基板W自顯影處理部70中取出，且將該基板W搬入至顯影用熱處理部120。其後，第3中心機器人CR3將熱處理後之基板W自顯影用熱處理部120中取出，且將該基板W載置於基板載置部PASS6。
載置於基板載置部PASS6之基板W係藉由抗蝕膜用處理區塊11之第2中心機器人CR2而載置於基板載置部PASS4。載置於基板載置部PASS4之基板W係藉由抗反射膜用處理區塊10之第1中心機器人CR1而載置於基板載置部PASS2。
載置於基板載置部PASS2之基板W係藉由索引區塊9之索引機器人IR而收納於載體C內。藉此，基板處理裝置500中之基板W之各處理結束。
(2-2)介面區塊之動作
其次，詳細地對介面區塊15之動作進行說明。
如上述般，對搬入至索引區塊9之基板W實施特定之處理之後，將該基板W載置於顯影處理區塊12(圖1)之基板載置部PASS7。
載置於基板載置部PASS7之基板W係藉由介面區塊15之第4中心機器人CR4接收。第4中心機器人CR4將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW(圖4)。於該邊緣曝光部EEW中，對基板W之周緣部實施曝光處理。
其次，第4中心機器人CR4將邊緣曝光已完成之基板W自邊緣曝光部EEW中取出，且將該基板W搬入至任一個背面清潔處理單元BC。於背面清潔處理單元BC中，以上述方式對曝光處理前之基板W實施背面清潔處理。
曝光裝置16之曝光處理之時間通常比其他處理步驟及搬送步驟之時間長。其結果，於多數情形下，曝光裝置16無法承接後續之基板W。於該情形時，基板W被暫時收納保管於進給緩衝部SBF(圖4)。於本實施形態中，第4中心機器人CR4將背面清潔處理已完成之基板W自背面清潔處理單元BC中取出，且將該基板W搬送至進給緩衝部SBF。
其次，第4中心機器人CR4將收納保管於進給緩衝部SBF之基板W取出，且將該基板W搬入至載置兼冷卻單元P-CP。將搬入至載置兼冷卻單元P-CP之基板W維持於與曝光裝置16內相同之溫度(例如23℃)。
再者，於曝光裝置16具有充分之處理速度之情形時，亦可不將基板W收納保管於進給緩衝部SBF，而將基板W自背面清潔處理單元BC搬送至載置兼冷卻單元P-CP。
繼而，於載置兼冷卻單元P-CP中維持於上述特定溫度之基板W係藉由介面用搬送機構IFR上側之機械手H1(圖4)接收，且被搬入至曝光裝置16內之基板搬入部16a(圖1)。
藉由介面用搬送機構IFR，將已於曝光裝置16中實施了曝光處理之基板W自基板搬出部16b(圖1)中搬出。介面用搬送機構IFR將該基板W載置於基板載置部PASS9。
載置於基板載置部PASS9之基板W係藉由第4中心機器人CR4接收。第4中心機器人CR4將該基板W搬送至顯影處理區塊12(圖1)之曝光後烘烤用熱處理部121。
再者，當顯影處理區塊12因顯影處理單元DEV(圖2)之故障等而暫時無法承接基板W時，可將曝光處理後之基板W暫時收納保管於返回緩衝部RBF。
(3)背面清潔處理單元
其次，使用圖式詳細地對背面清潔處理單元BC進行說明。圖5係表示背面清潔處理單元BC之構成之側面圖。背面清潔處理單元BC具備具有大致長方體形狀之框體900，於該框體900之內部設置有以下之構成要素。
如圖5所示，背面清潔處理單元BC具備旋轉夾頭600，該旋轉夾頭600水平地保持基板W且使該基板W旋轉。旋轉夾頭600包含：旋轉馬達200、旋轉軸210、圓板狀之旋轉板520、板支持構件510、磁性板614a、磁性板614b及複數個基板保持機構700。
旋轉馬達200設置於背面清潔處理單元BC之上側。旋轉馬達200係藉由馬達支持構件200s支持。馬達支持構件200s安裝於馬達固定部290。馬達固定部290固定於背面清潔處理單元BC之框體900。
於馬達支持構件200s中，形成有沿著鉛垂方向延伸之貫 通孔200h。具有圓環形狀之台座220安裝於馬達支持構件200s之上部。進而，具有內部空間之箱型之連接構件240安裝於台座220之上部。
風扇810、導管820、過濾器收容構件840及流路形成構件850安裝於背面清潔處理單元BC之框體900之頂棚900t及其附近部分。如下所述，ULPA過濾器F收容於過濾器收容構件840。連接構件240隔著襯墊250而連接於流路形成構件850。風扇810、導管820、過濾器收容構件840及流路形成構件850之詳情將後述。
以自旋轉馬達200之內部朝下方延伸之方式，設置有中空之旋轉軸210。旋轉軸210係作為旋轉馬達200之輸出軸而發揮功能。旋轉軸210之內部空間係與形成於馬達支持構件200s之貫通孔200h、台座220之內部空間、及連接構件240之內部空間連通。
圖6係主要表示圖5之旋轉軸210之下端部及板支持構件510之構造的放大縱剖面圖。如圖6所示，具有大致圓筒形狀之板支持構件510安裝於旋轉軸210之下端部。板支持構件510之內周面510h具有自下端朝上端呈階梯狀地減小之直徑。
圓筒形狀之墊固定片512嵌入至板支持構件510之內周面510h與旋轉軸210之外周面之間之間隙，墊固定片512螺固於板支持構件510之螺釘承接部511。藉此，板支持構件510固定於旋轉軸210之下端部。
於板支持構件510之下端部附近形成有凸緣510F。對凸 緣510F與旋轉板520進行螺固，藉此，將旋轉板520以水平姿勢固定於板支持構件510。若旋轉馬達200之旋轉軸210旋轉，則板支持構件510及旋轉板520會圍繞鉛垂軸而一體地旋轉。於旋轉板520之中央部形成有圓形之開口520h。
風扇810進行動作，藉此，基板處理裝置500外部之空氣經由導管820供給至收容於過濾器收容構件840之ULPA過濾器F。其後，通過ULPA過濾器F之空氣經由流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s、及旋轉馬達200之旋轉軸210而導引至形成於旋轉板520之開口520h，且供給至旋轉板520下方之空間。
如此，於本例中，風扇810、導管820、流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210係作為空氣供給機構而發揮功能，該空氣供給機構將潔淨之空氣經由形成於旋轉板520之開口520h供給至旋轉板520下方之空間。
於背面清潔處理單元BC之框體900之底面900b設置有排氣裝置990，該排氣裝置990用以將背面清潔處理單元BC之框體900內之環境氣體朝工廠之排氣用力設備排出。
圖7係表示背面清潔處理單元BC之一部分之構成之概略平面圖。如圖7所示，於旋轉板520之周緣部，相對於旋轉軸210以等角度間隔設置有複數個(本例中為5個)基板保持機構700。基板保持機構700之個數較理想的是5以上。其理由將後述。
如圖5及圖7所示，各基板保持機構700主要包含保持銷 710、支持部720、軸部730及磁鐵790。於旋轉板520上設置有支持部720。於支持部720之內部，軸部730以可旋轉之方式受到支持。於軸部730之下端部，安裝有具有大致圓柱形狀之保持銷710。於軸部730之上端部安裝有磁鐵790。
各基板保持機構700可切換為關閉狀態與打開狀態，該關閉狀態係保持銷710抵接於基板W之外周端部之狀態，上述打開狀態係保持銷710離開基板W之外周端部之狀態。於本例中，當磁鐵790之N極處於內側時，各基板保持機構700成為關閉狀態，當磁鐵790之S極處於內側時，各基板保持機構700成為打開狀態。再者，於圖7中，為了使基板保持機構700中之保持銷710與軸部730之位置關係明確，將支持部720及磁鐵790之圖示予以省略。
於旋轉板520之上方，沿著以旋轉軸210為中心之圓周方向而配置有磁性板614a、614b。磁性板614a、614b於外側具有S極，於內側具有N極。磁性板614a、614b係藉由磁鐵升降機構617a、617b而分別獨立地升降，且在高於基板保持機構700之磁鐵790之上方位置與如下之下方位置之間移動，該下方位置係高度與基板保持機構700之磁鐵790大致相等之位置。
藉由磁性板614a、614b之升降，將各基板保持機構700切換為打開狀態與關閉狀態。磁性板614a、614b及基板保持機構700之動作之詳情將後述。
於旋轉夾頭600之外方設置有防護罩618，該防護罩618 用以於對基板W進行背面清潔處理時，阻擋自基板W飛散之清潔液。防護罩618具有關於旋轉夾頭600之旋轉軸210呈旋轉對稱之形狀。又，防護罩618藉由防護罩升降機構618a而升降。防護罩618所阻擋之清潔液係藉由未圖示之排液裝置或回收裝置排出或回收。
於防護罩618之外方，以旋轉夾頭600之旋轉軸210為中心，且以等角度間隔配置有3個以上(本例中為3個)之基板交接機構620。各基板交接機構620包含：升降旋轉驅動部621、旋轉軸622、臂部623及保持銷624。以自升降旋轉驅動部621朝上方延伸之方式設置有旋轉軸622，且以自旋轉軸622之上端部沿著水平方向延伸之方式連結有臂部623。於臂部623之前端部設置有保持銷624，該保持銷624用以保持基板W之外周端部。
旋轉軸622藉由升降旋轉驅動部621而進行升降動作及旋轉動作。藉此，保持銷624於水平方向及鉛垂方向上移動。
又，如圖5所示，於背面清潔處理單元BC之下部配置有大致圓柱形狀之清潔刷630。清潔刷630安裝於支持軸635之上端部。支持軸635之下端部安裝於刷保持構件631上。刷保持構件631藉由刷移動機構632驅動。藉此，清潔刷630於水平方向及鉛垂方向上移動。
於清潔刷630附近之刷保持構件631之部分安裝有清潔噴嘴633。供給清潔液之液體供給管(未圖示)連接於清潔噴嘴633。清潔噴嘴633之噴出口朝向清潔刷630周邊，自噴出 口朝清潔刷630周邊噴出清潔液。再者，於本例中，使用純水作為清潔液。
(4)用以將空氣導引至旋轉板之開口之構成之詳情
對用以將空氣供給至圖5之旋轉板520之開口520h之構成要素的詳情進行說明。圖8係主要表示圖5之旋轉軸210、台座220、連接構件240、導管820、過濾器收容構件840及流路形成構件850之構造之縱剖面圖。圖9(a)係圖8之過濾器收容構件840及流路形成構件850之側面圖，圖9(b)係自旋轉夾頭600之位置對圖8之過濾器收容構件840及流路形成構件850進行觀察時之平面圖。
如圖8所示，導管820安裝於背面清潔處理單元BC之框體900之頂棚900t。基板處理裝置500之外部之空氣(例如無塵室內之空氣)藉由設置於框體900內部之風扇810而供給至導管820。再者，風扇810亦可設置於框體900之外部。
於導管820之下部形成有矩形之開口821。於本例中，開口821之一條邊之長度大致等於旋轉板520之直徑。再者，開口821之一條邊之長度亦可大於旋轉板520之直徑。
以自下方將導管820之開口821予以覆蓋之方式，將過濾器收容構件840安裝於導管820之下部。如圖9(a)、圖9(b)所示，過濾器收容構件840具有4個側壁840a、840b、840c、840d。側壁840a與側壁840c相對向，側壁840b與側壁840d相對向。
以自4個側壁840a~840d之下端部朝過濾器收容構件840之內側延伸固定距離之方式，形成有矩形之框部841。於 框部841之內側形成有矩形之開口843。於框部841中，以包圍開口843之方式，等間隔地形成有複數個貫通孔842。於本例中，各貫通孔842具有圓形狀，但各貫通孔842可具有橢圓形狀，可具有三角形狀，亦可具有四邊形狀。
矩形之ULPA過濾器F收容於過濾器收容構件840之內部。ULPA過濾器F具有沿著藉由側壁840a~840d形成之內周面之外形，並且具有與側壁840a~840d之高度大致相同之厚度。
以自下方將過濾器收容構件840之開口843予以覆蓋之方式，於過濾器收容構件840之框部841上安裝有上端部開放之流路形成構件850。流路形成構件850具備流路限制部851及流路部852。於流路部852中形成有空氣流出口853。
於馬達支持構件200s之上部安裝有台座220。於台座220之上部安裝有連接構件240。於連接構件240中形成有空氣流入口241及空氣流出口242。連接構件240之內部空間經由空氣流出口242而與台座220之內部空間連通。
連接構件240進而係以能夠經由襯墊250而連接於流路形成構件850及能夠自該流路形成構件850拆下之方式構成。
於連接構件240之空氣流入口241與流路形成構件850之空氣流出口853相對向之狀態下，連接構件240隔著襯墊250而連接於流路形成構件850。
藉此，形成空氣路徑，該空氣路徑包含：流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210。
如圖8中之粗實線所示，將空氣供給至導管820。於該情形時，供給至導管820內之空氣係自開口821流入至收容於過濾器收容構件840之ULPA過濾器F之內部。
通過ULPA過濾器F之潔淨之空氣之一部分自過濾器收容構件840之開口843流入至流路形成構件850。於該情形時，流路限制部851一面阻止流入之空氣流向下方，一面朝流路部852導引該空氣。另一方面，流路部852朝空氣流出口853導引流入之空氣及自流路限制部851導引來之空氣。
藉此，流入至流路形成構件850內之潔淨之空氣，自空氣流出口853經由連接構件240、台座220、馬達支持構件200s、旋轉軸210及板支持構件510之內部空間、以及形成於旋轉板520之開口520h供給至旋轉板520下方之空間。
通過ULPA過濾器F之剩餘之潔淨之空氣自過濾器收容構件840之複數個貫通孔842朝背面清潔處理單元BC之框體900之底面900b供給。
風扇810於基板處理裝置500之電源為接通狀態時進行動作，於基板處理裝置500之電源為斷開狀態時停止。因此，於背面清潔處理單元BC中，當基板處理裝置500之電源為接通狀態時，一直自形成於旋轉板520之開口520h朝下方供給潔淨之空氣。又，一直自形成於過濾器收容構件840之複數個貫通孔842朝下方供給潔淨之空氣。
於藉由旋轉夾頭600保持基板W之狀態下，於基板W與旋轉板520之間形成潔淨之空氣流。流路形成構件850中之空 氣流出口853之開口面積小於位於該空氣流出口853之上游側的過濾器收容構件840中之開口843之開口面積。又，連接構件240中之空氣流出口242之開口面積小於該空氣流出口242之上游側的空氣流出口853之開口面積，且大致等於馬達支持構件200s之貫通孔200h之開口面積。而且，旋轉軸210之開口面積小於馬達支持構件200s之貫通孔200h之開口面積。
如此，於本例中，由流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210形成之空氣路徑具有自ULPA過濾器F朝旋轉板520之開口520h逐漸減少之剖面積。
於該情形時，可使通過旋轉板520之開口520h之空氣之流速大於通過ULPA過濾器F之空氣之流速。藉此，於藉由旋轉夾頭600保持基板W之狀態下，充分量之空氣供給至基板W與旋轉板520之間。其結果，於基板W之上表面上，確實地形成自基板W之中心朝向基板W之外周端部的潔淨之空氣流。
如上述般，於過濾器收容構件840上形成有矩形之框部841。於ULPA過濾器F內流動且流向框部841之空氣係自複數個貫通孔842流出至框體900內部之框部841下方之空間。於該情形時，於框部841中，通過ULPA過濾器F之空氣流之剖面積減小。藉此，與未於過濾器收容構件840上形成框部841之情形相比較，潔淨之空氣以高流速供給至框體900內部之框部841下方之空間。其結果，於框體900 內確實地形成自上部朝向下部之空氣流。
(5)基板之保持動作
對旋轉夾頭600對於基板W之保持動作進行說明。圖10及圖11係用以對旋轉夾頭600對於基板W之保持動作進行說明之圖。
首先，如圖10(a)所示，防護罩618移動至低於基板保持機構700之位置。繼而，複數個基板交接機構620(圖5)之保持銷624經由防護罩618之上方而移動至旋轉板520之下方。藉由第4中心機器人CR4(圖1)，將基板W載置於複數個保持銷624上。
此時，磁性板614a、614b處於上方位置。於該情形時，磁性板614a、614b之磁力線B於基板保持機構700之磁鐵790之高度，自內側朝向外側。藉此，各基板保持機構700之磁鐵790之S極被吸向內側。因此，各基板保持機構700成為打開狀態。
繼而，如圖10(b)所示，複數個保持銷624以保持有基板W之狀態而上升。藉此，基板W移動至複數個基板保持機構700之保持銷710之間。
繼而，如圖11(a)所示，磁性板614a、614b移動至下方位置。於該情形時，各基板保持機構700之磁鐵790之N極被吸向內側。藉此，各基板保持機構700成為關閉狀態，藉由各基板保持機構700之保持銷710保持基板W之外周端部。再者，各基板保持機構700於鄰接之保持銷624之間保持基板W之外周端部。因此，基板保持機構700與保持銷 624互不干涉。其後，複數個保持銷624移動至防護罩618之外方。
繼而，如圖11(b)所示，防護罩618移動至將由基板保持機構700保持之基板W予以包圍之高度。繼而，對基板W進行背面清潔處理。
(6)背面清潔處理
圖12及圖13係用以對基板W之背面清潔處理進行說明之側面圖。
如上述般，於背面清潔處理單元BC中，當基板處理裝置500之電源為接通狀態時，一直自形成於旋轉板520之開口520h朝下方供給潔淨之空氣。
藉此，如圖12所示，於對基板W進行背面清潔處理時，基板W藉由旋轉夾頭600而旋轉，並且通過ULPA過濾器F之潔淨之空氣經由形成於旋轉板520之開口520h供給至旋轉板520與基板W之間。藉此，於旋轉板520與基板W之間，形成自基板W之中心朝向基板W之外周端部之潔淨之空氣流。
於該狀態下，清潔刷630與基板W之背面發生接觸。繼而，清潔刷630於基板W之中心部下方與周緣部下方之間移動，與基板W之背面之整個區域發生接觸。純水自清潔噴嘴633供給至基板W與清潔刷630之接觸部分。藉此，藉由清潔刷630對基板W之整個背面進行清潔，將附著於基板W背面之污染物除去。
繼而，如圖13(a)所示，磁性板614a配置於下方位置，磁 性板614b配置於上方位置。於該情形時，如圖13(a)、圖13(b)所示，於磁性板614a之外方區域R1(圖13(b))，各基板保持機構700成為關閉狀態，於磁性板614b之外方區域R2(圖13(b))，各基板保持機構700成為打開狀態。即，各基板保持機構700之保持銷710於通過磁性板614a之外方區域R1時，維持於與基板W之外周端部發生接觸之狀態，於通過磁性板614b之外方區域R2時，離開基板W之外周端部。
因此，於磁性板614b之外方區域R2中，可藉由清潔刷630對基板W之外周端部之下表面側之部分進行清潔。
再者，於本例中，5個基板保持機構700中之至少4個基板保持機構700位於磁性板614a之外方區域R1。於該情形時，即便各基板保持機構700之保持銷710於通過磁性板614b之外方區域R2時離開基板W之外周端部，亦會藉由至少4個基板保持機構700保持基板W。藉此，確保基板W之保持狀態之穩定性。
背面清潔處理結束之後，磁性板614a、615b配置於下方位置，藉由所有之基板保持機構700保持基板W。於該狀態下，基板W藉由旋轉夾頭600而高速地旋轉。藉此，附著於基板W之純水被甩開，基板W變乾燥。
(7)實施形態之效果
(7-1)於本實施形態之背面清潔處理單元BC中，風扇810進行動作，藉此，基板處理裝置500外部之空氣經由導管820供給至ULPA過濾器F。通過ULPA過濾器F之潔淨之空 氣經由流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210而導引至旋轉板520之開口520h。
藉由旋轉夾頭600保持基板W，藉此，基板W之上表面與旋轉板520相對向。藉此，導引至旋轉板520之開口520h之潔淨之空氣朝由旋轉夾頭600保持之基板W之中心供給。於該狀態下，旋轉板520因旋轉馬達200進行動作而旋轉，藉由清潔刷630對旋轉的基板W之下表面進行清潔。
於該情形時，於基板W之上表面上，形成自基板W之中心朝向基板W之外周端部的潔淨之空氣流。藉此，防止包含清潔液之薄霧(微小液滴)或顆粒等之環境氣體流入至旋轉夾頭600所保持之基板W與旋轉板520之間。其結果，可一面使基板W之上表面保持潔淨，一面對基板W之下表面進行清潔。
(7-2)又，於上述背面清潔處理單元BC中，通過ULPA過濾器F之潔淨之空氣經由旋轉馬達200之旋轉軸210之內部空間而導引至旋轉板520之開口520h。如此，旋轉馬達200之旋轉軸210構成空氣路徑之一部分，藉此，可不使用複雜之構成而將潔淨之空氣導引至旋轉板520之開口520h。
(7-3)於本實施形態中，通過ULPA過濾器F之潔淨之空氣之一部分流入至流路形成構件850內。藉此，如上述般，潔淨之空氣供給至基板W之上表面上。另一方面，通過ULPA過濾器F之剩餘之潔淨之空氣自過濾器收容構件840之複數個貫通孔842朝背面清潔處理單元BC之框體900之 底面900b供給。藉此，可於框體900之內部形成自上部朝向下部之潔淨之空氣流。
因此，可一面使基板W之上表面保持潔淨，一面抑制處理液之薄霧或顆粒等於框體900內飛散。
(7-4)又，於上述背面清潔處理單元BC中，不使用N2氣體等惰性氣體而使用通過ULPA過濾器F之空氣，藉此，使基板W之上表面保持潔淨。因此，基板W之製造成本之增加受到抑制。
(7-5)如上述般，連接構件240係以能夠經由襯墊250而連接於流路形成構件850及能夠自該流路形成構件850拆下之方式構成。藉此，藉由將連接構件240自流路形成構件850中拆下，可容易地將旋轉夾頭600、旋轉馬達200、馬達支持構件200s、台座220及連接構件240自框體900之內部取出。因此，可容易地進行背面清潔處理單元BC之維護。
(8)變形例
(8-1)於背面清潔處理單元BC中，亦可以經由馬達支持構件200s之貫通孔200h、旋轉馬達200之旋轉軸210之內部及板支持構件510之內部的方式設置流體供給管。又，亦可將圓板狀之阻隔板安裝於旋轉板520之下表面。
圖14係表示背面清潔處理單元BC之其他構成例之側面圖。以下，對圖14之背面清潔處理單元BC與圖5之背面清潔處理單元BC之不同點進行說明。再者，於圖14中，僅圖示了背面清潔處理單元BC之一部分之構成要素，將用以對圖5之基板W之背面進行清潔之機構、防護罩升降機 構618a及基板交接機構620等之圖示予以省略。
於該背面清潔處理單元BC中，以經由馬達支持構件200s、旋轉馬達200之旋轉軸210及板支持構件510之內部的方式設置有流體供給管420。
於本例中，在連接構件240之一側面，形成有用以插通流體供給管420之孔部240h。如圖14所示，流體供給管420於連接構件240之內部彎曲，且經由形成於連接構件240之孔部240h而沿著水平方向延伸。於以下之說明中，將沿著鉛垂方向延伸之直管部之端部稱為前端部，將沿著水平方向延伸之直管部之端部稱為後端部。
於流體供給管420之後端部，一體地形成有凸緣FR。凸緣FR固定於管固定部280。管固定部280固定於背面清潔處理單元BC之框體900。藉此，流體供給管420於背面清潔處理單元BC內受到固定。於本例中，流體供給管420用於將清潔液(於本例中為純水)供給至基板W。
除了上述內容之外，於圖14之背面清潔處理單元BC中，阻隔板525藉由固定構件525a、525b而水平地固定於旋轉板520之下表面。藉此，於藉由旋轉夾頭600保持基板W之情形時，基板W之上表面與阻隔板525相對向。於阻隔板525之中心部形成有貫通孔525h。旋轉軸210藉由旋轉馬達200而旋轉，藉此，板支持構件510、旋轉板520及阻隔板525圍繞鉛垂軸而一體地旋轉。
如圖14所示，流體供給管420之前端部係設置為自阻隔板525之貫通孔525h稍微朝下方突出。藉此，可確實地將 純水供給至基板W之上表面之中央部。
於馬達支持構件200s之貫通孔200h之內周面與流體供給管420之外周面之間形成有間隙G。同樣地，於旋轉軸210之內周面與流體供給管420之外周面之間亦形成有間隙G。
藉此，於基板處理裝置500之電源為接通狀態之情形時，經由上述間隙G，自空氣供給機構朝基板W之上表面供給潔淨之空氣。
根據本例之背面清潔處理單元BC，可防止清潔液之薄霧及顆粒附著於基板W，且可同時對基板W之表面與背面進行清潔。
於本例中，經由流體供給管420將純水供給至基板W，但不限於此，亦可經由流體供給管420將N2氣體等惰性氣體供給至基板W。
又，除了設置將清潔液供給至基板W之流體供給管420以外，亦可設置將惰性氣體供給至基板W之新流體供給管。
(8-2)圖15係表示背面清潔處理單元BC之另一構成例之側面圖。於圖15之背面清潔處理單元BC中，以經由馬達支持構件200s之貫通孔200h、旋轉馬達200之旋轉軸210之內部及板支持構件510之內部的方式，設置有用以將潔淨之空氣導引至旋轉板520下方之空間的導引管430。
導引管430於上端部具有凸緣430f。導引管430之凸緣430f固定於馬達支持構件200s之上表面。
如圖15所示，導引管430之外徑小於旋轉軸210之內徑。 藉此，於導引管430之外周面與旋轉軸210之內周面之間形成有間隙。
於本例之背面清潔處理單元BC中，自馬達支持構件200s上側之台座220朝向下方之潔淨之空氣係經由導引管430之內部而流入至旋轉板520下方之空間。藉此，潔淨之空氣不與旋轉之構件(於本例中為旋轉軸210)發生接觸，因此，可防止供給至基板W上之空氣之潔淨度下降。
(8-3)於背面清潔處理單元BC中，亦不一定利用清潔刷630對基板W之背面及外周端部進行清潔。於背面清潔處理單元BC中，亦可不使清潔刷630與基板W之背面發生接觸，而是將清潔液自清潔噴嘴633供給至基板W之背面之整個區域，藉此，進行背面清潔處理。
又，亦可使用雙流體噴嘴對基板W之背面及外周端部進行清潔，該雙流體噴嘴噴出液體及氣體之混合流體。進而，亦可使用內置有高頻振子之超音波噴嘴對基板W之背面及外周端部進行清潔。於使用超音波噴嘴之情形時，將處於超音波振動狀態之清潔液供給至基板W之背面及外周端部。
(8-4)背面清潔處理單元BC、塗佈單元BARC、塗佈單元RES、顯影處理單元DEV、加熱單元HP、冷卻單元CP及載置兼冷卻單元P-CP之個數亦可配合各處理區塊之處理速度而適當變更。
(8-5)於上述例子中，背面清潔處理單元BC配置於介面區塊15內，但背面清潔處理單元BC亦可配置於圖1所示之 顯影處理區塊12內。或者，亦可將包含背面清潔處理單元BC之背面清潔處理區塊設置於圖1所示之顯影處理區塊12與介面區塊15之間。
(8-6)於上述曝光裝置16中，可使用液浸法對基板W進行曝光處理，亦可利用液浸法以外之方法對基板W進行曝光處理。於該等情形時，防止產生由基板W表面之污染、及基板W背面之污染引起的處理不良。
(8-7)於上述例子中，背面清潔處理單元BC對形成抗蝕膜後且利用曝光裝置16進行曝光處理前之基板W的下表面進行清潔。不限於此，背面清潔處理單元BC亦可對形成抗蝕膜後且利用曝光裝置16進行曝光處理後之基板W的下表面進行清潔。
(8-8)背面清潔處理單元BC亦可用作化學藥液清潔裝置，該化學藥液清潔裝置使用化學藥液對基板進行清潔。所謂化學藥液，係指例如BHF(Buffered Hydrofluoric Acid，緩衝氫氟酸)、DHF(Dilute Hydrofluoric Acid，稀釋氫氟酸)、氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸、雙氧水或氨水等水溶液、或者該等水溶液之混合溶液。又，所謂淋洗液，係指例如純水、碳酸水、臭氧水、磁化水，還原水(氫水)或離子水、或者IPA(Isopropyl Alcohol，異丙醇)等有機溶劑。
(8-9)於背面清潔處理單元BC中，亦可安裝馬達代替支持清潔刷630之支持軸635，該馬達用以使清潔刷630圍繞鉛垂軸旋轉。於該情形下，當對基板W進行背面清潔處理 時，可於清潔刷630旋轉之狀態下，使該清潔刷630與基板W之下表面發生接觸，藉此，對基板W之下表面進行清潔。
(8-10)於上述例子中，對將背面清潔處理單元BC設置於基板處理裝置500之情形進行了說明，但不限於此，可將背面清潔處理單元BC設置於其他基板處理裝置，或亦可單獨使用背面清潔處理單元BC。
(9)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係
以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係的例子進行說明，但本發明並不限定於下述例子。
於上述實施形態中，基板W為基板之例子，背面清潔處理單元BC為基板清潔裝置之例子，旋轉板520為旋轉構件之例子，旋轉板520之開口520h為開口之例子，旋轉馬達200為旋轉驅動裝置之例子，複數個基板保持機構700之保持銷710為保持構件之例子。
又，包含風扇810、導管820、流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210之構成、或者包含風扇810、導管820、流路形成構件850、連接構件240、台座220及導引管430之構成為空氣供給機構之例子。
又，包含清潔刷630、刷保持構件631、刷移動機構632、清潔噴嘴633及支持軸635之構成為清潔機構之例子，ULPA過濾器F為過濾器之例子，風扇810及導管820為 空氣供給部之例子。
又，包含流路形成構件850、連接構件240、台座220、馬達支持構件200s及旋轉馬達200之旋轉軸210之構成、或者包含流路形成構件850、連接構件240、台座220及導引管430之構成為空氣路徑之例子。
又，框體900為框體之例子，導管820為導管之例子，旋轉軸210為旋轉軸之例子，清潔刷630為清潔具之例子，清潔噴嘴633為清潔液供給部之例子。
又，曝光裝置16為曝光裝置之例子，基板處理裝置500為基板處理裝置之例子，抗反射膜用處理區塊10、抗蝕膜用處理區塊11及顯影處理區塊12為處理部之例子，介面區塊15為交接部之例子，抗蝕膜為感光性膜之例子，抗蝕膜用處理區塊11之塗佈單元RES為感光成膜形成單元之例子。
亦可使用具有請求項所揭示之構成或功能之其他各種要素作為請求項之各構成要素。
9‧‧‧索引區塊
10‧‧‧抗反射膜用處理區塊
11‧‧‧抗蝕膜用處理區塊
12‧‧‧顯影處理區塊
15‧‧‧介面區塊
16‧‧‧曝光裝置
16a‧‧‧基板搬入部
16b‧‧‧基板搬出部
17、18、19‧‧‧間隔壁
30‧‧‧主控制器(控制部)
40‧‧‧載體載置台
50‧‧‧抗反射膜用塗佈處理部
51、61、71、98、600‧‧‧旋轉夾頭
52、62、72‧‧‧供給噴嘴
60‧‧‧抗蝕膜用塗佈處理部
70‧‧‧顯影處理部
99‧‧‧光照射器
100、101‧‧‧抗反射膜用熱處理部
110、111‧‧‧抗蝕膜用熱處理部
120‧‧‧顯影用熱處理部
121‧‧‧曝光後烘烤用熱處理部
200‧‧‧旋轉馬達
200h、525h、842‧‧‧貫通孔
200s‧‧‧馬達支持構件
210、622‧‧‧旋轉軸
220‧‧‧台座
240‧‧‧連接構件
241‧‧‧空氣流入口
242‧‧‧空氣流出口
250‧‧‧襯墊
290‧‧‧馬達固定部
430‧‧‧導引管
430f、510F‧‧‧凸緣
500‧‧‧基板處理裝置
510‧‧‧板支持構件
511‧‧‧螺釘承接部
512‧‧‧墊固定片
520‧‧‧旋轉板
520h、821、843‧‧‧開口
525‧‧‧阻隔板
525a、525b‧‧‧固定構件
614a、614b‧‧‧磁性板
617a、617b‧‧‧磁鐵升降機構
618‧‧‧防護罩
618a‧‧‧防護罩升降機構
620‧‧‧基板交接機構
621‧‧‧升降旋轉驅動部
623‧‧‧臂部
624、710‧‧‧保持銷
630‧‧‧清潔刷
631‧‧‧刷保持構件
632‧‧‧刷移動機構
633‧‧‧清潔噴嘴
635‧‧‧支持軸
700‧‧‧基板保持機構
720‧‧‧支持部
730‧‧‧軸部
790‧‧‧磁鐵
810‧‧‧風扇
820‧‧‧導管
840‧‧‧過濾器收容構件
840a~840d‧‧‧側壁
841‧‧‧框部
850‧‧‧流路形成構件
851‧‧‧流路限制部
852‧‧‧流路部
853‧‧‧空氣流出口
900‧‧‧框體
900b‧‧‧底面
900t‧‧‧頂棚
990‧‧‧排氣裝置
B‧‧‧磁力線
BARC、RES‧‧‧塗佈單元
BC‧‧‧背面清潔處理單元
C‧‧‧載體
CP‧‧‧冷卻單元
CR1‧‧‧第1中心機器人
CR2‧‧‧第2中心機器人
CR3‧‧‧第3中心機器人
CR4‧‧‧第4中心機器人
CRH1~CRH8、H1、H2、IRH‧‧‧機械手
DEV‧‧‧顯影處理單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
F‧‧‧ULPA過濾器
FR‧‧‧凸緣
G‧‧‧間隙
HP‧‧‧加熱單元
IFR‧‧‧介面用搬送機構
IR‧‧‧索引機器人
LC‧‧‧現場控制器
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻單元
RBF‧‧‧返回緩衝部
SBF‧‧‧進給緩衝部
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。
圖2係圖1之基板處理裝置之一方之概略側面圖。
圖3係圖1之基板處理裝置之另一方之概略側面圖。
圖4係自圖1之曝光裝置之位置所見之介面區塊的概略側面圖。
圖5係表示背面清潔處理單元之構成之側面圖。
圖6係主要表示圖5之旋轉軸之下端部及板支持構件之構 造的放大縱剖面圖。
圖7係表示背面清潔處理單元之構成之概略平面圖。
圖8係主要表示圖5之旋轉軸、台座、連接構件、導管、過濾器收容構件及流路形成構件之構造之縱剖面圖。
圖9(a)係圖8之過濾器收容構件及流路形成構件之側面圖。
圖9(b)係自旋轉夾頭之位置觀察圖8之過濾器收容構件及流路形成構件時之平面圖。
圖10(a)及圖10(b)係對旋轉夾頭對於基板之保持動作進行說明的圖。
圖11(a)及圖11(b)係對旋轉夾頭對於基板之保持動作進行說明的圖。
圖12係用以對基板之背面清潔處理進行說明之側面圖。
圖13(a)係用以對基板之背面清潔處理進行說明之側面圖，圖13(b)係用以對基板之背面清潔處理進行說明之平面圖。
圖14係表示背面清潔處理單元之其他構成例之側面圖。
圖15係表示背面清潔處理單元之另一構成例之側面圖。
200‧‧‧旋轉馬達
200h‧‧‧貫通孔
200s‧‧‧馬達支持構件
220‧‧‧台座
240‧‧‧連接構件
250‧‧‧襯墊
290‧‧‧馬達固定部
510‧‧‧板支持構件
520‧‧‧旋轉板
520h‧‧‧開口
600‧‧‧旋轉夾頭
614a、614b‧‧‧磁性板
617a、617b‧‧‧磁鐵升降機構
618‧‧‧防護罩
618a‧‧‧防護罩升降機構
620‧‧‧基板交接機構
621‧‧‧升降旋轉驅動部
622‧‧‧旋轉軸
623‧‧‧臂部
624、710‧‧‧保持銷
630‧‧‧清潔刷
631‧‧‧刷保持構件
632‧‧‧刷移動機構
633‧‧‧清潔噴嘴
635‧‧‧支持軸
700‧‧‧基板保持機構
720‧‧‧支持部
730‧‧‧軸部
790‧‧‧磁鐵
810‧‧‧風扇
820‧‧‧導管
840‧‧‧過濾器收容構件
850‧‧‧流路形成構件
900‧‧‧框體
900b‧‧‧底面
900t‧‧‧頂棚
990‧‧‧排氣裝置
BC‧‧‧背面清潔處理單元
F‧‧‧ULPA過濾器

Claims (8)

  1. 一種基板清潔裝置，其係對基板之下表面進行清潔者，且包括：旋轉構件，其設置為可圍繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉且於中央部具有開口；旋轉驅動裝置，其設置於上述旋轉構件之上側，且使上述旋轉構件旋轉；保持構件，其設置於上述旋轉構件之下側，且於基板之上表面與上述旋轉構件相對向之狀態下保持基板；空氣供給機構，其將空氣經由上述旋轉構件之開口供給至由上述保持構件保持之基板與上述旋轉構件之間；及清潔機構，其對由上述保持構件保持之基板之下表面進行清潔；上述空氣供給機構包含：過濾器；空氣供給部，其將空氣供給至上述過濾器；及空氣路徑，其係構成為將通過上述過濾器之空氣導引至上述旋轉構件之開口。
  2. 如請求項1之基板清潔裝置，其中進而包括框體，該框體係收容上述空氣供給機構之至少一部分、上述旋轉構件、上述旋轉驅動裝置、上述保持構件及上述清潔機構；上述過濾器以使由上述空氣供給部供給之空氣自上方朝下方通過之方式，配置於上述框體內之上部； 上述空氣路徑係構成為將通過上述過濾器之一部分之空氣導引至上述旋轉構件之開口；通過上述過濾器之剩餘之空氣係供給至上述框體內。
  3. 如請求項2之基板清潔裝置，其中上述空氣供給部包含導管，該導管設置於上述過濾器之上側，且將自上述框體之外部供給之空氣導引至上述過濾器。
  4. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述空氣路徑係構成為具有自上述過濾器朝上述旋轉構件之上述開口逐漸減少之剖面積。
  5. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述旋轉驅動裝置具有中空之旋轉軸，該中空之旋轉軸構成上述空氣路徑之一部分且沿著鉛垂方向延伸；上述旋轉構件係以使上述旋轉軸之內部空間經由上述開口而與上述旋轉構件下方之空間連通之方式，設置於上述旋轉軸之下端部。
  6. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述清潔機構包括：清潔具，其用以對由上述保持構件保持之基板之下表面進行清潔；及清潔液供給部，其將清潔液供給至由上述保持構件保持之基板之下表面。
  7. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於曝光裝置之方式配置且對基板進行處理者，且包括：處理部，其用以對基板進行處理；及交接部，其用以於上述處理部與上述曝光裝置之間進 行基板之交接；上述處理部及上述交接部中之至少一者包含對利用上述曝光裝置進行曝光處理前之基板之下表面進行清潔的如請求項1之基板清潔裝置。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述處理部包含感光性膜形成單元，該感光性膜形成單元係以於基板之上表面形成包含感光性材料之感光性膜之方式而構成；上述基板清潔裝置係構成為對利用上述感光成膜形成單元形成感光性膜後且利用上述曝光裝置進行曝光處理前或進行曝光處理後之基板的下表面進行清潔。
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