TWI584359B - 基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置
本發明係關於一種基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置。
為對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
於此種基板處理裝置中，以例如由旋轉夾頭保持著基板之狀態，進行基板之清潔處理。作為旋轉夾頭，有保持基板之外周端部之端面保持式之旋轉夾頭(例如參照日本專利特開2009-260033號公報)。
日本專利特開2009-260033號公報中記載之旋轉夾頭係主要包括旋轉馬達、旋轉軸、旋轉板、遮擋板及複數個保持部。
以自旋轉馬達之內部延伸至下方之方式設置旋轉軸，且於旋轉軸之下端部安裝具有圓板形狀之旋轉板。於旋轉板之下表面安裝具有圓板形狀之遮擋板。以延伸至旋轉板之下方之方式，將複數個保持部安裝於旋轉板之外周緣部。在由複數個保持部保持著基板之狀態下，受到保持之基板之上表面向遮擋板之下表面接近。因旋轉板圍繞鉛垂軸旋轉，而基板以水平姿勢進行旋轉。於該狀態下，藉由刷等而將基板之背面清潔。於背面清潔處理結束後，基板以較高之速度進行旋 轉。藉此，甩掉附著於基板之清潔液，使得基板乾燥。
若於背面清潔處理時及乾燥處理時，基板以較高之速度進行旋轉，則產生自基板之中心部朝向基板之外周端部之氣流，遮擋板與基板之間的空間變成負壓。於該情形時，基板以中央部分向遮擋板接近之方式產生變形。因此，若縮小遮擋板與基板之間的間隔，則存在基板之上表面接觸於遮擋板，基板受到損傷之可能性。因如此原因，故無法縮小遮擋板與基板之間隔。然而，若遮擋板與基板之間隔較大，則存在於背面清潔處理時及乾燥處理時產生之清潔液之霧(微小液滴)或飛散至處理室內之微粒等附著於基板之上表面之可能性。
本發明之目的在於提供一種可防止基板之損傷，並且一面潔淨地保持基板之上表面一面清潔基板之下表面的基板清潔裝置及基板處理裝置。
(1)根據本發明之一態樣之基板清潔裝置係清潔基板之下表面者，且具備：旋轉構件，其係圍繞沿鉛垂方向之旋轉軸線可旋轉地設置；旋轉驅動裝置，其使旋轉構件旋轉；保持構件，其構成為可與旋轉構件一併旋轉，且藉由於旋轉構件之下方抵接於基板之外周端部而保持基板；遮擋構件，其以覆蓋由保持構件保持之基板之上表面上之空間之方式設置於旋轉構件，且於包含旋轉軸線之位置具有開口；流體供給機構，其對由保持構件保持之基板之上表面，通過開口供給流體；及清潔機構，其清潔由保持構件保持之基板之下表面；且遮擋構件包含：對向下表面，其係於開口之周圍與由保持構件保持之基板之上表面對向；及環狀之下端部，其以與由保持構件保持之基板之上表面中之沿外周緣部之環狀區域對向之方式，形成於對向下表面之周圍；且由保持構件保持之基板之上表面與對向下表面之間隔大於由保持構件保持之基板之上表面與下端部之間隔。
於該基板清潔裝置中，於旋轉構件之下方，保持構件藉由抵接於基板之外周端部而保持基板。由保持構件保持之基板之上表面上之空間係由遮擋構件所覆蓋。藉由旋轉驅動裝置而使旋轉構件旋轉，故由保持構件保持之基板與旋轉構件一併旋轉。於該狀態下，通過遮擋構件之開口對基板之上表面供給流體，並藉由清潔機構而清潔基板之下表面。
於該情形時，基板之環狀區域之內側之區域與遮擋構件之對向下表面對向，且基板之環狀區域與遮擋構件之下端部對向。若由保持構件保持之基板旋轉，則由保持構件保持之基板之上表面與遮擋構件之間的環境氣體通過遮擋構件之下端部與基板之上表面之間的間隙，流向基板之側方之空間。藉此，基板之上表面上之空間變成負壓。隨著由保持構件保持之基板之旋轉速度變高，基板之環狀區域之內側之區域以向遮擋構件之對向下表面接近之方式較大地彎曲。
即便此種情形時，基板之上表面與遮擋構件之對向下表面之間隔亦大於基板之上表面與遮擋構件之下端部之間隔，故基板之環狀區域之內側之區域不接觸於遮擋構件之對向下表面。另一方面，保持構件藉由抵接於基板之外周端部而保持基板，故基板之環狀區域不接觸於遮擋構件之下端部。
又，基板之上表面與遮擋構件之下端部之間隔小於基板之上表面與遮擋構件之對向下表面之間隔，故防止處理液之液滴或包含微粒等之環境氣體自基板之上表面與遮擋構件之下端部之間的間隙，流入至與遮擋構件之對向下表面對向之基板之上表面上之空間。
該等之結果，可防止因基板之上表面接觸於遮擋構件造成基板產生損傷，並且一面潔淨地保持基板之上表面一面清潔基板之下表面。
(2)遮擋構件亦可包含：第1構件，其設置於旋轉構件，且具有對 向下表面並且形成有開口；及環狀之第2構件，其具有下端部；且第2構件係以下端部相較第1構件位於下方之方式設置於第1構件，且保持構件設置於第1構件。
於該情形時，保持構件係設置於遮擋構件之第1構件，故無需另行設置用以使保持構件旋轉之構成。藉此，可抑制基板清潔裝置之零件件數之增加。又，可藉由將第2構件設置於第1構件而容易地製作遮擋構件。
(3)第2構件亦可更具有安裝於第1構件之上端部，且第2構件之內周面以自上端部朝向下端部內徑逐漸增加之方式傾斜。
於該情形時，由保持構件保持之基板之上表面與遮擋構件之間的環境氣體沿著第1構件之對向下表面及第2構件之內周面順利地導向遮擋構件之下端部與基板之上表面之間的間隙。其結果，因於基板之上表面上不產生亂流，故確保保持構件對基板之保持狀態之穩定性，並且防止基板之上表面受到亂流之影響。
(4)基板清潔裝置亦可更具備安裝於旋轉構件，且用以支撐保持構件之支撐構件，且遮擋構件包含：第3構件，其設置於支撐構件之下側，具有對向下表面並且形成有開口；及環狀之第4構件，其具有下端部；且第4構件以下端部相較第3構件位於下方之方式設置於第3構件。
於該情形時，藉由支撐構件而支撐保持構件，且於支撐構件之下側設置有第3構件。藉此，可使由保持構件保持之基板之上表面與第3構件之對向下表面之間隔小於基板之上表面與支撐構件之間隔。又，可藉由將第4構件設置於第3構件而容易地製作遮擋構件。
(5)第4構件亦可更具有安裝於第3構件之上端部，且第4構件之內周面以自上端部朝向下端部內徑逐漸增加之方式傾斜。
於該情形時，由保持構件保持之基板之上表面與遮擋構件之間 的環境氣體沿著第3構件之對向下表面及第4構件之內周面順利地導向遮擋構件之下端部與基板之上表面之間的間隙。其結果，於基板之上表面上不產生亂流，故而，確保保持構件對基板之保持狀態之穩定性，並且防止基板之上表面受到亂流之影響。
(6)清潔機構亦可包含清潔由保持構件保持之基板之下表面之刷，且於刷上形成有可抵接於基板之下表面之突出部，且突出部具有朝向上端部逐漸減少之橫截面。
於該情形時，突出部之橫截面係朝向上端部逐漸減少，故於使突出部抵接於基板之下表面之情形時，與使不具有突出部之刷抵住基板之下表面之情形相比，可縮小刷與基板之接觸面積。
藉此，可減小自刷作用於基板之下表面之擠壓力。其結果，防止於基板之下表面之清潔時基板偏移或變形。
又，可縮小刷之與基板之接觸面積，故可減少於基板之下表面之清潔時附著於刷之微粒數。藉此，可減少自刷轉印至基板之微粒數。
進而，由於可縮小刷與基板之接觸面積，故可減小於基板之下表面之清潔時作用於刷與基板之間的摩擦力。藉此，防止由保持構件保持之基板抵抗保持力而偏移。
(7)清潔機構亦可包含朝向由保持構件保持之基板之下表面自下方噴出清潔液之清潔液噴出噴嘴，且基板清潔裝置更具備：清潔機構移動裝置，其使清潔機構於與基板之下表面對向之位置、與不和基板之下表面對向之預先決定之待機位置之間移動；及蓄液構件，其構成為設置於待機位置之上方，且於清潔機構位於待機位置之情形時，容納自清潔機構之清潔液噴出噴嘴噴出之清潔液。
於該情形時，於清潔機構移動裝置使清潔機構自待機位置移動至與基板之下表面對向之位置後，開始進行基板之下表面之清潔。 又，於基板之下表面之清潔結束後，清潔機構移動裝置使清潔機構自與基板之下表面對向之位置移動至待機位置。
於不進行基板之下表面之清潔之期間，上次清潔時所使用之清潔液殘留於清潔液噴出噴嘴之內部。於此種情形時，亦因於待機位置之上方設置有蓄液構件，故可於清潔機構位於待機位置之狀態下，自清潔液噴出噴嘴噴出清潔液。藉由自清潔液噴出噴嘴噴出清潔液，而以新清潔液置換殘留於清潔液噴出噴嘴之內部之清潔液。其結果，可防止於清潔液噴出噴嘴之內部產生細菌。
(8)根據本發明之其他態樣之基板處理裝置係以鄰接於曝光裝置之方式配置且對基板進行處理者，且具備：處理部，其用以對基板進行處理；及交接部，其用以於處理部與曝光裝置之間進行基板之交接；且處理部及交接部中之至少一者包含清潔基板之下表面之上述基板清潔裝置。
於該基板處理裝置中，藉由處理部而對基板進行特定處理，且藉由交接部而於處理部與曝光裝置之間進行基板之交接。處理部及交接部中之至少一者包含上述基板清潔裝置。
於該基板清潔裝置中，可防止因基板之上表面接觸於遮擋構件造成基板產生損傷，並且一面潔淨地保持基板之上表面一面清潔基板之下表面。藉此，可一面防止基板之損傷，一面防止因上表面及下表面受到污染而造成基板產生處理不良。
(9)處理部亦可包含以於基板之上表面形成包含感光性材料之感光性膜之方式構成之感光性膜形成單元，且基板清潔裝置構成為清潔於由感光性膜形成單元形成感光性膜之後且曝光裝置之曝光處理前或曝光處理後之基板之下表面。
於該情形時，藉由基板清潔裝置而將感光性膜形成單元形成感光性膜之後且曝光裝置之曝光處理前或曝光處理後之基板之下表面清 潔。於基板清潔裝置對基板之清潔時，防止基板之上表面接觸於遮擋構件，並且潔淨地保持基板之上表面。藉此，防止形成於基板之上表面之感光性膜之變形及污染。
9‧‧‧裝載區塊
10‧‧‧抗反射膜用處理區塊
11‧‧‧光阻膜用處理區塊
12‧‧‧顯影處理區塊
15‧‧‧介面區塊
16‧‧‧介面區塊
16a‧‧‧基板搬入部
16b‧‧‧基板搬出部
17‧‧‧隔壁
18‧‧‧隔壁
19‧‧‧隔壁
30‧‧‧主控制器(控制部)
40‧‧‧載具載置台
50‧‧‧抗反射膜用塗佈處理部
51‧‧‧旋轉夾頭
52‧‧‧供給噴嘴
60‧‧‧光阻膜用塗佈處理部
61‧‧‧旋轉夾頭
62‧‧‧供給噴嘴
70‧‧‧顯影處理部
71‧‧‧旋轉夾頭
72‧‧‧供給噴嘴
98‧‧‧旋轉夾頭
99‧‧‧光照射器
100‧‧‧抗反射膜用熱處理部
101‧‧‧抗反射膜用熱處理部
110‧‧‧光阻膜用熱處理部
111‧‧‧光阻膜用熱處理部
120‧‧‧顯影用熱處理部
121‧‧‧曝光後烘烤用熱處理部
200‧‧‧旋轉馬達
200h‧‧‧貫通孔
200s‧‧‧馬達支撐構件
210‧‧‧旋轉馬達
270‧‧‧罩蓋固定部
271‧‧‧清潔機構罩蓋
280‧‧‧管固定部
290‧‧‧馬達固定部
400‧‧‧流體供給管
410‧‧‧導管
420‧‧‧氣體供給管
430‧‧‧液體供給管
490‧‧‧供給管固定部
500‧‧‧基板處理裝置
510‧‧‧板支撐構件
510F‧‧‧凸緣
510h‧‧‧板支撐構件之內周面
511‧‧‧螺桿支撐座部
512‧‧‧襯墊固定片
520‧‧‧旋轉板
520o‧‧‧開口
520u‧‧‧旋轉板之下表面
525‧‧‧圓環狀構件
525a‧‧‧圓環狀構件之上端部
525b‧‧‧圓環狀構件之內周面
525c‧‧‧圓環狀構件之下端部
525H‧‧‧高度
526‧‧‧連接構件
527‧‧‧內側遮擋構件
527o‧‧‧開口
527u‧‧‧內側遮擋構件之下表面
528‧‧‧外側遮擋構件
528b‧‧‧外側遮擋構件之內周面
600‧‧‧旋轉夾頭
614a‧‧‧磁板
614b‧‧‧磁板
617a‧‧‧磁力升降機構
617b‧‧‧磁力升降機構
618‧‧‧護罩
618a‧‧‧護罩升降機構
620‧‧‧基板交接機構
621‧‧‧升降旋轉驅動部
622‧‧‧旋轉軸
623‧‧‧臂
624‧‧‧保持銷
630‧‧‧清潔刷
630M‧‧‧清潔機構
630P‧‧‧清潔機構待機位置
631‧‧‧刷保持構件
632‧‧‧刷移動機構
633‧‧‧清潔噴嘴
635‧‧‧支撐軸
639‧‧‧清潔液供給部
640‧‧‧排液部
671‧‧‧上表面
672‧‧‧突出部
672t‧‧‧上端部
700‧‧‧基板保持機構
710‧‧‧保持銷
720‧‧‧支撐部
730‧‧‧軸部
790‧‧‧磁體
900‧‧‧框體
B‧‧‧磁力線
BARC‧‧‧塗佈單元
BC‧‧‧背面清潔處理單元
BS‧‧‧固定構件
C‧‧‧載具
CP‧‧‧冷卻單元(冷卻板)
CR1‧‧‧第1中心機器人
CR2‧‧‧第2中心機器人
CR3‧‧‧第3中心機器人
CR4‧‧‧第4中心機器人
CRH1‧‧‧機械手
CRH2‧‧‧機械手
CRH3‧‧‧機械手
CRH4‧‧‧機械手
CRH5‧‧‧機械手
CRH6‧‧‧機械手
CRH7‧‧‧機械手
CRH8‧‧‧機械手
DE‧‧‧距離
DEV‧‧‧顯影處理單元
DH‧‧‧高度
EEW‧‧‧邊緣曝光部
FR1‧‧‧第1凸緣
FR2‧‧‧第2凸緣
G1‧‧‧間隔
G2‧‧‧間隔
G3‧‧‧間隔
GA‧‧‧間隙
H1‧‧‧機械手
H2‧‧‧機械手
HP‧‧‧加熱單元(加熱板)
IFR‧‧‧介面用搬送機構
IR‧‧‧分度機器人
IRH‧‧‧機械手
LC‧‧‧局部控制器
M‧‧‧記憶體
N‧‧‧北極
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧基板載置部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻單元
R1‧‧‧環狀區域
R2‧‧‧中央區域
RBF‧‧‧回送緩衝部
RES‧‧‧塗佈單元
S‧‧‧南極
SBF‧‧‧進給緩衝部
U1‧‧‧磁板之外側區域
U2‧‧‧磁板之外側區域
W‧‧‧基板
WC‧‧‧基板之中心部
WD‧‧‧寬度
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。
圖2係圖1之基板處理裝置之一概略側視圖。
圖3係圖1之基板處理裝置之另一概略側視圖。
圖4係自圖1之曝光裝置之位置觀察所得之介面區塊之概略側視圖。
圖5係表示背面清潔處理單元之構成之側視圖。
圖6係表示背面清潔處理單元之構成之概略平面圖。
圖7(a)及(b)係表示旋轉夾頭之一例之縱剖面圖。
圖8係自旋轉板之位置觀察圖7(a)之基板所得之平面圖。
圖9係主要表示圖5之流體供給管之結構之縱剖面圖。
圖10(a)係表示圖5之流體供給管之前端部附近之結構之放大縱剖面圖，圖10(b)係自圖10(a)之箭頭YA觀察所得之流體供給管之前端部之平面圖。
圖11(a)及(b)係用以說明旋轉夾頭對基板之保持動作之圖。
圖12(a)及(b)係用以說明旋轉夾頭對基板之保持動作之圖。
圖13係用以對基板之背面清潔處理進行說明之側視圖。
圖14(a)及(b)係用以對基板之背面清潔處理進行說明之側視圖及平面圖。
圖15(a)及(b)係表示旋轉夾頭之其他構成例之縱剖面圖。
圖16(a)~(d)係用以說明圖5之清潔刷之詳細情況之圖。
圖17(a)係主要表示旋轉夾頭及清潔機構之框體內之概略平面圖，圖17(b)係用以說明圖5之清潔機構罩蓋之作用之側視圖。
以下，使用圖式，對本發明之實施形態之基板清潔裝置及具備其之基板處理裝置進行說明。於以下說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等。於本實施形態中，作為基板清潔裝置之一例，說明進行曝光處理前之基板之背面之清潔處理之背面清潔處理單元。
(1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之平面圖。再者，於圖1以及下述圖2~圖4中，為使位置關係明確而標註表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向係於水平面內相互正交，Z方向係相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包含裝載區塊9、抗反射膜用處理區塊10、光阻膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15。又，以鄰接於介面區塊15之方式配置曝光裝置16。於曝光裝置16中，對基板W進行曝光處理。
裝載區塊9包含主控制器(控制部)30、複數個載具載置台40及分度機器人IR。主控制器30控制裝載區塊9、抗反射膜用處理區塊10、光阻膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15之動作。於分度機器人IR，設置有用以交接基板W之機械手IRH。
抗反射膜用處理區塊10包含抗反射膜用熱處理部100、101、抗反射膜用塗佈處理部50及第1中心機器人CR1。抗反射膜用塗佈處理部50係夾隔著第1中心機器人CR1而與抗反射膜用熱處理部100、101對向地設置。於第1中心機器人CR1，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH1、CRH2。
於裝載區塊9與抗反射膜用處理區塊10之間，設置有環境氣體阻 隔用之隔壁17。於該隔壁17，上下近接地設置有用以於裝載區塊9與抗反射膜用處理區塊10之間進行基板W之交接之基板載置部PASS1、PASS2。上側之基板載置部PASS1係於將基板W自裝載區塊9向抗反射膜用處理區塊10搬送時使用，下側之基板載置部PASS2係於將基板W自抗反射膜用處理區塊10向裝載區塊9搬送時使用。
又，於基板載置部PASS1、PASS2設置有檢測有無基板W之光學式感測器(未圖示)。藉此，可進行於基板載置部PASS1、PASS2中是否載置有基板W之判定。又，於基板載置部PASS1、PASS2，設置有經固定設置之複數個支撐銷。再者，上述光學式感測器及支撐銷同樣地亦設置於下述基板載置部PASS3~PASS9。
光阻膜用處理區塊11包含光阻膜用熱處理部110、111、光阻膜用塗佈處理部60及第2中心機器人CR2。光阻膜用塗佈處理部60係夾隔第2中心機器人CR2而與光阻膜用熱處理部110、111對向地設置。於第2中心機器人CR2，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH3、CRH4。
於抗反射膜用處理區塊10與光阻膜用處理區塊11之間，設置有環境氣體阻隔用之隔壁18。於該隔壁18，上下近接地設置有用以於抗反射膜用處理區塊10與光阻膜用處理區塊11之間進行基板W之交接之基板載置部PASS3、PASS4。上側之基板載置部PASS3係於將基板W自抗反射膜用處理區塊10向光阻膜用處理區塊11搬送時使用，下側之基板載置部PASS4係於將基板W自光阻膜用處理區塊11向抗反射膜用處理區塊10搬送時使用。
顯影處理區塊12包含顯影用熱處理部120、曝光後烘烤用熱處理部121、顯影處理部70及第3中心機器人CR3。曝光後烘烤用熱處理部121係鄰接於介面區塊15，且如下所述，具備基板載置部PASS7、PASS8。顯影處理部70係夾隔著第3中心機器人CR3而與顯影用熱處理 部120及曝光後烘烤用熱處理部121對向地設置。於第3中心機器人CR3，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH5、CRH6。
於光阻膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間，設置有環境氣體阻隔用之隔壁19。於該隔壁19，上下近接地設置有用以於光阻膜用處理區塊11與顯影處理區塊12之間進行基板W之交接之基板載置部PASS5、PASS6。上側之基板載置部PASS5係於將基板W自光阻膜用處理區塊11向顯影處理區塊12搬送時使用，下側之基板載置部PASS6係於將基板W自顯影處理區塊12向光阻膜用處理區塊11搬送時使用。
介面區塊15包含進給緩衝部SBF、背面清潔處理單元BC、第4中心機器人CR4、邊緣曝光部EEW、回送緩衝部RBF、載置兼冷卻單元PASS-CP(以下，簡稱為P-CP)、基板載置部PASS9及介面用搬送機構IFR。
背面清潔處理單元BC係進行曝光處理前之基板W之背面之清潔處理(以下，稱為背面清潔處理)。根據該背面清潔處理單元BC，可防止基板W之損傷之產生，並且一面潔淨地保持基板W之上表面一面清潔基板W之下表面。關於背面清潔處理單元BC之詳細情況，於下文進行敍述。
此處，所謂基板W之上表面係指朝向上方之基板W之面，所謂基板W之下表面係指朝向下方之基板W之面。又，所謂基板W之表面係指抗反射膜用處理區塊10及光阻膜用處理區塊11中形成有抗反射膜及光阻膜之面(主面)，所謂基板W之背面係指該表面之相反側之面。於本實施形態之基板處理裝置500之內部，於基板W之表面朝向上方之狀態下，對基板W進行各種處理。
於第4中心機器人CR4，上下地設置有用以交接基板W之機械手CRH7、CRH8(圖4)，且於介面用搬送機構IFR，上下地設置有用以交接基板W之機械手H1、H2(圖4)。關於介面區塊15之詳細情況，於下 文進行敍述。
於本實施形態之基板處理裝置500中，沿Y方向依序並排設置有裝載區塊9、抗反射膜用處理區塊10、光阻膜用處理區塊11、顯影處理區塊12及介面區塊15。
圖2係圖1之基板處理裝置500之一概略側視圖，圖3係圖1之基板處理裝置500之另一概略側視圖。再者，於圖2中，主要表示設置於基板處理裝置500之一側者，於圖3中，主要表示設置於基板處理裝置500之另一側者。
首先，使用圖2，對基板處理裝置500之構成進行說明。如圖2所示，於抗反射膜用處理區塊10之抗反射膜用塗佈處理部50(圖1)，上下地積層配置有3個塗佈單元BARC。各塗佈單元BARC具備以水平姿勢吸附保持著基板W使之旋轉之旋轉夾頭51、及對保持於旋轉夾頭51上之基板W供給抗反射膜之塗佈液之供給噴嘴52。
於光阻膜用處理區塊11之光阻膜用塗佈處理部60(圖1)，上下地積層配置有3個塗佈單元RES。各塗佈單元RES具備以水平姿勢吸附保持著基板W使之旋轉之旋轉夾頭61、及對保持於旋轉夾頭61上之基板W供給光阻膜之塗佈液之供給噴嘴62。
於顯影處理區塊12之顯影處理部70(圖1)，上下地積層配置有5個顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV具備以水平姿勢吸附保持著基板W使之旋轉之旋轉夾頭71、及對保持於旋轉夾頭71上之基板W供給顯影液之供給噴嘴72。
於介面區塊15內之一側方側，配置有邊緣曝光部EEW。邊緣曝光部EEW具備以水平姿勢吸附保持著基板W使之旋轉之旋轉夾頭98、及將保持於旋轉夾頭98上之基板W之外周緣部曝光之光照射器99。
其次，使用圖3，對基板處理裝置500之構成進行說明。如圖3所示，於抗反射膜用處理區塊10之抗反射膜用熱處理部100、101，分別 積層配置有2個加熱單元(加熱板)HP及2個冷卻單元(冷卻板)CP。又，於抗反射膜用熱處理部100、101，在最上部分別配置有控制加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度之局部控制器LC。
於光阻膜用處理區塊11之光阻膜用熱處理部110、111，分別積層配置有2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP。又，於光阻膜用熱處理部110、111，在最上部分別配置有控制加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度之局部控制器LC。
於顯影處理區塊12之顯影用熱處理部120，積層配置有2個加熱單元HP及2個冷卻單元CP，於曝光後烘烤用熱處理部121，上下地積層配置有2個加熱單元HP、2個冷卻單元CP及基板載置部PASS7、PASS8。又，於顯影用熱處理部120及曝光後烘烤用熱處理部121，在最上部分別配置有控制加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度之局部控制器LC。
繼而，使用圖4對介面區塊15進行詳細說明。圖4係自圖1之曝光裝置16之位置觀察所得之介面區塊15之概略側視圖。如圖4所示，於介面區塊15內，在一側方積層配置有進給緩衝部SBF及3個背面清潔處理單元BC。又，於介面區塊15內，在另一側方之上部配置有邊緣曝光部EEW。於邊緣曝光部EEW之更上部，主要配置有控制背面清潔處理單元BC、邊緣曝光部EEW、第4中心機器人CR4及介面用搬送機構IFR之動作之局部控制器LC。局部控制器LC係包含記憶體M。於記憶體M中，記憶有用以控制設置於介面區塊15內之各構成要素之動作之資訊。
於邊緣曝光部EEW之下方，在介面區塊15內之大致中央部上下地積層配置有回送緩衝部RBF、2個載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9。
又，於介面區塊15內之下部，設置有第4中心機器人CR4及介面用搬送機構IFR。第4中心機器人CR4係設置為於進給緩衝部SBF、背 面清潔處理單元BC、邊緣曝光部EEW、回送緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9之間在鉛垂方向上可移動且可旋轉。介面用搬送機構IFR係設置為於回送緩衝部RBF、載置兼冷卻單元P-CP及基板載置部PASS9之間在鉛垂方向上可移動且可旋轉。
(2)基板處理裝置之動作
繼而，一面參照圖1~圖4，一面對本實施形態之基板處理裝置500之動作進行說明。
(2-1)裝載區塊至顯影處理區塊為止之動作
首先，對裝載區塊9至顯影處理區塊12為止之動作進行簡單說明。
於裝載區塊9之載具載置台40上，搬入多段地收納複數片基板W之載具C。分度機器人IR使用機械手IRH將收納於載具C內之未處理之基板W取出。其後，分度機器人IR一面在X方向上移動，一面圍繞與Z方向平行之軸進行旋轉移動，將未處理之基板W載置於基板載置部PASS1。
載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W係由抗反射膜用處理區塊10之第1中心機器人CR1進行接收。第1中心機器人CR1係將該基板W搬入至抗反射膜用熱處理部100、101。
其後，第1中心機器人CR1自抗反射膜用熱處理部100、101中取出完成熱處理之基板W，並將該基板W搬入至抗反射膜用塗佈處理部50。於該抗反射膜用塗佈處理部50中，為減少曝光時產生之駐波或光暈，而藉由塗佈單元BARC於基板W上塗佈形成抗反射膜。
繼而，第1中心機器人CR1自抗反射膜用塗佈處理部50取出完成塗佈處理之基板W，並將該基板W搬入至抗反射膜用熱處理部100、101。其後，第1中心機器人CR1自抗反射膜用熱處理部100、101取出完成熱處理之基板W，將該基板W載置於基板載置部PASS3。
載置於基板載置部PASS3之基板W係由光阻膜用處理區塊11之第2中心機器人CR2接收。第2中心機器人CR2將該基板W搬入至光阻膜用熱處理部110、111。
其後，第2中心機器人CR2自光阻膜用熱處理部110、111取出完成熱處理之基板W，並將該基板W搬入至光阻膜用塗佈處理部60。於該光阻膜用塗佈處理部60中，於藉由塗佈單元RES而塗佈形成有抗反射膜之基板W上塗佈形成光阻膜。
繼而，第2中心機器人CR2自光阻膜用塗佈處理部60將完成塗佈處理之基板W取出，並將該基板W搬入至光阻膜用熱處理部110、111。其後，第2中心機器人CR2自光阻膜用熱處理部110、111將完成熱處理之基板W取出，將該基板W載置於基板載置部PASS5。
載置於基板載置部PASS5之基板W係由顯影處理區塊12之第3中心機器人CR3接收。第3中心機器人CR3將該基板W載置於基板載置部PASS7。
載置於基板載置部PASS7之基板W係由介面區塊15之第4中心機器人CR4接收，且如下所述，於介面區塊15及曝光裝置16中實施特定處理。於介面區塊15及曝光裝置16中對基板W實施特定處理後，藉由第4中心機器人CR4而將該基板W搬入至顯影處理區塊12之曝光後烘烤用熱處理部121。
於曝光後烘烤用熱處理部121中，對基板W進行曝光後烘烤(PEB，postexposure bake)。其後，第4中心機器人CR4自曝光後烘烤用熱處理部121取出基板W，將該基板W載置於基板載置部PASS8。
載置於基板載置部PASS8之基板W係由顯影處理區塊12之第3中心機器人CR3接收。第3中心機器人CR3將該基板W搬入至顯影處理部70。於顯影處理部70中，對經曝光之基板W實施顯影處理。
繼而，第3中心機器人CR3自顯影處理部70將完成顯影處理之基 板W取出，並將該基板W搬入至顯影用熱處理部120。其後，第3中心機器人CR3自顯影用熱處理部120將熱處理後之基板W取出，將該基板W載置於基板載置部PASS6。
載置於基板載置部PASS6之基板W係藉由光阻膜用處理區塊11之第2中心機器人CR2而載置於基板載置部PASS4。載置於基板載置部PASS4之基板W係藉由抗反射膜用處理區塊10之第1中心機器人CR1而載置於基板載置部PASS2。
載置於基板載置部PASS2之基板W係藉由裝載區塊9之分度機器人IR而收納於載具C內。藉此，基板處理裝置500中之基板W之各處理結束。
(2-2)介面區塊之動作
繼而，對介面區塊15之動作進行詳細說明。
如上所述，搬入至裝載區塊9之基板W係於經實施特定處理後，載置於顯影處理區塊12(圖1)之基板載置部PASS7。
載置於基板載置部PASS7之基板W係由介面區塊15之第4中心機器人CR4接收。第4中心機器人CR4將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW(圖4)。於該邊緣曝光部EEW中，對基板W之外周緣部實施曝光處理。
繼而，第4中心機器人CR4自邊緣曝光部EEW將完成邊緣曝光之基板W取出，並將該基板W搬入至背面清潔處理單元BC中之任一者。於背面清潔處理單元BC中，如上所述，對曝光處理前之基板W實施背面清潔處理。
曝光裝置16之曝光處理之時間通常長於其他處理步驟及搬送步驟。其結果，多數情況下曝光裝置16無法接收之後之基板W。於該情形時，基板W暫時收納保管於進給緩衝部SBF(圖4)。於本實施形態中，第4中心機器人CR4自背面清潔處理單元BC將完成背面清潔處理 之基板W取出，並將該基板W搬送至進給緩衝部SBF。
繼而，第4中心機器人CR4將收納保管於進給緩衝部SBF之基板W取出，並將該基板W搬入至載置兼冷卻單元P-CP。搬入至載置兼冷卻單元P-CP之基板W係維持為與曝光裝置16內相同之溫度(例如23℃)。
再者，於曝光裝置16具有充分之處理速度之情形時，亦可不將基板W收納保管於進給緩衝部SBF，而將基板W自背面清潔處理單元BC搬送至載置兼冷卻單元P-CP。
繼而，藉由載置兼冷卻單元P-CP而維持為上述特定溫度之基板W係由介面用搬送機構IFR之上側之機械手H1(圖4)接收，且搬入至曝光裝置16內之基板搬入部16a(圖1)。
於曝光裝置16中經曝光處理之基板W係藉由介面用搬送機構IFR而自基板搬出部16b(圖1)搬出。介面用搬送機構IFR將該基板W載置於基板載置部PASS9。
載置於基板載置部PASS9之基板W係由第4中心機器人CR4接收。第4中心機器人CR4將該基板W搬送至顯影處理區塊12(圖1)之曝光後烘烤用熱處理部121。
再者，於因顯影處理單元DEV(圖2)之故障等，顯影處理區塊12暫時無法接收基板W時，可將曝光處理後之基板W暫時收納保管於回送緩衝部RBF。
(3)背面清潔處理單元
繼而，使用圖式對背面清潔處理單元BC進行詳細說明。圖5及圖6分別為表示背面清潔處理單元BC之構成之側視圖及概略平面圖。於圖6中示意性地表示背面清潔處理單元BC之一部分之構成要素。背面清潔處理單元BC具備具有大致長方體形狀之框體900，且於該框體900之內部設置有以下構成要素。
如圖5及圖6所示，背面清潔處理單元BC具備水平地保持基板W 並使之旋轉之旋轉夾頭600。旋轉夾頭600包含旋轉馬達200、旋轉軸210、具有圓板形狀之旋轉板520、板支撐構件510、圓環狀構件525、磁板614a、614b及複數個基板保持機構700。
於背面清潔處理單元BC之上部設置有旋轉馬達200。旋轉馬達200係由馬達支撐構件200s支撐。於馬達支撐構件200s，形成有沿鉛垂方向延伸之貫通孔200h。馬達支撐構件200s係安裝於馬達固定部290。馬達固定部290係安裝於背面清潔處理單元BC之框體900。
以自旋轉馬達200之內部延伸至下方之方式設置有具有圓筒形狀之旋轉軸210。旋轉軸210係作為旋轉馬達200之輸出軸發揮功能。
於旋轉軸210之下端部安裝有板支撐構件510。如下所述，板支撐構件510具有圓筒形狀。藉由板支撐構件510而水平地支撐旋轉板520。於旋轉板520之下表面520u安裝有圓環狀構件525。旋轉板520及圓環狀構件525之詳細情況係如下所述。藉由利用旋轉馬達200使旋轉軸210進行旋轉，而使板支撐構件510、旋轉板520及圓環狀構件525圍繞鉛垂軸一體地旋轉。於旋轉板520之中央部，形成有圓形開口520o。
於馬達支撐構件200s之貫通孔200h、旋轉馬達200之旋轉軸210之內部、及板支撐構件510之內部，插穿有流體供給管400。可通過流體供給管400，對由旋轉夾頭600保持之基板W上供給液體及氣體。流體供給管400及其周邊構件之結構之詳細情況係如下所述。
於旋轉板520之外周緣部，以旋轉軸210為中心，等角度間隔地設置有複數個(圖6中為5個)基板保持機構700。基板保持機構700之個數較理想為5個以上。關於其原因下文進行敍述。
各基板保持機構700主要包括保持銷710、支撐部720、軸部730及磁體790。於旋轉板520設置有支撐部720。於支撐部720之內部可旋轉地支撐有軸部730。於軸部730之下端部，安裝有具有大致圓柱形狀 之保持銷710。於軸部730之上端部安裝有磁體790。
各基板保持機構700可切換為保持銷710抵接於基板W之外周端部之關閉狀態、及保持銷710與基板W之外周端部分離之打開狀態。於本例中，於磁體790之N(北)極位於內側之情形時，各基板保持機構700成為關閉狀態，於磁體790之S(南)極位於內側之情形時，各基板保持機構700成為打開狀態。再者，於圖6中，為使基板保持機構700中之保持銷710與軸部730之位置關係明確，而省略支撐部720及磁體790之圖示。
於旋轉板520之上方，沿著以旋轉軸210為中心之周方向配置有磁板614a、614b。磁板614a、614b係於外側具有S極，且於內側具有N極。磁板614a、614b藉由磁力升降機構617a、617b而分別獨立地升降，且於比基板保持機構700之磁體790高之上方位置、與高度和基板保持機構700之磁體790大致相等之下方位置之間進行移動。
藉由磁板614a、614b之升降，而將各基板保持機構700切換為打開狀態及關閉狀態。關於磁板614a、614b及基板保持機構700之動作之詳細情況，於下文進行敍述。
於旋轉夾頭600之外側，設置有用以阻擋基板W之背面清潔處理時及乾燥處理時自基板W飛散之清潔液之護罩618。護罩618具有相對於旋轉夾頭600之旋轉軸210旋轉對稱之形狀。又，護罩618係藉由護罩升降機構618a而升降。由護罩618阻擋之清潔液係由未圖示之排液裝置或回收裝置進行排液或回收。
於護罩618之外側，以旋轉夾頭600之旋轉軸210為中心，等角度間隔地配置有3個以上(本例中為3個)之基板交接機構620。各基板交接機構620包含升降旋轉驅動部621、旋轉軸622、臂623及保持銷624。以自升降旋轉驅動部621延伸至上方之方式，設置有旋轉軸622，以自旋轉軸622之上端部在水平方向上延伸之方式連結有臂 623。於臂623之前端部，設置有用以保持基板W之外周端部之保持銷624。
藉由升降旋轉驅動部621，旋轉軸622進行升降動作及旋轉動作。藉此，保持銷624在水平方向及鉛垂方向上移動。
又，如圖5所示，於背面清潔處理單元BC之下部，配置有清潔刷630。清潔刷630係安裝於支撐軸635之上端部。支撐軸635之下端部係安裝於刷保持構件631上。刷保持構件631係由刷移動機構632驅動。藉此，清潔刷630在水平方向及鉛垂方向上移動。
於清潔刷630附近之刷保持構件631之部分安裝有清潔噴嘴633。清潔噴嘴633係通過清潔液供給管(未圖示)，連接於設置在框體900之內部之清潔液供給部639。清潔液供給部639係連接於工廠內之清潔液供給源。清潔液供給部639包含控制閥等，且例如由設置於介面區塊15之局部控制器LC(圖4)控制。
清潔噴嘴633之噴出口係朝向清潔刷630之周邊，且自噴出口朝向清潔刷630之周邊噴出清潔液。再者，於本例中，使用純水作為清潔液。於以下說明中，將包含清潔刷630、支撐軸635及清潔噴嘴633之構成要素稱為清潔機構630M。
於框體900之內部，在護罩618之外側，設定有用以於不進行基板W之背面清潔處理之期間使清潔機構630M待機之清潔機構待機位置630P。於清潔機構待機位置630P之上方，以容納自於清潔機構待機位置630P待機之清潔機構630M之清潔噴嘴633噴出之純水之方式，設置有清潔機構罩蓋271。清潔機構罩蓋271係安裝於罩蓋固定部270。罩蓋固定部270係安裝於背面清潔處理單元BC之框體900。關於清潔機構罩蓋271之詳細情況，於下文進行敍述。
於清潔機構待機位置630P之下方，設置有用以將由清潔機構罩蓋271阻擋之清潔液排出至基板處理裝置500之外部之排液部640。排 液部640係連接於工廠內之排液設備。
(4)旋轉夾頭之一例
圖7(a)、(b)係表示旋轉夾頭600之一例之縱剖面圖。於圖7(a)中，一併地表示旋轉夾頭600之縱剖面圖、及旋轉板520未旋轉之狀態下保持之基板W。另一方面，於圖7(b)中，一併地表示旋轉夾頭600之縱剖面圖、及旋轉板520以例如600rpm以上之旋轉速度旋轉之狀態下保持之基板W。
首先，說明圓環狀構件525之結構。如圖7(a)所示，本例之圓環狀構件525係於鉛垂方向上具有固定之高度525H。圓環狀構件525之上端部525a係安裝於旋轉板520之下表面520u。以圓環狀構件525之內徑自上端部525a朝向下端部525c而直徑逐漸變大之方式，圓環狀構件525之內周面525b連續地傾斜。
圖8係自旋轉板520之位置觀察圖7(a)之基板W所得之平面圖。如圖7(a)及圖8所示，圓環狀構件525之下端部525c係以與由旋轉夾頭600保持之基板W之上表面中之沿外周緣部之環狀區域R1對向之方式形成。於本例中，環狀區域R1係設定於基板W之上表面中相距外周端部固定寬度WD之區域。
於基板W之直徑為300mm之情形時，寬度WD設定為例如10mm以上、15mm以下。寬度WD亦可設定為與基板W之外周緣部中之晶片(chip)之非形成區域之寬度大致相等。
再者，環狀區域R1位於基板W之上表面中相距外周端部固定寬度WD之區域內即可。例如，亦可設定於自基板W之上表面中之與外周端部相隔微小距離之位置朝向內側為特定寬度之區域。
(5)圖7(a)、(b)之旋轉板及圓環狀構件之效果
(5-1)如上所述，以圓環狀構件525之下端部525c相較旋轉板520位於下方之方式，將圓環狀構件525安裝於旋轉板520之下表面520u。 於該情形時，由旋轉夾頭600保持之基板W之上表面與旋轉板520之下表面520u之間隔G2變得大於基板W之上表面與圓環狀構件525之下端部525c之間隔G1。
於基板W之直徑為300mm之情形時，圓環狀構件525之高度525H設定為例如間隔G1為1mm左右，且間隔G2為18mm左右。
如圖7(b)及圖8所示，若保持基板W之旋轉夾頭600以例如600rpm以上之旋轉速度進行旋轉，則基板W之上表面中之環狀區域R1之內側之區域(以下，稱為中央區域)R2上之環境氣體通過圓環狀構件525之下端部525c與基板W之環狀區域R1之間的間隙，朝向基板W之側方之空間流出。藉此，基板W之中央區域R2上之空間變成負壓，基板W以中央區域R2向旋轉板520之下表面520u接近之方式彎曲。
於基板W之直徑為300mm，且旋轉夾頭600以2000rpm以上之旋轉速度進行旋轉之情形時，鉛垂方向上之基板W之中心部WC之上表面位置與基板W之外周緣部之上表面位置之間的距離DE為例如1.5mm。
於本例之旋轉夾頭600中，基板W之中央區域R2與旋轉板520之下表面520u之間隔G2充分地大於基板W之環狀區域R1與圓環狀構件525之下端部525c之間隔G1，故而，基板W之中央區域R2不接觸於旋轉板520。另一方面，基板W係藉由保持銷710抵接於外周端部而得到保持，故基板W之環狀區域R1不接觸於圓環狀構件525之下端部525c。
又，於本例之旋轉夾頭600中，基板W之環狀區域R1與圓環狀構件525之下端部525c之間隔G1設定為充分地小於基板W之中央區域R2與旋轉板520之下表面520u之間隔G2。藉此，防止於下述基板W之背面清潔處理時及乾燥處理時，包含清潔液之霧及微粒等之環境氣體自基板W之環狀區域R1與圓環狀構件525之下端部525c之間的間隙流入 至基板W之中央區域R2上之空間。
該等之結果，可防止因基板W之上表面接觸於旋轉夾頭600造成基板W產生損傷，並且一面潔淨地保持基板W之上表面一面清潔基板W之下表面。
(5-2)於本例中，由旋轉夾頭600保持之基板W之上表面上之空間係由旋轉板520及圓環狀構件525所覆蓋。此處，基板保持機構700係設置於旋轉板520。因此，不僅無需另行設置用以覆蓋基板W之上表面上之空間之構成，而且無需另行設置用以使基板保持機構700與旋轉軸210一併旋轉之構成。藉此，抑制背面清潔處理單元BC之零件件數之增加。又，可藉由將圓環狀構件525安裝於旋轉板520，而容易地製作用以覆蓋基板W之上表面上之空間之構成。
(5-3)如上所述，本例之圓環狀構件525之內周面525b係連續地傾斜。於該情形時，基板W之中央區域R2上之環境氣體係沿著旋轉板520之下表面520u及圓環狀構件525之內周面525b順利地導向圓環狀構件525之下端部525c與基板W之上表面之間隙。其結果，於基板W之上表面上不產生亂流，故而，可確保旋轉夾頭600對基板W之保持狀態之穩定性，並且防止形成於基板W之上表面之光阻膜受到亂流之影響。
再者，亦可以圓環狀構件525之內徑自上端部525a朝向下端部525c而直徑逐漸變大之方式，將圓環狀構件525之內周面525b形成為階梯狀。亦於該情形時，可獲得與上述相同之效果。
於本實施形態中，圓環狀構件525之內周面525b亦可不形成為以圓環狀構件525之內徑自上端部525a朝向下端部525c直徑逐漸變大。於該情形時，圓環狀構件525之構成變得簡化。
(6)流體供給管之詳細情況
一面參照圖9及圖10，一面對圖5之流體供給管400及其周邊構件 之結構之詳細情況進行說明。圖9係主要表示圖5之流體供給管400之結構之縱剖面圖。圖10(a)係表示圖5之流體供給管400之前端部附近之結構之放大縱剖面圖，圖10(b)係自圖10(a)之箭頭YA觀察所得之流體供給管400之前端部之平面圖。
如上所述，流體供給管400係插穿於馬達支撐構件200s、旋轉馬達200、旋轉軸210及板支撐構件510。
如圖9所示，流體供給管400係於馬達支撐構件200s之上方彎曲，且在水平方向上延伸。於以下說明中，將在鉛垂方向上延伸之直管部之端部稱為前端部，將在水平方向上延伸之直管部之端部稱為後端部。
於流體供給管400中，在鉛垂方向上延伸之直管部之彎曲部附近，一體形成有第1凸緣FR1。又，於後端部一體形成有第2凸緣FR2。
第1凸緣FR1係固定於馬達支撐構件200s，第2凸緣FR2係固定於管固定部280。管固定部280係安裝於背面清潔處理單元BC之框體900。藉此，流體供給管400藉由管固定部280、馬達支撐構件200s及馬達固定部290而固定於背面清潔處理單元BC之框體900。
如圖10(a)、(b)所示，流體供給管400具有將氣體供給管420及液體供給管430收容於導管410之內部之結構。氣體供給管420係用於對基板W供給氣體(於本例中為N2氣體)。液體供給管430係用於對基板W供給液體。
如圖10(a)所示，氣體供給管420係以其前端部自旋轉板520之開口520o略微突出至下方之方式設置。藉此，可確實地將N2氣體供給至遮擋板525與基板W之間。同樣地，液體供給管430係以其前端部自旋轉板520之開口520o略微突出至下方之方式設置。藉此，可確實地將液體供給至遮擋板525與基板W之間。
對流體供給管400之前端部之周邊構件進行說明。於本例中，於流體供給管400安裝於圖9之馬達支撐構件200s及管固定部280之狀態下，在旋轉軸210與導管410之間形成有間隙GA。
於流體供給管400之前端部附近，在旋轉軸210安裝有具有大致圓筒形狀之板支撐構件510。板支撐構件510之內周面510h係沿著中心軸形成為階梯狀。
於將板支撐構件510安裝於旋轉軸210時，將圓筒形狀之襯墊固定片512嵌入至板支撐構件510之內周面510h與旋轉軸210之外周面之間的間隙，將襯墊固定片512螺固於板支撐構件510之螺桿支撐座部511。藉此，板支撐構件510確實地固定於旋轉軸210之前端部。
於板支撐構件510之下端部附近，形成有凸緣510F。藉由將凸緣510F與旋轉板520螺固，而將旋轉板520固定於旋轉軸210。
如圖9所示，於流體供給管400之後端部，如上所述形成有第2凸緣FR2。而且，第2凸緣FR2係固定於管固定部280。又，於流體供給管400之後端部附近，設置有供給管固定部490。於供給管固定部490，將氣體供給管420及液體供給管430固定於導管410。
氣體供給管420及液體供給管430係分別自導管410之後端部延伸至外部。自導管410之後端部延伸之氣體供給管420之後端部係連接於未圖示之氣體供給裝置。藉由將N2氣體自氣體供給裝置供給至氣體供給管420，而對基板W供給N2氣體。自導管410之後端部延伸之液體供給管430之後端部係連接於未圖示之液體供給裝置。藉由將液體自液體供給裝置供給至液體供給管430，而對基板W之上表面供給液體。於本實施形態中，亦可不設置液體供給管430。
(7)基板之保持動作
對於旋轉夾頭600對基板W之保持動作進行說明。圖11及圖12係用以說明旋轉夾頭600對基板W之保持動作之圖。
首先，如圖11(a)所示，護罩618係移動至比基板保持機構700低之位置。而且，複數個基板交接機構620(圖5)之保持銷624係通過護罩618之上方移動至旋轉板520之下方。於複數個保持銷624上，藉由第4中心機器人CR4(圖1)而載置有基板W。
此時，磁板614a、614b係位於上方位置。於該情形時，磁板614a、614b之磁力線B於基板保持機構700之磁體790之高度自內側朝向外側。藉此，將各基板保持機構700之磁體790之S極吸引至內側。因此，各基板保持機構700成為打開狀態。
繼而，如圖11(b)所示，複數個保持銷624於保持著基板W之狀態下上升。藉此，基板W於複數個基板保持機構700之保持銷710之間移動。
繼而，如圖12(a)所示，磁板614a、614b移動至下方位置。於該情形時，各基板保持機構700之磁體790之N極被吸引至內側。藉此，各基板保持機構700成為關閉狀態，藉由各基板保持機構700之保持銷710而保持基板W之外周端部。再者，各基板保持機構700於鄰接之保持銷624間保持基板W之外周端部。因此，基板保持機構700與保持銷624不相互干涉。其後，複數個保持銷624移動至護罩618之外側。
繼而，如圖12(b)所示，護罩618移動至包圍由基板保持機構700保持之基板W之高度。繼之，進行基板W之背面清潔處理。
(8)背面清潔處理
圖13及圖14係用以對基板W之背面清潔處理進行說明之側視圖。
如圖13所示，於基板W之背面清潔處理時，藉由旋轉夾頭600而使基板W旋轉，並且通過氣體供給管420對遮擋板525與基板W之間供給N2氣體。藉此，於遮擋板525與基板W之間，形成自基板W之中心部上朝向外側之N2氣體之氣流。再者，於背面清潔處理時，將由旋轉夾頭600保持之基板W之旋轉速度設定為例如600rpm左右。
於該狀態下，清潔刷630接觸於基板W之下表面。而且，清潔刷630於基板W之中心部下方與外周緣部下方之間移動，接觸於基板W之下表面之整個區域。對於基板W與清潔刷630之接觸部分，自清潔噴嘴633供給純水。藉此，基板W之下表面整體由清潔刷630進行清潔，從而將附著於基板W之下表面之污染物去除。
繼而，如圖14(a)所示，磁板614a係配置於下方位置，磁板614b係配置於上方位置。於該情形時，如圖14(a)、(b)所示，於磁板614a之外側區域U1(圖14(b))中，各基板保持機構700成為關閉狀態，於磁板614b之外側區域U2(圖14(b))中，各基板保持機構700成為打開狀態。即，各基板保持機構700之保持銷710係於通過磁板614a之外側區域U1時在接觸於基板W之外周端部之狀態下得到維持，且於通過磁板614b之外側區域U2時，與基板W之外周端部分離。
因此，於磁板614b之外側區域U2中，可藉由清潔刷630而清潔基板W之外周端部之下表面側之部分。
再者，於本例中，5個基板保持機構700中之至少4個基板保持機構700係位於磁板614a之外側區域U1。於該情形時，即便各基板保持機構700之保持銷710於通過磁板614b之外側區域U2時與基板W之外周端部分離，亦藉由至少4個基板保持機構700來保持基板W。藉此，確保基板W之保持狀態之穩定性。
於背面清潔處理結束後，將磁板614a、614b配置於下方位置，由所有基板保持機構700保持基板W。於該狀態下，基板W藉由旋轉夾頭600而以更高之速度(例如2000rpm~2400rpm左右)進行旋轉。藉此，甩掉附著於基板W之純水，將基板W乾燥(乾燥處理)。
於本實施形態之背面清潔處理單元BC中，設置有用以對基板W供給液體之液體供給管430。因此，可藉由於背面清潔處理時通過液體供給管430對基板W之上表面供給液體(例如純水)，而同時地清潔基 板W之下表面與上表面。
(9)旋轉夾頭之其他例
繼而，對旋轉夾頭600之其他例進行說明。圖15(a)、(b)係表示旋轉夾頭600之其他構成例之縱剖面圖。於圖15(a)中，一併地表示旋轉夾頭600之縱剖面圖、及於旋轉板520未旋轉之狀態下保持之基板W。另一方面，於圖15(b)中，一併地表示旋轉夾頭600之縱剖面圖、及於旋轉板520以較高之速度進行旋轉之狀態下保持之基板W。
以下，關於本例之旋轉夾頭600，對與圖7(a)、(b)之旋轉夾頭600不同之方面進行說明。如圖15(a)所示，本例之旋轉夾頭600包含具有圓筒形狀之連接構件526、具有圓板形狀之內側遮擋構件527及圓環狀之外側遮擋構件528而代替圖7(a)、(b)之圓環狀構件525。
連接構件526之內徑係與旋轉板520之開口520o之內徑相等，連接構件526之外徑係充分地小於旋轉板520之外徑。
以連接構件526之軸心與旋轉板520之中心軸一致之方式，將連接構件526之上端部安裝於旋轉板520之下表面。進而，於連接構件526之下端部安裝有內側遮擋構件527。於內側遮擋構件527之中央部，形成有具有與旋轉板520之開口520o相等之內徑之開口527o。
藉此，於內側遮擋構件527夾隔著連接構件526而連接於旋轉板520之下表面之狀態下，板支撐構件510之內部空間通過旋轉板520之開口520o、連接構件526之內部及內側遮擋構件527之開口527o而與內側遮擋構件527之下方之空間連通。
內側遮擋構件527之外徑係大於連接構件526之外徑，且小於由旋轉夾頭600保持之基板W之外徑。
以自內側遮擋構件527朝向下方之方式，於內側遮擋構件527之外周緣部安裝外側遮擋構件528。以外側遮擋構件528之內徑自上端部朝向下端部而直徑逐漸變大之方式，外側遮擋構件528之內周面528b 之一部分連續地傾斜。
外側遮擋構件528之下端部係以與由旋轉夾頭600而保持基板W之基板W之上表面中之沿外周緣部之環狀區域R1對向之方式形成。
(10)圖15(a)、(b)之內側遮擋構件及外側遮擋構件之效果
(10-1)如上所述，以外側遮擋構件528之下端部相較內側遮擋構件527位於下方之方式，將外側遮擋構件528安裝於內側遮擋構件527。藉此，由旋轉夾頭600保持之基板W之中央區域R2與內側遮擋構件527之下表面527u之間隔G3大於基板W之環狀區域R1與外側遮擋構件528之下端部之間隔G1。
於基板W之直徑為300mm之情形時，連接構件526之高度、內側遮擋構件527之厚度及外側遮擋構件528之高度設定為例如間隔G1為1mm左右，且間隔G3為2.5mm左右。
如此般，即便本例之旋轉夾頭600中，基板W之中央區域R2與內側遮擋構件527之下表面527u之間隔G3亦大於基板W之環狀區域R1與外側遮擋構件528之下端部之間隔G1，故而，基板W之中央區域R2不接觸於內側遮擋構件527。另一方面，基板W係藉由保持銷710抵接於外周端部而得到保持，故而，基板W之環狀區域R1不接觸於外側遮擋構件528之下端部。
又，亦於本例之旋轉夾頭600中，將基板W之環狀區域R1與外側遮擋構件528之下端部之間隔G1設定為充分地小於基板W之中央區域R2與內側遮擋構件527之下表面527u之間隔G3。藉此，防止於基板W之背面清潔處理時及乾燥處理時，包含清潔液之霧及微粒等之環境氣體自基板W之環狀區域R1與外側遮擋構件528之下端部之間的間隙流入至基板W之中央區域R2上之空間。
該等之結果，即便本例中，亦可防止因基板W之上表面接觸於旋轉夾頭600造成基板W產生損傷，並且一面潔淨地保持基板W之上表 面，一面清潔基板W之下表面。
(10-2)於本例中，於旋轉板520之下側設置有內側遮擋構件527。藉此，可使由旋轉夾頭600保持之基板W之上表面與內側遮擋構件527之間隔小於基板W之上表面與旋轉板520之間隔。又，可藉由將外側遮擋構件528安裝於內側遮擋構件527，而容易地製作用以覆蓋基板W之上表面上之空間之構成。
(10-3)如上所述，外側遮擋構件528之內周面528b之一部分係連續地傾斜。於該情形時，基板W之中央區域R2上之環境氣體沿著內側遮擋構件527之下表面527u及外側遮擋構件528之內周面528b順利地導向外側遮擋構件528之下端部與基板W之上表面之間隙。其結果，於基板W之上表面上不產生亂流，故確保旋轉夾頭600對基板W之保持狀態之穩定性，並且防止形成於基板W之上表面之光阻膜受到亂流之影響。
再者，亦可以外側遮擋構件528之內徑自上端部朝向下端部而直徑逐漸變大之方式，將外側遮擋構件528之內周面528b形成為階梯狀。於該情形時，亦可獲得與上述相同之效果。
再者，外側遮擋構件528之內周面528b亦可不必以外側遮擋構件528之內徑自上端部朝向下端部而直徑逐漸變大之方式形成。於該情形時，外側遮擋構件528之構成變得簡化。
(11)清潔刷之詳細情況
圖16係用以說明圖5之清潔刷630之詳細情況之圖。圖16(a)中表示清潔刷630之外觀立體圖。如圖16(a)所示，於具有圓柱形狀之固定構件BS上安裝有清潔刷630。清潔刷630係包含圓形上表面671及自該上表面671朝向上方之突出部672。於基板W之背面清潔處理時，藉由清潔刷630之突出部672抵接於基板W之下表面，而清潔基板W之下表面。
突出部672係以沿著通過清潔刷630之上表面671之中心自外周端部之一側方朝向另一側方之直線延伸之方式形成。
圖16(b)中表示圖16(a)之K-K線上之清潔刷630之縱剖面圖。如圖16(b)所示，突出部672具有朝向上端部672t逐漸減少之橫截面。清潔刷630為例如包含聚乙烯醇之海綿刷。
於基板W之背面清潔處理前，以突出部672之上端部672t朝向清潔刷630之下端部收縮相當於預先決定之高度DH之方式，決定清潔刷630相對於基板W之下表面之相對鉛垂方向之位置(以下，稱為鉛垂方向清潔位置)。經決定之鉛垂方向清潔位置係記憶於設置於介面區塊15之局部控制器LC之記憶體M中(圖4)。於基板W之背面清潔處理時，基於記憶於記憶體M中之鉛垂方向清潔位置，控制圖5之刷移動機構632之動作。高度DH為例如1mm。
於基板W之背面清潔處理時，若自清潔刷630作用於基板W之下表面之擠壓力較大，則存在將由旋轉夾頭600保持之基板W局部地頂起，從而基板W偏移或變形之可能性。又，若自清潔刷630作用於基板W之下表面之擠壓力較大，則存在因清潔刷630較強地抵住基板W導致基板W產生損傷之可能性。因此，較佳為，使自清潔刷630作用於基板W之下表面之擠壓力儘可能變小。
於圖16(c)中，表示背面清潔處理時之清潔刷630之外觀立體圖，且圖16(d)中表示背面清潔處理時不具有突出部672之清潔刷690之外觀立體圖。於圖16(c)、(d)中，以影線表示清潔刷630、690中之與基板W之接觸面。
如圖16(c)所示，清潔刷630中之與基板W之接觸面之面積小於清潔刷690中之與基板W之接觸面之面積。因此，於圖16(b)之高度DH固定之情形時，自清潔刷630作用於基板W之下表面之擠壓力小於自清潔刷690作用於基板W之下表面之擠壓力。藉此，防止於基板W之背 面清潔處理時由旋轉夾頭600保持之基板W偏移或變形。又，防止清潔刷630較強地抵住基板W，從而防止基板W之損傷。
如上所述，清潔刷630中之與基板W之接觸面之面積小於清潔刷690中之與基板W之接觸面之面積小。因此，於基板W之背面清潔處理時，可使附著於清潔刷630之微粒數小於附著於清潔刷690之微粒數。藉此，可減少自清潔刷630轉印至基板W之微粒數。
進而，於基板W之背面清潔處理時，作用於清潔刷630與基板W之間之摩擦力變得小於作用於清潔刷690與基板W之間之摩擦力。因此，防止由旋轉夾頭600保持之基板W抵抗複數個保持銷710之保持力而偏移。
聚乙烯醇具有較高之柔軟性。因此，於使用包含聚乙烯醇之清潔刷630之情形時，可使自清潔刷630作用於基板W之下表面之擠壓力充分地變小。再者，作為清潔刷630之材料，不僅可使用聚乙烯醇以外，而且亦可使用聚胺基甲酸酯或尼龍等具有柔軟性之材料。
(12)清潔機構罩蓋
圖17(a)係主要表示旋轉夾頭600及清潔機構630M之框體900內之概略平面圖，圖17(b)係用以說明圖5之清潔機構罩蓋271之作用之側視圖。再者，於圖17(b)中，以虛線表示圖5及圖17(a)之罩蓋固定部270。又，於圖17(b)，以方塊圖一併地表示罩蓋固定部270、清潔機構罩蓋271及清潔機構630M之側視圖，以及圖4之局部控制器LC及圖5之清潔液供給部639之構成。
如圖17(a)中一點鏈線所示，於不進行基板W之背面清潔處理期間，清潔機構630M於近接於框體900內之一側壁之預先決定之清潔機構待機位置630P成為待機狀態。
刷移動機構632驅動刷保持構件631。藉此，如圖17(a)中粗實線所示，於由旋轉夾頭600保持之基板W之下方，清潔機構630M朝向基 板W之中心部移動。
繼而，清潔刷630抵接於基板W之下表面，開始實施基板W之背面清潔處理。其後，清潔機構630M自基板W之中心部朝向外周端部移動。於清潔刷630接觸於基板W之下表面之期間，自清潔噴嘴633朝向基板W之下表面噴出清潔液(本例中為純水)。藉此，清潔基板W之下表面。
繼而，若清潔機構630M到達至基板W之外周端部，則停止來自清潔噴嘴633之清潔液噴出，使清潔機構630M移動至清潔機構待機位置630P為止。其後，清潔機構630M於清潔機構待機位置630P再次成為待機狀態，直至開始實施下一基板W之背面清潔處理為止。
如圖17(b)所示，於清潔機構待機位置630P之上方位置配置有清潔機構罩蓋271。如上所述，於清潔機構待機位置630P之上方，以容納自於清潔機構待機位置630P待機之清潔機構630M之清潔噴嘴633噴出之純水之方式，設置有清潔機構罩蓋271。藉此，於清潔機構待機位置630P自清潔機構630M之清潔噴嘴633噴出清潔液之情形時，所噴出之清潔液由清潔機構罩蓋271阻擋，而導向圖5之排液部640。
如圖5及圖17(b)所示，於清潔機構630M中，清潔噴嘴633之前端部於朝向上方之狀態下被保持。因此，於不進行基板W之背面清潔處理之期間，上次背面清潔處理時使用之清潔液之一部分殘留於清潔噴嘴633之內部。
於基板處理裝置500長期地(例如3日以上)停止之情形時，存在於殘留於清潔噴嘴633之清潔液中產生細菌之可能性。因此，於本實施形態中，藉由設置於介面區塊15之局部控制器LC(圖4)控制清潔液供給部639，而於背面清潔處理結束之時間點至開始下一背面清潔處理為止之期間，每次經過固定時間(例如24小時)，則於清潔機構待機位置630P自清潔噴嘴633噴出清潔液。
於該情形時，即便於基板處理裝置500長期地停止之情況下，亦每次經過固定時間，則以新清潔液置換殘留於清潔噴嘴633之內部之清潔液。其結果，防止於清潔噴嘴633之內部產生細菌。
於清潔機構待機位置630P自清潔噴嘴633噴出清潔液之時序並不限於上述例。例如，亦可於即將開始基板W之背面清潔處理之前，於清潔機構待機位置630P自清潔噴嘴633噴出清潔液。於該情形時，於即將進行背面清潔處理之前，以新清潔液置換殘留於清潔噴嘴633之內部之清潔液。藉此，於背面清潔處理開始時，可對基板W之下表面供給潔淨之清潔液。
於本例中，將清潔液供給部639設置於背面清潔處理單元BC之框體900之內部，但亦可設置於背面清潔處理單元BC之外部。
又，於本例中，設置於介面區塊15之局部控制器LC(圖4)控制清潔液供給部639。並不限於此，亦可代替局部控制器LC而由圖1之主控制器30控制清潔液供給部639。
(13)其他實施形態
(13-1)於上述實施形態中，流體供給管400具有將氣體供給管420及液體供給管430收容於導管410之內部之結構。並不限於此，當於背面清潔處理時無需對基板W之上表面供給清潔液之情形時，亦可僅將氣體供給管420收容於導管410之內部。又，於對基板W之上表面僅供給清潔液之情形時，亦可僅將液體供給管430收容於導管410之內部。
(13-2)於背面清潔處理單元BC中，基板W之下表面及外周端部亦可不必藉由清潔刷630進行清潔。於背面清潔處理單元BC中，亦可不使清潔刷630接觸於基板W之下表面，而自清潔噴嘴633對基板W之下表面之整個區域供給純水等清潔液，藉此，進行背面清潔處理。
(13-3)於上述實施形態中，背面清潔處理單元BC係配置於介面區塊15內，但背面清潔處理單元BC亦可配置於圖1所示之抗反射膜用處 理區塊10、光阻膜用處理區塊11及顯影處理區塊12中之任一區塊內。或者，亦可將包含背面清潔處理單元BC之背面清潔處理區塊設置於圖1所示之顯影處理區塊12與介面區塊15之間。
(13-4)於上述曝光裝置16中，既可使用液浸法對基板W進行曝光處理，亦可利用除液浸法以外之方法對基板W進行曝光處理。於該等情形時，防止基板W之表面之污染、及因基板W之背面污染造成處理不良之產生。
(13-5)於上述實施形態中，背面清潔處理單元BC係將於形成光阻膜後且曝光裝置16之曝光處理前之基板W之下表面進行清潔。並不限於此，背面清潔處理單元BC亦可於形成光阻膜後，清潔曝光裝置16之曝光處理後之基板W之下表面。
(13-6)背面清潔處理單元BC亦可用作使用化學藥液清潔基板之化學藥液清潔裝置。所謂化學藥液係指例如BHF(Buffered Hydrofluoric Acid，緩衝氫氟酸)、DHF(Dilute Hydrofluoric Acid，稀氫氟酸)、氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸、過氧化氫水或者氨等之水溶液、或者其等之混合溶液。又，所謂淋洗液係指例如純水、碳酸水、臭氧水、磁水、還原水(氫水)或者離子水、或者IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)等有機溶劑。
(13-7)於背面清潔處理單元BC中，亦可安裝用以使清潔刷630圍繞鉛垂軸旋轉之馬達，而代替支撐清潔刷630之支撐軸635。於該情形時，於基板W之背面清潔處理時，可藉由於清潔刷630旋轉之狀態下使該清潔刷630抵接於基板W之下表面，而有效地清潔基板W之下表面。
(13-8)於上述例中，對將背面清潔處理單元BC設置於基板處理裝置500之情況進行了說明，但並不限於此，亦可將背面清潔處理單元BC設置於其他基板處理裝置，或者亦可單獨地使用背面清潔處理單 元BC。
(14)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應
以下，對於技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
於上述實施形態中，基板W為基板之例，背面清潔處理單元BC為基板清潔裝置之例，旋轉軸210及板支撐構件510為旋轉構件之例，旋轉馬達200為旋轉驅動裝置之例，基板保持機構700之保持銷710為保持構件之例。
又，圖7之開口520o及圖15之開口527o為開口之例，圖7之旋轉板520及圓環狀構件525、以及圖15之內側遮擋構件527及外側遮擋構件528為遮擋構件之例，流體供給管400為流體供給機構之例，清潔機構630M為清潔機構之例。
進而，圖7之下表面520u及圖15之下表面527u為對向下表面之例，環狀區域R1為環狀區域之例，圖7之下端部525c及圖15之外側遮擋構件528之下端部為下端部之例，圖7之間隔G2及圖15之間隔G3為基板之上表面與對向下表面之間隔之例，圖7及圖15之間隔G1為基板之上表面與下端部之間隔之例。
又，旋轉板520為第1構件及支撐構件之例，圓環狀構件525為第2構件之例，圓環狀構件525之上端部525a為上端部之例，圓環狀構件525之內周面525b為第2構件之內周面之例，內側遮擋構件527為第3構件之例，外側遮擋構件528為第4構件之例，外側遮擋構件528之上端部為第4構件之上端部之例，外側遮擋構件528之內周面528b為第4構件之內周面之例。
進而，清潔刷630為刷之例，清潔刷630之突出部672為刷之突出部之例，清潔噴嘴633為清潔液噴出噴嘴之例，清潔機構待機位置630P為待機位置之例，刷移動機構632為清潔機構移動裝置之例，清 潔機構罩蓋271為蓄液構件之例。
又，曝光裝置16為曝光裝置之例，基板處理裝置500為基板處理裝置之例，抗反射膜用處理區塊10、光阻膜用處理區塊11、顯影處理區塊12為處理部之例，介面區塊15為交接部之例，光阻膜為感光性膜之例，設置於光阻膜用處理區塊11內之塗佈單元RES為感光性膜形成單元之例。
亦可使用具有技術方案中記載之構成或機能之其他各種要素作為技術方案之各構成要素。
200‧‧‧旋轉馬達
200h‧‧‧貫通孔
200s‧‧‧馬達支撐構件
210‧‧‧旋轉馬達
270‧‧‧罩蓋固定部
271‧‧‧清潔機構罩蓋
280‧‧‧管固定部
290‧‧‧馬達固定部
400‧‧‧流體供給管
410‧‧‧導管
420‧‧‧氣體供給管
430‧‧‧液體供給管
510‧‧‧板支撐構件
520‧‧‧旋轉板
520o‧‧‧開口
520u‧‧‧旋轉板之下表面
525‧‧‧圓環狀構件
600‧‧‧旋轉夾頭
614a‧‧‧磁板
614b‧‧‧磁板
617a‧‧‧磁力升降機構
617b‧‧‧磁力升降機構
618‧‧‧護罩
618a‧‧‧護罩升降機構
620‧‧‧基板交接機構
621‧‧‧升降旋轉驅動部
622‧‧‧旋轉軸
623‧‧‧臂
624‧‧‧保持銷
630‧‧‧清潔刷
630M‧‧‧清潔機構
630P‧‧‧清潔機構待機位置
631‧‧‧刷保持構件
632‧‧‧刷移動機構
633‧‧‧清潔噴嘴
635‧‧‧支撐軸
639‧‧‧清潔液供給部
640‧‧‧排液部
700‧‧‧基板保持機構
710‧‧‧保持銷
720‧‧‧支撐部
730‧‧‧軸部
790‧‧‧磁體
900‧‧‧框體
BC‧‧‧背面清潔處理單元
FR1‧‧‧第1凸緣
FR2‧‧‧第2凸緣
N‧‧‧北極
S‧‧‧南極
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板清潔裝置，其係清潔基板之下表面者，且具備：旋轉構件，其係繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線可旋轉地設置；旋轉驅動裝置，其使上述旋轉構件旋轉；複數個保持構件，其構成為可與旋轉構件一起旋轉，且藉由於上述旋轉構件之下方抵接於基板之外周端部而保持基板；遮擋構件，其以覆蓋由上述複數個保持構件保持之基板之上表面上之空間之方式設置於上述旋轉構件，且於包含上述旋轉軸線之位置具有開口；流體供給機構，其對由上述複數個保持構件保持之基板之上表面，通過上述開口供給流體；及清潔機構，其清潔由上述複數個保持構件保持之基板之下表面；上述複數個保持構件係配置於上述旋轉構件之外周部；上述遮擋構件包含：對向下表面，其係於上述開口之周圍與由上述複數個保持構件保持之基板之上表面對向；及環狀之最下端部，其以與由上述複數個保持構件保持之基板之上表面中之沿外周緣部之環狀區域對向之方式，形成於上述對向下表面之周圍；由上述複數個保持構件保持之基板之上表面與上述遮擋構件之上述對向下表面之間隔大於由上述複數個保持構件保持之基板之上表面與上述最下端部之間隔；上述遮擋構件之上述最下端部係位於較由上述複數個保持構件保持之基板之上表面更上方之位置；於上述遮擋構件之上述最下端部和由上述複數個保持構件保 持之基板之上表面之間形成有間隙。
  2. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述遮擋構件包含：第1構件，其設置於上述旋轉構件，且具有上述對向下表面，並且形成有上述開口；及環狀之第2構件，其具有上述遮擋構件之上述最下端部；上述第2構件係以上述遮擋構件之上述最下端部相較上述第1構件位於下方之方式設置於上述第1構件，且上述複數個保持構件設置於上述第1構件。
  3. 如請求項2之基板清潔裝置，其中上述第2構件更具有安裝於上述第1構件之上端部，且上述第2構件之內周面係以自上述上端部朝向上述遮擋構件之上述最下端部而內徑逐漸增加之方式傾斜。
  4. 如請求項1之基板清潔裝置，其更包括安裝於上述旋轉構件，且用以支撐上述複數個保持構件之支撐構件，上述遮擋構件包含：第3構件，其設置於上述支撐構件之下側，且具有上述對向下表面，並且形成有上述開口；及環狀之第4構件，其具有上述遮擋構件之上述最下端部；上述第4構件係以上述遮擋構件之上述最下端部相較上述第3構件位於下方之方式，設置於上述第3構件。
  5. 如請求項4之基板清潔裝置，其中上述第4構件更具有安裝於上述第3構件之上端部，且上述第4構件之內周面係以自上述上端部朝向上述遮擋構件之上述最下端部而內徑逐漸增加之方式傾斜。
  6. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述清潔機構包含將由上述複數個保持構件保持之基板之下表面清潔之刷，且 於上述刷，形成有可抵接於基板之下表面之突出部，上述突出部具有朝向上端部逐漸減少之橫截面。
  7. 如請求項1之基板清潔裝置，其中上述清潔機構包含朝向由上述複數個保持構件保持之基板之下表面，自下方噴出清潔液之清潔液噴出噴嘴，且更具備：清潔機構移動裝置，其使上述清潔機構於與基板之下表面對向之位置、與不和基板之下表面對向之預先決定之待機位置之間移動；及蓄液構件，其構成為設置於上述待機位置之上方，且於上述清潔機構位於上述待機位置之情形時，容納自上述清潔機構之上述清潔液噴出噴嘴噴出之清潔液。
  8. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於曝光裝置之方式配置，對基板進行處理者，且具備：處理部，其用以對基板進行處理；及交接部，其用以於上述處理部與上述曝光裝置之間進行基板之交接；上述處理部及上述交接部中之至少一者包含清潔基板之下表面之如請求項1之基板清潔裝置。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述處理部包含以於基板之上表面形成包含感光性材料之感光性膜之方式構成之感光性膜形成單元，且上述基板清潔裝置構成為清潔於由上述感光性膜形成單元形成感光性膜之後且由上述曝光裝置之曝光處理前或曝光處理後之基板之下表面。
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