JP2009164370A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009164370A JP2009164370A JP2008001045A JP2008001045A JP2009164370A JP 2009164370 A JP2009164370 A JP 2009164370A JP 2008001045 A JP2008001045 A JP 2008001045A JP 2008001045 A JP2008001045 A JP 2008001045A JP 2009164370 A JP2009164370 A JP 2009164370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- supply pipe
- processing apparatus
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 497
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 253
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 61
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 218
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 75
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 72
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 description 51
- 238000011161 development Methods 0.000 description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 24
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 14
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100168604 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) CRH12 gene Proteins 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- PHKJVUUMSPASRG-UHFFFAOYSA-N 4-[4-chloro-5-(2,6-dimethyl-8-pentan-3-ylimidazo[1,2-b]pyridazin-3-yl)-1,3-thiazol-2-yl]morpholine Chemical compound CC=1N=C2C(C(CC)CC)=CC(C)=NN2C=1C(=C(N=1)Cl)SC=1N1CCOCC1 PHKJVUUMSPASRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346171 Arabidopsis thaliana MORC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100346174 Arabidopsis thaliana MORC4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100346177 Arabidopsis thaliana MORC5 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100346178 Arabidopsis thaliana MORC6 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100346179 Arabidopsis thaliana MORC7 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100168602 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) CRH11 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021752 Corticoliberin Human genes 0.000 description 1
- 101000895481 Homo sapiens Corticoliberin Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100168607 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UTR2 gene Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】流体供給管400は、モータ支持部材200s、スピンモータ200、回転軸210およびプレート支持部材510に挿通されている。流体供給管400の鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第1フランジFR1が一体形成されている。第1フランジFR1がモータ支持部材200sに固定される。これにより、流体供給管400は、モータ支持部材200sを介してスピンモータ200に固定される。流体供給管400は、ステンレス製のガイド管410の内部に樹脂製の気体供給管420および複数本の樹脂製の洗浄液供給管430が収容された構造を有する。ガイド管410の内部において、1本の気体供給管420は複数本の洗浄液供給管430により取り囲まれるように配置される。
【選択図】図7
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1ならびに後述する図2〜図4には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図4を参照しながら説明する。
まず、インデクサブロック9〜レジストカバー膜除去ブロック14の動作について簡単に説明する。
次に、インターフェースブロック15の動作について詳細に説明する。
次に、洗浄/乾燥処理ユニットSD1について図面を用いて詳細に説明する。図5および図6は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図6には、洗浄/乾燥処理ユニットSD1の一部の構成要素が模式的に示される。洗浄/乾燥処理ユニットSD2は、洗浄/乾燥処理ユニットSD1と同様の構成を有する。
図5の流体供給管400およびその周辺部材の構造の詳細を図7および図8を参照しつつ説明する。図7は主として図5の流体供給管400の構造を示す縦断面図である。図8(a)は図5の流体供給管400の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図8(b)は図8(a)の矢印YAから見た流体供給管400の先端部の平面図である。
スピンチャック600による基板Wの保持動作について説明する。図9および図10は、スピンチャック600による基板Wの保持動作を説明するための図である。
洗浄/乾燥処理ユニットSD1においては、洗浄処理として基板Wの表面(上面)を洗浄する表面洗浄処理、基板の裏面(下面)を洗浄する裏面洗浄処理、および基板Wの外周端部(ベベル部)を洗浄するベベル洗浄処理が行われ、その後、基板Wの乾燥処理が行われる。
上記のように、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2においては、スピンプレート520に設けられた複数のチャックピン615により基板Wの外周端部が保持される。スピンプレート520は、プレート支持部材510を介して回転軸210に取り付けられている。これにより、スピンモータ200により回転軸210とともにプレート支持部材510が回転され、プレート支持部材510上の複数のチャックピン615により保持された基板Wが回転する。
(8−1)
流体供給管400は、基板Wの表面(上面)に限らず、基板Wの裏面(下面)を洗浄するために用いることもできる。この場合、例えば図14のシャフト904に流体供給管400を挿通し、流体供給管400をモータ903とともに固定することにより、基板Wの裏面に洗浄液および気体を供給することが可能となり、上記と同様の効果を得ることができる。
上記実施の形態に係る洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2は、薬液を用いて基板を洗浄する薬液洗浄装置としても用いることができる。
上記では、流体供給管400のガイド管410がステンレス鋼により形成される旨を説明したが、ガイド管410を形成する材料としては、ステンレス鋼の他、鉄、銅、青銅、黄銅、アルミニウム、銀、または金等の強靭な金属材料を用いることができる。
流体供給管400は洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2に設けられているが、流体供給管400を含む構成は、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREMに適用することができる。
洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2、塗布ユニットBARC,RES,COV、現像処理ユニットDEV、除去ユニットREM、加熱ユニットHP、冷却ユニットCPおよび載置兼冷却ユニットP−CPの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
上記では、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2を基板処理装置500に設ける場合について説明したが、これに限らず、洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2を他の基板処理装置に設けてもよく、または洗浄/乾燥処理ユニットSD1,SD2を単独で用いてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
210 回転軸
290 モータ固定部
400 流体供給管
410 ガイド管
420 気体供給管
430 洗浄液供給管
490 供給管固定部
500 基板処理装置
510 プレート支持部材
510h 内周面
520 スピンプレート
615 チャックピン
FR1 第1フランジ
GA ギャップ
Claims (5)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
鉛直方向に延びる中空の回転軸を有する回転駆動装置と、
前記回転軸とともに回転するように前記回転軸に取り付けられかつ中央部に開口を有する回転部材と、
前記回転部材に設けられ、基板の外周端部を保持する複数の保持部材と、
前記複数の保持部材により保持される基板の一面に第1の流体および第2の流体を供給する流体供給機構とを備え、
前記流体供給機構は、
前記回転駆動装置の前記回転軸内および前記回転部材の前記開口に挿通され、前記回転軸の内周面との間に一定の隙間を形成するように前記回転駆動装置に支持された金属製の外管と、
前記外管内の中心部に挿入されるとともに基板の前記一面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から前記第1の流体を基板に供給するための樹脂製の第1の内管と、
前記第1の内管の外周面と前記外管の内周面とに接するように前記外管内の前記第1の内管の周囲に挿入されるとともに基板の前記一面に対向する端部に吐出口を有し、前記吐出口から前記第2の流体を基板に供給するための樹脂製の複数の第2の内管とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記回転軸が鉛直方向に延びるように前記回転駆動装置を支持する支持部材をさらに備え、
前記外管はフランジ部を有し、前記フランジ部が前記支持部材に固定されたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記外管は、基板の前記一面に対向する開口端を有し、
前記第1の内管および前記複数の第2の内管の端部が、前記外管の前記開口端から突出することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記第1の流体は気体であり、
前記第2の流体は処理液であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記第1の内管の内径は、前記複数の第2の内管の各々の内径よりも大きいことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008001045A JP5091687B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 基板処理装置 |
US12/349,356 US8015985B2 (en) | 2008-01-08 | 2009-01-06 | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008001045A JP5091687B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164370A true JP2009164370A (ja) | 2009-07-23 |
JP5091687B2 JP5091687B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40843601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008001045A Active JP5091687B2 (ja) | 2008-01-08 | 2008-01-08 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8015985B2 (ja) |
JP (1) | JP5091687B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9460941B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-10-04 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus including the substrate cleaning apparatus |
US9623450B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-04-18 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus for cleaning a lower surface of a substrate |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9494261B2 (en) | 2013-02-11 | 2016-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical dispense system with reduced contamination |
JP6684191B2 (ja) * | 2016-09-05 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 |
JP7401243B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-12-19 | 信越エンジニアリング株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11124617A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-05-11 | Nippon Steel Corp | 溶融金属へのガス吹き込み羽口およびガス吹き込み方法 |
JP2001176836A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
JP2003092344A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構およびこれを用いた基板処理装置、ならびに基板保持方法 |
JP2006181426A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007134367A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10137664A (ja) | 1996-11-15 | 1998-05-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置および処理方法 |
JP3377414B2 (ja) | 1997-08-18 | 2003-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
DE69835988T2 (de) | 1997-08-18 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd. | Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat |
JP3401428B2 (ja) | 1998-03-16 | 2003-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4086398B2 (ja) | 1999-01-28 | 2008-05-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP4522329B2 (ja) | 2005-06-24 | 2010-08-11 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
-
2008
- 2008-01-08 JP JP2008001045A patent/JP5091687B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-06 US US12/349,356 patent/US8015985B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11124617A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-05-11 | Nippon Steel Corp | 溶融金属へのガス吹き込み羽口およびガス吹き込み方法 |
JP2001176836A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
JP2003092344A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構およびこれを用いた基板処理装置、ならびに基板保持方法 |
JP2006181426A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007134367A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9460941B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-10-04 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus including the substrate cleaning apparatus |
US9623450B2 (en) | 2012-03-27 | 2017-04-18 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus for cleaning a lower surface of a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5091687B2 (ja) | 2012-12-05 |
US20090173364A1 (en) | 2009-07-09 |
US8015985B2 (en) | 2011-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4522329B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4939376B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4832201B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5132108B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5192206B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5008268B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4667252B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5166802B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6001896B2 (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP2009032889A (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP2006310724A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4794232B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5269956B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5430873B2 (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP5091687B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007214365A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007201078A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008288447A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101068754B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판처리장치 | |
JP2007012998A (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理システム | |
JP4753641B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2009231553A (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
JP2010219435A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007208021A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006278824A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5091687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |