TW202023691A - 基板處理方法 - Google Patents
基板處理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202023691A TW202023691A TW108126814A TW108126814A TW202023691A TW 202023691 A TW202023691 A TW 202023691A TW 108126814 A TW108126814 A TW 108126814A TW 108126814 A TW108126814 A TW 108126814A TW 202023691 A TW202023691 A TW 202023691A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- main surface
- processing method
- chemical solution
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 314
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 108
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 128
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 114
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 69
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 23
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 18
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 71
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
基板處理方法包含：保持步驟(S102)；旋轉步驟(S104)；第一清洗步驟(S108、S116)；藥液處理步驟(S112)；及第二清洗步驟(S110、S114)。保持步驟(S102)係藉由基板保持部(7)保持基板(W)。旋轉步驟(S104)使基板(W)與基板保持部(7)一起旋轉。第一清洗步驟(S108、S116)朝基板(W)之主表面(Wa)供給含有二氧化碳之第一清洗液。藥液處理步驟(S112)朝基板(W)之主表面(Wa)供給鹼性藥液。第二清洗步驟(S110、S114)於第一清洗步驟(S108、S116)與藥液處理步驟(S112)之間，朝基板(W)之主表面(Wa)供給已除去二氧化碳之第二清洗液。
Description
本發明係關於一種基板處理方法。
於單片式之基板處理裝置中，一面使基板旋轉一面朝基板吐出處理液，藉此而進行處理(例如，專利文獻1)。然而，基板有可能因該處理而帶電。例如，於單片式之基板處理裝置中，由於使基板旋轉，因此基板有可能摩擦帶電。於專利文獻1之基板處理方法中，使用添加有如二氧化碳之抗靜電劑之純水(碳酸水)而進行靜電消除處理。
專利文獻1：日本專利第6225067號公報
然而，於專利文獻1之基板處理方法中，於進行使用鹼性藥液之蝕刻處理的情況下，碳酸水與鹼性藥液有可能產生中和反應。其結果可能造成蝕刻率降低。
有鑑於上述課題，本發明之目的在於提供一種基板處理方法，其可抑制蝕刻率之降低。
本發明之基板處理方法係處理基板。上述基板處理方法包含：保持步驟；旋轉步驟；第一清洗步驟；藥液處理步驟；及第二清洗步驟。上述保持步驟係藉由基板保持部保持上述基板。上述旋轉步驟係使上述基板與上述基板保持部一起旋轉。上述第一清洗步驟係朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液。上述藥液處理步驟係朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液。上述第二清洗步驟係於上述第一清洗步驟與上述藥液處理步驟之間，朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液。
於一實施形態中，上述鹼性藥液包含三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(trimethyl(2-hydroxyethyl)ammoniumhydroxide)。
於一實施形態中，上述第二清洗液包含去離子水。
於一實施形態中，上述第二清洗液包含異丙醇(lsopropyl alcohol)。
於一實施形態中，上述第二清洗步驟係繼上述藥液處理步驟之後進行。
於一實施形態中，上述藥液處理步驟係繼上述第二清洗步驟之後進行。
於一實施形態中，上述藥液處理步驟係繼上述第二清洗步驟之後進行，且上述第二清洗步驟係繼上述藥液處理步驟之後進行。
本發明之基板處理方法係處理基板。上述基板處理方法包含：保持步驟；空間形成步驟；氣體供給步驟；旋轉步驟；第一清洗步驟；藥液處理步驟；及第二清洗步驟。上述保持步驟係藉
由基板保持部保持上述基板。上述空間形成步驟係由上述基板保持部與蓋部包圍上述基板，而形成用以處理上述基板之處理空間。上述氣體供給步驟係朝上述處理空間供給不含二氧化碳之氣體。上述旋轉步驟係使上述基板與上述基板保持部一起旋轉。上述第一清洗步驟係朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液。上述藥液處理步驟係朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液。上述第二清洗步驟係於上述第一清洗步驟與上述藥液處理步驟之間，朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液。
於一實施形態中，上述空間形成步驟與上述氣體供給步驟係於第二清洗步驟之前進行。
本發明之基板處理方法係處理基板。上述基板處理方法包含：保持步驟；旋轉步驟；第一清洗步驟；藥液處理步驟；及第二清洗步驟。上述保持步驟係藉由基板保持部保持上述基板。上述旋轉步驟係使上述基板與上述基板保持部一起旋轉。上述第一清洗步驟係朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液。上述藥液處理步驟係朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液。上述第二清洗步驟係朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液。於上述藥液處理步驟中，不產生上述鹼性藥液與二氧化碳之中和反應。
根據本發明之基板處理方法，可抑制蝕刻率之降低。
1‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
5‧‧‧腔室
6‧‧‧頂板
7‧‧‧旋轉夾頭(基板保持部)
8‧‧‧對向構件移動機構
9‧‧‧旋轉馬達
11‧‧‧噴嘴
13‧‧‧噴嘴移動部
15、16、17‧‧‧噴嘴
19‧‧‧噴嘴移動部
25‧‧‧防護罩
30‧‧‧控制部
31‧‧‧記憶部
61‧‧‧對向構件本體
62‧‧‧被保持部
63‧‧‧卡合部
64‧‧‧對向構件開口
66‧‧‧噴嘴間隙
70‧‧‧夾頭構件
71‧‧‧旋轉基座(旋轉基座部)
72‧‧‧卡合部
81‧‧‧對向構件保持部
82‧‧‧對向構件升降機構
90‧‧‧馬達本體
91‧‧‧軸
94‧‧‧旋轉馬達收容部
100‧‧‧基板處理裝置
101‧‧‧噴嘴
110‧‧‧氣液供給部
112‧‧‧處理液供給部
113‧‧‧氣體供給部
116‧‧‧處理液流道
116a‧‧‧吐出口
117‧‧‧氣體流道
117a‧‧‧下面噴射口
117b‧‧‧側面噴射口
611‧‧‧對向構件頂蓋部
612‧‧‧對向構件側壁部
621‧‧‧對向構件筒部
622‧‧‧對向構件凸緣部
710‧‧‧旋轉基座部下方間隙
811‧‧‧保持部本體
812‧‧‧本體支撐部
813‧‧‧凸緣支撐部
814‧‧‧支撐部連接部
816‧‧‧移動限制部
941‧‧‧上面
942‧‧‧側面
AX1‧‧‧旋轉軸線
AX2‧‧‧轉動軸線
AX3‧‧‧轉動軸線
J1‧‧‧中心軸
L1、L2‧‧‧資料
P1~P4‧‧‧供給配管
Sa‧‧‧處理空間
V1~V4‧‧‧閥
W‧‧‧基板
Wa‧‧‧主表面
圖1為顯示基板處理裝置之圖。
圖2為顯示基板處理方法之流程圖。
圖3(a)及(b)為顯示蝕刻率之測定結果之圖。
圖4為顯示基板處理方法之流程圖。
圖5為顯示基板處理方法之流程圖。
圖6為顯示本發明之實施形態2之基板處理裝置之構成的剖視圖。
圖7為顯示頂板自圖6所示之第一位置下降的狀態之剖視圖。
圖8為顯示基板處理裝置中之氣體及處理液之供給的氣液供給部之方塊圖。
圖9為放大顯示噴嘴之一部分之剖視圖。
圖10為顯示基板處理方法之流程圖。
圖11為顯示基板處理方法之流程圖。
圖12為顯示基板處理方法之流程圖。
圖13為顯示基板處理方法之流程圖。
以下，參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。再者，圖中，對於相同或相當之部分賦予相同之參照符號而不重複說明。此外，於本發明之實施形態中，X軸、Y軸及Z軸相互正交，且X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛垂方向平行。
參照圖1~圖3，對本發明之實施形態1之基板處理裝置100及基板處理方法進行說明。首先，參照圖1說明基板處理裝置100。圖1為顯示基板處理裝置100之圖。如圖1所示，基板處理裝置100
係藉由處理液處理基板W。具體而言，基板處理裝置100係一片一片地處理基板W之單片型。基板W為大致圓板狀。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display：FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽電池用基板。
基板處理裝置100，具備處理單元1、控制裝置3、閥V1、供給配管P1、閥V2、供給配管P2、閥V3、供給配管P3、閥V4、及供給配管P4。
處理單元1係朝基板W吐出處理液而處理基板W。具體而言，處理單元1包含腔室5、旋轉夾頭7、旋轉馬達9、噴嘴11、噴嘴移動部13、噴嘴15、噴嘴16、噴嘴17、噴嘴移動部19、及複數個防護罩25(實施形態1中為2個防護罩25)。
腔室5具有大致箱型形狀。腔室5係收容基板W、旋轉夾頭7、旋轉馬達9、噴嘴11、噴嘴移動部13、噴嘴15、噴嘴16、噴嘴17、噴嘴移動部19、供給配管P1之一部分、供給配管P2之一部分、供給配管P3之一部分、及供給配管P4之一部分。
旋轉夾頭7係保持基板W而進行旋轉。旋轉夾頭7相當於「基板保持部」之一例。具體而言，旋轉夾頭7係於腔室5內一面水平地保持基板W一面使基板W繞旋轉軸線AX1旋轉。
旋轉夾頭7包含複數個夾頭構件70及旋轉基座71。複數個夾頭構件70係設於旋轉基座71。複數個夾頭構件70係以水平之姿勢保持基板W。旋轉基座71係大致圓板狀，且以水平之姿勢支撐複數個夾頭構件70。
旋轉馬達9係使旋轉基座71繞旋轉軸線AX1旋轉。因此，旋轉基座71繞旋轉軸線AX1旋轉。其結果，被保持於設在旋轉基座71之複數個夾頭構件70的基板W係繞旋轉軸線AX1旋轉。具體而言，旋轉馬達9包含馬達本體90及軸91。軸91結合於旋轉基座71。並且，馬達本體90藉由使軸91旋轉而使旋轉基座71旋轉。軸91係大致筒狀。
噴嘴11係於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出鹼性藥液。鹼性藥液例如包含三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(以下，記載為TMY)。再者，鹼性藥液也可為四甲基氫氧化銨(TMAH)、或氫氧化銨(氨水)。
於基板處理裝置100對基板W執行蝕刻處理之情況下，噴嘴11於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出鹼性藥液。於執行蝕刻處理之情況，基板W係形成有氮化矽膜及氧化矽膜之半導體晶圓。蝕刻處理係指自半導體晶圓之表面選擇性地蝕刻氮化矽膜之處理。
供給配管P1係將鹼性藥液供給於噴嘴11。閥V1切換鹼性藥液之對噴嘴11之供給開始及供給停止。
噴嘴移動部13係繞轉動軸線AX2轉動，使噴嘴11於噴嘴11之處理位置與待機位置之間水平地移動。處理位置顯示基板W上方之位置。待機位置顯示較旋轉夾頭7及防護罩25靠外側之位置。
噴嘴15係於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出清洗液。清洗液例如為碳酸水或去離子水。碳酸水相當於「第一清洗液」之一例。第一清洗液含有二氧化碳。去離子水相當
於「第二清洗液」之一例。藉由朝基板W吐出碳酸水，基板處理裝置100可進行基板W之靜電消除。再者，第二清洗液也可為異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)。
供給配管P2朝噴嘴15供給清洗液。閥V2切換清洗液之對噴嘴15之供給開始及供給停止。
噴嘴17係於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出藥液DHF(稀釋氫氟酸)。若朝基板W之主表面Wa供給藥液DHF，可除去形成於基板W之主表面Wa的自然氧化膜。
供給配管P3係將鹼性藥液供給於噴嘴17。閥V3切換藥液DHF之對噴嘴17之供給開始及供給停止。
噴嘴移動部19係繞轉動軸線AX3轉動，使噴嘴17於噴嘴17之處理位置與待機位置之間水平地移動。處理位置顯示基板W上方之位置。待機位置顯示較旋轉夾頭7及防護罩25靠外側之位置。
於基板處理裝置100對基板W執行乾燥處理之情況下，噴嘴16於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出IPA。藉由在基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出IPA，自基板W除去清洗液，而將基板W乾燥。
供給配管P4係將IPA供給於噴嘴16。閥V4切換IPA之對噴嘴16之供給開始及供給停止。
複數個防護罩25之各者具有大致筒狀。複數個防護罩25之各者承接自基板W排出之鹼性藥液、清洗液、DHF或IPA。
控制裝置3包含控制部30及記憶部31。控制部30包含如CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)之處理器。記
憶部31包含記憶裝置，其記憶資料及電腦程式。具體而言，記憶部31包含如半導體記憶體之主記憶裝置、及如半導體記憶體及/或硬碟驅動器之輔助記憶裝置。記憶部31也可包含可移動媒體。控制部30之處理器執行記憶部31之記憶裝置所記憶之電腦程式，而控制處理單元1、閥V1、閥V2、閥V3及閥V4。
參照圖1及圖2，對實施形態1之基板處理方法進行說明。圖2為顯示基板處理方法之流程圖。藉由執行圖2所示之步驟S102~步驟S120之處理，進行基板W之處理。
步驟S102：藉由旋轉夾頭7保持基板W。步驟S102相當於「保持步驟」之一例。處理進行至步驟S104。
步驟S104：使基板W與旋轉夾頭7一起旋轉。步驟S104相當於「旋轉步驟」之一例。處理進行至步驟S106。
步驟S106：噴嘴17於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出藥液DHF。其結果，除去形成於基板W之主表面Wa之自然氧化膜。處理進行至步驟S108。
步驟S108：噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第一清洗液。第一清洗液含有二氧化碳。第一清洗液例如為碳酸水。例如，噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，而抑制基板W帶電。步驟S108相當於「第一清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S110。
步驟S110：噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第二清洗液。第二清洗液已除去二氧化碳。較佳為，第二清洗液盡可能不存在二氧化碳，但第二清洗液也可包含微
量之二氧化碳。例如，較佳為，第二清洗液進行了二氧化碳之除去處理。第二清洗液例如為去離子水。例如，噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出去離子水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出去離子水，將基板W之主表面Wa上之碳酸水置換為去離子水。步驟S110相當於「第二清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S112。
步驟S112：進行藥液處理。詳細而言，噴嘴11於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出鹼性藥液。例如，噴嘴11於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出TMY。其結果，對基板W進行蝕刻處理。步驟S112相當於「藥液處理步驟」之一例。處理進行至步驟S114。
步驟S114：噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第二清洗液。例如，噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出去離子水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出去離子水，將基板W之主表面Wa上之TMY置換為去離子水。步驟S114相當於「第二清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S116。
步驟S116：噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第一清洗液。例如，噴嘴15於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，而將基板W之主表面Wa上之去離子水置換為碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，而抑制基板W帶電。步驟S116相當於「第一清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S118。
步驟S118：進行IPA乾燥處理。詳細而言，噴嘴16
於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出IPA。其結果，基板W被乾燥。處理進行至步驟S120。
步驟S120：搬送機器人自旋轉夾頭7上取出基板W。結束處理。
如參照圖1及圖2所作之說明，於本實施形態之基板處理方法中，供給第二清洗液之第二清洗步驟係於供給第一清洗液之第一清洗步驟與藥液處理步驟之間進行。因此，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
此外，於本實施形態之基板處理方法中，藥液處理步驟係繼供給第二清洗液之第二清洗步驟之後進行。因此，第一清洗液係於進行藥液處理步驟之前被第二清洗液所置換。亦即，基板W上，自弱酸性變化為中性。因此，於供給鹼性之藥液進行蝕刻處理時，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
並且，於本實施形態之基板處理方法中，供給第二清洗液之第二清洗步驟係繼藥液處理步驟之後進行。詳細而言，於本實施形態之基板處理方法中，依照「藥液處理步驟」、「供給第二清洗液之第二清洗步驟」、「供給第一清洗液之第一清洗步驟」之順序進行處理。因此，於進行藥液處理步驟之後且進行供給第一清洗液之第一清洗步驟之前，鹼性藥液被第二清洗液所置換。於繼進行藥液處理步驟之後進行供給第一清洗液之第一清洗步驟之情況下，鹼性藥液與二氧化碳有可能產生中和反應。另一方面，於本實施形態之基板處理方法中，繼進行藥液處理步驟之後進行供給第二清洗液
之第二清洗步驟。因此，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
此外，於本實施形態之基板處理方法中，於藥液處理步驟中，不會產生鹼性藥液與二氧化碳之中和反應。因此，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
參照圖3，且藉由參照圖1說明之基板處理裝置，對執行參照圖2說明之基板處理方法之結果進行說明。圖3(a)及圖3(b)為顯示蝕刻率之測定結果之圖。於圖3(a)及圖3(b)中，資料L1顯示實施形態1之結果。資料L2顯示比較例之結果。比較例之基板處理裝置之條件除了未執行步驟S110及步驟S114之點以外，與實施形態1之基板處理裝置100之條件相同。於圖3(a)中，橫軸顯示清洗方法。於圖3(a)中，縱軸顯示蝕刻率。於圖3(b)中，橫軸顯示測定座標。詳細而言，於圖3(b)中，橫軸顯示距基板W之中心之距離。於圖3(b)中，縱軸顯示蝕刻率。
如圖3(a)所示，實施形態1之基板處理方法中之蝕刻率(資料L1)係較比較例之基板處理方法中之蝕刻率(資料L2)大0.37nm。於實施形態1中，由於在供給第一清洗液(碳酸水)之第一清洗步驟與供給鹼性藥液(TMY)之藥液處理步驟(TMY)之間進行供給第二清洗液(去離子水)之第二清洗步驟，因此，可抑制鹼性藥液與第一清洗液之中和反應，可抑制蝕刻率之降低。另一方面，於比較例之基板處理方法中，由於在碳酸水之清洗步驟之後進行供給鹼性藥液之步驟，因此鹼性藥液與碳酸水產生中和反應，造成蝕刻率降低。
如圖3(b)所示，實施形態1之基板處理方法中之蝕刻
率(資料L1)係較比較例之基板處理方法中之蝕刻率(資料L2)大。此外，隨著距基板W之中心之距離增大，實施形態1之基板處理方法中之蝕刻率(資料L1)與比較例之基板處理方法中之蝕刻率(資料L2)的差也增大至0.36nm。並且，由於面積隨著往基板W之外周部而變大，因此鹼性藥液殘留於基板W上之時間也變長。因此可推知中和反應的影響在基板W之外周部相對較大。
再者，於實施形態1之基板處理方法中，雖然供給第二清洗液之第二清洗步驟係於藥液處理步驟之前後進行，但供給第二清洗液之第二清洗步驟也可僅於藥液處理步驟之前進行。參照圖4，對變形例1之基板處理方法進行說明。圖4為顯示基板處理方法之流程圖。變形例1之基板處理方法係於不進行步驟S114之點與實施形態1之基板處理方法不同。對實施形態1與變形例1之重複部分省略說明。
如圖4所示，藥液處理步驟(步驟S112)係繼供給第二清洗液之第二清洗步驟(步驟S110)之後進行。因此，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
再者，於實施形態1之基板處理方法中，雖然供給第二清洗液之第二清洗步驟係於藥液處理步驟之前後進行，但供給第二清洗液之第二清洗步驟也可僅於藥液處理步驟之後進行。參照圖5，對變
形例2之基板處理方法進行說明。圖5為顯示基板處理方法之流程圖。變形例2之基板處理方法，主要於不進行步驟S110之點與實施形態1之基板處理方法不同。以下，主要對變形例2與實施形態1不同之部分進行說明。
如圖5所示，供給第二清洗液之第二清洗步驟(步驟S114)係繼藥液處理步驟(步驟S112)之後進行。因此，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
參照圖6~圖11，對本發明之實施形態2之基板處理裝置100及基板處理方法進行說明。首先，參照圖6及圖7，對基板處理裝置100進行說明。對與實施形態1重複之部分省略說明。
圖6為顯示本發明之實施形態2之基板處理裝置100之構成的剖視圖。基板處理裝置100係一片一片地處理基板W之單片型。基板處理裝置100具備處理單元1。處理單元1具備腔室5、旋轉夾頭7、旋轉馬達9、複數個防護罩25(實施形態2中為2個防護罩25)、頂板6、對向構件移動機構8及噴嘴101，且其等構成被收容於腔室5之內部。
旋轉夾頭7係以水平狀態保持基板W。旋轉夾頭7具備旋轉基座部71、複數個夾頭構件70及複數個卡合部72。旋轉夾頭7係於進而具備複數個卡合部72之點與實施形態1之旋轉夾頭7不同。
複數個卡合部72係以中心軸J1為中心而間隔大致相
等角度沿圓周方向配置於旋轉基座部71之上面之外周部。複數個卡合部72，係配置於較複數個夾頭構件70靠徑向外側。
旋轉馬達9係收容於旋轉馬達收容部94之內部。旋轉馬達9及旋轉馬達收容部94係配置於旋轉夾頭7之下方。旋轉馬達9係使基板W與旋轉夾頭7一起以中心軸J1為中心進行旋轉。旋轉馬達9具有與實施形態1之旋轉馬達9相同之構成。
旋轉馬達收容部94，具備上面941及側面942。上面941覆蓋旋轉馬達9之上方。上面941係大致圓環板狀。側面942覆蓋旋轉馬達9之側方。側面942係大致圓筒狀。於旋轉馬達收容部94之上面941之中央部設置有供旋轉馬達9之軸91插入的開口。軸91連接於旋轉基座部71之下面。旋轉馬達收容部94之上面941係自軸91朝徑向分離而朝徑向外側擴展。旋轉馬達收容部94之上面941係於上下方向經由間隙與旋轉基座部71之下面對向。於以下之說明中，將該間隙即旋轉馬達收容部94之上面941與旋轉基座部71之下面之間的空間稱為「旋轉基座部下方間隙710」。
防護罩25具有與實施形態1之防護罩25相同之構成。
頂板6俯視時為大致圓形之構件。頂板6係與基板W之主表面Wa(上面)對向之對向構件。頂板6係遮蔽基板W之上方之遮蔽板。頂板6相當於「蓋部」之一例。頂板6之外徑係較基板W之外徑及旋轉基座部71之外徑大。頂板6具備對向構件本體61、被保持部62及複數個卡合部63。對向構件本體61具備對向構件頂蓋部611、及對向構件側壁部612。對向構件頂蓋部611係以中心
軸J1為中心之大致圓環板狀之構件，且與基板W之主表面Wa對向。於對向構件頂蓋部611之中央部設置有對向構件開口64。對向構件開口64例如俯視時為大致圓形。對向構件開口64之直徑遠小於基板W之直徑。對向構件側壁部612係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之構件，且自對向構件頂蓋部611之外周部朝下方擴展。
複數個卡合部63係以中心軸J1為中心而間隔大致相等角度沿圓周方向配置於對向構件頂蓋部611之下面之外周部。複數個卡合部63係配置於對向構件側壁部612之徑向內側。
被保持部62連接於對向構件本體61之上面。被保持部62具備對向構件筒部621、及對向構件凸緣部622。對向構件筒部621係自對向構件本體61之對向構件開口64之周圍朝上方突出的大致筒狀之部位。對向構件筒部621例如為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。對向構件凸緣部622係自對向構件筒部621之上端部呈環狀朝徑向外側擴展。對向構件凸緣部622例如為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。
對向構件移動機構8具備對向構件保持部81、及對向構件升降機構82。對向構件保持部81保持頂板6之被保持部62。對向構件保持部81具備保持部本體811、本體支撐部812、凸緣支撐部813、及支撐部連接部814。保持部本體811，例如為以中心軸J1為中心之大致圓板狀。保持部本體811覆蓋頂板6之對向構件凸緣部622之上方。本體支撐部812係大致水平地延伸之棒狀之臂。本體支撐部812之一端部連接於保持部本體811，另一端部連接於對向構件升降機構82。
噴嘴101自保持部本體811之中央部朝下方突出。噴
嘴101係以非接觸狀態插入對向構件筒部621內。以下之說明中，將噴嘴101與對向構件筒部621之間的空間稱為「噴嘴間隙66」。
凸緣支撐部813例如為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。凸緣支撐部813係位於對向構件凸緣部622之下方。凸緣支撐部813之內徑係較頂板6之對向構件凸緣部622之外徑小。凸緣支撐部813之外徑係較頂板6之對向構件凸緣部622之外徑大。支撐部連接部814例如為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。支撐部連接部814係於對向構件凸緣部622之周圍連接凸緣支撐部813與保持部本體811。於對向構件保持部81中，保持部本體811係於上下方向與對向構件凸緣部622之上面對向的保持部上部，凸緣支撐部813係於上下方向與對向構件凸緣部622之下面對向的保持部下部。
於頂板6位於圖6所示之位置的狀態下，凸緣支撐部813係自下側接觸支撐於頂板6之對向構件凸緣部622之外周部。換言之，對向構件凸緣部622藉由對向構件移動機構8之對向構件保持部81所保持。藉此，頂板6係於基板W及旋轉夾頭7之上方，藉由對向構件保持部81所懸吊。以下之說明中，將圖6所示之頂板6之上下方向的位置稱為「第一位置」。頂板6係於第一位置上藉由對向構件移動機構8所保持，且自旋轉夾頭7朝上方分離。
於凸緣支撐部813設有移動限制部816，該移動限制部816，係限制頂板6之位置偏移(亦即，頂板6之移動及旋轉)。於圖6所示之例子中，移動限制部816係自凸緣支撐部813之上面朝上方突出的突起部。移動限制部816係藉由插入設於對向構件凸緣部622之孔部內，而限制頂板6之位置偏移。
對向構件升降機構82係使頂板6與對向構件保持部81一起沿上下方向移動。圖7為顯示頂板6自圖6所示之第一位置下降的狀態之剖視圖。以下之說明中，將圖7所示之頂板6的上下方向之位置稱為「第二位置」。亦即，對向構件升降機構82係使頂板6於第一位置與第二位置之間相對於旋轉夾頭7朝上下方向移動。第二位置係較第一位置靠下方的位置。換言之，第二位置係頂板6於上下方向較第一位置靠近旋轉夾頭7的位置。
於頂板6位於第二位置之狀態下，頂板6之複數個卡合部63分別與旋轉夾頭7之複數個卡合部72卡合。複數個卡合部63係藉由複數個卡合部72而自下方支撐。換言之，複數個卡合部72係支撐頂板6之對向構件支撐部。例如，卡合部72係大致平行於上下方向之銷，卡合部72之上端部嵌合於面朝上形成於卡合部63之下端部的凹部。此外，頂板6之對向構件凸緣部622係自對向構件保持部81之凸緣支撐部813朝上方分離。藉此，頂板6於第二位置上藉由旋轉夾頭7所保持且與對向構件移動機構8分離。亦即，頂板6與對向構件移動機構8成為非接觸狀態。
於藉由旋轉夾頭7保持頂板6之狀態下，頂板6之對向構件側壁部612之下端位於較旋轉夾頭7之旋轉基座部71之上面靠下方或者在上下方向上與旋轉基座部71之上面相同的位置。若於頂板6位於第二位置之狀態下驅動旋轉馬達9，則頂板6與基板W及旋轉夾頭7一起旋轉。換言之，於頂板6位於第二位置之狀態下，頂板6可藉由旋轉馬達9而與基板W及旋轉夾頭7一起以中心軸J1為中心進行旋轉。
圖8為顯示基板處理裝置100中之氣體之供給及處理
液之供給的氣液供給部110之方塊圖。氣液供給部110具備噴嘴101、處理液供給部112、及氣體供給部113。處理液供給部112連接於噴嘴101，朝噴嘴101供給處理液。氣體供給部113連接於噴嘴101，朝噴嘴101供給氣體。氣體供給部113還連接於旋轉馬達收容部94，且經由旋轉馬達收容部94而朝旋轉基座部下方間隙710供給氣體。
於基板處理裝置100中，利用各式各樣之種類的液體作為處理液。處理液例如與實施形態1相同，為DHF(稀釋氫氟酸)、TMY、異丙醇(IPA)、碳酸水、去離子水。自氣體供給部113供給之氣體例如為氮(N2)氣等之惰性氣體。也可自氣體供給部113供給惰性氣體以外之各式各樣之氣體。
圖9為放大顯示噴嘴101之一部分之剖視圖。噴嘴101例如藉由PFA(四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物)形成。於噴嘴101之內部設有處理液流道116及2個氣體流道117。處理液流道116連接於圖8所示之處理液供給部112。2個氣體流道117連接於圖8所示之氣體供給部113。處理液流道116具有吐出口116a。吐出口116a設於噴嘴101之下端面。氣體流道117具有下面噴射口117a及側面噴射口117b。下面噴射口117a係設於噴嘴101之下端面。側面噴射口117b係設於噴嘴101之側面。
自處理液供給部112供給於圖9所示之處理液流道116的處理液係自吐出口116a朝下方吐出。於自噴嘴101吐出複數種類之處理液之情況下，也可於噴嘴101設置分別與複數種類之處理液對應之複數個處理液流道116，複數種類之處理液分別自複數個吐出口116a吐出。
自氣體供給部113供給於中央之氣體流道117(圖中右側之氣體流道117)之惰性氣體係自下面噴射口117a朝向下方供給(例如噴射)。自氣體供給部113供給於外周部之氣體流道117之惰性氣體係自複數個側面噴射口117b供給於周圍。
複數個側面噴射口117b係以大致等角度間隔排列於圓周方向。複數個側面噴射口117b連接於自外周部之氣體流道117之下端部朝圓周方向延長之圓周狀流道。自氣體供給部113供給之惰性氣體係自複數個側面噴射口117b朝向斜下方供給(例如噴射)。再者，側面噴射口117b也可僅設置一個。
自處理液供給部112(參照圖8)供給之處理液自噴嘴101之吐出口116a經由圖7所示之對向構件開口64而朝向基板W之主表面Wa吐出。換言之，噴嘴101將自處理液供給部112供給之處理液經由對向構件開口64而供給於基板W之主表面Wa。於基板處理裝置100中，噴嘴101也可自對向構件本體61之對向構件開口64朝下方突出。換言之，噴嘴101之前端也可位於較對向構件開口64之下端緣靠下方之位置。自處理液供給部112供給之處理液於噴嘴101內經由對向構件開口64而朝下方流動，且自噴嘴101之吐出口116a(參照圖9)朝向基板W之主表面Wa吐出。
自氣體供給部113(參照圖8)供給至噴嘴101之惰性氣體的一部分係自噴嘴101之下面噴射口117a(參照圖9)，經由對向構件開口64而供給於頂板6與基板W之間的空間(以下，稱為「處理空間Sa」)。此外，自氣體供給部113供給於噴嘴101之惰性氣體的一部分係自噴嘴101之複數個側面噴射口117b(參照圖9)朝噴嘴間隙66供給。於噴嘴間隙66中，自氣體供給部113供給之惰性
氣體係自噴嘴101之側面被朝向斜下方供給且向下方流動。其結果，可朝處理空間Sa供給惰性氣體。
於基板處理裝置100中，較佳為，基板W之處理係於處理空間Sa成為惰性氣體環境之狀態下進行。自噴嘴101朝處理空間Sa供給有惰性氣體。換言之，自氣體供給部113供給於處理空間Sa內之氣體係處理環境用氣體。處理環境用氣體內還含有自噴嘴101朝噴嘴間隙66供給且經由噴嘴間隙66供給於處理空間Sa之氣體。
自氣體供給部113供給於旋轉馬達收容部94之惰性氣體自下方沿軸91朝旋轉基座部下方間隙710供給，且於旋轉基座部下方間隙710朝徑向外側擴散。藉此，形成自旋轉基座部下方間隙710之中央部朝向徑向外側之惰性氣體的氣流，軸91之周圍及旋轉基座部下方間隙710係藉由惰性氣體而被沖洗。亦即，供給於旋轉基座部下方間隙710之氣體係用以密封軸91之沖洗氣體。於圖8所示之例子中，氣體供給部113係沖洗氣體之供給源即沖洗氣體供給部，且也為處理環境用氣體之供給源即處理環境用氣體供給部。並且，處理環境用氣體與沖洗氣體係相同種類之氣體。再者，處理環境用氣體與沖洗氣體也可為不同種類之氣體。
參照圖7~圖11，對實施形態2之基板處理方法進行說明。圖10及圖11為顯示基板處理方法之流程圖。藉由執行圖10所示之步驟S202~步驟S210及圖11所示之步驟S212~步驟S226之處理，進行基板W之處理。實施形態2之基板處理方法，係於進行步驟S204、步驟S206及步驟S224之點與實施形態1之基板處理方法不同。
圖10所示之步驟S202、步驟S208及步驟S210係與圖2所示之步驟S102、步驟S104及步驟S106對應。此外，圖11所示之步驟S212~步驟S222及步驟S226係與圖2所示之步驟S108~步驟S118及步驟S120對應。以下，主要對實施形態2與實施形態1之不同點進行說明。
步驟S202：藉由旋轉夾頭7保持基板W。步驟S202相當於「保持步驟」之一例。處理進行至步驟S204。
步驟S204：藉由旋轉夾頭7及頂板6包圍基板W而形成處理空間Sa。詳細而言，頂板6自第一位置朝下方往第二位置移動，然後藉由旋轉夾頭7保持頂板6。其結果，如圖7所示，形成處理空間Sa。步驟S204相當於「空間形成步驟」之一例。處理進行至步驟S206。
步驟S206：將不含二氧化碳之氣體(以下記載為二氧化碳非含有氣體)供給於處理空間Sa。二氧化碳非含有氣體例如為氮氣。詳細而言，自氣體供給部113經由噴嘴101朝處理空間Sa供給二氧化碳非含有氣體。其結果，處理空間Sa成為充填有二氧化碳非含有氣體之氣體環境。亦即，與供給二氧化碳非含有氣體之前比較，處理空間Sa的二氧化碳濃度降低。步驟S206相當於「氣體供給步驟」之一例。處理進行至步驟S208。
步驟S208：使基板W與旋轉夾頭7一起旋轉。步驟S208相當於「旋轉步驟」之一例。處理進行至步驟S210。
步驟S210：處理液供給部112經由噴嘴101而於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa供給藥液DHF。其結果，除去形成於基板W之主表面Wa的自然氧化膜。處理進行至圖11
所示之步驟S212。
步驟S212：處理液供給部112經由噴嘴101而於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa供給第一清洗液。例如，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，以抑制基板W帶電。步驟S212相當於「第一清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S214。
步驟S214：處理液供給部112經由噴嘴101而於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第二清洗液。例如，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出去離子水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出去離子水，而將基板W之主表面Wa上之碳酸水置換為去離子水。步驟S214相當於「第二清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S216。
步驟S216：進行藥液處理。詳細而言，處理液供給部112經由噴嘴101而於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出鹼性藥液。例如，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出TMY。其結果，對基板W進行蝕刻處理。步驟S216相當於「藥液處理步驟」之一例。處理進行至步驟S218。
步驟S218：處理液供給部112經由噴嘴101而於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第二清洗液。例如，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出去離子水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出去離子水，而將基板W之主表面Wa上之TMY置換為去離子水。步驟S218相當於「第二清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S220。
步驟S220：處理液供給部112經由噴嘴101而於基
板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出第一清洗液。例如，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，而將基板W之主表面Wa上之去離子水置換為碳酸水。藉由朝基板W之主表面Wa吐出碳酸水，以抑制基板W帶電。步驟S220相當於「第一清洗步驟」之一例。處理進行至步驟S222。
步驟S222：進行IPA乾燥處理。詳細而言，噴嘴101於基板W之旋轉中朝向基板W之主表面Wa吐出IPA。其結果，將基板W乾燥。處理進行至步驟S224。
步驟S224：頂板6解除處理空間Sa之形成。詳細而言，藉由對向構件升降機構82使對向構件保持部81朝上方移動。其結果，如圖6所示，頂板6自第二位置朝上方往第一位置移動。頂板6自旋轉夾頭7朝上方分離而被保持於對向構件保持部81。
步驟S226：搬送機器人自旋轉夾頭7上取出基板W。結束處理。
如參照圖6~圖11所作之說明，本實施形態之基板處理方法包含以下之步驟：空間形成步驟，其形成處理空間Sa；及氣體供給步驟，其將不含二氧化碳之氣體供給於處理空間Sa。因此，處理空間Sa成為充填有二氧化碳非含有氣體之氣體環境。因此，與供給二氧化碳非含有氣體之前比較，處理空間Sa的二氧化碳濃度降低。其結果，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
再者，於參照圖10及圖11所示之流程圖而進行說明之基板處理方法中，雖然於保持步驟(步驟S202)之後進行空間形成
步驟(步驟S204)及氣體供給步驟(步驟S206)，但只要是較第二清洗步驟(步驟S214)之前進行，則本發明並不限於此。例如，空間形成步驟(步驟S204)及氣體供給步驟(步驟S206)也可於第一清洗步驟(步驟S212)與第二清洗步驟(步驟S214)之間進行。
參照圖12及圖13，對實施形態2之變形例中之基板處理方法進行說明。圖12及圖13為顯示基板處理方法之流程圖。實施形態2之變形例中之基板處理方法係於步驟S204及步驟S206在步驟S212與步驟S214之間進行之點上與實施形態2之基板處理方法不同。以下，主要對實施形態2之變形例與實施形態2不同之部分進行說明。
如圖12及圖13所示，空間形成步驟(步驟S204)及氣體供給步驟(步驟S206)係於第一清洗步驟(步驟S212)與第二清洗步驟(步驟S214)之間進行。該情況下，較佳為，於基板處理裝置100中，旋轉夾頭7與頂板6可獨立旋轉。
空間形成步驟及氣體供給步驟係於第二清洗步驟之前進行。因此，可抑制鹼性藥液與二氧化碳產生中和反應。其結果，可抑制因中和反應引起之蝕刻率之降低。
再者，只要空間形成步驟(步驟S204)及氣體供給步驟(步驟S206)於第二清洗步驟之前進行，也可於步驟S208與步驟S210之間、或步驟S210與步驟S212之間進行。
以上，參照圖式(圖1~圖13)對本發明之實施形態進行了說明。但是，本發明不限於上述實施形態，只要於未超出其實質內容之範圍內，可於各種各樣之態、樣中實施。為了便於理解，圖式中主體性地示意顯示各構成要素，且考慮到圖式製作之方便性，
圖示之各構成要素之厚度、長度、個數等與實際不同。此外，上述實施形態所示之各構成要素之材質或形狀、尺寸等係一例而已，並無特別限制，可於實質上未脫離本發明之功效之範圍內進行各種之變更。
Claims (10)
- 一種基板處理方法，其係處理基板者；其包含：保持步驟，其藉由基板保持部保持上述基板；旋轉步驟，其使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；第一清洗步驟，其朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液；藥液處理步驟，其朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液；及第二清洗步驟，其於上述第一清洗步驟與上述藥液處理步驟之間，朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液。
- 如請求項1之基板處理方法，其中，上述鹼性藥液包含三甲基-2-羥乙基氫氧化銨。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述第二清洗液包含去離子水。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述第二清洗液包含異丙醇。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述第二清洗步驟係繼上述藥液處理步驟之後進行。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述藥液處理步驟係繼上述第二清洗步驟之後進行。
- 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述藥液處理步驟係繼上述第二清洗步驟之後進行，且上述第二清洗步驟係繼上述藥液處理步驟之後進行。
- 一種基板處理方法，其係處理基板者；其包含：保持步驟，其藉由基板保持部保持上述基板；空間形成步驟，其由上述基板保持部與蓋部包圍上述基板，而形成用以處理上述基板之處理空間；氣體供給步驟，其朝上述處理空間供給不含二氧化碳之氣體；旋轉步驟，其使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；第一清洗步驟，其朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液；藥液處理步驟，其朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液；及第二清洗步驟，其於上述第一清洗步驟與上述藥液處理步驟之間，朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液。
- 如請求項8之基板處理方法，其中，上述空間形成步驟與上述氣體供給步驟係於第二清洗步驟之前進行。
- 一種基板處理方法，其係處理基板者；其包含：保持步驟，其藉由基板保持部保持上述基板；旋轉步驟，其使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；第一清洗步驟，其朝上述基板之主表面供給含有二氧化碳之第一清洗液；藥液處理步驟，其朝上述基板之上述主表面供給鹼性藥液；及第二清洗步驟，其朝上述基板之上述主表面供給已除去二氧化碳之第二清洗液；於上述藥液處理步驟中，不產生上述鹼性藥液與二氧化碳之中和反應。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-158103 | 2018-08-27 | ||
| JP2018158103A JP7191591B2 (ja) | 2018-08-27 | 2018-08-27 | 基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202023691A true TW202023691A (zh) | 2020-07-01 |
Family
ID=69643469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108126814A TW202023691A (zh) | 2018-08-27 | 2019-07-29 | 基板處理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7191591B2 (zh) |
| TW (1) | TW202023691A (zh) |
| WO (1) | WO2020044880A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8420529B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-04-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Copper wiring surface protective liquid and method for manufacturing semiconductor circuit |
| JP2010129837A (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Espec Corp | レジストの除去方法 |
| JP2013074114A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| JP6255650B2 (ja) | 2013-05-13 | 2018-01-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6593591B2 (ja) | 2015-10-07 | 2019-10-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
-
2018
- 2018-08-27 JP JP2018158103A patent/JP7191591B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-23 WO PCT/JP2019/028847 patent/WO2020044880A1/ja active Application Filing
- 2019-07-29 TW TW108126814A patent/TW202023691A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7191591B2 (ja) | 2022-12-19 |
| JP2020035776A (ja) | 2020-03-05 |
| WO2020044880A1 (ja) | 2020-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI612572B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| TWI552806B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| US7275749B2 (en) | Substrate supporting apparatus | |
| JP5426141B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US6899111B2 (en) | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner | |
| KR20160140461A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| US10685856B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP2014179490A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20180040127A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| US10730059B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR20140062492A (ko) | 판상 물체들의 습식 처리를 위한 방법 및 디바이스 | |
| TWI733075B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| TW201921562A (zh) | 基板處理方法 | |
| JP4409312B2 (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
| TW202023691A (zh) | 基板處理方法 | |
| JP5308211B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI646594B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP6925145B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20170133283A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102321240B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP6405259B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP5824225B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2018195857A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |