JP2003047903A - 基板処理装置及びその整流板 - Google Patents

基板処理装置及びその整流板

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JP2003047903A
JP2003047903A JP2001240739A JP2001240739A JP2003047903A JP 2003047903 A JP2003047903 A JP 2003047903A JP 2001240739 A JP2001240739 A JP 2001240739A JP 2001240739 A JP2001240739 A JP 2001240739A JP 2003047903 A JP2003047903 A JP 2003047903A
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substrate
base
processing apparatus
gap
substrate processing
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Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構造で基板裏面からのエアの噴き出し
を確実に抑止して良好な基板処理を実現する。 【解決手段】 基台10の中央部分に基板チャック18
が設けられ、この基板チャック18を囲む形状の整流板
20が基台10上に設けられ、その整流板上面21と前
記基板チャック18に保持される基板Pの裏面との間に
隙間d3が確保された状態で全体が回転する基板処理装
置。整流板20の内側空間をその上面21よりも下方の
位置で整流板外周側空間に連通する連通路23を設け、
基板チャック18と基台10との隙間d1に存在するエ
アの少なくとも一部が前記連通路23側を通って回転半
径方向外側に流れるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
表示基板、その他、カラーフィルタやプラズマ表示パネ
ル(PDP:Plasma Display Panel)などに用いられる
各種基板の製造工程において、その基板上にフォトレジ
スト液や現像液などの処理液を塗布するために当該基板
を回転操作する基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体基板や液晶表示基板等の表
面に各種処理液を塗布するために当該基板を回転操作す
る装置として、例えば図10〜図13に示すようなもの
が知られている。
【0003】図示の基板処理装置は、基台である基台1
0と、リング部材としての外周リング12と、カバー部
材としてのトッププレート14と、処理液供給装置13
と、スピン軸16の上端に固定された基板チャック(基
板保持部)18と、整流板20とを備えている。
【0004】前記基台10は、水平なアンダープレート
10aと、このアンダープレート10aの中心部から下
方に延びる筒部10bとを有し、前記アンダープレート
10aは処理対象である基板Pの平面視形状(図例では
矩形)よりも大きな平面視形状(図例では円)を有して
いる。
【0005】スピン軸16は、昇降可能でかつ基台10
と一体に回転可能となるように前記筒部10b内に挿通
されている。このスピン軸16の上端に固定される基板
チャック18は、前記アンダープレート10aよりも上
方の位置に配置され、この基板チャック18が最降下し
た状態でも図13に示すような隙間d1がアンダープレ
ート10aとの間に確保されるようになっている。
【0006】この基板チャック18は、基板Pよりも小
さい平面視形状(図例では矩形)を有し、その上面には
図略の吸気溝が多数形成されている。そして、その上面
に載置された基板Pの中央部分を真空吸着するように構
成されている。
【0007】整流板20は、中実の板状をなし、前記基
板チャック18の外周面との間に水平方向の隙間d2
おいて当該基板チャック18を囲むとともに、基板Pの
外形よりも大きな平面視形状を有している。換言すれ
ば、この整流板20の中央には前記基板チャック18の
外形よりも僅かに大きい矩形状の貫通孔が設けられてい
る。また、この整流板20の厚み寸法は、当該整流板2
0がアンダープレート10a上に固定され、かつ、前記
基板チャック18が下端位置まで最降下した状態で、こ
の基板チャック18に保持された基板Pの外周部分(前
記基板チャック18からはみ出した部分)の裏面と整流
板上面21との間に上下方向の微小な隙間d3が確保さ
れるような寸法に設定されている。
【0008】外周リング12は、前記整流板20の外周
部を上方から覆うリング本体12bと、このリング本体
12bから垂下して前記整流板20及びアンダープレー
ト10aの外周面を径方向外側から覆う外周壁12cと
を一体に有し、前記基台10と一体に回転するように図
略の構造で基台10に連結されている。また、前記リン
グ本体12bの上面には突起12aが形成されている。
【0009】トッププレート14は、その外周部に貫通
孔14aを有し、この貫通孔14aが前記外周リング1
2の突起12aと係合して当該外周リング12及び基台
10と一体に回転する下端位置と、前記外周リング12
よりも上側へ浮上して基板Pを上向きに開放する上端位
置との間を昇降するように構成されている。
【0010】処理液供給装置13は、前記トッププレー
ト14が前記上端位置にある状態で、基板チャック18
に保持されている基板Pの上面に処理液を供給する位置
と、外周リング12よりも外側に待避する位置との間で
回動するように構成されている。
【0011】この基板処理装置の作用は次の通りであ
る。
【0012】1)トッププレート14が十分に上昇し、
かつ、スピン軸16及び基板チャック18も浮上した状
態で、当該基板チャック18の上に基板Pが載せられ
る。そして、この基板Pを基板チャック18が保持した
状態で両者が一体に図示の位置まで降下する。その最降
下位置で基板チャック18の下面とトップアンダープレ
ート10aの上面との間に隙間d1を確保しているの
は、各面が直接接触することにより当該面から微粉が発
生するのを防ぐためである。
【0013】2)処理液供給装置13が図10に示す待
避位置から供給位置へ回動し、この供給位置で前記基板
Pの上面に処理液を供給する。処理液供給後は直ちに待
避位置へ待避する。
【0014】3)トッププレート14が下端位置(その
貫通孔14aが突起12aに係合する位置)まで降下す
ることにより、基台10との間で基板Pの周囲に外部か
ら隔離された処理空間を形成する。この状態で、基台1
0、外周リング12、およびトッププレート14が一体
に回転することにより、基板P上の処理液が遠心力で回
転半径方向外側に広がり、基板Pの上面に均一に塗布さ
れる。
【0015】このような塗布工程中(回転操作中)、前
記基板Pが前記基板チャック18からはみ出した部分の
裏面には、整流板20の上面21が近接しており、両者
の隙間d3が微小寸法に抑えられているので、基板Pの
外周部付近で渦状の気流が発生することが抑制され、処
理液が基板Pの裏面側に回り込むといった不都合が未然
に回避される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】前記塗布工程におい
て、基台10等の回転当初は、回転数の上昇に伴って前
記処理空間内のエアが少しずつ外気に吐き出され、同空
間内が僅かに負圧になる。そして、装置の回転が安定す
るにつれて処理空間内の風流れも止まり、これによっ
て、均一な処理液の塗布が保証される。
【0017】ところが、基板チャック18と基台10と
の間、基板チャック18と整流板20との間、及び整流
板20と基板Pの裏面との間にはそれぞれ隙間d1
2,d 3が確保されているため、例えば基台10の筒部
10b内にエアが侵入すると、このエアが前記隙間
1,d2,d3を順に通過して基板Pの裏面から整流板
20の上方に噴き出してしまい、安定した処理液の塗布
を妨げるおそれがある。
【0018】その対策として、従来は、前記筒部10b
とスピン軸16との間に図に示すようなシール用のベロ
ーズ17を配するといったことが行われているが、かか
るシールは必ずしも完全ではなく、万一筒部10b内に
エアが漏れた場合には前記のような不都合が発生するこ
とになる。
【0019】また、前記シールが完全であっても、基板
サイズの大型化に伴って基板チャック18の面積が拡大
されると、同チャック18と基台10との隙間d1の容
積が増えるため、この部分に存在するエアの流れ(隙間
2,d3を通って基板裏面から整流板20上に噴き出す
流れ)が無視できなくなり、その対策が必要になる。
【0020】本発明は、このような事情に鑑み、簡単な
構造で基板裏面からのエアの噴き出しを確実に抑止して
良好な基板処理を実現できる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する手段
として、本発明は、基板よりも大きな平面視形状をもつ
基台と、前記基板よりも小さな平面視形状を有し、前記
基台の中央部分に当該基台と隙間をおいて配置され、当
該基台よりも上方の高さ位置で前記基板を保持する基板
保持部と、前記基台の上に前記基板保持部を囲むように
設けられ、前記基板が前記基板保持部からはみ出した部
分の裏面との間に微小隙間を形成する隙間形成部と、前
記基板保持部及び隙間形成部を上から覆うように設けら
れ、その内部に処理空間を形成するカバー部材とを有
し、これら基台と基板保持部と隙間形成部とカバー部材
とが一体に回転する基板処理装置において、前記隙間形
成部の回転半径方向内側の空間を当該隙間形成部の上面
よりも下方の位置を通って当該隙間形成部の外周側空間
に連通する連通路が形成されているものである。
【0022】また本発明は、基板を保持して回転可能な
基板保持部と、前記基板よりも大きな平面視形状を有
し、前記基板保持部に保持された基板の下方に位置し、
前記基板保持部と同期回転する基台と、前記基板保持部
及びこの基板保持部に保持された基板を覆うように設け
られて前記基台との間に処理空間を形成し、前記基台お
よび基板保持部とともに回転するカバー部材と、前記基
板の外側において当該基板保持部に保持されている基板
の外周部の裏面との間に微小隙間を形成する隙間形成部
材とを備えた基板処理装置において、前記隙間形成部材
の上面よりも下方位置にて、前記基板保持部材の下面と
前記基台との間の空間を前記基台の外周側空間に連通す
る連通路が形成されているものである。
【0023】また本発明は、処理される基板よりも大き
な平面視形状を有し回転可能に設けられた基台と、この
基台の上側にて基板を保持して回転可能な基板保持部
と、この基板保持部の周囲に略同一高さに設けられ、当
該基板保持部に保持された基板の外周部の裏面との間に
微小隙間を形成する隙間形成部材と、前記基板保持部お
よび当該基板保持部に保持された基板を覆うように設け
られて前記基台との間に空間を形成し、前記基台および
基板保持部とともに回転するカバー部材とを備えた基板
処理装置において、前記基板保持部と前記隙間形成部材
によって前記基台と前記カバー部材との間の空間を区画
し、前記基板保持部と前記隙間形成部材の上側を処理空
間とし、前記基板保持部と前記隙間形成部材の下側をそ
の外周側を開放したエア排出空間としたものである。さ
らに、前記隙間形成部材と前記カバー部材の外周側端部
を概ね閉塞または完全に閉塞するように設けられたリン
グ部材をさらに備えれば、より好ましい。
【0024】以上の構成によれば、基台と基板保持部と
の隙間に存するエアの少なくとも一部は、装置の回転に
伴い、隙間形成部の上面よりも下方に設けられた連通路
を通って外周側に逃がされる。従って、前記エアが基板
裏面側を通って隙間形成部の上に噴き出すことが確実に
抑止され、当該噴き出しによる処理空間内でのエアの乱
れを抑えて良好な基板処理を実現することができる。
【0025】前記連通路は前記隙間形成部の外周面に開
口していてもよいし、前記隙間形成部の外周面の近傍の
位置で下向きに開口していてもよい。後者の場合には、
当該連通路の出口と、隙間形成部の外周からの処理液の
排出口とが隔離されるので、当該処理液やそのミストが
連通路内にその出口を通じて侵入することがより確実に
防がれる。
【0026】また、前記連通路が前記隙間形成部の外周
面の近傍の位置で上向きに開口するものであっても、こ
の開口が隔離壁によって前記基板保持部から隔離されて
いる構成とすることにより、処理液やそのミストが連通
路内に侵入することを防止できる。
【0027】特に、前記連通路が前記基板保持部材の下
面と前記基台との間の空間に対して略同一高さに設けら
れているものでは、前記エアの排出がより円滑に行われ
る。
【0028】前記連通路は、基台側に形成することも可
能であるが、隙間形成部に形成するようにすれば、構造
はより簡素化され、またエアの流通もしやすくなる。
【0029】具体的に、前記隙間形成部が前記基台の上
面に固定される整流板である場合には、例えば、この整
流板の裏面に回転半径方向に延びる複数の径方向リブが
形成され、これら径方向リブ同士の間に前記連通路が形
成される構成とすることにより、簡素な構造で容易に連
通路の確保ができる。しかも、当該整流板が中実板状の
ものである場合に比べ、軽量化を可能としながら、当該
整流板の剛性を十分に保ってその上面と基板裏面との隙
間を良好に保つことができる。
【0030】前記整流板の剛性をより高めるには、前記
径方向リブだけでなく、前記整流板の内周縁、外周縁の
少なくとも一方に周縁リブを形成することが好ましい。
この場合でも、当該周縁リブの突出量を前記径方向リブ
の突出量よりも小さくし、この周縁リブと前記基台の上
面との間に前記連通路を形成する隙間を確保することに
より、当該連通路による効果を維持することができる。
【0031】この場合、前記周縁リブが少なくとも整流
板の外周縁に形成されている構成では、その周縁リブに
よって外周側の隙間(すなわち連通路出口)が規制され
ることにより、当該隙間から連通路内に処理液やそのミ
ストがより侵入しにくくなる。
【0032】前記周縁リブと前記基台の上面との間に形
成される隙間の寸法は、前記基板保持部と整流板の間に
形成される隙間の寸法よりも大きいことが好ましい。こ
れにより、基台と基板保持部との隙間に存するエアは基
板裏面側よりも連通路側に優先して流れることになる。
【0033】また、前記周縁リブが整流板の周方向の一
部にのみ形成されている構成とすれば、当該周縁リブの
形成によって整流板の剛性向上を図りながら、連通路の
流路面積も確保することが可能である。
【0034】また、前記整流板の外周部は前記基台の外
周面を回転半径方向外側から覆う形状を有しており、こ
の整流板の外周部と前記基台の外周面との間に前記連通
路の出口が下向きに形成されている構成とすることによ
り、当該連通路の出口と、隙間形成部の外周からの処理
液の排出口とを隔離して、当該処理液やそのミストが連
通路内にその出口を通じて侵入するのを回避することが
できる。
【0035】また本発明は、基板よりも大きな平面視形
状をもつ基台と、前記基板よりも小さな平面視形状を有
し、前記基台の中央部分に当該基台と隙間をおいて配置
され、当該基台よりも上方の高さ位置で前記基板を保持
する基板保持部と、前記基板保持部及び隙間形成部を上
から覆うように設けられ、その内部に処理空間を形成す
るカバー部材とを有し、これら基台と基板保持部とカバ
ー部材とが一体に回転する基板処理装置に対し、その基
台の上に前記基板保持部を囲むように設けられ、前記基
板が前記基板保持部からはみ出す部分の裏面との間に微
小隙間を形成する整流板であって、この整流板の裏面に
回転半径方向に延びる複数の径方向リブが形成され、こ
れら径方向リブ同士の間に当該整流板の回転半径方向内
側の空間と整流板の外周側空間とを連通する連通路が形
成されるように構成されていることを特徴とする基板処
理装置の整流板である。
【0036】この整流板においては、前記径方向リブに
加え、前記整流板の内周縁、外周縁の少なくとも一方に
前記径方向リブよりも突出量の小さい周縁リブが形成さ
れ、この周縁リブと前記基台の上面との間に前記連通路
を形成する隙間が確保されるように構成されたものが好
適である。
【0037】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態にかか
る基板処理装置の全体構成は前記図10〜図13に示し
たものと同等であり、同図に示した構成要素と同等の構
成要素には共通の参照符を付してその説明を省略する。
【0038】図1〜図4に示す基板処理装置では、その
特徴として、前記図12及び図13に示すような中実板
状の整流板20ではなく、それよりも薄肉で、かつ、裏
面に複数の径方向リブ22、内周縁リブ24、及び外周
縁リブ25が形成された整流板20が用いられている。
【0039】前記各径方向リブ22は、図3に示すよう
に、整流板20の回転半径方向に延びる放射状に配さ
れ、その高さ寸法は前記図12及び図13に示した整流
板20の厚み寸法と同等に設定されている。すなわち、
これらの径方向リブ22を基台10のアンダープレート
10a上に載せ、固定した状態で、当該整流板20の上
面21と、下端位置にある基板チャック18に保持され
た基板Pの裏面との間に微小隙間d3が確保される寸法
に設定されている。また、このように整流板20がアン
ダープレート10a上に固定された状態で、前記各径方
向リブ22同士の間には、当該整流板20の回転半径方
向内側空間と外側空間とを連通する連通路23が確保さ
れるようになっている。換言すれば、前記基板チャック
18と前記整流板(隙間形成部材)20によって前記基
台10と前記トッププレート14との間の空間が区画さ
れ、前記基板チャック18と前記整流板20の上側が処
理空間とされる一方、前記基板チャック18と前記整流
板20の下側がその外周側を開放されているエア排出空
間(連通路23)とされている。
【0040】内周縁リブ24は、図例では、整流板20
の中央貫通孔を囲む矩形状に形成され、外周縁リブ25
は、同じく図例では、整流板20の外周縁に沿う円形状
に形成されている。これらの周縁リブ24,25の突出
量は前記径方向リブ22の突出量よりも小さく、従っ
て、前記アンダープレート10a上に整流板20が固定
された状態で各周縁リブ24,25の下端面とアンダー
プレート10aの上面との間に前記連通路23の入口及
び出口となる隙間d4,d5がそれぞれ確保されるように
なっている。
【0041】このような構成によると、図1に示すよう
に、基板チャック18とアンダープレート10aとの隙
間d1におけるエアの少なくとも一部は、整流板20の
上面21よりも下方に形成された連通路23を通じて整
流板20の外周面からその外側へ排出されることにな
る。このような連通路23の確保により、前記隙間d1
内のエアが基板チャック18と整流板20との隙間d2
及び整流板20と基板裏面との隙間d3を通って整流板
20上に噴き出すことが確実に抑止され、より安定した
基板処理が実現されることになる。
【0042】特に、図示のように、前記連通路23が前
記基板チャック18の下面と前記基台10との間の空間
に対して略同一高さに設けられているものでは、前記エ
アの排出がより円滑に行われる。
【0043】さらに、前記のような連通路23の確保に
より、装置の回転停止時に外部エアが整流板20の上を
通って基板裏面側から装置内に引き込まれることも抑止
できる。従って、前記エアの引き込みにより基板P上に
パーティクルが付着するといった不都合も抑止すること
が可能であり、これによって基板Pの品質をさらに向上
させることができる。
【0044】しかも、前記各リブ22,24,25の形
成によって、整流板20の十分な剛性を確保し、これに
よってその上面21の形状を良好に保ちながら、従来の
(図12,図13に示したような)中実板状の整流板2
0に比べ、その軽量化を図ることが可能である。
【0045】なお、前記整流板20の剛性によっては前
記周縁リブ24,25の少なくとも一方を適宜省略する
ことが可能である。これらの周縁リブ24,25の省略
によって、連通路23の開口面積及びエア流量が増大
し、整流板20上へのエアの噴き出しを抑止する効果が
より顕著となる。
【0046】周縁リブ24,25を設ける場合でも、同
リブ24,25とアンダープレート10aとの隙間
4,d5を整流板上面21と基板裏面との隙間d3より
も大きくして連通路23側に優先的にエアが流れるよう
にすることが、より好ましい。例えば、基板裏面と整流
板上面21との隙間d3を0.5mmとした場合、周縁リブ2
4,25とアンダープレート10aとの隙間d4,d5
1.0mm以上確保しておくことが、より好ましい。ただ
し、外周縁側の隙間d5については、その寸法をある程
度小さく抑えておくことにより、処理液やそのミストが
前記隙間d5を通じて連通路23内に侵入する不都合を
回避できる利点が得られる。
【0047】また、周縁リブ24,25を一部のみ省略
する(換言すれば周縁リブ24,25を周方向の一部に
のみ設ける)ことにより、整流板20の剛性確保と連通
路23の流量確保との両立を図ることも可能である。
【0048】ここで、基板チャック18の形状が円形で
ない場合には、その外形がなるべく回転中心側に近い周
方向位置を選んで当該位置での周縁リブを省略すること
により、連通路23による高いエア排出効果を得ること
が可能になる。例えば基板チャック18が矩形である場
合、その矩形の長辺に対応する部分の周縁リブを優先し
て省略し、あるいは図4に示すように長辺及び短辺に対
応する部分の周縁リブを優先して省略することにより、
全連通路23のうち最も径方向の道のりが長い連通路2
3の開口面積を優先して拡大することができ、これによ
り整流板20上でのエア噴き出しを抑止する効果を高く
維持することができる。
【0049】なお、前記各リブの具体的な幅寸法は問わ
ない。例えば図5に示すような幅広の径方向リブ22′
を形成して基板チャック18の長辺及び短辺に臨む連通
路23のみを確保するようにしてもよい。
【0050】また、各径方向リブ22,22′は必ずし
も正確に回転半径方向に沿った形状でなくてもよく、概
ね整流板20の回転半径方向内側部分から外側部分へ延
びる形状であればよい。例えば、図6に示すように、整
流板20の回転方向に応じ、その整流板20の外周に近
付くにつれて整流板回転方向の後ろ側に後退するような
曲線状の径方向リブ22′及び連通路23を形成するよ
うにすれば、より効率の高いエアの排出が期待できる。
また、径方向リブ22,22′は、必ずしも整流板20
の回転半径方向全域にわたって形成されていなくてもよ
く、例えば当該径方向リブ22,22′の内側端や外側
端が整流板20の内周縁や外周縁に完全に到達していな
くてもよい。あるいは、径方向リブ22,22′がその
途中で分断された構成のものでもよい。
【0051】その他、前記図12及び図13に示した中
実板状の整流板20に回転半径方向の貫通孔を穿設する
ようにしても連通路の確保は可能である。また、前記整
流板20に相当する隙間形成部と基台10とが一体に形
成されているような装置においても、その適所に前記の
ような連通路23を形成することによって、基板裏面か
らのエアの噴き出しを抑止する効果を得ることができ
る。
【0052】図7に示す実施形態は、連通路23の出口
27を整流板20の外周面近傍において下向きに形成し
たものである。具体的に、前記整流板20は、アンダー
プレート10aよりも大きい外径を有し、当該整流板2
0の外周部は、前記アンダープレート10aの外周面を
隙間をおいて外側から覆う外周壁26とされており、こ
の外周壁26の内側面とアンダープレート10aの外周
面との間に前記の連通路出口27が確保されている。
【0053】なお、前記外周壁26は必ずしも全周にわ
たって形成されていなくてもよく、周方向の一部にのみ
局所的に形成されていてもよい。
【0054】この実施の形態のように連通路出口27を
下向きに形成すると、図7に示すように当該連通路出口
27と処理液の排出口とが完全に分離されるので、当該
処理液が前記連通路出口27を通じて連通路23内に回
り込む不都合をより確実に回避することが可能になる。
【0055】逆に、前記連通路出口を上向きに形成する
ことも可能である。その例を図8及び図9に示す。図示
の構造では、アンダープレート10aの外周縁から側壁
10cが立直しており、この側壁10cの内側に整流板
20がほぼ隙間なく嵌め込まれている。一方、整流板2
0の天壁の外周縁近傍部分には、周方向に並ぶ複数の
(図9では4つの)連通路出口28が開設されるととも
に、当該整流板20の天壁と外周リング12のリング本
体12bとの間に、前記連通路出口28を基板チャック
18から隔離するための隔離壁30が設けられている。
【0056】この構成では、連通路23の外周端がアン
ダープレート10aの側壁10cによって塞がれている
ので、同連通路23に侵入したエアは、整流板20に形
成された連通路出口28を通じて上向きに排出され、そ
の後、側壁10cとリング本体12bとの隙間を通って
装置外へ排出される。従って、前記各実施形態と同様、
整流板20上へのエアの吹き出しが抑止される。しか
も、前記連通路出口28は隔離壁30によって基板チャ
ック18側から隔離されているので、前記連通路出口2
8から処理液が連通路23内に侵入することが防がれ
る。
【0057】なお、以上の実施の形態では、外周リング
12が整流板20及びトッププレート14の外周端を外
側から概ね閉塞して、ほぼ閉じた処理空間を形成するも
のであるが、前記外周端を完全に閉塞するものであって
もよく、要するに処理空間の気流が乱れない状態が実現
できるものであればよい。
【0058】また、以上の各実施形態に示した装置で
は、その長期使用により、例えば外周リング12に浮遊
しているレジストミストが連通路23内に引き込まれ、
同連通路23内が汚れるおそれがあるが、仮にこのよう
な汚れが生じたとしても、適当な時期に例えば次のよう
な洗浄工程を行うことにより、前記連通路内の洗浄を効
率良く行ってその機能を長く維持することが可能であ
る。
【0059】 トッププレート14を上昇させ、か
つ、基板チャック18も上端位置まで上昇させる。
【0060】 基板処理装置全体を回転させながら、
基板チャック18とアンダープレート10aとの隙間に
例えば前記図10に示した処理液供給装置13と同等の
構成をもつ洗浄液供給装置を挿入し、そのノズルから洗
浄液を噴射する。この洗浄液は、遠心力によって整流板
20の裏側の連通路23内に侵入し、同連通路23内を
洗浄する。
【0061】 の洗浄工程を所定時間行った後、洗
浄液供給装置を待避させ、基板チャック18さらにはト
ッププレート14を降ろす。そして、再度装置全体を回
転させて洗浄液を遠心力で飛ばすことにより、装置内を
乾燥させる。
【0062】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板保持部によ
り保持される基板の裏面と隙間形成部との間に微小隙間
が形成される基板処理装置において、前記隙間形成部の
内側空間と外周側空間とを連通する連通路を設けたもの
であるので、簡単な構造で、装置回転中に基板保持部と
基台との隙間から基板裏面を通って隙間形成部上にエア
が噴き出すのを有効に抑止することができ、これによっ
て良好な基板処理を実現することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】連通路の出口が整流板の外周面側に開口するタ
イプの基板処理装置の要部を示す断面正面図である。
【図2】前記基板処理装置の要部を示す断面斜視図であ
る。
【図3】前記基板処理装置に設けられる整流板の裏面を
示す底面図である。
【図4】前記整流板の変形例を示す底面図である。
【図5】前記整流板の変形例を示す底面図である。
【図6】前記整流板の変形例を示す底面図である。
【図7】連通路の出口が下向きに開口するタイプの基板
処理装置の要部を示す断面正面図である。
【図8】連通路の出口が上向きに開口するタイプの基板
処理装置の要部を示す断面正面図である。
【図9】図8に示す基板処理装置の要部を示す断面平面
図である。
【図10】従来の基板処理装置の一例を示す斜視図であ
る。
【図11】前記基板処理装置の基板チャック及び整流板
を示す平面図である。
【図12】前記基板処理装置の断面正面図である。
【図13】前記基板処理装置の要部を示す断面正面図で
ある。
【符号の説明】
10 基台 10a アンダープレート 12 外周リング(リング部材) 14 トッププレート(カバー部材) 18 基板チャック(基板保持部) 20 整流板 21 整流板上面 22,22′ 径方向リブ 23 連通路 24 内周縁リブ 25 外周縁リブ 26 整流板外周壁 27,28 連通路出口 30 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AB16 AB17 EA05 2H096 AA25 AA27 CA14 4F042 AA07 BA05 BA13 DF09 DF32 EB05 EB09 EB13 EB17 EB24 EB28 EB29 5F046 JA05 JA07 JA08 LA06 LA07

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板よりも大きな平面視形状をもつ基台
    と、前記基板よりも小さな平面視形状を有し、前記基台
    の中央部分に当該基台と隙間をおいて配置され、当該基
    台よりも上方の高さ位置で前記基板を保持する基板保持
    部と、前記基台の上に前記基板保持部を囲むように設け
    られ、前記基板が前記基板保持部からはみ出した部分の
    裏面との間に微小隙間を形成する隙間形成部と、前記基
    板保持部及び隙間形成部を上から覆うように設けられ、
    その内部に処理空間を形成するカバー部材とを有し、こ
    れら基台と基板保持部と隙間形成部とカバー部材とが一
    体に回転する基板処理装置において、前記隙間形成部の
    回転半径方向内側の空間を当該隙間形成部の上面よりも
    下方の位置を通って当該隙間形成部の外周側空間に連通
    する連通路が形成されていることを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、
    前記連通路は前記隙間形成部の外周面に開口しているこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、
    前記連通路は前記隙間形成部の外周面の近傍の位置で下
    向きに開口していることを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の基板処理装置において、
    前記連通路は前記隙間形成部の外周面の近傍の位置で上
    向きに開口し、かつ、この開口が隔離壁によって前記基
    板保持部から隔離されていることを特徴とする基板処理
    装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の基板処
    理装置において、前記連通路は前記隙間形成部に形成さ
    れていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の基板処理装置において、
    前記隙間形成部は、前記基台の上面に固定される整流板
    であり、この整流板の裏面に回転半径方向に延びる複数
    の径方向リブが形成され、これら径方向リブ同士の間に
    前記連通路が形成されていることを特徴とする基板処理
    装置。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の基板処理装置において、
    前記整流板の内周縁、外周縁の少なくとも一方に前記径
    方向リブよりも突出量の小さい周縁リブが形成され、こ
    の周縁リブと前記基台の上面との間に前記連通路を形成
    する隙間が確保されていることを特徴とする基板処理装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の基板処理装置において、
    前記周縁リブが少なくとも整流板の外周縁に形成されて
    いることを特徴とする基板処理装置。
  9. 【請求項9】 請求項7または8記載の基板処理装置に
    おいて、前記周縁リブと前記基台の上面との間に形成さ
    れる隙間の寸法が前記基板保持部と整流板の間に形成さ
    れる隙間の寸法よりも大きいことを特徴とする基板処理
    装置。
  10. 【請求項10】 請求項7〜9のいずれかに記載の基板
    処理装置において、前記周縁リブが整流板の周方向の一
    部にのみ形成されていることを特徴とする基板処理装
    置。
  11. 【請求項11】 請求項7〜10のいずれかに記載の基
    板処理装置において、前記整流板の外周部は前記基台の
    外周面を回転半径方向外側から覆う形状を有しており、
    この整流板の外周部と前記基台の外周面との間に前記連
    通路の出口が下向きに形成されていることを特徴とする
    基板処理装置。
  12. 【請求項12】 基板よりも大きな平面視形状をもつ基
    台と、前記基板よりも小さな平面視形状を有し、前記基
    台の中央部分に当該基台と隙間をおいて配置され、当該
    基台よりも上方の高さ位置で前記基板を保持する基板保
    持部と、前記基板保持部及び隙間形成部を上から覆うよ
    うに設けられ、その内部に処理空間を形成するカバー部
    材とを有し、これら基台と基板保持部とカバー部材とが
    一体に回転する基板処理装置に対し、その基台の上に前
    記基板保持部を囲むように設けられ、前記基板が前記基
    板保持部からはみ出す部分の裏面との間に微小隙間を形
    成する整流板であって、この整流板の裏面に回転半径方
    向に延びる複数の径方向リブが形成され、これら径方向
    リブ同士の間に当該整流板の回転半径方向内側の空間と
    整流板の外周側空間とを連通する連通路が形成されるよ
    うに構成されていることを特徴とする基板処理装置の整
    流板。
  13. 【請求項13】 請求項12記載の基板処理装置の整流
    板において、前記整流板の内周縁、外周縁の少なくとも
    一方に前記径方向リブよりも突出量の小さい周縁リブが
    形成され、この周縁リブと前記基台の上面との間に前記
    連通路を形成する隙間が確保されるように構成されてい
    ることを特徴とする基板処理装置の整流板。
  14. 【請求項14】 基板を保持して回転可能な基板保持部
    と、前記基板よりも大きな平面視形状を有し、前記基板
    保持部に保持された基板の下方に位置し、前記基板保持
    部と同期回転する基台と、前記基板保持部及びこの基板
    保持部に保持された基板を覆うように設けられて前記基
    台との間に処理空間を形成し、前記基台および基板保持
    部とともに回転するカバー部材と、前記基板の外側にお
    いて当該基板保持部に保持されている基板の外周部の裏
    面との間に微小隙間を形成する隙間形成部材とを備えた
    基板処理装置において、前記隙間形成部材の上面よりも
    下方位置にて、前記基板保持部材の下面と前記基台との
    間の空間を前記基台の外周側空間に連通する連通路が形
    成されていることを特徴とする基板処理装置。
  15. 【請求項15】 請求項1または14記載の基板処理装
    置において、前記連通路は前記基板保持部材の下面と前
    記基台との間の空間に対して略同一高さに設けられてい
    ることを特徴とする基板処理装置。
  16. 【請求項16】 処理される基板よりも大きな平面視形
    状を有し回転可能に設けられた基台と、この基台の上側
    にて基板を保持して回転可能な基板保持部と、この基板
    保持部の周囲に略同一高さに設けられ、当該基板保持部
    に保持された基板の外周部の裏面との間に微小隙間を形
    成する隙間形成部材と、前記基板保持部および当該基板
    保持部に保持された基板を覆うように設けられて前記基
    台との間に空間を形成し、前記基台および基板保持部と
    ともに回転するカバー部材とを備えた基板処理装置にお
    いて、前記基板保持部と前記隙間形成部材によって前記
    基台と前記カバー部材との間の空間を区画し、前記基板
    保持部と前記隙間形成部材の上側を処理空間とし、前記
    基板保持部と前記隙間形成部材の下側をその外周側を開
    放したエア排出空間としたことを特徴とする基板処理装
    置。
  17. 【請求項17】 請求項16記載の基板処理装置におい
    て、前記隙間形成部材と前記カバー部材の外周側端部を
    概ね閉塞または完全に閉塞するように設けられたリング
    部材をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
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