TWI694485B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係將基板配置於俯視觀看時被具有第一防護罩以及第二防護罩的複數個防護罩圍繞的位置，並水平地保持前述基板；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係將用以將前述基板的上表面予以疏水化之液體的疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以表面張力比水還低之低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前使前述複數個防護罩的至少一個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一防護罩接住從前述基板飛散的液體之第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中使前述複數個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二防護罩接住從前述基板飛散的液體之第二狀態。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象之基板係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
在葉片式的基板處理裝置所為之基板處理中逐片地處理基板。詳細而言，基板係被自轉夾具(spin chuck)大致水平地保持。而且，在藉由藥液處理基板的上表面後，藉由清洗(rinse)液清洗基板的上表面。之後，為了使基板的上表面乾燥，進行用以使基板高速旋轉之旋乾(spin-drying)步驟。
如圖9所示，在基板的表面形成有細微的圖案(pattern)之情形中，會有在旋乾步驟中無法去除進入至圖案內部的 清洗液之虞。如此，會有產生乾燥不良之虞。進入至圖案內部之清洗液的液面(空氣與液體之間的界面)係形成於圖案內。因此，於液面與圖案之間的接觸位置作用有液體的表面張力。在該表面張力大之情形中，容易導致圖案的崩壞。屬於典型的清洗液之水，由於表面張力大，因此無法無視旋乾步驟中的圖案的崩壞。
因此，提案有一種手法(例如日本特開2016-21597號公報)，係使用表面張力比水還低之屬於低表面張力液體的異丙醇(IPA；Isopropyl Alcohol)。具體而言，對基板的上表面供給IPA，藉此將進入至圖案內部的水置換成IPA後，去除IPA，藉此使基板的上表面乾燥。然而，即使是已將進入至圖案內部的水置換成IPA之情形中，在表面張力作用之時間長之情形以及圖案強度低之情形中亦會導致圖案的崩壞。
因此，在日本特開2012-222329號公報中，已揭示有一種基板處理，係以矽烷基(silyl)化劑將基板的上表面予以疏水化，藉此降低圖案所承受的表面張力，從而防止圖案的崩壞。具體而言，對基板的上表面供給矽烷基化劑，被供給至基板的上表面的矽烷基化劑係以藉由基板的旋轉而於基板的上表面從中央朝周緣擴展之方式流動。藉此，基板的上表面整體係被疏水化。之後，藉由IPA沖洗殘留於基板的上表面的矽烷基化劑後，使基板乾燥。從基板的上 表面排除的烷基化劑以及IPA係被罩(cap)部接住。
在日本特開2012-222329號公報所揭示的基板處理中，罩部接住從基板飛散的矽烷基化劑，從而矽烷基化劑附著至罩部。而且，在以IPA沖洗基板上的矽烷基化劑時，罩部接住從基板飛散的IPA。因此，會有附著至罩部的矽烷基化劑與從基板飛散的IPA混合後的液體從罩部濺回並附著至基板的上表面之虞。如此，會有於基板的上表面產生微粒(particle)而無法將基板的上表面良好地乾燥之虞。尤其是在結束IPA的供給後矽烷基化劑附著至基板的上表面之情形中，由於該矽烷基化劑未被沖洗，因此容易變成微粒的原因。
此外，即使是在從罩部濺回的液體未附著至基板之情形中，於罩部的附近的環境氣體亦存在有疏水化劑的霧氣以及蒸氣。即使是在疏水化劑的霧氣以及蒸氣已到達至基板的上表面之情形中，亦會有產生微粒之虞。
因此，本發明的目的在於提供一種能使基板的上表面良好地乾燥之基板處理方法以及基板處理裝置。
本發明的實施形態之一提供一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係將基板配置於俯視觀看時被具有第一 防護罩以及第二防護罩的複數個防護罩圍繞的位置，並水平地保持前述基板；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係將用以將前述基板的上表面予以疏水化之液體的疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以表面張力比水還低之低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前使前述複數個防護罩的至少一個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一防護罩接住從前述基板飛散的液體之第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中使前述複數個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二防護罩接住從前述基板飛散的液體之第二狀態。
依據此方法，在低表面張力液體供給步驟之前，基板的上表面係被疏水化劑疏水化。因此，降低低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，在低表面張力液體供給步驟的執行中，複數個防護罩的狀態係從第一狀態被切換成第二狀態。亦即，在基板上的疏水化劑的至少一部分從基板飛散後，用以接住從基板飛散的液體之防護罩係從第一防護罩被切換成第二 防護罩。因此，抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。因此，抑制疏水化劑從第二防護罩濺回並附著至基板的上表面。
再者，複數個防護罩的狀態的切換並非是在低表面張力液體供給步驟結束後進行，而是在低表面張力液體供給步驟的執行中進行。因此，即使是在萬一疏水化劑從第一防護罩濺回並附著至基板之情形中，基板上的疏水化劑亦被低表面張力液體沖洗。藉此，抑制微粒的產生。
此外，直至從第一狀態被切換成第二狀態為止，第一防護罩係被低表面張力液體沖洗。藉此，減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。因此，抑制或防止疏水化劑附著至基板。
如上所述，降低低表面張力液體涵蓋至基板的上表面之表面張力，且抑制微粒的產生。結果，能使基板良好地乾燥。
此外，所謂「置換」係指基板上的液體全體被新供給的液體置換。
在本發明的實施形態之一中，前述第二防護罩切換步 驟係包含有下述步驟：將複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
因此，能減少從第一狀態切換成第二狀態時存在於基板上的疏水化劑的量。因此，有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。再者，由於低表面張力液體所為之第一防護罩的洗淨時間變長，因此減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。
在本發明的實施形態之一中，前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。因此，更有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：基板乾燥步驟，係使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。因此，能迅速地去除基板上的低表面張力液體。因此，能降低低表面張力液體將表面張力涵蓋至基板的上表面之時間。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：排氣步驟，係於前述第一防護罩切換步驟之後，將前述基板的上表面與具有與前述基板的上表面對向之對向面的對向構件的前述對向面之間的環境氣體排氣。並且，前述第一防護罩切換步驟係包含有：密閉步驟，係使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上方。
依據此方法，第一防護罩以及第二防護罩中的至少一者的上端係位於與對向構件的對向面相等的高度或者比對向面還上方，藉此提升基板的上表面與對向面之間的空間的密閉度。在此狀態下，將基板的上表面與對向面之間的環境氣體排氣，藉此能效率佳地排除漂浮在基板的上表面與對向面之間的疏水化劑的霧氣。藉此，抑制在朝基板供給低表面張力液體時疏水化劑附著至基板的上表面。
在本發明的實施形態之一中，前述第一防護罩切換步驟係包含有下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住，前述第一延設部係從前述第一防護罩所具備的前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，前述第二延設部 係從前述第二防護罩所具備的第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸並從下方與前述第一延設部對向。而且，前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
依據此方法，在第一狀態中，從基板飛散的液體係通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住。因此，會有於第一延設部與第二延設部之間漂浮疏水化劑的霧氣之虞。因此，會有在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態之前混入有疏水化劑的霧氣的液體從複數個防護罩濺回並附著至基板的上表面之虞。
另一方面，在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，從基板飛散的液體係通過第二延設部的下方並被第二筒狀部接住。亦即，從基板飛散的液體係通過與有飄浮疏水化劑的霧氣之虞的第一延設部與第二延設部之間不同的路徑。因此，抑制從複數個防護罩濺回的液體混入疏水化劑的霧氣。
再者，即使是在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，疏水化劑的霧氣仍有從第一延設部與第二延設部之 間流出並到達至對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間且最終依然附著至基板的上表面之虞。因此，將複數個防護罩的狀態從第一狀態切換成第二狀態時縮窄第一延設部與第二延設部之間，藉此能抑制疏水化劑的霧氣從第一延設部與第二延設部之間流出。
在本發明的實施形態之一中，低表面張力液體供給步驟係包含有下述步驟：從噴出口朝前述基板的上表面噴出前述低表面張力液體。此外，前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
依據此方法，在第二防護罩切換步驟中，在低表面張力液體的噴出中複數個防護罩上下動作，藉此複數個防護罩的狀態係被切換成第二狀態。藉此，在第一防護罩以及第二防護罩中之接住從基板飛散的低表面張力液體之部分係在低表面張力液體的噴出中變化。因此，在將複數個防護罩的狀態切換成第二狀態時能洗淨第一防護罩。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後 且在前述疏水化劑供給步驟之前將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前將用以與前述清洗液以及前述疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面。
依據此方法，有機溶劑係與清洗液以及疏水化劑兩者混合。因此，即使是在清洗液與疏水化劑未混合之情形中，亦能對基板的上表面供給有機溶劑並以有機溶劑置換基板上的清洗液後，對基板的上表面供給疏水化劑並以疏水化劑置換基板上的有機溶劑，藉此以疏水化劑覆蓋基板的上表面。因此，提升清洗液以及疏水化劑的選擇的自由度。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面。
依據此方法，在疏水化劑供給步驟之前藉由溫水預先加熱基板。因此，能提高疏水化劑的活性。藉此，能將基板的上表面均勻地疏水化。因此，能抑制形成於基板的上表面的圖案的崩壞。
本發明的其他實施形態係提供一種基板處理裝置，係 包含有：基板保持單元，係水平地保持基板；基板旋轉單元，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給單元，係將用以將前述基板的上表面予以疏水化之液體的疏水化劑供給至前述基板的上表面；低表面張力液體供給單元，係將表面張力比水還低之低表面張力液體供給至前述基板的上表面；複數個防護罩，係具有俯視觀看時圍繞前述基板且用以接住從前述基板飛散的液體之第一防護罩以及第二防護罩；防護罩切換單元，係使前述複數個防護罩的至少一個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態在第一狀態與第二狀態之間進行切換，前述第一狀態係前述第一防護罩接住從前述基板飛散的液體，前述第二狀態係前述第二防護罩接住從前述基板飛散的液體；以及控制器，係控制前述基板旋轉單元、前述疏水化劑供給單元、前述低表面張力液體供給單元以及前述防護罩切換單元。
並且，前述控制器係被編程為執行：基板旋轉步驟，係藉由前述基板旋轉單元使在俯視觀看時被前述複數個防護罩圍繞的位置中被前述基板保持單元保持的前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係從前述疏水化劑供給單元將前述疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，從前述低表面張力液體供給單元對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低 表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在低表面張力液體供給步驟之前，基板的上表面係被疏水化劑疏水化。因此，降低低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，在低表面張力液體供給步驟的執行中，複數個防護罩的狀態係從第一狀態被切換成第二狀態。亦即，在基板上的疏水化劑的至少一部分從基板飛散後，用以接住從基板飛散的液體之防護罩係從第一防護罩被切換成第二防護罩。因此，抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。因此，抑制疏水化劑從第二防護罩濺回並附著至基板的上表面。
再者，複數個防護罩的狀態的切換並非是在低表面張力液體供給步驟結束後進行，而是在低表面張力液體供給步驟的執行中進行。因此，即使是在萬一疏水化劑從第一防護罩濺回並附著至基板之情形中，基板上的疏水化劑亦被低表面張力液體沖洗。藉此，抑制微粒的產生。
此外，直至從第一狀態被切換成第二狀態為止，第一防護罩係被低表面張力液體沖洗。藉此，減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。因此，抑制或防止疏水化劑附著至基板。
如上所述，由於降低低表面張力液體涵蓋至基板的上表面之表面張力且抑制微粒的產生，因此能使基板良好地乾燥。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，藉由前述防護罩切換單元將複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
因此，能減少從第一狀態切換成第二狀態時存在於基板上的疏水化劑的量。因此，有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。再者，由於低表面張力液體所為之第一防護罩的洗淨時間變長，因此減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。因此，更有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為執行：基板乾燥步驟，係藉由前述基板旋轉單元使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。因此，能迅速地去除基板上的低表面張力液體。因此，能降低低表面張力液體將表面張力涵蓋至基板的上表面之時間。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件，係具有與前述基板的上表面對向之對向面；以及排氣單元，係將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣。
並且，前述控制器係被編程為執行：排氣步驟，係藉由前述排氣單元將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣；且前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行：密閉步驟，係藉由前述防護罩切換單 元使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上方。
依據此構成，第一防護罩以及第二防護罩中的至少一者的上端係位於與對向構件的對向面相等的高度或者比對向面還上方，藉此提升基板的上表面與對向面之間的空間的密閉度。在此狀態下，將基板的上表面與對向面之間的環境氣體排氣，藉此能效率佳地排除漂浮在基板的上表面與對向面之間的疏水化劑的霧氣。藉此，抑制朝基板供給低表面張力液體時疏水化劑附著至基板的上表面。
在本發明的其他實施形態中，前述第一防護罩係包含有：第一筒狀部，係圍繞前述基板；以及第一延設部，係從前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸。而且，前述第二防護罩係包含有：第二筒狀部，係在比前述第一筒狀部還內側圍繞前述基板；以及第二延設部，係從前述第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，並從下方與前述第一延設部對向。
而且，前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過前述第一延設部與前述第二延設部之間並被前述第一筒 狀部接住；且前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
依據此構成，在第一狀態中，從基板飛散的液體係通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住。因此，會有於第一延設部與第二延設部之間漂浮疏水化劑的霧氣之虞。因此，會有在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態之前混入有疏水化劑的霧氣的液體從複數個防護罩濺回並附著至基板的上表面之虞。
另一方面，在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，從基板飛散的液體係通過第二延設部的下方並被第二筒狀部接住。亦即，從基板飛散的液體係通過與有飄浮疏水化劑的霧氣之虞的第一延設部與第二延設部之間不同的路徑。因此，抑制從複數個防護罩濺回的液體混入疏水化劑的霧氣。
再者，即使是在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，疏水化劑的霧氣仍有從第一延設部與第二延設部之間流出並到達至對向構件的對向面與基板的上表面之間的 空間且最終依然附著至基板的上表面之虞。因此，將複數個防護罩的狀態從第一狀態切換成第二狀態時縮窄第一延設部與第二延設部之間，藉此能抑制疏水化劑的霧氣從第一延設部與第二延設部之間流出。
在本發明的其他實施形態中，前述低表面張力液體供給單元係具有：噴出口，係噴出前述低表面張力液體。而且，前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間前述防護罩切換單元係將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在第二防護罩切換步驟中，在低表面張力液體的噴出時複數個防護罩上下動作，藉此複數個防護罩的狀態係被切換成第二狀態。藉此，在第一防護罩以及第二防護罩中之接住從基板飛散的低表面張力液體之部分係在低表面張力液體的噴出時變化。因此，在將複數個防護罩的狀態切換成第二狀態時能洗淨第一防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：藥液供給單元，係將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給單元，係將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給單元，係將用以與前述清洗液以及前述 疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面。
前述控制器係被編程為執行：藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前從前述藥液供給單元將前述藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述清洗液供給單元將前述清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面。
依據此構成，有機溶劑係與清洗液以及疏水化劑兩者混合。因此，即使是在清洗液與疏水化劑未混合之情形中，亦能對基板的上表面供給有機溶劑並以有機溶劑置換基板上的清洗液後，對基板的上表面供給疏水化劑並以疏水化劑置換基板上的有機溶劑，藉此以疏水化劑覆蓋基板的上表面。因此，提升清洗液以及疏水化劑的選擇的自由度。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：加熱流體供給單元，係將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面。而且，前述控制器係被編程為執行：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將前述加熱流體供給至前述基板的下表面。
依據此構成，在疏水化劑供給步驟之前藉由溫水預先加熱基板。因此，能提高疏水化劑的活性。藉此，能將基板的上表面均勻地疏水化。因此，能抑制形成於基板的上表面的圖案的崩壞。
在此，說明疏水化劑的聚合反應以及疏水化劑與基板的上表面之間的反應。如圖8A所示，未反應的疏水化劑係例如以Si(OR)3Y表示。R以及Y係將烷基等取代基簡化後予以顯示。該疏水化劑與水分子(H2O)係進行反應，藉此生成單量體(Si(OH)3Y)。接著，單量體彼此反應並形成二聚物(參照圖8B的中央的化學式)。再者，聚合反應進行，藉此最終形成聚合物(圖8B的右側的化學式)。接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度愈低則疏水化劑愈難聚合，接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度愈高則愈容易產生疏水化劑的聚合。
在接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度低之情形中，疏水化劑係在進行聚合之前會先與露出於基板的上表面的羥基反應。如此，雖然基板的上表面被疏水化，但即使是在基板的上表面被疏水化後，未反應的疏水化劑仍會殘留於基板上。因此，會有成為微粒產生的原因之課題。
在接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度高之情形中， 在與露出於基板的上表面的羥基反應之前疏水化劑會先聚合並形成聚合物。因此，成為微粒產生的原因。因此，如圖8C所示，需要適度地調整接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度，俾使疏水化劑適度地聚合(例如變成二聚物)。
另一方面，當接觸至基板上的低表面張力液體之環境氣體的濕度高時，會有基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量增大且表面張力增大之課題。
因此，組合上述實施形態與下述構成，藉此能解決這些課題。具體而言，前述基板處理裝置係進一步包含有：濕度調整單元，係調整前述基板的上表面附近的環境氣體的濕度；前述控制器係被編程為執行：濕度調整步驟，係以前述疏水化劑供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第二濕度之方式藉由濕度調整單元調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
依據此構成，將疏水化劑供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度設定成比低表面張力液體供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度還高。
因此，在疏水化劑供給步驟中，能以疏水化劑的聚合 不會過度進行之方式調高接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。因此，能抑制疏水化劑的聚合物化且能使疏水化劑適度地聚合。結果，能將基板的上表面充分地疏水化，並能抑制微粒的產生。
此外，在低表面張力液體供給步驟中，能充分地降低接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。藉此，能降低基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量。因此，能降低基板上的低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，前述控制器係被編程為在前述疏水化劑供給步驟之前執行：有機溶劑供給步驟，係從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：以前述有機溶劑供給步驟中的前述基板的上表面的周圍的環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第三濕度之方式調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
當於基板上的有機溶劑含有水時，在疏水化劑供給步驟中以疏水化劑置換基板上的有機溶劑時，疏水化劑係與有機溶劑中的水反應。因此，會有疏水化劑的聚合反應進行而無法將基板的上表面充分地疏水化之虞。因此，只要為在有機溶劑供給步驟中接觸至基板上的液膜之環境氣體 的濕度設定成比第一濕度還低濕度之構成，即能抑制疏水化劑的聚合物化。藉此，能將基板的上表面更充分地疏水化，並能更抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：氣體供給單元，係對前述對向面與前述基板的上表面之間的空間供給氣體；前述控制器係被編程為執行：氣體供給步驟，係從前述氣體供給單元朝前述空間供給氣體；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：在前述氣體供給步驟的執行中，以前述疏水化劑供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第二濕度之方式調整前述空間內的濕度。
依據此構成，藉由朝對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間供給氣體來調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。藉由調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度，能容易地調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件升降單元，係使前述對向構件升降；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：藉由前述對向構件升降單元使前述對向構件升降，藉此將前述對向 面與前述基板的上表面之間的距離從前述疏水化劑供給步驟中的前述對向面與前述基板的上表面之間的距離之第一距離變更成比前述第一距離還小的第二距離，從而將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度。
會有在疏水化劑供給步驟中被供給至基板的上表面的疏水化劑從基板的上表面濺回並附著至對向面之情形。當附著至對向面的疏水化劑在疏水化劑供給步驟後的低表面張力液體供給步驟中落下至基板的上表面時，會成為微粒的原因。
因此，只要為以疏水化劑供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第一距離)變成比低表面張力液體供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第二距離)還大之方式來調整空間內的濕度之方法，則會在疏水化劑供給步驟中在比低表面張力液體供給步驟還使對向構件從基板的上表面離開的狀態下對基板的上表面供給疏水化劑。因此，能抑制疏水化劑附著至對向面，從而能抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述控制器係在用以將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度之步驟中執行下述步驟：在前述低表面張力液體供 給步驟的執行中，藉由前述對向構件升降單元使前述對向構件升降，藉此將前述對向面與前述基板的上表面之間的距離從前述第一距離變更成前述第二距離。
因此，在至少基板的上表面的疏水化劑開始被低表面張力液體置換後，將對向面與基板的上表面之間的距離變更成第二距離。因此，能更抑制疏水化劑附著至對向面。
此外，亦可為前述氣體供給單元係可調整供給至前述空間之前述氣體的流量；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：調整來自前述氣體供給單元的前述氣體的供給流量，藉此調整前述空間內的濕度。因此，能藉由對向面與基板的上表面之間的距離的變更以及氣體的供給流量的調整而精度佳地調整對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。因此，能精度佳地調整接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。基板旋轉步驟，係藉由前述基板旋轉單元使在俯視觀看時被前述複數個防護罩圍繞的位置中被前述基板保持單元保持的前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係從前述疏水化劑供給單元將前述疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，從前述低表面張力液體供給單元對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步 驟的開始前藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在低表面張力液體供給步驟之前，基板的上表面係被疏水化劑疏水化。因此，降低低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，在低表面張力液體供給步驟的執行中，複數個防護罩的狀態係從第一狀態被切換成第二狀態。亦即，在基板上的疏水化劑的至少一部分從基板飛散後，用以接住從基板飛散的液體之防護罩係從第一防護罩被切換成第二防護罩。因此，抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。因此，抑制疏水化劑從第二防護罩濺回並附著至基板的上表面。
再者，複數個防護罩的狀態的切換並非是在低表面張力液體供給步驟結束後進行，而是在低表面張力液體供給步驟的執行中進行。因此，即使是在萬一疏水化劑從第一防護罩濺回並附著至基板之情形中，基板上的疏水化劑亦被低表面張力液體沖洗。藉此，抑制微粒的產生。
此外，直至從第一狀態被切換成第二狀態為止，第一防護罩係被低表面張力液體沖洗。藉此，減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。因此，抑制或防止疏水化劑附著至基板。
如上所述，由於降低低表面張力液體涵蓋至基板的上表面之表面張力且抑制微粒的產生，因此能使基板良好地乾燥。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，藉由前述防護罩切換單元將複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
因此，能減少從第一狀態切換成第二狀態時存在於基板上的疏水化劑的量。因此，有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。再者，由於低表面張力液體所為之第一防護罩的洗淨時間變長，因此減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。因此，更有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為執行：基板乾燥步驟，係藉由前述基板旋轉單元使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。因此，能迅速地去除基板上的低表面張力液體。因此，能降低低表面張力液體將表面張力涵蓋至基板的上表面之時間。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件，係具有與前述基板的上表面對向之對向面；以及排氣單元，係將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣。
並且，前述控制器係被編程為執行：排氣步驟，係藉由前述排氣單元將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣；且前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行：密閉步驟，係藉由前述防護罩切換單元使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的 上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上方。
依據此構成，第一防護罩以及第二防護罩中的至少一者的上端係位於與對向構件的對向面相等的高度或者比對向面還上方，藉此提升基板的上表面與對向面之間的空間的密閉度。在此狀態下，將基板的上表面與對向面之間的環境氣體排氣，藉此能效率佳地排除漂浮在基板的上表面與對向面之間的疏水化劑的霧氣。藉此，抑制朝基板供給低表面張力液體時疏水化劑附著至基板的上表面。
在本發明的其他實施形態中，前述第一防護罩係包含有：第一筒狀部，係圍繞前述基板；以及第一延設部，係從前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸。而且，前述第二防護罩係包含有：第二筒狀部，係在比前述第一筒狀部還內側圍繞前述基板；以及第二延設部，係從前述第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，並從下方與前述第一延設部對向。
而且，前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過前述第一延設部與前述第二延設部之間並被前述第一筒狀部接住；且前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切 換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
依據此構成，在第一狀態中，從基板飛散的液體係通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住。因此，會有於第一延設部與第二延設部之間漂浮疏水化劑的霧氣之虞。因此，會有在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態之前混入有疏水化劑的霧氣的液體從複數個防護罩濺回並附著至基板的上表面之虞。
另一方面，在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，從基板飛散的液體係通過第二延設部的下方並被第二筒狀部接住。亦即，從基板飛散的液體係通過與有飄浮疏水化劑的霧氣之虞的第一延設部與第二延設部之間不同的路徑。因此，抑制從複數個防護罩濺回的液體混入疏水化劑的霧氣。
再者，即使是在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，疏水化劑的霧氣仍有從第一延設部與第二延設部之間流出並到達至對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間且最終依然附著至基板的上表面之虞。因此，將複數 個防護罩的狀態從第一狀態切換成第二狀態時縮窄第一延設部與第二延設部之間，藉此能抑制疏水化劑的霧氣從第一延設部與第二延設部之間流出。
在本發明的其他實施形態中，前述低表面張力液體供給單元係具有：噴出口，係噴出前述低表面張力液體。而且，前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間前述防護罩切換單元係將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在第二防護罩切換步驟中，在低表面張力液體的噴出時複數個防護罩上下動作，藉此複數個防護罩的狀態係被切換成第二狀態。藉此，在第一防護罩以及第二防護罩中之接住從基板飛散的低表面張力液體之部分係在低表面張力液體的噴出時變化。因此，在將複數個防護罩的狀態切換成第二狀態時能洗淨第一防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：藥液供給單元，係將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給單元，係將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給單元，係將用以與前述清洗液以及前述疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面。
前述控制器係被編程為執行：藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前從前述藥液供給單元將前述藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述清洗液供給單元將前述清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面。
依據此構成，有機溶劑係與清洗液以及疏水化劑兩者混合。因此，即使是在清洗液與疏水化劑未混合之情形中，亦能對基板的上表面供給有機溶劑並以有機溶劑置換基板上的清洗液後，對基板的上表面供給疏水化劑並以疏水化劑置換基板上的有機溶劑，藉此以疏水化劑覆蓋基板的上表面。因此，提升清洗液以及疏水化劑的選擇的自由度。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：加熱流體供給單元，係將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面。而且，前述控制器係被編程為執行：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將前述加熱流體供給至前述基板的下表面。
依據此構成，在疏水化劑供給步驟之前藉由溫水預先加熱基板。因此，能提高疏水化劑的活性。藉此，能將基板的上表面均勻地疏水化。因此，能抑制形成於基板的上表面的圖案的崩壞。
在此，說明疏水化劑的聚合反應以及疏水化劑與基板的上表面之間的反應。如圖8A所示，未反應的疏水化劑係例如以Si(OR)3Y表示。R以及Y係將烷基等取代基簡化後予以顯示。該疏水化劑與水分子(H2O)係進行反應，藉此生成單量體(Si(OH)3Y)。接著，單量體彼此反應並形成二聚物(參照圖8B的中央的化學式)。再者，聚合反應進行，藉此最終形成聚合物(圖8B的右側的化學式)。接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度愈低則疏水化劑愈難聚合，接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度愈高則愈容易產生疏水化劑的聚合。
在接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度低之情形中，疏水化劑係在進行聚合之前會先與露出於基板的上表面的羥基反應。如此，雖然基板的上表面被疏水化，但即使是在基板的上表面被疏水化後，未反應的疏水化劑仍會殘留於基板上。因此，會有成為微粒產生的原因之課題。
在接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度高之情形中，在與露出於基板的上表面的羥基反應之前疏水化劑會先聚 合並形成聚合物。因此，成為微粒產生的原因。因此，如圖8C所示，需要適度地調整接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度，俾使疏水化劑適度地聚合(例如變成二聚物)。
另一方面，當接觸至基板上的低表面張力液體之環境氣體的濕度高時，會有基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量增大且表面張力增大之課題。
因此，組合上述實施形態與下述構成，藉此能解決這些課題。具體而言，前述基板處理裝置係進一步包含有：濕度調整單元，係調整前述基板的上表面附近的環境氣體的濕度；前述控制器係被編程為執行：濕度調整步驟，係以前述疏水化劑供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第二濕度之方式藉由濕度調整單元調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
依據此構成，將疏水化劑供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度設定成比低表面張力液體供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度還高。
因此，在疏水化劑供給步驟中，能以疏水化劑的聚合不會過度進行之方式調高接觸至基板上的液膜之環境氣體 的濕度。因此，能抑制疏水化劑的聚合物化且能使疏水化劑適度地聚合。結果，能將基板的上表面充分地疏水化，並能抑制微粒的產生。
此外，在低表面張力液體供給步驟中，能充分地降低接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。藉此，能降低基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量。因此，能降低基板上的低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，前述控制器係被編程為在前述疏水化劑供給步驟之前執行：有機溶劑供給步驟，係從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：以前述有機溶劑供給步驟中的前述基板的上表面的周圍的環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第三濕度之方式調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
當於基板上的有機溶劑含有水時，在疏水化劑供給步驟中以疏水化劑置換基板上的有機溶劑時，疏水化劑係與有機溶劑中的水反應。因此，會有疏水化劑的聚合反應進行而無法將基板的上表面充分地疏水化之虞。因此，只要為在有機溶劑供給步驟中接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度設定成比第一濕度還低濕度之構成，即能抑制疏水 化劑的聚合物化。藉此，能將基板的上表面更充分地疏水化，並能更抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：氣體供給單元，係對前述對向面與前述基板的上表面之間的空間供給氣體；前述控制器係被編程為執行：氣體供給步驟，係從前述氣體供給單元朝前述空間供給氣體；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：在前述氣體供給步驟的執行中，以前述疏水化劑供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第二濕度之方式調整前述空間內的濕度。
依據此構成，藉由朝對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間供給氣體來調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。藉由調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度，能容易地調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件升降單元，係使前述對向構件升降；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：藉由前述對向構件升降單元使前述對向構件升降，藉此將前述對向面與前述基板的上表面之間的距離從前述疏水化劑供給步 驟中的前述對向面與前述基板的上表面之間的距離之第一距離變更成比前述第一距離還小的第二距離，從而將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度。
會有在疏水化劑供給步驟中被供給至基板的上表面的疏水化劑從基板的上表面濺回並附著至對向面之情形。當附著至對向面的疏水化劑在疏水化劑供給步驟後的低表面張力液體供給步驟中落下至基板的上表面時，會成為微粒的原因。
因此，只要為以疏水化劑供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第一距離)變成比低表面張力液體供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第二距離)還大之方式來調整空間內的濕度之方法，則會在疏水化劑供給步驟中在比低表面張力液體供給步驟還使對向構件從基板的上表面離開的狀態下對基板的上表面供給疏水化劑。因此，能抑制疏水化劑附著至對向面，從而能抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述控制器係在用以將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度之步驟中執行下述步驟：在前述低表面張力液體供給步驟的執行中，藉由前述對向構件升降單元使前述對向 構件升降，藉此將前述對向面與前述基板的上表面之間的距離從前述第一距離變更成前述第二距離。
因此，在至少基板的上表面的疏水化劑開始被低表面張力液體置換後，將對向面與基板的上表面之間的距離變更成第二距離。因此，能更抑制疏水化劑附著至對向面。
此外，亦可為前述氣體供給單元係可調整供給至前述空間之前述氣體的流量；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：調整來自前述氣體供給單元的前述氣體的供給流量，藉此調整前述空間內的濕度。因此，能藉由對向面與基板的上表面之間的距離的變更以及氣體的供給流量的調整而精度佳地調整對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。因此，能精度佳地調整接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。基板旋轉步驟，係藉由前述基板旋轉單元使在俯視觀看時被前述複數個防護罩圍繞的位置中被前述基板保持單元保持的前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係從前述疏水化劑供給單元將前述疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，從前述低表面張力液體供給單元對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩 的狀態切換成前述第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在低表面張力液體供給步驟之前，基板的上表面係被疏水化劑疏水化。因此，降低低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，在低表面張力液體供給步驟的執行中，複數個防護罩的狀態係從第一狀態被切換成第二狀態。亦即，在基板上的疏水化劑的至少一部分從基板飛散後，用以接住從基板飛散的液體之防護罩係從第一防護罩被切換成第二防護罩。因此，抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。因此，抑制疏水化劑從第二防護罩濺回並附著至基板的上表面。
再者，複數個防護罩的狀態的切換並非是在低表面張力液體供給步驟結束後進行，而是在低表面張力液體供給步驟的執行中進行。因此，即使是在萬一疏水化劑從第一防護罩濺回並附著至基板之情形中，基板上的疏水化劑亦被低表面張力液體沖洗。藉此，抑制微粒的產生。
此外，直至從第一狀態被切換成第二狀態為止，第一 防護罩係被低表面張力液體沖洗。藉此，減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。因此，抑制或防止疏水化劑附著至基板。
如上所述，由於降低低表面張力液體涵蓋至基板的上表面之表面張力且抑制微粒的產生，因此能使基板良好地乾燥。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，藉由前述防護罩切換單元將複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
因此，能減少從第一狀態切換成第二狀態時存在於基板上的疏水化劑的量。因此，有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。再者，由於低表面張力液體所為之第一防護罩的洗淨時間變長，因此減少殘留於第一防護罩的疏水化劑以及存在於第一防護罩附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為： 在前述第二防護罩切換步驟中，在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。因此，更有效地抑制或防止疏水化劑附著至第二防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述控制器係被編程為執行：基板乾燥步驟，係藉由前述基板旋轉單元使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。因此，能迅速地去除基板上的低表面張力液體。因此，能降低低表面張力液體將表面張力涵蓋至基板的上表面之時間。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件，係具有與前述基板的上表面對向之對向面；以及排氣單元，係將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣。
並且，前述控制器係被編程為執行：排氣步驟，係藉由前述排氣單元將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣；且前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行：密閉步驟，係藉由前述防護罩切換單元使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上 方。
依據此構成，第一防護罩以及第二防護罩中的至少一者的上端係位於與對向構件的對向面相等的高度或者比對向面還上方，藉此提升基板的上表面與對向面之間的空間的密閉度。在此狀態下，將基板的上表面與對向面之間的環境氣體排氣，藉此能效率佳地排除漂浮在基板的上表面與對向面之間的疏水化劑的霧氣。藉此，抑制朝基板供給低表面張力液體時疏水化劑附著至基板的上表面。
在本發明的其他實施形態中，前述第一防護罩係包含有：第一筒狀部，係圍繞前述基板；以及第一延設部，係從前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸。而且，前述第二防護罩係包含有：第二筒狀部，係在比前述第一筒狀部還內側圍繞前述基板；以及第二延設部，係從前述第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，並從下方與前述第一延設部對向。
而且，前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過前述第一延設部與前述第二延設部之間並被前述第一筒狀部接住；且前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換 成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
依據此構成，在第一狀態中，從基板飛散的液體係通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住。因此，會有於第一延設部與第二延設部之間漂浮疏水化劑的霧氣之虞。因此，會有在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態之前混入有疏水化劑的霧氣的液體從複數個防護罩濺回並附著至基板的上表面之虞。
另一方面，在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，從基板飛散的液體係通過第二延設部的下方並被第二筒狀部接住。亦即，從基板飛散的液體係通過與有飄浮疏水化劑的霧氣之虞的第一延設部與第二延設部之間不同的路徑。因此，抑制從複數個防護罩濺回的液體混入疏水化劑的霧氣。
再者，即使是在複數個防護罩的狀態被切換成第二狀態後，疏水化劑的霧氣仍有從第一延設部與第二延設部之間流出並到達至對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間且最終依然附著至基板的上表面之虞。因此，將複數個防護罩的狀態從第一狀態切換成第二狀態時縮窄第一延 設部與第二延設部之間，藉此能抑制疏水化劑的霧氣從第一延設部與第二延設部之間流出。
在本發明的其他實施形態中，前述低表面張力液體供給單元係具有：噴出口，係噴出前述低表面張力液體。而且，前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間前述防護罩切換單元係將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
依據此構成，在第二防護罩切換步驟中，在低表面張力液體的噴出時複數個防護罩上下動作，藉此複數個防護罩的狀態係被切換成第二狀態。藉此，在第一防護罩以及第二防護罩中之接住從基板飛散的低表面張力液體之部分係在低表面張力液體的噴出時變化。因此，在將複數個防護罩的狀態切換成第二狀態時能洗淨第一防護罩。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：藥液供給單元，係將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給單元，係將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給單元，係將用以與前述清洗液以及前述疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面。
前述控制器係被編程為執行：藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前從前述藥液供給單元將前述藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述清洗液供給單元將前述清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面。
依據此構成，有機溶劑係與清洗液以及疏水化劑兩者混合。因此，即使是在清洗液與疏水化劑未混合之情形中，亦能對基板的上表面供給有機溶劑並以有機溶劑置換基板上的清洗液後，對基板的上表面供給疏水化劑並以疏水化劑置換基板上的有機溶劑，藉此以疏水化劑覆蓋基板的上表面。因此，提升清洗液以及疏水化劑的選擇的自由度。
在本發明的其他實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含有：加熱流體供給單元，係將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面。而且，前述控制器係被編程為執行：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將前述加熱流體供給至前述基板的下表面。
依據此構成，在疏水化劑供給步驟之前藉由溫水預先 加熱基板。因此，能提高疏水化劑的活性。藉此，能將基板的上表面均勻地疏水化。因此，能抑制形成於基板的上表面的圖案的崩壞。
在此，說明疏水化劑的聚合反應以及疏水化劑與基板的上表面之間的反應。如圖8A所示，未反應的疏水化劑係例如以Si(OR)3Y表示。R以及Y係將烷基等取代基簡化後予以顯示。該疏水化劑與水分子(H2O)係進行反應，藉此生成單量體(Si(OH)3Y)。接著，單量體彼此反應並形成二聚物(參照圖8B的中央的化學式)。再者，聚合反應進行，藉此最終形成聚合物(圖8B的右側的化學式)。接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度愈低則疏水化劑愈難聚合，接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度愈高則愈容易產生疏水化劑的聚合。
在接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度低之情形中，疏水化劑係在進行聚合之前會先與露出於基板的上表面的羥基反應。如此，雖然基板的上表面被疏水化，但即使是在基板的上表面被疏水化後，未反應的疏水化劑仍會殘留於基板上。因此，會有成為微粒產生的原因之課題。
在接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度高之情形中，在與露出於基板的上表面的羥基反應之前疏水化劑會先聚合並形成聚合物。因此，成為微粒產生的原因。因此，如 圖8C所示，需要適度地調整接觸至基板的液膜之環境氣體的濕度，俾使疏水化劑適度地聚合(例如變成二聚物)。
另一方面，當接觸至基板上的低表面張力液體之環境氣體的濕度高時，會有基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量增大且表面張力增大之課題。
因此，組合上述實施形態與下述構成，藉此能解決這些課題。具體而言，前述基板處理裝置係進一步包含有：濕度調整單元，係調整前述基板的上表面附近的環境氣體的濕度；前述控制器係被編程為執行：濕度調整步驟，係以前述疏水化劑供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中之接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第二濕度之方式藉由濕度調整單元調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
依據此構成，將疏水化劑供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度設定成比低表面張力液體供給步驟中之接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度還高。
因此，在疏水化劑供給步驟中，能以疏水化劑的聚合不會過度進行之方式調高接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。因此，能抑制疏水化劑的聚合物化且能使疏水化 劑適度地聚合。結果，能將基板的上表面充分地疏水化，並能抑制微粒的產生。
此外，在低表面張力液體供給步驟中，能充分地降低接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。藉此，能降低基板上的低表面張力液體的液膜所含有之水的量。因此，能降低基板上的低表面張力液體涵蓋於基板的上表面之表面張力。
此外，前述控制器係被編程為在前述疏水化劑供給步驟之前執行：有機溶劑供給步驟，係從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：以前述有機溶劑供給步驟中的前述基板的上表面的周圍的環境氣體的濕度變成比前述第一濕度還低濕度的第三濕度之方式調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
當於基板上的有機溶劑含有水時，在疏水化劑供給步驟中以疏水化劑置換基板上的有機溶劑時，疏水化劑係與有機溶劑中的水反應。因此，會有疏水化劑的聚合反應進行而無法將基板的上表面充分地疏水化之虞。因此，只要為在有機溶劑供給步驟中接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度設定成比第一濕度還低濕度之構成，即能抑制疏水化劑的聚合物化。藉此，能將基板的上表面更充分地疏水 化，並能更抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：氣體供給單元，係對前述對向面與前述基板的上表面之間的空間供給氣體；前述控制器係被編程為執行：氣體供給步驟，係從前述氣體供給單元朝前述空間供給氣體；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：在前述氣體供給步驟的執行中，以前述疏水化劑供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第一濕度且前述低表面張力液體供給步驟中的前述空間的濕度變成前述第二濕度之方式調整前述空間內的濕度。
依據此構成，藉由朝對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間供給氣體來調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。藉由調整對向構件的對向面與基板的上表面之間的空間的濕度，能容易地調整接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度。
此外，亦可為前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件升降單元，係使前述對向構件升降；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：藉由前述對向構件升降單元使前述對向構件升降，藉此將前述對向面與前述基板的上表面之間的距離從前述疏水化劑供給步驟中的前述對向面與前述基板的上表面之間的距離之第一 距離變更成比前述第一距離還小的第二距離，從而將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度。
會有在疏水化劑供給步驟中被供給至基板的上表面的疏水化劑從基板的上表面濺回並附著至對向面之情形。當附著至對向面的疏水化劑在疏水化劑供給步驟後的低表面張力液體供給步驟中落下至基板的上表面時，會成為微粒的原因。
因此，只要為以疏水化劑供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第一距離)變成比低表面張力液體供給步驟中之對向面與基板的上表面之間的距離(第二距離)還大之方式來調整空間內的濕度之方法，則會在疏水化劑供給步驟中在比低表面張力液體供給步驟還使對向構件從基板的上表面離開的狀態下對基板的上表面供給疏水化劑。因此，能抑制疏水化劑附著至對向面，從而能抑制微粒的產生。
此外，亦可為前述控制器係在用以將接觸至前述基板上的液膜之環境氣體的濕度從前述第一濕度變更成前述第二濕度之步驟中執行下述步驟：在前述低表面張力液體供給步驟的執行中，藉由前述對向構件升降單元使前述對向構件升降，藉此將前述對向面與前述基板的上表面之間的 距離從前述第一距離變更成前述第二距離。
因此，在至少基板的上表面的疏水化劑開始被低表面張力液體置換後，將對向面與基板的上表面之間的距離變更成第二距離。因此，能更抑制疏水化劑附著至對向面。
此外，亦可為前述氣體供給單元係可調整供給至前述空間之前述氣體的流量；前述控制器係被編程為在前述濕度調整步驟中執行下述步驟：調整來自前述氣體供給單元的前述氣體的供給流量，藉此調整前述空間內的濕度。因此，能藉由對向面與基板的上表面之間的距離的變更以及氣體的供給流量的調整而精度佳地調整對向面與基板的上表面之間的空間的濕度。因此，能精度佳地調整接觸至基板上的液膜之環境氣體的濕度。
本發明的上述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效係參照隨附的圖式且藉由以下進行的本發明的詳細說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
4‧‧‧腔室
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧對向構件
6a‧‧‧對向面
6b‧‧‧中央開口
7‧‧‧處理罩
8‧‧‧排氣單元
9‧‧‧排氣導管
10‧‧‧排氣閥
11‧‧‧防護罩
11A‧‧‧外側防護罩
11B‧‧‧中央防護罩
11C‧‧‧內側防護罩
11a‧‧‧上端
12‧‧‧罩部
12A‧‧‧第一罩部
12B‧‧‧第二罩部
13‧‧‧外壁構件
14‧‧‧筒狀部
15‧‧‧延設部
15a‧‧‧傾斜部
15b‧‧‧突出部
15o‧‧‧外壁
15s‧‧‧側壁
15u‧‧‧上壁
16‧‧‧噴嘴臂
17‧‧‧防護罩升降單元
17A‧‧‧外側防護罩升降單元
17B‧‧‧中央防護罩升降單元
17C‧‧‧內側防護罩升降單元
18‧‧‧噴嘴移動單元
20‧‧‧夾具銷
21‧‧‧自轉基座
21a‧‧‧貫通孔
22‧‧‧旋轉軸
22a‧‧‧內部空間
23‧‧‧自轉馬達
24‧‧‧隔壁
24a‧‧‧送風口
24b‧‧‧搬入搬出口
25‧‧‧擋門
26‧‧‧中空軸
27‧‧‧對向構件升降單元
31‧‧‧第一藥液噴嘴
32‧‧‧第二藥液噴嘴
33‧‧‧第一清洗液噴嘴
34‧‧‧下表面噴嘴
34a、36a、60a‧‧‧噴出口
35‧‧‧第一管部
36‧‧‧第二管部
37‧‧‧第三管部
38‧‧‧內部噴嘴
38h‧‧‧水平部
38v‧‧‧鉛直部
41‧‧‧第一藥液配管
42‧‧‧第二藥液配管
43‧‧‧第一清洗液配管
44‧‧‧加熱流體配管
45‧‧‧第二清洗液配管
46‧‧‧疏水化劑配管
47‧‧‧有機溶劑配管
48‧‧‧第二疏水化劑配管
49‧‧‧氣體配管
51‧‧‧第一藥液閥
52‧‧‧第二藥液閥
53‧‧‧第一清洗液閥
54‧‧‧加熱流體閥
55‧‧‧第二清洗液閥
56‧‧‧疏水化劑閥
57‧‧‧有機溶劑閥
58‧‧‧第二疏水化劑閥
59‧‧‧氣體閥
60‧‧‧中心噴嘴
61‧‧‧殼體
62‧‧‧氣體流路
70‧‧‧罩殼
71‧‧‧掃描單元
72‧‧‧電動馬達
73‧‧‧伸縮軟管
74A‧‧‧第一托架
74B‧‧‧第二托架
90‧‧‧空間
95‧‧‧排氣裝置
100‧‧‧液膜
A1‧‧‧旋轉軸線
A2、A3‧‧‧噴嘴轉動軸線
C‧‧‧承載器
CR、IR‧‧‧搬運機器人
L1‧‧‧第一距離
L2‧‧‧第二距離
LP‧‧‧裝載埠
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明實施形態之一的基板處理裝置的構成之俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元 的構成例之示意性的剖視圖。
圖3係前述處理單元所具備的自轉夾具及其周邊的構件的俯視圖。
圖4係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖5係用以說明前述基板處理裝置所為之基板處理的一例之流程圖。
圖6A至圖6K係用以說明前述基板處理的一例之示意性的剖視圖。
圖7係用以說明前述基板處理的一例之時序圖。
圖8A係用以說明疏水化劑與水之間的反應之圖。
圖8B係用以說明疏水化劑的聚合反應之圖。
圖8C係用以說明疏水化劑與基板的表面之間的反應之圖。
圖9係用以說明表面張力所致使之圖案崩壞的原理之 示意性的剖視圖。
圖1係用以說明本發明實施形態之一的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。
基板處理裝置1係用以逐片地處理矽晶圓等基板W之葉片式的裝置。在本實施形態中，基板W係圓板狀的基板。基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係以處理液處理基板W；裝載埠(load port)LP，係載置有承載器(carrier)C，該承載器C係用以收容在處理單元2進行處理的複數片基板W；搬運機器人IR以及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制器3，係控制基板處理裝置1。處理液係包括後述的藥液、清洗液、有機溶劑、疏水化劑等。搬運機器人IR係在承載器C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意圖。處理單元2係包含有箱形的腔室(chamber)4、自轉夾具5、對向構件6、筒狀的處理罩(processing cup)7以及排氣單元8。腔室4係具有內部空間。自轉夾具5係在腔室4內一邊水平地保持基板W一邊使基板W繞著鉛直的旋轉軸線A1旋 轉。旋轉軸線A1係通過基板W的中央部。對向構件6係與被自轉夾具5保持的基板W的上表面對向。處理罩7係接住從基板W朝外側飛散的處理液。排氣單元8係將腔室內4的環境氣體排氣。
腔室4係包含有：箱形的隔壁24，係設置有使基板W通過之搬入搬出口24b；以及擋門(shutter)25，係將搬入搬出口24b予以開閉。被過濾器過濾的空氣之潔淨氣體係從設置於隔壁24的上部之送風口24a恆常地供給至腔室4內。
排氣單元8係包含有：排氣導管9，係連接至處理罩7的底部；以及排氣閥10，係將排氣導管9予以開閉。藉由調整排氣閥10的開度，能調整於排氣導管9流動的氣體的流量(排氣流量)。排氣導管9係例如連接至用以吸引腔室4內部之排氣裝置95。排氣裝置95係可為基板處理裝置1的一部分，亦可與基板處理裝置1獨立地設置。在排氣裝置95為基板處理裝置1的一部分之情形中，排氣裝置95係例如為真空泵等。腔室4內的氣體通過排氣導管9從腔室4排出。藉此，於腔室4內恆常地形成有潔淨氣體的降流(down flow)。
自轉夾具5係一邊以水平的姿勢保持一片基板W一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線A1 旋轉。自轉夾具5係包含於用以水平地保持基板W之基板保持單元。基板保持單元亦稱為基板固持具。自轉夾具5係包含有夾具銷(chuck pin)20、自轉基座(spin base)21、旋轉軸22以及自轉馬達(spin motor)23。
自轉基座21係具有沿著水平方向之圓板形狀。於自轉基座21的上表面的周方向隔著間隔配置有複數個夾具銷20。自轉夾具5並未限定於用以使複數個夾具銷20接觸至基板W的外周面之夾持式的夾具。例如，自轉夾具5亦可為真空式的夾具，該真空式的夾具係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面(下表面)吸附至自轉基座21的上表面從而水平地保持基板W。
旋轉軸22係沿著旋轉軸線A1朝鉛直方向延伸。旋轉軸22的上端部係結合至自轉基座21的下表面中央。俯視觀看時，於自轉基座21的中央區域形成有將自轉基座21上下地貫通之貫通孔21a。貫通孔21a係與旋轉軸22的內部空間22a連通。
自轉馬達23係對旋轉軸22賦予旋轉力。藉由自轉馬達23使旋轉軸22旋轉，藉此旋轉自轉基座21。藉此，基板W係繞著旋轉軸線A1旋轉。以下，將以旋轉軸線A1作為中心之徑方向的內側簡稱為「徑方向內側」，將以旋轉軸線A1作為中心之徑方向的外側簡稱為「徑方向外側」。 自轉馬達23係包含於用以使基板W繞著旋轉軸線A1旋轉之基板旋轉單元。
對向構件6係形成為具有與基板W的直徑大致相同的直徑或基板W的直徑以上的直徑之圓板狀，且大致水平地配置於自轉夾具5的上方。對向構件6亦稱為阻隔構件。對向構件6係具有與基板W的上表面對向之對向面6a。於對向構件6中之與對向面6a為相反側之面固定有中空軸26。俯視觀看時，於對向構件6中之包含有與旋轉軸線A1重疊的位置之部分形成有連通孔，該連通孔係上下地貫通對向構件6且與中空軸26的內部空間連通。
處理單元2係進一步包含有：對向構件升降單元27，係驅動對向構件6的升降。對向構件升降單元27係能使對向構件6位於下位置(後述的圖6K所示的位置)至上位置(後述的圖6A所示的位置)中的任意的位置(高度)。所謂下位置係指在對向構件6的可動範圍中之對向構件6的對向面6a最接近基板W之位置。所謂上位置係指在對向構件6的可動範圍中之對向構件6的對向面6a最遠離基板W之位置。對向構件升降單元27係例如包含有滾珠螺桿機構(未圖示)以及用以對滾珠螺桿機構賦予驅動力之電動馬達(未圖示)。
處理罩7係包含有：複數個防護罩(guard)11，係用以 接住從被自轉夾具5保持的基板W朝外側飛散的液體；複數個罩部(cup)12，係用以接住被複數個防護罩11導引至下方的液體；以及圓筒狀的外壁構件13，係圍繞複數個防護罩11以及複數個罩部12。圖2係顯示設置有三個防護罩11(外側防護罩11A、中央防護罩11B以及內側防護罩11C)以及兩個罩部12(第一罩部12A以及第二罩部12B)的例子。
以下在提起外側防護罩11A、中央防護罩11B以及內側防護罩11C各者之情形中，亦會有簡稱為防護罩11之情形。同樣地，在提起第一罩部12A以及第二罩部12B各者之情形中，亦會有簡稱為罩部12之情形。
俯視觀看時，各個防護罩11係圍繞基板W，用以接住從基板W飛散的液體。各個防護罩11係包含有：圓筒狀的筒狀部14，係圍繞自轉夾具5；以及圓環狀的延設部15，係從筒狀部14的上端朝旋轉軸線A1(對向構件6)往斜上方延伸。內側防護罩11C的筒狀部14、中央防護罩11B的筒狀部14以及外側防護罩11A的筒狀部14係從徑方向內側依序地配置成同心圓狀。內側防護罩11C的延設部15、中央防護罩11B的延設部15以及外側防護罩11A的延設部15係從下方依序地於上下方向重疊。內側防護罩11C的延設部15的上端係相當於內側防護罩11C的上端11a。中央防護罩11B的延設部15的上端係相當於中央防護罩11B 的上端11a。外側防護罩11A的延設部15的上端係相當於外側防護罩11A的上端11a。俯視觀看時，各個防護罩11的上端11a係圍繞自轉基座21以及對向構件6。
複數個罩部12係從外側以第一罩部12A以及第二罩部12B的順序配置成同心圓狀。第一罩部12A係圍繞自轉夾具5。第二罩部12B係在比第一罩部12A還內側圍繞自轉夾具5。第二罩部12B係配置於比外壁構件13的上端還下方。第二罩部12B係相對於腔室4的隔壁24被固定。第一罩部12A係與中央防護罩11B為一體，且與中央防護罩11B一起於上下方向移動。中央防護罩11B亦可為可相對於第一罩部12A移動。
防護罩11係可在上位置與下位置之間於上下方向移動。在防護罩11位於上位置時，防護罩11的上端11a係位於比被自轉夾具5保持的基板W的上表面還上方。在防護罩11位於下位置時，防護罩11的上端11a係位於比被自轉夾具5保持的基板W的上表面還下方。
處理單元2係進一步包含有：防護罩升降單元17，係驅動複數個防護罩11的升降。圖3係自轉夾具5及其周邊的構件的俯視圖。參照圖3，防護罩升降單元17係包含有一對外側防護罩升降單元17A、一對中央防護罩升降單元17B以及一對內側防護罩升降單元17C。詳細而言，俯視 觀看時，將外側防護罩升降單元17A、中央防護罩升降單元17B以及內側防護罩升降單元17C作為一組之群組係以將基板W的旋轉軸線A1作為中心而變成點對稱之方式配置一對。因此，能使複數個防護罩11分別穩定地升降。
各個外側防護罩升降單元17A係包含有：電動馬達(未圖示)，係用以產生動力；以及滾珠螺桿機構，係用以將電動馬達(未圖示)的旋轉轉換成外側防護罩11A朝向上下方向的移動。各個中央防護罩升降單元17B係包含有：電動馬達(未圖示)，係用以產生動力；以及滾珠螺桿機構，係用以將電動馬達(未圖示)的旋轉轉換中央防護罩11B朝向上下方向的移動。各個內側防護罩升降單元17C係包含有：電動馬達(未圖示)，係用以產生動力；以及滾珠螺桿機構，係用以將電動馬達(未圖示)的旋轉轉換成內側防護罩11C朝向上下方向的移動。
防護罩升降單元17係防護罩切換單元的一例，該防護罩切換單元係使複數個防護罩11的至少一個防護罩11上下動作，藉此切換複數個防護罩11的狀態。防護罩升降單元17係使各個防護罩11位於上位置至下位置中的任意的位置。藉此，切換複數個防護罩11的狀態(配置)。防護罩升降單元17係例如將複數個防護罩11設定成三個狀態(第一狀態、第二狀態以及第三狀態)中的任一個狀態。
「第一狀態」(後述的圖6F所示的狀態)係外側防護罩11A接住從基板W飛散的液體時之複數個防護罩11的狀態。複數個防護罩11的狀態為第一狀態時，外側防護罩11A係配置於上位置，內側防護罩11C以及中央防護罩11B係配置於下位置。
「第二狀態」(後述的圖6E所示的狀態)係內側防護罩11C接住從基板W飛散的液體時之複數個防護罩11的狀態。複數個防護罩11的狀態為第二狀態時，外側防護罩11A、中央防護罩11B以及內側防護罩11C係配置於上位置。
「第三狀態」(後述的圖6A所示的狀態)係中央防護罩11B接住從基板W飛散的液體時之複數個防護罩11的狀態。複數個防護罩11的狀態為第三狀態時，外側防護罩11A以及中央防護罩11B係配置於上位置，內側防護罩11C係配置於下位置。
參照圖2以及圖3，處理單元2係包含有：第一藥液噴嘴31以及第二藥液噴嘴32，係往下方朝基板W的上表面噴出藥液；以及第一清洗液噴嘴33，係往下方朝基板W的上表面噴出清洗液。
第一藥液噴嘴31係連接至用以導引藥液之第一藥液 配管41。第二藥液噴嘴32係連接至用以導引藥液之第二藥液配管42。第一清洗液噴嘴33係連接至用以導引清洗液之第一清洗液配管43。清洗液係用以沖洗藥液之液體。當夾設於第一藥液配管41之第一藥液閥51開啟時，藥液係從第一藥液噴嘴31的噴出口朝下方連續性地噴出。第一藥液噴嘴31係用以將藥液供給至基板W的上表面之藥液供給單元的一例。當夾設於第二藥液配管42之第二藥液閥52開啟時，藥液係從第二藥液噴嘴32的噴出口朝下方連續性地噴出。第二藥液噴嘴32亦為藥液供給單元的一例。當夾設於第一清洗液配管43之第一清洗液閥53開啟時，清洗液係從第一清洗液噴嘴33的噴出口朝下方連續性地噴出。第一清洗液噴嘴33係用以將清洗液供給至基板W的上表面之清洗液供給單元的一例。
從第一藥液噴嘴31噴出的藥液係例如為DHF(dilute hydrofluoric acid；稀釋氫氟酸)。DHF係已以水稀釋氫氟酸(氟化氫酸)之溶液。從第二藥液噴嘴32噴出的藥液係例如為SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫混和液(ammonia-hydrogen peroxide))。
從第一藥液噴嘴31噴出的藥液以及從第二藥液噴嘴32噴出的藥液亦可為包含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF；buffered hydrogen fluoride)、DHF、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機 鹼(例如氫氧化四甲銨(TMAH；Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一者的液體。作為已混合這些之藥液的例子，除了SC1以外，能例舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液，亦即鹽酸過氧化氫混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))等。
從第一清洗液噴嘴33噴出的清洗液係例如為碳酸水。清洗液亦可為純水(去離子水(Deionized Water；DIW))、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。清洗液係水或水溶液。
第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33係可在腔室4內移動之掃描噴嘴。處理單元2係包含有噴嘴臂16以及噴嘴移動單元18。噴嘴臂16係保持第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33。噴嘴移動單元18係使噴嘴臂16移動，藉此使第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33至少於水平方向移動。
噴嘴移動單元18係使第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33在處理位置(後述的圖6A所 示的位置)與退避位置(圖3所示的位置)之間水平地移動。在第一藥液噴嘴31位於處理位置時，從第一藥液噴嘴31噴出的藥液係著液至基板W的上表面。在第二藥液噴嘴32位於處理位置時，從第二藥液噴嘴32噴出的藥液係著液至基板W的上表面。在第一清洗液噴嘴33位於處理位置時，從第一清洗液噴嘴33噴出的清洗液係著液至基板W的上表面。第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33位於退避位置時，俯視觀看時位於自轉夾具5的周圍。
噴嘴移動單元18係例如為迴旋單元，該迴旋單元係使第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33繞著噴嘴轉動軸線A2水平地移動。噴嘴轉動軸線A2係在自轉夾具5以及處理罩7的周圍鉛直地延伸。
處理單元2係包含有：下表面噴嘴34，係往上方朝基板W的下表面中央部噴出處理液。下表面噴嘴34係插入至在自轉基座21的上表面中央部呈開口的貫通孔21a。下表面噴嘴34的噴出口34a係從自轉基座21的上表面露出。下表面噴嘴34的噴出口係從下方與基板W的下表面中央部對向。下表面噴嘴34係連接至夾設有加熱流體閥54的加熱流體配管44。
當加熱流體閥54開啟時，溫水等加熱流體係從加熱流 體配管44被供給至下表面噴嘴34，並從下表面噴嘴34的噴出口34a朝上方連續性地噴出。下表面噴嘴34係用以將加熱流體供給至基板W的下表面之加熱流體供給單元的一例。溫水係比室溫還高溫的水，例如為80℃至85℃的水。下表面噴嘴34係相對於腔室4的隔壁24被固定。即使自轉夾具5使基板W旋轉，下表面噴嘴34亦不會旋轉。
從下表面噴嘴34噴出的加熱流體並未限定於溫水。從下表面噴嘴34噴出的加熱流體只要為能加熱基板W之流體即可。從下表面噴嘴34噴出的加熱流體亦可例如為高溫的氮氣。從下表面噴嘴34噴出的加熱流體亦可為水蒸氣。只要加熱流體為水蒸氣，即能以比溫水還高溫的流體加熱基板W。
處理單元2係包含有：中心噴嘴60，係經由在對向構件6的對向面6a的中央部呈開口的中央開口6b朝下方噴出處理液。中心噴嘴60係配置於將對向構件6的中央部於上下方向貫通之貫通孔內。中心噴嘴60的噴出口60a係從中央開口6b露出，並與被自轉夾具5保持的基板W的上表面的中央對向。中心噴嘴60係與對向構件6一起於鉛直方向升降。
中心噴嘴60係包含有：複數個內管(inner tube)(第一管部(tube)35、第二管部36以及第三管部37)，係朝下方噴出 處理液；以及筒狀的殼體(casing)61，係圍繞複數個內管。第一管部35、第二管部36、第三管部37以及殼體61係沿著旋轉軸線A1於上下方向延伸。對向構件6的內周面係於徑方向(與旋轉軸線A1正交的方向)隔著間隔圍繞殼體61的外周面。中心噴嘴60的噴出口60a亦為第一管部35、第二管部36以及第三管部37的噴出口。
第一管部35係往下方朝基板W的上表面噴出清洗液。第一管部35係連接至夾設有第二清洗液閥55的第二清洗液配管45。當第二清洗液閥55開啟時，清洗液係從第二清洗液配管45被供給至第一管部35，並從第一管部35的噴出口(中心噴嘴60的噴出口60a)朝下方連續性地噴出。第一管部35係用以將清洗液供給至基板W的上表面之清洗液供給單元的一例。從第一管部35噴出的清洗液係例如為碳酸水。從第一管部35噴出的清洗液並未限定於碳酸水。從第一管部35噴出的清洗液亦可例如為DIW等前述說明的清洗液。
第二管部36係往下方朝基板W的上表面噴出疏水化劑。疏水化劑係用以將基板W的上表面予以疏水化之液體。作用於被疏水化劑疏水化的基板W的上表面的圖案(參照圖9)的表面張力係比作用於未被疏水化的基板W的上表面的圖案的表面張力還低。第二管部36係連接至夾設有疏水化劑閥56的疏水化劑配管46。當疏水化劑閥56開啟時， 清洗液係從疏水化劑配管46被供給至第二管部36，並從第二管部36的噴出口(中心噴嘴60的噴出口60a)朝下方連續性地噴出。第二管部36係用以將疏水化劑供給至基板W的上表面之疏水化劑供給單元的一例。
從第二管部36噴出的疏水化劑係例如為矽系疏水化劑或者金屬系疏水化劑，矽系疏水化劑係用以使矽自體以及包含有矽之化合物予以疏水化，金屬系疏水化劑係用以使金屬自體以及包含有金屬之化合物予以疏水化。金屬系疏水化劑係例如包含有有機矽化合物以及具有疏水基之胺中的至少一者。矽系疏水化劑係例如為矽烷耦合劑(silane coupling agent)。
矽烷耦合劑係例如為HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)、TMS(tetramethylsilane；四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷(fluorinated alkylchlorosilane)、烷基二矽氮烷(alkyl disilazane)以及非氯(non-chloro)系疏水化劑中的至少一者。非氯系疏水化劑係例如包含有二甲基甲矽烷基二甲胺(DMSDMA；dimethylsilyldimethylamine)、二甲基甲矽烷基二乙胺(DMSDEA；dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二矽氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、四甲基二矽氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、雙(二甲基氨)二甲基矽烷(Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、N,N-二甲基三甲基矽胺(DMATMS；N,N-dimethylamino trimethylsilane)、N-(三甲基 矽基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有機矽烷(organosilane)化合物中的至少一者。
第三管部37係可與疏水化劑以及清洗液兩者混合，且往下方朝基板W的上表面噴出具有比水還低的表面張力的有機溶劑。將具有比水還低的表面張力的液體稱為低表面張力液體。從第三管部37噴出的有機溶劑係例如為IPA(異丙醇)。第三管部37係連接至夾設有有機溶劑閥57的有機溶劑配管47。當有機溶劑閥57開啟時，IPA係從有機溶劑配管47被供給至第三管部37，並從第三管部37的噴出口(中心噴嘴60的噴出口60a)朝下方連續性地噴出。第三管部37係用以將有機溶劑(低表面張力液體)供給至基板W的上表面之有機溶劑供給單元(低表面張力液體供給單元)的一例。
從第三管部37噴出的有機溶劑只要為可與疏水化劑以及清洗液雙方混合且具有比水還低的表面張力，則亦可為IPA以外的有機溶劑。更具體而言，從第三管部37噴出的有機溶劑亦可為包含有IPA、HFE(hydrofluoroether；氫氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反-1,2-二氯乙烯(Trans-1,2-Dichloroethylene)中的至少一者的液體之有機溶劑。
處理單元2係包含有：氣體配管49，係將來自氣體供 給源的氣體導引至對向構件6的中央開口6b；以及氣體閥59，係夾設於氣體配管49。當氣體閥59開啟時，從氣體配管49供給的氣體係於藉由中心噴嘴60的殼體61的外周面與對向構件6的內周面所形成的筒狀的氣體流路62朝下方流動，並從中央開口6b朝下方噴出。從中央開口6b噴出的氣體係被供給至對向面6a與基板W的上表面之間的空間90。中央開口6b係包含於用以將氣體供給至空間90內之氣體供給單元。藉由調整氣體閥59的開度，能調整從中央開口6b噴出的氣體的流量(供給流量)。被供給至中央開口6b的氣體係例如為氮氣。被供給至中央開口6b的氣體係具有比被供給至腔室4的內部空間的潔淨氣體還低的濕度。此外，潔淨氣體的濕度係例如為47%至50%。被供給至中央開口6b的氣體的濕度係例如為約0%。
較佳為被供給至中央開口6b的氣體係惰性氣體。惰性氣體係相對於基板W的上表面以及圖案為惰性的氣體，亦可為例如氬等稀有氣體類。從中央開口6b噴出的氣體亦可為空氣。
處理單元2係包含有：內部噴嘴38，係朝基板W的上表面噴出處理液(例如疏水化劑)。內部噴嘴38係包含有：水平部38h，係配置於比外側防護罩11A的上端11a還下方；以及鉛直部38v，係配置於外側防護罩11A的上方。即使是在外側防護罩11A以及中央防護罩11B配置於任意 的位置時，水平部38h皆配置於外側防護罩11A與中央防護罩11B之間。如圖3所示，水平部38h為俯視圓弧狀。水平部38h亦可為俯視直線狀，或亦可為俯視繞線狀。
如圖2所示，內部噴嘴38係插入至將外側防護罩11A的延設部15於上下方向貫通的貫通孔。鉛直部38v係配置於外側防護罩11A的貫通孔的上方。鉛直部38v係將配置於外側防護罩11A的上方的罩殼(housing)70於上下方向貫通。罩殼70係支撐於外側防護罩11A。鉛直部38v係以可旋轉的方式支撐於罩殼70。內部噴嘴38係可相對於外側防護罩11A繞著相當於鉛直部38v的中心線之噴嘴轉動軸線A3轉動。噴嘴轉動軸線A3係通過外側防護罩11A之鉛直的軸線。
於水平部38h的前端部(與噴嘴轉動軸線A3為相反側的端部)設置有用以將處理液朝下方噴出之噴出口38p。內部噴嘴38係連接至夾設有第二疏水化劑閥58的第二疏水化劑配管48。當第二疏水化劑閥58開啟時，疏水化劑係從第二疏水化劑配管48被供給至內部噴嘴38，並從內部噴嘴38的噴出口38p朝下方連續性地噴出。
處理單元2係包含有：掃描單元71，係使內部噴嘴38在處理位置與退避位置之間繞著噴嘴轉動軸線A3轉動。在內部噴嘴38位於處理位置時，從內部噴嘴38噴出的處 理液係著液至基板W的上表面。在內部噴嘴38位於退避位置時，俯視觀看時位於自轉夾具5的周圍。
掃描單元71係包含有：電動馬達72，係產生用以使內部噴嘴38轉動的動力。電動馬達72係可為與內部噴嘴38的鉛直部38v同軸的同軸馬達，亦可經由兩個滑輪(pulley)與無端狀的帶部連結至內部噴嘴38的鉛直部38v。
當內部噴嘴38配置於退避位置(圖3中以虛線所示的位置)時，內部噴嘴38的水平部38h的整體係與外側防護罩11A重疊。當內部噴嘴38配置於處理位置(圖3中以二點鍊線所示的位置)時，水平部38h的前端部係配置於比外側防護罩11A的上端11a還內側，且內部噴嘴38係與基板W重疊。處理位置係包含有：中央處理位置(圖3中以二點鍊線所示的位置)，係從內部噴嘴38噴出的處理液會著液至基板W的上表面中央部之位置；以及外周處理位置，係從內部噴嘴38噴出的處理液會著液至基板W的上表面外周部之位置。
外側防護罩11A的延設部15係包含有：環狀的傾斜部15a，係從外側防護罩11A的筒狀部14的上端朝旋轉軸線A1往斜上方延伸；以及突出部15b，係從傾斜部15a朝上方突出。傾斜部15a與突出部15b係於周方向(繞著旋轉軸線A1的方向)排列。突出部15b係包含有：一對側壁15s， 係從傾斜部15a朝上方延伸；上壁15u，係配置於一對側壁15s的上端之間；以及外壁15o，係配置於一對側壁15s的外端之間。突出部15b係形成從外側防護罩11A的傾斜部15a的下表面朝上方凹陷的收容空間。
當內部噴嘴38配置於退避位置時，俯視觀看時內部噴嘴38的水平部38h的整體係與突出部15b重疊並收容於收容空間。如圖2所示，此時，設置有噴出口38p的水平部38h的前端部係配置於比外側防護罩11A的上端11a還外側。只要將內部噴嘴38配置於退避位置，即能將外側防護罩11A的上端11a與中央防護罩11B的上端11a於上下方向彼此接近。藉此，能減少進入至外側防護罩11A與中央防護罩11B之間的液體的量。
如上所述，內部噴嘴38係支撐於罩殼70。同樣地，掃描單元71亦支撐於罩殼70。掃描單元71的電動馬達72係配置於可於上下方向伸縮的伸縮軟管(bellows)73中。罩殼70係經由第一托架(bracket)74A支撐於外側防護罩11A，並經由第二托架74B支撐於防護罩升降單元17。當防護罩升降單元17使外側防護罩11A升降時，罩殼70亦升降。藉此，內部噴嘴38以及掃描單元71係與外側防護罩11A一起升降。
圖4係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。控制器3係具備有微電腦，並依循預定的程式控制基板處理裝置1所具備的控制對象。更具體而言，控制器3係包含有處理器(CPU(Central Processing Unit；中央處理器))3A以及儲存有程式的記憶體3B，且構成為藉由處理器3A執行程式而執行基板處理用的各種控制。
尤其，控制器3係控制搬運機器人IR、搬運機器人CR、自轉馬達23、對向構件升降單元27、防護罩升降單元17(外側防護罩升降單元17A、中央防護罩升降單元17B以及內側防護罩升降單元17C)、噴嘴移動單元18、排氣閥10、第一藥液閥51、第二藥液閥52、第一清洗液閥53、加熱流體閥54、第二清洗液閥55、疏水化劑閥56、有機溶劑閥57、第二疏水化劑閥58、氣體閥59等的動作。藉由控制第一藥液閥51、第二藥液閥52、第一清洗液閥53、加熱流體閥54、第二清洗液閥55、疏水化劑閥56、有機溶劑閥57、第二疏水化劑閥58來控制是否從對應的噴嘴(管部)噴出流體以及噴出流量。藉由控制氣體閥59來控制是否從中央開口6b噴出氣體以及噴出流量。藉由控制排氣閥10來控制是否從排氣導管9排氣以及排氣流量。
圖5係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的一例之流程圖，主要顯示藉由控制器3執行程式而實現之處理。圖6A至圖6K係用以說明基板處理的一例之示意性的 剖視圖。圖7係用以說明基板處理的一例之時序圖。
如圖5所示，在基板處理裝置1所為之基板處理中，例如依序執行基板搬入(步驟S1)、第一藥液處理(步驟S2)、第一清洗液處理(步驟S3)、第二藥液處理(步驟S4)、第二清洗液處理(步驟S5)、有機溶劑處理(步驟S6)、疏水化劑處理(步驟S7)、低表面張力液體處理(步驟S8)、乾燥處理(步驟S9)以及基板搬出(步驟S10)。
首先，參照圖1，在基板處理裝置1所為之基板處理中，基板W係藉由搬運機器人IR、CR從承載器C被搬入至處理單元2並被授予至自轉夾具5(步驟S1：基板搬入)。在基板處理裝置1所為之基板處理中，排氣閥10(參照圖2)係恆常地開啟，且排氣閥10的開度係固定。
而且，參照圖6A，基板W係在直至被搬運機器人CR搬出為止之期間，在被複數個防護罩11圍繞的位置被自轉夾具5水平地保持(基板保持步驟)。接著，自轉馬達23(參照圖2)係使自轉基座21開始旋轉。藉此，開始旋轉基板W(基板旋轉步驟)。接著，對向構件升降單元27係使對向構件6位於上位置。
接著，開始第一藥液處理(步驟S2)。在第一藥液處理(步驟S2)中，將DHF(稀釋氫氟酸)作為藥液供給至基板W 上。
具體而言，防護罩升降單元17係將複數個防護罩11的狀態切換成第三狀態。接著，噴嘴移動單元18係使第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33移動至處理位置。接著，開啟第一藥液閥51。藉此，從第一藥液噴嘴31對旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域供給DHF(藥液)(藥液供給步驟)。DHF係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉此，於基板W上形成有DHF的液膜100。DHF係藉由離心力從基板W朝徑方向外側飛散。從基板W飛散的液體係通過中央防護罩11B的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間而被中央防護罩11B的筒狀部14接住。
接著，執行第一清洗液處理(步驟S3)。在第一清洗液處理(步驟S3)中，藉由DIW沖洗基板W上的DHF。
具體而言，關閉第一藥液閥51。藉此，停止從第一藥液噴嘴31噴出DHF。接著，如圖6B所示，開啟第一清洗液閥53。藉此，從第一清洗液噴嘴33朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域供給DIW(清洗液)(清洗液供給步驟)。DIW係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉此，基板W上的液膜100內的DHF係被DIW置換。DHF與DIW的混合液以及DIW係藉由離心力從基板W朝徑方 向外側飛散。從基板W飛散的液體係通過中央防護罩11B的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間而被中央防護罩11B的筒狀部14接住。
接著，執行第二藥液處理(步驟S4)。在第二藥液處理(步驟S4)中，將SC1供給至基板W的上表面。
具體而言，關閉第一清洗液閥53。藉此，停止從第一清洗液噴嘴33噴出DIW。接著，如圖6C所示，防護罩升降單元17係將複數個防護罩11的狀態從第三狀態切換成第二狀態。具體而言，複數個防護罩11係被設定成內側防護罩11C會接住從基板W飛散的液體之狀態。
接著，開啟第二藥液閥52。藉此，從第二藥液噴嘴32朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域噴出(供給)SC1(藥液供給步驟)。藥液係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉此，基板W上的液膜100內的DIW係被SC1置換。而且，藉由SC1處理基板W的上表面。SC1與DIW的混合液以及SC1係藉由離心力從基板W朝徑方向外側飛散。從基板W飛散的液體係通過內側防護罩11C的延設部15的下方而被內側防護罩11C的筒狀部14接住。
接著，執行第二清洗液處理(步驟S5)。在第二清洗液 處理(步驟S5)中，藉由碳酸水沖洗基板W上的SC1。
具體而言，參照圖6D以及圖7，關閉第二藥液閥52。藉此，停止從第二藥液噴嘴32噴出SC1。接著，噴嘴移動單元18係使第一藥液噴嘴31、第二藥液噴嘴32以及第一清洗液噴嘴33配置於退避位置。
接著，對向構件升降單元27係將對向構件6配置於上位置與下位置之間的接近位置。在該基板處理中，於接近距離包含有第一接近位置(後述的圖6G所示的位置)以及比第一接近位置還遠離基板W的上表面之第二接近位置(圖6D所示的位置)。將位於第一接近位置的對向構件6的下表面與基板W的上表面之間的距離稱為第一距離。第一距離係例如為15mm。將位於第二接近位置的對向構件6的下表面與基板W的上表面之間的距離稱為第二距離。第二距離係例如為5mm。在第二清洗液處理中，對向構件6係配置於第二接近位置。
在此，只要使至少一個防護罩11的上端11a位於與對向構件6的對向面6a相等的高度或者比對向構件6的對向面6a還上方的高度，即能提高基板W的上表面與對向構件6的對向面6a之間的空間90的密閉度。在複數個防護罩11位於上位置且對向構件6位於第一接近位置的狀態下，複數個防護罩11的上端11a係位於比對向面6a還上方。 因此，提高空間90的密閉度(密閉步驟)。
在提高空間90的密閉度的狀態下開啟氣體閥59。藉此，開始將從對向構件6的中央開口6b噴出的氮氣供給至空間90內(氣體供給步驟、惰性氣體供給步驟)。此外，排氣閥10(參照圖2)係維持在開啟的狀態。因此，將空間90內的環境氣體(基板W的上表面的附近的環境氣體)予以排氣(排氣步驟)。因此，開始置換空間90內的空氣並開始調整空間90內的環境氣體的濕度的調整。具體而言，空間90內的濕度係以接近從對向構件6的中央開口6b噴出的氮氣的濕度之方式開始變化。在第二清洗液處理中從對向構件6的中央開口6b噴出的氮氣的流量(噴出流量)為較大的流量。第二清洗液處理中的氮氣的噴出流量係例如為50L/min。
接著，開啟第二清洗液閥55。藉此，從中心噴嘴60的第一管部35的噴出口60a朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域噴出(供給)碳酸水(清洗液)(清洗液供給步驟)。從第一管部35噴出的碳酸水的流量(噴出流量)係例如為2000mL/min。碳酸水係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉此，藉由碳酸水置換基板W上的液膜100內的SC1。
SC1與碳酸水的混合液以及碳酸水係藉由離心力從基 板W朝徑方向外側飛散。複數個防護罩11的狀態係維持在與第二藥液處理(步驟S2)相同的第二狀態。因此，從基板W飛散的液體係通過比內側防護罩11C的延設部15還下方而被中央防護罩11B的筒狀部14接住。在第二清洗液處理中，自轉馬達23係使基板W以2000rpm旋轉。
開始朝基板W的上表面供給碳酸水經過預定時間(例如15秒)後，執行有機溶劑處理(步驟S6)。在有機溶劑處理(步驟S6)中，以IPA(有機溶劑)置換基板W的上表面的碳酸水(清洗液)。
具體而言，參照圖6E以及圖7，關閉第二清洗液閥55。藉此，停止從第一管部35噴出碳酸水。接著，開啟有機溶劑閥57。藉此，從中心噴嘴60的第三管部37的噴出口60a朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域噴出(供給)IPA(有機溶劑)(有機溶劑供給步驟)。從第三管部37噴出的IPA的流量(噴出流量)係例如為300mL/min。IPA係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。由於IPA係與碳酸水混合，因此基板W上的液膜100內的碳酸水係被IPA置換。碳酸水與IPA的混合液以及IPA係藉由離心力從基板W朝徑方向外側飛散。
複數個防護罩11的狀態係維持在與第二清洗液處理(步驟S5)相同的第二狀態。因此，從基板W飛散的液體係 被內側防護罩11C的筒狀部14接住。對向構件6的位置係維持在與第二清洗液處理(步驟S5)相同的第一接近位置。
接著，開啟加熱流體閥54。藉此，從下表面噴嘴34朝基板W的下表面的中央區域噴出溫水(加熱流體)。藉此，開始加熱流體供給步驟並開始加熱基板W(基板加熱步驟)。如此，下表面噴嘴34係作為用以加熱基板W之基板加熱單元發揮作用。加熱流體供給步驟係與有機溶劑供給步驟並行地執行。基板W的旋轉速度係維持在與第二清洗液處理(步驟S5)相同的狀態(2000rpm)。從對向構件6的中央開口6b噴出的氮氣的噴出流量亦維持在大流量。
如圖6F所示，當開始從第三管部37噴出IPA經過預定時間(例如9秒)時，防護罩升降單元17係將複數個防護罩11的狀態從第二狀態切換成第一狀態(第一防護罩切換步驟)。在第一防護罩切換步驟的執行中，至少外側防護罩11A的上端11a係位於比對向面6a還上方。亦即，在第一防護罩切換步驟的執行中亦執行密閉步驟。此外，基板W的旋轉速度亦從2000rpm變更成300rpm。
複數個防護罩11的位置被變更且經過預定時間(例如6秒)後，開始疏水化劑處理(步驟S7)。在疏水化劑處理(步驟S7)中，藉由疏水化劑將基板W的上表面予以疏水化。
具體而言，參照圖6G以及圖7，關閉有機溶劑閥57。藉此，停止從第三管部37噴出有機溶劑。接著，開啟疏水化劑閥56。藉此，從中心噴嘴60的第二管部36的噴出口60a朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域噴出(供給)疏水化劑(疏水化劑供給步驟)。從第二管部36噴出的疏水化劑的流量(噴出流量)係例如為150mL/min。疏水化劑係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。由於IPA係可與疏水化劑混合，因此基板W上的液膜100內的IPA係被疏水化劑置換。IPA與疏水化劑的混合劑以及疏水化劑係藉由離心力從基板W朝徑方向外側飛散。
複數個防護罩11的狀態係被維持在第一狀態。因此，從基板W飛散的液體係通過外側防護罩11A(第一防護罩)的延設部15(第一延設部)與內側防護罩11C(第二防護罩)的延設部15(第二延設部)之間而被外側防護罩11A的筒狀部14(第一筒狀部)接住。嚴格而言，從基板W飛散的液體係通過外側防護罩11A的延設部15與中央防護罩11B的延設部15之間。基板W的旋轉速度係從300rpm變更成500rpm。接著，調整氣體閥59的開度，將氮氣的噴出流量設定成較小的流量(例如10L/min)。
接著，對向構件升降單元27係使對向構件6移動至第一接近位置，該第一接近位置係比第二接近位置還上方的位置。在外側防護罩11A位於上位置且對向構件6位於第 一接近位置的狀態下，外側防護罩11A的上端11a係位於比對向面6a還上方。因此，維持在已提高空間90的密閉度的狀態。此外，排氣單元8所為之空間90內的環境氣體的排氣在第一防護罩切換步驟之後亦持續。
對向構件6從第二接近位置朝第一接近位置之移動係與疏水化劑的供給之開始同時地進行。對向構件6從第二接近位置朝第一接近位置之移動的時序亦可比疏水化劑的供給之開始還稍快，或亦可比疏水化劑的供給之開始還稍慢。
在開始噴出疏水化劑經過預定時間(例如15秒)後，開始低表面張力液體處理(步驟S8)。在低表面張力液體處理中，基板W的上表面的疏水化劑係被IPA置換。
具體而言，參照圖6H以及圖7，關閉疏水化劑閥56。藉此，停止從第二管部36噴出疏水化劑。接著，開啟有機溶劑閥57。藉此，從中心噴嘴60的第三管部37的噴出口60a朝旋轉狀態的基板W的上表面的中央區域噴出(供給)IPA(低表面張力液體)(低表面張力液體供給步驟)。低表面張力液體供給步驟中的IPA的噴出流量係例如與有機溶劑供給步驟相同，例如為300mL/min。IPA係藉由離心力遍及至基板W的上表面整體。藉此，基板W上的液膜100內的疏水化劑係被IPA置換。
IPA以及疏水化劑的混合液係藉由離心力從基板W朝徑方向外側飛散。複數個防護罩11的狀態係被維持在第一狀態。換言之，第一防護罩切換步驟係在低表面張力液體供給步驟開始前執行。因此，從基板W飛散的液體係被外側防護罩11A的筒狀部14接住。
基板W的旋轉速度係從500rpm變更成300rpm。在低表面張力液體處理(步驟S8)中，基板W的旋轉速度係維持在300rpm。
如圖6I所示，從開始噴出IPA經過預定時間(例如10秒)後，對向構件升降單元27係使對向構件6從第一接近位置移動至第二接近位置。換言之，於低表面張力液體供給步驟的執行中，對向面6a與基板W的上表面之間的距離係從第一距離L1變更成第二距離L2。在外側防護罩11A位於上位置且對向構件6位於第二接近位置的狀態下，外側防護罩11A的上端11a係位於比對向面6a還上方。因此，維持在已提高空間90的密閉度的狀態。接著，調整氣體閥59的開度，氮氣的噴出流量係變更成較大的流量(例如50L/min)。
如圖6J所示，在對向構件6移動至第一接近位置經過預定時間(例如40秒)後，防護罩升降單元17係將複數個 防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態(第二防護罩切換步驟)。第二防護罩切換步驟係在從第三管部37噴出IPA的期間(低表面張力液體供給步驟的執行中)被執行。較佳為複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態(參照圖7)，俾使外側防護罩11A接住在低表面張力液體供給步驟中從基板W飛散的液體之時間T1變得比內側防護罩11C接住在低表面張力液體供給步驟中從基板W飛散的液體之時間T2還長。更佳為在基板W上的疏水化劑完全地被IPA置換後將複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態。
藉由第二防護罩切換步驟將複數個防護罩11的狀態切換成第二狀態。因此，從基板W飛散的液體係通過內側防護罩11C(第二防護罩)的延設部15(第二延設部)的下方而被內側防護罩11C的筒狀部14(第二筒狀部)接住。
複數個防護罩11的狀態被切換成第二狀態經過預定時間(例如10秒)後，開始乾燥處理(步驟S9)。在乾燥處理中，藉由離心力將基板W上的低表面張力液體的液膜100從基板W上排除，藉此使基板W乾燥(基板乾燥步驟)。
詳細而言，參照圖6K以及圖7，關閉有機溶劑閥57以及氣體閥59。藉此，停止朝基板W的上表面供給IPA，且停止朝基板W的上表面與對向構件6的對向面6a之間 的空間90供給氮氣。接著，對向構件升降單元27係使對向構件6移動至下位置。接著，自轉馬達23係使基板W以例如2000rpm旋轉。藉此，甩離基板W上的液體成分，使基板W乾燥。
之後，自轉馬達23係使自轉夾具5停止旋轉。接著，對向構件升降單元27係使對向構件6移動至上位置。接著，防護罩升降單元17係將複數個防護罩11配置於下位置。之後，亦參照圖1，搬運機器人CR係進入至處理單元2，從自轉夾具5拾取處理完畢的基板W並搬出至處理單元2外(步驟S10)。該基板W係從搬運機器人CR被授予至搬運機器人IR，並藉由搬運機器人IR被收容至承載器C。
接著，說明對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度的變化。
在此，對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的距離愈小，則應被氮氣等氣體置換的環境氣體的體積愈變小。因此，對向面6a與基板W的上表面之間的環境氣體中之每單位時間被氮氣從對向面6a與基板W的上表面之間推出的氣體的比例變大。因此，對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的距離愈小，則對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度愈接近從對向構件6的中央開口6b噴出的氣體的濕度。亦即， 對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度變低。
此外，從對向構件6的中央開口6b噴出的氣體的流量愈大，則對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度愈接近從對向構件6的中央開口6b噴出的氣體的濕度。亦即，對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度變低。
參照圖7，在疏水化劑處理(步驟S7)中，對向構件升降單元27係將對向構件6配置於比第二接近位置還遠離基板W的上表面之第一接近位置。此外，調整氣體閥59的開度，將氮氣的噴出流量設定成較小的流量。因此，對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90內的濕度係被調整成較高的濕度(第一濕度)(濕度調整步驟)。無須將空間90內整體的濕度設定成第一濕度，只要至少接觸至基板W上的液膜100之環境氣體的濕度變成第一濕度即可。
在低表面張力液體處理(步驟S8)中，對向構件升降單元27係將對向構件6配置於第二接近位置。亦即，將對向面6a與基板W的上表面之間的距離從第一距離L1變更成第二距離L2。此外，調整氣體閥59的開度，將氮氣的噴出流量設定成較大的流量。藉此，空間90內的濕度係被調 整成比第一濕度還低濕度的第二濕度(濕度調整步驟)。無須將空間90內整體的濕度設定成第二濕度，只要至少接觸至基板W上的液膜100之環境氣體的濕度變成第二濕度即可。
在有機溶劑處理(步驟S6)中，對向構件升降單元27係將對向構件6配置於第二接近位置。此外，調整氣體閥59的開度，將氮氣的噴出流量設定成較大的流量。因此，空間90內的濕度係被調整成比第一濕度還低濕度的第三濕度(濕度調整步驟)。此外，在該基板處理中，在第二清洗液處理(步驟S5)中開始供給氮氣後，空間90內的濕度立即被調整成第三濕度。然而，空間90內的濕度亦可以在有機溶劑處理(步驟S6)開始時變成第三濕度之方式被調整。無須將空間90內整體的濕度設定成第三濕度，只要至少接觸至基板W上的液膜100之環境氣體的濕度變成第三濕度即可。
在本實施形態中，由於有機溶劑處理(步驟S6)中的對向構件6的位置係與低表面張力液體處理(步驟S8)中的對向構件6的位置相同之第二接近位置，因此第三濕度係與第二濕度大致相同的濕度。如上所述，對向構件升降單元27以及氣體閥59係作為濕度調整單元發揮作用。此外，濕度調整步驟係在氣體供給步驟的執行中進行。
如上所述，依據本實施形態，藉由自轉馬達23(基板旋轉單元)使在被複數個防護罩11圍繞的位置中被自轉夾具5(基板保持單元)保持的基板W繞著旋轉軸線A1旋轉(基板旋轉步驟)。從第二管部36(疏水化劑供給單元)將疏水化劑供給至旋轉狀態的基板W的上表面(疏水化劑供給步驟)。為了以IPA(低表面張力液體)置換基板W上的疏水化劑，從第三管部37(低表面張力液體供給單元)對旋轉狀態的基板的上表面供給IPA(低表面張力液體供給步驟)。防護罩升降單元17(防護罩切換單元)係於低表面張力液體供給步驟的開始前將複數個防護罩11的狀態切換成第一狀態(第一防護罩切換步驟)，並在低表面張力液體供給步驟的執行中將複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態(第二防護罩切換步驟)。
依據此構成，在低表面張力液體供給步驟之前，基板W的上表面係被疏水化劑疏水化。因此，降低IPA涵蓋於基板W的上表面之表面張力。
此外，在低表面張力液體供給步驟的執行中，複數個防護罩11的狀態係從第一狀態被切換成第二狀態。亦即，在基板W上的疏水化劑的至少一部分從基板W飛散後，用以接住從基板W飛散的液體之防護罩11係從外側防護罩11A(第一防護罩被)切換成內側防護罩11C(第二防護罩)。因此，抑制或防止疏水化劑附著至內側防護罩11C。因此，抑制疏水化劑從內側防護罩11C濺回並附著至基板W的上 表面。
再者，複數個防護罩11的狀態的切換並非是在低表面張力液體供給步驟結束後進行，而是在低表面張力液體供給步驟的執行中進行。因此，即使是在萬一疏水化劑從外側防護罩11A濺回並附著至基板W之情形中，基板W上的疏水化劑亦被IPA沖洗。藉此，抑制微粒的產生。
此外，直至從第一狀態被切換成第二狀態為止，外側防護罩11A係被IPA沖洗。藉此，減少殘留於外側防護罩11A的疏水化劑以及存在於外側防護罩11A附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。因此，抑制或防止疏水化劑附著至基板W。
如上所述，由於降低IPA涵蓋至基板的上表面之表面張力且抑制微粒的產生，因此能使基板W良好地乾燥。
此外，在本實施形態中，在第二防護罩切換步驟中，藉由防護罩切換單元17將複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態，以使外側防護罩11A接住IPA之時間T1變成比內側防護罩11C接住IPA之時間T2還長。
因此，能減少從第一狀態切換成第二狀態時存在於基板W上的疏水化劑的量。因此，有效地抑制或防止疏水化 劑附著至內側防護罩11C。再者，由於IPA所為之外側防護罩11A的洗淨時間變長，因此減少殘留於外側防護罩11A的疏水化劑以及存在於外側防護罩11A附近的環境氣體的疏水化劑的霧氣以及蒸氣。
此外，只要為在第二防護罩切換步驟中在以IPA置換基板W上的疏水化劑後將複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態之構成，即能更有效地抑制或防止疏水化劑附著至內側防護罩11C。
此外，在本實施形態中，藉由自轉馬達23使基板W旋轉並排除基板W上的IPA，藉此使基板W乾燥(基板乾燥步驟)。因此，能迅速地去除基板W上的IPA。因此，能降低IPA將表面張力涵蓋至基板W的上表面之時間。
此外，在本實施形態中，在第一防護罩切換步驟中執行：密閉步驟，係藉由防護罩切換單元17使外側防護罩11A以及內側防護罩11C中的至少一者的上端11a位於與對向面6a相等的高度或者比對向面6a還上方。因此，提升基板的上表面與對向面之間的空間的密閉度。接著，藉由排氣單元8將基板W的上表面與對向面6a之間的環境氣體排氣。在已提升基板的上表面與對向面之間的密閉度的狀態下將基板W的上表面與對向面6a之間的環境氣體排氣，藉此能效率佳地排除漂浮在基板W的上表面與對向 面6a之間的疏水化劑的霧氣。藉此，抑制朝基板W供給IPA時疏水化劑附著至基板W的上表面。
此外，在本實施形態中，在第一狀態中，從基板W飛散的液體通過外側防護罩11A的延設部15(第一延設部)與內側防護罩11C的延設部15(第二延設部)之間並被外側防護罩11A的筒狀部14(第一筒狀部)接住。而且，在第二防護罩切換步驟中，縮窄外側防護罩11A的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間的間隔。在第二狀態中，從基板W飛散的液體通過內側防護罩11C的延設部15的下方並被內側防護罩11C的筒狀部14(第二筒狀部)接住。
依據此構成，從基板W飛散的疏水化劑係通過外側防護罩11A的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間並被外側防護罩11A的筒狀部14接住。因此，會有於外側防護罩11A的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間漂浮疏水化劑的霧氣之虞。因此，會有在複數個防護罩11的狀態被切換成第二狀態之前混入有疏水化劑的霧氣的液體從複數個防護罩11濺回並附著至基板W的上表面之虞。
另一方面，在複數個防護罩11的狀態被切換成第二狀態後，從基板W飛散的液體係通過內側防護罩11C的延設部15的下方並被內側防護罩11C的筒狀部14接住。亦 即，從基板W飛散的液體係通過與有飄浮疏水化劑的霧氣之虞的外側防護罩11A的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間不同的路徑。因此，抑制從複數個防護罩11濺回的液體混入疏水化劑的霧氣。
再者，即使是在複數個防護罩11的狀態被切換成第二狀態後，疏水化劑的霧氣仍有從外側防護罩11A的延設部15與內側防護罩11C的延設部15之間流出並到達至對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的空間90且最終依然附著至基板W的上表面之虞。因此，將複數個防護罩11的狀態從第一狀態切換成第二狀態時縮窄外側防護罩11A的延設部與內側防護罩11C的延設部15之間，藉此能抑制疏水化劑的霧氣從空間90流出。
此外，在本實施形態中，在從第二管部36的噴出口36a噴出IPA的期間將複數個防護罩11的狀態切換成第二狀態。因此，在IPA的噴出時複數個防護罩11上下動作，藉此複數個防護罩11的狀態係被切換成第二狀態。藉此，在外側防護罩11A以及內側防護罩11C中之接住從基板W飛散的IPA之部分係在IPA的噴出時變化。因此，在將複數個防護罩11的狀態切換成第二狀態時能洗淨外側防護罩11A。
此外，在本實施形態中，於疏水化劑供給步驟之前執 行藥液供給步驟，在藥液供給步驟之後且在疏水化劑供給步驟之前執行清洗液供給步驟。而且，在清洗液供給步驟之後且在疏水化劑供給步驟之前執行有機溶劑供給步驟。
依據此構成，IPA等有機溶劑係與碳酸水等的清洗液以及疏水化劑兩者混合。因此，即使是在清洗液與疏水化劑未混合之情形中，亦能對基板W的上表面供給有機溶劑並以有機溶劑置換基板W上的清洗液後，對基板W的上表面供給疏水化劑並以疏水化劑置換基板W上的有機溶劑，藉此以疏水化劑覆蓋基板W的上表面。因此，提升清洗液以及疏水化劑的選擇的自由度。
此外，在本實施形態中，執行：加熱流體供給步驟，係與有機溶劑供給步驟並行，將溫水(加熱流體)供給至基板W的下表面。因此，在疏水化劑供給步驟之前藉由溫水預先加熱基板W。因此，能提高疏水化劑的活性。藉此，能將基板W的上表面均勻地疏水化。因此，能抑制圖案的崩壞。
本發明並未限定於以上所說明的實施形態，亦能進一步以其他的形態來實施。
例如，在上述實施形態中，外側防護罩11A係用以在第一狀態下接觸從基板W飛散的液體之防護罩11(第一防 護罩)，內側防護罩11C係用以在第二狀態下接住從基板W飛散的液體之防護罩11(第二防護罩)。然而，只要外側防護罩11A、中央防護罩11B以及內側防護罩11C中的任一者的防護罩係作為第一防護罩發揮作用並且外側防護罩11A、中央防護罩11B以及內側防護罩11C中之與作為第一防護罩發揮作用的防護罩不同的防護罩係作為第二防護罩發揮作用即可。
此外，在上述實施形態中，雖然防護罩11係合計設置有三個，但亦可與上述實施形態不同，亦可為防護罩11合計設置有兩個之形態，或亦可為防護罩11合計設置有四個以上之形態。
此外，在上述實施形態中，防護罩11的上端11a係位於比對向面6a還上方的高度位置，藉由提高空間90的密閉度。然而，亦可與上述實施形態不同，防護罩11的上端11a亦可位於與對向面6a相等的高度，藉此提高空間90的密閉度。
此外，在上述實施形態中，空間90內的濕度係藉由對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的距離的變更以及來自對向構件6的中央開口6b的氮氣的噴出流量的變更來調整。然而，亦可與上述實施形態不同，僅藉由對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的距離的變 更來調整空間90內的濕度。在此情形中，從第二清洗液處理(步驟S5)至低表面張力液體處理(步驟S8)的期間，氮氣係從對向構件6的中央開口6b以固定的流量噴出。此外，排氣閥10的開度係保持固定。空間90內的濕度亦可藉由對向構件6的對向面6a與基板W的上表面之間的距離的變更以及排氣閥10的開度的變更來調整。
此外，在疏水化劑處理(步驟S7)中，從內部噴嘴38噴出疏水化劑，藉此對基板W的上表面供給疏水化劑。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅為用以明暸本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被這些具體例界定地解釋，本發明的範圍僅被隨附的申請專利範圍所界定。
本發明係與2017年8月31日於日本特許廳所提出的日本特願2017-166501號對應，該日本特願2017-166501號的全部揭示係被援用並組入於本發明。

Claims (17)

  1. 一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係將基板配置於俯視觀看時被具有第一防護罩以及第二防護罩的複數個防護罩圍繞的位置，並水平地保持前述基板；基板旋轉步驟，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給步驟，係將用以將前述基板的上表面予以疏水化之液體的疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以表面張力比水還低之低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前使前述複數個防護罩的至少一個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一防護罩接住從前述基板飛散的液體之第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟的執行中使前述複數個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二防護罩接住從前述基板飛散的液體之第二狀態。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：將複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
  3. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：基板乾燥步驟，係使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：排氣步驟，係於前述第一防護罩切換步驟之後，將前述基板的上表面與具有與前述基板的上表面對向之對向面的對向構件的前述對向面之間的環境氣體排氣；前述第一防護罩切換步驟係包含有：密閉步驟，係使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上方。
  6. 如請求項5所記載之基板處理方法，其中前述第一防護罩切換步驟係包含有下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過第一延設部與第二延設部之間並被第一筒狀部接住，前述第一延設部係從前述第一防護罩所具備的前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，前述第二延設部係從前述第二防護罩所具備的第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸並從下方與前述第一延設部對向；前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
  7. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中前述低表面張力液體供給步驟係包含有下述步驟：從噴出口朝前述基板的上表面噴出前述低表面張力液體；前述第二防護罩切換步驟係包含有下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理方法，其中進一步包含有： 藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前將用以與前述清洗液以及前述疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面。
  9. 如請求項8所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面。
  10. 一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係水平地保持基板；基板旋轉單元，係使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉；疏水化劑供給單元，係將用以將前述基板的上表面予以疏水化之液體的疏水化劑供給至前述基板的上表面；低表面張力液體供給單元，係將表面張力比水還低之低表面張力液體供給至前述基板的上表面； 複數個防護罩，係具有俯視觀看時圍繞前述基板且用以接住從前述基板飛散的液體之第一防護罩以及第二防護罩；防護罩切換單元，係使前述複數個防護罩的至少一個防護罩上下動作，藉此將前述複數個防護罩的狀態在第一狀態與第二狀態之間進行切換，前述第一狀態係前述第一防護罩接住從前述基板飛散的液體，前述第二狀態係前述第二防護罩接住從前述基板飛散的液體；控制器，係控制前述基板旋轉單元、前述疏水化劑供給單元、前述低表面張力液體供給單元以及前述防護罩切換單元；藥液供給單元，係將用以處理前述基板的上表面之藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給單元，係將用以沖洗前述藥液之清洗液供給至前述基板的上表面；以及有機溶劑供給單元，係將用以與前述清洗液以及前述疏水化劑混合之有機溶劑供給至前述基板的上表面；前述控制器係被編程為執行：基板旋轉步驟，係藉由前述基板旋轉單元使在俯視觀看時被前述複數個防護罩圍繞的位置中被前述基板保持單元保持的前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉； 疏水化劑供給步驟，係從前述疏水化劑供給單元將前述疏水化劑供給至旋轉狀態的前述基板的上表面；低表面張力液體供給步驟，係為了以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑，從前述低表面張力液體供給單元對旋轉狀態的前述基板的上表面供給前述低表面張力液體；第一防護罩切換步驟，係於前述低表面張力液體供給步驟的開始前藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態；以及第二防護罩切換步驟，係在前述低表面張力液體供給步驟中於從前述低表面張力液體供給單元對前述基板的上表面供給前述低表面張力液體之期間藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態；且前述控制器係被編程為執行：藥液供給步驟，係於前述疏水化劑供給步驟之前從前述藥液供給單元將前述藥液供給至前述基板的上表面；清洗液供給步驟，係在前述藥液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述清洗液供給單元將前述清洗液供給至前述基板的上表面；以及 有機溶劑供給步驟，係在前述清洗液供給步驟之後且在前述疏水化劑供給步驟之前從前述有機溶劑供給單元將前述有機溶劑供給至前述基板的上表面。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態，以使前述第一防護罩接住前述低表面張力液體之時間變成比前述第二防護罩接住前述低表面張力液體之時間還長。
  12. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述第二防護罩切換步驟中，在以前述低表面張力液體置換前述基板上的前述疏水化劑後，藉由前述防護罩切換單元將前述複數個防護罩的狀態從前述第一狀態切換成前述第二狀態。
  13. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為執行：基板乾燥步驟，係藉由前述基板旋轉單元使前述基板旋轉並排除前述基板上的前述低表面張力液體，藉此使前述基板乾燥。
  14. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：對向構件，係具有與前述基板的上表面對向之對向面；以及排氣單元，係將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣； 前述控制器係被編程為執行：排氣步驟，係藉由前述排氣單元將前述基板的上表面與前述對向面之間的環境氣體排氣；並且，前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行：密閉步驟，係藉由前述防護罩切換單元使前述第一防護罩以及前述第二防護罩中的至少一者的上端位於與前述對向面相等的高度或者比前述對向面還上方。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述第一防護罩係包含有：第一筒狀部，係圍繞前述基板；以及第一延設部，係從前述第一筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸；前述第二防護罩係包含有：第二筒狀部，係在比前述第一筒狀部還內側圍繞前述基板；以及第二延設部，係從前述第二筒狀部的上端朝前述對向構件往斜上方延伸，並從下方與前述第一延設部對向；前述控制器係被編程為在前述第一防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第一狀態，前述第一狀態係從前述基板飛散的液體通過前述第一延設部與前述第二延設部之間並被前述第一筒狀部接住； 並且，前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態，前述第二狀態係以從前述基板飛散的液體通過前述第二延設部的下方並被前述第二筒狀部接住之方式比前述第一狀態還縮窄前述第一延設部與前述第二延設部之間的間隔。
  16. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中前述低表面張力液體供給單元係具有：噴出口，係噴出前述低表面張力液體；前述控制器係被編程為在前述第二防護罩切換步驟中執行下述步驟：在從前述噴出口噴出前述低表面張力液體的期間前述防護罩切換單元係將前述複數個防護罩的狀態切換成前述第二狀態。
  17. 如請求項10或11所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：加熱流體供給單元，係將用以加熱前述基板之加熱流體供給至前述基板的下表面；前述控制器係被編程為執行：加熱流體供給步驟，係與前述有機溶劑供給步驟並行，將前述加熱流體供給至前述基板的下表面。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7017343B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7203685B2 (ja) * 2019-05-27 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
JP7315389B2 (ja) * 2019-06-28 2023-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7223047B2 (ja) * 2021-03-03 2023-02-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222329A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
TW201312678A (zh) * 2011-04-18 2013-03-16 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置、液體處理方法及儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體
CN106960807A (zh) * 2016-01-12 2017-07-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224692A (ja) 2008-03-18 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6317547B2 (ja) 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6282904B2 (ja) 2014-03-14 2018-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6523643B2 (ja) 2014-09-29 2019-06-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6467292B2 (ja) * 2015-05-29 2019-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6046225B2 (ja) 2015-10-05 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP6687486B2 (ja) 2016-08-31 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP7017343B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6953255B2 (ja) * 2017-09-21 2021-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7116534B2 (ja) * 2017-09-21 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6948894B2 (ja) * 2017-09-22 2021-10-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222329A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 液処理方法及び液処理装置
TW201312678A (zh) * 2011-04-18 2013-03-16 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置、液體處理方法及儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體
CN106960807A (zh) * 2016-01-12 2017-07-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法

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