TW202345983A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明於由處理液處理基板之周緣部時，有時會產生上方飛散液滴。因此，本發明之基板處理裝置於由杯部之簷部位自鉛直上方覆蓋基板之周緣部之狀態下，於鉛直方向上，一面將噴出口定位於低於簷部位之斜面處理位置，一面使處理液自噴出口著液於基板之周緣部。因此，該簷部位捕集上方飛散液滴。其結果，抑制上方飛散液滴再附著於基板或飛散至周圍氛圍。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種對基板供給處理液而處理該基板之基板處理技術者。

以下所示之日本申請之說明書、圖式及申請專利範圍之揭示內容以引用之方式將其全部內容併入本說明書中：

日本特願2022-46650號(2022年3月23日申請)。

已知有一種一面使半導體晶圓等基板旋轉一面對該基板供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等之基板處理裝置。例如，日本專利特開2017-11015號公報所記載之裝置中，為了捕集並回收自旋轉之基板飛散之處理液等而設有防飛散部。防飛散部具有以包圍旋轉之基板之外周之方式固定配置之防濺板(有時亦稱為「杯」)。防濺板之內周面與基板之外周對向，捕集自旋轉之基板甩開之處理液之液滴。

然而，利用防濺板捕集液滴時，液滴與防濺板之內周面碰撞，有時其一部分朝上方飛揚。又，對基板之周緣部供給處理液時，處理液之液滴之一部分有時亦朝上方飛散。如此，當飛散至上方之液滴(以下，稱為「上方飛散液滴」)再附著於基板上時，會產生水印。又，因液滴超出防濺板飛散，有時亦會污染周圍氛圍。因此，為了於上述基板處理裝置中良好地處理基板，重要的是抑制液滴向上方飛散。

本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可捕集對旋轉之基板之周緣部供給處理液而處理基板時產生之上方飛散液滴，良好地處理基板的基板處理技術。

本發明之一態樣提供一種基板處理裝置，其特徵在於具備：基板保持部，其一面保持基板一面可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉而設置；旋轉機構，其使基板保持部旋轉；處理機構，其自噴出口向保持於基板保持部之基板之周緣部噴出處理液；防飛散機構，其具有一面包圍旋轉之基板之外周一面捕集隨著基板保持部之旋轉而自基板飛散之處理液之杯部；及控制部；且杯部於自鉛直上方俯視時，具有遍及全周覆蓋保持於基板保持部之基板之周緣部之簷部位，控制部於鉛直方向上，噴出口位於低於簷部位之斜面處理位置之狀態下，以自噴出口噴出之處理液著液於基板之周緣部之方式，控制處理機構。

又，本發明之其他態樣提供一種基板處理方法，其特徵在於其係一面以杯部包圍繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板之外周一面由來自處理液噴出噴嘴之噴出口之處理液處理基板之周緣部者，且於由杯部之簷部位自鉛直上方覆蓋基板之周緣部之狀態下，於鉛直方向上，一面將噴出口定位於低於簷部位之斜面處理位置，一面使處理液自噴出口著液於基板之周緣部。

藉由處理液處理基板之周緣部時，有時會產生上方飛散液滴。然而，如上述般構成之發明中，由於杯部之簷部位遍及全周自上方覆蓋保持於基板保持部之基板之周緣部，故該簷部位捕集上方飛散液滴。其結果，抑制上方飛散液滴再附著於基板或飛散至周圍氛圍。

根據本發明，可捕集對旋轉之基板之周緣部供給處理液而處理基板時產生之上方飛散液滴，良好地處理基板。

上述本發明之各態樣具有之複數個構成要件並非必須者，為解決上述問題之部分或全部，或為達成本說明書中記載之效果之部分或全部，可適當對上述複數個構成要件之部分構成要件進行變更、刪除或替換為新的其他構成要件，刪除一部分限定內容。又，為解決上述問題之部分或全部，或為達成本說明書中記載之效果之部分或全部，亦可使上述本發明之一態樣所含之技術性特徵之部分或全部與上述本發明之其他態樣所含之技術性特徵之部分或全部組合，而作為本發明之獨立之一形態。

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。其並非顯示基板處理系統100之外觀者，而係藉由去除基板處理系統100之外壁面板或其他一部分構成，易於理解其內部構造而顯示之模式圖。該基板處理系統100例如設置於無塵室內，且係將僅於一主面形成有電路圖案等(以下稱為「圖案」)之基板W進行逐片處理之單片式裝置。且，於基板處理系統100所裝備之處理單元1中，執行本發明之基板處理方法。本說明書中，將基板之兩主面中形成有圖案之圖案形成面(一主面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，本說明書中，「圖案形成面」意指基板中於任意區域形成有凹凸圖案之面。

此處，作為本實施形態之「基板」，可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，主要採用半導體晶圓之處理中使用之基板處理裝置為例，參照圖式進行說明，但亦可同樣應用於以上例示之各種基板之處理。

如圖1所示，基板處理系統100具備對基板W實施處理之基板處理部110、及與該基板處理部110結合之傳載部120。傳載部120具有容器保持部121，該容器保持部121可保持複數個用以收容基板W之容器C(以密閉狀態收容複數個基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)、SMIF(Standard Mechanical Interface：標準機械介面)盒、OC(Open Cassette：開放式晶圓匣)等。又，傳載部120具備傳載機器人122，其接取保持於容器保持部121之容器C，用以自容器C取出未處理之基板W，或將已處理之基板W收納於容器C。於各容器C將複數塊基板W以大致水平姿勢收容。

傳載機器人122具備固定於裝置殼體之基底部122a、可相對於基底部122a繞鉛直軸轉動而設置之多關節臂122b、及安裝於多關節臂122b之前端之手122c。手122c成為可將基板W載置於其上表面並保持之構造。由於此種具有多關節臂及基板保持用之手之傳載機器人為周知，故省略詳細說明。

基板處理部110具備：載置台112，其由傳載機器人122載置基板W；基板搬送機器人111，其於俯視時配置於大致中央；及複數個處理單元1，其以包圍該基板搬送機器人111之方式配置。具體而言，面向配置有基板搬送機器人111之空間配置有複數個處理單元1。對於該等處理單元1，基板搬送機器人111隨機接取載置台112，於與載置台112間交接基板W。另一方面，各處理單元1對基板W執行特定之處理，相當於本發明之基板處理裝置。本實施形態中，該等處理單元(基板處理裝置)1具有同一功能。因此，可並行處理複數個基板W。另，若基板搬送機器人111可自傳載機器人122直接交接基板W，則無須載置台112。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。又，圖3係圖2之A-A線箭視俯視圖。圖2、圖3及以下參照之各圖中，為容易理解，有誇大或簡化各部之尺寸或數量而圖示之情形。基板處理裝置(處理單元)1具備旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。該等各部2～9於收容於腔室11之內部空間12之狀態下，電性連接於控制裝置全體之控制單元10。且，各部2～9根據來自控制單元10之指示而動作。

作為控制單元10，例如可採用與一般之電腦相同者。即，控制單元10中，依照程式所記述之順序，由作為主控制部之CPU進行運算處理，藉此控制基板處理裝置1之各部。另，關於控制單元10之詳細構成及動作於下文詳述。又，本實施形態中，對各基板處理裝置1設有控制單元10，但亦可以由1台控制單元控制複數個基板處理裝置1之方式構成。又，亦可構成為由控制基板處理系統100全體之控制單元(省略圖示)控制基板處理裝置1。

如圖2所示，於腔室11之頂壁11a安裝有風扇過濾單元(FFU，Fan Filter Unit)13。該風扇過濾單元13將設有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進而清潔化，並供給至腔室11內之處理空間。風扇過濾單元13具備用以引入無塵室內之空氣並將其送出至腔室11內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效粒子空氣)過濾器)，經由設置於頂壁11a之開口11b送入清潔空氣。藉此，於腔室11內之處理空間形成清潔空氣之降流。又，為了使自風扇過濾單元13供給之清潔空氣均一分散，穿設有多個吹出孔之沖孔板14設置於頂壁11a之正下。

如圖1及圖3所示，基板處理裝置1中，於腔室11之側面設有擋板15。於擋板15連接有擋板開閉機構(省略圖示)，根據來自控制單元10之開閉指令使擋板15開閉。更具體而言，基板處理裝置1中，將未處理之基板W搬入至腔室11時，擋板開閉機構打開擋板15，藉由基板搬送機器人111之手(圖16A中之符號RH)將未處理之基板W以面朝上姿勢搬入至旋轉機構2之旋轉夾盤(基板保持部)21。即，基板W以上表面Wf朝向上方之狀態載置於旋轉夾盤21上。且，當該基板搬入後，基板搬送機器人111之手自腔室11退避時，擋板開閉機構關閉擋板15。且，於腔室11之處理空間(相當於下文詳述之密閉空間SPs)內對基板W之周緣部Ws執行斜面處理。又，斜面處理結束後，擋板開閉機構再次打開擋板15，基板搬送機器人111之手將已處理之基板W自旋轉夾盤21搬出。如此，本實施形態中，將腔室11之內部空間12保持常溫環境。另，本說明書中，「常溫」意指處於5°C～35°C之溫度範圍。

旋轉機構2具有如下功能：使基板W以其表面朝向上方之狀態保持大致水平姿勢且旋轉，且使防飛散機構3之一部分同步朝與基板W同一方向旋轉。旋轉機構2使基板W及防飛散機構3之旋轉杯部31繞通過主面中心之鉛直之旋轉軸AX旋轉。另，為了明示藉由旋轉機構2一體旋轉之構件或部位等，圖2中對被旋轉部位標註有點。

旋轉機構2具備小於基板W之圓板狀構件即旋轉夾盤21。旋轉夾盤21之上表面大致水平，以其中心軸與旋轉軸AX一致之方式設置。於旋轉夾盤21之下表面連結有圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22以軸線與旋轉軸AX一致之狀態於鉛直方向延設。又，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如馬達)23。旋轉驅動部23根據來自控制單元10之旋轉指令，將旋轉軸部22繞其軸線旋轉驅動。因此，旋轉夾盤21可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。旋轉驅動部23與旋轉軸部22負責使旋轉夾盤21旋轉軸AX中心旋轉之功能，旋轉軸部22之下端部及旋轉驅動部23收容於筒狀之外殼24內。

於旋轉夾盤21之中央部，設有省略圖示之貫通孔，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間，經由介裝有閥(省略圖示)之配管25連接有泵26。該泵26及閥電性連接於控制單元10，根據來自控制單元10之指令而動作。藉此，對旋轉夾盤21選擇性賦予負壓與正壓。例如，若於基板W以大致水平姿勢放置於旋轉夾盤21之上表面之狀態下，泵26對旋轉夾盤21賦予負壓，則旋轉夾盤21自下方吸附保持基板W。另一方面，若泵26對旋轉夾盤21賦予正壓，則基板W可自旋轉夾盤21之上表面取下。又，若停止泵26之抽吸，則基板W可於旋轉夾盤21之上表面上水平移動。

於旋轉夾盤21，經由設置於旋轉軸部22之中央部之配管28連接有氮氣供給部29。氮氣供給部29將自設置基板處理系統100之工廠之設施等供給之常溫氮氣以對應於來自控制單元10之氮氣供給指令的流量及時序供給至旋轉夾盤21，於基板W之下表面Wb側使氮氣自中央部流通至徑向外側。另，本實施形態中雖使用氮氣，但亦可使用其他惰性氣體。關於該點，對於自以下說明之中央噴嘴噴出之加熱氣體亦同樣。又，「流量」意指氮氣等流體每單位時間移動之量。

旋轉機構2為了不僅使旋轉夾盤21與基板W一體旋轉，亦使旋轉杯部31與該旋轉同步旋轉，而具有動力傳遞部27。圖4係顯示動力傳遞部之構成之俯視圖，圖5係圖4之B-B線剖視圖。動力傳遞部27具有以非磁性材料或樹脂構成之圓環構件27a、內置於圓環構件27a之磁鐵27b、及內置於旋轉杯部31之一構成即下杯32之磁鐵27c。圓環構件27a安裝於旋轉軸部22，可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。更詳細而言，旋轉軸部22如圖5所示，於旋轉夾盤21之正下位置，具有朝徑向外側伸出之凸緣部位22a。且，圓環構件27a相對於凸緣部位22a同心狀配置，且由省略圖示之螺栓等連結固定。

圓環構件27a之外周緣部中，如圖4及圖5所示，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27b以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。本實施形態中，如圖4之放大圖所示，彼此相鄰之2個磁鐵27b之一者以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，另一者以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

與該等磁鐵27b同樣，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27c以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。該等磁鐵27c內置於下杯32。下杯32為以下說明之防飛散機構3之構成零件，如圖4及圖5所示，具有圓環形狀。即，下杯32具有可與圓環構件27a之外周面對向之內周面。該內周面之內徑大於圓環構件27a之外徑。且，一面使該內周面與圓環構件27a之外周面以特定間隔(=(上述內徑-上述外徑)/2)隔開對向，一面將下杯32與旋轉軸部22及圓環構件27a同心狀配置。於該下杯32之外周緣上表面，設有卡合銷35及連結用磁體36，藉此，上杯33與下杯32連結，該連結體作為旋轉杯部31發揮功能。關於該點於下文詳述。

下杯32藉由省略圖式之圖示之軸承，保持上述配置狀態可繞旋轉軸AX旋轉地受支持。於該下杯32之內周緣部，如圖4及圖5所示，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27c以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。又，關於彼此相鄰之2個磁鐵27c之配置亦與磁鐵27b相同。即，一者以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，另一者以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

如此構成之動力傳遞部27中，若藉由旋轉驅動部23，圓環構件27a與旋轉軸部22一起旋轉，則藉由磁鐵27b、27c間之磁力作用，下杯32維持氣隙GPa(圓環構件27a與下杯32之間隙)且朝與圓環構件27a相同之方向旋轉。藉此，旋轉杯部31繞旋轉軸AX旋轉。即，旋轉杯部31於與基板W同一方向且同步旋轉。

防飛散機構3具有：旋轉杯部31，其一面包圍保持於旋轉夾盤21之基板W之外周一面可繞旋轉軸AX旋轉；及固定杯部34，其以包圍旋轉杯部31之方式固定地設置。旋轉杯部31藉由將上杯33連結於下杯32，而一面包圍旋轉之基板W之外周一面可繞旋轉軸AX旋轉地設置。

圖6係顯示旋轉杯部之構造之分解組裝立體圖。圖7係顯示保持於旋轉夾盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。圖8係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。下杯32具有圓環形狀。其外徑大於基板W之外徑，於自鉛直上方俯視時，於自以旋轉夾盤21保持之基板W朝徑向伸出之狀態下，下杯32繞旋轉軸AX旋轉自如地配置。該伸出區域，即下杯32之上表面周緣部321中，交替安裝有沿周向立設於鉛直上方之卡合銷35與平板狀之下磁體36，卡合銷35之合計根數為3根，下磁體36之合計個數為3個。該等卡合銷35及下磁體36以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為60°)配置。

另一方面，上杯33如圖2、圖3、圖6及圖7所示，具有下圓環部位331、上圓環部位332、及連結該等之傾斜部位333。下圓環部位331之外徑D331與下杯32之外徑D32相同，如圖6所示，下圓環部位331位於下杯32之周緣部321之鉛直上方。於下圓環部位331之下表面，於相當於卡合銷35之鉛直上方之區域中，設置成朝下方開口之凹部335可與卡合銷35之前端部嵌合。又，相當於下磁體36之鉛直上方之區域中，安裝有上磁體37。因此，如圖6所示，於凹部335及上磁體37分別與卡合銷35及下磁體36對向之狀態下，上杯33可相對於下杯32卡脫。另，關於凹部與卡合銷之關係亦可反轉。又，除下磁體36與上磁體37之組合以外，亦可為一者以磁體構成，另一者以強磁性體構成。

上杯33可藉由升降機構7於鉛直方向升降。若上杯33藉由升降機構7朝上方移動，則於鉛直方向上，於上杯33與下杯32之間形成基板W之搬入搬出用之搬送空間(圖16A中之符號SPt)。另一方面，若上杯33藉由升降機構7朝下方移動，則以凹部335被覆卡合銷35之前端部之方式嵌合，上杯33相對於下杯32定位於水平方向。又，上磁體37接近下磁體36，藉由於兩者間產生之引力，上述已定位之上杯33及下杯32互相結合。藉此，如圖3之局部放大圖及圖8所示，以形成有於水平方向延伸之間隙GPc之狀態，將上杯33及下杯32於鉛直方向一體化。且，旋轉杯部31保持形成有間隙GPc之狀態不變而繞旋轉軸AX旋轉自如。

旋轉杯31中，如圖7所示，上圓環部位332之外徑D332稍小於下圓環部位331之外徑D331。又，若將下圓環部位331及上圓環部位332之內周面之徑d331、d332進行比較，則下圓環部位331大於上圓環部位332，自鉛直上方俯視時，上圓環部位332之內周面位於下圓環部位331之內周面之內側。且，上圓環部位332之內周面與下圓環部位331之內周面遍及上杯33之整周藉由傾斜部位333連結。因此，傾斜部位333之內周面，即包圍基板W之面成為傾斜面334。即，如圖8所示，傾斜部位333包圍旋轉之基板W之外周而可捕集自基板W飛散之液滴，由上杯33及下杯32包圍之空間作為捕集空間SPc發揮功能。

並且，面向捕集空間SPc之傾斜部位333自下圓環部位331向基板W之周緣部之上方傾斜。因此，如圖8所示，由傾斜部位333捕集之液滴沿傾斜面334流動至上杯33之下端部，即下圓環部位331，進而可經由間隙GPc排出至旋轉杯部31之外側。

固定杯部34以包圍旋轉杯部31之方式設置，形成排出空間SPe。固定杯部34具有液體接收部位341、與設置於液體接收部位341之內側之排氣部位342。液體接收部位341具有以面向間隙GPc之反基板側開口(圖8之左手側開口)之方式開口之杯構造。即，液體接收部位341之內部空間作為排出空間SPe發揮功能，經由間隙GPc與捕集空間SPc連通。因此，由旋轉杯部31捕集之液滴與氣體成分一起經由間隙GPc被引導至排出空間SPe。且，液滴集中於液體接收部位341之底部，自固定杯部34排液。

另一方面，氣體成分集中於排氣部位342。該排氣部位342經由區劃壁343與液體接收部位341區劃開。又，於區劃壁343之上方配置有氣體引導部344。氣體引導部344藉由自區劃壁343之正上位置分別延設至排出空間SPe與排氣部位342之內部，而自上方覆蓋區劃壁343，形成具有曲折構造之氣體成分之流通路徑。因此，流入至液體接收部位341之流體中之氣體成分經由上述流通路徑集中於排氣部位342。該排氣部位342與排氣機構38連接。因此，藉由排氣機構38根據來自控制單元10之指令作動，而調整固定杯部34之壓力，將排氣部位342內之氣體成分有效排出。又，藉由排氣機構38之精密控制，調整排出空間SPe之壓力或流量。例如，排出空間SPe之壓力較捕集空間SPc之壓力降低。其結果，可將捕集空間SPc內之液滴有效引入至排出空間SPe，促進液滴自捕集空間SPc之移動。

圖9係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。圖10係圖9所示之上表面之剖視保護加熱機構圖。上表面保護加熱機構4具有配置於由旋轉夾盤21保持之基板W之上表面Wf之上方之遮斷板41。該遮斷板41具有以水平姿勢保持之圓板部42。圓板部42內置有藉由加熱器驅動部422驅動控制之加熱器421。該圓板部42具有稍短於基板W之直徑。且，以圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws外之表面區域之方式，由支持構件43支持圓板部42。另，圖9中之符號44為設置於圓板部42之周緣部之缺口部，其係為了防止與處理機構5所含之處理液噴出噴嘴之干涉而設置。缺口部44朝徑向外側開口。

支持構件43之下端部安裝於圓板部42之中央部。以上下貫通支持構件43與圓板部42之方式形成有圓筒狀之貫通孔。又，中央噴嘴45上下插通該貫通孔。於該中央噴嘴45，如圖2所示，經由配管46與氮氣供給部47連接。氮氣供給部47將自設置基板處理系統100之工廠之動力等供給之常溫氮氣以對應於來自控制單元10之氮氣供給指令的流量及時序供給至中央噴嘴45。又，本實施形態中，於配管46之一部分安裝有帶狀加熱器48。帶狀加熱器48根據來自控制單元10之加熱指令發熱，將配管46內流動之氮氣加熱。

將如此加熱之氮氣(以下稱為「加熱氣體」)向中央噴嘴45壓送，並自中央噴嘴45噴出。例如如圖10所示，藉由於將圓板部42定位於接近由旋轉夾盤21保持之基板W之處理位置之狀態下供給加熱氣體，加熱氣體自被夾於基板W之上表面Wf與內置加熱器之圓板部42間之空間SPa之中央部向周緣部流動。藉此，可抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf。其結果，可有效防止上述氛圍所含之液滴捲入被夾於基板W與圓板部42間之空間SPa。又，可藉由加熱器421之加熱與加熱氣體將上表面Wf全體加熱，而將基板W之面內溫度均一化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。另，為了獲得該等作用效果，較佳為控制供給至中央噴嘴45之加熱氣體之溫度或流量。關於該點，以下基於模擬結果(圖21～圖24)等詳述。

如圖2所示，支持構件43之上端部固定於在與搬入搬出基板W之基板搬送方向(圖3之左右方向)正交之水平方向延伸之梁構件49。該梁構件49與升降機構7連接，根據來自控制單元10之指令藉由升降機構7升降。例如，圖2中藉由將梁構件49定位於下方，而使經由支持構件43連結於梁構件49之圓板部42位於處理位置。另一方面，當接收來自控制單元10之上升指令，升降機構7使梁構件49上升時，梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升，且上杯33亦連動，與下杯32分離而上升。藉此，旋轉夾盤21與上杯33及圓板部42之間擴大，可進行對於旋轉夾盤21之基板W之搬入搬出(參照圖16A)。

圖11係顯示處理機構所裝備之上表面側之處理液噴出噴嘴之立體圖，且係自斜下方向觀察之圖。圖12係顯示斜面處理模式及預分配模式下之噴嘴位置之圖。圖13係顯示處理機構所裝備之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持上述噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。處理機構5具有配置於基板W之上表面側之處理液噴出噴嘴51F、配置於基板W之下表面側之處理液噴出噴嘴51B、及對處理液噴出噴嘴51F、51B供給處理液之處理液供給部52。以下，為了區分上表面側之處理液噴出噴嘴51F與下表面側之處理液噴出噴嘴51B，分別將其稱為「上表面噴嘴51F」及「下表面噴嘴51B」。又，圖2中，圖示出2個處理液供給部52，但該等相同。

本實施形態中，設置3個上表面噴嘴51F，且對該等連接有處理液供給部52。又，處理液供給部52可供給SC1、DHF、功能水(CO ₂水等)作為處理液而構成，可自3個上表面噴嘴51F分別獨立噴出SC1、DHF及功能水。

各上表面噴嘴51F中，如圖11所示，於前端下表面設有噴出處理液之噴出口511。且，如圖3中之放大圖所示，以各噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢，將複數個(本實施形態中為3個)上表面噴嘴51F之下方部配置於圓板部42之缺口部44，且上表面噴嘴51F之上方部相對於噴嘴支架53移動自如地安裝於基板W之徑向X。該噴嘴支架53由支持構件54支持，進而該支持構件54固定於氛圍分離機構6之下密閉杯構件61。即，上表面噴嘴51F及噴嘴支架53經由支持構件54與下密閉杯構件61一體化，藉由升降機構7與下密閉杯構件61一起於鉛直方向Z升降。另，關於升降機構7之細節於下文說明。

於噴嘴支架53，如圖3及圖12所示，內置有使上表面噴嘴51F一併於徑向X移動之噴嘴移動部55。因此，根據來自控制單元10之位置指令，噴嘴移動部55將3個上表面噴嘴51F一併朝方向X驅動。藉此，上表面噴嘴51F於圖12(a)所示之斜面處理位置與圖12(b)所示之預分配位置間往復移動。定位於該斜面處理位置之噴嘴移動部55之噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部。且，若根據來自控制單元10之供給指令，處理液供給部52將3種處理液中對應於供給指令之處理液供給至該處理液用之上表面噴嘴51F，則自該上表面噴嘴51F之噴出口511對基板W之上表面Wf之周緣部噴出上述處理液。

另一方面，定位於預分配位置之上表面噴嘴51F之噴出口511位於上表面Wf之周緣部之上方，朝向上杯33之傾斜面334。且，若根據來自控制單元10之供給指令，處理液供給部52將處理液之全部或一部分供給至對應之上表面噴嘴51F，則自該上表面噴嘴51F之噴出口511對上杯33之傾斜面334噴出上述處理液。藉此，執行預分配處理。另，斜面處理及預分配處理所使用之處理液之液滴如圖12所示，由上杯33捕集，經由間隙GPc排出至排出空間SPe。圖12之符號56表示由上表面噴嘴51F與內置噴嘴移動部55之噴嘴支架53構成之構造體，以下稱為「噴嘴頭56」。又，於噴嘴頭56僅安裝有上表面噴嘴51F，但亦可追加裝備噴出氮氣等惰性氣體之氣體噴出噴嘴，例如亦可以來自氣體噴出噴嘴之惰性氣體清洗於基板W旋轉一次之期間內未自周緣部Ws脫離而殘留之處理液。

本實施形態中，為了向基板W之下表面Wb之周緣部噴出處理液，下表面噴嘴51B及噴嘴支持部57設置於由旋轉夾盤21保持之基板W之下方。噴嘴支持部57如圖13所示，具有：薄壁之圓筒部位571，其於鉛直方向延設；及凸緣部位572，其於圓筒部位571之上端部具有朝徑向外側折疊展開之圓環形狀。圓筒部位571具有對形成於圓環構件27a與下杯32之間之氣隙GPa遊插自如之形狀。且，如圖2所示，以圓筒部位571遊插於氣隙GPa且凸緣部位572位於由旋轉夾盤21保持之基板W與下杯32間之方式，固定配置有噴嘴支持部57。對凸緣部位572之上表面周緣部安裝有3個下表面噴嘴51B。各下表面噴嘴51B具有向基板W之下表面Wb之周緣部開口之噴出口511，可經由配管58噴出自處理液供給部52供給之處理液。

藉由自該等上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B噴出之處理液執行對基板W之周緣部之斜面處理。又，於基板W之下表面側，將凸緣部位572延設至周緣部Ws附近。因此，經由配管28供給至下表面側之氮氣如圖8所示，沿凸緣部位572流動至捕集空間SPc。其結果，有效抑制液滴自捕集空間SPc逆流至基板W。

圖14係顯示氛圍分離機構之構成之局部剖視圖。氛圍分離機構6具有下密閉杯構件61與上密閉杯構件62。下密閉杯構件61及上密閉杯構件62皆具有上下開口之筒形狀。且，其等之內徑大於旋轉杯部31之外徑，氛圍分離機構6以自上方完全包圍旋轉夾盤21、保持於旋轉夾盤21之基板W、旋轉杯部31及上表面保護加熱機構4之方式配置，更詳細而言，如圖2所示，上密閉杯構件62以其上方開口自下方覆蓋頂壁11a之開口11b之方式，固定配置於沖孔板14之正下位置。因此，導入至腔室11內之清潔空氣之降流分成通過上密閉杯構件62之內部者、與通過上密閉杯構件62之外側者。

又，上密閉杯構件62之下端部包含具有朝內側折入之圓環形狀之凸緣部621。於該凸緣部621之上表面安裝有O形環63。於上密閉杯構件62之內側，將下密閉杯構件61於鉛直方向移動自如地配置。

下密閉杯構件61之上端部包含具有朝外側折疊展開之圓環形狀之凸緣部611。該凸緣部611於自鉛直上方俯視時，與凸緣部621重合。因此，當下密閉杯構件61下降時，如圖3及圖14所示，下密閉杯構件61之凸緣部611介隔O形環63由上密閉杯構件62之凸緣部621卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置。於該下限位置，於鉛直方向上，上密閉杯構件62與下密閉杯構件61相連，導入至上密閉杯構件62內部之降流被引導至保持於旋轉夾盤21之基板W。

下密閉杯構件61之下端部包含具有朝外側折入之圓環形狀之凸緣部612。該凸緣部612於自鉛直上方俯視時，與固定杯部34之上端部(液體接收部位341之上端部)重合。因此，於上述下限位置，如圖3中之放大圖及圖14所示，下密閉杯構件61之凸緣部612介隔O形環64由固定杯部34卡止。藉此，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間SPs。於該密閉空間SPs內，可執行對基板W之斜面處理。即，藉由將下密閉杯構件61定位於下限位置，密閉空間SPs與密閉空間SPs之外側空間SPo分離(氛圍分離)。因此，可不受外側氛圍之影響，穩定地進行斜面處理。又，為了進行斜面處理而使用處理液，可確實防止處理液自密閉空間SPs洩漏至外側空間SPo。因此，配置於外側空間SPo之零件之選定、設計之自由度變高。

下密閉杯構件61構成為亦可朝鉛直上方移動。又，於鉛直方向上，於下密閉杯構件61之中間部，如上所述，經由支持構件54固定有噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴支架53)。又，此外，如圖2及圖3所示，上表面保護加熱機構4經由梁構件49固定於下密閉杯構件61之中間部。即，如圖3所示，下密閉杯構件61於周向上互不相同之3個部位分別與梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及支持構件54連接。且，藉由升降機構7使梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及支持構件54升降，伴隨於此，下密閉杯構件61亦升降。

於該下密閉杯構件61之內周面，如圖2、圖3及圖14所示，作為可與上杯33卡合之卡合部位，向內側突設有複數根(4根)突起部613。各突起部613延設至上杯33之上圓環部位332之下方空間。又，各突起部613以於下密閉杯構件61定位於下限位置之狀態下，自上杯33之上圓環部位332朝下方離開之方式安裝。且，藉由下密閉杯構件61之上升，各突起部613可自下方與上圓環部位332卡合。該卡合後，藉由下密閉杯構件61進而上升，亦可使上杯33與下杯32脫離。

本實施形態中，藉由升降機構7，下密閉杯構件61與上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56一起開始上升後，上杯33亦一起上升。藉此，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56亦自旋轉夾盤21朝上方離開。藉由下密閉杯構件61向退避位置(下文說明之圖16A之位置)移動，形成用以供基板搬送機器人111之手(圖16A中之符號RH)接取旋轉夾盤21之搬送空間(圖16A中之符號SPt)。且，可執行經由該搬送空間對旋轉夾盤21裝載基板W，及自旋轉夾盤21卸下基板W。如此，本實施形態中，藉由利用升降機構7之下密閉杯構件61之最小限度之上升，可進行對旋轉夾盤21接取基板W。

升降機構7具有2個升降驅動部71、72。升降驅動部71中，如圖3所示，設有第1升降馬達711。第1升降馬達711根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力。對該第1升降馬達711連結有2個升降部712、713。升降部712、713自第1升降馬達711同時接收上述旋轉力。且，升降部712根據第1升降馬達711之旋轉量，使支持梁構件49之一端部之支持構件491於鉛直方向Z升降。又，升降部713根據第1升降馬達711之旋轉量，使支持噴嘴頭56之支持構件54於鉛直方向Z升降。

升降驅動部72如圖3所示，具有第2升降馬達721與升降部722。第2升降馬達721根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力，並將其賦予至升降部722。升降部722根據第2升降馬達721之旋轉量，使支持梁構件49之另一端部之支持構件492於鉛直方向升降。

升降驅動部71、72使分別固定於周向上互不相同之3個部位之支持構件491、492、54，相對於下密閉杯構件61之側面，同步於鉛直方向移動。因此，可穩定進行上表面保護加熱機構4、噴嘴頭56及下密閉杯構件61之升降。又，伴隨下密閉杯構件61之升降，上杯33亦可穩定升降。

定心機構8具有：抵接構件81，其可接近及離開裝載於旋轉夾盤21之基板W之端面；及定心驅動部82，其用以使抵接構件81於水平方向移動。本實施形態中，以旋轉軸AX為中心放射狀之3個抵接構件81以等角度間隔配置，圖2中僅圖示出其中之1個。該定心機構8於停止泵26之抽吸之期間(即，於旋轉夾盤21之上表面上，基板W可水平移動之期間)，根據來自控制單元10之定心指令，定心驅動部82使抵接構件81接近基板W(定心處理)。藉由該定心處理，消除基板W相對於旋轉夾盤21之偏心，將基板W之中心與旋轉夾盤21之中心一致化。

基板觀察機構9具有用以觀察基板W之周緣部之觀察頭91。該觀察頭91構成為可接近及離開基板W之周緣部。於觀察頭91連接有觀察頭驅動部92。且，藉由觀察頭91觀察基板W之周緣部時，根據來自控制單元10之觀察指令，觀察頭驅動部92使觀察頭91接近基板W(觀察處理)。且，使用觀察頭91拍攝基板W之周緣部。將所拍攝之圖像發送至控制單元10。控制單元10基於該圖像檢查是否良好地進行了斜面處理。

控制單元10具有運算處理部10A、記憶部10B、讀取部10C、圖像處理部10D、驅動控制部10E、通信部10F及排氣控制部10G。記憶部10B以硬碟驅動器等構成，記憶有用以由上述基板處理裝置1執行斜面處理之程式。該程式例如記憶於電腦可讀取之記錄媒體RM(例如光碟、磁碟、磁光碟等)，藉由讀取部10C自記錄媒體RM讀出，保存於記憶部10B。又，該程式之提供並非限定於記錄媒體RM，例如亦可以經由電通信線路提供該程式之方式構成。圖像處理部10D對藉由基板觀察機構9拍攝之圖像實施各種處理。驅動控制部10E控制基板處理裝置1之各驅動部。通信部10F與統合控制基板處理系統100之各部之控制部等進行通信。排氣控制部10G控制排氣機構38。

又，於控制單元10，連接有顯示各種資訊之顯示部10H(例如顯示器等)，或受理來自操作者之輸入之輸入部10J(例如鍵盤及滑鼠等)。

運算處理部10A由具有CPU(=Central Processing Unit：中央處理單元)或RAM(=Random Access Memory：隨機存取記憶體)等之電腦構成，依照記憶於記憶部10B之程式，如下述般控制基板處理裝置1之各部，執行斜面處理。以下，參照圖15、圖16A至圖16D，且針對基板處理裝置1之斜面處理進行說明。

圖15係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執行之斜面處理之流程圖。又，圖16A至圖16D係顯示斜面處理中之裝置各部之模式圖。另，圖16A中為明示一體上升之構成，而對該構成參考性標註點，圖16C中為明示一體旋轉之構成，而對該構成參考性標註點。

藉由基板處理裝置1對基板W實施斜面處理時，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升。於該下密閉杯構件61之上升中途，突起部613與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一起上升，而定位於退避位置。藉此，形成足夠由基板搬送機器人111之手RH進入旋轉夾盤21之上方之搬送空間SPt。且，當確認搬送空間SPt之形成完成時，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行裝載基板W之請求，如圖16A所示，等待將未處理之基板W搬入至基板處理裝置1，載置於旋轉夾盤21之上表面。然後，將基板W載置於旋轉夾盤21上(步驟S1)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉夾盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成時，基板搬送機器人111自基板處理裝置1退避。接著，運算處理部10A以3個抵接構件81(圖16B中，僅圖示2根)接近基板W之方式，控制定心驅動部82。藉此，消除基板W相對於旋轉夾盤21之偏心，將基板W之中心與旋轉夾盤21之中心一致化(步驟S2)。如此，當定心處理完成時，運算處理部10A以3個抵接構件81離開基板W之方式控制定心驅動部82，且使泵26作動，對旋轉夾盤21賦予負壓。藉此，旋轉夾盤21自下表面吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72賦予下降指令。據此，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。即，如圖6所示，以凹部335覆蓋卡合銷35之前端部之方式嵌合，上杯33相對於下杯32定位於水平方向，且藉由於上磁體37與下磁體36間產生之引力，上杯33及下杯32互相結合，形成旋轉杯部31。

形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進而一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置(圖2及圖16C之位置)(步驟S3)。上述卡止後，上密閉杯構件62之凸緣部621及下密閉杯構件61之凸緣部611介隔O形環63密接，且下密閉杯構件61之凸緣部612及固定杯部34介隔O形環63密接。其結果，如圖2所示，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間SPs，密閉空間SPs與外側氛圍(外側空間SPo)分離(氛圍分離)。

於該氛圍分離狀態下，圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws外之表面區域。又，將上表面噴嘴51F以噴出口511於圓板部42之缺口部44內朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。如此，當對基板W供給處理液之準備完成時，運算處理部10A對旋轉驅動部23賦予旋轉指令，開始保持基板W之旋轉夾盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S4)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度設定為例如1800轉/分鐘。又，運算處理部10A驅動控制加熱器驅動部422，將加熱器421升溫至期望溫度，例如185°C。

接著，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予氮氣供給指令。藉此，如圖16C之箭頭F1所示，開始自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S5)。該氮氣於通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱，升溫至期望溫度(例如100°C)，之後自中央噴嘴45噴出至被夾於基板W與圓板部42之空間SPa(圖10)。藉此，將基板W之上表面Wf全面加熱。又，基板W之加熱亦藉由加熱器421進行。因此，隨著時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度，例如90°C。又，周緣部Ws以外之溫度亦上升至幾乎相等溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均一。因此，可有效抑制基板W翹曲。

接著，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B供給處理液(同圖中之箭頭F2、F3)。即，自上表面噴嘴51F以與基板W之上表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流，且自下表面噴嘴51B以與基板W之下表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S6)。且，當運算處理部10A檢測出已經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52賦予供給停止指令，停止處理液之噴出。

接著，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予供給停止指令，停止自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S7)。又，運算處理部10A對旋轉驅動部23賦予旋轉停止指令，使旋轉夾盤21及旋轉杯部31之旋轉停止(步驟S8)。

於接下來之步驟S9，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。更具體而言，運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，形成搬送空間SPt。且，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91接近基板W。且，當藉由觀察頭91拍攝周緣部Ws後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於所拍攝之周緣部Ws之圖像，運算處理部10A檢查是否良好進行了斜面處理。

檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行卸載基板W之請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S10)。另，重複執行該等一連串步驟。

如上所述，本實施形態中，於防飛散機構3之上方設置氛圍分離機構6，進行將以處理液進行斜面處理之密閉空間SPs與外側空間SPo分離之所謂氛圍分離。藉此，可限制由處理液處理之範圍，減少紊流之產生部位，可使斜面處理穩定化。又，雖為腔室11內，但於外側空間SPo亦可採用不具有耐藥品性之零件。為獲得此種作用效果，本實施形態中，氛圍分離機構6由接近頂壁11a而固定之上密閉杯構件62、及可於上密閉杯構件62與防飛散機構3間升降之下密閉杯構件61構成。因此，亦可獲得如下之作用效果。

為了進行氛圍分離，先前提案有使構成防飛散機構之杯構件與腔室之頂部抵接之技術(例如專利第6282904號)。該先前技術中，於進行基板W之搬入搬出時，需要使杯構件全體下降。相對於此，本實施形態中，如圖16A所示，只要使下密閉杯構件61上升基板W之搬入搬出處理所需之最小限度之距離即可，可抑制下密閉杯構件61之移動量。對於該點，於進行圖16B所示之定心處理時或圖16D所示之觀察處理時，亦可藉由使下密閉杯構件61上升而應對。因此，可較先前裝置縮短基板處理裝置1之作業時間(作用效果A)。

又，上述實施形態中，因僅使下密閉杯構件61升降，故較使杯構件全體升降之先前裝置，可減小施加於升降機構之負載。又，如圖3所示，一面於周向上互不相同之3個部位支持下密閉杯構件61，一面使下密閉杯構件61升降。因此，可使下密閉杯構件61穩定升降。又，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56亦經由下密閉杯構件61升降，該等升降亦可穩定且低成本進行(作用效果B)。

又，本實施形態中，如圖2所示，藉由使上密閉杯構件62之上方開口接近設置於頂壁11a之正下之沖孔板14，自風扇過濾單元13送來之清潔空氣分離成送往密閉空間SPs之部分與送往外側空間SPo之部分。藉此，控制送往各個空間之清潔空氣之風量。因此，可將密閉空間SPs設定成期望之壓力值，且亦高精度調整與外側空間SPo之壓力差。並且，可縮小作為處理液氛圍區域發揮功能之密閉空間SPs之容積，可削減設置基板處理裝置1之工廠之動力之使用(作用效果C)。

此處，對於清潔空氣之風量控制，可採用各種方式。例如如圖17A所示，亦可如下控制，藉由使與上密閉杯構件62之上方開口對向之吹出孔141之內徑大於其以外之吹出孔142之內徑，而使去往密閉空間SPs之風量多於去往外側空間SPo之風量。為了提高密閉空間SPs及其外側空間之壓力精度，例如如圖17B所示，亦可個別設置用於密閉空間SPs之風扇過濾單元13A、與用於外側空間SPo之風扇過濾單元13B。再者，例如如圖17C所示，亦可構成為取代沖孔板14，將自風扇過濾單元13送風之清潔空氣經由第1配管16a供給至密閉空間SPs，經由第2配管16b供給至外側空間SPo。且，亦可構成為於第1配管16a及第2配管16b分別介裝風門17a、17b，根據來自控制單元10之開度指令，風門控制部18分別獨立控制風門17a、17b之開度，由此調整對密閉空間SPs及其外側空間之供給量，從而控制壓力。

又，上述實施形態中，如圖8所示，於旋轉杯31之內部，即捕集空間SPc內捕集自基板W飛散來之液滴。此時，伴隨杯旋轉產生之離心力作用於附著於旋轉杯部31之傾斜面334之液滴。又，受由斜面處理中供給且沿基板W之上表面及下表面流動至徑向外側之氮氣等形成之氣流之影響。藉此，沿傾斜面334之朝下之矢量應力作用於液滴。使受到該應力之液滴沿傾斜面334移動至上杯33與下杯32之間隙GPc。且，到達間隙GPc之入口之液滴與氮氣等氣體成分一起經由間隙GPc移動至固定杯部34之排出空間SPe。因此，附著於旋轉杯部31之液滴經由間隙GPc迅速自旋轉杯部31排出。尤其，由於間隙GPc與離心力之方向及氣流之流動平行，故可將液滴自捕集空間SPc順利排出至排出空間SPe。因此，自基板W飛散而來之液滴與附著於旋轉杯部31之液體之碰撞減少，可抑制回濺液滴之產生。其結果，可良好地進行斜面處理(作用效果D)。另，本實施形態中，將上杯33之傾斜面334精加工成縱剖面中傾斜角恆定之圓錐台面，例如如圖18所示，亦可精加工成朝徑向外側(同圖之左手側)伸出之面。

又，本實施形態中，上杯33對下杯32之連結如圖6所示，以卡合銷35對凹部335之卡合及上磁體37與下磁體36間產生之引力進行。因此，於旋轉期間，亦可將上杯33與下杯32牢固地連結，穩定地進行斜面處理(作用效果E)。當然，上杯33與下杯32之連結並非限定於此，例如亦可僅藉由卡合而連結上杯33與下杯32。

又，本實施形態中，為了使基板W旋轉而將自旋轉驅動部23輸出之旋轉驅動力之一部分作為杯驅動力，經由動力傳遞部27賦予下杯32。如此，可藉由單一之旋轉驅動部23驅動基板W與旋轉杯部31之兩者，可簡化裝置構成。並且，可使基板W與旋轉杯部31朝同一方向同步旋轉。因此，若自旋轉之基板W之周緣部觀察旋轉杯部31，則旋轉杯部31相對靜止，故可進而良好地抑制自基板W飛散之處理液之液滴與旋轉杯部31碰撞時產生之液滴之回濺(作用效果F)。

該動力傳遞部27利用磁鐵27b、27c間之磁力作用。因此，如圖4及圖5所示，可於圓環構件27a與下杯32間維持氣隙GPa(圓環構件27a與下杯32之間隙)，且將杯驅動力傳遞至下杯32。且，如圖2所示，將噴嘴支持部57之凸緣部位572遊插於該氣隙GPa，而固定配置該噴嘴支持部57。並且，亦可利用氣隙GPa作為配管路徑。即，連接於由噴嘴支持部57支持之下表面噴嘴51B之配管經由氣隙GPa連接於處理液供給部52。因此，可大幅縮短該配管長度，提高基板處理裝置1之各部佈局之自由度及容許度(作用效果G)。

又，本實施形態中，如圖7及圖8所示，上杯33之傾斜部位333延設至基板W之周緣部Ws之上方。即，於自鉛直上方俯視時，上圓環部位332及傾斜部位333之一部分作為遍及全周覆蓋保持於旋轉夾盤21之基板W之周緣部Ws之簷部位發揮功能。並且，本實施形態中，如圖12(a)所示，上表面噴嘴51F於其噴出口511於鉛直方向上位於較上述簷部位低之斜面處理位置之狀態下，將處理液自噴出口511噴出，使其著液於基板W之周緣部Ws。因此，亦可獲得如下之作用效果。

旋轉杯部31之液滴捕集時，有時液滴與上杯33之傾斜面334碰撞，其一部分朝上方飛揚。又，對基板W之周緣部供給處理液時，有時處理液之液滴之一部分亦朝上方飛散。如此，若飛散至上方之液滴再附著於基板W上，則會產生水印。然而，本實施形態中，上述簷部位捕集飛散至上方之液滴，有效防止向基板W之再附著。因此，可進而良好地對基板W進行斜面處理。又，圖12(b)所示之預分配處理中亦可獲得同樣之作用效果(作用效果H)。

該預分配處理可藉由利用噴嘴移動部55使上表面噴嘴51F於基板W之徑向X移動微小距離而執行。因此，無須為了預分配處理而使上表面噴嘴51F移動至與旋轉杯部31分開之位置，可於旋轉杯部31內執行預分配處理。其結果，可較先前裝置縮短基板處理裝置1之作業時間(作用效果I)。

此處，進行預分配處理時之上表面噴嘴51F之移動方向並非限定於徑向X，而為任意。例如如圖19所示，於構成上表面噴嘴51F之噴嘴本體512中離開噴嘴口511之一端部513，設有轉動軸AX51。該轉動軸AX51與鉛直方向Z平行延伸。因此，藉由噴嘴移動部55使上表面噴嘴51F繞轉動軸AX51移動，可變更自噴出口511噴出之處理液之著液位置。更具體而言，亦可構成為藉由使上表面噴嘴51F繞轉動軸AX51轉動，而切換斜面處理位置與預分配位置。

又，本實施形態中，噴嘴移動部55不僅可切換斜面處理位置與預分配位置，亦可於基板W之徑向X上，變更噴出口511之位置，藉此變更處理液之著液位置。即，藉由運算處理部10A控制噴嘴移動部55而使處理液著液於期望之周緣部Ws。因此，可變更基板W之周緣部Ws中受斜面處理之寬度(徑向X上自基板W之端面至著液位置之長度)。另，此種功能於圖19所示之實施形態中亦同樣。

又，本實施形態中，以自上方覆蓋基板W之上表面Wf之方式設有圓板部42。因此，如圖9所示，於圓板部42設置缺口部44，上表面噴嘴51F可遍及相對較大之範圍移動，可有效達成上述之斜面處理位置及預分配位置之切換功能，及斜面處理寬度之變更功能(作用效果J)。

此處，缺口部44成為密閉空間SPs中產生紊流之主要原因之一。然而，本實施形態中，如圖3、圖9、圖12所示，上表面噴嘴51F之下端部進入缺口部44而將其局部堵住。藉此，可抑制缺口部44中之紊流產生(作用效果K)。

為了更有效抑制紊流產生，如圖20A所示，亦可於維持噴出口511之位置或上表面噴嘴51F之姿勢之狀態下，於各上表面噴嘴51F安裝配件514。又，如圖20B所示，亦可於維持噴出口511之位置或上表面噴嘴51F之姿勢之狀態下，對整個上表面噴嘴51F安裝單一之配件515。藉此，附帶各配件之上表面噴嘴51F佔據缺口部44之比例增加，可大致堵住缺口部44。其結果，可進而有效抑制缺口部44之紊流產生。

又，上述實施形態中，設置上表面保護加熱機構4，謀求基板W之面內溫度之均一性。更具體而言，基於以下說明之模擬結果，控制供給至中央噴嘴45之加熱氣體之流量或溫度。

如圖10所示，針對自中央噴嘴45向基板W以各種流量噴出氮氣(加熱氣體)之情形進行氣流分析，且上述基板W係於鉛直方向上使圓板部42接近保持於旋轉夾盤21之基板W之狀態下旋轉者。此處，於停止加熱器421及帶狀加熱器48之狀態下且具體分析條件設定為： ・基板W與圓板部42之隔開距離=2 mm ・基板W之轉速=1800 rpm ・氮氣之噴出流量=0、50、75、100、130 L/min ・中央噴嘴45之口徑=60 mmϕ。 且，於圖21顯示繪製有該分析條件下之基板W之徑向X上之各位置處之氣流速度之圖表。由圖21可知，基板W之徑向X上之氣流速度根據自中央噴嘴45噴出之氮氣之流量而變化。尤其，若基板W之周緣部Ws(此處，距基板中心147 mm)處之氣流速度低於零，即，產生自基板W周圍(捕集空間SPc)朝向基板中心之氣流，則會產生液滴之捲入。因此，於圖22顯示按照每個氣體流量抽出基板W之周緣部Ws(此處，距基板中心147 mm)處之氣流速度而繪製之表格。由圖22可知，為防止液滴捲入，需自中央噴嘴45以約57 L/min以上噴出氮氣。

另一方面，氣流速度隨著自中央噴嘴45噴出之氮氣之流量增大而上升。因此，若以過大之流量將氮氣供給至中央噴嘴45，則沿基板W之上表面Wf之氣流速度變高，有時會對形成於基板W之上表面Wf之圖案帶來不良影響。又，本實施形態中，如圖8所示，捕集空間SPc中補集之液滴及氣體成分經由間隙GPc排出至排出空間SPe。因此，當自基板W流入至捕集空間SPc之氮氣之流量較由排氣機構38自排出空間SPe排出之排氣流量過大時，有時會產生逆流之渦流。若提高氮氣之流量，則流過基板W與旋轉杯部31間之排氣風速降低。這可由氣流分析而判明。其主要原因之一係當間隙GPc較窄，氮氣之流量上升時，產生壓損而無法排出之排氣成為逆流，有時於基板W之上表面端部亦產生逆流之渦流。因此，期望於不產生該等之範圍內，設定自中央噴嘴45噴出之氮氣流量之最大值，設定為上述排氣流量之0.3倍左右。

接著，針對加熱氣體之溫度進行說明。如圖10所示，針對自中央噴嘴45向基板W噴出各種溫度之加熱氣體之情形，進行氣流分析，且上述基板W係於鉛直方向上使內置加熱器之圓板部42接近保持於旋轉夾盤21之基板W之狀態下旋轉者。此處之具體分析條件設定為： ・加熱器421之溫度=185°C ・加熱氣體之溫度=27°C、80°C、130°C ・基板W與圓板部42之隔開距離=2 mm ・基板W之轉速=1800 rpm ・加熱氣體之噴出流量=80 L/min ・中央噴嘴45之口徑=60 mmϕ。

且，於圖23顯示繪製有該分析條件下之基板W之徑向X上之各位置處之基板W之表面溫度的圖表。由圖23可知，基板W之面內溫度之均一性有隨著加熱氣體之溫度上升提高而顯示峰值，且因溫度進一步上升而稍微降低之傾向。因此，圖24為繪製有基板W之中心位置(r=0 mm)及邊緣位置(r=150 mm)處之、隨著加熱氣體之噴出溫度之變化之基板W之表面溫度變化的圖表。由該圖表可知，藉由將自中央噴嘴45噴出之加熱氣體之溫度設定為約100°C，可將基板W之表面溫度均一化。又，為了抑制基板W之翹曲且良好地進行斜面處理，期望將表面溫度差抑制為20°C以內之範圍。根據該點，本實施形態中，根據圖24中之1點鏈線(+20°C)與虛線(r=0 mm)，將加熱氣體之噴出溫度之上限值設為130°C，根據2點鏈線(-20°C)與虛線(r=0 mm)，將加熱氣體之噴出溫度之下限值設為65°C。即，運算處理部10A將加熱氣體之溫度設定為65°C至130°C之噴出溫度範圍。

圖25係顯示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之構成之圖。圖26係顯示第2實施形態之旋轉杯部之構成之圖。該第2實施形態與第1實施形態大幅不同之點在於： (A)未設置氛圍分離機構6 (B)設有使旋轉夾盤21及旋轉杯部31分別旋轉驅動之旋轉驅動部23A、23B。

隨著上述不同點(A)，將噴嘴頭56固定於梁構件49。又，第1升降驅動部71連結於梁構件49之一端部，且第2升降驅動部72連結於梁構件49之另一端部。因此，藉由運算處理部10A同步控制第1升降驅動部71及第2升降驅動部72，噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體升降。又，上杯33之上圓環部位332以其下表面可與如上述般升降之圓板部42之上表面周緣部卡合之方式，相對於傾斜部位333之上端部朝徑向內側延設。因此，上杯33根據圓板部42之升降，定位於與下杯32連結之位置(圖25、下文說明之圖28C)、及自下杯32朝上方離開之位置(下文說明之圖28A、圖28B、圖28D)。

又，隨著上述不同點(B)，於下杯32之下表面安裝有筒狀部位322。該筒狀部位322經由皮帶構件與旋轉驅動部23B連結。因此，若運算處理部10A對旋轉驅動部23B賦予旋轉指令，則旋轉驅動部23B據此而作動，使下杯32繞旋轉軸AX旋轉。另，旋轉驅動部23A與第1實施形態相同，根據來自運算處理部10A之旋轉指令，使旋轉夾盤21繞旋轉軸AX旋轉。如此，第2實施形態中，可以所謂之雙軸驅動使基板W與旋轉杯部31互相獨立驅動。但，進行斜面處理時，運算處理部10A同步控制旋轉驅動部23A、23B，藉此，與第1實施形態同樣，使旋轉杯部31及基板W之兩者朝同一方向且同步旋轉。

另，其他構成基本上與第1實施形態相同，藉由標註同一符號而省略構成說明。

圖27係顯示藉由圖25所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執行之斜面處理之流程圖。又，圖28A至圖28D係顯示斜面處理中之裝置各部之模式圖。第2實施形態中，隨著上述不同點(A)，除將下密閉杯構件61之升降置換為梁構件49之升降之點外，基本上與第1實施形態同樣地執行斜面處理。即，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升。於該梁構件49之上升中途，圓板部42之上表面周緣部與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一起上升，而定位於退避位置。藉此，形成足夠由基板搬送機器人111之手RH進入旋轉夾盤21之上方之搬送空間SPt。且，當確認搬送空間SPt之形成完成時，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行裝載基板W之請求，如圖28A所示，等待將未處理之基板W搬入至基板處理裝置1，載置於旋轉夾盤21之上表面。然後，將基板W載置於旋轉夾盤21上(步驟S21)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉夾盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成時，基板搬送機器人111自基板處理裝置1退避。接著，運算處理部10A以3個抵接構件81(圖28B中，僅圖示2根)接近基板W之方式，控制定心驅動部82。藉此，消除基板W相對於旋轉夾盤21之偏心，將基板W之中心與旋轉夾盤21之中心一致化(步驟S22)。如此，當定心處理完成時，運算處理部10A以3個抵接構件81離開基板W之方式控制定心驅動部82，且使泵26作動，對旋轉夾盤21賦予負壓。藉此，旋轉夾盤21自下方吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72賦予下降指令。據此，升降驅動部71、72使噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由圓板部42之上表面周緣部自下方支持之上杯33連結於下杯32。藉此，形成旋轉杯部31。

形成旋轉杯部31後，噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進而一體下降，將圓板部42定位於下限位置。於該下限位置上，圓板部42自基板W之上表面Wf朝上方離開特定距離，例如2 mm。又，將上表面噴嘴51F以噴出口511於圓板部42之缺口部44內朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。如此，當對基板W供給處理液之準備完成時，運算處理部10A對旋轉驅動部23A，23B賦予旋轉指令，開始保持基板W之旋轉夾盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S24)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度設定為例如1800轉/分鐘。又，運算處理部10A驅動控制加熱器驅動部422，將加熱器421升溫至期望溫度，例如185°C。

接著，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予氮氣供給指令。藉此，如圖28C之箭頭F1所示，開始自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S25)。於該氮氣通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱，升溫至期望溫度(例如100°C)，之後自中央噴嘴45噴出至被夾於基板W與圓板部42之空間。藉此，將基板W之上表面Wf全面加熱。又，基板W之加熱亦藉由加熱器421進行。因此，隨著時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度，例如90°C。又，周緣部Ws以外之溫度亦上升至幾乎相等溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均一。因此，可有效抑制基板W翹曲。

接著，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B供給處理液(同圖中之箭頭F2、F3)。即，自上表面噴嘴51F以與基板W之上表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流，且自下表面噴嘴51B以與基板W之下表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S26)。且，當運算處理部10A檢測出已經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52賦予供給停止指令，停止處理液之噴出。

接著，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予供給停止指令，停止自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S27)。又，運算處理部10A對旋轉驅動部23A、23B賦予旋轉停止指令，停止旋轉夾盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S28)。

於接下來之步驟S29，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，形成搬送空間SPt。且，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91接近基板。且，當藉由觀察頭91拍攝周緣部Ws後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於所拍攝之周緣部Ws之圖像，運算處理部10A檢查是否良好進行了斜面處理(步驟S29)。

檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行卸載基板W之請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S30)。另，重複執行該等一連串步驟。

如上所述，根據第2實施形態，由於上述不同點(A)而無法獲得上述作用效果A至作用效果C，又，由於上述不同點(B)而無法獲得上述作用效果F，但可與第1實施形態同樣地獲得其他作用效果。

上述實施形態中，旋轉夾盤21相當於本發明之「基板保持部」之一例。旋轉杯部31相當於本發明之「杯部」之一例。附帶配件之上表面噴嘴51F佔據缺口部44之比例相當於本發明之「佔有比例」之一例。

另，本發明並非限定於上述實施形態者，只要不脫離其主旨，則可對上述者施加各種變更。例如，上述實施形態中，使用3種處理液對基板W之周緣部Ws實施斜面處理，但處理液之種類並非限定於此。

又，上述實施形態中，將本發明應用於藉由將可互相分離之上杯33及下杯32於處理時互相連結而將上杯33及下杯32一體化之所謂分割構造之旋轉杯部31捕集液滴之基板處理裝置1。但，本發明之應用範圍並非限定於此，亦可將本發明應用於藉由預先將上杯及下杯一體化之旋轉杯部捕集液滴之基板處理裝置。

又，上述實施形態中，將本發明應用於防飛散機構3具有旋轉杯部31與固定杯部34之基板處理裝置1，但本發明之應用範圍不限定於此。例如，亦可應用於構成為防飛散機構3由以包圍保持於旋轉夾盤21之基板W之外周之方式固定配置之杯部捕集來自基板W之液滴之基板處理裝置。

以上，已按照特定之實施例說明發明，但本說明並非意欲以限定之含義解釋者。若參照發明之說明，則精通該技術者可明瞭與本發明之其他實施形態同樣揭示之實施形態之各種變化例。因此，認為隨附之申請專利範圍於不脫離發明之真正之範圍內，包含該變化例或實施形態。

本發明可應用於對基板供給處理液而處理該基板之所有基板處理技術。

1:基板處理裝置 2:旋轉機構 3:防飛散機構 4:上表面保護加熱機構(上表面保護機構) 5:處理機構 6:氛圍分離機構 7:升降機構 8:定心機構 9:基板觀察機構 10:控制單元 10A:運算處理部 10B:記憶部 10C:讀取部 10D:圖像處理部 10E:驅動控制部 10F:通信部 10G:排氣控制部 10H:顯示部 10J:輸入部 11:腔室 11a:頂壁 11b:開口 12:內部空間 13:風扇過濾單元 13A:風扇過濾單元 13B:風扇過濾單元 14:沖孔板 15:擋板 16a:第1配管 16b:第2配管 17a:風門 17b:風門 18:風門控制部 21:旋轉夾盤(基板保持部) 22:旋轉軸部 22a:凸緣部位 23:旋轉驅動部 23A:旋轉驅動部 23B:旋轉驅動部 24:外殼 25:配管 26:泵 27:動力傳遞部 27a:圓環構件 27b:磁鐵 27c:磁鐵 28:配管 29:氮氣供給部 31:旋轉杯部(杯部) 32:下杯 33:上杯 34:固定杯部 35:卡合銷 36:下磁體 37:上磁體 38:排氣機構 41:遮斷板 42:圓板部 43:支持構件 44:缺口部 45:中央噴嘴 46:配管 47:氮氣供給部 48:帶狀加熱器 49:梁構件 51B:下表面噴嘴 51F:上表面噴嘴(處理液噴出噴嘴) 52:處理液供給部 53:噴嘴支架 54:支持構件 55:噴嘴移動部 56:噴嘴頭 57:噴嘴支持部 58:配管 61:下密閉杯構件 62:上密閉杯構件 63:O形環 64:O形環 71:升降驅動部 72:升降驅動部 81:抵接構件 82:定心驅動部 91:觀察頭 92:觀察頭驅動部 100:基板處理系統 110:基板處理部 111:基板搬送機器人 120:傳載部 121:容器保持部 122:傳載機器人 122a:基底部 122b:多關節臂 122c:手 141:吹出孔 142:吹出孔 321:上表面周緣部 322:筒狀部位 331:下圓環部位 332:上圓環部位(簷部位) 333:傾斜部位(簷部位) 334:傾斜面 335:凹部 341:液體接收部位 342:排氣部位 343:區劃壁 344:氣體引導部 421:加熱器 422:加熱器驅動部 491:支持構件 492:支持構件 511:噴出口 512:噴嘴本體 513:一端部 514:配件 515:配件 571:圓筒部位 572:凸緣部位 611:凸緣部 612:凸緣部 613:突起部 621:凸緣部 711:第1升降馬達 712:升降部 713:升降部 721:升降馬達 722:升降部 AX:旋轉軸 AX51:轉動軸 C:容器 D32:外徑 D331:外徑 D332:外徑 d331:內周面之徑 d332:內周面之徑 F1:箭頭 F2:箭頭 F3:箭頭 GPc:間隙 RH:手 RM:記錄媒體 S1～S10:步驟 S21～S30:步驟 SPa:空間 SPc:捕集空間 SPe:排出空間 SPo:外側空間 SPs:密閉空間 SPt:搬送空間 W:基板 Wb:下表面 Wf:上表面 Ws:(基板之)周緣部 X:徑向 Z:鉛直方向

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。 圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。 圖3係圖2之A-A線箭視俯視圖。 圖4係顯示動力傳遞部之構成之俯視圖。 圖5係圖4之B-B線剖視圖。 圖6係顯示旋轉杯部之構造之分解組裝立體圖。 圖7係顯示保持於旋轉夾盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。 圖8係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。 圖9係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。 圖10係圖9所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。 圖11係顯示處理機構所裝備之上表面側之處理液噴出噴嘴之立體圖。 圖12(a)、(b)係顯示斜面處理模式及預分配模式下之噴嘴位置之圖。 圖13係顯示處理機構所裝備之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持上述噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。 圖14係顯示氛圍分離機構之構成之局部剖視圖。 圖15係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執行之斜面處理之流程圖。 圖16A係顯示第1實施形態之基板之裝載動作之模式圖。 圖16B係顯示第1實施形態之基板之定心動作之模式圖。 圖16C係顯示第1實施形態之基板之斜面動作之模式圖。 圖16D係顯示第1實施形態之基板之檢查動作之模式圖。 圖17A係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第1變化例之圖。 圖17B係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第2變化例之圖。 圖17C係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第3變化例之圖。 圖18係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第4變化例之圖。 圖19係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第5變化例之圖。 圖20A係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第6變化例之圖。 圖20B係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之第7變化例之圖。 圖21係顯示相對於氮氣之噴出流量，基板徑向上之各位置處之氣流速度之圖表。 圖22係顯示基板周緣部中，相對於氮氣之噴出流量之基板徑向上之氣流速度的圖表。 圖23係顯示相對於加熱氣體之溫度，基板徑向上各位置處之表面溫度變化之圖表。 圖24係顯示基板之中央與端緣中，相對於加熱氣體之溫度之表面溫度變化之圖表。 圖25係顯示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之構成之圖。 圖26係顯示第2實施形態之旋轉杯部之構成之圖。 圖27係顯示藉由圖25所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執行之斜面處理之流程圖。 圖28A係顯示第2實施形態之基板之裝載動作之模式圖。 圖28B係顯示第2實施形態之基板之定心動作之模式圖。 圖28C係顯示第2實施形態之基板之斜面動作之模式圖。 圖28D係顯示第2實施形態之基板之檢查動作之模式圖。

31:旋轉杯部

34:固定杯部

42:圓板部

331:下圓環部位

332:上圓環部位

333:傾斜部位

334:傾斜面

341:液體接收部位

342:排氣部位

343:區劃壁

344:氣體引導部

572:凸緣部位

GPc:間隙

SPa:空間

SPc:捕集空間

SPe:排出空間

W:基板

Ws:(基板之)周緣部

Claims (11)

1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 基板保持部，其一面保持基板一面可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉而設置； 旋轉機構，其使上述基板保持部旋轉； 處理機構，其具有自噴出口向保持於上述基板保持部之上述基板之周緣部噴出處理液之處理液噴出噴嘴； 防飛散機構，其具有一面包圍旋轉之上述基板之外周一面捕集隨著上述基板保持部之旋轉而自上述基板飛散之上述處理液之杯部；及 控制部；且 上述杯部於自鉛直上方俯視時，具有遍及全周覆蓋保持於上述基板保持部之上述基板之周緣部之簷部位， 上述控制部於鉛直方向上，上述噴出口位於低於上述簷部位之斜面處理位置之狀態下，以自上述噴出口噴出之上述處理液著液於上述基板之周緣部之方式，控制上述處理機構。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述斜面處理位置為上述簷部位之鉛直下方。
3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述處理機構具有噴嘴移動部，其藉由使上述處理液噴出噴嘴移動，而將上述噴出口之位置於上述斜面處理位置與較上述斜面處理位置更靠近上述杯部之預分配位置之間切換， 上述控制部以如下方式控制上述噴嘴移動部：處理上述基板之周緣部時，上述噴出口位於上述斜面處理位置，另一方面，進行來自上述處理液噴出噴嘴之預分配時，上述噴出口位於上述預分配位置，將自上述噴出口噴出之上述處理液直接噴出至上述杯部。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述噴嘴移動部可於上述基板之徑向上變更上述斜面處理位置，調整上述基板之周緣部中之上述處理液之著液位置， 上述控制部藉由變更上述斜面處理位置，控制由上述處理液處理之區域之自上述基板之端面朝上述徑向內側之寬度。
5. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述處理液噴出噴嘴具有可於上述基板之徑向移動之噴嘴本體， 上述噴嘴本體中，上述噴出口設置於上述徑向外側， 上述噴嘴移動部藉由使上述噴嘴本體於上述基板之徑向移動，而將上述噴出口定位於上述斜面處理位置或上述預分配位置。
6. 如請求項3之基板處理裝置，其中 上述處理液噴出噴嘴具有與上述杯部離開之一端部繞於鉛直方向延伸之轉動軸轉動自如地軸支的噴嘴本體， 於上述噴嘴本體之另一端部設置上述噴出口， 上述噴嘴移動部使上述噴嘴本體繞上述轉動軸移動，藉此將上述噴出口定位於上述斜面處理位置或上述預分配位置。
7. 如請求項1之基板處理裝置，其具備： 上表面保護機構，其於自鉛直上方俯視時，具有於上述杯部之內側與保持於上述基板保持部之上述基板之上表面空出特定間隔而覆蓋上述基板之上表面之遮斷板， 上述處理液噴出噴嘴以堵住形成於上述遮斷板之周緣部之缺口部之方式配置。
8. 如請求項7之基板處理裝置，其中 上述處理液噴出噴嘴具有於下端面形成有上述噴出口之噴嘴本體， 以上述噴出口自上述缺口部面向上述基板之周緣部之方式，將上述噴嘴本體配置於上述缺口部而堵住上述缺口部。
9. 如請求項7之基板處理裝置，其中 上述處理液噴出噴嘴具有：噴嘴本體，其於下端面形成有上述噴出口；及配件，其安裝於上述噴嘴本體，增加上述缺口部中上述處理液噴出噴嘴之佔有比例， 以上述噴出口自上述缺口部面向上述基板之周緣部之方式，將上述噴嘴本體配置於上述缺口部，且上述配件進入上述缺口部而堵住上述缺口部。
10. 如請求項7至9中任一項之基板處理裝置，其具備： 升降機構，其使上述上表面保護機構、上述處理液噴出噴嘴及上述杯部一體於鉛直方向升降。
11. 一種基板處理方法，其特徵在於，其係一面以杯部包圍繞於上述鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板之外周一面由來自處理液噴出噴嘴之噴出口之處理液處理上述基板之周緣部者，且 於由上述杯部之簷部位自鉛直上方覆蓋上述基板之周緣部之狀態下，於鉛直方向上，一面將上述噴出口定位於低於上述簷部位之斜面處理位置，一面使上述處理液自上述噴出口著液於上述基板之周緣部。