CN108257889B - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种既降低对基板的污染又能对基板进行温度调节的技术。基板处理装置(10)具有板构件(30)，其具有与旋转台(22)的表面(22S)相向的基部(32)，以该基部(32)被配设在旋转台(22)与由多个基板保持构件(26)所保持的基板(W)之间的状态，利用旋转驱动部(24)使板构件(30)与旋转台(22)一同旋转。此外，基板处理装置(10)具有：加热用流体供给部(50)及冷却用流体供给部(60)，向旋转台(22)与板构件(30)之间供给对板构件(30)进行温度调节的温度调节用流体；控制部(3)，控制从加热用流体供给部(50)及冷却用流体供给部(60)供给温度调节用流体。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及处理基板的技术，特别是涉及对基板进行温度调节的技术。
背景技术
在半导体晶片等的基板处理中，在一些情况下，一边用处理液处理基板，一边进行升高或降低基板的温度的温度调节处理。
作为这样的对基板进行温度调节的技术，例如，存在向基板的背面喷出高温的药液或蒸汽等，由此使基板升温的技术(例如，专利文献1)。此外，还存在使加热器与基板的背面接触或靠近，由此使基板升温的技术(例如，专利文献2)。
专利文献1：日本特开2014-038949号公报
专利文献2：日本特开2015-162597号公报
然而，专利文献1的技术中，由于对基板直接喷出加热后的药液等，因此可能对可使用的药液等产生限制。
此外，如专利文献2那样使用加热器的情况下，虽然难以产生如专利文献1那样的对药液的限制，但是使用加热器也可能产生各种问题。
例如，由于加热器上连接有电源电缆等，因此难以使加热器自身旋转。因此，在处理液落到加热器上的情况下，难以将该处理液从加热器上排出。因此，由于加热器靠近基板的背面，因此在加热器反弹或蒸发的处理液可能会污染基板的背面。
因此，本发明的目的在于提供一种既降低对基板的污染又能对基板进行温度调节的技术。
发明内容
为了解决上述的课题，第一实施方式是一种基板处理装置，用于处理基板，具有：旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，以及温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体。
此外，第二实施方式根据第一实施方式的基板处理装置，其中，还具有板构件移动机构，所述板构件移动机构使所述板构件在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置在所述旋转台的所述一侧，所述第二位置比所述第一位置更靠近由所述基板保持构件保持的所述基板的背面。
此外，第三实施方式根据第一实施方式或第二实施方式的基板处理装置，其中，所述板构件移动机构具有：第一磁体部，设置在所述板构件，第二磁体部，配设在所述旋转台的另一侧，对所述第一磁体部施加斥力，以及相对移动机构，支承所述第二磁体部，并且使所述第二磁体部相对地靠近及离开所述第一磁体部；所述第一磁体部及所述第二磁体部中的至少一者形成为以所述旋转轴线为中心轴的圆环状。
此外，第四实施方式根据第一实施方式至第三实施方式中的任一种基板处理装置，其中，还具有温度调节用流体排出部，所述温度调节用流体排出部排出所述温度调节用流体，所述板构件具有筒状的第一裙板部，所述第一裙板部形成为在比所述旋转台更靠外侧的位置从比所述旋转台扩展得更大的所述基部向所述旋转台侧伸出的环状，所述温度调节用流体排出部用于将碰到所述第一裙板部并落下的所述温度调节用流体排出。
此外，第五实施方式根据第一实施方式至第四实施方式中的任一种基板处理装置，其中，所述板构件上设置有插入孔，所述插入孔用于插入所述基板保持构件，并且所述板构件比所述基板保持构件所保持的所述基板扩展得更宽。
此外，第六实施方式根据第五实施方式的基板处理装置，其中，所述板构件具有筒状的第二裙板部，所述第二裙板部以形成与用于插入所述基板保持构件的所述插入孔连续的孔的方式，从所述基部向所述旋转台伸出。
此外，第七实施方式根据第一实施方式至第六实施方式中的任一种基板处理装置，其中，还具有背面侧喷嘴，所述背面侧喷嘴向由所述基板保持构件所保持的所述基板与所述板构件之间喷出背面处理用的流体，在所述板构件的与所述旋转轴线重合的位置形成有贯通孔，所述背面侧喷嘴插入该贯通孔。
第八实施方式根据第七实施方式的基板处理装置，其中，所述板构件具有筒状的第三裙板部，所述第三裙板部以形成与用于插入所述背面侧喷嘴的所述贯通孔连续的孔的方式，从所述基部向所述旋转台伸出。
第九实施方式根据第八实施方式的基板处理装置，其中，所述温度调节用流体供给部在比所述板构件的所述第三裙板部更靠径向外侧的位置，向所述径向外侧喷出所述温度调节用流体。
此外，第十实施方式根据第一实施方式至第九实施方式中的任一种基板处理装置，其中，所述板构件由含有硅或碳化硅的材料形成。
此外，第十一实施方式根据第一实施方式至第十实施方式中的任一种基板处理装置，其中，所述温度调节用流体包含氦气。
此外，第十二实施方式是一种基板处理方法，用于处理基板，包括：(a)工序，利用设置在旋转台的一侧的表面的基板保持构件保持基板，(b)工序，在所述(a)工序之后，使配设在所述基板与所述旋转台之间的板构件与所述旋转台一同以规定的旋转轴线为中心旋转，以及(c)工序，在所述(b)工序中，向旋转的所述板构件及所述旋转台之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体。
此外，第十三实施方式根据第十二实施方式的基板处理方法，其中，还包括(d)工序，所述(d)工序在所述(c)工序之前，在所述(d)工序中，使所述板构件从所述旋转台的一侧的第一位置移动到比所述第一位置更靠近所述基板的第二位置。
此外，第十四实施方式根据第十三实施方式的基板处理方法，其中，还包括(e)工序，所述(e)工序在所述(d)工序之后，在所述(e)工序中，使所述板构件从所述第二位置移动到所述第一位置。
发明效果
根据第一实施方式的基板处理装置，通过向板构件与旋转台之间供给温度调节用流体，由此对板构件进行温度调节。由此，能够对配置在温度调节板的一侧的基板进行温度调节。此外，由于板构件与使基板旋转的旋转台一同旋转，因此即使被供给至旋转中的基板的处理液附着在板构件的表面，也能够通过离心力使该处理液向外侧移动。由此，能够降低基板的背面的污染。
根据第二实施方式的基板处理装置，能够使板构件从第一位置移动到第二位置而靠近基板。通过在该状态下供给温度调节用流体，能够高效地对基板进行温度调节。此外，在对基板进行了温度调节后，通过使板构件从第二位置移动到第一位置，能够使板构件离开基板。由此，能够迅速地停止基板的温度调节，并抑制对于工艺制程的影响。
根据第三实施方式的基板处理装置，通过使第二磁体部靠近在板构件上安装的第一磁体，能够将板构件保持在靠近基板的第二位置。此外，由于第一磁体部及第二磁体部中的至少一个形成为圆环状，因此在另一个磁体相对于这一个磁体旋转时，也总是能够使斥力作用于二者之间。因此，在板构件旋转时，能够将板构件适当地保持在第二位置。
根据第四实施方式的基板处理装置，能够通过板构件旋转而产生的离心力，使向板构件的外侧移动的温度调节用流体碰到第一裙板部，并通过温度调节用流体排出部排出。因此，能够抑制温度调节用流体向板构件的外侧飞溅。
根据第五实施方式的基板处理装置，由于板构件扩展得比基板更大，因此能够对基板整体均匀地进行温度调节。此外，通过在板构件上设置将基板保持部插入的插入孔，能够抑制板构件干扰基板保持部。
根据第六实施方式的基板处理装置，通过以形成与插入孔连续的孔的方式而设置第二裙板部，能够减少温度调节用流体进入插入孔。因此，能够减少温度调节用流体通过插入孔进入板构件与基板之间。
根据第七实施方式的基板处理装置，通过在板构件的旋转轴的位置上设置贯通孔，并且将背面侧喷嘴插入该贯通孔，能够使板构件相对于不旋转的背面侧喷嘴旋转。
根据第八实施方式的基板处理装置，通过以形成与板构件的贯通孔连续的孔的方式而设置第三裙板部，能够减少温度调节用流体进入贯通孔。因此，能够减少温度调节用流体通过贯通孔进入板构件与基板之间。
根据第九实施方式的基板处理装置，通过温度调节用流体供给部在比板构件的第三裙板部更靠径向外侧的位置向径向外侧喷出温度调节用流体，能够减少温度调节用流体进入第三裙板部的内侧及贯通孔。
根据第十实施方式的基板处理装置，板构件由硅或碳化硅构成，由此，能够使板构件具有强耐化学腐蚀性、高强度及高热传导性。此外，由于能够容易地将板构件加工得较薄，因此能够容易地减小板构件的热容量。
根据第十一实施方式的基板处理装置，通过使用热传导性较高的氦气，能够对板构件良好地进行温度调节。
根据第十二实施方式的基板处理方法，通过向板构件与旋转台之间供给温度调节用流体，由此对板构件进行温度调节。由此，能够对配置在温度调节板的一侧的基板进行温度调节。此外，由于板构件与使基板旋转的旋转台一同旋转，因此即使被供给至旋转中的基板的处理液附着在板构件的表面，也能通过离心力使该处理液向外侧移动。由此，能够降低基板的背面的污染。
根据第十三实施方式的基板处理方法，通过使板构件配置在比第一位置更靠近基板的第二位置，能够对基板高效地进行温度调节。
根据第十四实施方式的基板处理方法，通过使板构件从第二位置移动到第一位置，能够使板构件离开基板。由此，能够迅速地停止基板的温度调节，并且能够抑制对于工艺制程的影响。
附图说明
图1是示意性地示出第一实施方式的基板处理系统100的结构的俯视图。
图2是示意性地示出第一实施方式的基板处理装置10的结构的侧视图。
图3是示意性地示出第一实施方式的板构件30的外缘附近的侧视图。
图4是示出第一实施方式的板构件30的表面侧(上侧)的俯视图。
图5是示出第一实施方式的板构件30的背面侧(下侧)的立体图。
图6是示意性地示出板构件30的中心附近的侧视图。
图7是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图8是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图9是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图10是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图11是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图12是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。
图13是示出第二实施方式的板构件30的中心部附近的概略剖视图。
图14是示出第三实施方式的板构件30的中心部附近的概略剖视图。
图15是示意性地示出变形例的板构件30的外缘附近的侧视图。
其中，附图标记说明如下：
100 基板处理系统
3 控制部
10 基板处理装置
22 旋转台
22S 表面
24 旋转驱动部
26 基板保持构件
260 轴部
262 宽幅部
264 抵接部
28 卡止构件
28H 卡止孔
30 板构件
30R 温度调节用空间
32 基部
34 第一裙板部
36 第二裙板部
36H 插入孔
38 第三裙板部
38H 贯通孔
40 板构件移动机构
41 第一磁体部
42 第二磁体部
43 相对移动机构
50 加热用流体供给部(温度调节用流体供给部)
50P 喷出口
51、51a、51b 加热用喷嘴
60 冷却用流体供给部(温度调节用流体供给部)
60P 喷出口
61、61a、61b 冷却用喷嘴
70 排出部
71 第一罩(温度调节用流体排出部)
80 表面侧处理流体供给部
81 表面侧喷嘴
90 背面侧处理流体供给部
91 背面侧喷嘴
281 棒状部
282 卡止部
L1 第一位置
L2 第二位置
Q1 旋转轴线
W 基板
WS1 表面
WS2 背面
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本实施方式中记载的结构元素仅为例示，而并不意味着本发明的范围仅限于此。附图中，为了便于理解，在某些情况下，各部分的尺寸或数量在必要时被夸张或简化来进行图示。此外，为了方便图示，在某些情况下，仅以剖面示出一部分元素。
1.第一实施方式
图1是示意性地示出第一实施方式的基板处理系统100的结构的俯视图。图2是示意性地示出第一实施方式的基板处理装置10的结构的侧视图。图3是示意性地示出第一实施方式的板构件30的外缘附近的侧视图。另外，图3中，上半部分是示出当位于第一位置L1时的板构件30的图，下半部分是示出当位于第二位置L2时的板构件30的图。
图1所示的基板处理系统100是一张一张地对半导体晶片等圆板状的基板W进行处理的单张式处理系统。基板处理系统100具有分别收纳多个未处理的基板W的多个载体C和将基板W搬入搬出各载体C的基板搬送装置(转运机器人)IR。此外，基板处理系统100具有用处理液(包含有机溶剂)或处理气体对基板W进行处理的多个基板处理装置10、将基板W搬入及搬出各基板处理装置10的搬送机器人CR、和对基板处理系统100所具有的装置的动作、阀的开闭等进行控制的控制部3。
转运机器人IR从载体C中取出未处理的基板W，并将该取出的基板W在基板交接位置P交给搬送机器人CR。此外，转运机器人IR在基板交接位置P从搬送机器人CR接收处理过的基板W，并将该接收的基板W收纳在载体C。
基板处理装置10是用于使用药液对圆形的基板W的表面WS1(图案形成面)及背面WS2实施药液处理(清洗处理、蚀刻处理等)的单张型的单元。各基板处理装置10在具有内部空间的箱形的腔室内，一边将一张基板W保持为水平的姿势并且使基板W以通过基板W的中心的铅直方向的旋转轴线Q1为中心旋转，一边进行药液处理。以下，有时将铅直方向上侧简称为“上侧”、将铅直方向下侧简称为“下侧”来进行说明。
如图2所示，基板处理装置10具有旋转台22、旋转驱动部24、基板保持构件26、板构件30、板构件移动机构40、加热用流体供给部50、冷却用流体供给部60、排出部70、表面侧处理流体供给部80及背面侧处理流体供给部90。
旋转台22是从铅直方向看去形成为圆形的构件，以旋转轴线Q1为中心旋转。旋转台22的上侧(一侧)的表面22S与水平面平行。在旋转台22的中心部形成在铅直方向上贯通的圆形的贯通孔22H。
旋转驱动部24使旋转台22以旋转轴线Q1为中心旋转。旋转驱动部24具有旋转马达240和旋转轴部242。旋转轴部242是在铅直方向上延伸的圆柱状的构件，其前端部与旋转台22连接。旋转马达240使旋转轴部242以旋转轴线Q1为中心旋转。旋转轴部242的旋转使旋转台22以旋转轴线Q1为中心旋转。旋转轴部242是将旋转马达240的旋转驱动力传递到旋转台22的构件。
在旋转轴部242的中心部形成在铅直方向上延伸的孔242H。该孔242H与旋转台22的贯通孔22H连续。
基板保持构件26设置在旋转台22的表面22S，将基板W以水平姿势保持在从旋转台22向上侧分离的位置。需要说明的是，“水平姿势”是指基板W的两侧的主面(表面WS1及背面WS2)与水平面平行的状态。本例中，在旋转台22的表面设置有4个基板保持构件26。基板保持构件26沿着大小与基板W对应的圆周等间隔地配设，抵接并支承基板W的周缘部。另外，基板保持构件26的数量不限定于4个。例如，可以将基板保持构件26设定为3个以下，或者，也可以设定为5个以上。
如图3上半部分所示，基板保持构件26具有轴部260、宽幅部262和抵接部264。轴部260是基端部安装在旋转台22的表面22S且从表面22S向上侧延伸的部分。宽幅部262是设置在轴部260的上侧且在水平方向上幅度比轴部260更宽的部分。抵接部264是设置在宽幅部262的上侧且其外周部分与基板W的周缘部抵接的部分。此处，宽幅部262的上表面(上侧的表面)与基板W的背面WS2接触，但不是必须的。
板构件30
图4是示出第一实施方式的板构件30的表面侧(上侧)的俯视图。图5是示出第一实施方式的板构件30的背面侧(下侧)的立体图。
板构件30具有基部32，该基部32形成为与旋转台22的表面22S相向的圆板状。基部32以配设在由多个基板保持构件26支承的基板W和旋转台22之间的状态，通过旋转驱动部24与旋转台22一同旋转。
基部32在水平方向上扩展得比旋转台22更大。在基部32的周缘部的下侧设置有第一裙板部34。第一裙板部34是形成为在水平方向(与旋转台22的表面22S平行的方向)上比旋转台22更外侧的位置从基部32沿铅直方向向下(旋转台22侧)伸出的环状的圆筒状部分。
如后所述，加热用流体供给部50或冷却用流体供给部60对旋转台22和板构件30之间供给温度调节用流体。温度调节用流体受到因旋转台22及板构件30的旋转而产生的离心力，向径向外侧移动。第一裙板部34挡住从旋转台22向外侧飞溅的温度调节用流体，并向下侧的排出部70引导。
在板构件30的基部32形成用于插入各个基板保持构件26的4个插入孔36H。此处，4个插入孔36H沿着以旋转轴线Q1为中心的圆周等间隔地配置。如图3所示，基板保持构件26的轴部260插入各个插入孔36H中。插入孔36H的内径稍大于轴部260。
在基部32的下侧形成有第二裙板部36，该第二裙板部36形成为圆筒状，该圆筒状上形成有与插入孔36H连续的孔。第二裙板部36形成为从基部32向旋转台22铅直向下伸出的环状。第二裙板部36的内周面形成为与轴部260的环状的外周面对应的环状。
第二裙板部36反弹向旋转台22的径向外侧移动的温度调节用流体，由此，抑制温度调节用流体进入插入孔36H。
此外，当旋转台22以旋转轴线Q1为中心旋转时，各个基板保持构件26也以旋转轴线Q1为中心旋转。由此，板构件30的插入孔36H的内周面受到来自插入的基板保持构件26的旋转力，由此，与旋转台22一同以相同的旋转速度沿相同的旋转方向旋转。
如图5所示，在板构件30的基部32的表面32S的中心部形成贯通孔38H。背面侧处理流体供给部90的背面侧喷嘴91插入贯通孔38H。背面侧喷嘴91通过贯通孔38H对基板W和板构件30之间供给用于背面处理的处理流体。由此，用处理流体来处理基板W的背面WS2。
在基部32的下侧设置有第三裙板部38，该第三裙板部38形成为圆筒状，该圆筒状上形成有与贯通孔38H连续的孔。第三裙板部38形成为从基部32向旋转台22铅直向下伸出的环状。第三裙板部38的前端部配设在加热用流体供给部50的加热用喷嘴51的前端部和背面侧喷嘴91的前端部之间。此外，第三裙板部38的前端部配设在冷却用流体供给部60的冷却用喷嘴61的前端部和背面侧喷嘴91的前端部之间。
板构件30可由含有硅(Si)或碳化硅(SiC)的材料形成。板构件30由硅或碳化硅形成，由此，可使板构件30具有强耐化学腐蚀性、高强度及高热传导性。此外，由于能够容易地将板构件30加工得较薄，因此能够容易地减小板构件30的热容量。但是，板构件30的构成材料并不限于硅或碳化硅。
板构件移动机构40
板构件移动机构40是使板构件30沿铅直方向上下升降移动的升降机构。板构件移动机构40在旋转台22上侧的第一位置L1和比第一位置L1更靠近由基板保持构件26保持的基板W的背面WS2的第二位置L2之间移动。
板构件移动机构40具有第一磁体部41、第二磁体部42和相对移动机构43。
如图5所示，第一磁体部41设置在板构件30的基部32的下侧。此处，第一磁体部41形成为以旋转轴线Q1为中心轴的环状(此处为圆环状)。
如图2所示，第二磁体部42形成为以旋转轴线Q1为中心轴的环状(此处为圆环状)。第二磁体部42配设在隔着旋转台22在铅直方向上与第一磁体部41相向的位置。第二磁体部42与第一磁体部41之间产生斥力。
旋转轴部242插入在第二磁体部42的内侧。因此，第二磁体部42能够在不干扰旋转轴部242的情况下在铅直方向上升降移动。
相对移动机构43具有支承部431和驱动部432。支承部431位于旋转轴部242的侧方，并从下侧支承第二磁体部42。驱动部432与支承部431连接，使支承部431在铅直方向上升降移动。驱动部432使支承部431升降移动，由此，第二磁体部42相对地靠近或离开第一磁体部41。第二磁体部42通过相对移动机构43的动作而被配置在上述的第一位置L1和第二位置L2。驱动部432可以由例如线性马达或驱动滚珠丝杠的旋转马达等构成。驱动部432的动作由控制部3控制。
第一磁体部41及第二磁体部42均形成为以旋转轴线Q1为中心轴的同轴圆环状。因此，在通过板构件30的旋转使第一磁体部41相对于第二磁体部42旋转的期间内，能够使斥力作用于二者之间。
另外，也可以将第一磁体部41及第二磁体部42中的任一者设置为分散地配置在与另一者的环状形状为同心圆的圆周上的多个磁体。该情况下，由多个磁体构成的其中一个磁体部相对于圆环状的另一个磁体部旋转。由此，另一个磁体部能够总是对一个磁体部施加斥力。因此，在板构件30旋转时，能够将板构件30适当地保持在第二位置L2。
第一位置L1是当板构件30的基部32最靠近旋转台22的表面22S时的板构件30的铅直方向的位置(图2)。此处，当板构件30位于第一位置L1时，第二裙板部36的下端抵接在旋转台22的表面22S上(图3上半部分)。此外，当板构件30位于第一位置L1时，板构件30的基部32由设置在旋转台22的表面22S上的多个支承构件221来支承(图2、图6)。因此，当板构件30位于第一位置L1时，板构件30的基部32配置在离开旋转台22的表面22S的位置。
另外，并非必须设置支承构件221，也可将其省略。该情况下，仅第二裙板部36的下端与旋转台22接触，由此，板构件30被支承在第一位置L1。此外，第二裙板部36并非必须与旋转台22接触。即，也可以仅支承构件221与基部32接触，由此板构件30被支承在第一位置L1。
第一位置L1是在基板处理装置10中例如在不进行基板W的温度调节时板构件30被配置的位置。但是，在将板构件30配置在第一位置L1的状态下，也能够供给温度调节用流体，从而对基板W进行温度调节。该情况下，由于板构件30被配置在与基板W分离的位置，因此能够对基板W稳定地进行温度调节。
当相对移动机构43使第二磁体部42靠近第一磁体部41时，板构件30从第一位置L1向上侧移动。然后，板构件30与基板保持构件26的宽幅部262的下表面接触，向上侧的移动受到限制(图3下半部分)。如此，基板保持构件26发挥限制器的功能，由此，使板构件30停止向上侧移动。该停止时的板构件30的位置相当于第二位置L2。
通过使板构件30移动至第二位置L2，由此在板构件30的基部32和旋转台22之间形成温度调节用空间30R，该温度调节用空间30R用于被供给温度调节用的流体。通过向该温度调节用空间30R供给温度调节用流体(加热用流体或冷却用流体)，能够将板构件30的温度调整为与该温度调节用流体相应的温度。由此，能够从下侧对基板W进行温度调节。如此，在基板处理装置10中，能够进行伴随着温度调节的基板处理。
如图3下半部分所示，将第一裙板部34的铅直方向的长度规定为，使得配置在第二位置L2的板构件30的第一裙板部34的下端位于旋转台22的表面22S的下侧。由此，能够减少温度调节用流体飞溅到第一裙板部34的外侧。
另外，也可省略板构件移动机构40。例如，可以通过增减加热用流体供给部50或冷却用流体供给部60供给的温度调节用流体在单位时间内的流量，使板构件30移动到相对于旋转台22的适宜的高度。
加热用流体供给部50
加热用流体供给部50通过对旋转中的旋转台22及板构件30之间供给高温的流体而使板构件30升温，以加热基板W。加热用流体供给部50具有加热用喷嘴51、管道部52、流体供给源53a～53d和阀54a～54d。
图6是示意性地示出板构件30的中心附近的侧视图。另外，图6中，上半部分是示出位于第一位置L1时的板构件30的图，下半部分是示出位于第二位置L2时的板构件30的图。加热用喷嘴51将由各个流体供给源53a～53d供给的加热用流体从前端的喷出口50P喷出。
如图6所示，喷出口50P配置在旋转台22的表面22S的上侧。此外，喷出口50P配置在比板构件30的第三裙板部38更靠径向外侧的位置。而且，喷出口50P在相对于铅直方向朝向板构件30的径向外侧倾斜的方向开口。因此，如图6下半部分所示，加热用流体在比板构件30的第三裙板部38更靠径向外侧的位置上，以被向径向外侧加速了的状态从喷出口50P喷出。如此，向径向外侧喷出加热用流体，由此，能够减少加热用流体进入第三裙板部38的内侧及贯通孔38H。另外，喷出口50P也可以朝向铅直方向上侧。
管道部52连接各流体供给源53a～53d与加热用喷嘴51，并形成将从各流体供给源53a～53d供给的流体引导至加热用喷嘴51的流路。
此处，在流体供给源53a～53d中，将流体供给源53a～53c分别作为供给各种温水(去离子水等纯水)、SPM(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture：硫酸双氧水)及甘油的供给源，将流体供给源53d作为供给常温水(去离子水等纯水)的供给源。由于SPM或甘油的沸点比水高，因此能够加热至高于水的温度(例如，100℃以上)来使用。在以100℃以上的高温对基板W进行加热处理时，或对基板W进行急速加热时等，可向温度调节用空间30R供给高温的SPM或甘油等。在去除向温度调节用空间30R供给的高温的加热用流体时，可以使用常温水。各流体供给源53a～53d可以适当具有用于贮存加热用流体的箱和用于从该箱送出加热用流体的泵等输液单元。
另外，加热用流体供给部50可以仅供给温水、SPM及甘油中的一部分，或者也可以供给除这些加热用流体以外的其他流体(液体或气体)。例如，可以采用蒸汽(例如，200℃的水蒸气等)作为用于加热的气体。
各阀54a～54d插接在从流体供给源53a～53d延伸的各管道部52的中途。阀54a～54d开闭管道部52的流路，由此控制由各流体供给源53a～53d供给的加热用流体从各喷出口50P喷出。阀54a～54d的动作可由控制部3控制。
冷却用流体供给部60
冷却用流体供给部60通过向旋转台22和板构件30之间供给低温的流体来冷却板构件30，以冷却基板W。冷却用流体供给部60具有冷却用喷嘴61、管道部62、流体供给源63a～63d和阀64a～64d。
冷却用喷嘴61从前端的喷出口60P喷出由各流体供给源63a～63d供给的冷却用流体。如图6所示，冷却用喷嘴61的喷出口60P与加热用喷嘴51的喷出口50P同样地配置在旋转台22的表面22S的上侧的位置。此外，喷出口60P配置在比板构件30中的第三裙板部38更靠径向外侧的位置。而且，喷出口60P在相对于铅直方向朝向板构件30的径向外侧倾斜的方向开口。因此，如图6下半部分所示，冷却用流体以向板构件30的径向外侧加速的状态从喷出口60P喷出。如此，向径向外侧喷出冷却用流体，由此，能够减少冷却用流体进入第三裙板部38的内侧及贯通孔38H。另外，喷出口60P也可以朝向铅直方向上侧。
如图6所示，板构件30移动到第一位置L1时，板构件30的基部32的下表面被支承构件221支承，由此，其配置在从加热用喷嘴51或冷却用喷嘴61的前端向上侧分离的位置。由此，板构件30被保持在不与加热用喷嘴51及冷却用喷嘴61的前端接触的第一位置L1。
管道部62连接各流体供给源63a～63d与冷却用喷嘴61，并形成将从各流体供给源63a～63d供给的冷却用流体引导至冷却用喷嘴61的流路。
此处，各流体供给源63a～63d作为供给各冷却水(冷却后的去离子水等)、液氮、冷却气体(氦气等)及防冻液(含甘油的液体等)的供给源。另外，由于氦气的热传导性优越，因此通过利用氦气作为冷却用流体，能够对基板W进行良好的温度调节。此外，也能够利用氦气作为加热用流体。
冷却用流体供给部60可以仅供给冷却水、液氮、冷却气体及防冻液中的一部分，或者，也可以供给除这些冷却用流体以外的其他流体(液体或气体)。
由于流体供给源63a、63b、63d供给作为冷却用流体的液体，因此可以适当具有用于贮存冷却用流体的箱，以及用于从该箱送出冷却用流体的泵等输液单元。此外，由于流体供给源63c供给作为冷却用流体的气体，因此可以适当具有用于贮藏通过压缩而成为高压状态的冷却用流体的高压储气瓶等。
各阀64a～64d插接在从流体供给源63a～63d延伸的各管道部62的中途。阀64a～64d开闭管道部62的流路，由此控制从各喷出口60P喷出由各流体供给源63a～63d供给的冷却用流体。阀64a～64d的动作可由控制部3控制。
需要说明的是，基板处理装置10并非必须兼具加热用流体供给部50及冷却用流体供给部60两者来作为温度调节用流体供给部，也可以仅具有其中一者。
可以适当设定从喷出口50P或喷出口60P喷出温度调节用流体时的喷出流量。例如，可以按照能够使温度调节用空间30R大致充满温度调节用流体的喷出流量来喷出温度调节用流体。或者，也可以设定为可使温度调节用流体沿板构件30的基部32的背面移动的程度的喷出流量。具体而言，使温度调节用流体冲向旋转中的板构件30的基部32的背面，通过离心力使该温度调节用流体向基部32的径向外侧移动。通过适当调整板构件30的旋转速度及温度调节用流体的喷出流量等，能够使温度调节用流体几乎不落到旋转台22的表面22S而向基部32的径向外侧移动。该情况下，由于温度调节用流体沿板构件30移动，因此是与对板构件30自身进行温度调节，且与用温度调节用流体充满温度调节用空间30R的情况相比，能够减少温度调节用流体的使用量。
排出部70
排出部70用于从基板处理装置10排出被供给至旋转中的旋转台22及板构件30之间的温度调节用流体、被供给至旋转中的基板W的表面WS1的处理流体(以下，也称为“表面侧处理流体”)、以及被供给至旋转中的基板W的背面WS2供给的处理流体(以下，也称为“背面侧处理流体”)。排出部70具有第一罩71～第四罩74和罩移动机构部75。
第一罩71是形成为围绕旋转台22的筒状的构件。第一罩71将碰到板构件30的第一裙板部34并落下的温度调节用流体引导至设置在第一罩71的内侧的排出口(未图示)。第一罩71的上端配置在比上升到第二位置L2的板构件30中的第一裙板部34的下端更偏上侧的位置(参照图3下半部分)。由此，能够抑制飞溅到第一裙板部34的外侧的温度调节用流体向第一罩71的外侧飞溅。在第一罩71的内侧形成的排出口是温度调节用流体排出部的一例。另外，在使用气体作为温度调节用流体的情况下，可以将真空泵等吸引单元设置在适当的位置，并经由第一罩71的内侧的排出口来吸引该气体(温度调节用流体)。
第二罩72～第四罩74是形成为围绕旋转台22的筒状的构件。第二罩72配设在第一罩71的外侧，第三罩73配设在第二罩72罩的外侧，第四罩74配设在第三罩73的外侧。在处理液被供给到基板W的表面WS1或背面WS2之后，第二罩72～第四罩74挡住向基板W的径向外侧飞溅的处理液，并引导至设置在各自的下方的排出口(未图示)。罩移动机构部75使第二罩72～第四罩74独立地上下移动。罩移动机构部75变更第二罩72～第四罩74的高度位置，由此，利用从上述第二罩72～第四罩74中选出的一个罩挡住向基板W的外侧飞溅的处理液。
表面侧处理流体供给部80
表面侧处理流体供给部80通过向旋转的基板W的表面WS1供给处理流体来处理表面WS1。表面侧处理流体供给部80具有表面侧喷嘴81、管道部82、处理流体供给源83a～83c、阀84a～84d和混合部85。
表面侧喷嘴81向基板W的表面WS1喷出处理流体。此处，表面侧喷嘴81向以被多个基板保持构件26保持的状态而旋转的基板W的中心附近喷出处理流体。另外，表面侧喷嘴81安装在未图示的臂部的前端。未图示的移动驱动部使该臂在水平面内移动(旋转移动、直线移动等)，由此，表面侧喷嘴81在向基板W供给处理流体的供给位置(图2等所示的位置)和从旋转台22的上侧向径向外侧退避的退避位置之间移动。在表面侧喷嘴81位于退避位置的状态下，将基板W搬入到旋转台22上或从旋转台22上搬出基板W。
管道部82连接各处理流体供给源83a～83c至混合部85之间，并连接混合部85至表面侧喷嘴81之间，形成将从各处理流体供给源83a～83c供给的处理流体引导至表面侧喷嘴81的流路。
此处，处理流体供给源83a～83c作为供给药液、气体及纯水的供给源。另外，药液是例如IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)、DHF(diluted hydrofluoric acid：稀氢氟酸)以及SC-1(双氧水及氨的混合液)等。此外，气体是例如非活性气体(N2、Ar、He、Kr、或Xe气体或者为这些气体的混合气体)。
阀84a～84c分别插接在连接各处理流体供给源83a～83c至混合部85的管道部82上。阀84a～84c开闭管道部82内的流路，由此控制处理流体供给源83a～83c向混合部85供给处理流体。
阀84d插接在将混合部85至表面侧喷嘴81进行连接的管道部82上。阀84d开闭管道部82内的流路，由此控制混合部85对表面侧喷嘴81供给处理流体。阀84a～84d发出的管道部82的开闭动作可由控制部3控制。
混合部85中形成有在铅直方向上较长的内部空间，在该内部空间中混合由处理流体供给源83a～83c供给的处理流体。在混合部85中被混合的处理流体经由管道部82被供给到表面侧喷嘴81。
背面侧处理流体供给部90
背面侧处理流体供给部90通过向旋转的基板W的背面WS2供应处理流体来处理背面WS2。背面侧处理流体供给部90具有背面侧喷嘴91、管道部92、处理流体供给源93a～93c、阀94a～94d和混合部95。
背面侧喷嘴91向基板W的背面WS2喷出处理流体。背面侧喷嘴91插入旋转轴部242的旋转台22的贯通孔22H、板构件30的内侧，进而，插入板构件30的中心部形成的贯通孔38H。背面侧喷嘴91从其前端的喷出口向基板W的背面WS2喷出处理流体。
管道部92连接各处理流体供给源93a～93c至混合部95之间，并连接混合部95至背面侧喷嘴91之间，形成将由处理流体供给源93a～93c供给的处理流体引导至背面侧喷嘴91的流路。
此处，处理流体供给源93a～93c作为供给药液、气体及纯水的供给源。另外，药液是例如IPA、DHF、及SC-1等。此外，气体是例如非活性气体(N2、Ar、He、Kr、或Xe气体，或者为这些气体的混合气体)。
阀94a～94c分别插接在连接各处理流体供给源93a～93c至混合部95的管道部92上。阀94a～94c开闭管道部92内的流路，由此控制处理流体供给源93a～93c向混合部95供给处理流体。
阀94d插接在混合部95至背面侧喷嘴91的管道部92上。阀94d开闭管道部92内的流路，由此控制混合部95向背面侧喷嘴91供给处理流体。阀94a～94d开闭管道部92的动作可由控制部3控制。
在混合部95中形成有在铅直方向上较长的内部空间，在该内部空间中混合从处理流体供给源93a～93c供给的处理流体。在混合部95中被混合的处理流体经由管道部92被供给到背面侧喷嘴91。
基板处理装置10的动作
接着，参照图7～图12说明基板处理装置10的动作的一例。图7～图12是第一实施方式的基板处理装置10的概略剖视图。另外，除非另有说明，否则以下的基板处理装置10的动作在控制部3的控制下进行。
此处，作为基板处理的例子，说明进行氧化膜蚀刻的例子，该氧化膜蚀刻用于去除在规定尺寸(例如，外径300mm)的基板W的表面WS1(应形成设备的面)上形成的氧化膜。
首先，未处理的基板W被搬入基板处理装置10，并由多个基板保持构件26保持(保持工序)。接着，如图7所示，在通过旋转台22旋转而使基板W旋转的状态下(例如，600～1200rpm)，从表面侧喷嘴81向表面WS1喷出DHF。喷出的DHF因离心力而扩散，DHF的液膜涂覆在整个表面WS1(DHF涂覆工序)。另外，向基板W的侧方飞溅的DHF被第三罩73挡住而排出。此外，板构件30以配置在第一位置L1的状态，与旋转台22一同旋转(旋转工序)。
当经过规定的时间，整个基板W的表面WS1被DHF的液膜覆盖时，进行在基板W的表面WS1形成并保持桨叶状的液膜的DHF桨叶工序。具体而言，将基板W的旋转速度在短时间内减速到比药液涂覆工序时的旋转速度小的旋转速度(例如，约10rpm)。以下，将该旋转速度称为桨叶速度。另外，将来自表面侧喷嘴81的DHF的喷出流量维持在与DHF涂覆工序时的喷出流量(例如，每分钟2.0升)相同。通过降低基板W的旋转速度，DHF积存在表面WS1而形成桨叶状的液膜。用该桨叶状的液膜对整个基板W的表面WS1进行药液处理。
从喷出DHF开始，经过规定的处理时间时，停止从表面侧喷嘴81喷出DHF，并进行将基板W上的DHF置换为冲洗液(纯水)的桨叶冲洗工序。具体而言，如图8所示，将基板W的旋转速度维持在DHF桨叶工序时的旋转速度，以规定的喷出流量从表面侧喷嘴81向基板W的表面WS1喷出纯水。然后，当经过规定时间时，基板W的表面WS1的整面上的DHF被置换为桨叶状的纯水液膜。向基板W的侧方流动的纯水被第一罩71挡住而排出。
从喷出纯水开始，经过规定的处理时间时，停止从表面侧喷嘴81喷出纯水，进行将基板W上的纯水置换为SC-1的SC－1桨叶工序。具体而言，如图9所示，将基板W的旋转速度维持在桨叶速度，从表面侧喷嘴81及背面侧喷嘴91喷出SC-1。此外，在该SC-1桨叶工序中，对基板W进行温度调节。具体而言，板构件移动机构40动作，由此，板构件30从第一位置L1移动到第二位置L2。然后，从加热用流体供给部50的加热用喷嘴51向板构件30和旋转台22之间供给温水(例如，40℃的纯水)。由此，对基板W进行温度调节。基板W的正面WS1用桨叶状的SC-1处理，背面WS2用被供给至基板W和板构件30之间的SC-1处理。
从喷出SC-1开始，经过规定的处理时间时，停止从表面侧喷嘴81喷出SC-1，进行将基板W上的SC-1置换为冲洗液(纯水)的桨叶冲洗工序。具体而言，如图10所示，将基板W的旋转速度维持在桨叶速度，从表面侧喷嘴81向基板W的表面WS1喷出纯水。此外，从背面侧喷嘴91向基板W的背面WS2喷出纯水。
经过规定时间时，基板W的表面WS1被置换为桨叶状的纯水液膜，背面WS2侧也被置换为纯水。向基板W的侧方流动的纯水被第一罩71挡住而排出。此外，在本桨叶冲洗工序中，也从加热用喷嘴51供给温水(例如，40℃的纯水)，由此对基板W进行温度调节。但是，也可以通过停止供给温水而停止对基板W进行温度调节。另外，在停止供给温水的情况下，也可以通过将板构件30的位置维持在第二位置L2等，使板构件30靠近基板W，从而减小基板W和板构件30之间的空间。由此，能够降低用于处理基板W的背面WS2而使用的纯水的使用量。
从喷出纯水开始，经过规定的处理时间时，停止从表面侧喷嘴81喷出纯水而喷出IPA，由此，进行将基板W的纯水液膜置换为IPA的IPA桨叶工序。具体而言，如图11所示，将基板W的旋转速度维持在桨叶速度，从表面侧喷嘴81供给IPA。将来自表面侧喷嘴81的IPA的喷出流量设定为例如每分钟0.1升。通过对基板W的上表面供给IPA，基板W的表面WS1的纯水被依次置换为IPA。结果，在基板W的上表面形成桨叶状的覆盖整个基板W的上表面的IPA液膜。此外，从基板W向径向外侧飞溅的IPA被第四罩74挡住而排出。
IPA桨叶工序中，无需特别地向基板W的背面WS2喷出IPA。此外，通过从加热用喷嘴51喷出加热用流体，对基板W进行温度调节。作为温度调节用流体，可利用例如80℃或以上的温水。另外，在不向背面WS2喷出IPA的情况下，由于在基板W和板构件30之间隔着热传导率较低的空气，因此难以高效地对基板W进行温度调节。因此，可以从加热用喷嘴51喷出更高温的加热流体(例如，180℃的SPM等)。
从喷出IPA开始，经过规定的处理时间时，继续喷出IPA，并且使基板W的旋转速度从桨叶速度逐步加速到高旋转速度。然后，当基板W达到高旋转速度后，在从喷出IPA开始经过规定时间的条件下，停止从表面侧喷嘴81喷出IPA。
当停止喷出IPA时，进行干燥工序。具体而言，将基板W的旋转速度维持在高旋转速度(例如，600～1200rpm)。由此，甩掉附着在基板W上的IPA，使基板W干燥。此外，干燥工序中，可以在板构件30配置在第二位置L2的状态下，从加热用喷嘴51喷出80℃的温水或180℃的SPM，由此加热基板W。
另外，IPA桨叶工序中，在将基板W的表面WS1上的纯水液膜置换为IPA液膜后，可以使基板W的表面WS1达到高于IPA的沸点(82.6℃)的温度。由此，在整个IPA液膜上，在IPA液膜和基板W的表面WS1之间形成IPA蒸气膜。因此，能够使IPA液膜在IPA蒸气膜的上方浮起。该状态下，由于在基板W的表面WS1和IPA液膜之间产生的摩擦力的大小近似为零，因此IPA液膜能够容易地在表面WS1上移动。因此，通过使基板W以高旋转速度旋转，能够从基板W的表面WS1的上方有效地排除浮起的IPA液膜。
在规定的干燥时间内进行干燥工序后，进行搬出工序。具体而言，停止从加热用喷嘴51喷出加热流体。此外，基板W停止旋转，对一张基板W的清洗处理结束。然后，通过搬送机器人CR将处理过的基板W从基板处理装置10搬出。另外，在搬送机器人CR搬出基板W之前，表面侧喷嘴81适当地移动到从基板W的上方脱离的位置。
此外，在搬送机器人CR搬出基板W之前，板构件移动机构40下降而使板构件30移动到第一位置L1。由此，能够抑制干燥工序中被加热的板构件30将基板W过度加热。但是，并非必须在搬出前将板构件30移动到第一位置L1。
此外，在搬出基板W之后、搬入下一基板W之前，可以冷却板构件30。具体而言，将板构件30配置在第二位置L2，使板构件30与旋转台22一同旋转。然后，从冷却用喷嘴61喷出冷却用流体。另外，也可以从加热用喷嘴51供给常温水。通过像这样地冷却板构件30，能够抑制在搬入下一未处理的基板W时，板构件30对该未处理的基板W进行不必要的加热。
此外，如图12所示，可以在搬送机器人CR搬出基板W之前，在板构件30配置在第二位置L2的状态下，从冷却用喷嘴61喷出冷却用流体(冷却水等)。由此，由于能够快速冷却基板W，因此能够抑制搬送机器人CR的与基板W接触的部分具有热量，或者该部分受热变形。
其他动作例
基板处理装置10中，也可以进行所谓的冷冻清洗技术。具体而言，可以对基板W的表面WS1或背面WS2供给纯水，并且对板构件30内供给温度低于纯水的凝固点的冷却用流体(冷却气体、液氮、防冻液等)。由此，在被供给至表面WS1或背面WS2的纯水冷冻后停止冷却，由此能够有效地去除冷冻的纯水和附着在基板W上的颗粒。
2.第二实施方式
以下，说明第二实施方式。另外，在之后的说明中，对于具有与已经说明的元素相同的功能的元素，有时会标记相同附图标记或追加了字母的附图标记，并省略其详细说明。
图13是示出第二实施方式的板构件30的中心部附近的概略剖视图。在温度调节用空间30R中，本实施方式的加热用喷嘴51a的喷出口50P及冷却用喷嘴61a的喷出口60P朝向旋转台22的径向外侧。因此，能够使喷出口50P、60P喷出的温度调节用流体向旋转的旋转台22的径向外侧顺畅地移动，因此能够沿着径向对板构件30进行良好的温度调节。
3.第三实施方式
图14是示出第三实施方式的板构件30的中心部附近的概略剖视图。本实施方式的加热用喷嘴51b的前端部分及冷却用喷嘴61b的前端部分，在从旋转台22的贯通孔22H延伸到温度调节用空间30R之后，向旋转台22的径向外侧延伸。在加热用喷嘴51b及冷却用喷嘴61b的向径向外侧延伸的前端部分，以规定的间隔形成多个喷出口50P及多个喷出口60P。如此，在温度调节用空间30R中，通过从向旋转台22的径向外侧延伸的前端部分喷出温度调节用流体，能够向温度调节用空间30R良好地供给温度调节用流体，并且能够对板构件30均匀地进行温度调节。因此，能够对基板W均匀地进行温度调节。
另外，可以使加热用喷嘴51b或冷却用喷嘴61b的前端部延伸至比基板W更靠外侧的位置，并在基板W的整个径向上从多个喷出口50P或多个喷出口60P供给温度调节用流体。由此，能够对基板W更均匀地进行温度调节。但是，也可以使加热用喷嘴51b及61b的前端部延伸至基板W的内侧。
4.变形例
以上，说明了实施方式，但本发明并不限定于上述内容，而可以进行各种变形。
例如，上述第一实施方式中，通过在各多个基板保持构件26上设置宽幅部262，使板构件30停止在第二位置L2。然而，并非必须由基板保持构件26对板构件30进行定位。例如，如图15所示，可以在板构件30侧设置卡止构件28。
卡止构件28是连结在板构件30的基部32的下表面的构件。卡止构件28具有形成为圆柱状的棒状部281，和设置在棒状部281的下端且在水平方向上幅度比棒状部281更宽的卡止部282。
此外，在旋转台22的表面22S设置有用于使卡止构件28的卡止部282卡止的卡止孔28H。卡止孔28H的上端的开口的大小(水平方向的口径)可使棒状部281能够上下移动并且该卡止孔28H的上端的开口的大小小于卡止部282的大小。
当板构件30通过板构件移动机构40而上升时，卡止构件28的卡止部282卡止在卡止孔28H的上部。通过适当地设定棒状部281的长度，能够用卡止构件28使板构件30停止在第二位置L2。
上述实施方式中，说明了基板处理装置的处理对象为半导体晶片的情况。然而，作为本发明的处理对象的基板也可以是光掩膜用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、磁盘或光盘用的玻璃或陶瓷基板、液晶显示装置用的玻璃基板、有机EL用玻璃基板、太阳能电池用玻璃基板或硅基板、其他的用于柔性基板及印刷基板等的面向电子设备的各种被处理基板。
尽管详细地说明了本发明，但上述的说明在所有方面都是例示性的，本发明并不限定于此。可以理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以设想未例示的无数的变形例。上述各实施方式及各变形例中说明的各结构只要彼此不矛盾，可以适当地组合或省略。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，用于处理基板，具有：
旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，
旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，
基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，
板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向且在水平方向上扩展得比所述旋转台更大的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件所保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，以及
温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体，
该基板处理装置还具有板构件移动机构，所述板构件移动机构使所述板构件在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置在所述旋转台的所述一侧，所述第二位置比所述第一位置更靠近由所述基板保持构件保持的所述基板的背面。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述板构件移动机构具有：
第一磁体部，设置在所述板构件，
第二磁体部，配设在所述旋转台的另一侧，对所述第一磁体部施加斥力，以及
相对移动机构，支承所述第二磁体部，并且使所述第二磁体部相对地靠近及离开所述第一磁体部；
所述第一磁体部及所述第二磁体部中的至少一者形成为以所述旋转轴线为中心轴的圆环状。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述板构件由含有硅或碳化硅的材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述温度调节用流体包含氦气。
5.一种基板处理装置，用于处理基板，具有：
旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，
旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，
基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，
板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向且在水平方向上扩展得比所述旋转台更大的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件所保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，
温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体，以及
温度调节用流体排出部，排出所述温度调节用流体，
所述板构件具有筒状的第一裙板部，所述第一裙板部形成为在比所述旋转台更靠外侧的位置从比所述旋转台扩展得更大的所述基部向所述旋转台侧伸出的环状，
所述温度调节用流体排出部用于将碰到所述第一裙板部并落下的所述温度调节用流体排出。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述板构件由含有硅或碳化硅的材料形成。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述温度调节用流体包含氦气。
8.一种基板处理装置，用于处理基板，具有：
旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，
旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，
基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，
板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向且在水平方向上扩展得比所述旋转台更大的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件所保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，以及
温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体，
所述板构件上设置有插入孔，所述插入孔用于插入所述基板保持构件，并且所述板构件比所述基板保持构件所保持的所述基板扩展得更大。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述板构件具有筒状的第二裙板部，所述第二裙板部以形成与用于插入所述基板保持构件的所述插入孔连续的孔的方式，从所述基部向所述旋转台伸出。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述板构件由含有硅或碳化硅的材料形成。
11.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其中，
所述温度调节用流体包含氦气。
12.一种基板处理装置，用于处理基板，具有：
旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，
旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，
基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，
板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向且在水平方向上扩展得比所述旋转台更大的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件所保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，
温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体，以及
背面侧喷嘴，向由所述基板保持构件所保持的所述基板与所述板构件之间喷出背面处理用的流体，
在所述板构件的与所述旋转轴线重合的位置形成有贯通孔，所述背面侧喷嘴插入该贯通孔，
所述板构件具有筒状的第三裙板部，所述第三裙板部以形成与用于插入所述背面侧喷嘴的所述贯通孔连续的孔的方式，从所述基部向所述旋转台伸出。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述温度调节用流体供给部在比所述板构件的所述第三裙板部更靠径向外侧的位置，向所述径向外侧喷出所述温度调节用流体。
14.根据权利要求12或13的基板处理装置，其中，
所述板构件由含有硅或碳化硅的材料形成。
15.根据权利要求12或13的基板处理装置，其中，
所述温度调节用流体包含氦气。
16.一种基板处理方法，用于处理基板，包括：
(a)工序，利用设置在旋转台的一侧的表面的基板保持构件保持基板，
(b)工序，在所述(a)工序之后，使具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向且在水平方向上扩展得比所述旋转台更大的基部并且配设在所述基板与所述旋转台之间的板构件与所述旋转台一同以规定的旋转轴线为中心旋转，
(c)工序，在所述(b)工序中，向旋转的所述板构件及所述旋转台之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体，以及
(d)工序，所述(d)工序在所述(c)工序之前，在所述(d)工序中，使所述板构件从所述旋转台的一侧的第一位置移动到比所述第一位置更靠近所述基板的第二位置。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
还包括(e)工序，所述(e)工序在所述(d)工序之后，在所述(e)工序中，使所述板构件从所述第二位置移动到所述第一位置。
18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，
所述(d)工序和所述(e)工序是使配设在所述旋转台的另一侧并对设置在所述板构件的第一磁体部施加斥力的第二磁体部相对地靠近及离开所述第一磁体部，由此使所述板构件在第一位置与第二位置之间移动的工序，
所述第一磁体部及所述第二磁体部中的至少一者，形成为以所述旋转轴线为中心轴的圆环状。
19.根据权利要求16或17所述的基板处理方法，其中，
所述板构件具有筒状的第一裙板部，所述第一裙板部形成为在比所述旋转台更靠外侧的位置从比所述旋转台扩展得更大的所述基部向所述旋转台侧伸出的环状，
所述(c)工序包括将碰到所述第一裙板部并落下的所述温度调节用流体排出的工序。
20.根据权利要求16或17所述的基板处理方法，其中，
还包括(f)工序，所述(f)工序是从背面侧喷嘴向通过所述(a)工序而由所述基板保持构件所保持的所述基板与所述板构件之间喷出背面处理用的流体的工序，
在所述板构件的与所述旋转轴线重合的位置形成有贯通孔，所述背面侧喷嘴插入该贯通孔，
所述板构件具有筒状的第三裙板部，所述第三裙板部以形成与用于插入所述背面侧喷嘴的所述贯通孔连续的孔的方式，从所述基部向所述旋转台伸出，
所述(c)工序是在比所述板构件的所述第三裙板部更靠径向外侧的位置，向所述径向外侧喷出所述温度调节用流体的工序。
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