TWI392545B - Liquid handling device and liquid treatment method - Google Patents

Liquid handling device and liquid treatment method Download PDF

Info

Publication number
TWI392545B
TWI392545B TW099106150A TW99106150A TWI392545B TW I392545 B TWI392545 B TW I392545B TW 099106150 A TW099106150 A TW 099106150A TW 99106150 A TW99106150 A TW 99106150A TW I392545 B TWI392545 B TW I392545B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
liquid
guide portion
processing
cup
Prior art date
Application number
TW099106150A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201043347A (en
Inventor
Koji Takayanagi
Naofumi Kishita
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201043347A publication Critical patent/TW201043347A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI392545B publication Critical patent/TWI392545B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

液體處理裝置及液體處理方法
本發明係關於例如將半導體晶圓等基板保持在設於處理杯內的基板保持部，由噴嘴對基板供給處理液，並且一面使基板旋轉，一面進行液體處理的液體處理裝置及液體處理方法。
在對半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)的光微影工程中，係進行用以在晶圓表面形成阻劑膜的阻劑塗佈處理，在該塗佈處理的手法中係有例如旋塗法。採用旋塗法的阻劑塗佈裝置例如第17圖所示，係具備有：吸附保持晶圓W的轉盤11、使該轉盤11旋轉的旋轉驅動部12、對晶圓W供給阻劑液的阻劑噴嘴15、及包圍前述轉盤11，在下部連接有廢液路13、排氣管14的處理杯20。
此外，在前述處理杯20係設有由晶圓W周緣部下方朝向外側下方呈傾斜的環狀下側導件部21，並且由晶圓W的周緣附近夾著間隙朝向斜下方設有環狀上側導件部22，另外在上側導件部22的上方設有環狀外側導件部23。前述下側導件部21與上側導件部22之間係形成有環狀流路24。如第17及18圖所示，在上側導件部22，沿著圓周方向形成複數個開口部25，將以外側導件部23與上側導件部22所包圍的空間與前述環狀流路24相連通。
前述排氣管14係在上游側透過風門(damper)14a而 連接於工廠排氣(設於工廠內之包含排氣路的排氣系)，依風門14a的開閉程度，可以高排氣(排氣壓高、排氣量多的狀態)或低排氣(排氣壓低、排氣量少的狀態)的2階段排氣量來進行處理杯20的雰圍氣。高排氣係在回收阻劑排出時之霧氣的目的下予以設定，低排氣係在回收阻劑乾燥時之霧氣的目的下予以設定。在阻劑乾燥時以低排氣進行排氣的理由係因為若以高排氣進行排氣時，會有對膜厚均一性造成不良影響之虞。
接著簡單說明使用該阻劑塗佈裝置的阻劑塗佈工程。前述阻劑塗佈裝置內係藉由風扇過濾器單元(FFU)17而形成有下向流(downflow)，例如由阻劑噴嘴15朝正在旋轉的晶圓W的中心塗佈阻劑，之後進行旋轉乾燥。在該工程中，由晶圓W所飛散的阻劑的一部分，係藉由本身重量而順著下側導件部21由廢液路13排出至外部。此外，成為霧氣的阻劑係乘著透過前述開口部25所流通的下降氣流及藉由正在旋轉的晶圓W所發生的氣流，在環狀流路24流動，由排氣管14被吸引排氣。
但是，一面使晶圓W旋轉，一面對晶圓W的背面側供給作為洗淨液的溶劑而進行所謂的背面洗淨，自以往以來已經被進行，但是有將附著在晶圓W的表面側及背面側的斜面部的阻劑去除，而且正確控制阻劑膜的周緣與晶圓W的周緣的分離尺寸，換言之為阻劑的切斷寬幅的請求。因此如專利文獻1之記載所示，在晶圓W的背面周緣部的附近下方，由被嵌合在內側導件部21的噴嘴，朝向晶圓W之 背面側的斜面部而將洗淨液(溶劑)排出的技術已為人所知。接著，在進行該斜面洗淨時，為了將所排出的洗淨液由背面側的斜面部透過表面側的斜面部上推至比晶圓W之表面側之周緣更為稍微內方位置為止，必須將晶圓W的旋轉數設定為例如2500rpm程度的高旋轉。前述斜面洗淨噴嘴係如第17圖所示被嵌入在下側導件部21，在該斜面洗淨工程中，為了使洗淨液到達晶圓W的表面周緣部，使該晶圓W的旋轉數大於習知技術。
另一方面，近年來，隨著生產效率的提升，搭載於半導體製造裝置的處理杯20的數量增加，由複數處理杯20所排氣的總排氣量會增大。結果，壓迫工廠用能量，亦有更加對環境造成不良影響之虞。此外，在阻劑塗佈裝置中，基於排氣系統的控制變得較為複雜等理由，難以將前述排氣系形成為2階段以上(例如高排氣、中排氣、低排氣等3階段)，阻劑排出時係藉由以高排氣進行排氣，將飛散的阻劑霧氣作回收，阻劑排出時以外(包含斜面洗淨時)則不得已地以低排氣進行排氣，俾以抑制排氣量增大。
因此，在斜面洗淨工程中，雖然晶圓W的旋轉數變大，且因該晶圓W的旋轉而產生的氣流流速增大，但是處理杯20的排氣量被設定為低排氣，因此被取入至環狀流路24的空氣量會超過排氣的容量。但是，環狀流路24中的垂直部分，為了在圓周方向均一地進行排氣，而將其間隔設定為較窄，因此如第19圖所示，流入至環狀流路24中的傾斜部分的一部分氣流係成為例如剩餘部分的空氣，而在前述 開口部25由下朝上逆流，而由處理杯20的開口部流至外部。此時，由斜面洗淨噴嘴26的排出口26a所被排出的洗淨液的霧氣會朝處理杯20的外部飛散，結果，乘著下降氣流而再附著在晶圓W的表面，其附著部位即成為圖案缺陷的要因。再者此外，由於晶圓W的外緣與上側導件部22的距離相接近，因此亦會有由晶圓W所被甩掉的阻劑液或洗淨液會碰撞上側導件部22的內側側壁，跳回晶圓W表面而予以附著之虞。
在專利文獻2係揭示一種具有由處理杯的上面及底面分別伸長至被保持在轉盤的晶圓的外周附近的圓筒形遮蔽板的阻劑塗佈裝置，但是前述圓筒形遮蔽板之目的在防止由正在旋轉的晶圓所飛散的塗佈液跳回，前述之因氣流逆流以致朝向處理杯外的霧氣會飛散的課題即難以解決。
(先前技術文獻) (專利文獻)
(專利文獻1)日本特開2008-277708
(專利文獻2)日本特開昭59-127836
本發明係鑑於如上所示之情形而研創者，其目的在提供一種當一面使基板進行旋轉一面對基板供給處理液來進行處理時，即使提高基板旋轉數而且以低排氣量來進行處 理杯內的排氣，亦可抑制排氣流逆流，而可減低霧氣對基板的再附著的液體處理裝置及液體處理方法。
本發明之液體處理裝置，係在形成有下降氣流的處理杯內，一面使被保持在基板保持部的基板旋轉，一面對該基板進行液體處理，並且由處理杯的下部，將該處理杯內部的雰圍氣作吸引排氣而且將液體進行排出的液體處理裝置，其特徵為具備有：用以在被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的噴嘴；由與被保持在前述基板保持部的基板背面的周緣部近接而相對向的位置，朝向外側下方呈斜向伸出而且在基板的圓周方向形成為環狀的下側導件部；其上端面位於與被保持在前述基板保持部的基板的表面大致相同的高度，並且在與前述下側導件部之間，形成用以將由基板飛散的處理液連同氣流一起導引至下方的下側環狀流路，而且以包圍基板之外側下方領域的方式與前述下側導件部相對向形成為環狀，以其內周面的縱剖面形狀朝外側膨脹的方式彎曲而朝下方延伸的上側導件部；以包圍前述上側導件部的方式而且由該上側導件部的外方側遍及上方側而設，為了將基板旋轉時的氣流作整流，在與該上側導件部之間形成上側環狀流路的外側導件部； 為了在途中縮窄前述上側環狀流路，由外側導件部的下面朝向前述上側導件部的上面突出，在圓周方向形成為環狀的突出部；及形成在前述上側導件部的下緣部，用以使通過前述上側環狀流路而來的氣流與通過前述下側環狀流路而來的氣流合流的開口部。
其他發明係一種液體處理裝置，係在形成有下降氣流的處理杯內，一面使被保持在基板保持部的基板旋轉，一面對該基板進行液體處理，並且由處理杯的下部，將該處理杯內部的雰圍氣作吸引排氣而且將液體進行排出的液體處理裝置，其特徵為具備有：用以在被保持在前述基板保持部的基板供給處理液的噴嘴；由與被保持在前述基板保持部的基板背面的周緣部近接而相對向的位置，朝向外側下方呈斜向伸出而且在基板的圓周方向形成為環狀的下側導件部；其上端面位於與被保持在前述基板保持部的基板的表面大致相同的高度，並且在與前述下側導件部之間，形成用以將由基板飛散的處理液連同氣流一起導引至下方的下側環狀流路，而且以包圍基板之外側下方領域的方式與前述下側導件部相對向形成為環狀，以其內周面的縱剖面形狀朝外側膨脹的方式彎曲而朝下方延伸的上側導件部；以包圍前述上側導件部的方式而且由該上側導件部的外方側遍及上方側而設，為了將基板旋轉時的氣流作整流 ，在與該上側導件部之間形成上側環狀流路的外側導件部；及形成在前述上側導件部的下緣部，用以使通過前述上側環狀流路而來的氣流與通過前述下側環狀流路而來的氣流合流的開口部，前述外側導件部係以與上側導件部相對向的面的縱剖面形狀朝下方側膨脹的方式呈彎曲。
此外，本發明係可列舉例如以下具體例。
1.構成為具備有：與前述處理杯相連接之吸引排氣用的排氣路；及設在該排氣路，用以切換成以第1排氣量將吸引排氣量作排氣的第1狀態、與以比第1排氣量為少的第2排氣量作排氣的第2狀態的2段的排氣量切換機構。
2.構成為：前述噴嘴係包含：在基板中心部供給作為處理液之阻劑液的阻劑噴嘴、及在基板背面周緣的斜面部排出作為處理液之洗淨液的洗淨噴嘴，設有控制部，其係當由該洗淨噴嘴對前述斜面部排出洗淨液時，輸出用以使基板旋轉而且將排氣量切換機構切換成第2狀態的控制訊號。
3.當由前述洗淨噴嘴對前述斜面部排出洗淨液時之基板的 旋轉數為400rpm~2500rpm。
此外，本發明之液體處理方法，其特徵為包含：使用前述液體處理裝置，一面使基板旋轉，一面對基板的中心部由噴嘴供給作為處理液的塗佈液而將基板表面加以塗佈的工程；及接著一面使基板旋轉，一面對基板供給作為處理液的洗淨液而將該基板進行洗淨的工程。
本發明之液體處理裝置係當將由被保持在基板保持部的基板飛散的處理液，由下側導件部與上側導件部之間的環狀流路作吸引排氣時，以將上側導件部的內周面朝外側膨脹的方式彎曲而朝下方延伸而形成。因此，使前述環狀流路的容積增大，藉此可降低因進行旋轉的基板所產生的氣流的流速。因此，即使為基板的旋轉數高、且以低排氣來進行處理杯內之排氣的工程，亦可抑制因氣流逆流，而乘著該氣流，處理液的霧氣朝處理杯外部飛散，而再附著在基板的情形。
換言之，即使為基板旋轉數為較高的液體處理，亦可減低排氣量。接著，當使用本發明之裝置來進行阻劑塗佈方法時，當洗淨基板的斜面部時，即使提高基板的旋轉數而且設定為低排氣量，亦可抑制杯內排氣中的逆流，因此可抑制霧氣對於基板的再附著，可減低圖案缺陷的發生。阻劑塗佈時，必須要形成為高排氣量，因此可利用高排氣 與低排氣之2段切換的簡易功能，而且可減低斜面部洗淨時的排氣量。
針對將本發明之液體處理裝置應用在阻劑塗佈裝置的實施形態加以說明。如第1圖所示，阻劑塗佈裝置係具備有藉由真空吸附而將晶圓W水平保持的轉盤31。該轉盤31係可藉由從下方所連接的旋轉驅動部32來作升降，可繞垂直軸旋轉。包圍前述轉盤31設有處理杯33，處理杯33係由內側杯40、中間杯50、及外側杯60所構成。
如第1及2圖所示，內側杯40係由：由被保持在轉盤31的晶圓W的下方、且由與晶圓W的背面側周緣部接近而相對向的位置朝外側下方呈傾斜的環狀的傾斜壁41、及與該傾斜壁41的下緣接連，朝下方延伸的環狀垂直壁42所構成，前述傾斜壁41及垂直壁42係具有導引由晶圓W溢出的阻劑液流落的下側導件部45的作用。此外，內側杯40的頂部係形成為以下構造：以環狀形成有由從晶圓W周緣朝向中心側靠近例如十數毫米的位置的投影領域，朝向由晶圓W的背面周緣朝中心側靠近數毫米的位置，朝斜上方延伸的突壁部43，並且設有將該突壁部43之內周側之傾斜面的下緣設為外周之水平的圓板部44，轉盤31貫穿圓板部44的中央部。
前述中間杯50係包圍內側杯40的外側而設，中間杯50的底部係形成為凹部狀，構成為環狀的受液部51。該受液 部51係由下方連接廢液路52，並且以2支排氣管53突入在離該廢液路52較接近轉盤31的位置的形式而設，可藉由排氣管53的側壁來分離氣體與液體。前述排氣管53係在下游分別合流，透過風門54而與例如工廠的排氣管相連接，藉由風門54的開閉度，可將處理杯33的雰圍氣，以高排氣或低排氣之2階段的排氣量來進行吸引排氣。其中，雖在先前技術之項目中亦已有記載，所謂高排氣係指排氣壓高、排氣量多的狀態，此外所謂低排氣係指排氣壓低、排氣量少的狀態。
此外，中間杯50係垂直配置的筒狀部50a與由該筒狀部50a的上緣朝向內側上方大概斜向延伸的上側導件部70的下緣、亦即筒狀部50a的上緣係位於比下側導件部的下緣稍微高的位置。接著，上側導件部70的上端面係被設定成與被保持在轉盤31的晶圓W表面為大致相同的高度位置，形成為其內緣離晶圓W的周緣為例如2mm，並且其寬幅(沿著晶圓W之直徑延長線的長度尺寸)為例如304mm的環狀水平面76。與上側導件部70中之前述上端面之外緣呈連續的面(外周面)係由上依序構成為傾斜面75、垂直面74及傾斜面73，在下側的傾斜面73亦如第3圖所示沿著圓周方向而形成有複數開口部77。
另一方面，上側導件部70的內周面係由：以包圍被保持在轉盤31之晶圓W的外側下方領域的方式形成為環狀，以其內周面的縱剖面形狀朝外側膨脹的方式呈彎曲的彎曲面72、及朝外方下方延伸的傾斜面71所構成。在前述上側 導件部70與傾斜壁41之間形成朝外側斜向延伸的環狀流路79，此外，在筒狀部50a與垂直壁40之間形成有垂直延伸的環狀流路79。
外側杯60係由：由中間杯50中之筒狀部50a的上端部垂直朝上方伸出的筒狀部60a、及由該筒狀部60a的上緣朝內側上方伸出的傾斜壁61所構成。外側杯60與中間杯50之間的環狀空間78係具有在擴展阻劑液時，使得藉由晶圓W的旋轉所形成的氣流亂流減低的作用。此外，傾斜壁61與上側導件部70之水平面76的最短距離L係以後述下降氣流的流速增大的方式被設定為例如10mm。此外，圖中62為開口部，可透過該開口部62將晶圓W在轉盤31作收授。
接著說明斜面洗淨噴嘴46。如第4圖(b)及第5圖所示，斜面洗淨噴嘴46係被嵌入在將內側杯40之環狀傾斜壁43的一部分作切口的切口部47，以在圓板部44的直徑方向彼此相對向的方式設有2個。前述斜面洗淨噴嘴46係可沿著朝圓板部44的徑向伸長的軌條48，在轉盤31側與傾斜壁43側之間作進退。此外如第4圖(a)所示，斜面洗淨噴嘴46係具有用以排出供洗淨晶圓W之斜面部之用的洗淨液的排出口46a。該排出口46a係在斜面洗淨噴嘴46被嵌入在切口部47的狀態下以朝向晶圓W之背面周緣部的方式所形成，可由透過配管而與斜面洗淨噴嘴46相連接之未圖示的洗淨液供給源接受洗淨液的供給，而將該洗淨液排出至晶圓W。
前述處理杯33係被收納在框體80，在該框體80的側壁設有用以透過未圖示的搬送臂來搬出搬入晶圓W之用的搬 出入口81，82係用以開閉搬出入口的擋門。該擋門82係除了晶圓W藉由搬送臂被搬出至框體80內部的情形以外為呈封閉。在前述框體80內的上部設有風扇過濾器單元(FFU)83，該FFU83係具有透過由上方所連接的配管84，將清淨氣體例如潔淨空氣(clean air)供給至框體80內而形成下降氣流的作用。此外，在框體80的底部設有用以將該框體80內的雰圍氣作吸引排氣的排氣路85。來自前述FFU83的下降氣流與因排氣管85所造成的吸引排氣相互作用而在框體80內形成有下降氣流。
在框體80內設有在處理杯33的上方排出溶劑例如稀釋劑的溶劑噴嘴91、及排出阻劑的阻劑噴嘴92。該等噴嘴係分別透過供給管93、94而被連接至溶劑供給源95及阻劑供給源96，並且以可藉由未圖示的搬送臂在晶圓W的上方的預定位置與處理杯33的側方的待機位置之間移動的方式所構成。其中，各噴嘴91、92係可例如一體化，亦可採用藉由共通的移動機構來進行移動的構成。
第1圖中90為控制部，藉由該控制部90來進行旋轉驅動部32的驅動控制及風門54的切換控制。前述控制部90係由包含：例如中央運算處理裝置(CPU)、及使阻劑塗佈裝置進行動作的程式的電腦所構成。在該程式係根據預先決定的排程，被組入有關於阻劑液的供給時序或供給量、轉盤31的旋轉速度或旋轉時間、洗淨液的供給時序或供給量等之控制的步驟(命令)群等。該程式係被儲放在例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體，而被安裝在電 腦。
接著說明上述實施形態之作用。使用未圖示的搬送臂將晶圓W由搬出入口81搬入至框體80內，藉由旋轉驅動部32使轉盤31上升，在該轉盤31載置晶圓W而作真空吸附。之後，轉盤31會下降而使晶圓W被收容在處理杯33內。其中，亦可將例如3支升降銷以貫穿前述圓形板44的方式作設置，藉由該升降銷的升降動作來將晶圓W在轉盤31作收授。此時，在處理杯33內係形成有前述的下降氣流，該下降氣流的一部分係通過環狀空間78，透過開口部77而流至環狀流路79，此外下降氣流的一部分係透過晶圓W的外緣與上側導件部70的間隙在環狀流路79流動，且由排氣管53予以排氣。前述下降氣流在環狀空間78流動時，該環狀空間78係將上側導件部70的外側側壁(水平面76)與外側杯60的傾斜壁61的內壁的最短距離L設定為10mm，在藉由在該狹窄空間流動，而使下降氣流的流速呈上升的狀態下，在開口部77朝下方流動。
接著，藉由轉盤31使晶圓W以例如1500rpm的旋轉數進行旋轉，並且將風門54設定為高排氣的狀態(第1狀態)，以高排氣進行排氣(第6圖的時刻t0 )。藉由該進行旋轉的晶圓W而發生氣流，所發生的氣流係在外側杯60內側的環狀空間78及中間杯50內側的環狀流路79流動，透過開口部77而使兩者合流，由以高排氣進行吸引的排氣管53被排氣至處理杯33的外部。接著，使溶劑噴嘴91使用未圖示的移動機構由待機位置朝晶圓W上方的預定位置移動。 接著，由溶劑噴嘴91對晶圓W供給稀釋劑(第6圖的時刻t1 )，將晶圓W表面以稀釋劑沾濕，藉此進行整頓成之後所塗佈的阻劑液容易伸展的環境的預濕(prewet)。之後，使溶劑噴嘴91朝待機位置退避，並且使阻劑噴嘴92朝晶圓W上方的預定位置移動。
接著，接續在將風門54設定成高排氣狀態的狀態下，使晶圓W的旋轉數上升至例如3000rpm(第6圖的時刻t2 )，由阻劑噴嘴92將阻劑排出至該晶圓W的中心部(第6圖的時刻t3 )。如第7圖所示，阻劑係藉由因晶圓W旋轉所造成的離心力，由中心部朝向周緣部伸展，並且多餘的阻劑係由晶圓W表面被甩掉。在阻劑液排出瞬後所被甩掉的多餘阻劑液係在環狀流路79內飛散，在下側導件部45的表面傳播，而暫時貯留在受液部51，由廢液路52朝處理杯33的外部排出。此外，成為霧氣的阻劑係乘著前述下降氣流而在中間杯50內側的環狀流路79流動，由排氣管53排出至處理杯33的外部。在該阻劑塗佈時由晶圓W所被甩掉的阻劑的霧氣雖會衝撞彎曲面72，但是該彎曲面72以由晶圓W朝外側膨脹的方式朝下方彎曲，因此朝向晶圓W的彈回較少。在阻劑塗佈處理結束之後，阻劑噴嘴92係朝預定的待機位置退避，並且將晶圓W的旋轉數降低至例如2000rpm，使該晶圓W旋轉例如1秒鐘。
接著，將風門54切換成低排氣的狀態(第2狀態)，使晶圓W的旋轉數暫時降低至例如100rpm，在確保阻劑液膜的平坦性之後，再使其上升至例如2000rpm(第6圖的時 刻t4 )，以預定時間例如15秒鐘左右調整阻劑膜厚，並且使阻劑乾燥而形成阻劑膜。之後，將晶圓W的旋轉數設為例如2500rpm，由斜面洗淨噴嘴46朝晶圓W的周緣部排出作為洗淨液的溶劑(第6圖的時刻t5 )。該洗淨液的排出例如進行5秒鐘。如第8圖所示，洗淨液係由晶圓W之背面側的斜面部繞至表面側的斜面部，阻劑液膜的周緣部以預定寬幅予以洗淨(cut)。
在該斜面洗淨工程中，由於晶圓W的旋轉數為例如2500rpm，因此因晶圓W旋轉所產生的氣流速度較大(氣流有氣勢)。但是，如第8圖所示，該氣流係利用容積增大的環狀流路79而使其流速變小，與通過開口部77而來的下降氣流合流，雖然處理杯33內的雰圍氣的排氣以低排氣進行，但由排氣管53朝處理杯33的外部作吸引排氣。接著，將晶圓W持續旋轉，在進行例如5秒鐘洗淨液的乾燥後，停止旋轉，並且接著在低排氣的狀態下作吸引(時刻t6 )，與前述之晶圓W搬入時為相反的順序在搬送臂將晶圓W作收授，而由阻劑塗佈裝置被搬出。其中，環狀流路79的形狀為了易於理解且說明作用，為方便起見並未與第1圖相對應。
藉由以上說明之本發明之實施形態，形成為以將上側導件部70之內側側壁的一部分由被保持在轉盤31的晶圓W分離的方式朝外方膨脹的彎曲面72，使上側導件部70的內側側壁與下側導件部45的表面予以區分的環狀流路79的容積增大，藉此使藉由所旋轉的晶圓W所發生的氣流氣勢( 速度)在該環狀流路79內獲得緩和。因此，斜面洗淨時的晶圓W為高旋轉而且處理杯33的排氣量在低排氣的狀態，但是可抑制空氣由開口部77逆流的現象。結果，由於可減少由處理杯33的開口部62乘著氣流而朝外部飛散的洗淨液的霧氣的量，因此抑制霧氣再附著在已經形成有阻劑膜的晶圓W表面。此外，由於上側導件部70的彎曲面72以朝外側膨脹的方式彎曲，因此可抑制由晶圓W所被甩掉的液體朝向該晶圓W彈回。此外，將上側導件部70的水平面76與外側杯60的傾斜壁61的最短距離L設定為例如3mm而較為狹窄，使下降氣流的流速增大，可將在開口部77由下朝上逆流的空氣朝下方擠壓。因此，可提高前述效果。
接著，說明本發明之阻劑塗佈裝置之其他實施形態。對於與上述實施形態相同構成部位，係標註相同的元件符號，以相異部分為中心加以說明。在該例中，如第9圖所示，在外側杯60之傾斜壁61的底面設有遍及全周所形成的環狀垂直壁100。該垂直壁100係朝向上側導件部70的水平面76呈垂直伸長，該垂直壁100的下端面與水平面76的距離被設定為5mm。如上所示若設置垂直壁100，如第10圖所示，由FFU83所被供給的空氣通過垂直壁100的下端面與前述水平面76的狹窄間隙，藉此使其流速增大，透過開口部77而朝下方流動，因此可更加強力抑制欲在開口部77由下而上逆流的空氣。因此，可更加提高前述實施形態的效果。
此外，本發明之阻劑塗佈裝置係可採取第11圖所示之 實施形態，與上述實施形態相同構成部位，係標註相同的元件符號，以相異部位為中心加以說明。在該例中，使用朝下方側彎曲的環狀彎曲壁110來取代前述傾斜壁41，與該彎曲壁110連續設有垂直壁42，而構成下側導件部45。如上所示藉由使下側導件部45的一部分彎曲，環狀流路79的容積與前述實施形態相比較會增大，因此藉由旋轉的晶圓W所產生的氣流流速會更加獲得緩和(參照第12圖)。因此，可更加提高前述實施形態的效果。
如以上所示，本發明係藉由形成為使中間杯50內側的環狀流路79膨脹的形狀，雖然可一面為低排氣，一面提高藉由處理液來處理基板時(在上述例中係藉由溶劑所為之斜面洗淨處理)的旋轉數，但是如上所示之效果並非受限在進行斜面洗淨時。意指例如當將反射防止膜或供液浸曝光對應之用的阻劑保護膜塗佈在晶圓W時，或者藉由顯影液將所被曝光的基板進行顯影後藉由純水所為之洗淨、或液浸曝光前或者藉由之後之純水等洗淨液所為之晶圓W的洗淨，一面使晶圓W進行旋轉一面進行時，為了防止霧氣逆流，可比至今更為低排氣來進行。在上述阻劑塗佈裝置中，係設有用以將在外側杯60內飛散的液體朝下方流動的開口部77，但是本發明在未設有外杯60的液體處理裝置的情形下亦具有效果。亦即，在晶圓W的單片洗淨裝置等中，設定與晶圓W的旋轉數相稱的排氣量的理由係因為霧氣在包圍晶圓W的環狀流路79逆流而發生相同問題之故，因此在如上所示之裝置中亦藉由使環狀流路79膨脹來防止霧 氣逆流，換言之，具有可減低排氣量的效果。
接著，以習知之處理杯與本發明之實施形態之處理杯，比較流出至處理杯外部的霧氣的量。在習知之處理杯使用第17圖的處理杯20，本發明之實施形態之處理杯係使用第1圖的處理杯31，兩杯20、31各自的排氣量同為低排氣。第13圖係顯示在斜面洗淨工程中流出至處理杯外部之霧氣的量的圖，縱軸係表示流出霧氣的數量(個)，橫軸係表示晶圓W的旋轉數。此外，將習知之處理杯20的繪圖設為四角形(□)，將本發明之實施形態之處理杯31的繪圖設為圓形(○)。在習知之處理杯20中，可知霧氣的量至旋轉數1500~1900rpm為止為200個以下，但是1900rpm以後則會數量急速成長。另一方面，在第1圖的處理杯31中，可知霧氣的量在1500~2300rpm之間為200個以下。由該結果可理解：第1圖的處理杯31相較於第17圖的處理杯20，其朝向處理杯之外流出的霧氣的量較少。
接著，簡單說明在適用前述阻劑塗佈裝置之塗佈、顯影裝置連接有曝光裝置的阻劑圖案形成系統之一例。如第14圖及第15圖所示，在塗佈、顯影裝置設有載體區塊S1。在該載體區塊S1中，係使收授臂C由被載置於載置台201上的密閉型載體200取出晶圓W，在與該載體區塊S1相鄰接的處理區塊S2作收授，並且前述收授臂C以接收在處理區塊S2經處理過的處理完畢晶圓W且放回前述載體200的方式所構成。
如第16圖所示，前述處理區塊S2在該例中係由下層積 ：用以進行顯影處理的第1區塊(DEV層)B1、用以進行形成在阻劑膜之下層側的反射防止膜形成處理的第2區塊(BCT層)B2、用以進行阻劑液之塗佈處理的第3區塊(COT層)B3、及用以進行形成在阻劑膜之上層側的反射防止膜形成處理的第4區塊(TCT層)B4所構成。
前述第3區塊(COT層)B3係具備有：塗佈阻劑液的阻劑塗佈裝置；組裝有用以進行利用該阻劑塗佈裝置所進行處理的前處理及後處理之基板加熱裝置的加熱冷卻系的處理單元群；及設在前述阻劑塗佈裝置與基板加熱裝置之間，在該等之間進行晶圓W之收授的搬送臂A3。此外，第2區塊(BCT層)B2與第4區塊(TCT層)B4係具備有：藉由旋塗來塗佈分別用以形成反射防止膜之藥液的液體處理裝置；前述加熱冷卻系的處理單元群；及被設在前述處理裝置與處理單元群之間，在該等之間進行晶圓W之收授的搬送臂A2、A4。另一方面，關於第1處理區塊(DEV層)B1，係在例如一個DEV層B1內層積2層顯影單元。接著在該DEV層B1內係設有用以將晶圓W搬送至該等2層顯影單元的共通搬送臂A1。此外，如第14圖及第16圖所示，在處理區塊S2設有棚架單元U1，在該棚架單元U1之各部彼此之間，係由被設在前述棚架單元U1之附近之升降自如的收授臂D1來搬送晶圓W。
在如上所示之阻劑圖案形成裝置中，來自載體區塊S1的晶圓W係藉由收授臂C而被依序搬送至與前述棚架單元U1的一個收授單元、例如第2區塊(BCT層)B2所對應的 收授單元CPL2，由此晶圓W係透過收授單元CPL3及搬送臂A3而被搬入至第3區塊(COT層)B3，在疏水化處理單元中使晶圓W表面被疏水化後，利用液體處理裝置2形成阻劑膜。阻劑膜形成後的晶圓W係藉由搬送臂A3而在棚架單元U1的收授單元BF3作收授。
之後，此時，晶圓W係透過收授單元BF3→收授臂D1→收授單元CPL4而在搬送臂A4作收授，在阻劑膜之上形成有反射防止膜後，藉由搬送臂A4而在收授單元TRS4作收授。其中，亦會有在阻劑膜之上未形成反射防止膜的情形、或取代對晶圓W進行疏水化處理，而在第2區塊(BCT層)B2形成反射防止膜的情形。
另一方面，在DEV層B1內的上部設有用以由設在棚架單元U1的收授單元CPL11將晶圓W直接搬送至設在棚架單元U2的收授單元CPL12之屬於專用搬送手段的穿梭臂E。形成有阻劑膜或甚至反射防止膜的晶圓W係藉由收授臂D1而透過收授單元BF3、TRS4而在收授單元CPL11作收授，由此藉由穿梭臂E而被直接搬送至棚架單元U2的收授單元CPL12，被取入至介面區塊S3。其中，第16圖中標註有CPL的收授單元係兼作為調溫用的冷卻單元，標註有BF的收授單元係兼作為可載置複數枚晶圓W的緩衝單元。
接著，晶圓W係藉由介面臂B而被搬送至曝光裝置S4，在此進行預定的曝光處理之後，被載置在棚架單元U2的收授單元TRS6而送回至處理區塊S2。所被送回的晶圓W係在第1區塊(DEV層)B1進行顯影處理，藉由搬送臂A1 而被搬送至棚架單元U5中之收授臂C的進出(access)範圍的收授台，透過收授臂C而被送回至載體200。
11‧‧‧轉盤
12‧‧‧旋轉驅動部
13‧‧‧廢液路
14‧‧‧排氣管
14a‧‧‧風門
15‧‧‧阻劑噴嘴
17‧‧‧風扇過濾器單元(FFU)
20‧‧‧處理杯
21‧‧‧下側導件部
22‧‧‧上側導件部
23‧‧‧外側導件部
24‧‧‧環狀流路
25‧‧‧開口部
26‧‧‧斜面洗淨噴嘴
26a‧‧‧排出口
31‧‧‧轉盤
32‧‧‧旋轉驅動部
33‧‧‧處理杯
40‧‧‧內側杯
41‧‧‧傾斜壁
42‧‧‧環狀垂直壁
43‧‧‧突壁部
44‧‧‧圓板部
45‧‧‧下側導件部
46‧‧‧斜面洗淨噴嘴
46a‧‧‧排出口
47‧‧‧切口部
48‧‧‧軌條
50‧‧‧中間杯
50a‧‧‧筒狀部
51‧‧‧受液部
52‧‧‧廢液路
53‧‧‧排氣管
54‧‧‧風門
60‧‧‧外側杯
60a‧‧‧筒狀部
61‧‧‧傾斜壁
62‧‧‧開口部
70‧‧‧上側導件部
71‧‧‧傾斜面
72‧‧‧彎曲面
73‧‧‧傾斜面
74‧‧‧垂直面
75‧‧‧傾斜面
76‧‧‧水平面
77‧‧‧開口部
78‧‧‧環狀空間
79‧‧‧環狀流路
80‧‧‧框體
81‧‧‧搬出入口
82‧‧‧擋門
83‧‧‧風扇過濾器單元(FFU)
84‧‧‧配管
85‧‧‧排氣路
90‧‧‧控制部
91‧‧‧溶劑噴嘴
92‧‧‧阻劑噴嘴
93、94‧‧‧供給管
95‧‧‧溶劑供給源
96‧‧‧阻劑供給源
100‧‧‧垂直壁
110‧‧‧彎曲壁
200‧‧‧載體
201‧‧‧載置台
A1、A2、A3、A4‧‧‧搬送臂
B‧‧‧介面臂
B1‧‧‧第1區塊(DEV層)
B2‧‧‧第2區塊(BCT層)
B3‧‧‧第3區塊(COT層)
B4‧‧‧第4區塊(TCT層)
BF3、CPL2、CPL4、CPL11、CPL12、TRS4、TRS6‧‧‧收授單元
C、D1‧‧‧收授臂
E‧‧‧穿梭臂
L‧‧‧距離
S1‧‧‧載體區塊
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
U1、U2、U5‧‧‧棚架單元
W‧‧‧晶圓
第1圖係本發明之實施形態之阻劑塗佈裝置的縱剖面圖。
第2圖係前述阻劑塗佈裝置所使用的處理杯的上視圖。
第3圖係前述處理杯的縱剖面的斜視圖。
第4圖係前述阻劑塗佈裝置所使用的斜面洗淨噴嘴的側面圖及斜視圖。
第5圖係顯示前述阻劑塗佈裝置所使用的內側杯與斜面洗淨噴嘴之關係的斜視圖。
第6圖係說明前述阻劑塗佈裝置中之塗佈處理製程的關係圖。
第7圖係以模式說明使用前述阻劑塗佈裝置之阻劑塗佈之態樣的模式圖。
第8圖係以模式說明前述阻劑塗佈裝置中之斜面洗淨處理之態樣的模式圖。
第9圖係其他實施形態之阻劑塗佈裝置的縱剖面圖。
第10圖係以模式說明其他實施形態之阻劑塗佈裝置中之斜面洗淨處理之態樣的模式圖。
第11圖係其他實施形態之阻劑塗佈裝置的縱剖面圖。
第12圖係以模式說明其他實施形態之阻劑塗佈裝置中 之斜面洗淨處理之態樣的模式圖。
第13圖係將霧氣朝本發明之實施形態的處理杯與習知的處理杯的杯體外部飛散的量加以比較的比較圖。
第14圖係顯示適用本發明之實施形態之阻劑塗佈裝置的塗佈/顯影裝置的俯視圖。
第15圖係前述塗佈/顯影裝置的斜視圖。
第16圖係前述塗佈/顯影裝置的縱剖面圖。
第17圖係習知之阻劑塗佈裝置的縱剖面圖。
第18圖係習知之阻劑塗佈裝置所使用的處理杯的上視圖。
第19圖係以模式說明習知之阻劑塗佈裝置中之斜面洗淨處理之態樣的模式圖。

Claims (7)

  1. 一種液體處理裝置，係在形成有下降氣流的處理杯內，一面使被保持在轉盤的基板旋轉，一面對該基板進行液體處理，並且由處理杯的下部，將該處理杯內部的氣體環境作吸引排氣而且將液體進行排出的液體處理裝置，其特徵為具備有：用以在被保持在前述轉盤的基板供給處理液的噴嘴；由與被保持在前述轉盤的基板背面的周緣部近接而相對向的位置，朝向外側下方呈斜向伸出而且在基板的圓周方向形成為環狀的下側導件部；其上端面位於與被保持在前述轉盤的基板的表面大致相同的高度，並且在與前述下側導件部之間，形成用以將由基板飛散的處理液連同氣流一起導引至下方的環狀流路，而且以包圍基板之外側下方領域的方式與前述下側導件部相對向形成為環狀，以其內周面的縱剖面形狀朝外側膨脹的方式彎曲而朝下方延伸的上側導件部；以包圍前述上側導件部的方式而且由該上側導件部的外方側遍及上方側而設，為了將基板旋轉時的氣流作整流，在與該上側導件部之間形成環狀空間的外側杯；為了在途中縮窄前述環狀空間，由外側杯的下面朝向前述上側導件部的上面突出，在圓周方向形成為環狀的環狀垂直壁；及 形成在前述上側導件部的下緣部，用以使通過前述環狀空間而來的氣流與通過前述環狀流路而來的氣流合流的開口部。
  2. 一種液體處理裝置，係在形成有下降氣流的處理杯內，一面使被保持在轉盤的基板旋轉，一面對該基板進行液體處理，並且由處理杯的下部，將該處理杯內部的氣體環境作吸引排氣而且將液體進行排出的液體處理裝置，其特徵為具備有：用以在被保持在前述轉盤的基板供給處理液的噴嘴；由與被保持在前述轉盤的基板背面的周緣部近接而相對向的位置，朝向外側下方呈斜向伸出而且在基板的圓周方向形成為環狀的下側導件部；其上端面位於與被保持在前述轉盤的基板的表面大致相同的高度，並且在與前述下側導件部之間，形成用以將由基板飛散的處理液連同氣流一起導引至下方的環狀流路，而且以包圍基板之外側下方領域的方式與前述下側導件部相對向形成為環狀，以其內周面的縱剖面形狀朝外側膨脹的方式彎曲而朝下方延伸的上側導件部；以包圍前述上側導件部的方式而且由該上側導件部的外方側遍及上方側而設，為了將基板旋轉時的氣流作整流，在與該上側導件部之間形成環狀空間的外側杯；及形成在前述上側導件部的下緣部，用以使通過前述環狀空間而來的氣流與通過前述環狀流路而來的氣流合流的開口部， 前述下側導件部係彎曲成與上側導件部相對向的面的縱剖面形狀朝下方側膨脹。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之液體處理裝置，其中，具備有：與前述處理杯相連接之吸引排氣用的排氣路；及設在該排氣路，用以切換成以高排氣將吸引排氣量作排氣的第1狀態、與以比高排氣為少的低排氣作排氣的第2狀態的2段的排氣量切換機構。
  4. 如申請專利範圍第3項之液體處理裝置，其中，前述噴嘴係包含：在基板中心部供給作為處理液之阻劑液的阻劑噴嘴、及在基板背面周緣的斜面部排出作為處理液之洗淨液的洗淨噴嘴，設有控制部，其係當由該洗淨噴嘴對前述斜面部排出洗淨液時，輸出用以使基板旋轉而且將排氣量切換機構切換成第2狀態的控制訊號。
  5. 如申請專利範圍第4項之液體處理裝置，其中，當由前述洗淨噴嘴對前述斜面部排出洗淨液時之基板的旋轉數為400rpm~2500rpm。
  6. 一種液體處理方法，其特徵為包含：使用如申請專利範圍第1項之裝置，一面使基板旋轉，一面對基板的中心部由噴嘴供給作為處理液的塗佈液而將基板表面加以塗佈的工程；及接著一面使基板旋轉，一面對基板供給作為處理液的洗淨液而將該基板進行洗淨的工程。
  7. 一種液體處理方法，其特徵為包含： 使用如申請專利範圍第2項之裝置，一面使基板旋轉，一面對基板的中心部由噴嘴供給作為處理液的塗佈液而將基板表面加以塗佈的工程；及接著一面使基板旋轉，一面對基板供給作為處理液的洗淨液而將該基板進行洗淨的工程。
TW099106150A 2009-03-04 2010-03-03 Liquid handling device and liquid treatment method TWI392545B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009051174A JP4816747B2 (ja) 2009-03-04 2009-03-04 液処理装置及び液処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201043347A TW201043347A (en) 2010-12-16
TWI392545B true TWI392545B (zh) 2013-04-11

Family

ID=42678502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099106150A TWI392545B (zh) 2009-03-04 2010-03-03 Liquid handling device and liquid treatment method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8375887B2 (zh)
JP (1) JP4816747B2 (zh)
KR (2) KR101633518B1 (zh)
CN (2) CN102569133B (zh)
TW (1) TWI392545B (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110117283A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Hsueh Chia-Hao Spray coating system
JP5220839B2 (ja) * 2010-12-28 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN103537450B (zh) * 2012-07-12 2015-08-05 亿力鑫系统科技股份有限公司 分流装置
KR102167485B1 (ko) * 2012-09-13 2020-10-19 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법
CN103785638A (zh) * 2012-11-01 2014-05-14 沈阳芯源微电子设备有限公司 清洗晶圆背面的喷出装置
JP6045357B2 (ja) * 2013-01-16 2016-12-14 キヤノン株式会社 薬液層の形成方法
JP5812023B2 (ja) * 2013-02-13 2015-11-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6020271B2 (ja) * 2013-03-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6090113B2 (ja) * 2013-10-30 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN108198748B (zh) * 2014-02-27 2022-04-29 斯克林集团公司 基板处理装置
JP6267141B2 (ja) * 2014-06-04 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6384414B2 (ja) * 2014-08-08 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体
KR102277539B1 (ko) * 2014-09-17 2021-07-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 컵 유닛
US9482957B1 (en) * 2015-06-15 2016-11-01 I-Shan Ke Solvent for reducing resist consumption and method using solvent for reducing resist consumption
TWI622091B (zh) * 2015-06-18 2018-04-21 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP6461749B2 (ja) 2015-08-26 2019-01-30 東芝メモリ株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6543534B2 (ja) 2015-08-26 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN105244304B (zh) * 2015-11-11 2018-12-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种带静电液雾清洗装置和清洗方法
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
NL2017053B1 (en) * 2016-06-27 2018-01-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Method for coating a substrate and also a coating system
KR101914480B1 (ko) * 2016-07-01 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6769166B2 (ja) * 2016-08-10 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR101914481B1 (ko) * 2017-03-09 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6789155B2 (ja) * 2017-03-15 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及びカップ
JP6879074B2 (ja) * 2017-06-23 2021-06-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6899265B2 (ja) * 2017-06-27 2021-07-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体
KR102447277B1 (ko) * 2017-11-17 2022-09-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템
CN110021535A (zh) * 2018-01-10 2019-07-16 弘塑科技股份有限公司 基板处理装置及其旋转台
CN108580211A (zh) * 2018-03-12 2018-09-28 江苏雷博科学仪器有限公司 一种高精度匀胶机气流控制稳定成膜方法
KR102121240B1 (ko) * 2018-05-03 2020-06-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7093703B2 (ja) * 2018-09-07 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7202901B2 (ja) * 2019-01-18 2023-01-12 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
CN109701943A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种晶片清洗盆
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN110918309B (zh) * 2019-11-29 2021-07-09 福建省德化县铭晟陶瓷有限公司 一种用于陶瓷喷涂生产用的喷涂装置
JP7438015B2 (ja) * 2020-05-01 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20220108560A (ko) 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
CN113909198B (zh) * 2021-09-06 2023-09-01 天津晟龙科技发展有限公司 一种晶圆半导体加工用清洗装置
KR20230050871A (ko) 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
CN115069719B (zh) * 2022-08-23 2022-11-22 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种气流增强型单片式方形基板清洗设备
CN117153740B (zh) * 2023-10-31 2024-02-09 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种晶圆加工装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW480584B (en) * 1999-08-17 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Solution processing apparatus and method
US7048800B2 (en) * 2004-02-17 2006-05-23 Asml Holding N.V. Semiconductor substrate processing apparatus

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59127836A (ja) * 1983-01-11 1984-07-23 Nec Corp スピン塗布装置
JP2800008B2 (ja) * 1988-06-27 1998-09-21 東京エレクトロン 株式会社 回転処理装置及び回転処理方法
JPH04174848A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Fujitsu Ltd レジスト塗布装置
JP3138897B2 (ja) * 1993-10-07 2001-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JP3512270B2 (ja) * 1995-07-10 2004-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板塗布装置
JP3703281B2 (ja) * 1998-01-28 2005-10-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4531998B2 (ja) * 2001-02-21 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
JP2002361155A (ja) * 2001-06-01 2002-12-17 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置及びその方法
JP2003174010A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Supurauto:Kk 基板用処理液の回収装置及びそれを含む基板の処理装置
JP3990998B2 (ja) * 2003-03-14 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP4101740B2 (ja) 2003-12-09 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置及びレジストパターンの形成方法
JP4043444B2 (ja) * 2004-02-18 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
KR100594119B1 (ko) * 2004-06-29 2006-06-28 삼성전자주식회사 기판 표면 처리 장치
JP4471865B2 (ja) * 2005-02-18 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
JP2007165869A (ja) 2005-11-21 2007-06-28 Nikon Corp 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置
JP2007194503A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Toshiba Corp 基板処理方法および基板処理装置
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN100592468C (zh) * 2006-02-02 2010-02-24 株式会社迅动 基板处理装置
JP4562040B2 (ja) * 2006-02-17 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、その制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4933945B2 (ja) * 2006-04-18 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4748683B2 (ja) * 2006-10-20 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4900949B2 (ja) * 2007-03-01 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4985082B2 (ja) * 2007-05-07 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体
JP5195010B2 (ja) * 2008-05-13 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW480584B (en) * 1999-08-17 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Solution processing apparatus and method
US7048800B2 (en) * 2004-02-17 2006-05-23 Asml Holding N.V. Semiconductor substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101633518B1 (ko) 2016-06-24
US8375887B2 (en) 2013-02-19
CN101826449B (zh) 2012-02-22
JP2010206019A (ja) 2010-09-16
KR20140103880A (ko) 2014-08-27
TW201043347A (en) 2010-12-16
CN102569133B (zh) 2014-11-19
KR20100100640A (ko) 2010-09-15
JP4816747B2 (ja) 2011-11-16
CN102569133A (zh) 2012-07-11
CN101826449A (zh) 2010-09-08
US20100227056A1 (en) 2010-09-09
KR101545450B1 (ko) 2015-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI392545B (zh) Liquid handling device and liquid treatment method
JP4983885B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TWI529776B (zh) 基板處理裝置
KR100987537B1 (ko) 기판처리장치
JP6051919B2 (ja) 液処理装置
JP5387636B2 (ja) 液処理装置
TW201709405A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TW200814176A (en) Substrate processing apparatus
TWI728346B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2012019025A (ja) 液処理装置
US20140104586A1 (en) Substrate processing method
JP2017195416A (ja) 基板処理装置
JP3824057B2 (ja) 液処理装置
TWI635554B (zh) 基板處理方法
JP7068044B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7372084B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7470785B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP7144982B2 (ja) 基板処理装置
KR20020013408A (ko) 액처리장치 및 액처리방법
JPH0845892A (ja) 回転処理装置