KR101545450B1

KR101545450B1 - 액처리 장치

Info

Publication number: KR101545450B1
Application number: KR1020140088815A
Authority: KR
Inventors: 고오지 다까야나기; 나오후미 기시따
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2009-03-04
Filing date: 2014-07-15
Publication date: 2015-08-18
Also published as: KR20140103880A; TWI392545B; JP2010206019A; CN101826449B; US8375887B2; CN102569133A; CN102569133B; US20100227056A1; CN101826449A; TW201043347A; KR101633518B1; KR20100100640A; JP4816747B2

Abstract

본 발명의 과제는 기판의 회전수를 높게 하고 또한 처리컵 내의 배기를 저배기량으로 행해도 배기류의 역류를 억제하여, 기판으로의 미스트의 재부착을 저감시킬 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것이다.
하강 기류가 형성되어 있는 처리컵(33)에서 회전하고 있는 웨이퍼(W)에 대해 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치에 있어서, 처리컵(33)의 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 외주 근방에 간극을 통해 당해 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환 형상으로 설치되고, 그 내주면의 종단면 형상이 외측으로 팽창되는 것처럼 만곡되어 하방으로 신장되는 상측 가이드부(70)와, 상기 웨이퍼(W)의 주연부 하방으로부터 외측 하방으로 경사진 경사벽(41) 및 이 경사벽(41)에 연속하여, 하방으로 수직으로 신장되는 수직벽(42)으로 구성된 하측 가이드부(45)를 구비한다.

Description

액처리 장치{LIQUID PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리컵 내에 설치된 기판 보유 지지부에 보유 지지하고, 노즐로부터 기판으로 처리액을 공급하는 동시에 기판을 회전시키면서 액처리를 행하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)에 대한 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트 도포 처리가 행해지고, 이 도포 처리의 방법에는, 예를 들어 스핀 코팅법이 있다. 스핀 코팅법을 채용한 레지스트 도포 장치는, 예를 들어 도 17에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 스핀 척(11)과, 이 스핀 척(11)을 회전시키는 회전 구동부(12)와, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(15)과, 상기 스핀 척(11)을 둘러싸고, 하부에 폐액로(13), 배기관(14)이 접속된 처리컵(20)을 구비하고 있다.

또한, 상기 처리컵(20)에는 웨이퍼(W)의 주연부 하방으로부터 외측 하방으로 경사진 환 형상의 하측 가이드부(21)가 설치되는 동시에, 웨이퍼(W)의 주연 부근으로부터 간극을 사이에 두고 경사 하방을 향해 환 형상의 상측 가이드부(22)가 설치되고, 또한 상측 가이드부(22)의 상방에 환 형상의 외측 가이드부(23)가 설치되어 있다. 상기 하측 가이드부(21)와 상측 가이드부(22) 사이는 환 형상 유로(24)를 이루고 있다. 도 17 및 도 18에 도시한 바와 같이, 상측 가이드부(22)에는 둘레 방향을 따라서 개구부(25)가 복수 형성되어, 외측 가이드부(23)와 상측 가이드부(22)로 둘러싸이는 공간과 상기 환 형상 유로(24)를 연통하고 있다.

상기 배기관(14)은 상류측에서 댐퍼(14a)를 통해 공장 배기(공장 내에 설치된 배기로를 포함하는 배기계)에 접속되어, 댐퍼(14a)의 개폐의 정도에 따라서 처리컵(20)의 분위기를 고배기(배기압이 높고, 배기량이 많은 상태) 또는 저배기(배기압이 낮고, 배기량이 적은 상태)의 2단계의 배기량으로 행할 수 있다. 고배기는 레지스트 토출 시의 미스트를 회수하는 목적으로 설정되어 있고, 저배기는 레지스트 건조 시의 미스트를 회수하는 목적으로 설정되어 있다. 레지스트 건조 시에 저배기로 배기를 행하는 이유는 고배기로 배기를 행하면 막 두께의 균일성에 악영향을 미칠 우려가 있기 때문이다.

다음에, 이 레지스트 도포 장치를 사용한 레지스트 도포 공정을 간단하게 설명한다. 상기 레지스트 도포 장치 내는 팬 필터 유닛(FFU)(17)에 의해, 다운플로우가 형성되어 있고, 예를 들어 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 중심으로 레지스트 노즐(15)로부터 레지스트를 도포하고, 그 후 스핀 건조가 행해진다. 이 공정에서는, 웨이퍼(W)로부터 비산한 레지스트의 일부는 자중에 의해 하측 가이드부(21)를 타고 폐액로(13)로부터 외부로 배출된다. 또한, 미스트로 된 레지스트는 상기 개구부(25)를 통해 흐르는 하강 기류 및 회전하고 있는 웨이퍼(W)에 의해 발생한 기류를 타고, 환 형상 유로(24)를 흘러, 배기관(14)으로부터 흡인 배기되게 된다.

그런데, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 이면측에 세정액인 용제를 공급하여, 소위 이면 세정을 행하는 것이 종래부터 행해지고 있지만, 웨이퍼(W)의 표면측 및 이면측의 베벨부에 부착되어 있는 레지스트를 제거하고, 또한 레지스트막의 주연과 웨이퍼(W)의 주연의 이격 치수, 바꾸어 말하면 레지스트의 한정 폭을 정확하게 제어하는 요청이 있다. 이로 인해, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면 주연부의 근방 하방에 내측 가이드부(21)에 끼워 맞추어진 노즐로부터 웨이퍼(W)의 이면측의 베벨부를 향해 세정액(용제)을 토출하는 기술이 알려져 있다. 그리고, 이 베벨 세정을 행할 때에는, 토출한 세정액을 이면측의 베벨부로부터 표면측의 베벨부를 통해 웨이퍼(W)의 표면측의 주연보다도 약간 내측 위치까지 밀어 올리기 위해 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들어 2500rpm 정도의 고회전으로 설정할 필요가 있다. 상기 베벨 세정 노즐은, 도 17에 도시한 바와 같이 하측 가이드부(21)에 끼워 넣어지고, 이 베벨 세정 공정에서는 세정액을 웨이퍼(W)의 표면 주연부까지 닿게 하기 위해 당해 웨이퍼(W)의 회전수를 종래보다도 크게 하고 있다.

한편 최근, 생산 효율의 향상에 수반하여 반도체 제조 장치에 탑재하는 처리컵(20)의 수가 증가하여, 복수의 처리컵(20)으로부터 배기하는 총 배기량이 증대되고 있다. 이 결과 공장용력을 압박하고, 또한 환경에 미치는 악영향도 우려되고 있다. 또한, 레지스트 도포 장치에서는, 배기계의 제어가 복잡해지는 등의 이유로부터 전술한 배기계를 2단계 이상(예를 들어, 고배기, 중배기, 저배기 등의 3단계)으로 하는 것은 어려워, 레지스트 토출 시에는 고배기로 배기를 행함으로써, 비산한 레지스트 미스트를 회수하고, 레지스트 토출 시 이외(베벨 세정 시를 포함함)는 배기량의 증대를 억제하기 위해 저배기로 배기를 행하는 것을 부득이하게 하고 있다.

따라서, 베벨 세정 공정에서는 웨이퍼(W)의 회전수가 커져, 당해 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 기류의 유속이 증대되지만, 처리컵(20)의 배기량은 저배기로 설정되므로, 환 형상 유로(24)로 도입되는 공기량이 배기의 용량을 초과해 버리게 된다. 그런데, 환 형상 유로(24)에 있어서의 수직 부분은 둘레 방향으로 균일하게 배기를 행하기 위해 그 간격이 좁게 설정되어 있으므로, 도 19에 도시한 바와 같이 환 형상 유로(24)에 있어서의 경사 부분으로 유입된 기류의 일부가, 말하자면 잉여분의 공기로서 전술한 개구부(25)를 하부로부터 상부를 향해 역류하여, 처리컵(20)의 개구부로부터 외부로 흐른다. 그때, 베벨 세정 노즐(26)의 토출구(26a)로부터 토출된 세정액의 미스트가 처리컵(20)의 외부로 비산하고, 그 결과 하강 기류를 타고 웨이퍼(W)의 표면에 재부착되어, 그 부착 부위가 패턴 결함의 요인이 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 외측 테두리와 상측 가이드부(22)의 거리가 접근되어 있으므로, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어진(shake off) 레지스트액이나 세정액이 상측 가이드부(22)의 내측 측벽에 부딪쳐, 웨이퍼(W)의 표면으로 튀어 올라 부착될 우려도 있다.

특허 문헌 2에는 처리컵의 상면 및 저면으로부터 각각 스핀 척에 보유 지지된 웨이퍼의 외주 부근까지 신장된 원통형 차폐판을 갖는 레지스트 도포 장치가 게재되어 있지만, 상기 원통형 차폐판은 어디까지나 회전하고 있는 웨이퍼로부터 비산한 도포액의 튀어 오름을 방지하는 것을 목적으로 하고 있어, 상술한 기류가 역류함으로써 처리컵 밖으로의 미스트가 비산하는 과제를 해결하는 것은 어렵다.

일본특허출원공개제2008-277708호 일본특허출원공개소59-127836

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 기판을 회전시키면서 기판에 대해 처리액을 공급하여 처리하는 데 있어서, 기판의 회전수를 높게 하고 또한 처리컵 내의 배기를 저배기량으로 행하여도 배기류의 역류를 억제하여, 기판으로의 미스트의 재부착을 저감시킬 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명에 관한 액처리 장치는,

하강 기류가 형성되어 있는 처리컵 내에서 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판을 회전시키면서 당해 기판에 대해 액처리를 행하는 동시에, 처리컵의 하부로부터 당해 처리컵 내부의 분위기를 흡인 배기하고 또한 액을 배출하는 액처리 장치에 있어서,

상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐과,

상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 이면의 주연부에 근접하여 대향한 위치로부터 외측 하방을 향해 비스듬히 신장되고, 또한 기판의 둘레 방향으로 환 형상으로 형성된 하측 가이드부와,

그 상단부면이 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면과 대략 동일한 높이에 위치하는 동시에, 상기 하측 가이드부와의 사이에, 기판으로부터 비산한 처리액을 기류와 함께 하방으로 가이드하기 위한 하측 환 형상 유로를 형성하고 또한 기판의 외측 하방 영역을 둘러싸도록 상기 하측 가이드부에 대향하여 환 형상으로 형성되고, 그 내주면의 종단면 형상이 외측으로 팽창되는 것처럼 만곡되어 하방으로 신장되는 상측 가이드부를 구비한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 예를 들어 이하의 구체예를 들 수 있다.

1. 상기 상측 가이드부보다도 외측에 위치하고 또한 당해 상측 가이드부를 둘러싸도록 설치되고, 기판의 회전 시의 기류를 정류하기 위해 당해 상측 가이드부와의 사이에 상측 환 형상 유로를 형성하는 외측 가이드부와,

상기 상측 가이드부의 하부 테두리부에 형성되어, 상기 상측 환 형상 유로를 통과해 온 기류를 상기 하측 환 형상 유로를 통과해 온 기류에 합류시키기 위한 개구부를 구비한 구성.

2. 상기 처리컵에 접속된 흡인 배기용 배기로와, 이 배기로에 설치되어, 흡인 배기량을 제1 배기량으로 배기하는 제1 상태와 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 배기하는 제2 상태의 2단으로 절환하기 위한 배기량 절환 기구를 구비한 구성.

3. 상기 노즐은 기판의 중심부에 처리액인 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐과, 기판의 이면의 주연의 베벨부에 처리액인 세정액을 토출하는 세정 노즐을 포함하고,

이 세정 노즐로부터 상기 베벨부로 세정액을 토출할 때에는, 기판을 회전시키고 또한 배기량 절환 기구를 제2 상태로 절환하기 위한 제어 신호를 출력하는 제어부를 설치한 구성.

4. 상기 세정 노즐로부터 상기 베벨부로 세정액을 토출할 때의 기판의 회전수는 400rpm 내지 2500rpm이다.

또한, 본 발명에 관한 액처리 방법은,

상기 액처리 장치를 사용하고,

기판을 회전시키면서 기판의 중심부에 노즐로부터 처리액인 도포액을 공급하여 기판의 표면을 도포하는 공정과,

계속해서 기판을 회전시키면서 기판에 처리액인 세정액을 공급하여 당해 기판을 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 관한 액처리 방법은,

상기 액처리 장치를 사용하여, 기판의 표면에 처리액인 레지스트액을 도포하는 방법에 있어서,

레지스트용 노즐로부터 기판의 중심부로 처리액인 레지스트액을 토출하는 동시에, 배기량 절환 기구를 제1 배기량으로 배기하는 제1 상태로 설정하고, 기판을 회전시켜 레지스트액을 기판의 표면에 도포하는 공정과,

배기량 절환 기구를 제1 배기량보다도 적은 제2 배기량으로 배기하는 제2 상태로 설정하고, 표면에 레지스트액이 도포된 기판을 회전시켜 건조시키는 공정과,

세정용 노즐로부터 기판의 이면 주연의 베벨부로 처리액인 세정액을 토출하는 동시에, 배기량 절환 기구를 제2 상태로 설정한 상태에서, 기판을 회전시켜 당해 기판을 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 액처리 장치는 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판으로부터 비산한 처리액을, 하측 가이드부와 상측 가이드부 사이의 환 형상 유로로부터 흡인 배기하는 데 있어서, 상측 가이드부의 내주면을 외측으로 팽창되는 것처럼 만곡되어 하방으로 신장되도록 형성하고 있다. 이로 인해, 상기 환 형상 유로의 용적을 증대시킴으로써, 회전하는 기판에 의해 발생하는 기류의 유속을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 기판의 회전수가 높고, 처리컵 내의 배기가 저배기로 행해지는 공정에 있어서도, 기류가 역류되어, 이 기류를 타고 처리액의 미스트가 처리컵의 외부로 비산하여, 기판으로 재부착하는 것을 억제할 수 있다.

바꿔 말하면, 기판의 회전수가 높은 액처리라도 배기량을 저감시킬 수 있다고 하는 것이다. 그리고, 본 발명의 장치를 사용하여 레지스트 도포 방법을 행하는 경우, 기판의 베벨부를 세정할 때에 기판의 회전수를 높게 하고, 또한 저배기량으로 설정해도, 컵 내 배기에 있어서의 역류가 억제되므로, 기판으로의 미스트의 재부착을 억제할 수 있어, 패턴의 결함의 발생을 저감시킬 수 있다. 레지스트의 도포 시에는 고배기량으로 하는 것이 필요하므로, 고배기와 저배기의 2단 절환이라고 하는 간이한 기능을 이용할 수 있고, 또한 베벨부의 세정 시의 배기량을 저감시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 종단면도.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치에 사용되는 처리컵의 상면도.
도 3은 상기 처리컵의 종단면의 사시도.
도 4는 상기 레지스트 도포 장치에 사용되는 베벨 세정 노즐의 측면도 및 사시도.
도 5는 상기 레지스트 도포 장치에 사용되는 내측 컵과 베벨 세정 노즐의 관계를 나타내는 사시도.
도 6은 상기 레지스트 도포 장치에 있어서의 도포 처리의 프로세스를 설명하는 관계도.
도 7은 상기 레지스트 도포 장치를 사용한 레지스트 도포의 모습을 모식적으로 설명하는 모식도.
도 8은 상기 레지스트 도포 장치에 있어서의 베벨 세정 처리의 모습을 모식적으로 설명하는 모식도.
도 9는 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 종단면도.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치에 있어서의 베벨 세정 처리의 모습을 모식적으로 설명하는 모식도.
도 11은 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치의 종단면도.
도 12는 다른 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치에 있어서의 베벨 세정 처리의 모습을 모식적으로 설명하는 모식도.
도 13은 본 발명에 관한 실시 형태의 처리컵과 종래의 처리컵의 컵의 외부로 비산하는 미스트의 양을 비교한 비교도.
도 14는 본 발명의 실시 형태에 관한 레지스트 도포 장치가 적용된 도포ㆍ현상 장치를 도시하는 평면도.
도 15는 상기 도포ㆍ현상 장치의 사시도.
도 16은 상기 도포ㆍ현상 장치의 종단면도.
도 17은 종래의 레지스트 도포 장치의 종단면도.
도 18은 종래의 레지스트 도포 장치에 사용되는 처리컵의 상면도.
도 19는 종래의 레지스트 도포 장치에 있어서의 베벨 세정 처리의 모습을 모식적으로 설명하는 모식도.

본 발명에 관한 액처리 장치를 레지스트 도포 장치에 적용한 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 레지스트 도포 장치는 진공 흡착함으로써 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하는 스핀 척(31)을 구비하고 있다. 이 스핀 척(31)은 하방으로부터 접속된 회전 구동부(32)에 의해 승강 가능하고, 연직축 주위로 회전하는 것이 가능하다. 상기 스핀 척(31)을 둘러싸도록 하여 처리컵(33)이 설치되고, 처리컵(33)은 내측 컵(40)과, 중간 컵(50)과, 외측 컵(60)으로 구성된다.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 내측 컵(40)은 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하방이며, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부와 근접하여 대향하는 위치로부터 외측 하방으로 경사진 환 형상의 경사벽(41)과, 이 경사벽(41)의 하부 테두리에 연속되고, 하방으로 신장된 환 형상의 수직벽(42)으로 이루어지고, 상기 경사벽(41) 및 수직벽(42)은 웨이퍼(W)로부터 흘러내린 레지스트액이 흘러내리는 것을 가이드하는 하측 가이드부(45)의 역할을 갖고 있다. 또한, 내측 컵(40)의 정상부는 웨이퍼(W)의 주연으로부터, 예를 들어 수십밀리 중심측으로 치우친 위치의 투영 영역으로부터 웨이퍼(W)의 이면 주연보다 수밀리 중심측으로 치우친 위치를 향해 경사 상방으로 신장되는 돌출벽부(43)가 환 형상으로 형성되는 동시에, 이 돌출벽부(43)의 내주측의 경사면의 하부 테두리를 외주로 하는 수평한 원판부(44)가 설치되어 있고, 원판부(44)의 중앙부를 스핀 척(31)이 관통하고 있는 구조로 되어 있다.

상기 중간 컵(50)은 내측 컵(40)의 외측을 둘러싸서 설치되고, 중간 컵(50)의 저부는 오목부 형상으로 형성되고, 환 형상의 액 수용부(51)로서 구성된다. 이 액 수용부(51)는 하방으로부터 폐액로(52)가 접속되는 동시에, 당해 폐액로(52)로부터 스핀 척(31) 근처의 위치에 2개의 배기관(53)이 돌입하는 형태로 설치되고, 배기관(53)의 측벽에 의해 기체와 액체를 분리하는 것이 가능해진다. 상기 배기관(53)은 하류에서 각각 합류하고, 댐퍼(54)를 통해, 예를 들어 공장의 배기 덕트에 접속되고, 댐퍼(54)의 개폐도에 의해 처리컵(33)의 분위기를 고배기 또는 저배기의 2단계의 배기량으로 흡인 배기를 행할 수 있다. 또한, 배경 기술의 항목에 있어서도 기재하고 있지만, 고배기라 함은, 배기압이 높고, 배기량이 많은 상태이고, 또한 저배기라 함은, 배기압이 낮고, 배기량이 적은 상태이다.

또한, 중간 컵(50)은 수직으로 배치된 통 형상부(50a)와 이 통 형상부(50a)의 상부 테두리로부터 내측 상방을 향해 대략 비스듬히 신장되는 상측 가이드부(70)의 하부 테두리, 즉 통 형상부(50a)의 상부 테두리는 하측 가이드부의 하부 테두리보다도 약간 높게 위치하고 있다. 그리고, 상측 가이드부(70)의 상단부면은 스핀 척(31)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 표면과 대략 동일한 높이 위치로 설정되고, 그 내측 테두리가 웨이퍼(W)의 주연으로부터, 예를 들어 2㎜ 이격되어 있는 동시에 그 폭[웨이퍼(W)의 직경의 연장선을 따른 길이 치수]이, 예를 들어 304㎜인 환 형상의 수평면(76)으로서 형성되어 있다. 상측 가이드부(70)에 있어서의 상기 상단부면의 외측 테두리에 연속하는 면(외주면)은, 상부로부터 순차적으로 경사면(75), 수직면(74) 및 경사면(73)으로서 구성되고, 하측의 경사면(73)에는 도 3에도 도시한 바와 같이 둘레 방향을 따라서 복수의 개구부(77)가 형성되어 있다.

한편, 상측 가이드부(70)의 내주면은 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 외측 하방 영역을 둘러싸도록 환 형상으로 형성되고, 그 내주면의 종단면 형상이 외측으로 팽창되는 것처럼 만곡된 만곡면(72)과, 외측 하방으로 연장된 경사면(71)으로 구성된다. 상기 상측 가이드부(70)와 경사벽(41) 사이에 외측으로 비스듬히 신장되는 환 형상 유로(79)가 형성되고, 또한 통 형상부(50a)와 수직벽(40) 사이에 수직으로 신장되는 환 형상 유로(79)가 형성되게 된다.

외측 컵(60; '외측 가이드부'라고도 함)은 중간 컵(50)에 있어서의 통 형상부(50a)의 상단부로부터 수직으로 상방으로 신장되는 통 형상부(60a)와, 이 통 형상부(60a)의 상부 테두리로부터 내측 상방으로 신장된 경사벽(61)으로 구성된다. 외측 컵(60)과 중간 컵(50) 사이의 환 형상 공간(78)은 레지스트액을 퍼지게 할 때에 웨이퍼(W)의 회전에 의해 형성되는 기류의 흐트러짐을 저감시키는 역할을 갖고 있다. 또한, 경사벽(61)과 상측 가이드부(70)의 수평면(76)과의 최단 거리(L)는 후술하는 하강 기류의 유속이 증대되도록, 예를 들어 10㎜로 설정되어 있다. 또한, 도면 중 부호 62는 개구부이고, 이 개구부(62)를 통해 웨이퍼(W)를 스핀 척(31)으로 전달할 수 있다.

다음에, 베벨 세정 노즐(46)을 설명한다. 도 4의 (b) 및 도 5에 도시한 바와 같이, 베벨 세정 노즐(46)은 내측 컵(40)의 환 형상의 경사벽(43)의 일부를 절결한 절결부(47)에 끼워 넣어지고, 원판부(44)의 직경 방향으로 서로 대향하도록 2개 설치되어 있다. 상기 베벨 세정 노즐(46)은 원판부(44)의 직경 방향으로 신장된 레일(48)을 따라서 스핀 척(31)측과 경사벽(43)측 사이를 진퇴하는 것이 가능하다. 또한, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 베벨 세정 노즐(46)은 웨이퍼(W)의 베벨부를 세정하기 위한 세정액을 토출하기 위한 토출구(46a)를 갖고 있다. 이 토출구(46a)는 베벨 세정 노즐(46)이 절결부(47)에 끼워 넣어진 상태에서 웨이퍼(W)의 이면 주연부를 향하도록 형성되고, 베벨 세정 노즐(46)에 배관을 통해 접속되는 도시하지 않은 세정액 공급원으로부터 세정액의 공급을 받아, 당해 세정액을 웨이퍼(W)로 토출할 수 있다.

상기 처리컵(33)은 하우징(80)에 수납되어 있고, 이 하우징(80)의 측벽에는 도시하지 않은 반송 아암을 통해 웨이퍼(W)를 반출입하기 위한 반출입구(81)가 형성되고, 도 82는 반출입구를 개폐하기 위한 셔터이다. 이 셔터(82)는 웨이퍼(W)가 반송 아암에 의해 하우징(80)의 내부로 반출입되는 경우를 제외하고 폐쇄되어 있다. 상기 하우징(80) 내의 상부에 팬 필터 유닛(FFU)(83)이 설치되고, 이 FFU(83)는 상방으로부터 접속된 배관(84)을 통해 청정 기체, 예를 들어 클린 에어를 하우징(80) 내에 공급하여 하강 기류를 형성하는 역할을 갖는다. 또한, 하우징(80)의 저부에는 당해 하우징(80) 내의 분위기를 흡인 배기하기 위한 배기로(85)가 형성되어 있다. 상기 FFU(83)로부터의 하강 기류와 배기관(85)에 의한 흡인 배기가 섞여 하우징(80) 내에는 하강 기류가 형성된다.

하우징(80) 내에는 처리컵(33)의 상방에 용제, 예를 들어 시너를 토출하는 용제 노즐(91) 및 레지스트를 토출하는 레지스트 노즐(92)이 설치되어 있다. 이들 노즐은 각각 공급관(93, 94)을 통해 용제 공급원(95) 및 레지스트 공급원(96)으로 접속되는 동시에, 웨이퍼(W)의 상방의 소정 위치와 처리컵(33)의 측방의 대기 위치 사이에서 도시하지 않은 반송 아암에 의해 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 각 노즐(91, 92)은, 예를 들어 일체화되어, 공통의 이동 기구에 의해 이동하는 구성을 채용해도 좋다.

도 1 중 부호 90은 제어부이고, 이 제어부(90)에 의해 회전 구동부(32)의 구동 제어 및 댐퍼(54)의 절환 제어가 행해진다. 상기 제어부(90)는, 예를 들어 중앙 연산 처리 장치(CPU)와, 레지스트 도포 장치를 동작시키는 프로그램을 포함하는 컴퓨터로 이루어진다. 이 프로그램에는 미리 정해진 스케줄에 기초하여, 레지스트액의 공급 타이밍이나 공급량, 스핀 척(31)의 회전 속도나 회전 시간, 세정액의 공급 타이밍이나 공급량 등에 대한 제어에 관한 스텝(명령)군 등이 짜여져 있다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어, 컴퓨터에 인스톨된다.

다음에, 상술한 실시 형태의 작용을 설명한다. 도시하지 않은 반송 아암을 사용하여 웨이퍼(W)를 반출입구(81)로부터 하우징(80) 내로 반입하고, 회전 구동부(32)에 의해 스핀 척(31)을 상승시키고, 당해 스핀 척(31)에 웨이퍼(W)를 적재하여 진공 흡착시킨다. 그 후, 스핀 척(31)은 하강하여 웨이퍼(W)가 처리컵(33) 내에 수납된다. 또한, 예를 들어 3개의 승강 핀을 상기 원형판(44)을 관통하도록 설치하고, 이 승강 핀의 승강 동작에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(31)으로 전달해도 좋다. 이때, 처리컵(33) 내에는 전술한 하강 기류가 형성되어 있고, 이 하강 기류의 일부는 환 형상 공간(78)을 통해, 개구부(77)를 통해 환 형상 유로(79)로 흐르고, 또한 하강 기류의 일부는 웨이퍼(W)의 외측 테두리와 상측 가이드부(70)의 간극을 통해 환 형상 유로(79)를 흘러, 배기관(53)으로부터 배기된다. 상기 하강 기류가 환 형상 공간(78)을 흐를 때에, 당해 환 형상 공간(78)은 상측 가이드부(70)의 외측 측벽[수평면(76)]과 외측 컵(60)의 경사벽(61)의 내벽의 최단 거리(L)가 10㎜로 설정되고, 이 좁은 공간을 흐름으로써 하강 기류의 유속이 상승한 상태에서 개구부(77)를 하방으로 흘러 간다.

다음에, 스핀 척(31)에 의해 웨이퍼(W)를, 예를 들어 1500rpm의 회전수로 회전시키는 동시에 댐퍼(54)를 고배기의 상태(제1 상태)로 설정하고, 고배기로 배기를 행한다(도 6의 시각 t₀). 이 회전하는 웨이퍼(W)에 의해 기류가 발생하고, 발생한 기류는 외측 컵(60)의 내측의 환 형상 공간(78) 및 중간 컵(50)의 내측의 환 형상 유로(79)를 흘러, 개구부(77)를 통해 양자가 합류하고, 고배기로 흡인하고 있는 배기관(53)으로부터 처리컵(33)의 외부로 배기된다. 그리고, 용제 노즐(91)을 도시하지 않은 이동 기구를 사용하여 대기 위치로부터 웨이퍼(W)의 상방의 소정의 위치로 이동시킨다. 다음에, 용제 노즐(91)로부터 웨이퍼(W)로 시너를 공급하여(도 6의 시각 t₁), 웨이퍼(W)의 표면을 시너로 적심으로써 이후에 도포하는 레지스트액이 신장되기 쉬운 환경으로 정돈하는 프리웨트가 행해진다. 그 후, 용제 노즐(91)을 대기 위치로 퇴피시키는 동시에 레지스트 노즐(92)을 웨이퍼(W)의 상방의 소정 위치로 이동시킨다.

다음에, 계속해서 댐퍼(54)를 고배기의 상태로 설정한 상태에서, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들어 3000rpm까지 상승시키고(도 6의 시각 t₂), 레지스트 노즐(92)로부터 레지스트를 당해 웨이퍼(W)의 중심부로 토출한다(도 6의 시각 t₃). 도 7에 도시한 바와 같이 레지스트는 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 중심부로부터 주연부를 향해 신장되어 가는 동시에 여분의 레지스트는 웨이퍼(W)의 표면으로부터 떨쳐내어진다. 레지스트액의 토출 직후에 떨쳐내어진 여분의 레지스트액은 환 형상 유로(79) 내로 비산하고, 하측 가이드부(45)의 표면을 타고, 액 수용부(51)에 일시적으로 저류되어, 폐액로(52)로부터 처리컵(33)의 외부로 배출된다. 또한, 미스트로 된 레지스트는 전술한 하강 기류를 타고 중간 컵(50)의 내측의 환 형상 유로(79)를 흘러, 배기관(53)으로부터 처리컵(33)의 외부로 배출된다. 이 레지스트 도포 시에는 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어진 레지스트의 미스트가, 만곡면(72)에 충돌하지만 당해 만곡면(72)이 웨이퍼(W)보다 외측으로 팽창되는 것처럼 하방으로 만곡되어 있으므로, 웨이퍼(W)로의 튀어 오름이 적다. 레지스트의 도포 처리가 종료된 후, 레지스트 노즐(92)은 소정의 대기 위치로 퇴피되는 동시에, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들어 2000rpm까지 떨어뜨리고, 예를 들어 1초간 당해 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

다음에, 댐퍼(54)를 저배기의 상태(제2 상태)로 절환하고, 웨이퍼(W)의 회전수를 일단, 예를 들어 100rpm까지 떨어뜨려 레지스트의 액막의 평탄성을 확보한 후, 예를 들어 2000rpm까지 상승시켜(도 6의 시각 t₄), 소정의 시간 동안, 예를 들어 15초 정도 레지스트막 두께를 조정하는 동시에 레지스트를 건조시켜 레지스트막을 형성한다. 그 후, 웨이퍼(W)의 회전수를, 예를 들어 2500rpm으로 하고, 베벨 세정 노즐(46)로부터 웨이퍼(W)의 주연부로 세정액인 용제를 토출한다(도 6의 시각 t₅). 이 세정액의 토출은, 예를 들어 5초간 행해진다. 도 8에 도시한 바와 같이, 세정액은 웨이퍼(W)의 이면측의 베벨부로부터 표면측의 베벨부까지 유입되어, 레지스트액막의 주연부가 소정의 폭으로 세정(컷트)된다.

이 베벨 세정 공정에서는, 웨이퍼(W)의 회전수가, 예를 들어 2500rpm이므로, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 발생하는 기류의 속도가 크다(기류에 기세가 있음). 그러나, 도 8에 도시한 바와 같이 당해 기류는 용적이 증대된 환 형상 유로(79)에서 그 유속이 작아져, 개구부(77)를 통과해 온 하강 기류와 합류하고, 처리컵(33) 내의 분위기의 배기가 저배기에서 행해지고 있음에도 불구하고, 배기관(53)으로부터 처리컵(33)의 외부로 흡인 배기된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 계속해서 회전하여, 예를 들어 5초간 세정액의 건조를 행한 후, 회전을 정지하는 동시에 계속해서 저배기의 상태로 흡인하고(시각 t₆), 상술한 웨이퍼(W)의 반입 시와는 역의 수순으로 반송 아암으로 웨이퍼(W)가 전달되어, 레지스트 도포 장치로부터 반출된다. 또한, 환 형상 유로(79)의 형상은 작용을 이해하기 쉽게 설명하기 위해 편의상, 도 1과 대응하고 있지 않다.

이상에 설명한 본 발명의 실시 형태에 따르면, 상측 가이드부(70)의 내측 측벽의 일부를 스핀 척(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)로부터 이격되도록 외측으로 팽창시킨 만곡면(72)으로 하고, 상측 가이드부(70)의 내측 측벽과 하측 가이드부(45)의 표면으로 구획되는 환 형상 유로(79)의 용적을 증대시킴으로써, 회전하는 웨이퍼(W)에 의해 발생한 기류의 기세(속도)가 당해 환 형상 유로(79) 내에서 완화된다. 이로 인해, 베벨 세정 시의 웨이퍼(W)가 고회전이고 또한 처리컵(33)의 배기량이 저배기의 상태이지만, 개구부(77)로부터 공기가 역류되는 현상을 억제할 수 있다. 이 결과, 처리컵(33)의 개구부(62)로부터 기류를 타고 외부로 비산하는 세정액의 미스트의 양을 줄이는 것이 가능해지므로, 레지스트막이 이미 형성된 웨이퍼(W) 표면에 미스트가 재부착되는 것이 억제된다. 또한, 상측 가이드부(70)의 만곡면(72)이 외측으로 팽창되는 것처럼 만곡되어 있으므로, 웨이퍼(W)로부터 떨쳐내어진 액의 당해 웨이퍼(W)로의 튀어 오름을 억제할 수 있다. 또한, 상측 가이드부(70)의 수평면(76)과 외측 컵(60)의 경사벽(61)의 최단 거리(L)를, 예를 들어 3㎜로 설정하여 좁게 하고, 하강 기류의 유속을 증대시켜, 개구부(77)를 하부로부터 상부로 역류하는 공기를 하방으로 눌러 내릴 수 있다. 따라서 전술한 효과를 높이는 것이 가능해진다.

다음에, 본 발명에 관한 레지스트 도포 장치의 다른 실시 형태를 설명한다. 상술한 실시 형태와 동일 구성 부위에는 동일한 번호를 부여하여, 상이한 부분을 중심으로 설명한다. 본 예에서는, 도 9에 도시한 바와 같이 외측 컵(60)의 경사벽(61)의 저면에, 전체 둘레에 걸쳐서 형성된 환 형상의 돌출부(100)를 설치하고 있다. 이 돌출부(100)는 상측 가이드부(70)의 수평면(76)을 향해 수직으로 신장되고 있고, 당해 돌출부(100)의 하단부면과 수평면(76)의 거리가 5㎜로 설정되어 있다. 이와 같이 돌출부(100)를 설치하도록 하면, 도 10에 도시한 바와 같이 FFU(83)로부터 공급된 공기가 돌출부(100)의 하단부면과 상기 수평면(76)의 좁은 간극을 통과함으로써, 그 유속이 증대되어, 개구부(77)를 통해 하방으로 흐르기 때문에, 개구부(77)를 하부로부터 상부로 역류하려고 하는 공기를 보다 강하게 억제할 수 있다. 따라서, 전술한 실시 형태의 효과를 가일층 높일 수 있다.

또한, 본 발명에 관한 레지스트 도포 장치는 도 11에 도시하는 실시 형태를 취해도 좋고, 상술한 실시 형태와 동일 구성 부위에는 동일한 번호를 부여하여, 상이한 부위를 중심으로 설명한다. 본 예에서는 상기 경사벽(41) 대신에 하방측으로 만곡된 환 형상의 만곡벽(110)을 사용하여, 이 만곡벽(110)에 연속해서 수직벽(42)을 설치하여, 하측 가이드부(45)를 구성하도록 하고 있다. 이와 같이 하측 가이드부(45)의 일부를 만곡시킴으로써 환 형상 유로(79)의 용적이 상술한 실시 형태에 비교하여 증대되게 되므로, 회전하는 웨이퍼(W)에 의해 발생하는 기류의 유속이 보다 완화되게 된다(도 12 참조). 따라서, 전술한 실시 형태의 효과를 가일층 높일 수 있다.

이상과 같이 본 발명은 중간 컵(50)의 내측의 환 형상 유로(79)를 팽창시킨 형상으로 함으로써, 저배기이면서, 처리액에 의해 기판을 처리할 때(상술한 예에서는 용제에 의한 베벨 세정 처리)의 회전수를 높게 할 수 있지만, 이와 같은 효과는 베벨 세정을 행할 때로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반사 방지막이나 액침 노광 대응을 위한 레지스트 보호막을 웨이퍼(W)에 도포할 때, 혹은 노광된 기판을 현상액에 의해 현상한 후의 순수에 의한 세정 또는 액침 노광전 혹은 후의 순수 등의 세정액에 의한 웨이퍼(W)의 세정을, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 행하는 데 있어서, 미스트의 역류를 방지하기 위해 지금까지보다도 저배기로 행할 수 있는 것을 의미하고 있다. 상술한 레지스트 도포 장치에서는 외측 컵(60) 내로 비산한 액을 하방으로 흘리기 위한 개구부(77)가 형성되어 있지만, 본 발명은 외부 컵(60)이 설치되어 있지 않은 액처리 장치의 경우에도 효과가 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 매엽식 세정 장치 등에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수에 적당한 배기량을 설정하는 이유는 웨이퍼(W)를 둘러싸는 환 형상 유로(79)를 미스트가 역류하여 동일한 문제가 일어나기 때문이고, 이로 인해, 이와 같은 장치에 있어서도 환 형상 유로(79)를 팽창시킴으로써 미스트의 역류를 막을 수 있는, 바꾸어 말하면 배기량을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.

다음에, 종래의 처리컵과 본 발명의 실시 형태에 관한 처리컵으로, 처리컵의 외부로 유출되는 미스트의 양을 비교한다. 종래의 처리컵에는 도 17의 처리컵(20)을 사용하고, 본 발명의 실시 형태에 관한 처리컵은 도 1의 처리컵(31)을 사용하며, 양쪽 컵(20, 31) 각각의 배기량은 저배기로 동일하게 하였다. 도 13은 베벨 세정 공정에서의 처리컵의 외부로 유출되는 미스트의 양을 나타낸 도면으로, 종축은 유출된 미스트의 수량(개)을, 횡축은 웨이퍼(W)의 회전수를 나타내고 있다. 또한, 종래의 처리컵(20)의 플롯을 사각형(□)으로 하고, 본 발명의 실시 형태에 관한 처리컵(31)의 플롯을 원형(○)으로 하였다. 종래의 처리컵(20)에서는, 미스트의 양은, 회전수 1500 내지 1900rpm까지는 200개 이하이지만, 1900rpm 이후는 급속하게 수량이 신장되어 있는 것을 알 수 있다. 한편, 도 1의 처리컵(31)에서는, 미스트의 양은 1500 내지 2300rpm 사이, 200개 이하인 것을 알 수 있다. 이 결과로부터, 도 1의 처리컵(31)의 쪽이 도 17의 처리컵(20)보다도 처리컵의 밖으로 유출되는 미스트의 양이 적은 것이 이해된다.

계속해서, 전술한 레지스트 도포 장치를 적용한 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 시스템의 일례를 간단하게 설명한다. 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 도포, 현상 장치에는 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있다. 이 캐리어 블록(S1)에서는 적재대(201) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(200)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 취출하여, 당해 캐리어 블록(S1)에 인접된 처리 블록(S2)으로 전달하는 동시에, 상기 전달 아암(C)이, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 상기 캐리어(200)로 복귀시키도록 구성되어 있다.

상기 처리 블록(S2)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 본 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제4 블록(TCT층)(B4)을 하부로부터 적층하여 구성되어 있다.

상기 제3 블록(COT층)(B3)은 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치와, 이 레지스트 도포 장치에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 기판 가열 장치를 내장한 가열 냉각계의 처리 유닛군과, 상기 레지스트 도포 장치와 기판 가열 장치 사이에 설치되어, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A3)을 구비하고 있다. 또한, 제2 블록(BCT층)(B2)과 제4 블록(TCT층)(B4)은 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 액처리 장치와, 상기 가열 냉각계의 처리 유닛군과, 상기 처리 장치와 처리 유닛군 사이에 설치되어, 이들 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)을 구비하고 있다. 한편, 제1 처리 블록(DEV층)(B1)에 대해서는, 예를 들어 하나의 DEV층(B1) 내에 현상 유닛이 2단으로 적층되어 있다. 그리고, 당해 DEV층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 공통의 반송 아암(A1)이 설치되어 있다. 또한, 처리 블록(S2)에는, 도 14 및 도 16에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U1)이 설치되고, 이 선반 유닛(U1)의 각 부끼리의 사이에서는 상기 선반 유닛(U1)의 근방에 설치된 승강 가능한 전달 아암(D1)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.

이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에서는, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U1) 중 하나의 전달 유닛, 예를 들어 제2 블록(BCT층)(B2)의 대응하는 전달 유닛(CPL2)으로 전달 아암(C)에 의해 순차적으로 반송되고, 이곳으로부터 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL3) 및 반송 아암(A3)을 통해 제3 블록(COT층)(B3)으로 반입되고, 소수화 처리 유닛에 있어서 웨이퍼(W) 표면이 소수화된 후, 액처리 장치(2)에서 레지스트막이 형성된다. 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해, 선반 유닛(U1)의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다.

그 후, 이 경우에는 웨이퍼(W)는 전달 유닛(BF3) → 전달 아암(D1) → 전달 유닛(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)으로 전달되고, 레지스트막 상에 반사 방지막이 형성된 후, 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다. 또한, 레지스트막 상에 반사 방지막을 형성하지 않은 경우나, 웨이퍼(W)에 대해 소수화 처리를 행하는 대신에, 제2 블록(BCT층)(B2)으로 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다.

한편, DEV층(B1) 내의 상부에는 선반 유닛(U1)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U2)에 설치된 전달 유닛(CPL12)으로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 또한 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)에 의해 전달 유닛(BF3, TRS4)을 통해 전달 유닛(CPL11)으로 전달되고, 이곳으로부터 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)의 전달 유닛(CPL12)으로 직접 반송되어, 인터페이스 블록(S3)으로 도입되게 된다. 또한, 도 16 중의 CPL이 부여되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.

계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U2)의 전달 유닛(TRS6)에 적재되어 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는 제1 블록(DEV층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)에 있어서의 전달 아암(C)의 액세스 범위의 전달대로 반송되어, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(200)로 복귀된다.

W : 웨이퍼
31 : 스핀 척
32 : 회전 구동부
33 : 처리컵
40 : 내측 컵
45 : 하측 가이드부
46 : 베벨 세정 노즐
50 : 중간 컵
51 : 액 수용부
60 : 외측 컵
61 : 경사벽
70 : 상측 가이드부
72 : 만곡면
77 : 개구부
92 : 레지스트 노즐

Claims

하강 기류가 형성되어 있는 처리컵 내에서 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판을 회전시키면서 당해 기판에 대해 액처리를 행하는 동시에, 처리컵의 하부로부터 당해 처리컵 내부의 분위기를 흡인 배기하고 또한 액을 배출하는 액처리 장치에 있어서,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판에 처리액을 공급하기 위한 노즐과,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 이면의 주연부에 근접하여 대향한 위치로부터 외측 하방을 향해 비스듬히 돌출되고 또한 기판의 둘레 방향으로 환 형상으로 형성된 하측 가이드부와,
그 상단부면이 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 표면과 동일한 높이에 위치하는 동시에, 상기 하측 가이드부와의 사이에, 기판으로부터 비산한 처리액을 기류와 함께 하방으로 가이드하기 위한 하측 환 형상 유로를 형성하고 또한 기판의 외측 하방 영역을 둘러싸도록 상기 하측 가이드부에 대향하여 환 형상으로 형성된 상측 가이드부와,
상기 상측 가이드부를 둘러싸도록 또한 당해 상측 가이드부의 외측으로부터 상방측에 걸쳐서 설치되고, 기판의 회전시의 기류를 정류하기 위해 당해 상측 가이드부와의 사이에 상측 환 형상 유로를 형성하는 외측 가이드부와,
상기 상측 환 형상 유로를 도중에 좁게 하기 위해 외측 가이드부의 하면으로부터 상기 상측 가이드부의 상면을 향해서 돌출되고, 둘레 방향에 환 형상으로 형성된 돌출부와,
상기 상측 가이드부의 하부 테두리부에 형성되어, 상기 상측 환 형상 유로를 통과해 온 기류를 상기 하측 환 형상 유로를 통과해 온 기류에 합류시키기 위한 개구부를 구비한 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 노즐은, 기판의 이면의 주연의 베벨부에 처리액인 세정액을 토출하는 세정 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.
제2항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부의 회전축을 둘러싸도록 환 형상으로 또한 상기 하측 가이드부에 연속해서 설치된 원판부와,
이 원판부 상에 직경 방향으로 신장해서 설치된 레일을 구비하고,
상기 세정 노즐은 상기 레일을 따라 이동 가능하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 액처리 장치.